JPH11183197A - 回転検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バイアス磁石に対するＭＲＥブリッジの配置
ズレによっても、ＭＲＥブリッジの出力と所定のしきい
値電圧とが確実に比較できるようにする。 【解決手段】 ＭＲＥブリッジ３、４をバイアス磁石２
の磁気的中心の軸方向にずらして配置し、ＭＲＥブリッ
ジ３の出力波形とＭＲＥブリッジ４の出力波形とが同相
で変化するようにする。具体的には、ＭＲＥブリッジ
３、４を同様のパターンで形成し、ＭＲＥブリッジ３に
対してはＭＲＥ３ａからＭＲＥ３ｂに電流が流れるよう
にし、ＭＲＥブリッジ４に対してはＭＲＥ４ａからＭＲ
Ｅ４ｂに電流が流れるようにする。これにより、ＭＲＥ
ブリッジ３、４がバイアス磁石２の磁気的中心からずれ
て配置されても、ＭＲＥブリッジ３、４の出力波形の振
幅中心が同じ方向に変化するようになる。これにより、
ＭＲＥ３、４のいずれか一方をしきい値として、他方の
出力と確実に比較することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バイアス磁界の方
向の変化によって抵抗値を変化させる磁気抵抗素子（以
下、ＭＲＥという）を用いて、回転情報の検出を行う回
転検出装置に関し、特に車両におけるエンジン制御や車
両ブレーキにおけるＡＢＳ制御に使用する回転検出装置
に適用すると好適である。

【０００２】

【従来の技術】回転検出装置は、バイアス磁界を発生す
るバイアス磁石の中心軸上（磁気的中心）に２つのＭＲ
ＥからなるＭＲＥブリッジを配置し、ギアの回転に伴っ
て変化するバイアス磁界の変化をＭＲＥブリッジの出力
に基づいて検出する。この回転検出装置の回路構成を図
６に示す。図６に示すように、回転検出装置は、２つの
ＭＲＥ２０、２１が直列接続されたＭＲＥブリッジ２２
の中点電位と、固定された所定のしきい値電圧Ｖｒｅｆ
とをコンパレータ２３で比較し、ＭＲＥブリッジ２２の
出力を２値化することによってギアの回転状態の検出を
行っている。

【０００３】このギアの回転状態検出に際し、図７
（ａ）に示すように、ＭＲＥブリッジ２２の中点電位が
振幅するため、その振幅中心に相当する電圧を上記しき
い値電圧Ｖｒｅｆとして固定している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バイア
ス磁石に対してＭＲＥブリッジ２２がずれて配置される
と、図７（ｂ）に示すようにＭＲＥブリッジ２２の中点
電圧の振幅中心がずれてしまう場合がある。すなわち、
バイアス磁石に対するＭＲＥブリッジ２２の配置ズレが
あった場合には、バイアス磁石の近傍になにも磁性体が
ないオープンフレックス状態において、ＭＲＥブリッジ
２２を通過する磁力線の方向が着磁面に対して垂直でな
くなるため、２つのＭＲＥ２０、２１の抵抗値が配置ズ
レがない場合と異なってしまい、振幅中心となる中点電
圧が変化してしまう。

【０００５】このような場合、ＭＲＥブリッジ２２の中
点電位としきい値電圧Ｖｒｅｆとの交差位置が変化して
しまったり、ＭＲＥブリッジ２２の出力をしきい値電圧
Ｖｒｅｆでシュレッショルドできなくなったりしてしま
い、回転検出装置の検出精度が悪化するという問題があ
る。本発明は上記問題に鑑みてなされ、バイアス磁石に
対するＭＲＥブリッジの配置ズレによっても、ＭＲＥブ
リッジの出力と所定のしきい値電圧とが確実に比較で
き、検出精度が良好な回転検出装置を提供することを目
的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、以下の技術的手段を採用する。請求項１に記載の発
明においては、第１、第２の磁気抵抗素子パターン
（３、４）は、バイアス磁石（２）の磁気的中心軸方向
にずらして配置されており、第１の磁気抵抗素子パター
ン（３）の出力波形と第２の磁気抵抗素子パターン
（４）の出力波形とが同相で変化するようになっている
ことを特徴としている。

【０００７】このように、第１、第２の磁気抵抗素子ブ
リッジ（３、４）をバイアス磁石（２）の磁気的中心軸
方向にずらして、つまりバイアス磁石（２）が発生する
バイアス磁界の変化が異なった位置に第１、第２の磁気
抵抗素子ブリッジ（３、４）を配置することによって、
第１、第２の磁気抵抗素子ブリッジ（３、４）の出力電
位を異なったものとすることができる。

【０００８】そして、第１、第２の磁気抵抗素子ブリッ
ジ（３、４）はバイアス磁石（２）に固定される部材に
内蔵されているため、第１の磁気抵抗素子ブリッジ
（３）がずれて配置されれば、第２の磁気抵抗素子ブリ
ッジ（４）もずれて配置される。このとき、第１の磁気
抵抗素子パターン（３）の出力波形と第２の磁気抵抗素
子パターン（４）の出力波形とが同相で変化するように
すれば、第１の磁気抵抗素子パターン（３）の出力電位
の振幅中心がずれても、第２の磁気抵抗素子ブリッジ
（４）の出力電位の振幅中心も同様にずれるため、第
１、第２の磁気抵抗素子ブリッジ（３、４）のいずれか
一方の出力電位をしきい値電圧として、他方の出力電位
と確実に比較することができる。これにより、ギア
（１）の回転検出のための中点電位としきい値電圧との
交差する位置が変化することがない検出精度の良好な回
転検出装置とすることができる。

【０００９】請求項３に記載の発明においては、第１、
第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）をバイアス磁石
（２）の磁気的中心軸方向にずらして配置し、第１、第
２の磁気抵抗素子パターン（３、４）がバイアス磁石
（２）の磁気的中心に配置された場合に比して、第１の
磁気抵抗素子パターン（３）の出力電位の振幅中心が増
大しているときには、第２の磁気抵抗素子パターン
（４）の出力電位の振幅中心も増大し、第１の磁気抵抗
素子パターン（３）の出力電位の振幅中心が減少してい
るときには、第２の磁気抵抗素子パターン（４）の出力
電位の振幅中心も減少するようになっていることを特徴
としている。

【００１０】このように、第１、第２の磁気抵抗素子パ
ターン（３、４）がバイアス磁石（２）の磁気的中心に
配置された場合に比して、第１の磁気抵抗素子パターン
（３）の出力電位の振幅中心が増大しているときには、
第２の磁気抵抗素子パターン（４）の出力の振幅中心も
増大し、第１の磁気抵抗素子パターン（３）の出力電位
の振幅中心が減少しているときには、第２の磁気抵抗素
子パターン（４）の出力の振幅中心も減少するようにな
っていれば、第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、
４）がバイアス磁石（２）の磁気的中心からずれて配置
されても第１、第２の磁気抵抗素子ブリッジ（３、４）
のいずれか一方の出力電位をしきい値電圧として、他方
の出力電位と確実に比較することができる。これによ
り、請求項１と同様の効果が得られる。

【００１１】具体的には、請求項５に示すように、第１
の磁気抵抗素子パターン（３）を構成する２つの磁気抵
抗素子（３ａ、３ｂ）を、バイアス磁石（２）の磁気的
中心に平行な線を対称線としてハの字を成すように対称
配置すると共に、第２の磁気抵抗素子パターン（４）を
構成する２つの磁気抵抗素子（４ａ、４ｂ）をそれぞ
れ、第１の磁気抵抗素子パターン（４）を構成する２つ
の磁気抵抗素子（３ａ、３ｂ）のいずれか一方と略平行
に配置し、第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、
４）に対して同方向に電流が流れるようにすれば、請求
項１乃至３に記載の発明の効果が得られる。

【００１２】なお、請求項６に示すように、第１、第２
の磁気抵抗素子ブリッジ（３、４）の出力のいずれをし
きい値電圧としても、検出精度の良好な回転検出装置と
するとができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１に、本実施形態における回転
検出装置の模式図を示す。図１に示すように、回転検出
装置は、ギア１に向かってバイアス磁界を発生するバイ
アス磁石２と、ギア１の回転に伴うバイアス磁界の方向
の変化を検出する２つのＭＲＥブリッジ３、４と、２つ
のＭＲＥブリッジ３、４それぞれからの出力を比較する
差動増幅回路５とを備えている。バイアス磁石２は、ギ
ア１の外周面１ａに対向するように配置されており、ギ
ア１の外周面１ａに向けてバイアス磁界を発生するよう
になっている。

【００１４】バイアス磁石２は、中空形状で構成されて
おり、バイアス磁石２の中心軸（図中の２点鎖線）がバ
イアス磁界の磁気的中心を成している。そして、中空形
状を成すバイアス磁石２の端面の一方がＮ極、他方がＳ
極になるように着磁されており、バイアス磁石２のうち
ギア１に近い端面がＮ極、遠い端面がＳ極となるよう
に、かつ中空形状の中心軸上に概ねギア１の回転軸が位
置するように配置されている。

【００１５】２つのＭＲＥブリッジ３、４は、ＩＣチッ
プ（図示せず）の表面に形成されている。そして、これ
ら２つのＭＲＥブリッジ３、４は、ギア１からの距離が
変わるように、つまりバイアス磁石２の中心軸方向にず
らして併設されている。ギア１に近い側に位置するＭＲ
Ｅブリッジ３は、全長が略同等な２つのＭＲＥ３ａ、３
ｂによって構成されている。これら２つのＭＲＥ３ａ、
３ｂが直列接続されて、それぞれの長手方向に電流が流
れるようになっている。具体的には、ＭＲＥブリッジ３
に対して所定の電圧を印加することによって、ＭＲＥ３
ａからＭＲＥ３ｂに向けて電流が流れるようになってい
る。そして、直列接続されたＭＲＥ３ａとＭＲＥ３ｂと
の間の中点電位をＭＲＥブリッジ３の出力としている。
このため、ＭＲＥブリッジ３の中点電位は、ＭＲＥブリ
ッジ３に印加する電圧の１／２となる。

【００１６】また、ＭＲＥブリッジ３を構成する２つの
ＭＲＥ３ａ、３ｂは、それぞれ異なった方向性を有して
おり、それぞれの長手方向がバイアス磁界の磁気的中心
に対して、ギア１の回転方向に４５度と−４５度の角度
を成すように、すなわち互いに直交するハの字状になる
ようにＩＣチップ上に形成されている。これにより、バ
イアス磁界の変化（振れ角）が大きい場合でも、ＭＲＥ
ブリッジ３の出力に波形割れが発生しないようにしてい
る。

【００１７】一方、ギア１から遠い側に位置するＭＲＥ
ブリッジ４も、全長が略同等な２つのＭＲＥ４ａ、４ｂ
によって構成されている。これら２つのＭＲＥ４ａ、４
ｂは、ギア側ＭＲＥブリッジ３を構成するＭＲＥ３ａ、
３ｂと同様に直列接続されていて、かつＭＲＥ３ａ、３
ｂと概ね同様の方向性を有している。つまり、ＭＲＥ４
ａはＭＲＥ３ａと同様の方向性を有し、ＭＲＥ４ｂはＭ
ＲＥ３ｂと同様の方向性を有している。そして、ＭＲＥ
ブリッジ４に対してＭＲＥブリッジ３と同等の電圧を印
加することによって、ＭＲＥ４ａからＭＲＥ４ｂに向け
て電流が流れるようになっており、図１の矢印に示すよ
うに、ＭＲＥブリッジ１と同相（同様の向き）で電流が
流れるようになっている。そして、直列接続されたＭＲ
Ｅ４ａとＭＲＥ４ｂとの間の中点電位をＭＲＥブリッジ
４の出力としている。このため、ＭＲＥブリッジ４の中
点電位は、ＭＲＥブリッジ４に印加する電圧の１／２と
なる。

【００１８】このように構成された２つのＭＲＥブリッ
ジ３、４は、モールド樹脂によってモールディングされ
てモールド材に内蔵され、バイアス磁石２に固定され
る。このとき、ＭＲＥブリッジ３、４のそれぞれが備え
ている２つのＭＲＥ３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂの接続点の
部分、つまりハの字の中心がバイアス磁石２の中心軸に
位置するように配置されて固定される。

【００１９】なお、このときのＭＲＥブリッジ３、４と
バイアス磁石２との配置関係は、バイアス磁石２に対し
てＭＲＥブリッジ３、４が正確に配置された場合を示し
ており、ずれて配置された場合にはバイアス磁石２の中
心軸からずれてＭＲＥブリッジ３、４が配置されたりす
る。差動増幅回路５は、図１（ｂ）に示すような回路構
成を成している。この図に示されるように、差動増幅回
路５はコンパレータ５ａで構成されており、コンパレー
タ５ａの非反転入力端子と反転入力端子にそれぞれＭＲ
Ｅブリッジ３の中点電位とＭＲＥブリッジ４の中点電位
が入力されて大小比較されるようになっている。すなわ
ち、ＭＲＥブリッジ３の中点電位をしきい値電圧となる
ＭＲＥブリッジ４の中点電位と大小比較することによっ
て、ＭＲＥブリッジ３の出力を２値化処理している。そ
して、この差動増幅回路５の出力を回転検出装置の出力
として、ギア１の回転状態を検出できるようになってい
る。

【００２０】次に、回転検出装置の作動について説明す
る。まず、ギア１が紙面左回りに回転すると、このギア
１の回転に伴ってバイアス磁石２が発生するバイアス磁
界が変化する。ギア回転時にバイアス磁石２が放出する
磁力線Ｈの変化を図２に示す。この図に示されるよう
に、磁力線Ｈは、ギア１の回転方向左右に振れる。この
磁力線Ｈの振れは、２つのＭＲＥブリッジ３、４がパタ
ーニングされたＩＣチップの表面をＸ−Ｙ平面と見立て
て、各ＭＲＥ３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂを中心としたＸＹ
Ｚ軸を考えたときに、Ｘ−Ｙ平面上で磁力線Ｈが振れる
ことを示している。

【００２１】このＸ−Ｙ平面上で磁力線Ｈが振れる場合
におけるＭＲＥの抵抗値変化を図３の特性図に示す。こ
の特性図は、ＭＲＥに流れる電流の方向に対して、ＭＲ
Ｅを通過する磁界の方向が成す角度を磁気ベクトル角θ
とし、磁気ベクトル角θの変化に伴うＭＲＥの抵抗値変
化を示したものである。また、図４（ａ）、（ｂ）にギ
ア１の回転に伴うＭＲＥブリッジ３、４の出力波形を示
す。なお、図４（ａ）はバイアス磁石２に対してＭＲＥ
ブリッジ３、４が正確に配置された場合（以下、正常な
場合という）を示し、図４（ｂ）はバイアス磁石２に対
してＭＲＥブリッジ３、４がずれて配置された場合（以
下、配置ズレした場合という）を示している。以下、図
３に基づいて図４に示すＭＲＥブリッジ３、４の出力の
変化について説明する。

【００２２】まず、正常な場合について説明する。ギア
１の歯が「山」位置（凸形状の部分）や「谷」位置（凹
形状の部分）にある場合（図４（ａ）中の時点ｔ１、ｔ
２）には、磁力線Ｈがバイアス磁石２の中心軸と平行に
なり、磁気ベクトル角θは、ＭＲＥ３ａ、４ａについて
は４５度、ＭＲＥ３ｂ、４ｂについては１３５度とな
る。このため、このような場合には、２つのＭＲＥブリ
ッジ３、４の中点電位は略同等になる。従って、この時
の中点電位、つまりＭＲＥブリッジ３、４に印加される
電圧の１／２の電圧がＭＲＥブリッジ３、４の中点電位
の振幅の中心となる。

【００２３】そして、ギア１の歯が「山」位置から
「谷」位置へ変化している場合（図４（ａ）中の時点ｔ
１とｔ２の間）には、磁力線Ｈが紙面右方向に振れ、磁
気ベクトル角θは、ＭＲＥ３ａ、４ａについては４５度
を超え、ＭＲＥ３ｂ、４ｂについては１３５度を超え
る。このため、ＭＲＥ３ｂの抵抗値はＭＲＥ３ａの抵抗
値よりも大きくなり、ＭＲＥ４ｂの抵抗値はＭＲＥ４ａ
の抵抗値よりも大きくなる。よって、２つのＭＲＥブリ
ッジ３、４の中点電位は共に、大きくなる。このとき、
磁力線Ｈの振れは、ギア１に近い方が大きくなるため、
ＭＲＥブリッジ３の中点電位の増加はＭＲＥブリッジ４
の中点電位の増加よりも大きくなり、ＭＲＥブリッジ３
の中点電位はＭＲＥブリッジ４の中点電位よりも高くな
る。このため、図１（ｂ）に示すコンパレータ５ａはハ
イレベルを出力する。

【００２４】また、ギア１の歯が「谷」位置から「山」
位置へ変化している場合には、「山」位置から「谷」位
置へ変化している場合とは逆方向に磁力線Ｈが振れるた
め、ＭＲＥブリッジ３の中点電位はＭＲＥブリッジ４の
中点電位よりも低くなる。このため、図１（ｂ）に示す
コンパレータ５ａはローレベルを出力する。このよう
に、ＭＲＥブリッジ３の出力波形とＭＲＥブリッジ４の
出力波形は同相で変化し、ＭＲＥブリッジ４の中点電位
をしきい値電圧として、ＭＲＥブリッジ３の中点電位を
スレッショルドすることによって、ＭＲＥブリッジ３の
出力を２値化し、ギア１の回転状態を検出できる。

【００２５】次に、配置ズレした場合について説明す
る。このような場合には、オープンフレックス状態の際
に、ＭＲＥブリッジ３、４を通過する磁力線Ｈがバイア
ス磁石２の中心軸に対して平行でないため、ＭＲＥブリ
ッジ３を構成するＭＲＥ３ａとＭＲＥ３ｂの抵抗値や、
ＭＲＥブリッジ４を構成するＭＲＥ４ａとＭＲＥ４ｂの
抵抗値が異なる。このため、ＭＲＥブリッジ３、４の中
点電位は、ＭＲＥブリッジ３、４に印加される電圧の１
／２の電圧にならない。

【００２６】このため、図４（ｂ）の矢印で示したよう
に、例えばＭＲＥブリッジ３、４の中点電位がＭＲＥブ
リッジ３、４に印加される電圧の１／２以下に下がった
り、その逆に上がったりする。しかしながら、この図に
示されているように、ＭＲＥブリッジ３、４の中点電位
は共に同方向に移動する。これは、モールド材内にモー
ルディングされたＭＲＥブリッジ３、４は、バイアス磁
石２に対して配置ズレした時には同じ方向にずれるた
め、通過する磁束も同方向に振れた状態となるからであ
る。

【００２７】従って、ＭＲＥブリッジ３がバイアス磁石
２に対して位置ズレして配置され、ＭＲＥブリッジ３の
中点電位の振幅中心がずれても、ＭＲＥブリッジ４の中
点電位の振幅中心もずれるため、ＭＲＥブリッジ３の出
力とＭＲＥブリッジ４の出力が交差する位置は正常な場
合と同様であり、回転検出装置の検出精度を悪化させる
こともない。

【００２８】このように、２つのＭＲＥブリッジ３、４
をバイアス磁石２の中心軸方向にずらしてギア１からの
距離を変えて併設すると共に、これら２つのＭＲＥブリ
ッジ３、４に流す電流の方向を同様にすることによっ
て、バイアス磁石２に対してＭＲＥブリッジ３、４がず
れて配置されても、一方のＭＲＥブリッジ４の出力をし
きい値として他方のＭＲＥブリッジ３の出力を２値化
し、検出感度を悪化させることなくギア１の回転状態を
検出することができる。

【００２９】なお、特開平３−１９５９７０号公報に示
される回転検出装置では、２つのＭＲＥブリッジをバイ
アス磁石の中心軸方向にずらしてギアからの距離を変え
て併設するようにしているが、この公報に示される回転
検出装置では２つのＭＲＥブリッジに流す電流の方向を
変えているため、本実施形態に示した効果は得られな
い。

【００３０】すなわち、上記公報に示される回転検出装
置は、２つのＭＲＥブリッジに流す電流の方向を変える
ことによって、２つのＭＲＥブリッジの抵抗値変化が逆
になるようにし、図５（ａ）に示すように２つのＭＲＥ
ブリッジの出力波形が逆相になるようにして２つのＭＲ
Ｅブリッジの出力の差を大きくしているが、このように
した場合にはバイアス磁石に対して２つのＭＲＥブリッ
ジが位置ズレすると、図５（ｂ）の矢印で示すように各
ＭＲＥブリッジの出力が逆方向に変化してしまうからで
ある。

【００３１】（他の実施形態）なお、上記実施形態で
は、ＭＲＥブリッジ３を構成するＭＲＥ３ａ、３ｂとＭ
ＲＥブリッジ４を構成しているＭＲＥ４ａ、４ｂの方向
性を同様にして平行に配置しているが、必ずしも同様の
方向性を有している必要はなく、例えばＭＲＥ３ａに対
してＭＲＥ４ａがある程度角度を成していてもよい。た
だし、このような場合にも、ＭＲＥブリッジ３の出力波
形とＭＲＥブリッジ４の出力波形が同相で変化するよう
にする必要がある。

【００３２】また、ＭＲＥ４ａ、４ｂの角度を、バイア
ス磁石２の中心軸に対してギア１の回転方向にそれぞ
れ、±１３５度の角度に配置し、ＭＲＥ４ｂからＭＲＥ
４ａに向けて電流が流れるようにしても、２つのＭＲＥ
ブリッジ３、４の出力波形が同相で変化し、上記実施形
態と同様の効果が得られる。さらに、上記実施形態で
は、ＭＲＥブリッジ３、４の出力をコンパレータ５ａに
よって比較するようにしているが、ＭＲＥブリッジ３、
４の出力の差が小さい場合には２つの出力の比較が困難
な場合があり得る。このような場合には、２つの出力を
増幅器として働くコンパレータ５ａで比較したのち、所
定のしきい値電圧と比較するようにすれば良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は回転検出装置の模式図であり、（ｂ）
は差動増幅回路の回路構成図である。

【図２】ギア１の回転い伴う磁力線Ｈの変化を説明する
ための図である。

【図３】磁気ベクトル角θに対するＭＲＥの抵抗値変化
を説明するための図である。

【図４】（ａ）はバイアス磁石２に対してＭＲＥブリッ
ジ３、４が位置ズレしてない場合の出力波形図であり、
（ｂ）はバイアス磁石２に対してＭＲＥブリッジ３、４
が位置ズレしている場合の出力波形図である。

【図５】従来の回転検出装置における出力波形図であ
り、（ａ）はバイアス磁石に対してＭＲＥブリッジが位
置ズレしてない場合の出力波形図であり、（ｂ）はバイ
アス磁石に対してＭＲＥブリッジが位置ズレしている場
合の出力波形図である。

【図６】従来の回転検出装置の回路構成を示す模式図で
ある。

【図７】従来の回転検出装置における出力波形図であ
り、（ａ）はバイアス磁石に対してＭＲＥブリッジが位
置ズレしてない場合の出力波形図であり、（ｂ）はバイ
アス磁石に対してＭＲＥブリッジが位置ズレしている場
合の出力波形図である。

【符号の説明】

１…ギア、２…バイアス磁石、３…ＭＲＥブリッジ、３
ａ、３ｂ…ＭＲＥ、４…ＭＲＥブリッジ、４ａ、４ｂ…
ＭＲＥ、５…差動増幅回路、５ａ…コンパレータ。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回転する歯車状のギア（１）の歯に向け
   てバイアス磁界を発生するバイアス磁石（２）と、 前記バイアス磁界の変化に伴い抵抗値が変化する第１、
   第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）を内蔵し、前記
   バイアス磁石（２）に固定される部材と、 を備え、前記第１の磁気抵抗素子パターン（３）の出力
   と、前記第２の磁気抵抗素子パターン（４）の出力とを
   比較することによって前記ギア（１）の回転状態を検出
   する回転検出装置であって、 前記第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）は、
   前記バイアス磁石（２）の磁気的中心軸方向にずらして
   配置されており、前記第１の磁気抵抗素子パターン
   （３）の出力波形と、前記第２の磁気抵抗素子パターン
   （４）の出力波形とが同相で変化するようになっている
   ことを特徴とする回転検出装置。
2. 【請求項２】 回転する歯車状のギア（１）の歯に向け
   てバイアス磁界を発生するバイアス磁石（２）と、 前記バイアス磁界の変化に伴い抵抗値が変化する第１、
   第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）を内蔵し、前記
   バイアス磁石（２）に固定される部材と、 を備え、前記第１の磁気抵抗素子パターン（３）の出力
   と、前記第２の磁気抵抗素子パターン（４）の出力とを
   比較することによって前記ギア（１）の回転状態を検出
   する回転検出装置であって、 前記第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）は、
   前記バイアス磁石（２）の磁気的中心軸方向にずらして
   配置されており、前記第１の磁気抵抗素子ブリッジ
   （３）の出力電位が増加すると前記第２の磁気抵抗素子
   ブリッジ（４）の出力電位も増加し、前記第１の磁気抵
   抗素子ブリッジ（３）の出力電位が減少すると前記第２
   の磁気抵抗素子ブリッジ（４）の出力電位も減少するよ
   うになっていることを特徴とする回転検出装置。
3. 【請求項３】 回転する歯車状のギア（１）の歯に向け
   てバイアス磁界を発生するバイアス磁石（２）と、 前記バイアス磁界の変化に伴い抵抗値が変化する第１、
   第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）を内蔵し、前記
   バイアス磁石（２）に固定される部材と、 を備え、前記第１の磁気抵抗素子パターン（３）の出力
   電位と、前記第２の磁気抵抗素子パターン（４）の出力
   電位とを比較することによって前記ギア（１）の回転状
   態を検出する回転検出装置であって、 前記第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）は、
   前記バイアス磁石（２）の磁気的中心軸方向にずらして
   配置されており、 前記第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）が前
   記バイアス磁石（２）の磁気的中心に配置された場合に
   比して、前記第１の磁気抵抗素子パターン（３）の出力
   電位の振幅中心が増大しているときには、前記第２の磁
   気抵抗素子パターン（４）の出力電位の振幅中心も増大
   し、前記第１の磁気抵抗素子パターン（３）の出力電位
   の振幅中心が減少しているときには、前記第２の磁気抵
   抗素子パターン（４）の出力電位の振幅中心も減少する
   ようになっていることを特徴とする回転検出装置。
4. 【請求項４】 前記第１の磁気抵抗素子パターン（３）
   は２つの磁気抵抗素子（３ａ、３ｂ）が直列接続された
   ブリッジで構成され、この第１の磁気抵抗素子パターン
   （３）を構成する２つの磁気抵抗素子ブリッジ（３ａ、
   ３ｂ）の接続点における電位を出力としており、 前記第２の磁気抵抗素子パターン（４）は、２つの磁気
   抵抗素子（４ａ、４ｂ）が直列接続されたブリッジで構
   成され、この第２の磁気抵抗素子パターン（３）を構成
   する２つの磁気抵抗素子ブリッジ（３ａ、３ｂ）の接続
   点における電位を出力としていることを特徴とする請求
   項１乃至３のいずれか１つに記載の回転検出装置。
5. 【請求項５】 前記第１の磁気抵抗素子パターン（３）
   を構成する２つの磁気抵抗素子（３ａ、３ｂ）は、前記
   バイアス磁石（２）の磁気的中心に平行な線を対称線と
   してハの字を成すように対称配置されており、 前記第２の磁気抵抗素子パターン（４）を構成する２つ
   の磁気抵抗素子（４ａ、４ｂ）はそれぞれ、前記第１の
   磁気抵抗素子パターン（４）を構成する２つの磁気抵抗
   素子（３ａ、３ｂ）のいずれか一方と略平行に配置され
   ており、 前記第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）に
   は、同方向に電流が流れるようになっていることを特徴
   とする請求項４に記載の回転検出装置。
6. 【請求項６】 前記第１の磁気抵抗素子ブリッジ（３）
   の出力と第２の磁気抵抗素子ブリッジ（４）の出力とを
   比較する手段（５）は、前記第１の磁気抵抗素子ブリッ
   ジ（３）の出力と前記第２の磁気抵抗素子ブリッジ
   （４）の出力とのいずれか一方をしきい値として、他方
   の出力を２値化するものであることを特徴とする請求項
   １乃至５のいずれか１つに記載の回転検出装置。