JPH11176036A - 光磁気記録媒体に印加する再生磁界の調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁区を記録層から再生層へ転写・拡大・消去
して信号を再生する磁区拡大再生に最適な交番磁界を決
定する方法を提供する。 【解決手段】 予め最短ドメイン９が記録されたキャリ
ブレーション領域８０の第１のキャリブレーション領域
８０１において記録層から再生層に磁区が転写されない
レーザビームの強度が決定され、次に、第２のキャリブ
レーション領域８０２において、第１のキャリブレーシ
ョン領域８０１において決定された強度のレーザビーム
と交番磁界とにより信号を再生した後に、レーザビーム
のみによりもう一度第２のキャリブレーション領域８０
２から再生信号を検出し、その検出した再生信号のレベ
ルが、第１のキャリブレーション領域８０１において決
定された強度のレーザビームを照射して検出される再生
信号のレベルと一致するか否かを判断する。第２のキャ
リブレーション領域８０２において交番磁界の最小値の
レベルを変えて再生信号を検出することにより磁区拡大
再生に適した交番磁界を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁区拡大により信
号を再生する光磁気記録媒体に印加する再生磁界の調整
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。また、最近では、直径１２ｃｍで記録容量
が６．１Ｇｂｙｔｅｓの光磁気記録媒体の規格化も進め
られている。

【０００３】また、光磁気記録媒体からの信号再生にお
いて交番磁界を印加し、再生層から記録層に転写された
磁区を交番磁界により拡大して信号を再生する磁区拡大
再生技術も開発されており、この技術を用いることによ
り同じ直径１２ｃｍのディスクで１４Ｇｂｙｔｅｓの信
号を記録および／または再生することができる光磁気記
録媒体も提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】磁区拡大再生技術によ
り記録層に記録された信号を再生するときは、レーザビ
ームを光磁気記録媒体に照射し、記録層の磁区を再生層
に転写した後、外部から交番磁界を印加することにより
再生層に転写された磁区を拡大する。そして信号が再生
された後は、今再生した記録層の磁区の次の磁区を再生
層に転写するために、拡大された再生層の磁区を消去し
なければならない。再生層に転写された磁区を拡大する
ためには、転写された磁区の磁化と同じ方向の磁界を印
加し、拡大された磁区を消去するためには、再生層に転
写された磁区の磁化と反対方向の磁界を印加する。この
場合、再生層に転写され、拡大された磁区を確実に消去
するためには、補償温度が室温付近にある組成の磁性膜
を再生層に使用することが必要である。

【０００５】磁性膜の補償温度は、図１２に示すように
再生層にＧｄＦｅＣｏを用いるときは、Ｇｄの含有量に
より変化する。一般的には、補償温度はＧｄの含有量と
共に高くなり、Ｇｄの含有量が３０ａｔ％で補償温度が
室温付近となる。補償温度とは、希土類金属による磁化
の大きさと遷移金属による磁化の大きさとが一致し、表
面的には磁化が生じない温度である。Ｇｄの含有量が３
０ａｔ％より少なくなり、補償温度が室温より大きく低
下すると、レーザビームの照射後、再生層の温度が室温
付近まで低下しても再生層に磁化が生じている。従っ
て、再生層に転写され、拡大された磁区は安定に存在す
るため消去を行うためには、外部から印加する交番磁界
を強くする必要がある。即ち、再生層に転写され、拡大
された磁区を消去するのに必要な磁界強度は磁性層の組
成に依存する。このため、光磁気記録媒体の各々におい
て、再生層に転写され、拡大された磁区を消去するのに
必要な磁界の大きさはそれぞれ異なる。

【０００６】そこで、本発明は、再生装置に装着された
光磁気記録媒体ごとにレーザビームと交番磁界を印加し
て記録層の磁区を再生層に転写、拡大して信号を再生
し、その後、拡大された磁区を消去するのに必要な磁界
強度を決定する再生磁界の調整方法を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
レーザビームと交番磁界とにより所定の領域を再生した
後に、所定の領域にレーザビームを照射し、残留磁区の
有無を検出して再生磁界を決定する再生磁界の調整方法
である。請求項１に記載された発明によれば、交番磁界
を印加して再生された磁区が、再生後に交番磁界により
消去されたか否かを残留磁区の有無により決定するの
で、再生後の磁区を確実に消去するのに必要な磁界を決
定できる。

【０００８】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
記載の再生磁界の調整方法において、レーザビームの強
度が磁区の転写が起こらない強度である再生磁界の調整
方法である。請求項２に記載された発明によれば、磁区
の転写が起こらない強度のレーザビームを照射して再生
磁界を決定するので、転写された磁区を磁界のみにより
消去するのに必要な磁界を決定できる。

【０００９】また、請求項３に係る発明は、請求項１に
記載された再生磁界の調整方法において、交番磁界が所
定のバイアス値を有する再生磁界の調整方法である。請
求項３に記載された発明によれば、交番磁界は所定のバ
イアス値を有するので、転写された磁区を消去するのに
必要な最低限の磁界強度を決定できる。また、請求項４
に係る発明は、磁区拡大により信号を再生する光磁気記
録媒体に印加する再生磁界の調整方法であって、レーザ
ビームをキャリブレーション領域の第１の領域に照射
し、光磁気記録媒体の記録層から再生層に磁区が転写さ
れないレーザビームの強度を決定する第１のステップ
と、強度のレーザビームと交番磁界とをキャリブレーシ
ョン領域の第２の領域に照射または印加し、再生信号を
検出する第２のステップと、第２のステップの後に、レ
ーザビームを第２の領域に照射し、残留磁区の有無を検
出する第３のステップとから成り、第２、および第３の
ステップを繰り返し、第３のステップにおいて残留磁区
を検出しない交番磁界を再生磁界と決定する再生磁界の
調整方法である。

【００１０】請求項４に記載された発明によれば、磁区
が転写されないレーザビームの強度を第１の領域で決定
した後に、第２の領域において、決定したレーザビーム
と交番磁界を照射または印加して信号を再生し、残留磁
区の有無を検出するので、迅速に再生磁界を調整でき
る。また、請求項５に係る発明は、請求項４記載の再生
磁界の調整方法において交番磁界が−２００Ｏｅ〜＋２
００Ｏｅの範囲のバイアス値を有する再生磁界の調整方
法である。

【００１１】請求項５に記載の発明によれば、−２００
Ｏｅ〜＋２００Ｏｅのバイアス値を有する交番磁界が光
磁気記録媒体に印加されるので、転写された磁区を消去
するのに最低限必要な強度の磁界を決定できる。また、
請求項６に係る発明は、請求項４記載の再生磁界の調整
方法において、第１の領域、および第２の領域には、予
め最短のドメインが記録されている再生磁界の調整方法
である。

【００１２】請求項６に記載の発明によれば、最短ドメ
インから成る磁区を消去するのに必要な強度の再生磁界
を決定できるので、その決定された強度の再生磁界を用
いれば確実に任意のドメインから成る磁区を消去でき
る。また、請求項７に係る発明は、請求項４記載の再生
磁界の調整方法において、光磁気記録媒体が、記録層
と、記録層に接して設けられた再生層とを含む場合の再
生磁界の調整方法である。

【００１３】請求項７に記載された発明によれば、再生
層は記録層に接して設けられているので、交換結合力に
より転写される光磁気記録媒体において転写された磁区
を消去するための再生磁界を調整できる。また、請求項
８に係る発明は、請求項４記載の再生磁界の調整方法に
おいて、光磁気記録媒体が、記録層と、記録層に接して
設けられた非磁性層と、非磁性層に接して設けられた再
生層とを含む場合の再生磁界の調整方法である。

【００１４】請求項８に記載された発明によれば、再生
層と記録層との間に非磁性層が設けられているので、静
磁結合により転写される光磁気記録媒体において転写さ
れた磁区を消去するための再生磁界を調整できる。ま
た、請求項９に係る発明は、請求項７または請求項８に
記載の再生磁界の調整方法において、再生層は、垂直磁
化膜である再生磁界の調整方法である。

【００１５】請求項９に記載された発明によれば、光磁
気記録媒体の再生層は予め所定の方向に磁化されている
ので、その予め磁化された方向と同じ方向の磁界を消去
磁界として決定すればよく、再生磁界の調整がよりしや
すい。また、請求項１０に係る発明は、請求項７または
請求項８に記載の再生磁界の調整方法において、再生層
は、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁
化膜となる磁性層である再生磁界の調整方法である。

【００１６】請求項１０に記載された発明によれば、光
磁気記録媒体の再生層は、室温で面内磁化膜、所定の温
度以上で垂直磁化膜となる磁性膜であるので、転写され
た磁区が消去されたことを確認しやすい。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図を参照し
つつ説明する。図１は、本発明を実施するための光磁気
記録媒体の断面構造図である。光磁気記録媒体１は、基
板２上に再生層３、非磁性層から成る中間層４、記録層
５、および保護層６を、この順序で順次形成した構造で
ある。基板２はポリカーボネート等の透光性の材料から
成り、再生層３はＧｄＦｅＣｏ等の磁性材料から成り、
中間層４はＳｉＮ等の誘電体から成り、記録層５はＴｂ
ＦｅＣｏ等の磁性材料から成り、保護層６はＳｉＮ等の
誘電体から成る。また、これらの各材料はマグネトロン
スパッタリング法により形成される。更に、再生層３に
用いられる磁性膜は垂直磁化膜であってもよく、室温で
磁化が面内を向き、所定の温度以上で垂直磁化となる膜
であってもよい。光磁気記録媒体１の記録層５に記録さ
れた信号は、基板２側から照射されたレーザビームによ
り記録層５の磁区が中間層４を介して静磁結合により再
生層３に転写され、保護層６側から印加された交番磁界
により再生層３に転写された磁区を拡大し、その後、レ
ーザビームにより信号を再生する。信号を再生した後
は、拡大した磁区を交番磁界により消去し、次の信号を
再生する。即ち、光磁気記録媒体１は、磁区拡大再生技
術により信号を再生する光磁気記録媒体である。

【００１８】図２は、光磁気記録媒体１の平面図であ
る。光磁気記録媒体１は、ランドとグルーブとから成る
スパイラル状のトラック６７を配して成り、ＴＯＣ（Ｔ
ａｂｌｅ Ｏｆ Ｃｏｎｔｅｎｔｓ）情報を記録したＴ
ＯＣ領域７と信号を記録するデータ領域８とを備え、Ｔ
ＯＣ領域７は光磁気記録媒体１の外周部に設けられてい
る。また、光磁気記録媒体１には、上記説明したように
記録層５から再生層３に転写された磁区を拡大して信号
を再生し、信号再生後は拡大した磁区を消去するため
に、外部から交番磁界が印加される。従って、データ領
域８に記録された信号を次々と正確に再生するために
は、再生時に印加される交番磁界から成る再生磁界の強
度を決定する必要がある。そのため、データ領域８には
再生磁界の強度を決定するためのキャリブレーション領
域８０が設けられている。光磁気記録媒体１において
は、照射されたレーザビームはトラック６７を外周から
内周に向けて移動するため、光磁気記録媒体１を再生す
るときは、レーザビームを照射してＴＯＣ領域７のＴＯ
Ｃ情報を再生した後、データ領域８のキャリブレーショ
ン領域８０において再生磁界の強度を決定し、その後、
データ領域８に記録された信号を再生する。また、デー
タ領域８の平面構造としては、例えば、光磁気記録媒体
１の径方向に対しゾーンに分割され、各ゾーンは周方向
に対しセクターに分割された構造のものが考えられる。

【００１９】図３を参照して、キャリブレーション領域
８０の詳細について説明する。キャリブレーション８０
は、第１のキャリブレーション領域８０１と第２のキャ
リブレーション領域８０２とから成り、第１のキャリブ
レーション領域８０１と第２のキャリブレーション領域
８０２とには、最短ドメイン９、９、・・・により予め
信号が所定の間隔で記録されている。キャリブレーショ
ン領域８０に予め記録されるドメインを最短ドメイン
９、９、・・・にしたのは、ドメインが小さいほど再生
層に転写された磁区を消去しにくく、最も消去しにくい
大きさの磁区を消去できる交番磁界を決定しておけば、
他の大きさの磁区を消去するのは容易だからである。第
１のキャリブレーション領域８０１においては、記録層
５に記録された信号が再生層３に転写されないレーザビ
ームの強度が決定され、第２のキャリブレーション領域
８０２においては、第１のキャリブレーション領域８０
１で決定された強度のレーザビームを照射した状態で光
磁気記録媒体１に印加する交番磁界の強度が決定され
る。第１のキャリブレーション領域８０１において、記
録層５から再生層３に磁区の転写が起こらないレーザビ
ームの強度が決定されるのは、かかる強度のレーザビー
ムを照射した状態で交番磁界を印加することにより、記
録層５から再生層３に磁区が転写されるとともに磁区拡
大も起こり、磁区の転写・拡大がスムーズに進行し、引
いては信号の再生速度が早くなるからである。

【００２０】図４、５を参照して、第１のキャリブレー
ション領域８０１における記録層５から再生層３に磁区
が転写されないレーザビームの強度の決定について説明
する。図４を参照して、記録層５に記録された磁区が再
生層３に転写されない強度のレーザビームとは、いかな
る概念かを説明する。記録層５の磁区５０を再生するた
めにレーザビーム４０を照射し、光磁気記録媒体１の温
度を昇温させると、温度上昇とともに磁区５０からの漏
洩磁界５２が強くなり、且つ再生層３の保磁力が低下す
る。この漏洩磁界５２の強度が再生層３の保磁力より強
くなると中間層４を介して静磁結合により再生層３に磁
区５０の磁化５１と同じ方向の磁化３１を有する磁区３
０が転写される。従って、第１のキャリブレーション領
域８０１においては、再生しようとしている磁区５０か
らの漏洩磁界５２が再生層３の保磁力より強くならない
温度に光磁気記録媒体１の温度を昇温させるレーザビー
ムの強度を決定することになる。具体的には、第１のキ
ャリブレーション領域８０１に強度を変えながらレーザ
ビームを照射し、予め記録された最短ドメイン９、９、
・・・を再生する。この場合、図５に示すように各種の
信号が検出される。即ち、反転磁区が全く検出されない
信号５３、微小強度の信号５４、大きな強度の信号５５
が検出される。このうち、本発明においては、反転磁区
が全く検出されない信号５３を検出したときのレーザビ
ームの強度を、再生時に光磁気記録媒体１に照射するレ
ーザビームの強度として決定する。反転磁区が全く検出
されないということは再生層３に磁区が転写されていな
いことを示すからである。また、反転磁区が全く検出さ
れないときの再生信号のレベルＬ０も検出し、図示省略
した再生装置のＲＯＭに記憶しておく。この意義につい
ては後述する。

【００２１】第１のキャリブレーション領域８０１にお
いて記録層５から再生層３に磁区が転写されないレーザ
ビームの強度が決定された後、第２のキャリブレーショ
ン領域８０２において再生磁界の強度が決定される。こ
の場合、第２のキャリブレーション領域８０２に照射さ
れるレーザビームは、第１のキャリブレーション領域８
０１において決定された強度のレーザビームである。第
２のキャリブレーション領域８０２においては、レーザ
ビームを照射しながら、図６に示すように消去側レベル
６１が各種異なる交番磁界６０が印加される。即ち、消
去側レベル６１が第１のレベル６３にある交番磁界、第
２のレベル６４にある交番磁界、第３のレベル６５にあ
る交番磁界、第４のレベル６６にある交番磁界が印加さ
れる。交番磁界６０の転写・拡大側レベル６２と消去側
レベル６１の各レベルは同符号の磁界となる場合と逆符
号の磁界となる場合とが考えられる。交番磁界というと
一般的には磁界の符号、即ち向きが交互に変化する磁界
を言うが、本発明においては、必ずしもこれに限られる
ものではなく、向きは同じであるが、強度が大小に変化
する磁界も交番磁界というものとする。本発明において
は、第１、第２、第３、および第４のレベル６３、６
４、６５、６６として０Ｏｅ、−１００Ｏｅ、−２００
Ｏｅ、−３００Ｏｅを設定するものとする。第２のキャ
リブレーション領域８０２に第１のキャリブレーション
領域８０１で決定されたレーザビームを照射するととも
に、第１、第２、第３、および第４のレベル６３、６
４、６５、６６の消去側レベルを有する交番磁界６０を
印加して再生信号を検出する。この場合、第２のキャリ
ブレーション領域８０２を通過するまでに第１、第２、
第３、および第４のレベル６３、６４、６５、６６の消
去側レベルを有する交番磁界を印加するのではなく、１
つのレベル、例えば、第１のレベル６３の最小値を有す
る交番磁界６０を印加して第２のキャリブレーション領
域８０２に記録されたドメイン９、９、・・・を再生す
る。その後、トラック６を一周して再びキャリブレーシ
ョン領域８０の第２のキャリブレーション領域８０２に
到達したときは、交番磁界６０は印加せずにレーザビー
ムのみを照射して第２のキャリブレーション領域８０２
からの信号を検出する。この場合に照射されるレーザビ
ームも記録層５から再生層３に磁区が転写されない強度
のレーザビームである。本発明においては、レーザビー
ムを照射するとともに、交番磁界６０を印加して第２の
キャリブレーション領域８０２から信号を再生した後、
再び第２のキャリブレーション領域８０２からレーザビ
ームのみを照射して検出した信号のレベルが、記録層５
から再生層３に磁区が転写されない強度のレーザビーム
を照射したときに検出される信号のレベルＬ０と同じに
なるか否かにより最適な交番磁界を決定する。磁区拡大
再生技術は、レーザビームと交番磁界とにより記録層５
から再生層３に磁区を転写・拡大して信号を再生し、そ
の後、転写・拡大した磁区を消去する過程を繰り返して
記録層５に記録された信号を順次再生するものであるか
ら、再生層３に転写・拡大された磁区が十分に消去され
る強度の磁界を再生磁界の消去側レベルとして決定する
必要がある。従って、一度、転写・拡大・消去過程を経
た後にレーザビームのみによりもう一度同じ領域を再生
すれば、転写・拡大された磁区が十分に消去されたか否
かがわかる。即ち、磁区が十分に消去されていないとい
うことは、再生層３に磁区が残っていることになるの
で、レーザビームのみを照射したときにも再生信号とし
て磁区が検出されるはずである。そこで、本発明におい
ては、転写・拡大された磁区が再生層３に残っていない
ことを、レーザビームのみを照射して得られる信号が、
磁区が存在しないことを示す信号、即ち、図５の信号５
３と同じ信号を検出したときの交番磁界を再生磁界とし
て決定するものである。

【００２２】交番磁界６０の消去側レベル６１が第１の
レベル６３にあるとき、即ち、交番磁界６０の転写・拡
大側レベル６２と消去側レベル６１との差が最小のとき
には、図７に示す再生信号が得られる。再生信号には、
極大となる点７０と極小になる点７１とが交互に現れる
が、これは交番磁界６０が転写・拡大側レベル６２と消
去側レベル６１とを有していることに対応している。即
ち、交番磁界６０が転写・拡大側レベル６２になったと
きは再生層３に転写された磁区が拡大されるので、検出
される再生信号強度が最大となり、交番磁界６０が消去
側レベル６１になったときは、磁界は転写・拡大された
磁区が消去される方向に作用するわけであるから再生信
号強度は小さくなる。従って図７に示すような再生信号
が得られる。

【００２３】レーザビームと第１のレベル６３を有する
交番磁界とにより信号を再生した後に、再び同じ位置を
レーザビームのみにより再生したときは図８に示す再生
信号が得られる。即ち、周期的にドメインの存在を示す
ピーク８０が現れる。これは、再生時に印加される交番
磁界の消去側レベル６１が第１のレベル６３にあるた
め、再生層３に転写・拡大された磁区が十分に消去され
ないためである。

【００２４】次に、交番磁界６０の消去側レベル６１が
第２のレベル６４にある交番磁界とレーザビームとによ
り第２のキャリブレーション領域８０２の信号を再生す
ると図９の（ａ）に示す再生信号が得られる。この場
合、再生信号が周期的に変化するのは図７で説明したの
と同じ理由によるものである。図９における再生信号強
度が極大の点９０は、図７における再生信号が極大の点
７０と同じレベルであるが、図９における再生信号が極
小の点９１は、図７における再生信号が極小の点７１よ
り低いレベルである。これは、印加される交番磁界の消
去側レベル６１が図７の再生信号を得るのに印加された
交番磁界の消去側レベル６１である第１のレベル６３よ
り低い第２のレベル６４にあるからである。

【００２５】レーザビームと第２のレベル６４を有する
交番磁界とにより信号を再生した後に、再び同じ位置を
レーザビームのみにより再生したとき、図９の（ｂ）に
示す再生信号が得られる。この場合も、ドメインの存在
を示す周期的なピーク９２が検出される。但し、ピーク
９２は、図８のピーク８０よりは低くなっている。これ
は、交番磁界の消去側レベル６１が第１のレベル６３か
ら第２のレベル６４へと変化し、再生層３に転写・拡大
された磁区の消去が進んだためである。

【００２６】更に、交番磁界６０の消去側レベル６１が
第３のレベル６５にある交番磁界とレーザビームとによ
り第２のキャリブレーション領域８０２の信号を再生し
たときは図１０の（ａ）に示す信号が得られる。再生信
号が周期的に変化するのは上記説明した理由と同じであ
る。この場合、検出される再生信号の極大値１００は図
７、図９の（ａ）に示す再生信号において検出される極
大値７０、９０と同じレベルであるが、検出される再生
信号の極小値１０１は、図９の（ａ）に示す再生信号に
おいて検出される極小値９１より低いレベルである。

【００２７】レーザビームと第３のレベル６５を有する
交番磁界とにより信号を再生した後に、再び同じ位置を
レーザビームのみにより再生したとき、図１０の（ｂ）
に示す再生信号が得られる。この場合も、ドメインの存
在を示す周期的なピーク１０２が検出されるが、そのレ
ベルは図９の（ｂ）のピーク９２より更に低くなってい
る。これは、交番磁界の消去側レベル６１が第２のレベ
ル６４から第３のレベル６５へと変化し、再生層３に転
写・拡大された磁区の消去が更に進んだためである。

【００２８】また、更に、交番磁界６０の消去側レベル
６１のレベルが第４のレベル６６にある交番磁界とレー
ザビームとにより第２のキャリブレーション領域８０２
の信号を再生したときは図１１の（ａ）に示す再生信号
が検出される。この場合も再生信号が周期的に変化した
再生信号が検出され、再生信号の極大値１１０は上記図
７、図９の（ａ）、図１０の（ａ）において検出された
レベルと同じである。しかし、再生信号の極小値１１１
は図１０の（ａ）に示す再生信号において検出される極
小値１０１より低いレベルである。

【００２９】レーザビームと第４のレベル６６を有する
交番磁界とにより信号を再生した後に、再び同じ位置を
レーザビームのみにより再生したとき、図１１の（ｂ）
に示す信号が検出される。この場合、ドメインの存在を
示す波形は観測されず、再生層３に転写・拡大された磁
区が完全に消去されたことを示す。また、図１１の
（ｂ）の再生信号のレベルＬ１を検出し、記録層５の磁
区を再生層３に転写しない強度のレーザビームを第１の
キャリブレーション領域８０１に照射して検出されるレ
ベルＬ０をＲＯＭから呼び出し、Ｌ１とＬ０とが一致す
ることを確認する。消去側レベル６１が第４のレベル６
６にある交番磁界を印加して信号を再生した後に、レー
ザビームのみにより検出した再生信号のレベルＬ１が、
記録層５から再生層３への転写が起こらない強度のレー
ザビームを照射して検出される再生信号のレベルＬ０と
一致するということは、再生層３に磁区が存在しないこ
とを示すわけだから、最小値６１が第４のレベル６６を
有する交番磁界が再生磁界として適していることにな
る。

【００３０】上記、図７、８、９、１０、および１１に
おいて説明した過程を経て磁区拡大再生に適した交番磁
界が決定される。また、上記説明においては、交番磁界
の最小値６１のレベルが４つの場合について説明した
が、これに限るものではない。本発明においては、交番
磁界の消去側レベル６１は−３００〜０Ｏｅの範囲で変
化させて最適な交番磁界を決定する。

【００３１】更に、上記説明においては、記録層５から
再生層３への磁区の転写が静磁結合により転写される場
合について説明したが、これに限るものではなく、交換
結合により転写される光磁気記録媒体にも適用できる。
また、更に、上記説明においては、キャリブレーション
領域８０は１つとして説明したが、これに限るものでは
なく、例えば、ゾーンごと、セクターごとに設けても良
く、その設定は任意である。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、光磁気記録媒体の記録
層から再生層に転写・拡大された磁区を消去するのに十
分な磁界を実際に再生信号を検出して決定するので、再
生層の磁区を消去するのに必要最小限の交番磁界が決定
され、余分な交番磁界が光磁気記録媒体に印加されるこ
とはない。その結果、消費電力の少ない再生装置が実現
される。

【００３３】また、本発明によれば、再生装置に装着さ
れた光磁気記録媒体ごとに、磁区拡大再生に適した交番
磁界が決定されるので、光磁気記録媒体間で磁性膜の組
成にばらつきがあっても、確実に再生層に転写・拡大さ
れた磁区を消去することができる。また、本発明によれ
ば、再生層に転写・拡大された磁区が消去されたか否か
は、一旦、レーザビームと再生磁界とにより信号を再生
した後に、記録層から再生層に転写が起こらない強度の
レーザビームを照射して検出した再生信号のレベルが、
再生層に磁区が存在しないときに検出される再生信号の
レベルと一致することを確認して決定するので、再生層
に転写・拡大された磁区を消去するのに必要な磁界を正
確に決定できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光磁気記録媒体の断面構造図である。

【図２】光磁気記録媒体の平面図である。

【図３】キャリブレーション領域の平面図である。

【図４】記録層から再生層への転写を説明するための図
である。

【図５】第１のキャリブレーション領域にパワーを変え
てレーザビームを照射したときに検出される信号を示す
図である。

【図６】第２のキャリブレーション領域に印加される交
番磁界を示す図である。

【図７】交番磁界の消去側レベルが第１のレベルを有す
る交番磁界とレーザビームとにより検出される再生信号
を示す図である。

【図８】交番磁界の消去側が第１のレベルを有する交番
磁界とレーザビームとにより信号を再生した後に、レー
ザビームのみにより検出される再生信号を示す図であ
る。

【図９】交番磁界の消去側レベルが第２のレベルを有す
る交番磁界とレーザビームとにより検出される再生信号
を示す図（ａ）と交番磁界の消去側レベルが第２のレベ
ルを有する交番磁界とレーザビームとにより信号を再生
した後に、レーザビームのみにより検出される再生信号
を示す図（ｂ）である。

【図１０】交番磁界の消去側レベルが第３のレベルを有
する交番磁界とレーザビームとにより検出される再生信
号を示す図（ａ）と交番磁界の消去側レベルが第３のレ
ベルを有する交番磁界とレーザビームとにより信号を再
生した後に、レーザビームのみにより検出される再生信
号を示す図（ｂ）である。

【図１１】交番磁界の消去側レベルが第４のレベルを有
する交番磁界とレーザビームとにより検出される再生信
号を示す図（ａ）と交番磁界の消去側レベルが第４のレ
ベルを有する交番磁界とレーザビームとにより信号を再
生した後に、レーザビームのみにより検出される再生信
号を示す図（ｂ）である。

【図１２】Ｇｄの含有量に対する補償温度の変化を示す
図である。

【符号の説明】 １・・・光磁気記録媒体 ２・・・基板 ３・・・再生層 ４・・・中間層 ５・・・記録層 ６・・・保護層 ７・・・ＴＯＣ領域 ８・・・データ領域 ９・・・ドメイン ３０、５０・・・磁区 ３１、５１・・・磁化 ４０・・・レーザビーム ５２・・・漏洩磁界 ６０・・・交番磁界 ６１・・・消去側レベル ６２・・・転写・拡大側レベル ６３・・・第１のレベル ６４・・・第２のレベル ６５・・・第３のレベル ６７・・・第４のレベル ６６・・・トラック ８０・・・キャリブレーション領域 ８０１・・・第１のキャリブレーション領域 ８０２・・・第２のキャリブレーション領域

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザビームと交番磁界とにより所定の
   領域を再生した後に、前記所定の領域にレーザビームを
   照射し、残留磁区の有無を検出して再生磁界を決定す
   る、再生磁界の調整方法。
2. 【請求項２】 前記レーザビームの強度は、磁区の転写
   が起こらない強度である、請求項１記載の再生磁界の調
   整方法。
3. 【請求項３】 前記交番磁界は、所定のバイアス値を有
   する、請求項１記載の再生磁界の調整方法。
4. 【請求項４】 磁区拡大により信号を再生する光磁気記
   録媒体に印加する再生磁界の調整方法であって、 レーザビームをキャリブレーション領域の第１の領域に
   照射し、前記光磁気記録媒体の記録層から再生層に磁区
   が転写されないレーザビームの強度を決定する第１のス
   テップと、 前記強度のレーザビームと交番磁界とを前記キャリブレ
   ーション領域の第２の領域に照射または印加し、再生信
   号を検出する第２のステップと、 前記第２のステップの後に、前記レーザビームを前記第
   ２の領域に照射し、残留磁区の有無を検出する第３のス
   テップとから成り、 前記第２、および第３のステップを繰り返し、前記第３
   のステップにおいて残留磁区を検出しない交番磁界を再
   生磁界と決定する、再生磁界の調整方法。
5. 【請求項５】 前記交番磁界は、−２００Ｏｅ〜＋２０
   ０Ｏｅの範囲のバイアス値を有する、請求項４記載の再
   生磁界の調整方法。
6. 【請求項６】 前記第１の領域、および前記第２の領域
   には、予め最短のドメインが記録されている、請求項４
   に記載の再生磁界の調整方法。
7. 【請求項７】 前記光磁気記録媒体は、記録層と、前記
   記録層に接して設けられた再生層とを含む、請求項４記
   載の再生磁界の調整方法。
8. 【請求項８】 前記光磁気記録媒体は、記録層と、前記
   記録層に接して設けられた非磁性層と、前記非磁性層に
   接して設けられた再生層とを含む、請求項４記載の再生
   磁界の調整方法。
9. 【請求項９】 前記再生層は、垂直磁化膜である、請求
   項７または請求項８に記載の再生磁界の調整方法。
10. 【請求項１０】 前記再生層は、室温で面内磁化膜であ
    り、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である、
    請求項７または請求項８に記載の再生磁界の調整方法。