JPH11186035A - 非晶質軟磁性薄膜材料およびその製造方法 - Google Patents
非晶質軟磁性薄膜材料およびその製造方法Info
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- JPH11186035A JPH11186035A JP35687797A JP35687797A JPH11186035A JP H11186035 A JPH11186035 A JP H11186035A JP 35687797 A JP35687797 A JP 35687797A JP 35687797 A JP35687797 A JP 35687797A JP H11186035 A JPH11186035 A JP H11186035A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜作製後に熱処理を施すことなく、安定で
良好な軟磁気特性を有する、有機高分子基板上に作製さ
れた軟磁気特性に優れた薄膜材料を提供する。 【解決手段】 少なくともＣｏ、Ｆｅ、Ｃの３種類の元
素を含んでなる非晶質金属薄膜であって、薄膜中のＣ量
が４原子％以上４５原子％以下であり、且つ、飽和磁歪
定数λが０＜λ＜２０×１０-6以下であり、有機高分子
基板上に形成されたことを特徴とする非晶質軟磁性薄膜
材料。不活性ガスと炭化水素ガスとの混合ガス中の炭化
水素ガスの体積分率が０.０５以上０.４以下である混合
ガス中で、少なくともＣｏおよびＦｅとを気化すること
により基板上に薄膜を作製することを特徴とする上記非
晶質軟磁性薄膜材料の製造方法。
良好な軟磁気特性を有する、有機高分子基板上に作製さ
れた軟磁気特性に優れた薄膜材料を提供する。 【解決手段】 少なくともＣｏ、Ｆｅ、Ｃの３種類の元
素を含んでなる非晶質金属薄膜であって、薄膜中のＣ量
が４原子％以上４５原子％以下であり、且つ、飽和磁歪
定数λが０＜λ＜２０×１０-6以下であり、有機高分子
基板上に形成されたことを特徴とする非晶質軟磁性薄膜
材料。不活性ガスと炭化水素ガスとの混合ガス中の炭化
水素ガスの体積分率が０.０５以上０.４以下である混合
ガス中で、少なくともＣｏおよびＦｅとを気化すること
により基板上に薄膜を作製することを特徴とする上記非
晶質軟磁性薄膜材料の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、軟磁気特性に優
れ、異方性分散の少ない非晶質軟磁性薄膜材料並びに、
その薄膜材料を作製するための製造方法に関する。
れ、異方性分散の少ない非晶質軟磁性薄膜材料並びに、
その薄膜材料を作製するための製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】軟磁気特性の良好な材料を得るために
は、ＦｅやＣｏあるいはＮｉの磁性元素にＳｉやＡｌあ
るいはＭｏ、Ｇａ、Ｒｕなどの多くの元素が添加され、
合金化される。また、最近盛んに利用されている非晶質
磁性金属の場合は、Ｂ、Ｃ、ＰあるいはＺｒ、Ｎｂ、Ｈ
ｆのような、金属を非晶質化させやすい合金元素が大量
に添加される。このような元素の添加は、原材料を高い
ものとするため、これらの磁性材料はかなり高価なもの
であった。しかし、特にスパッタリングなどの気相法に
よって合金薄膜を作製する場合に限っては、炭化水素な
どの至極一般的なガスの形でＣを合金に添加することが
できることから、極めて安価な製品が提供できる可能性
がある。
は、ＦｅやＣｏあるいはＮｉの磁性元素にＳｉやＡｌあ
るいはＭｏ、Ｇａ、Ｒｕなどの多くの元素が添加され、
合金化される。また、最近盛んに利用されている非晶質
磁性金属の場合は、Ｂ、Ｃ、ＰあるいはＺｒ、Ｎｂ、Ｈ
ｆのような、金属を非晶質化させやすい合金元素が大量
に添加される。このような元素の添加は、原材料を高い
ものとするため、これらの磁性材料はかなり高価なもの
であった。しかし、特にスパッタリングなどの気相法に
よって合金薄膜を作製する場合に限っては、炭化水素な
どの至極一般的なガスの形でＣを合金に添加することが
できることから、極めて安価な製品が提供できる可能性
がある。
【０００３】Ｃを含む磁性金属薄膜としては、例えば特
開平４-１３９８０５号公報に開示がある。これによる
と、Ｆｅ-Ｍ合金のターゲットにグラファイトのペレッ
トを配置して不活性ガス中でスパッタリングするか、あ
るいは、Ｆｅ-Ｍ合金を不活性ガスとメタンガスの混合
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって非晶質
薄膜を作製し、この得られた薄膜を加熱処理することに
よって微細結晶を析出させ、保磁力が低く且つ、透磁率
の高い薄膜が得られている。一方、Ｃｏを主成分とする
薄膜においてもＣを含む薄膜について検討がなされてお
り、例えば、日本金属学会誌、第54巻、第11号、第1270〜1
278頁(1990)には、ガラス基上に作製したＣｏ-Ｃ-（Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）薄
膜の磁気特性が調べられている。これらの膜の作製方法
は前記特開平４-１３９８０５号公報と類似しており、
やはりスパッタリングにより非晶質構造を有する薄膜を
作製し、その後に回転磁場を印加しながら熱処理するこ
とで微結晶化させて、飽和磁束密度が１０ｋＧを越え、
且つ、保磁力が１Ｏｅ以下の良好な磁気特性が得られて
いる。
開平４-１３９８０５号公報に開示がある。これによる
と、Ｆｅ-Ｍ合金のターゲットにグラファイトのペレッ
トを配置して不活性ガス中でスパッタリングするか、あ
るいは、Ｆｅ-Ｍ合金を不活性ガスとメタンガスの混合
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって非晶質
薄膜を作製し、この得られた薄膜を加熱処理することに
よって微細結晶を析出させ、保磁力が低く且つ、透磁率
の高い薄膜が得られている。一方、Ｃｏを主成分とする
薄膜においてもＣを含む薄膜について検討がなされてお
り、例えば、日本金属学会誌、第54巻、第11号、第1270〜1
278頁(1990)には、ガラス基上に作製したＣｏ-Ｃ-（Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）薄
膜の磁気特性が調べられている。これらの膜の作製方法
は前記特開平４-１３９８０５号公報と類似しており、
やはりスパッタリングにより非晶質構造を有する薄膜を
作製し、その後に回転磁場を印加しながら熱処理するこ
とで微結晶化させて、飽和磁束密度が１０ｋＧを越え、
且つ、保磁力が１Ｏｅ以下の良好な磁気特性が得られて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のＣを含む軟磁性
薄膜は共に飽和磁束密度が高いことから、磁気ヘッドや
コア材料に応用するために検討されたものであった。従
って、ガラスやセラミクスなどの材料が基板に用いられ
るため、５００℃以上になる前記熱処理にも基材は耐え
ることができる。ところで、このような板状の堅い基板
にバッチ成膜されるものの他に、有機高分子フィルムの
ような可撓性のある基板に連続的にコーティングされた
軟磁性薄膜も、将来の有望な材料として検討されてい
る。硬磁性を利用したものでは、すでに磁気テープがあ
り、記録媒体として盛んに利用されているが、軟磁性材
料を同様にコーティングできれば、巻コア、各種フィル
ター、シールドあるいはセンサーなどに幅広い利用が期
待できる。これらの磁性フィルム材料は、磁気ヘッド材
以上に非常に安価に大量製造されることが求められ、そ
の点でＣを含む磁性薄膜は大いに期待が持てる。
薄膜は共に飽和磁束密度が高いことから、磁気ヘッドや
コア材料に応用するために検討されたものであった。従
って、ガラスやセラミクスなどの材料が基板に用いられ
るため、５００℃以上になる前記熱処理にも基材は耐え
ることができる。ところで、このような板状の堅い基板
にバッチ成膜されるものの他に、有機高分子フィルムの
ような可撓性のある基板に連続的にコーティングされた
軟磁性薄膜も、将来の有望な材料として検討されてい
る。硬磁性を利用したものでは、すでに磁気テープがあ
り、記録媒体として盛んに利用されているが、軟磁性材
料を同様にコーティングできれば、巻コア、各種フィル
ター、シールドあるいはセンサーなどに幅広い利用が期
待できる。これらの磁性フィルム材料は、磁気ヘッド材
以上に非常に安価に大量製造されることが求められ、そ
の点でＣを含む磁性薄膜は大いに期待が持てる。
【０００５】そこで、前記従来技術をこの磁性フィルム
に応用することを考えたが、有機高分子材料で前記文献
で示された最適結晶化熱処理温度に耐えられるものは現
在のところなかった。そこで、高分子材料が耐えられる
程度にまで熱処理温度を低下し、その分熱処理時間を長
くする必要があるが、このような条件ではどうしても特
性が悪く、バラツキが生じるという問題点があった。ま
た、このような熱処理による工程自体がコストを上昇さ
せ、さらに、Ｃとともに添加が不可欠なＴａやＮｂなど
の元素により、原材料を安価にすることも困難であっ
た。
に応用することを考えたが、有機高分子材料で前記文献
で示された最適結晶化熱処理温度に耐えられるものは現
在のところなかった。そこで、高分子材料が耐えられる
程度にまで熱処理温度を低下し、その分熱処理時間を長
くする必要があるが、このような条件ではどうしても特
性が悪く、バラツキが生じるという問題点があった。ま
た、このような熱処理による工程自体がコストを上昇さ
せ、さらに、Ｃとともに添加が不可欠なＴａやＮｂなど
の元素により、原材料を安価にすることも困難であっ
た。
【０００６】このような点を考えると、薄膜を作製した
ままの非晶質構造の状態で、良好な軟磁気特性を有する
薄膜が望ましい。Ｆｅを炭化水素ガス中でスパッタし、
非晶質合金化したＦｅ-Ｃ薄膜が、作製したままで良好
な軟磁気特性を示すことが本発明者らにより特開平７−
２１１５７３号公報によって開示されている。さらに、
これらの材料がＰＥＴフィルムなどの有機高分子基板の
上にロールコーターにより連続的に形成できることが示
されている。しかし、コアにするために巻いたり、変形
させると、これらのＦｅＣ薄膜は応力に非常に敏感なた
め、磁気特性が極度に変化し、安定な特性を得ることが
できなかった。一方、前記方法と同じようにＣｏを炭化
水素ガス中でスパッタし、非晶質合金化したＣｏ-Ｃ薄
膜を作製し、特性の改善を計ったところ、このような合
金薄膜では保磁力の小さなものが得られず、フィルムの
部分部分で非常に特性がばらついたものしかできなかっ
た。
ままの非晶質構造の状態で、良好な軟磁気特性を有する
薄膜が望ましい。Ｆｅを炭化水素ガス中でスパッタし、
非晶質合金化したＦｅ-Ｃ薄膜が、作製したままで良好
な軟磁気特性を示すことが本発明者らにより特開平７−
２１１５７３号公報によって開示されている。さらに、
これらの材料がＰＥＴフィルムなどの有機高分子基板の
上にロールコーターにより連続的に形成できることが示
されている。しかし、コアにするために巻いたり、変形
させると、これらのＦｅＣ薄膜は応力に非常に敏感なた
め、磁気特性が極度に変化し、安定な特性を得ることが
できなかった。一方、前記方法と同じようにＣｏを炭化
水素ガス中でスパッタし、非晶質合金化したＣｏ-Ｃ薄
膜を作製し、特性の改善を計ったところ、このような合
金薄膜では保磁力の小さなものが得られず、フィルムの
部分部分で非常に特性がばらついたものしかできなかっ
た。
【０００７】このようなことから、本発明者らは、薄膜
作製後に熱処理を施すことなく、安定で良好な軟磁気特
性を有する、有機高分子基板上に作製された軟磁気特性
に優れた薄膜材料を提供することを目的に検討した。
作製後に熱処理を施すことなく、安定で良好な軟磁気特
性を有する、有機高分子基板上に作製された軟磁気特性
に優れた薄膜材料を提供することを目的に検討した。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上記の点に鑑み、鋭意検討した結果、特定組成から成る
ＣｏＦｅＣ薄膜を有機高分子基板上に作製すると、上記
課題が達成されることを見出し、本発明に到達した。即
ち、本発明における第１の発明は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃの３
種類の元素を含んでなる非晶質薄膜であって、薄膜中の
Ｃ量が４原子％以上４５原子％以下であり、且つ、磁歪
定数（λ）が０＜λ＜２０×１０-6である薄膜を、有機
高分子基板上に作製した非晶質軟磁性薄膜材料であり、
第２の発明は、薄膜作製時に使用するガスが、不活性ガ
スと炭化水素系ガスであって、その不活性ガスと炭化水
素系ガスの体積分率が０.０５〜０.４の範囲内である請
求項１記載の非晶質軟磁性薄膜材料の製造方法を要旨と
するものである。
上記の点に鑑み、鋭意検討した結果、特定組成から成る
ＣｏＦｅＣ薄膜を有機高分子基板上に作製すると、上記
課題が達成されることを見出し、本発明に到達した。即
ち、本発明における第１の発明は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃの３
種類の元素を含んでなる非晶質薄膜であって、薄膜中の
Ｃ量が４原子％以上４５原子％以下であり、且つ、磁歪
定数（λ）が０＜λ＜２０×１０-6である薄膜を、有機
高分子基板上に作製した非晶質軟磁性薄膜材料であり、
第２の発明は、薄膜作製時に使用するガスが、不活性ガ
スと炭化水素系ガスであって、その不活性ガスと炭化水
素系ガスの体積分率が０.０５〜０.４の範囲内である請
求項１記載の非晶質軟磁性薄膜材料の製造方法を要旨と
するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明における第１の発明は、少なくともＣｏ、
Ｆｅ、Ｃの３種類の元素を含んでなる非晶質薄膜であっ
て、薄膜中のＣ量が４原子％以上４５原子％以下であ
り、且つ、磁歪定数（λ）が０＜λ＜２０×１０-6であ
る薄膜を、有機高分子基板上に作製することが必要であ
る。
まず、本発明における第１の発明は、少なくともＣｏ、
Ｆｅ、Ｃの３種類の元素を含んでなる非晶質薄膜であっ
て、薄膜中のＣ量が４原子％以上４５原子％以下であ
り、且つ、磁歪定数（λ）が０＜λ＜２０×１０-6であ
る薄膜を、有機高分子基板上に作製することが必要であ
る。
【００１０】本発明においては、少なくともＣｏ、Ｆ
ｅ、Ｃの３種類の元素が必要であり、その内の一つの元
素が欠けても本発明の範囲ではない。これは、以下の理
由による。磁性元素であるＣｏとＦｅのうち、一つでも
欠けると、磁界中成膜などによって一軸磁気異方性を良
好に導入することが困難になり、その結果、異方性分散
の大きな特性の悪い薄膜となってしまう為である。ま
た、Ｃは４原子％以上４５原子％以下含まれることが必
要であり、１０原子％以上３０原子％以下であるとさら
に好ましい。Ｃ量が４原子％未満の場合には、非晶質構
造を有する薄膜が得られず、軟磁気特性の良好な薄膜が
得られないため適切ではない。また、Ｃ量が４５原子％
を超えると、薄膜が大きく湾曲するなど変形する傾向に
あり、軟磁気特性が極めて劣化する。
ｅ、Ｃの３種類の元素が必要であり、その内の一つの元
素が欠けても本発明の範囲ではない。これは、以下の理
由による。磁性元素であるＣｏとＦｅのうち、一つでも
欠けると、磁界中成膜などによって一軸磁気異方性を良
好に導入することが困難になり、その結果、異方性分散
の大きな特性の悪い薄膜となってしまう為である。ま
た、Ｃは４原子％以上４５原子％以下含まれることが必
要であり、１０原子％以上３０原子％以下であるとさら
に好ましい。Ｃ量が４原子％未満の場合には、非晶質構
造を有する薄膜が得られず、軟磁気特性の良好な薄膜が
得られないため適切ではない。また、Ｃ量が４５原子％
を超えると、薄膜が大きく湾曲するなど変形する傾向に
あり、軟磁気特性が極めて劣化する。
【００１１】さらに、このようにして有機高分子基板上
に作製された薄膜の飽和磁歪定数は、０＜λ＜２０×１
０-6の範囲内であることが必要であり、０＜λ＜１０×
１０-6の範囲内であることがより好ましい。このように
薄膜の飽和磁歪定数を限定するのは、以下の理由のため
である。種々の実験の結果、薄膜の磁気特性は薄膜の磁
歪と有機高分子基板の内在応力、特に熱収縮との関係に
よって著しい影響を受けることが明らかとなった。負の
磁歪定数（λ＜０）を有する薄膜を有機高分子基板上に
作製すると、膜の磁気特性が局所的に極度にばらついた
状態となり、軟磁気特性が著しく劣化する。前述のＣｏ
-Ｃ非晶質薄膜で軟磁気特性が得られなかったのは、こ
のためである。従って、本発明においては、有機高分子
基板の上に正の磁歪の薄膜が形成されることが必要であ
る。このような正磁歪の薄膜では、成膜後に薄膜付きの
フィルムを無応力の状態で使用する限りにおいては、一
軸磁気異方性のある良好な軟磁気特性を得ることができ
る。一方、Ｆｅ-Ｃ薄膜のように磁歪の大きな薄膜で
は、前記したように、巻磁芯のような利用の場合に問題
がある。このような応力の印加によって、保磁力が増大
し、また薄膜の湾曲状態が均一でないために磁気特性も
バラツキが大きくなってしまい、実用に供さなくなる。
に作製された薄膜の飽和磁歪定数は、０＜λ＜２０×１
０-6の範囲内であることが必要であり、０＜λ＜１０×
１０-6の範囲内であることがより好ましい。このように
薄膜の飽和磁歪定数を限定するのは、以下の理由のため
である。種々の実験の結果、薄膜の磁気特性は薄膜の磁
歪と有機高分子基板の内在応力、特に熱収縮との関係に
よって著しい影響を受けることが明らかとなった。負の
磁歪定数（λ＜０）を有する薄膜を有機高分子基板上に
作製すると、膜の磁気特性が局所的に極度にばらついた
状態となり、軟磁気特性が著しく劣化する。前述のＣｏ
-Ｃ非晶質薄膜で軟磁気特性が得られなかったのは、こ
のためである。従って、本発明においては、有機高分子
基板の上に正の磁歪の薄膜が形成されることが必要であ
る。このような正磁歪の薄膜では、成膜後に薄膜付きの
フィルムを無応力の状態で使用する限りにおいては、一
軸磁気異方性のある良好な軟磁気特性を得ることができ
る。一方、Ｆｅ-Ｃ薄膜のように磁歪の大きな薄膜で
は、前記したように、巻磁芯のような利用の場合に問題
がある。このような応力の印加によって、保磁力が増大
し、また薄膜の湾曲状態が均一でないために磁気特性も
バラツキが大きくなってしまい、実用に供さなくなる。
【００１２】本発明者らは、詳細な検討の結果、磁歪定
数（λ）が２０×１０-6を超えると、このような影響が
非常に大きくなることを見いだした。その結果、合金組
成の制御により磁歪を０＜λ＜２０×１０-6の範囲にす
れば、このような応力の影響を回避できることがわか
り、本発明に到達したものである。薄膜の磁歪は、ガス
圧などの成膜条件によっても変化するが、ＣｏとＦｅの
混合比率によってより直接的に制御することができる。
Ｃの含有比、成膜時のガス圧、ＣｏとＦｅとＣ以外の添
加元素とその含有比などによっても磁歪は変化すること
から一概には言えないものの、Ｃｏ／Ｆｅ比が原子単位
で概ね０.６以上、０.９５以下、好ましくは０.７以
上、０.９４以下であれば本発明の磁歪条件になること
が多い。
数（λ）が２０×１０-6を超えると、このような影響が
非常に大きくなることを見いだした。その結果、合金組
成の制御により磁歪を０＜λ＜２０×１０-6の範囲にす
れば、このような応力の影響を回避できることがわか
り、本発明に到達したものである。薄膜の磁歪は、ガス
圧などの成膜条件によっても変化するが、ＣｏとＦｅの
混合比率によってより直接的に制御することができる。
Ｃの含有比、成膜時のガス圧、ＣｏとＦｅとＣ以外の添
加元素とその含有比などによっても磁歪は変化すること
から一概には言えないものの、Ｃｏ／Ｆｅ比が原子単位
で概ね０.６以上、０.９５以下、好ましくは０.７以
上、０.９４以下であれば本発明の磁歪条件になること
が多い。
【００１３】本発明に用いる基板は、有機高分子材料で
あることが必要であり、フィルム状が望ましい。有機高
分子フィルムの種類としては、ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリ
フェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリサルホン（Ｐ
ＳＦ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルサル
ホン（ＰＥＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、 液晶ポリ
マーなどが使用でき、特にポリエチレンテレフタレート
は好適である。また、有機高分子フィルムの厚みは、５
〜２５０μｍが好ましく、２０〜１５０μｍがより好ま
しい。適切な材料が選択されていれば、本発明において
は、有機高分子基板は熱収縮の異方性があることが望ま
しい。その熱収縮量は薄膜の異方性磁界の大きさに影響
するため、軟磁性薄膜を利用する分野を考慮して適宜選
択することが望ましい。例えば１５０℃で１５分間加熱
された際に熱収縮率の最大値と最小値の差が０.００３
〜０.０１５程度のレベルであれば、センサーなどの使
用に適した良好な一軸異方性軟磁性薄膜を得ることがで
きる。なお、このような熱収縮量の調整は、例えば成膜
前に予め基板を加熱しておくことによっても行うことが
できる。
あることが必要であり、フィルム状が望ましい。有機高
分子フィルムの種類としては、ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリ
フェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリサルホン（Ｐ
ＳＦ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルサル
ホン（ＰＥＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、 液晶ポリ
マーなどが使用でき、特にポリエチレンテレフタレート
は好適である。また、有機高分子フィルムの厚みは、５
〜２５０μｍが好ましく、２０〜１５０μｍがより好ま
しい。適切な材料が選択されていれば、本発明において
は、有機高分子基板は熱収縮の異方性があることが望ま
しい。その熱収縮量は薄膜の異方性磁界の大きさに影響
するため、軟磁性薄膜を利用する分野を考慮して適宜選
択することが望ましい。例えば１５０℃で１５分間加熱
された際に熱収縮率の最大値と最小値の差が０.００３
〜０.０１５程度のレベルであれば、センサーなどの使
用に適した良好な一軸異方性軟磁性薄膜を得ることがで
きる。なお、このような熱収縮量の調整は、例えば成膜
前に予め基板を加熱しておくことによっても行うことが
できる。
【００１４】次に、本発明の第２発明である、Ｃを含む
Ｃｏ-Ｆｅ系非晶質薄膜の製造方法について述べる。本
発明のＣｏ-Ｆｅ系非晶質薄膜を作製するためには、プ
ラズマ雰囲気中で薄膜作製を行う方法が望まれ、ＣＶＤ
法，イオンプレーテイング法，スパッタリング法等の成
膜法を用いることができる。例えば、スパッタリング法
を用いる場合には、スパッタリングターゲットとして、
ＣｏとＦｅの合金ターゲットを用い、不活性ガスと炭化
水素系ガスの、ある特定範囲内の混合ガス中で成膜する
ことにより本発明の薄膜を得ることができる。この際、
不活性ガスの流量をＦa，炭化水素系ガスの流量をＦbと
すると、混合ガスの混合比Ａ＝Ｆb／（Ｆa＋Ｆb）は、
０.０５≦Ａ≦０.４（体積比）の範囲内であることが必
要であり、０.１≦Ａ≦０.３の範囲であることがより好
ましい。Ａが０.０５未満では、Ｃが不足して作製した
薄膜が非晶質構造とならないために軟磁気特性が得らず
適切ではない。一方、Ａが０.４を越える場合は、薄膜
は非晶質構造となるものの、磁束密度が極度に小さくな
ってしまうとともに、磁気特性にバラツキが生じやすく
なるため、本発明の範囲外である。
Ｃｏ-Ｆｅ系非晶質薄膜の製造方法について述べる。本
発明のＣｏ-Ｆｅ系非晶質薄膜を作製するためには、プ
ラズマ雰囲気中で薄膜作製を行う方法が望まれ、ＣＶＤ
法，イオンプレーテイング法，スパッタリング法等の成
膜法を用いることができる。例えば、スパッタリング法
を用いる場合には、スパッタリングターゲットとして、
ＣｏとＦｅの合金ターゲットを用い、不活性ガスと炭化
水素系ガスの、ある特定範囲内の混合ガス中で成膜する
ことにより本発明の薄膜を得ることができる。この際、
不活性ガスの流量をＦa，炭化水素系ガスの流量をＦbと
すると、混合ガスの混合比Ａ＝Ｆb／（Ｆa＋Ｆb）は、
０.０５≦Ａ≦０.４（体積比）の範囲内であることが必
要であり、０.１≦Ａ≦０.３の範囲であることがより好
ましい。Ａが０.０５未満では、Ｃが不足して作製した
薄膜が非晶質構造とならないために軟磁気特性が得らず
適切ではない。一方、Ａが０.４を越える場合は、薄膜
は非晶質構造となるものの、磁束密度が極度に小さくな
ってしまうとともに、磁気特性にバラツキが生じやすく
なるため、本発明の範囲外である。
【００１５】本発明においては、不活性ガスとして、ア
ルゴン、ヘリウム、ネオンなどを用いることができる。
炭化水素系ガスとしては、通常市販されているガスを好
適に利用することができるが、その中でも、アセチレ
ン、エチレン、プロピレン等の不飽和炭化水素系ガス
は、より良好な軟磁気特性を得ることができることから
最も好ましい。
ルゴン、ヘリウム、ネオンなどを用いることができる。
炭化水素系ガスとしては、通常市販されているガスを好
適に利用することができるが、その中でも、アセチレ
ン、エチレン、プロピレン等の不飽和炭化水素系ガス
は、より良好な軟磁気特性を得ることができることから
最も好ましい。
【００１６】ターゲットとしては、ＣｏとＦｅの溶製タ
ーゲット、チップなどを使った複合ターゲット、粉末タ
ーゲットなどを使用することができる。特に、平板状の
ターゲットの上に強磁性体からなるヨーク部材を接続
し、ターゲット下部に配置した磁石の磁束をターゲット
面上に誘導する形式のマグネトロンスパッタリング装置
を用いると、ヨーク部材としてＦｅを使用するとＦｅの
供給が可能なため、ターゲットには高価なＣｏとＦｅの
合金を用いる必要がなく、Ｃｏ単体でよいため、より安
価な非晶質Ｃｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜を作製することができる。
ーゲット、チップなどを使った複合ターゲット、粉末タ
ーゲットなどを使用することができる。特に、平板状の
ターゲットの上に強磁性体からなるヨーク部材を接続
し、ターゲット下部に配置した磁石の磁束をターゲット
面上に誘導する形式のマグネトロンスパッタリング装置
を用いると、ヨーク部材としてＦｅを使用するとＦｅの
供給が可能なため、ターゲットには高価なＣｏとＦｅの
合金を用いる必要がなく、Ｃｏ単体でよいため、より安
価な非晶質Ｃｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜を作製することができる。
【００１７】上記のような本発明の条件で作製された薄
膜では、熱処理などの後処理を経ずとも、作製したまま
の状態ですでに良好な軟磁気特性が示される。しかも、
膜構造が非晶質相であるために、微結晶化させた薄膜の
場合のような特性のバラツキもほとんどない。さらに、
磁歪が制御された本発明の薄膜では、使用時の応力の影
響が小さいことから、巻、曲げ、引張などが印加される
ような状況でも、好適に利用することができる。以下、
実施例によりさらに具体的に本発明を説明する。
膜では、熱処理などの後処理を経ずとも、作製したまま
の状態ですでに良好な軟磁気特性が示される。しかも、
膜構造が非晶質相であるために、微結晶化させた薄膜の
場合のような特性のバラツキもほとんどない。さらに、
磁歪が制御された本発明の薄膜では、使用時の応力の影
響が小さいことから、巻、曲げ、引張などが印加される
ような状況でも、好適に利用することができる。以下、
実施例によりさらに具体的に本発明を説明する。
【００１８】
【実施例】本発明を以下実施例を用いたより具体的に説
明する。実施例 １ 特開平４-２１８９０５号公報に開示しているヨーク付
きのＤＣマグネトロンスパッタリング装置により、厚み
が１２５μｍのＰＥＴフィルム基板上に、膜厚０.５μ
ｍのＣｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜を作製した。純度が９９.９％の
Ｃｏターゲット、ヨーク部材には外部ヨーク、内部ヨー
クともにＦｅを用い、アルゴンガスとエチレンガスをそ
れぞれ、９０ｃｃ／ｍｉｎ、２０ｃｃ／ｍｉｎで導入
し、混合比（Ａ）が０.１８のガス雰囲気中で、スパッ
タ成膜した。得られた薄膜の構造は、理学電機社製のＸ
線回折装置により決定し、薄膜の組成は、パーキンエル
マー社製オージェ分光分析装置により決定した。薄膜の
磁気特性は、理研電子社製交流Ｂ-Ｈトレーサー（ＡＣ,
ＢＨ-１００Ｋ）により磁化容易軸方向の保磁力および
印加磁界１００ Ｏｅでの磁束密度（以降Ｂ100と記述）
を測定した。また、薄膜の磁歪は、光てこ法により測定
した。作製された薄膜は非晶質構造であり、その組成は
（Ｃｏ0.75、Ｆｅ0.25）85Ｃ15原子％であった。磁歪は
＋１４×１０-6であり、磁束密度（Ｂ100）は１２.５
ｋＧと大きな値を示した。この薄膜の磁化容易軸方向の
保磁力は０.１５ Ｏｅであり、良好な軟磁気特性が得ら
れた。また、この薄膜に１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応力を
印加しながら測定しても、保磁力は０.２ Ｏｅと、その
変化は小さかった。
明する。実施例 １ 特開平４-２１８９０５号公報に開示しているヨーク付
きのＤＣマグネトロンスパッタリング装置により、厚み
が１２５μｍのＰＥＴフィルム基板上に、膜厚０.５μ
ｍのＣｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜を作製した。純度が９９.９％の
Ｃｏターゲット、ヨーク部材には外部ヨーク、内部ヨー
クともにＦｅを用い、アルゴンガスとエチレンガスをそ
れぞれ、９０ｃｃ／ｍｉｎ、２０ｃｃ／ｍｉｎで導入
し、混合比（Ａ）が０.１８のガス雰囲気中で、スパッ
タ成膜した。得られた薄膜の構造は、理学電機社製のＸ
線回折装置により決定し、薄膜の組成は、パーキンエル
マー社製オージェ分光分析装置により決定した。薄膜の
磁気特性は、理研電子社製交流Ｂ-Ｈトレーサー（ＡＣ,
ＢＨ-１００Ｋ）により磁化容易軸方向の保磁力および
印加磁界１００ Ｏｅでの磁束密度（以降Ｂ100と記述）
を測定した。また、薄膜の磁歪は、光てこ法により測定
した。作製された薄膜は非晶質構造であり、その組成は
（Ｃｏ0.75、Ｆｅ0.25）85Ｃ15原子％であった。磁歪は
＋１４×１０-6であり、磁束密度（Ｂ100）は１２.５
ｋＧと大きな値を示した。この薄膜の磁化容易軸方向の
保磁力は０.１５ Ｏｅであり、良好な軟磁気特性が得ら
れた。また、この薄膜に１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応力を
印加しながら測定しても、保磁力は０.２ Ｏｅと、その
変化は小さかった。
【００１９】実施例 ２ 実施例１と同様の方法で、厚みが１００μｍのＰＥＮフ
ィルム基板上に、膜厚０.５μｍのＣｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜を
作製した。ただし、ヨーク部材には、外部ヨークにＦｅ
を、内部ヨークにＣｏを用いた。また、アルゴンガスお
よびエチレンガス流量は、それぞれ、８０ｃｃ／ｍｉ
ｎ、３０ｃｃ／ｍｉｎとし、ガス混合比（Ａ）は０.２
７とした。このようにして得られた薄膜は非晶質であ
り、組成は（Ｃｏ0.87、Ｆｅ0.13）73Ｃ27原子％であっ
た。磁歪は ＋６×１０-6で、磁束密度（Ｂ100）も１
０.６ｋＧと高い値を示した。また、磁化容易軸方向の
保磁力は０.１２ Ｏｅと軟磁気特性を示し、この薄膜に
１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応力を印加しながら測定して
も、保磁力は０.２ Ｏｅと、その変化は小さかった。
ィルム基板上に、膜厚０.５μｍのＣｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜を
作製した。ただし、ヨーク部材には、外部ヨークにＦｅ
を、内部ヨークにＣｏを用いた。また、アルゴンガスお
よびエチレンガス流量は、それぞれ、８０ｃｃ／ｍｉ
ｎ、３０ｃｃ／ｍｉｎとし、ガス混合比（Ａ）は０.２
７とした。このようにして得られた薄膜は非晶質であ
り、組成は（Ｃｏ0.87、Ｆｅ0.13）73Ｃ27原子％であっ
た。磁歪は ＋６×１０-6で、磁束密度（Ｂ100）も１
０.６ｋＧと高い値を示した。また、磁化容易軸方向の
保磁力は０.１２ Ｏｅと軟磁気特性を示し、この薄膜に
１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応力を印加しながら測定して
も、保磁力は０.２ Ｏｅと、その変化は小さかった。
【００２０】比較例 １ 実施例１と同じ装置と基材を使用してＣｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜
を作製した。ただし、薄膜作製中のアルゴンガス流量お
よびエチレンガス流量は、それぞれ１０８ｃｃ／ｍｉ
ｎ、２ｃｃ／ｍｉｎとし、ガス混合比（Ａ）を０.０２
とした。作製された薄膜は結晶質構造であり、その組成
は（Ｃｏ0.73、Ｆｅ0.27）98Ｃ2原子％であった。ま
た、磁束密度（Ｂ100）は１５.５ｋＧと高い値を示した
ものの、磁化容易軸方向における保磁力は８.５ Ｏｅと
大きく、軟磁気特性は示さなかった。
を作製した。ただし、薄膜作製中のアルゴンガス流量お
よびエチレンガス流量は、それぞれ１０８ｃｃ／ｍｉ
ｎ、２ｃｃ／ｍｉｎとし、ガス混合比（Ａ）を０.０２
とした。作製された薄膜は結晶質構造であり、その組成
は（Ｃｏ0.73、Ｆｅ0.27）98Ｃ2原子％であった。ま
た、磁束密度（Ｂ100）は１５.５ｋＧと高い値を示した
ものの、磁化容易軸方向における保磁力は８.５ Ｏｅと
大きく、軟磁気特性は示さなかった。
【００２１】比較例 ２ 実施例２と同じ装置と基材を使用してＣｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜
を作製した。ただし、薄膜作製中のアルゴンガス流量お
よびエチレンガス流量は、それぞれ、５５ｃｃ／ｍｉ
ｎ、５５ｃｃ／ｍｉｎとし、ガス流量比（Ａ）を０.５
とした。作製された薄膜は非晶質構造を有しており、そ
の組成は（Ｃｏ0.88、Ｆｅ0.12）52Ｃ48原子％であっ
た。この薄膜の磁気特性は、磁化容易軸方向の保磁力は
試料の測定部分により０.７〜１.２ Ｏｅの範囲で変動
しており、磁気異方性方向もバラツキが大きかった。ま
た、磁束密度（Ｂ100）が４.５ｋＧと非常に低く、本発
明が目的とする軟磁性薄膜としては適さなかった。
を作製した。ただし、薄膜作製中のアルゴンガス流量お
よびエチレンガス流量は、それぞれ、５５ｃｃ／ｍｉ
ｎ、５５ｃｃ／ｍｉｎとし、ガス流量比（Ａ）を０.５
とした。作製された薄膜は非晶質構造を有しており、そ
の組成は（Ｃｏ0.88、Ｆｅ0.12）52Ｃ48原子％であっ
た。この薄膜の磁気特性は、磁化容易軸方向の保磁力は
試料の測定部分により０.７〜１.２ Ｏｅの範囲で変動
しており、磁気異方性方向もバラツキが大きかった。ま
た、磁束密度（Ｂ100）が４.５ｋＧと非常に低く、本発
明が目的とする軟磁性薄膜としては適さなかった。
【００２２】実施例 ３ プレーナ型のマグネトロンスパッタリング装置を用い
て、膜厚０.８μｍのＣｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜を厚みが１２５
μｍのＰＥＴフィルム基板上に作製した。ターゲットに
はＣｏ90Ｆｅ10（原子％）の合金を用い、アルゴンガス
とエチレンガスの流量がそれぞれ、９５ｃｃ／ｍｉｎ、
１５ｃｃ／ｍｉｎ（混合比（Ａ）＝０.１４）の雰囲気
中で成膜した。作製された薄膜は非晶質構造であり、そ
の組成は（Ｃｏ0.91Ｆｅ0.09）89Ｃ11原子％であった。
磁歪は ＋３×１０-6であり、磁束密度（Ｂ100）は１
３.４ｋＧと大きな値を示した。この薄膜の磁化容易軸
方向の保磁力は０.２ ０ｅであり、良好な軟磁気特性を
示し、この薄膜に１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応力を印加し
ながら測定しても、保磁力は０.２５ Ｏｅと、その変化
は小さかった。
て、膜厚０.８μｍのＣｏ-Ｆｅ-Ｃ薄膜を厚みが１２５
μｍのＰＥＴフィルム基板上に作製した。ターゲットに
はＣｏ90Ｆｅ10（原子％）の合金を用い、アルゴンガス
とエチレンガスの流量がそれぞれ、９５ｃｃ／ｍｉｎ、
１５ｃｃ／ｍｉｎ（混合比（Ａ）＝０.１４）の雰囲気
中で成膜した。作製された薄膜は非晶質構造であり、そ
の組成は（Ｃｏ0.91Ｆｅ0.09）89Ｃ11原子％であった。
磁歪は ＋３×１０-6であり、磁束密度（Ｂ100）は１
３.４ｋＧと大きな値を示した。この薄膜の磁化容易軸
方向の保磁力は０.２ ０ｅであり、良好な軟磁気特性を
示し、この薄膜に１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応力を印加し
ながら測定しても、保磁力は０.２５ Ｏｅと、その変化
は小さかった。
【００２３】比較例 ３ ターゲットに純Ｃｏを用いた以外は、実施例３と同じ条
件で、膜厚０.８μｍの薄膜を作製した。作製された薄
膜は非晶質構造であり、その組成は、Ｃｏ87Ｃ13原子％
であった。磁歪は−２×１０-6であり、磁束密度（Ｂ
100）は８.５ｋＧであった。この薄膜の磁気特性は、磁
化容易軸方向が試料の領域によりひどくバラツキ、保磁
力は１.６〜４.３ Ｏｅと大きく且つばらついていた。
件で、膜厚０.８μｍの薄膜を作製した。作製された薄
膜は非晶質構造であり、その組成は、Ｃｏ87Ｃ13原子％
であった。磁歪は−２×１０-6であり、磁束密度（Ｂ
100）は８.５ｋＧであった。この薄膜の磁気特性は、磁
化容易軸方向が試料の領域によりひどくバラツキ、保磁
力は１.６〜４.３ Ｏｅと大きく且つばらついていた。
【００２４】比較例 ４ ターゲットに純Ｆｅを用いた以外は、実施例３と同じ条
件で、膜厚０.８μｍの薄膜を作製した。作製された薄
膜は非晶質構造であり、その組成は、Ｆｅ83Ｃ17原子％
であった。磁歪は＋４５×１０-6であり、磁束密度（Ｂ
100）は１７.４ｋＧと大きな値を示した。この薄膜試料
に応力が作用しない条件で測定した場合、磁化容易軸方
向の保磁力は０.１５ ０ｅと非常に良好な軟磁気特性を
示した。しかし、この薄膜に１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応
力を印加しながら測定すると、保磁力は０.３ Ｏｅに増
大し、その変化は大きかった。
件で、膜厚０.８μｍの薄膜を作製した。作製された薄
膜は非晶質構造であり、その組成は、Ｆｅ83Ｃ17原子％
であった。磁歪は＋４５×１０-6であり、磁束密度（Ｂ
100）は１７.４ｋＧと大きな値を示した。この薄膜試料
に応力が作用しない条件で測定した場合、磁化容易軸方
向の保磁力は０.１５ ０ｅと非常に良好な軟磁気特性を
示した。しかし、この薄膜に１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応
力を印加しながら測定すると、保磁力は０.３ Ｏｅに増
大し、その変化は大きかった。
【００２５】比較例 ５ ターゲットにＣｏ50Ｆｅ50（原子％）の合金を用いた以
外は、実施例３と同じ条件で、膜厚０.８μｍの薄膜を
作製した。作製された薄膜は非晶質構造であり、その組
成は、（Ｃｏ0.55Ｆｅ0.45）83Ｃ17原子％であった。磁
歪は＋２５×１０-6であり、磁束密度（Ｂ100）は１６.
４ｋＧであった。この薄膜試料に応力が作用しない条件
で測定した場合、磁化容易軸方向の保磁力は０.１７ ０
ｅと非常に良好な軟磁気特性を示した。しかし、この薄
膜に１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応力を印加しながら測定す
ると、保磁力は０.３Ｏｅに増大し、その変化は大きか
った。
外は、実施例３と同じ条件で、膜厚０.８μｍの薄膜を
作製した。作製された薄膜は非晶質構造であり、その組
成は、（Ｃｏ0.55Ｆｅ0.45）83Ｃ17原子％であった。磁
歪は＋２５×１０-6であり、磁束密度（Ｂ100）は１６.
４ｋＧであった。この薄膜試料に応力が作用しない条件
で測定した場合、磁化容易軸方向の保磁力は０.１７ ０
ｅと非常に良好な軟磁気特性を示した。しかし、この薄
膜に１０ｋｇ／ｍｍ2の引張応力を印加しながら測定す
ると、保磁力は０.３Ｏｅに増大し、その変化は大きか
った。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば薄膜
作製後に熱処理を施すことなく良好な軟磁気特性を有す
る非晶質軟磁性薄膜を提供することができる。また、本
発明の薄膜は、応力の影響が小さいために、巻、曲げ、
引張などの状況下でも好適に利用でき、巻磁芯やシール
ド材など幅広く用いることができる。さらに、本発明の
非晶質薄膜は、Ｃを含んでおり、高価な添加元素を必要
としないことから低コストで製造ができ、特性の再現性
にも優れていることから、その工業的意義は大きい。
作製後に熱処理を施すことなく良好な軟磁気特性を有す
る非晶質軟磁性薄膜を提供することができる。また、本
発明の薄膜は、応力の影響が小さいために、巻、曲げ、
引張などの状況下でも好適に利用でき、巻磁芯やシール
ド材など幅広く用いることができる。さらに、本発明の
非晶質薄膜は、Ｃを含んでおり、高価な添加元素を必要
としないことから低コストで製造ができ、特性の再現性
にも優れていることから、その工業的意義は大きい。
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくともＣｏ、Ｆｅ、Ｃの３種類の元
素を含んでなる非晶質金属薄膜であって、薄膜中のＣ量
が４原子％以上４５原子％以下であり、且つ、飽和磁歪
定数λが０＜λ＜２０×１０-6以下であり、有機高分子
基板上に形成されたことを特徴とする非晶質軟磁性薄膜
材料。 - 【請求項２】 不活性ガスと炭化水素ガスとの混合ガス
中の炭化水素ガスの体積分率が０.０５以上０.４以下で
ある混合ガス中で、少なくともＣｏおよびＦｅとを気化
することにより基板上に薄膜を作製することを特徴とす
る請求項１記載の非晶質軟磁性薄膜材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35687797A JPH11186035A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 非晶質軟磁性薄膜材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35687797A JPH11186035A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 非晶質軟磁性薄膜材料およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186035A true JPH11186035A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18451214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35687797A Pending JPH11186035A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 非晶質軟磁性薄膜材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186035A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002016663A1 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Citizen Watch Co., Ltd. | Métal mou, procédé de fabrication dudit métal mou, pièce décorative et procédé de fabrication de ladite pièce décorative |
| JP2002367138A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Fujitsu Ltd | 磁気情報記録媒体 |
| WO2005086556A1 (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Nec Tokin Corporation | 電磁雑音吸収薄膜 |
| US7371471B2 (en) | 2004-03-08 | 2008-05-13 | Nec Tokin Corporation | Electromagnetic noise suppressing thin film |
| US9469107B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal inkjet printhead stack with amorphous metal resistor |
| US9511585B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal inkjet printhead stack with amorphous thin metal protective layer |
| US10177310B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-01-08 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Amorphous metal alloy electrodes in non-volatile device applications |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35687797A patent/JPH11186035A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002016663A1 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Citizen Watch Co., Ltd. | Métal mou, procédé de fabrication dudit métal mou, pièce décorative et procédé de fabrication de ladite pièce décorative |
| US6730415B2 (en) | 2000-08-21 | 2004-05-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Soft metal and method of manufacturing the soft metal, and decorative part and method of manufacturing the decorative part |
| JP2002367138A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Fujitsu Ltd | 磁気情報記録媒体 |
| WO2005086556A1 (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Nec Tokin Corporation | 電磁雑音吸収薄膜 |
| US7371471B2 (en) | 2004-03-08 | 2008-05-13 | Nec Tokin Corporation | Electromagnetic noise suppressing thin film |
| US9469107B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal inkjet printhead stack with amorphous metal resistor |
| US9511585B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal inkjet printhead stack with amorphous thin metal protective layer |
| US10177310B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-01-08 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Amorphous metal alloy electrodes in non-volatile device applications |
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