JPH1116772A - 容量調整型コンデンサ - Google Patents
容量調整型コンデンサInfo
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- JPH1116772A JPH1116772A JP18787797A JP18787797A JPH1116772A JP H1116772 A JPH1116772 A JP H1116772A JP 18787797 A JP18787797 A JP 18787797A JP 18787797 A JP18787797 A JP 18787797A JP H1116772 A JPH1116772 A JP H1116772A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容量形成用の電極間のマイグレーションを防
止する。 【解決手段】 容量形成に寄与するとともに、その一部
を除去することにより容量の調整を行うことができるよ
うに構成されたトリミング電極１０を有するトリマブル
コンデンサ２と、トリマブルコンデンサ２より高い絶縁
抵抗を有する固定コンデンサ３とを直列に接続する。固
定コンデンサ３の絶縁抵抗をトリマブルコンデンサ２の
絶縁抵抗の１０倍以上とする。
止する。 【解決手段】 容量形成に寄与するとともに、その一部
を除去することにより容量の調整を行うことができるよ
うに構成されたトリミング電極１０を有するトリマブル
コンデンサ２と、トリマブルコンデンサ２より高い絶縁
抵抗を有する固定コンデンサ３とを直列に接続する。固
定コンデンサ３の絶縁抵抗をトリマブルコンデンサ２の
絶縁抵抗の１０倍以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、容量調整型コンデ
ンサに関し、詳しくは、トリミング電極を部分的に除去
することにより容量（静電容量）の調整を行う容量調整
型コンデンサに関する。
ンサに関し、詳しくは、トリミング電極を部分的に除去
することにより容量（静電容量）の調整を行う容量調整
型コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
容量調整型コンデンサの一つに、例えば、図４に示すよ
うなトリマブルコンデンサがある。このトリマブルコン
デンサ３１は、容量形成用の内部電極３２とトリミング
電極３３の間にセラミック層（誘電体層）３４が配設さ
れた構成を有しており、形成される容量（静電容量値）
は内部電極３２とトリミング電極３３の対向面積に比例
する。
容量調整型コンデンサの一つに、例えば、図４に示すよ
うなトリマブルコンデンサがある。このトリマブルコン
デンサ３１は、容量形成用の内部電極３２とトリミング
電極３３の間にセラミック層（誘電体層）３４が配設さ
れた構成を有しており、形成される容量（静電容量値）
は内部電極３２とトリミング電極３３の対向面積に比例
する。
【０００３】このトリマブルコンデンサ３１において
は、例えば、トリマブルコンデンサ３１を回路基板（プ
リント基板）に実装した後、図５に示すように、トリミ
ング電極３３の一部３３ａをレーザやリュータで切削除
去することにより、内部電極３２とトリミング電極３３
の対向面積を変化させる（小さくする）ことにより容量
の調整が行われる。
は、例えば、トリマブルコンデンサ３１を回路基板（プ
リント基板）に実装した後、図５に示すように、トリミ
ング電極３３の一部３３ａをレーザやリュータで切削除
去することにより、内部電極３２とトリミング電極３３
の対向面積を変化させる（小さくする）ことにより容量
の調整が行われる。
【０００４】しかし、従来のトリマブルコンデンサは容
量形成用の電極の間でマイグレーションが起こりやすい
という問題がある。マイグレーションが起こるとコンデ
ンサの絶縁性が低下し、回路故障を招くという問題点が
ある。
量形成用の電極の間でマイグレーションが起こりやすい
という問題がある。マイグレーションが起こるとコンデ
ンサの絶縁性が低下し、回路故障を招くという問題点が
ある。
【０００５】一般に、コンデンサは高湿度下で高い直流
電圧が印加されると容量形成用の電極どうしの間でマイ
グレーションが発生しやすくなる傾向があるが、トリマ
ブルコンデンサはトリミング電極が露出電極であって湿
度の影響を受けやすく、また、回路基板ではバリキャッ
プ（ダイオード回路）と共に使用されることが多く、実
働時に数十ボルトの直流電圧がかかることから、電極間
でマイグレーションが発生しやすくなる。
電圧が印加されると容量形成用の電極どうしの間でマイ
グレーションが発生しやすくなる傾向があるが、トリマ
ブルコンデンサはトリミング電極が露出電極であって湿
度の影響を受けやすく、また、回路基板ではバリキャッ
プ（ダイオード回路）と共に使用されることが多く、実
働時に数十ボルトの直流電圧がかかることから、電極間
でマイグレーションが発生しやすくなる。
【０００６】このような問題点を解消する方法として、
電極をマイグレーションの起こりにくい金属で形成する
ことが考えられるが、製造工程上の理由などによりマイ
グレーションの発生しにくい金属を自由に選択すること
は必ずしも容易ではない。そのため、通常は、電極間距
離を長くするか、トリミング電極を部分的に除去した後
に耐湿コーティングを施すというというような方法がと
られている。しかし、電極間距離を長くしようとすると
製品の大型化を招くという問題点があり、また耐湿コー
ティングを施すためには、回路基板に実装し、容量調整
を行った後で、コーティングを行うことが必要になるた
め、生産効率の低下を招くという問題点がある。
電極をマイグレーションの起こりにくい金属で形成する
ことが考えられるが、製造工程上の理由などによりマイ
グレーションの発生しにくい金属を自由に選択すること
は必ずしも容易ではない。そのため、通常は、電極間距
離を長くするか、トリミング電極を部分的に除去した後
に耐湿コーティングを施すというというような方法がと
られている。しかし、電極間距離を長くしようとすると
製品の大型化を招くという問題点があり、また耐湿コー
ティングを施すためには、回路基板に実装し、容量調整
を行った後で、コーティングを行うことが必要になるた
め、生産効率の低下を招くという問題点がある。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、電極形成金属の選択、電極間距離の拡大、耐湿コー
ティング処理などを必要とすることなく、容量形成用の
電極間のマイグレーションを防止することが可能で、信
頼性の高い容量調整型コンデンサを提供することを目的
とする。
り、電極形成金属の選択、電極間距離の拡大、耐湿コー
ティング処理などを必要とすることなく、容量形成用の
電極間のマイグレーションを防止することが可能で、信
頼性の高い容量調整型コンデンサを提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の容量調整型コンデンサは、容量形成に寄与
するとともに、その一部を除去することにより容量の調
整を行うことができるように構成されたトリミング電極
を有するトリマブルコンデンサと、トリマブルコンデン
サと直列に接続され、トリマブルコンデンサより高い絶
縁抵抗を有する固定コンデンサとを具備することを特徴
としている。
め、本発明の容量調整型コンデンサは、容量形成に寄与
するとともに、その一部を除去することにより容量の調
整を行うことができるように構成されたトリミング電極
を有するトリマブルコンデンサと、トリマブルコンデン
サと直列に接続され、トリマブルコンデンサより高い絶
縁抵抗を有する固定コンデンサとを具備することを特徴
としている。
【０００９】また、固定コンデンサの絶縁抵抗がトリマ
ブルコンデンサの１０倍以上であることを特徴としてい
る。
ブルコンデンサの１０倍以上であることを特徴としてい
る。
【００１０】また、固定コンデンサの容量が、トリマブ
ルコンデンサの未調整時容量の１／３以上であることを
特徴としている。
ルコンデンサの未調整時容量の１／３以上であることを
特徴としている。
【００１１】トリマブルコンデンサと固定コンデンサ
が、同一素子内に平面的に重なるような態様で配設され
ていることを特徴としている。
が、同一素子内に平面的に重なるような態様で配設され
ていることを特徴としている。
【００１２】また、トリマブルコンデンサ及び固定コン
デンサがセラミックコンデンサであり、固定コンデンサ
がセラミック層を介して互いに対向するように容量形成
用の内部電極を配設することにより形成され、トリマブ
ルコンデンサが、固定コンデンサの内部電極の一方を容
量形成に寄与する非トリミング電極とするとともに、非
トリミング電極とセラミック層を介して対向するように
配設された電極をトリミング電極とするものであること
を特徴としている。
デンサがセラミックコンデンサであり、固定コンデンサ
がセラミック層を介して互いに対向するように容量形成
用の内部電極を配設することにより形成され、トリマブ
ルコンデンサが、固定コンデンサの内部電極の一方を容
量形成に寄与する非トリミング電極とするとともに、非
トリミング電極とセラミック層を介して対向するように
配設された電極をトリミング電極とするものであること
を特徴としている。
【００１３】さらに、トリマブルコンデンサ及び固定コ
ンデンサの各容量形成用電極が、全て同一素子内に配設
されていることを特徴としている。
ンデンサの各容量形成用電極が、全て同一素子内に配設
されていることを特徴としている。
【００１４】
【作用】図１の等価回路図に示すように、本発明の容量
調整型コンデンサ１では、トリマブルコンデンサ２と固
定コンデンサ３が直列接続されており、容量調整型コン
デンサ１の両端に直流電圧ＶＤが印加された場合、トリ
マブルコンデンサ２の（直流）絶縁抵抗Ｒ１と固定コン
デンサ３の（直流）絶縁抵抗Ｒ２とで直流電圧ＶＤが分
圧され、トリマブルコンデンサ２の両端にかかる直流電
圧ＶＤ１は直流電圧ＶＤより低くなるので、マイグレー
ションが従来に比べて起こりにくくなる。なお、トリマ
ブルコンデンサ２の両端にかかる直流電圧ＶＤ１は、Ｖ
Ｄ１＝ＶＤ×〔Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）〕となる。このよ
うに、本発明のコンデンサの場合、トリマブルコンデン
サ２にかかる直流電圧ＶＤ１を低く抑えることで、電極
形成金属の選択、電極間距離の拡大、耐湿コーティング
処理などを必要とすることなく、電極のマイグレーショ
ンを防止することが可能になる。
調整型コンデンサ１では、トリマブルコンデンサ２と固
定コンデンサ３が直列接続されており、容量調整型コン
デンサ１の両端に直流電圧ＶＤが印加された場合、トリ
マブルコンデンサ２の（直流）絶縁抵抗Ｒ１と固定コン
デンサ３の（直流）絶縁抵抗Ｒ２とで直流電圧ＶＤが分
圧され、トリマブルコンデンサ２の両端にかかる直流電
圧ＶＤ１は直流電圧ＶＤより低くなるので、マイグレー
ションが従来に比べて起こりにくくなる。なお、トリマ
ブルコンデンサ２の両端にかかる直流電圧ＶＤ１は、Ｖ
Ｄ１＝ＶＤ×〔Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）〕となる。このよ
うに、本発明のコンデンサの場合、トリマブルコンデン
サ２にかかる直流電圧ＶＤ１を低く抑えることで、電極
形成金属の選択、電極間距離の拡大、耐湿コーティング
処理などを必要とすることなく、電極のマイグレーショ
ンを防止することが可能になる。
【００１５】また、本発明の容量調整型コンデンサ１の
全体の（静電）容量Ｃは、トリマブルコンデンサ２の容
量Ｃ１と固定コンデンサ３の容量Ｃ２の直列合成容量と
なる。なお、全体の（静電）容量Ｃは、Ｃ＝（Ｃ１・Ｃ
２）／（Ｃ１＋Ｃ２）となる。そして、トリマブルコン
デンサ２のトリミング電極の一部を除去して容量Ｃ２を
変えることにより、容量調整型コンデンサ１の容量Ｃの
調整が行われる。
全体の（静電）容量Ｃは、トリマブルコンデンサ２の容
量Ｃ１と固定コンデンサ３の容量Ｃ２の直列合成容量と
なる。なお、全体の（静電）容量Ｃは、Ｃ＝（Ｃ１・Ｃ
２）／（Ｃ１＋Ｃ２）となる。そして、トリマブルコン
デンサ２のトリミング電極の一部を除去して容量Ｃ２を
変えることにより、容量調整型コンデンサ１の容量Ｃの
調整が行われる。
【００１６】また、固定コンデンサ３の絶縁抵抗をトリ
マブルコンデンサ２の１０倍以上とした場合、ＶＤ１≦
ＶＤ／１１となり、トリマブルコンデンサ２の印加電圧
が十分低く抑えられるので、マイグレーションは極めて
起こりにくくなる。
マブルコンデンサ２の１０倍以上とした場合、ＶＤ１≦
ＶＤ／１１となり、トリマブルコンデンサ２の印加電圧
が十分低く抑えられるので、マイグレーションは極めて
起こりにくくなる。
【００１７】また、固定コンデンサ３の容量Ｃ２をトリ
マブルコンデンサ２の未調整時の容量Ｃ１の１／３以上
とした場合、トリマブルコンデンサ２の容量Ｃ１の変化
に伴い、容量調整型コンデンサ１の容量Ｃに十分な変化
が起こるため、容量Ｃの調整が効果的に行われる。
マブルコンデンサ２の未調整時の容量Ｃ１の１／３以上
とした場合、トリマブルコンデンサ２の容量Ｃ１の変化
に伴い、容量調整型コンデンサ１の容量Ｃに十分な変化
が起こるため、容量Ｃの調整が効果的に行われる。
【００１８】なお、固定コンデンサ３の容量がトリマブ
ルコンデンサの未調整時容量の１／３未満の場合、容量
調整型コンデンサ１の容量Ｃに対して固定コンデンサ３
の容量Ｃ２が支配的となり、トリマブルコンデンサ２の
容量Ｃ１が変化しても、容量調整型コンデンサ１の容量
Ｃの変化量が少なく、容量調整を効率よく行うことがで
きなくなるため好ましくない。
ルコンデンサの未調整時容量の１／３未満の場合、容量
調整型コンデンサ１の容量Ｃに対して固定コンデンサ３
の容量Ｃ２が支配的となり、トリマブルコンデンサ２の
容量Ｃ１が変化しても、容量調整型コンデンサ１の容量
Ｃの変化量が少なく、容量調整を効率よく行うことがで
きなくなるため好ましくない。
【００１９】また、トリマブルコンデンサ２と固定コン
デンサ３を同一チップ内に平面的に重なるような態様で
配設するようにした場合、素子の平面面積を小さくし
て、製品の小型化を図ることができる。
デンサ３を同一チップ内に平面的に重なるような態様で
配設するようにした場合、素子の平面面積を小さくし
て、製品の小型化を図ることができる。
【００２０】また、トリマブルコンデンサ２及び固定コ
ンデンサ３がセラミックコンデンサであり、固定コンデ
ンサ３がセラミック層を介して互いに対向するように容
量形成用の内部電極を配設することにより形成され、ト
リマブルコンデンサ２が、固定コンデンサ３の内部電極
の一方を容量形成に寄与する非トリミング電極とすると
ともに、非トリミング電極とセラミック層を介して対向
するように配設された電極をトリミング電極とする構成
の場合、容量調整型コンデンサ１にセラミックコンデン
サの優れた特性が備わるとともに、トリマブルコンデン
サ２と固定コンデンサ３の接続側の内部電極を共用する
ことが可能になり、トリマブルコンデンサ２と固定コン
デンサ３を接続する配線が不要になるため、構造を簡略
化してコストの低減を図ることができる。
ンデンサ３がセラミックコンデンサであり、固定コンデ
ンサ３がセラミック層を介して互いに対向するように容
量形成用の内部電極を配設することにより形成され、ト
リマブルコンデンサ２が、固定コンデンサ３の内部電極
の一方を容量形成に寄与する非トリミング電極とすると
ともに、非トリミング電極とセラミック層を介して対向
するように配設された電極をトリミング電極とする構成
の場合、容量調整型コンデンサ１にセラミックコンデン
サの優れた特性が備わるとともに、トリマブルコンデン
サ２と固定コンデンサ３の接続側の内部電極を共用する
ことが可能になり、トリマブルコンデンサ２と固定コン
デンサ３を接続する配線が不要になるため、構造を簡略
化してコストの低減を図ることができる。
【００２１】さらに、トリマブルコンデンサ及び固定コ
ンデンサの各容量形成用電極を全て同一素子内に配設し
た場合、より小型化を図ることが可能になるとともに、
マイグレーションを抑制しやすくなり、有利である。
ンデンサの各容量形成用電極を全て同一素子内に配設し
た場合、より小型化を図ることが可能になるとともに、
マイグレーションを抑制しやすくなり、有利である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示し
てその特徴とするところを図面を参照しながら、さらに
詳しく説明する。なお、図１はこの実施形態の容量調整
型コンデンサの等価回路図、図２はこの実施形態の容量
調整型コンデンサの容量調整前の状態を示す断面図、図
３は容量調整後の状態を示す断面図である。
てその特徴とするところを図面を参照しながら、さらに
詳しく説明する。なお、図１はこの実施形態の容量調整
型コンデンサの等価回路図、図２はこの実施形態の容量
調整型コンデンサの容量調整前の状態を示す断面図、図
３は容量調整後の状態を示す断面図である。
【００２３】この容量調整型コンデンサ１においては、
図１に示すように、トリマブルコンデンサ２に固定コン
デンサ３が直列に接続されている。トリマブルコンデン
サ２及び固定コンデンサ３はセラミックコンデンサであ
り、図２に示すように、同一の素子（セラミックチッ
プ）４に平面的に重なるような態様で配設されている。
すなわち、この素子４においては、セラミック絶縁基材
層５の上に固定コンデンサ３が形成されているととも
に、固定コンデンサ３の上にトリマブルコンデンサ２が
形成されている。
図１に示すように、トリマブルコンデンサ２に固定コン
デンサ３が直列に接続されている。トリマブルコンデン
サ２及び固定コンデンサ３はセラミックコンデンサであ
り、図２に示すように、同一の素子（セラミックチッ
プ）４に平面的に重なるような態様で配設されている。
すなわち、この素子４においては、セラミック絶縁基材
層５の上に固定コンデンサ３が形成されているととも
に、固定コンデンサ３の上にトリマブルコンデンサ２が
形成されている。
【００２４】固定コンデンサ３は、内部セラミック（誘
電体）層７を介して、容量形成用の内部電極６，８を、
互いに対向するように配設することにより形成されてお
り、トリマブルコンデンサ２は、セラミック（誘電体）
層９を介して、非トリミング電極である内部電極８とト
リミング電極である露出電極１０を、互いに対向するよ
うに配設することにより形成されている。なお、露出電
極１０も容量形成に寄与することはいうまでもない。
電体）層７を介して、容量形成用の内部電極６，８を、
互いに対向するように配設することにより形成されてお
り、トリマブルコンデンサ２は、セラミック（誘電体）
層９を介して、非トリミング電極である内部電極８とト
リミング電極である露出電極１０を、互いに対向するよ
うに配設することにより形成されている。なお、露出電
極１０も容量形成に寄与することはいうまでもない。
【００２５】また、素子４の両端面には、一対の外部電
極１１，１２が形成されており、容量形成用の内部電極
６が外部電極１１に接続され、露出電極１０が外部電極
１２に接続されている。
極１１，１２が形成されており、容量形成用の内部電極
６が外部電極１１に接続され、露出電極１０が外部電極
１２に接続されている。
【００２６】なお、上記トリマブルコンデンサ２は、容
量未調整の段階で容量Ｃ１＝５０ｐＦ，（直流）絶縁抵
抗Ｒ１＝１００ＭΩであり、固定コンデンサ３は、容量
Ｃ２＝５０ｐＦ，（直流）絶縁抵抗Ｒ２＝１００００Ｍ
Ωである。トリマブルコンデンサ２と固定コンデンサ３
の絶縁抵抗の違いは単位容量当たりの直流絶縁抵抗（す
なわち、ＣＲ積）の異なるセラミック誘電体材料を用い
ることにより容易に実現することができる。そして、こ
の実施形態では、トリマブルコンデンサ２の方が単位容
量当たりの絶縁抵抗が低い材料により形成されている。
量未調整の段階で容量Ｃ１＝５０ｐＦ，（直流）絶縁抵
抗Ｒ１＝１００ＭΩであり、固定コンデンサ３は、容量
Ｃ２＝５０ｐＦ，（直流）絶縁抵抗Ｒ２＝１００００Ｍ
Ωである。トリマブルコンデンサ２と固定コンデンサ３
の絶縁抵抗の違いは単位容量当たりの直流絶縁抵抗（す
なわち、ＣＲ積）の異なるセラミック誘電体材料を用い
ることにより容易に実現することができる。そして、こ
の実施形態では、トリマブルコンデンサ２の方が単位容
量当たりの絶縁抵抗が低い材料により形成されている。
【００２７】一方、容量調整型コンデンサ１の全体の
（合成）容量Ｃは、（Ｃ１・Ｃ２）／（Ｃ１＋Ｃ２）で
ある。また、図１に示すように、容量調整型コンデンサ
１の外部電極１１，１２の間に直流電圧ＶＤが印加され
た場合、直流電圧ＶＤがトリマブルコンデンサ２と固定
コンデンサ３の絶縁抵抗比に応じて分圧されて印加され
る。すなわち、トリマブルコンデンサ２には直流電圧Ｖ
Ｄ１＝ＶＤ×〔Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）〕がかかり、固定
コンデンサ３には直流電圧ＶＤ２＝ＶＤ×〔Ｒ２／（Ｒ
１＋Ｒ２）〕がかかることになる。
（合成）容量Ｃは、（Ｃ１・Ｃ２）／（Ｃ１＋Ｃ２）で
ある。また、図１に示すように、容量調整型コンデンサ
１の外部電極１１，１２の間に直流電圧ＶＤが印加され
た場合、直流電圧ＶＤがトリマブルコンデンサ２と固定
コンデンサ３の絶縁抵抗比に応じて分圧されて印加され
る。すなわち、トリマブルコンデンサ２には直流電圧Ｖ
Ｄ１＝ＶＤ×〔Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）〕がかかり、固定
コンデンサ３には直流電圧ＶＤ２＝ＶＤ×〔Ｒ２／（Ｒ
１＋Ｒ２）〕がかかることになる。
【００２８】この実施形態の場合、容量調整前の段階で
は、Ｒ１＝１００ＭΩ，Ｒ２＝１００００ＭΩであるた
め、直流電圧ＶＤ１＝ＶＤ／１０１となり、トリマブル
コンデンサ２自体にかかる電圧は僅かであることが分か
る。
は、Ｒ１＝１００ＭΩ，Ｒ２＝１００００ＭΩであるた
め、直流電圧ＶＤ１＝ＶＤ／１０１となり、トリマブル
コンデンサ２自体にかかる電圧は僅かであることが分か
る。
【００２９】また、容量調整型コンデンサ１の容量Ｃの
調整は、図３に示すように、トリマブルコンデンサ２の
露出電極１０の一部１０ａを、レーザやリュータで切削
除去して容量Ｃ１を減少させることにより行われる。な
お、この切削除去の概念には、露出電極１０の一部を他
の部分より切り離すように分断することも含まれる。ト
リマブルコンデンサ２の容量Ｃ１は露出電極１０の有効
対向面積に比例する。
調整は、図３に示すように、トリマブルコンデンサ２の
露出電極１０の一部１０ａを、レーザやリュータで切削
除去して容量Ｃ１を減少させることにより行われる。な
お、この切削除去の概念には、露出電極１０の一部を他
の部分より切り離すように分断することも含まれる。ト
リマブルコンデンサ２の容量Ｃ１は露出電極１０の有効
対向面積に比例する。
【００３０】また、容量調整のための露出電極１０の切
削除去は、トリマブルコンデンサ２の絶縁抵抗Ｒ１の増
大を伴う。なお、絶縁抵抗Ｒ１は露出電極１０の面積に
逆比例する。また、トリマブルコンデンサ２の絶縁抵抗
Ｒ１の増大により、直流電圧ＶＤ１は上昇することにな
る。
削除去は、トリマブルコンデンサ２の絶縁抵抗Ｒ１の増
大を伴う。なお、絶縁抵抗Ｒ１は露出電極１０の面積に
逆比例する。また、トリマブルコンデンサ２の絶縁抵抗
Ｒ１の増大により、直流電圧ＶＤ１は上昇することにな
る。
【００３１】露出電極１０の除去量（トリミング量）と
トリマブルコンデンサ２の容量Ｃ１及び直流電圧ＶＤ１
の具体例を表１に示す。但し，表１の直流電圧ＶＤは５
０Ｖである。
トリマブルコンデンサ２の容量Ｃ１及び直流電圧ＶＤ１
の具体例を表１に示す。但し，表１の直流電圧ＶＤは５
０Ｖである。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１に示すように、トリミング量が多くな
るにつれて、トリマブルコンデンサ２にかかる電圧は高
くなり、全体の容量Ｃ１が小さくなっていることがわか
る。上述のように、この実施形態の容量調整型コンデン
サ１の場合、調整可能な範囲の全範囲にわたる容量調整
を行っても、トリマブルコンデンサ２にかかる直流電圧
ＶＤ１は５Ｖであり、トリミングの如何にかかわらずト
リマブルコンデンサ２に常に５０Ｖの直流電圧がかかる
従来の容量調整型コンデンサに比べて、トリマブルコン
デンサ２にかかる直流電圧を１／１０にすることができ
る。したがって、電極形成金属の選択、電極間距離の拡
大、耐湿コーティング処理などを行うことを必要とせず
に、マイグレーションを十分に防止することができる。
るにつれて、トリマブルコンデンサ２にかかる電圧は高
くなり、全体の容量Ｃ１が小さくなっていることがわか
る。上述のように、この実施形態の容量調整型コンデン
サ１の場合、調整可能な範囲の全範囲にわたる容量調整
を行っても、トリマブルコンデンサ２にかかる直流電圧
ＶＤ１は５Ｖであり、トリミングの如何にかかわらずト
リマブルコンデンサ２に常に５０Ｖの直流電圧がかかる
従来の容量調整型コンデンサに比べて、トリマブルコン
デンサ２にかかる直流電圧を１／１０にすることができ
る。したがって、電極形成金属の選択、電極間距離の拡
大、耐湿コーティング処理などを行うことを必要とせず
に、マイグレーションを十分に防止することができる。
【００３４】また、固定コンデンサ３がトリマブルコン
デンサ２の１００倍を越えるような絶縁抵抗を有してい
るので、トリマブルコンデンサ２にかかる直流電圧を効
率よく小さくすることができる。また、固定コンデンサ
３の容量Ｃ２がトリマブルコンデンサ２の未調整時の容
量Ｃ１と等量であり、全体の容量Ｃに対してトリマブル
コンデンサ２の容量Ｃ１が十分に支配的であるため、ト
リマブルコンデンサ２による容量調整を効率よく行うこ
とができる。
デンサ２の１００倍を越えるような絶縁抵抗を有してい
るので、トリマブルコンデンサ２にかかる直流電圧を効
率よく小さくすることができる。また、固定コンデンサ
３の容量Ｃ２がトリマブルコンデンサ２の未調整時の容
量Ｃ１と等量であり、全体の容量Ｃに対してトリマブル
コンデンサ２の容量Ｃ１が十分に支配的であるため、ト
リマブルコンデンサ２による容量調整を効率よく行うこ
とができる。
【００３５】さらに、上記実施形態では、トリマブルコ
ンデンサ２と固定コンデンサ３が同一素子内に平面的に
重なるような態様で配設されているので、製品の小型化
を図ることができるとともに、トリマブルコンデンサ２
と固定コンデンサ３が接続側の内部電極８を共用してい
るので、トリマブルコンデンサ２と固定コンデンサ３を
接続する配線を必要としないという利点がある。
ンデンサ２と固定コンデンサ３が同一素子内に平面的に
重なるような態様で配設されているので、製品の小型化
を図ることができるとともに、トリマブルコンデンサ２
と固定コンデンサ３が接続側の内部電極８を共用してい
るので、トリマブルコンデンサ２と固定コンデンサ３を
接続する配線を必要としないという利点がある。
【００３６】なお、上記実施形態では、トリマブルコン
デンサ２の絶縁抵抗を低くするために、低絶縁抵抗特性
の誘電体材料を用いたが、トリマブルコンデンサの絶縁
抵抗を低くするための方法としては、焼成条件や電極デ
ィメンジョンの調整、あるいはトリミング電極の切削除
去の際のレーザの熱による誘電体材料還元作用に伴う抵
抗値低下による方法などの種々の方法を適用することが
できる。なお、誘電体材料還元作用に伴う抵抗値低下に
よる方法の場合、固定コンデンサの絶縁抵抗がトリマブ
ルコンデンサよりも高いという関係が、容量調整後に成
立するものであってもよい。
デンサ２の絶縁抵抗を低くするために、低絶縁抵抗特性
の誘電体材料を用いたが、トリマブルコンデンサの絶縁
抵抗を低くするための方法としては、焼成条件や電極デ
ィメンジョンの調整、あるいはトリミング電極の切削除
去の際のレーザの熱による誘電体材料還元作用に伴う抵
抗値低下による方法などの種々の方法を適用することが
できる。なお、誘電体材料還元作用に伴う抵抗値低下に
よる方法の場合、固定コンデンサの絶縁抵抗がトリマブ
ルコンデンサよりも高いという関係が、容量調整後に成
立するものであってもよい。
【００３７】また、上記実施形態においては、トリマブ
ルコンデンサ及び固定コンデンサがセラミックコンデン
サである場合を例にとって説明したが、いずれか一方を
非セラミックコンデンサとしたり、両方を非セラミック
コンデンサとしたりすることも可能である。
ルコンデンサ及び固定コンデンサがセラミックコンデン
サである場合を例にとって説明したが、いずれか一方を
非セラミックコンデンサとしたり、両方を非セラミック
コンデンサとしたりすることも可能である。
【００３８】また、上記実施形態では、トリマブルコン
デンサと固定コンデンサを同一の素子中に一体的に配設
されている場合を例にとって説明したが、必ずしも両コ
ンデンサが同一素子中に一体的に配設されている必要は
ない。本発明は、さらにその他の点においても上記実施
形態に限定されるものではなく、トリマブルコンデンサ
や固定コンデンサの絶縁抵抗値や容量値、トリマブルコ
ンデンサと固定コンデンサの具体的な配設態様などに関
し、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を
加えることが可能である。
デンサと固定コンデンサを同一の素子中に一体的に配設
されている場合を例にとって説明したが、必ずしも両コ
ンデンサが同一素子中に一体的に配設されている必要は
ない。本発明は、さらにその他の点においても上記実施
形態に限定されるものではなく、トリマブルコンデンサ
や固定コンデンサの絶縁抵抗値や容量値、トリマブルコ
ンデンサと固定コンデンサの具体的な配設態様などに関
し、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を
加えることが可能である。
【００３９】
【発明の効果】本発明の容量調整型コンデンサにおいて
は、トリマブルコンデンサとトリマブルコンデンサより
高い絶縁抵抗を有する固定コンデンサが直列に接続され
ており、容量調整型コンデンサの両端に印加される直流
電圧が、トリマブルコンデンサの絶縁抵抗と固定コンデ
ンサの絶縁抵抗とで分圧され、トリマブルコンデンサの
両端にかかる直流電圧が下がるため、電極形成金属の選
択、電極間距離の拡大、耐湿コーティング処理などを行
うことを必要とせずに、電極のマイグレーションを防止
することができる。
は、トリマブルコンデンサとトリマブルコンデンサより
高い絶縁抵抗を有する固定コンデンサが直列に接続され
ており、容量調整型コンデンサの両端に印加される直流
電圧が、トリマブルコンデンサの絶縁抵抗と固定コンデ
ンサの絶縁抵抗とで分圧され、トリマブルコンデンサの
両端にかかる直流電圧が下がるため、電極形成金属の選
択、電極間距離の拡大、耐湿コーティング処理などを行
うことを必要とせずに、電極のマイグレーションを防止
することができる。
【００４０】また、固定コンデンサの絶縁抵抗をトリマ
ブルコンデンサの１０倍以上とした場合、トリマブルコ
ンデンサにかかる直流電圧を十分に低下させることがで
きるため、マイグレーションが極めて起こりにくくな
り、本発明を実効あらしめることができる。
ブルコンデンサの１０倍以上とした場合、トリマブルコ
ンデンサにかかる直流電圧を十分に低下させることがで
きるため、マイグレーションが極めて起こりにくくな
り、本発明を実効あらしめることができる。
【００４１】また、固定コンデンサの容量をトリマブル
コンデンサの未調整時の容量の１／３以上とした場合、
トリマブルコンデンサの容量がコンデンサ全体の容量に
対して十分に支配的になるため、容量調整を効率よく行
うことが可能になる。
コンデンサの未調整時の容量の１／３以上とした場合、
トリマブルコンデンサの容量がコンデンサ全体の容量に
対して十分に支配的になるため、容量調整を効率よく行
うことが可能になる。
【００４２】また、トリマブルコンデンサと固定コンデ
ンサを同一チップ内に平面的に重なるような態様で配設
するようにした場合、素子の平面面積を小さくして、製
品の小型化を図ることができる。
ンサを同一チップ内に平面的に重なるような態様で配設
するようにした場合、素子の平面面積を小さくして、製
品の小型化を図ることができる。
【００４３】また、トリマブルコンデンサと固定コンデ
ンサをセラミックコンデンサとし、かつ、両コンデンサ
の接続側の容量形成用の内部電極を共用するようにした
場合、セラミックコンデンサの優れた特性が発揮される
上、両コンデンサを接続する配線が不要になるため構造
を簡略化してコストの低減を図ることが可能になる。
ンサをセラミックコンデンサとし、かつ、両コンデンサ
の接続側の容量形成用の内部電極を共用するようにした
場合、セラミックコンデンサの優れた特性が発揮される
上、両コンデンサを接続する配線が不要になるため構造
を簡略化してコストの低減を図ることが可能になる。
【００４４】さらに、トリマブルコンデンサ及び固定コ
ンデンサの各容量形成用電極を全て同一素子内に配設し
た場合、より小型化を図ることが可能になるとともに、
マイグレーションを抑制しやすくなり、有利である。
ンデンサの各容量形成用電極を全て同一素子内に配設し
た場合、より小型化を図ることが可能になるとともに、
マイグレーションを抑制しやすくなり、有利である。
【図１】本発明の一実施形態にかかる容量調整型コンデ
ンサの等価回路図である。
ンサの等価回路図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる容量調整型コンデ
ンサの容量調整前の状態を示す断面図である。
ンサの容量調整前の状態を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる容量調整型コンデ
ンサの容量調整後の状態を示す断面図である。
ンサの容量調整後の状態を示す断面図である。
【図４】従来の容量調整型コンデンサの容量調整前の状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図５】従来の容量調整型コンデンサの容量調整後の状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
１ 容量調整型コンデンサ ２ トリマブルコンデンサ ３ 固定コンデンサ ４ 素子（セラミックチップ） ５ セラミック絶縁基材層 ６，８ 内部電極 ７ 内部セラミック（誘電体）層 ９ セラミック（誘電体）層 １０ 露出電極（トリミング電極） １０ａ 露出電極の一部 １１，１２ 外部電極 Ｒ１，Ｒ２ （直流）絶縁抵抗 Ｃ，Ｃ１，Ｃ２ 容量 ＶＤ，ＶＤ１ 直流電圧
Claims (6)
- 【請求項１】容量形成に寄与するとともに、その一部を
除去することにより容量の調整を行うことができるよう
に構成されたトリミング電極を有するトリマブルコンデ
ンサと、 トリマブルコンデンサと直列に接続され、トリマブルコ
ンデンサより高い絶縁抵抗を有する固定コンデンサとを
具備することを特徴とする容量調整型コンデンサ。 - 【請求項２】固定コンデンサの絶縁抵抗がトリマブルコ
ンデンサの１０倍以上であることを特徴とする請求項１
記載の容量調整型コンデンサ。 - 【請求項３】固定コンデンサの容量が、トリマブルコン
デンサの未調整時容量の１／３以上であることを特徴と
する請求項１又は２記載の容量調整型コンデンサ。 - 【請求項４】トリマブルコンデンサと固定コンデンサ
が、同一素子内に平面的に重なるような態様で配設され
ている特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の容量
調整型コンデンサ。 - 【請求項５】トリマブルコンデンサ及び固定コンデンサ
がセラミックコンデンサであり、固定コンデンサがセラ
ミック層を介して互いに対向するように容量形成用の内
部電極を配設することにより形成され、トリマブルコン
デンサが、固定コンデンサの内部電極の一方を容量形成
に寄与する非トリミング電極とするとともに、非トリミ
ング電極とセラミック層を介して対向するように配設さ
れた電極をトリミング電極とするものであることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の容量調整型コン
デンサ。 - 【請求項６】トリマブルコンデンサ及び固定コンデンサ
の各容量形成用電極が、全て同一素子内に配設されてい
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の容
量調整型コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18787797A JPH1116772A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 容量調整型コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18787797A JPH1116772A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 容量調整型コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116772A true JPH1116772A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=16213777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18787797A Withdrawn JPH1116772A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 容量調整型コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116772A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9150961B2 (en) | 2009-11-16 | 2015-10-06 | Fei Company | Gas delivery for beam processing systems |
-
1997
- 1997-06-26 JP JP18787797A patent/JPH1116772A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9150961B2 (en) | 2009-11-16 | 2015-10-06 | Fei Company | Gas delivery for beam processing systems |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |