JPH11180798A

JPH11180798A - シリコン単結晶の製造方法及び製造装置

Info

Publication number: JPH11180798A
Application number: JP36552797A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Yoshizawa; 健吉澤
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 1997-12-22
Filing date: 1997-12-22
Publication date: 1999-07-06
Anticipated expiration: 2017-12-22
Also published as: JP3644227B2

Abstract

(57)【要約】【目的】成長するシリコン単結晶の多結晶化を防止で
きるとともに、高純度且つ高品質のシリコン単結晶を得
ることのできるシリコン単結晶の製造方法及び製造装置
の提供。【構成】粒状多結晶シリコンを加熱溶融してシリコン
融液を形成し、該シリコン融液を溶融帯域に供給しなが
ら浮遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を製造する方法
において、前記溶融帯域に供給されるシリコン融液に対
して水平方向に磁場を印加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、原料となる粒状多
結晶シリコンを連続的に供給してシリコン単結晶のイン
ゴットを得るＦＺ法（フロートゾーン法、浮遊帯域溶融
法）によるシリコン単結晶の製造方法とその製造装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ＦＺ法によりシリコン単結晶を製造する
方法としては、上軸に棒状の原料多結晶を、下軸に直径
の小さな単結晶の種を保持し、前記原料多結晶の周囲を
囲繞した高周波誘導加熱コイルにより前記原料多結晶棒
の一端を溶融しながら前記種結晶に融着して種付けした
後、種絞りにより無転位化しつつ、前記高周波誘導加熱
コイルと前記原料多結晶とを相対的に回転し且つ軸線方
向に相対移動させながら前記原料多結晶を帯域溶融させ
て、棒状のシリコン単結晶を製造する方法（以下、シー
メンス法という。）が公知である。

【０００３】かかるシーメンス法においては、気相成長
法により製造された棒状の多結晶を原料として使用する
が、その外径精度が悪く、使用に際しては前記原料多結
晶の外面を研削して直径を均一化する作業が必要があ
る。そして、その為の研削加工設備が必要であり、ま
た、原料多結晶の外面を研削することにより結晶の損失
も生ずる。また、製造するシリコン単結晶の直径や長さ
が大型化するに伴い、原料多結晶棒の保持機構や保持室
も同時に大型化しなければならないという問題があっ
た。

【０００４】かかる欠点を解消する為に、原料に粒状多
結晶シリコンを用いたＦＺ法が種々提案されている（特
開平５−２８６７９１号、特開平６−１９９５８９
号）。この粒状多結晶シリコンを原料としてＦＺ法によ
り棒状のシリコン単結晶を製造する方法は、原料の粒状
多結晶シリコンが安価であり、使用の前に研削加工が不
必要であることから結晶の損失も無く、また、原料が粒
状であることから予備加熱の必要が無いので所要電力が
小さく、さらに、原料多結晶棒の保持機構や保持室が必
要ないので設備も小型化することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、粒状多
結晶シリコンを原料として用いる前記各従来技術によっ
て棒状のシリコン単結晶を製造する際には、次に示すよ
うな問題が生じてしまう。

【０００６】まず、特開平５−２８６７９１号公報は、
原料となる粒状多結晶シリコンの飛散を防止するための
隔壁を設けた製造方法を提供するものであり、その構成
を図２に基づいて簡単に説明する。

【０００７】図２において、半導体インゴット１０１の
上面は高周波誘導コイル１０４で加熱溶融され、溶融帯
１０２が形成される。溶融帯１０２の近くに、先端が該
溶融帯１０２の表面より僅か離れるか一致するか僅か浸
漬する程度に、石英等からなる障壁囲い１０５を設け、
この中に上方からパイプ１０７を通じて粒径０．５〜
５．０ｍｍの粒状結晶１０６を供給する。この粒状結晶
１０６は容易に融解して原料シリコン融液として連続供
給され、インゴット１０１を回転しながら下降するにつ
れて溶融帯１０２が固化し、単結晶等が成長する。

【０００８】この従来技術においては、障壁囲い１０５
により粒状結晶１０６の飛散を防止することはできる
が、障壁囲い１０５の下端は開口しており、該障壁囲い
１０５内で粒状結晶１０６が融解してなる原料シリコン
融液が溶融帯１０２と直接連通する構成を採るために、
前記原料シリコン融液が溶融帯１０２へ流出する量を制
御することは困難である。また、この従来技術におい
て、障壁囲い１０５の開口部に孔の開いた底板を設け、
この孔から原料シリコン融液を流出させてもよいとの技
術も示唆されているが、この場合、孔の開いた底板によ
り原料シリコン融液の流出速度をある一定値に制限する
ことはできても、原料シリコン融液の流出速度を増加さ
せたり減少させたりする制御は困難である。

【０００９】さらに、障壁囲い１０５の開口部に設けら
れた孔の開いた底板が溶融帯１０２と接触すると、この
方法により製造されたシリコン単結晶は底板の材料物質
により汚染される可能性が極めて高い。これは障壁囲い
１０５自体についても同様であり、該障壁囲い１０５の
先端が溶融帯１０２の表面と一致するか僅かに浸漬する
場合にもやはり、この方法により製造されたシリコン単
結晶が障壁囲い１０５の材料物質により汚染される可能
性が極めて高いのである。

【００１０】次に、特開平６−１９９５８９号公報は、
粒状多結晶シリコンをシリコン単結晶に転化する際、シ
リコンの溶融帯と接触したシリコン製の導管を通して、
粒状多結晶シリコンを一定の供給速度で供給するＦＺ法
を提供するものであり、その構成を図３に基づいて簡単
に説明する。

【００１１】図３において、１１１は不活性ガス雰囲気
若しくは真空を維持するハウジングで、該ハウジング１
１１内の上部にはシリコン製の導管１１３を保持するチ
ャック１１２を内蔵する。粒状多結晶シリコンは、ホッ
パー１１８から連結導管１１９及びシリコン製の導管１
１３を経由して溶融帯１１５へ供給される。シリコン製
の導管１１３の下部は、誘導加熱コイル１１４により囲
繞され加熱溶融された溶融帯１１５に接触している。溶
融帯１１５から下方には生成されたシリコン単結晶１１
６が延在し、その下端には昇降機構１１７上に支持され
たシリコン単結晶の種結晶が位置している。

【００１２】この従来技術において、シリコン製の導管
１１３の下部は溶融帯１１５に接触している為、生成さ
れるシリコン単結晶１１６の純度は、シリコン製の導管
１１３の純度により左右される。シリコン製の導管１１
３の純度を下げると、生成されるシリコン単結晶１１６
の純度も落ちるのである。

【００１３】また、この従来技術において、シリコン単
結晶の成長速度は、ホッパー１１８から連結導管１１９
及びシリコン製の導管１１３を経由して溶融帯１１５へ
供給される粒状多結晶シリコンの供給速度により制御さ
れる。しかし、粒状多結晶シリコンの供給速度を一定に
した場合においても、粒状多結晶シリコンの粒径は一定
でないので多結晶シリコンの供給量は一定にならない。
また、粒状多結晶シリコンの溶融速度も粒径により異な
る。

【００１４】また、シリコン単結晶の成長領域と粒状多
結晶シリコンの供給位置とが近接していないために、フ
ィードバックに時間がかかる。例えば、シリコン単結晶
の成長速度を即座に上げようとしても、ホッパー１１８
から連結導管１１９及びシリコン製の導管１１３を経由
して、粒状多結晶シリコンが溶融帯１１５に供給され、
さらに、該溶融帯１１５中で多結晶シリコンが溶融され
るまでに時間がかかってしまう。

【００１５】さらに、特開平５−２８６７９１号および
特開平６−１９９５８９号は、原料の粒状多結晶シリコ
ンを溶融帯中で融解する技術であり、完全に融解したシ
リコン融液を溶融帯に供給する技術について開示するも
のではない。粒状多結晶シリコンを溶融帯中で融解する
場合、該粒状多結晶シリコンが完全に融解せずに単結晶
の成長界面に到達してしまうと、成長中のシリコン単結
晶が多結晶化するという問題がある。

【００１６】本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑みて
なされたものであり、完全に融解したシリコン融液を溶
融帯に供給する技術を提供するとともに、粒状多結晶シ
リコンの溶融したシリコン融液が溶融帯へ流出する量を
効果的且つ確実に制御でき、製造するシリコン単結晶が
汚染される事が無く、これにより高純度且つ高品質のシ
リコン単結晶を得ることのできるシリコン単結晶の製造
方法及び製造装置を提供する事を目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明のシリコン単結晶
の製造方法は、粒状多結晶シリコンを加熱溶融してシリ
コン融液を形成し、該シリコン融液を溶融帯域に供給し
ながら浮遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を製造する
方法において、前記溶融帯域に供給されるシリコン融液
に磁場を印加することを特徴とする。

【００１８】前記磁場は、前記シリコン融液に対して水
平方向に印加されることが好ましい。前記シリコン融液
はルツボ内に保持され、前記磁場は、前記ルツボからシ
リコン融液を溶融帯域に供給するために該ルツボの下端
部に設けられた開口部を含む領域に形成されることが好
ましい。また、前記シリコン融液は、該シリコン融液を
保持するルツボの内壁面と非接触の状態に維持される。
また、前記ルツボは、前記溶融帯域に接触しないことが
好ましい。

【００１９】本発明のシリコン単結晶の製造装置は、浮
遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を製造する装置であ
って、粒状多結晶シリコンを加熱溶融してシリコン融液
を形成し、該シリコン融液を保持するとともに該シリコ
ン融液を溶融帯域に供給するルツボと、前記溶融帯域の
周囲を囲繞する高周波誘導加熱コイルと、前記シリコン
融液に対して水平方向に磁場を印加できるように配置さ
れた磁極とを有することを特徴とする。

【００２０】前記磁極は、前記ルツボからシリコン融液
を溶融帯域に供給するために該ルツボの下端部に設けら
れた開口部を含む領域に磁場が形成されるように配置さ
れることが好ましい。例えば、前記磁極は電磁石であ
り、該電磁石に接続された電圧可変器により印加電圧を
変化させて前記磁場の大きさを制御可能に構成される。
また、前記ルツボは、高周波電流が流れるコイルにより
囲繞されることが好ましい。さらに、前記ルツボは、前
記溶融帯域に接触しないように配置されることが好まし
い。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
実施の形態を例示的に説明する。ただし、この実施形態
に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、相対配
置などは特に特定的な記載がない限りは、この発明の範
囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に
過ぎない。

【００２２】図１は、本発明の一実施形態である浮遊帯
域溶融法によりシリコン単結晶１１を製造する装置を示
す。この製造装置は、粒状多結晶シリコン１を加熱溶融
してシリコン融液２を形成し、該シリコン融液２を保持
するとともに該シリコン融液２を溶融帯域８０に供給す
るルツボ３と、前記溶融帯域８０の周囲を囲繞する高周
波誘導加熱コイル９と、前記シリコン融液２に対して水
平方向に直流磁場６を印加できるように配置された磁極
６０Ｎ，６０Ｓと、前記直流磁場６の制御手段６１とを
有する。溶融帯域８０の下方には、単結晶成長界面８１
を介して成長したシリコン単結晶１１が位置し、さらに
その下端には、種絞り部１０を介して種結晶７が配置さ
れている。

【００２３】原料となる粒状多結晶シリコン１は、例え
ば化学蒸着式流動床法で形成された半導体等級純度のも
のである。粒状多結晶シリコン１の粒径は、加熱された
ルツボ３内に供給されると速やかに溶融すれば良く、特
に限定は無いが、通常１０μｍφから１０ｍｍφ程度の
粒径のものを用いる。

【００２４】前記ルツボ３は導電性の材料、具体的には
銅、銀、金、又はステンレス等からなり、下面が縮径さ
れて開口する開口部５を有する逆円筒ドーム状に構成さ
れる。前記ルツボ３は、シリコン単結晶１１の回転軸に
対して軸対称に、分割された壁３１を容器状に配列させ
て構成される。各分割された壁３１の内部には、該分割
された壁３１を十分に冷却する冷却水還流部３２が設け
られている。前記ルツボ３の下端部に設けられた開口部
５からは、シリコン融液２が溶融帯ネック部８を介して
溶融帯域８０に向けて供給され、前記ルツボ３は溶融帯
域８０に直接接触しない構成になっている。

【００２５】前記ルツボ３の外周には、該ルツボ３を囲
繞して螺旋状に巻回したコイル４が配置される。該コイ
ル４に高周波電流を流すと、ルツボ３の表面にコイル４
とは逆方向に流れる高周波の渦電流が誘導される。この
高周波の渦電流は、ルツボ３を加熱して粒状多結晶シリ
コン１を融解してシリコン融液２を形成すると同時に、
シリコン融液２の表面に、ルツボ３とは逆方向に流れる
高周波の渦電流を誘導する。そして、ルツボ３の表面と
シリコン融液２の表面には、逆方向の渦電流が流れるた
めに、該ルツボ３の表面とシリコン融液２の表面との間
に電磁気的な反撥力が生じ、シリコン融液２はわずかに
浮揚する。この結果、シリコン融液２はルツボ３の内壁
面と非接触の状態に維持されるので、ルツボ３により汚
染されることがない。また、シリコン融液２は表面張力
作用によりルツボ３内に保持され、分割された壁３１の
間から洩れることがない。

【００２６】前記シリコン融液２には、対流が発生す
る。対流が発生すると、ルツボ３内に供給された粒状多
結晶シリコン１が、対流により加速されてルツボ３内で
完全に融解しないまま、単結晶の成長界面８１に到達す
る可能性が高くなってしまう。

【００２７】そこで、本発明ではルツボ３内に保持され
たシリコン融液２に、磁場を印加するのである。印加す
る磁場としては、直流磁場のほうが、常に一定の大きさ
をシリコン融液２に供給することができる点で、交流磁
場よりも好ましい。

【００２８】電気伝導性を有する流体すなわちシリコン
融液２が、対流によって磁界内を移動すると、フレミン
グの右手の法則により、シリコン融液２の移動方向およ
び磁場の印加方向の両者に直交する方向に電場が発生
し、誘導電流が流れる。シリコン融液２中に誘導電流が
流れると、前記磁場との相互作用によりフレミングの左
手の法則に従って、電流の流れ方向および磁場の印加方
向の両者に直交する方向にローレンツ力が働くのであ
る。このローレンツ力は、シリコン融液２の移動方向と
は正反対の方向に働くので、シリコン融液２の流れが鈍
くなり、見かけ上の粘性が高くなる。

【００２９】この結果、シリコン融液２の対流とともに
移動する未溶融の多結晶シリコン１の移動速度が遅くな
り、単結晶の成長界面８１に到達するまでに該多結晶シ
リコン１を完全に融解することができるので、成長中の
シリコン単結晶１１の多結晶化を抑制することができ
る。

【００３０】シリコン融液２は導電性のルツボ３内に保
持されており、該ルツボ３の外側から内部のシリコン融
液２に磁場を印加しても、導電性のルツボ３により遮蔽
されてシリコン融液２には磁場が形成されない。そのた
め、ルツボ３の下端部に設けられた開口部５を含む領域
に磁場を形成するとよい。

【００３１】前記開口部５からは、シリコン融液２が溶
融帯域８０に向けて供給されるが、この領域はルツボ３
により遮蔽されていないので、磁場を形成することがで
きるのである。ただし、溶融帯域８０には磁場を印加し
ないほうが好ましい。溶融帯域８０に磁場を印加する
と、該溶融帯域８０の対流が抑制されるので、好ましく
ないファセットが形成されてしまうことがあるからであ
る。

【００３２】そこで、ルツボ３の下端部に設けられた開
口部５を含む領域に磁場が形成されるようにして、ルツ
ボ３の底面左右両側にＮ極とＳ極の磁極６０Ｎ，６０Ｓ
を配置する。該磁極６０Ｎ，６０Ｓは電磁石であり、電
圧可変器６１により印加電圧を可変に構成される。

【００３３】印加電圧を高くすると磁極６０Ｎ，６０Ｓ
により形成される磁場が強くなり、溶融帯域８０の対流
が大きく抑制されるので、見かけ上の粘性が高くなる。
一方、印加電圧を低くすると見かけ上の粘性が小さくな
る。このようにして、電磁石６０Ｎ，６０Ｓに接続され
た電圧可変器６１により印加電圧を変化させて磁場の大
きさを制御すると、シリコン融液２の見かけ上の粘性を
調節することができる。

【００３４】ルツボ３の下端部に設けられた開口部５を
含む領域に形成される磁場は、シリコン融液２の対流を
抑制できればよく、水平磁場、垂直磁場、あるいは斜め
方向から印加される磁場であってもよい。ただし、図１
のように、シリコン融液２がルツボ３の下端部に設けら
れた開口部５から溶融帯域８０へ下方向に供給される構
成の場合、水平磁場が最も効率的である。

【００３５】また、図１の構成の場合、ルツボ３の下端
部に設けられた開口部５を含む領域に水平磁場を形成す
ることにより、シリコン融液２の見かけ上の粘性を調節
すると同時に、ルツボ３から溶融帯域８０へ下方向に供
給されるシリコン融液２の供給量も制御することもでき
る。

【００３６】ルツボ３の下端部に設けられた開口部５を
含む領域に形成された水平磁場内を、シリコン融液２が
溶融帯域８０に向けて下方向に移動すると、フレミング
の右手の法則により、シリコン融液２の供給方向である
下方向および磁場の印加方向である水平方向の両者に直
交する水平方向に電場が発生し、誘導電流が流れる。

【００３７】シリコン融液２中に誘導電流が流れると、
前記磁場との相互作用によりフレミングの左手の法則に
従って、電流の流れ方向および磁場の印加方向の両者に
直交する上方向にローレンツ力が働くのである。このロ
ーレンツ力は、シリコン融液２の供給方向とは正反対の
方向であるので、シリコン融液２の流れが鈍くなり、シ
リコン融液２の供給を抑制することができるのである。

【００３８】このようにして、溶融帯域８０に向けて下
方向に供給されるシリコン融液２に印加する水平磁場の
大きさを調節することにより、ルツボ３から溶融帯域８
０へ供給されるシリコン融液２の供給量を制御すること
ができるので、シリコン単結晶１１の成長速度を調整す
ることができる。

【００３９】溶融帯域８０のネック部８の周囲には、偏
平単巻状の高周波誘導加熱コイル９が配設されている。
高周波誘導加熱コイル９は、該高周波誘導加熱コイル９
の内周径が製造すべきシリコン単結晶１１の外径より小
さく、且つ内周側に向けて断面先細り状に形成される。
高周波誘導加熱コイル９は、シリコン融液２および溶融
帯域８０を加熱して固化を防止すると同時に、溶融帯域
８０を高周波で押圧することにより該溶融帯域８０をシ
リコン単結晶１１上に保持する。高周波による溶融帯域
８０の押圧を中止すると、該溶融帯域８０は、シリコン
単結晶１１上から直ちに滴下してしまう。

【００４０】

【実施例】次に、発明の実施の形態で説明したシリコン
単結晶製造装置を用いて、本発明にかかる実施形態のシ
リコン単結晶１１を製造する方法について、具体的に説
明する。

【００４１】まず、図１に示す構成のシリコン単結晶製
造装置に配設された、内径が４０ｍｍで銅製のルツボ３
内に、図示しない原料供給管を介して、０．２ｍｍφ〜
５ｍｍφ程度の粒径を有する粒状多結晶シリコン１を供
給する。

【００４２】次に、ルツボ３の外周に該ルツボ３を囲繞
し螺旋状に巻回して配置されたコイル４に、約２ＭＨｚ
の高周波を印加して、前記粒状多結晶シリコン１を約１
５０ｍｌのシリコン融液２に融解する。そして、ルツボ
３の下端部に設けられた直径１５ｍｍの開口部５から供
給される融解したシリコン融液２に種結晶７を接触さ
せ、該種結晶７の一端部を融解させて種付けを行う。

【００４３】次に、種結晶７を５〜１０ｒｐｍの速度で
回転させつつ下方に移動させると同時に、溶融帯ネック
部８に配置した外径１００ｍｍ、内径２０ｍｍの銅製の
高周波誘導加熱コイル９により加熱出力を調節しなが
ら、転位を除去するための種絞り部１０を形成する。こ
の時、ルツボ３の下端部に設けられた開口部５を含む領
域に、２５０〜５００ガウスの水平磁場を形成して、種
結晶７上に形成されるシリコン単結晶１１が多結晶化し
ないように、シリコン融液２の見かけ上の粘性を調節す
る。種絞り部１０が細くなりすぎる場合には、水平磁場
の印加を小さくして成長速度を大きくする。

【００４４】種絞り部１０を形成した後に、種結晶７を
５〜１０ｒｐｍの速度で回転させつつ高周波誘導加熱コ
イル９の出力を増加させ、シリコン単結晶１１の直径を
増大させていく。この時、晶癖線が大きく成長するなら
ば、水平磁場の印加を小さくしてシリコン融液２の見か
け上の粘性を小さくする。該シリコン単結晶１１の直径
が目的とする３０ｍｍとなる少し前に、高周波誘導加熱
コイル９の出力増大の割合を徐々に減少させる。そし
て、シリコン単結晶１１の直径が目的とする直径になっ
た後は、一定の出力で誘導加熱を行う。

【００４５】シリコン単結晶１１を成長させる間、ルツ
ボ３内のシリコン融液２の量が一定に保たれるように、
粒状多結晶シリコン１をルツボ３内に供給する。直径３
０ｍｍのシリコン単結晶１１を２．０〜３．０ｍｍ／ｍ
ｉｎで成長する場合、シリコン融液２は、およそ２ｍｌ
／ｍｉｎの割合で溶融帯域８０に供給される。また、シ
リコン単結晶１１の成長速度に応じて、ルツボ３の下端
部に設けられた開口部５を含む領域に印加する水平磁場
の強度を、２５０〜１０００ガウスの間で調節する。水
平磁場の強度は、２５０ガウスより小さいとその効果は
無いが、１０００ガウスよりも大きくすると単結晶成長
界面８１にファセットが形成され、抵抗率の面内分布が
著しく悪化するため、好ましくない。本実施例による
と、直径３０ｍｍのシリコン単結晶１１を５０ｃｍの長
さまで成長することができた。

【００４６】

【発明の効果】以上記載の如く、本発明によれば、完全
に融解したシリコン融液を溶融帯域に供給することがで
きるので、成長するシリコン単結晶の多結晶化を防止す
ることができる。また、粒状多結晶シリコンの溶融した
シリコン融液が溶融帯へ流出する量を効果的且つ確実に
制御できる。さらに、シリコン融液はルツボの内壁面と
非接触の状態に維持されるので、製造するシリコン単結
晶が汚染される事が無く、これにより高純度且つ高品質
のシリコン単結晶を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施態様にかかる、粒状多結晶シリコ
ンを原料とするシリコン単結晶の製造装置の概念図であ
る。

【図２】従来技術にかかる、粒状多結晶シリコンを原料
とするシリコン単結晶の製造装置の概念図である。

【図３】他の従来技術にかかる、粒状多結晶シリコンを
原料とするシリコン単結晶の製造装置の概念図である。

【符号の説明】

１粒状多結晶シリコン２シリコン融液３ルツボ４コイル５ルツボの下端部に設けられた開口部６磁場７種結晶８溶融帯ネック部９高周波誘導加熱コイル１０種絞り部１１シリコン単結晶

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】粒状多結晶シリコンを加熱溶融してシリ
コン融液を形成し、該シリコン融液を溶融帯域に供給し
ながら浮遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を製造する
方法において、前記溶融帯域に供給されるシリコン融液
に磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製
造方法。
【請求項２】前記磁場は、前記シリコン融液に対して
水平方向に印加されることを特徴とする請求項１記載の
シリコン単結晶の製造方法。
【請求項３】前記シリコン融液はルツボ内に保持さ
れ、前記磁場は、前記ルツボからシリコン融液を溶融帯
域に供給するために該ルツボの下端部に設けられた開口
部を含む領域に形成されることを特徴とする請求項１若
しくは２記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項４】前記シリコン融液は、該シリコン融液を
保持するルツボの内壁面と非接触の状態に維持されるこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の
シリコン単結晶の製造方法。
【請求項５】前記ルツボは、前記溶融帯域に接触しな
いことを特徴とする請求項３または４記載のシリコン単
結晶の製造方法。
【請求項６】浮遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を
製造する装置であって、粒状多結晶シリコンを加熱溶融
してシリコン融液を形成し、該シリコン融液を保持する
とともに該シリコン融液を溶融帯域に供給するルツボ
と、前記溶融帯域の周囲を囲繞する高周波誘導加熱コイ
ルと、前記シリコン融液に対して水平方向に磁場を印加
できるように配置された磁極とを有することを特徴とす
るシリコン単結晶の製造装置。
【請求項７】前記磁極は、前記ルツボからシリコン融
液を溶融帯域に供給するために該ルツボの下端部に設け
られた開口部を含む領域に磁場が形成されるように配置
されたことを特徴とする請求項６記載のシリコン単結晶
の製造装置。
【請求項８】前記磁極は電磁石であり、該電磁石に接
続された電圧可変器により印加電圧を変化させて前記磁
場の大きさを制御可能に構成されることを特徴とする請
求項６若しくは７記載のシリコン単結晶の製造装置。
【請求項９】前記ルツボは、高周波電流が流れるコイ
ルにより囲繞されることを特徴とする請求項６ないし８
のいずれか１項に記載のシリコン単結晶の製造装置。
【請求項１０】前記ルツボは、前記溶融帯域に接触し
ないように配置されることを特徴とする請求項６ないし
９のいずれか１項に記載のシリコン単結晶の製造装置。