JP2000337922A - 回転検出装置 - Google Patents
回転検出装置Info
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- JP2000337922A JP2000337922A JP11145336A JP14533699A JP2000337922A JP 2000337922 A JP2000337922 A JP 2000337922A JP 11145336 A JP11145336 A JP 11145336A JP 14533699 A JP14533699 A JP 14533699A JP 2000337922 A JP2000337922 A JP 2000337922A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路構成を簡略化でき、コスト低減が図れる
回転検出装置を提供する。 【解決手段】 第１、第２のＭＲＥブリッジ３、４を、
ギア１の回転方向に配列させると共に、バイアス磁石２
の磁気的中心軸を対称軸として対称位置に配置する。こ
のように、このようにＭＲＥブリッジ３、４をギア１の
回転方向に配列させることにより、第１、第２のＭＲＥ
ブリッジ３、４のそれぞれの出力に位相差をつけること
ができる。このため、第１、第２のＭＲＥブリッジ３、
４の出力に基づいて、ギア１の回転検出を行うことがで
きる。これにより、回転検出装置の回路構成を簡略化で
き、コスト低減を図ることができる。
回転検出装置を提供する。 【解決手段】 第１、第２のＭＲＥブリッジ３、４を、
ギア１の回転方向に配列させると共に、バイアス磁石２
の磁気的中心軸を対称軸として対称位置に配置する。こ
のように、このようにＭＲＥブリッジ３、４をギア１の
回転方向に配列させることにより、第１、第２のＭＲＥ
ブリッジ３、４のそれぞれの出力に位相差をつけること
ができる。このため、第１、第２のＭＲＥブリッジ３、
４の出力に基づいて、ギア１の回転検出を行うことがで
きる。これにより、回転検出装置の回路構成を簡略化で
き、コスト低減を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バイアス磁界の方
向の変化によって抵抗値を変化させる磁気抵抗素子（以
下、ＭＲＥという）を用いて、回転情報の検出を行う回
転検出装置に関し、特に車両におけるエンジン制御や車
両ブレーキにおけるＡＢＳ制御に使用する回転検出装置
に適用すると好適である。
向の変化によって抵抗値を変化させる磁気抵抗素子（以
下、ＭＲＥという）を用いて、回転情報の検出を行う回
転検出装置に関し、特に車両におけるエンジン制御や車
両ブレーキにおけるＡＢＳ制御に使用する回転検出装置
に適用すると好適である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ギアの回転位置検出を行う回
転検出装置の検出素子として、ＭＲＥブリッジが用いら
れている。
転検出装置の検出素子として、ＭＲＥブリッジが用いら
れている。
【０００３】このＭＲＥブリッジは、一般的にＳｉ基板
に形成された薄膜抵抗によって構成されるため、その製
造要因（膜厚の不均一性、エッチング精度等）から出力
オフセットのバラツキが大きく、ＭＲＥブリッジの出力
信号を増幅した場合に増幅器の動作範囲を逸脱し、正確
に増幅できなくなるという問題を有していた。
に形成された薄膜抵抗によって構成されるため、その製
造要因（膜厚の不均一性、エッチング精度等）から出力
オフセットのバラツキが大きく、ＭＲＥブリッジの出力
信号を増幅した場合に増幅器の動作範囲を逸脱し、正確
に増幅できなくなるという問題を有していた。
【０００４】この問題を解決するべく、特開平９−３２
６６５４号公報では、ＭＲＥブリッジからの出力信号に
対して、Ｄ／Ａ変換器を用いてオフセットを自動調整し
たり、ＭＲＥブリッジとは別に設けた種類の異なる薄膜
抵抗をレーザーでトリミングしたりしてオフセット調整
を行うことが示されている。
６６５４号公報では、ＭＲＥブリッジからの出力信号に
対して、Ｄ／Ａ変換器を用いてオフセットを自動調整し
たり、ＭＲＥブリッジとは別に設けた種類の異なる薄膜
抵抗をレーザーでトリミングしたりしてオフセット調整
を行うことが示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法によると、センサチップが増加したり、種類の異なる
薄膜抵抗を形成するための工程が必要となり、コストア
ップの原因となる。
法によると、センサチップが増加したり、種類の異なる
薄膜抵抗を形成するための工程が必要となり、コストア
ップの原因となる。
【０００６】また、従来の磁気近接型回転センサは、エ
ンジン制御などを目的に高精度が必要とされる。このた
め、アナログ信号をデジタル信号に変換する回路（２値
化回路）として、アナログ信号のピーク値・ボトム値
（或はその一方）からしきい値を生成する回路を用いて
おり、チップサイズが増加し、コストアップの原因にな
っていた。
ンジン制御などを目的に高精度が必要とされる。このた
め、アナログ信号をデジタル信号に変換する回路（２値
化回路）として、アナログ信号のピーク値・ボトム値
（或はその一方）からしきい値を生成する回路を用いて
おり、チップサイズが増加し、コストアップの原因にな
っていた。
【０００７】本発明は上記点に鑑みてなされ、回路構成
を簡略化でき、コスト低減が図れる回転検出装置を提供
することを目的とする。
を簡略化でき、コスト低減が図れる回転検出装置を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、以下の技術的手段を採用する。
め、以下の技術的手段を採用する。
【０００９】請求項１に記載の発明においては、第１、
第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）を、ギア（１）
の回転方向に配列させると共に、バイアス磁石（２）の
磁気的中心軸を対称軸として対称位置に配置することを
特徴としている。
第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）を、ギア（１）
の回転方向に配列させると共に、バイアス磁石（２）の
磁気的中心軸を対称軸として対称位置に配置することを
特徴としている。
【００１０】このように、このように第１、第２の磁気
抵抗素子パターン（３、４）をギア（１）の回転方向に
配列させることにより、第１、第２の磁気抵抗素子パタ
ーン（３、４）のそれぞれの出力に位相差をつけること
ができる。
抵抗素子パターン（３、４）をギア（１）の回転方向に
配列させることにより、第１、第２の磁気抵抗素子パタ
ーン（３、４）のそれぞれの出力に位相差をつけること
ができる。
【００１１】このため、第１、第２の磁気抵抗素子パタ
ーン（３、４）の出力に基づいて、ギア（１）の回転検
出を行うことができる。これにより、回転検出装置の回
路構成を簡略化でき、コスト低減を図ることができる。
ーン（３、４）の出力に基づいて、ギア（１）の回転検
出を行うことができる。これにより、回転検出装置の回
路構成を簡略化でき、コスト低減を図ることができる。
【００１２】請求項２に示すように、１つのＩＣチップ
上に第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）を形
成することができる。
上に第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）を形
成することができる。
【００１３】このようにすれば、製造工程に起因する第
１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）のオフセッ
トの変化が、第１、第２の磁気抵抗素子（３、４）共通
して発生するようにできるため、オフセット調整を行う
必要性をなくすことができる。
１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）のオフセッ
トの変化が、第１、第２の磁気抵抗素子（３、４）共通
して発生するようにできるため、オフセット調整を行う
必要性をなくすことができる。
【００１４】なお、第１の磁気抵抗素子パターン（３）
が発生する第１出力、及び第２の磁気抵抗素子パターン
（４）が発生する第２出力をコンパレータ（５）で比較
すれば、２値化された出力に基づいてギア（１）の回転
検出を行うことが可能である。
が発生する第１出力、及び第２の磁気抵抗素子パターン
（４）が発生する第２出力をコンパレータ（５）で比較
すれば、２値化された出力に基づいてギア（１）の回転
検出を行うことが可能である。
【００１５】なお、上記括弧内の符号は、後述する実施
形態で説明する図中の符号との対応関係を示している。
形態で説明する図中の符号との対応関係を示している。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１に、本実施形態における回転
検出装置の模式図を示す。図１に示すように、回転検出
装置は、ギア１に向かってバイアス磁界を発生するバイ
アス磁石２と、ギア１の回転に伴うバイアス磁界の方向
の変化を検出する２つのＭＲＥブリッジ３、４と、２つ
のＭＲＥブリッジ３、４それぞれからの出力を比較する
コンパレータ５とを備えている。バイアス磁石２は、ギ
ア１の外周面に対向するように配置されており、ギア１
の外周面に向けてバイアス磁界を発生するようになって
いる。
検出装置の模式図を示す。図１に示すように、回転検出
装置は、ギア１に向かってバイアス磁界を発生するバイ
アス磁石２と、ギア１の回転に伴うバイアス磁界の方向
の変化を検出する２つのＭＲＥブリッジ３、４と、２つ
のＭＲＥブリッジ３、４それぞれからの出力を比較する
コンパレータ５とを備えている。バイアス磁石２は、ギ
ア１の外周面に対向するように配置されており、ギア１
の外周面に向けてバイアス磁界を発生するようになって
いる。
【００１７】バイアス磁石２は、中空形状で構成されて
おり、バイアス磁石２の中心軸（図中の２点鎖線）がバ
イアス磁界の磁気的中心を成している。そして、中空形
状を成すバイアス磁石２の端面の一方がＮ極、他方がＳ
極になるように着磁されており、バイアス磁石２のうち
ギア１に近い端面がＮ極、遠い端面がＳ極となるよう
に、かつ中空形状の中心軸上に概ねギア１の回転軸が位
置するように配置されている。
おり、バイアス磁石２の中心軸（図中の２点鎖線）がバ
イアス磁界の磁気的中心を成している。そして、中空形
状を成すバイアス磁石２の端面の一方がＮ極、他方がＳ
極になるように着磁されており、バイアス磁石２のうち
ギア１に近い端面がＮ極、遠い端面がＳ極となるよう
に、かつ中空形状の中心軸上に概ねギア１の回転軸が位
置するように配置されている。
【００１８】２つのＭＲＥブリッジ３、４は、１つのＩ
Ｃチップ（図示せず）の表面に形成されている。そし
て、これら２つのＭＲＥブリッジ３、４は、ギア１の回
転方向に配列されていると共に、バイアス磁石２の中心
軸を対称軸とした対称位置に配置されている。このよう
な配置とすることにより、各ＭＲＥブリッジ３、４がギ
ア１の回転方向において所定距離離れるようにしてい
る。
Ｃチップ（図示せず）の表面に形成されている。そし
て、これら２つのＭＲＥブリッジ３、４は、ギア１の回
転方向に配列されていると共に、バイアス磁石２の中心
軸を対称軸とした対称位置に配置されている。このよう
な配置とすることにより、各ＭＲＥブリッジ３、４がギ
ア１の回転方向において所定距離離れるようにしてい
る。
【００１９】一方のＭＲＥブリッジ３は、全長が略同等
な２つのＭＲＥ３ａ、３ｂによって構成されている。こ
れら２つのＭＲＥ３ａ、３ｂが直列接続されて、それぞ
れに電流が流れるようになっている。具体的には、ＭＲ
Ｅブリッジ３に対して所定の電圧を印加することによっ
て、ＭＲＥ３ａからＭＲＥ３ｂに向けて電流が流れるよ
うになっている。そして、直列接続されたＭＲＥ３ａと
ＭＲＥ３ｂとの間の中点電位をＭＲＥブリッジ３の出力
としている。このため、バイアス磁界の変化がない場合
においては、ＭＲＥブリッジ３の中点電位は、ＭＲＥブ
リッジ３に印加する電圧の１／２となる。
な２つのＭＲＥ３ａ、３ｂによって構成されている。こ
れら２つのＭＲＥ３ａ、３ｂが直列接続されて、それぞ
れに電流が流れるようになっている。具体的には、ＭＲ
Ｅブリッジ３に対して所定の電圧を印加することによっ
て、ＭＲＥ３ａからＭＲＥ３ｂに向けて電流が流れるよ
うになっている。そして、直列接続されたＭＲＥ３ａと
ＭＲＥ３ｂとの間の中点電位をＭＲＥブリッジ３の出力
としている。このため、バイアス磁界の変化がない場合
においては、ＭＲＥブリッジ３の中点電位は、ＭＲＥブ
リッジ３に印加する電圧の１／２となる。
【００２０】また、ＭＲＥブリッジ３を構成する２つの
ＭＲＥ３ａ、３ｂは、それぞれ異なった方向性を有して
おり、それぞれの長手方向がバイアス磁界の磁気的中心
に対して、ギア１の回転方向に４５度と−４５度の角度
を成すように、すなわち互いに直交するハの字状になる
ようにＩＣチップ上に形成されている。これにより、バ
イアス磁界の変化（振れ角）が大きい場合でも、ＭＲＥ
ブリッジ３の出力に波形割れが発生しないようにしてい
る。
ＭＲＥ３ａ、３ｂは、それぞれ異なった方向性を有して
おり、それぞれの長手方向がバイアス磁界の磁気的中心
に対して、ギア１の回転方向に４５度と−４５度の角度
を成すように、すなわち互いに直交するハの字状になる
ようにＩＣチップ上に形成されている。これにより、バ
イアス磁界の変化（振れ角）が大きい場合でも、ＭＲＥ
ブリッジ３の出力に波形割れが発生しないようにしてい
る。
【００２１】他方のＭＲＥブリッジ４も、全長が略同等
な２つのＭＲＥ４ａ、４ｂによって構成されている。こ
れら２つのＭＲＥ４ａ、４ｂは、ギア側ＭＲＥブリッジ
３を構成するＭＲＥ３ａ、３ｂと同様に直列接続されて
いて、かつＭＲＥ３ａ、３ｂと概ね同様の方向性を有し
ている。つまり、ＭＲＥ４ａはＭＲＥ３ａと同様の方向
性を有し、ＭＲＥ４ｂはＭＲＥ３ｂと同様の方向性を有
している。そして、ＭＲＥブリッジ４に対してＭＲＥブ
リッジ３と同等の電圧を印加することによって、ＭＲＥ
４ａからＭＲＥ４ｂに向けて電流が流れるようになって
おり、図１の矢印に示すように、ＭＲＥブリッジ１と同
相（同様の向き）で電流が流れるようになっている。そ
して、直列接続されたＭＲＥ４ａとＭＲＥ４ｂとの間の
中点電位をＭＲＥブリッジ４の出力としている。このた
め、ＭＲＥブリッジ４の中点電位は、ＭＲＥブリッジ４
に印加する電圧の１／２となる。
な２つのＭＲＥ４ａ、４ｂによって構成されている。こ
れら２つのＭＲＥ４ａ、４ｂは、ギア側ＭＲＥブリッジ
３を構成するＭＲＥ３ａ、３ｂと同様に直列接続されて
いて、かつＭＲＥ３ａ、３ｂと概ね同様の方向性を有し
ている。つまり、ＭＲＥ４ａはＭＲＥ３ａと同様の方向
性を有し、ＭＲＥ４ｂはＭＲＥ３ｂと同様の方向性を有
している。そして、ＭＲＥブリッジ４に対してＭＲＥブ
リッジ３と同等の電圧を印加することによって、ＭＲＥ
４ａからＭＲＥ４ｂに向けて電流が流れるようになって
おり、図１の矢印に示すように、ＭＲＥブリッジ１と同
相（同様の向き）で電流が流れるようになっている。そ
して、直列接続されたＭＲＥ４ａとＭＲＥ４ｂとの間の
中点電位をＭＲＥブリッジ４の出力としている。このた
め、ＭＲＥブリッジ４の中点電位は、ＭＲＥブリッジ４
に印加する電圧の１／２となる。
【００２２】従って、回転検出装置は、図１（ｂ）に示
すような回路構成を成している。この図に示されるよう
に、コンパレータ５の非反転入力端子と反転入力端子
に、それぞれＭＲＥブリッジ３の中点電位とＭＲＥブリ
ッジ４の中点電位が入力されて大小比較されるようにな
っている。すなわち、ＭＲＥブリッジ３の中点電位をし
きい値電圧となるＭＲＥブリッジ４の中点電位と大小比
較することによって、ＭＲＥブリッジ３の出力を２値化
処理している。そして、このコンパレータ５の出力を回
転検出装置の出力として、ギア１の回転状態を検出でき
るようになっている。
すような回路構成を成している。この図に示されるよう
に、コンパレータ５の非反転入力端子と反転入力端子
に、それぞれＭＲＥブリッジ３の中点電位とＭＲＥブリ
ッジ４の中点電位が入力されて大小比較されるようにな
っている。すなわち、ＭＲＥブリッジ３の中点電位をし
きい値電圧となるＭＲＥブリッジ４の中点電位と大小比
較することによって、ＭＲＥブリッジ３の出力を２値化
処理している。そして、このコンパレータ５の出力を回
転検出装置の出力として、ギア１の回転状態を検出でき
るようになっている。
【００２３】次に、回転検出装置の作動について説明す
る。
る。
【００２４】まず、ギア１が紙面左回りに回転すると、
このギア１の回転に伴ってバイアス磁石２が発生するバ
イアス磁界が変化する。これによりバイアス磁界の磁力
線がギア１の回転方向左右に振れる。この回転方向左右
に振れた磁力線がＭＲＥブリッジ３、４を通過するた
め、各ＭＲＥブリッジ３、４は磁力線の振れに応じて出
力を変化させる。
このギア１の回転に伴ってバイアス磁石２が発生するバ
イアス磁界が変化する。これによりバイアス磁界の磁力
線がギア１の回転方向左右に振れる。この回転方向左右
に振れた磁力線がＭＲＥブリッジ３、４を通過するた
め、各ＭＲＥブリッジ３、４は磁力線の振れに応じて出
力を変化させる。
【００２５】この時、磁力線の振れはギア１の回転に伴
って変化するため、ＭＲＥブリッジ３を通過する磁力線
が振れた後、所定の位相差をもってＭＲＥブリッジ４を
通過する磁力線が振れることとなる。
って変化するため、ＭＲＥブリッジ３を通過する磁力線
が振れた後、所定の位相差をもってＭＲＥブリッジ４を
通過する磁力線が振れることとなる。
【００２６】従って、ギア１の回転方向にずらされた
分、ＭＲＥブリッジ３とＭＲＥブリッジ４の出力の変化
に位相差が発生する。このときの様子を図２に示す。
分、ＭＲＥブリッジ３とＭＲＥブリッジ４の出力の変化
に位相差が発生する。このときの様子を図２に示す。
【００２７】このように、ＭＲＥブリッジ３、４間の距
離による出力変化の位相差が生じるため、ＭＲＥブリッ
ジ３、４の出力に差が発生し、この出力差によってコン
パレータ５の出力が変化する。このときのコンパレータ
５の出力を図２中に示す。
離による出力変化の位相差が生じるため、ＭＲＥブリッ
ジ３、４の出力に差が発生し、この出力差によってコン
パレータ５の出力が変化する。このときのコンパレータ
５の出力を図２中に示す。
【００２８】この図に示されるように、ＭＲＥブリッジ
３、４の出力のだ大小が交互に入れ替わり、その度にコ
ンパレータ５の出力が変化していることが判る。これに
より、コンパレータ５の出力に基づいてギア１の位置検
出を行うことができる。
３、４の出力のだ大小が交互に入れ替わり、その度にコ
ンパレータ５の出力が変化していることが判る。これに
より、コンパレータ５の出力に基づいてギア１の位置検
出を行うことができる。
【００２９】このように、本実施形態に示される回転検
出装置では、２つのＭＲＥブリッジ３、４をギア１の回
転方向に配列させた構成とし、ＭＲＥブリッジ３、４の
出力を比較することによって回転検出を行っている。
出装置では、２つのＭＲＥブリッジ３、４をギア１の回
転方向に配列させた構成とし、ＭＲＥブリッジ３、４の
出力を比較することによって回転検出を行っている。
【００３０】従って、２つのＭＲＥブリッジ３、４の出
力によって回転検出を行うことができると共に、ＭＲＥ
ブリッジ３、４とギア１間の距離変化や周囲温度変化に
よってＭＲＥブリッジ３、４のオフセットが変化したと
しても、その変化はＭＲＥブリッジ３、４共通して発生
するため、そのオフセットの変化が打ち消され、正確に
回転検出を行うことができる。
力によって回転検出を行うことができると共に、ＭＲＥ
ブリッジ３、４とギア１間の距離変化や周囲温度変化に
よってＭＲＥブリッジ３、４のオフセットが変化したと
しても、その変化はＭＲＥブリッジ３、４共通して発生
するため、そのオフセットの変化が打ち消され、正確に
回転検出を行うことができる。
【００３１】これにより、製造上発生するオフセット調
整を行う必要がなく、また、温度特性、ギャップ特性な
どを考慮する必要もないため、センサ回路を簡略化する
ことができる。（他の実施形態）なお、上記実施形態で
は、ＭＲＥブリッジ３、４の出力を直接コンパレータ５
によって比較するようにしているが、ＭＲＥブリッジ
３、４の出力の差が小さい場合には２つの出力の比較が
困難な場合があり得る。このような場合には、２つの出
力を増幅器で増幅した後、コンパレータ５で比較するよ
うにすればよい。
整を行う必要がなく、また、温度特性、ギャップ特性な
どを考慮する必要もないため、センサ回路を簡略化する
ことができる。（他の実施形態）なお、上記実施形態で
は、ＭＲＥブリッジ３、４の出力を直接コンパレータ５
によって比較するようにしているが、ＭＲＥブリッジ
３、４の出力の差が小さい場合には２つの出力の比較が
困難な場合があり得る。このような場合には、２つの出
力を増幅器で増幅した後、コンパレータ５で比較するよ
うにすればよい。
【００３２】また、バイアス磁石２の着磁方向は本実施
形態と逆にギア側がＳ極、その反対側がＮ極となるよう
にしてもよい。
形態と逆にギア側がＳ極、その反対側がＮ極となるよう
にしてもよい。
【図１】（ａ）は回転検出装置の模式図であり、（ｂ）
は回転検出装置の回路構成図である。
は回転検出装置の回路構成図である。
【図２】ＭＲＥブリッジ３、４の出力及びコンパレータ
５の出力を示すタイミングチャートである。
５の出力を示すタイミングチャートである。
１…ギア、２…バイアス磁石、３…ＭＲＥブリッジ、３
ａ、３ｂ…ＭＲＥ、４…ＭＲＥブリッジ、４ａ、４ｂ…
ＭＲＥ、５…コンパレータ。
ａ、３ｂ…ＭＲＥ、４…ＭＲＥブリッジ、４ａ、４ｂ…
ＭＲＥ、５…コンパレータ。
Claims (3)
- 【請求項１】 回転する歯車状のギア（１）の歯に向け
てバイアス磁界を発生するバイアス磁石（２）と、 前記バイアス磁界の変化に伴い抵抗値が変化する第１、
第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）と、を備え、前
記第１の磁気抵抗素子パターン（３）の出力電位と、前
記第２の磁気抵抗素子パターン（４）の出力電位とを比
較することによって前記ギア（１）の回転状態を検出す
る回転検出装置であって、 前記第１、第２の磁気抵抗素子パターン（３、４）は、
前記ギア（１）の回転方向に配列されていると共に、前
記バイアス磁石（２）の磁気的中心軸を対称軸として対
称位置に配置されていることを特徴とする回転検出装
置。 - 【請求項２】 前記第１、第２の磁気抵抗素子パターン
は１つのＩＣチップ上に形成されていることを特徴とす
る請求項１に記載の回転検出装置。 - 【請求項３】 前記第１の磁気抵抗素子パターン（３）
を２つの磁気抵抗素子（３ａ、３ｂ）が直列接続された
ブリッジで構成すると共に、この第１の磁気抵抗素子パ
ターン（３）を構成する２つの磁気抵抗素子ブリッジ
（３ａ、３ｂ）の接続点における電位を第１出力とし、 前記第２の磁気抵抗素子パターン（４）を２つの磁気抵
抗素子（４ａ、４ｂ）が直列接続されたブリッジで構成
すると共に、この第２の磁気抵抗素子パターン（３）を
構成する２つの磁気抵抗素子ブリッジ（３ａ、３ｂ）の
接続点における電位を第２出力とし、 前記第１出力及び前記第２出力を大小比較し、２値化信
号として出力するコンパレータ（５）を備えることを特
徴とする請求項１又は２に記載の回転検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11145336A JP2000337922A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 回転検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11145336A JP2000337922A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 回転検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000337922A true JP2000337922A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15382825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11145336A Pending JP2000337922A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 回転検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000337922A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005345384A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 回転状態検出装置および回転状態検出方法 |
| KR100538472B1 (ko) * | 2003-03-31 | 2005-12-22 | 가부시키가이샤 덴소 | 자기 센서 조정 방법, 자기 센서 조정 장치 및 자기 센서 |
| US7205761B2 (en) | 2004-03-17 | 2007-04-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Rotation state detecting device and rotation state detecting method |
| WO2013005410A1 (ja) | 2011-07-05 | 2013-01-10 | 株式会社デンソー | 移動体検出装置 |
Citations (4)
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