JPH11167085A - 光アイソレータ及び光アイソレータ付き光ファイバ端子 - Google Patents
光アイソレータ及び光アイソレータ付き光ファイバ端子Info
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- JPH11167085A JPH11167085A JP9332093A JP33209397A JPH11167085A JP H11167085 A JPH11167085 A JP H11167085A JP 9332093 A JP9332093 A JP 9332093A JP 33209397 A JP33209397 A JP 33209397A JP H11167085 A JPH11167085 A JP H11167085A
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- optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易で、最大外径の小型化に好適な光
アイソレータ及び光アイソレータ付き光ファイバ端子を
提供すること。 【解決手段】 少なくとも１枚の偏光子と少なくとも１
枚のファラデ−回転子からなる光アイソレータ素子及
び、前記ファラデ−回転子に磁界を印加する永久磁石で
構成される光アイソレータに於いて、前記永久磁石が溝
部を有し、該溝部の溝内に、前記光アイソレータ素子の
少なくとも一部が配置されていることを特徴とする光ア
イソレータ。
アイソレータ及び光アイソレータ付き光ファイバ端子を
提供すること。 【解決手段】 少なくとも１枚の偏光子と少なくとも１
枚のファラデ−回転子からなる光アイソレータ素子及
び、前記ファラデ−回転子に磁界を印加する永久磁石で
構成される光アイソレータに於いて、前記永久磁石が溝
部を有し、該溝部の溝内に、前記光アイソレータ素子の
少なくとも一部が配置されていることを特徴とする光ア
イソレータ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光情報処
理等に使用する光アイソレータ及び光アイソレータ付き
光ファイバ端子に関する。
理等に使用する光アイソレータ及び光アイソレータ付き
光ファイバ端子に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光アイ
ソレータは、光通信、光情報処理等に使用されるデバイ
スであり、順方向の光は透過させ、逆方向の光は遮断す
る作用を有する。係る光アイソレータは、光ファイバ通
信のキーデバイスの１つであり、近年の情報通信の発達
に伴い、その小型化、低価格化、高量産性及び高性能が
強く望まれている。
ソレータは、光通信、光情報処理等に使用されるデバイ
スであり、順方向の光は透過させ、逆方向の光は遮断す
る作用を有する。係る光アイソレータは、光ファイバ通
信のキーデバイスの１つであり、近年の情報通信の発達
に伴い、その小型化、低価格化、高量産性及び高性能が
強く望まれている。
【０００３】上記光アイソレータの一つとして、ファラ
デー回転角が約４５°のファラデ−回転子を、透過偏光
方向の相対角度を約４５°に設定した２枚の偏光子で挟
んで固定した光アイソレータ素子を用いたものが知られ
ている。この光アイソレータを正常に動作させるために
は、ファラデ−回転子に磁界を印可しなければならず、
その磁界を印可する磁石として、通常、円筒状磁石（永
久磁石）が用いられている。
デー回転角が約４５°のファラデ−回転子を、透過偏光
方向の相対角度を約４５°に設定した２枚の偏光子で挟
んで固定した光アイソレータ素子を用いたものが知られ
ている。この光アイソレータを正常に動作させるために
は、ファラデ−回転子に磁界を印可しなければならず、
その磁界を印可する磁石として、通常、円筒状磁石（永
久磁石）が用いられている。
【０００４】この光アイソレータで、その外径を小型化
するためには、ファラデー回転子に磁界を印可する円筒
状磁石の外径を小さくしなければならない。ここで、円
筒状磁石の外径を小さくするのに伴い、その内径も小さ
くなるが、円筒状磁石の円筒内には、光アイソレータ素
子が配置されているため、内径の大きさは光アイソレー
タ素子が配置できる大きさでなければならない。
するためには、ファラデー回転子に磁界を印可する円筒
状磁石の外径を小さくしなければならない。ここで、円
筒状磁石の外径を小さくするのに伴い、その内径も小さ
くなるが、円筒状磁石の円筒内には、光アイソレータ素
子が配置されているため、内径の大きさは光アイソレー
タ素子が配置できる大きさでなければならない。
【０００５】従って、光アイソレータの外径のより一層
の小型化を図るためには、光アイソレータ素子を小型化
するか、円筒状磁石の肉厚（外径と内径の差）を薄くす
る必要がある。しかし、光アイソレータ素子の外径は入
射ビーム径に対して十分大きい寸法でなければ、良好な
特性が得られないため、光アイソレータ素子の小型化に
は限界がある。又、円筒状磁石の肉厚（外径と内径の
差）を薄くすると、円筒状磁石の製造が困難になる。
の小型化を図るためには、光アイソレータ素子を小型化
するか、円筒状磁石の肉厚（外径と内径の差）を薄くす
る必要がある。しかし、光アイソレータ素子の外径は入
射ビーム径に対して十分大きい寸法でなければ、良好な
特性が得られないため、光アイソレータ素子の小型化に
は限界がある。又、円筒状磁石の肉厚（外径と内径の
差）を薄くすると、円筒状磁石の製造が困難になる。
【０００６】又、光アイソレータ素子端面からの反射光
が、光源に戻ることを防止するため、図９に示すよう
に、光アイソレータ素子３２は斜めに配置されることが
多い（特開平６−８８９２６号）。このように、光アイ
ソレータ素子３２を斜めに配置する場合には、光アイソ
レータ素子３２を光軸に対して垂直に配置した場合より
も、円筒状磁石３１の内径を大きくする必要がある。従
って、円筒状磁石３１の外径を変えずに、光アイソレー
タ素子３２を垂直配置から斜めに配置に変更する場合に
も、円筒状磁石３１の肉厚（外径と内径の差）を薄くす
る必要が生じる。
が、光源に戻ることを防止するため、図９に示すよう
に、光アイソレータ素子３２は斜めに配置されることが
多い（特開平６−８８９２６号）。このように、光アイ
ソレータ素子３２を斜めに配置する場合には、光アイソ
レータ素子３２を光軸に対して垂直に配置した場合より
も、円筒状磁石３１の内径を大きくする必要がある。従
って、円筒状磁石３１の外径を変えずに、光アイソレー
タ素子３２を垂直配置から斜めに配置に変更する場合に
も、円筒状磁石３１の肉厚（外径と内径の差）を薄くす
る必要が生じる。
【０００７】そこで、本発明は、製造が容易な円柱状磁
石等の永久磁石に溝部を設けた磁界印可用磁石を用い
て、最大外径の小型化を図った光アイソレータ及び光ア
イソレータ付き光ファイバ端子を提供することを目的と
する。
石等の永久磁石に溝部を設けた磁界印可用磁石を用い
て、最大外径の小型化を図った光アイソレータ及び光ア
イソレータ付き光ファイバ端子を提供することを目的と
する。
【０００８】又、本発明の他の目的は、円筒状磁石の内
径を変えずに、溝部を設けることにより、光アイソレー
タ素子の斜め配置を可能にした光アイソレータ及び光ア
イソレータ付き光ファイバ端子を提供することにある。
径を変えずに、溝部を設けることにより、光アイソレー
タ素子の斜め配置を可能にした光アイソレータ及び光ア
イソレータ付き光ファイバ端子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の光アイソ
レータは、少なくとも１枚の偏光子と少なくとも１枚の
ファラデ−回転子からなる光アイソレータ素子及び、前
記ファラデ−回転子に磁界を印加する永久磁石で構成さ
れる光アイソレータに於いて、前記永久磁石が溝部を有
し、該溝部の溝内に、前記光アイソレータ素子の少なく
とも一部が配置されていることを特徴とするものであ
る。
レータは、少なくとも１枚の偏光子と少なくとも１枚の
ファラデ−回転子からなる光アイソレータ素子及び、前
記ファラデ−回転子に磁界を印加する永久磁石で構成さ
れる光アイソレータに於いて、前記永久磁石が溝部を有
し、該溝部の溝内に、前記光アイソレータ素子の少なく
とも一部が配置されていることを特徴とするものであ
る。
【００１０】請求項２記載の光アイソレータは、請求項
１記載の光アイソレータにおいて、上記永久磁石が、円
柱形状の永久磁石に溝部を設けたものであることを特徴
とするものである。
１記載の光アイソレータにおいて、上記永久磁石が、円
柱形状の永久磁石に溝部を設けたものであることを特徴
とするものである。
【００１１】請求項３記載の光アイソレータは、請求項
１記載の光アイソレータにおいて、上記永久磁石が、円
筒形状の永久磁石に溝部を設けたものであり、該溝部の
空間を利用することにより、上記光アイソレータ素子を
入射光に対して傾斜配置したことを特徴とするものであ
る。
１記載の光アイソレータにおいて、上記永久磁石が、円
筒形状の永久磁石に溝部を設けたものであり、該溝部の
空間を利用することにより、上記光アイソレータ素子を
入射光に対して傾斜配置したことを特徴とするものであ
る。
【００１２】請求項４記載の光アイソレータ付き光ファ
イバ端子は、光ファイバと、該光ファイバを保持するフ
ェルールと、少なくとも１枚の偏光子と少なくとも１枚
のファラデ−回転子からなる光アイソレータ素子及び、
前記ファラデ−回転子に磁界を印加する永久磁石で構成
される光アイソレータ付き光ファイバ端子に於いて、前
記永久磁石が溝部を有し、該溝部の溝内に、前記光アイ
ソレータ素子の少なくとも一部が配置されていることを
特徴とするものである。
イバ端子は、光ファイバと、該光ファイバを保持するフ
ェルールと、少なくとも１枚の偏光子と少なくとも１枚
のファラデ−回転子からなる光アイソレータ素子及び、
前記ファラデ−回転子に磁界を印加する永久磁石で構成
される光アイソレータ付き光ファイバ端子に於いて、前
記永久磁石が溝部を有し、該溝部の溝内に、前記光アイ
ソレータ素子の少なくとも一部が配置されていることを
特徴とするものである。
【００１３】請求項５記載の光アイソレータ付き光ファ
イバ端子は、請求項４記載の光アイソレータ付き光ファ
イバ端子において、上記永久磁石が、円柱形状の永久磁
石に溝部を設けたものであることを特徴とするものであ
る。
イバ端子は、請求項４記載の光アイソレータ付き光ファ
イバ端子において、上記永久磁石が、円柱形状の永久磁
石に溝部を設けたものであることを特徴とするものであ
る。
【００１４】請求項６記載の光アイソレータ付き光ファ
イバ端子は、請求項４記載の光アイソレータ付き光ファ
イバ端子において、上記永久磁石が、円柱形状の永久磁
石に溝部を設けたものであり、該溝部の空間を利用する
ことにより、上記光アイソレータ素子を入射光に対して
傾斜配置したことを特徴とするものである。
イバ端子は、請求項４記載の光アイソレータ付き光ファ
イバ端子において、上記永久磁石が、円柱形状の永久磁
石に溝部を設けたものであり、該溝部の空間を利用する
ことにより、上記光アイソレータ素子を入射光に対して
傾斜配置したことを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は、図１に示したような円
柱状磁石５に、側面側から円柱軸に向かって溝部６を設
けた溝入円柱状磁石５ａを、光アイソレ−タ素子のファ
ラデ−回転子に磁界を印可するための磁石として用いた
ものである。かかる光アイソレータにおいては、図２
（ａ）に示したように、溝入円柱状磁石５ａの溝部６に
光アイソレータ素子８が配置される。
柱状磁石５に、側面側から円柱軸に向かって溝部６を設
けた溝入円柱状磁石５ａを、光アイソレ−タ素子のファ
ラデ−回転子に磁界を印可するための磁石として用いた
ものである。かかる光アイソレータにおいては、図２
（ａ）に示したように、溝入円柱状磁石５ａの溝部６に
光アイソレータ素子８が配置される。
【００１６】又、かかる光アイソレータにおいては、図
２（ａ）のＣＣ’断面図である図２（ｂ）に示したよう
に、光アイソレータ素子８を容易に傾斜配置することが
できる。
２（ａ）のＣＣ’断面図である図２（ｂ）に示したよう
に、光アイソレータ素子８を容易に傾斜配置することが
できる。
【００１７】尚、従来の円筒状磁石の場合、寸法が小さ
くなるほど内径部加工が困難となるが、上記溝入円柱状
磁石の場合には、寸法が小さくなっても著しく加工が困
難になることがない。
くなるほど内径部加工が困難となるが、上記溝入円柱状
磁石の場合には、寸法が小さくなっても著しく加工が困
難になることがない。
【００１８】又、直方体形状の光アイソレータ素子を垂
直固定する光アイソレータの組立工程に於いて、上記溝
入円柱状磁石を用い、かかる溝入円柱状磁石をアイソレ
ータ素子より先に固定すれば、光アイソレータ素子の位
置調整、固定作業が容易となる。
直固定する光アイソレータの組立工程に於いて、上記溝
入円柱状磁石を用い、かかる溝入円柱状磁石をアイソレ
ータ素子より先に固定すれば、光アイソレータ素子の位
置調整、固定作業が容易となる。
【００１９】更に、本発明は、図３に示したような円筒
状磁石１に、端面に垂直な溝部２を設けることにより、
つまり、溝入円筒状磁石１ａを用いることにより、光ア
イソレ−タ素子を傾斜配置することを可能にしたもので
もある。
状磁石１に、端面に垂直な溝部２を設けることにより、
つまり、溝入円筒状磁石１ａを用いることにより、光ア
イソレ−タ素子を傾斜配置することを可能にしたもので
もある。
【００２０】図４は、円筒状磁石の端面に垂直な溝部を
設けた場合と、設けなかった場合を比較したものであ
る。図４（ａ）は、円筒状磁石１の円筒内に光アイソレ
ータ素子８を配置した場合を示し、図４（ｂ）は、その
ＡＡ’断面を示す。又、図４（ｃ）は、溝入円筒状磁石
１ａの円筒内に光アイソレータ素子８を配置した場合を
示し、図４（ｄ）は、そのＢＢ’断面を示す。
設けた場合と、設けなかった場合を比較したものであ
る。図４（ａ）は、円筒状磁石１の円筒内に光アイソレ
ータ素子８を配置した場合を示し、図４（ｂ）は、その
ＡＡ’断面を示す。又、図４（ｃ）は、溝入円筒状磁石
１ａの円筒内に光アイソレータ素子８を配置した場合を
示し、図４（ｄ）は、そのＢＢ’断面を示す。
【００２１】図４（ａ）（ｂ）の場合、光アイソレ−タ
素子８を傾けていくと、光アイソレ−タ素子８が円筒状
磁石１の内壁にぶつかるため、光アイソレ−タ素子８と
内壁との間の隙間が小さい場合、光アイソレ−タ素子８
を傾斜配置することができない。
素子８を傾けていくと、光アイソレ−タ素子８が円筒状
磁石１の内壁にぶつかるため、光アイソレ−タ素子８と
内壁との間の隙間が小さい場合、光アイソレ−タ素子８
を傾斜配置することができない。
【００２２】図４（ｃ）（ｄ）の場合、溝部２を設けた
ことにより内壁が取り除かれた空間に、光アイソレ−タ
素子８を傾けていけば、光アイソレ−タ素子８が溝入円
筒状磁石１ａの内壁にぶつかることがないため、光アイ
ソレ−タ素子８と内壁との間の隙間が小さい場合でも、
光アイソレ−タ素子８を傾斜配置することができる。
ことにより内壁が取り除かれた空間に、光アイソレ−タ
素子８を傾けていけば、光アイソレ−タ素子８が溝入円
筒状磁石１ａの内壁にぶつかることがないため、光アイ
ソレ−タ素子８と内壁との間の隙間が小さい場合でも、
光アイソレ−タ素子８を傾斜配置することができる。
【００２３】尚、上記磁石（永久磁石）に設けられる溝
部は、光アイソレ−タ素子を配置するための空間、又
は、光アイソレ−タ素子を傾けるための空間を確保でき
るものであれば、特に形状にはこだわらない。又、磁石
の形状も、円柱形状や円筒形状以外の形状であってもよ
い。
部は、光アイソレ−タ素子を配置するための空間、又
は、光アイソレ−タ素子を傾けるための空間を確保でき
るものであれば、特に形状にはこだわらない。又、磁石
の形状も、円柱形状や円筒形状以外の形状であってもよ
い。
【００２４】以下、上記溝入円柱状磁石又は溝入円筒状
磁石を用いて、光アイソレータ付き光ファイバ端子又は
光アイソレータを構成した場合について、具体的に説明
する。
磁石を用いて、光アイソレータ付き光ファイバ端子又は
光アイソレータを構成した場合について、具体的に説明
する。
【００２５】［構成例１］溝入円柱状磁石を用いた光ア
イソレータ付き光ファイバ端子の構成例１について図５
を参照して詳細に説明する。
イソレータ付き光ファイバ端子の構成例１について図５
を参照して詳細に説明する。
【００２６】光アイソレ−タ素子１１は、ファラデ−回
転子１１ｂ、２枚の偏光子１１ａで挟んで調整接着した
後、切断加工により縦０．６ｍｍ、横０．４ｍｍ、厚さ
１．４ｍｍの光アイソレ−タ素子１１を多数個取りし
た。ここで、偏光子１１ａの材質は、偏光ガラスであ
り、厚さは０．５ｍｍとした。ファラデ−回転子３の材
質は、ビスマス置換希土類鉄ガ−ネットであり、厚さは
０．４ｍｍとした。
転子１１ｂ、２枚の偏光子１１ａで挟んで調整接着した
後、切断加工により縦０．６ｍｍ、横０．４ｍｍ、厚さ
１．４ｍｍの光アイソレ−タ素子１１を多数個取りし
た。ここで、偏光子１１ａの材質は、偏光ガラスであ
り、厚さは０．５ｍｍとした。ファラデ−回転子３の材
質は、ビスマス置換希土類鉄ガ−ネットであり、厚さは
０．４ｍｍとした。
【００２７】溝入円柱状磁石２１の材質はサマリウムコ
バルトであり、図１に示した様に砥石４により溝加工を
施した後に着磁した。又、寸法は外径１．４ｍｍ、厚さ
１．０ｍｍ、溝幅０．５５ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍとし
た。
バルトであり、図１に示した様に砥石４により溝加工を
施した後に着磁した。又、寸法は外径１．４ｍｍ、厚さ
１．０ｍｍ、溝幅０．５５ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍとし
た。
【００２８】上記光アイソレ−タ素子及び溝入円柱状磁
石を用いた光アイソレータ付き光ファイバ端子を、以下
の工程で作製した。
石を用いた光アイソレータ付き光ファイバ端子を、以下
の工程で作製した。
【００２９】まず、外径１．５ｍｍのステンレスに、外
径０．７５ｍｍのジルコニアからなるキャピラリー部１
７が圧入されたフェル−ル１４に、光ファイバ１５を接
着固定した後、突き出ているキャピラリー部１７の端面
に６゜の斜め研磨を施した。この際、研磨後のキャピラ
リー部１７の突き出し長さは０．８ｍｍであった。
径０．７５ｍｍのジルコニアからなるキャピラリー部１
７が圧入されたフェル−ル１４に、光ファイバ１５を接
着固定した後、突き出ているキャピラリー部１７の端面
に６゜の斜め研磨を施した。この際、研磨後のキャピラ
リー部１７の突き出し長さは０．８ｍｍであった。
【００３０】次に、研磨を施したキャピラリー部１７の
端面に、エポキシ接着剤を塗布し、光アイソレータ素子
１１を所定の位置に配置し、その後、エポキシ接着剤を
硬化させ、光アイソレータ素子１１をキャピラリー部１
７の端面に接着固定した。
端面に、エポキシ接着剤を塗布し、光アイソレータ素子
１１を所定の位置に配置し、その後、エポキシ接着剤を
硬化させ、光アイソレータ素子１１をキャピラリー部１
７の端面に接着固定した。
【００３１】次に、外径１．４ｍｍ、内径０．８ｍｍ、
厚さ０．９５ｍｍのステンレスリング１８に、フェルー
ル１４のキャピラリー部１７を挿入してエポキシ接着剤
で接着固定した。
厚さ０．９５ｍｍのステンレスリング１８に、フェルー
ル１４のキャピラリー部１７を挿入してエポキシ接着剤
で接着固定した。
【００３２】最後、ステンレスリング１８に、溝入円柱
状磁石２１をエポキシ接着剤で接着固定した。この際、
溝入円柱状磁石２１は、溝部２２の溝加工方向が光アイ
ソレータ素子１１を傾けた方向と一致するような位置に
固定されているため、光アイソレータ素子１１が溝入円
柱状磁石２１の内壁に接触することがない。
状磁石２１をエポキシ接着剤で接着固定した。この際、
溝入円柱状磁石２１は、溝部２２の溝加工方向が光アイ
ソレータ素子１１を傾けた方向と一致するような位置に
固定されているため、光アイソレータ素子１１が溝入円
柱状磁石２１の内壁に接触することがない。
【００３３】上記のような工程で作製された光アイソレ
ータ付き光ファイバ端子の光学特性を評価したところ、
アイソレ−ション及び挿入損失等の光学特性は、共に良
好であった。
ータ付き光ファイバ端子の光学特性を評価したところ、
アイソレ−ション及び挿入損失等の光学特性は、共に良
好であった。
【００３４】又、この光アイソレータ付き光ファイバ端
子の最大外径はフェルール１４の外径１．５ｍｍであ
り、通常用いられているフェルールの外径２．５ｍｍよ
り小さくなっている。従って、光アイソレ−タ付きでな
い単体の光ファイバ端子と全く同様に取り扱うことがで
きる。
子の最大外径はフェルール１４の外径１．５ｍｍであ
り、通常用いられているフェルールの外径２．５ｍｍよ
り小さくなっている。従って、光アイソレ−タ付きでな
い単体の光ファイバ端子と全く同様に取り扱うことがで
きる。
【００３５】一方、光アイソレータ素子を、円筒状磁石
の円筒内に配置する従来の光アイソレータ付きファイバ
端子の場合、最大外径２．０ｍｍ程度が限界であり、最
大外径１．５ｍｍの光アイソレータ付きファイバ端子を
作製することは困難であった。
の円筒内に配置する従来の光アイソレータ付きファイバ
端子の場合、最大外径２．０ｍｍ程度が限界であり、最
大外径１．５ｍｍの光アイソレータ付きファイバ端子を
作製することは困難であった。
【００３６】［構成例２］溝入円柱状磁石を用いた光ア
イソレータ付き光ファイバ端子の構成例２について図６
を参照して詳細に説明する。構成例２では、構成例１で
用いられていたステンレスリングを用いずに光アイソレ
ータ付き光ファイバ端子を構成している。
イソレータ付き光ファイバ端子の構成例２について図６
を参照して詳細に説明する。構成例２では、構成例１で
用いられていたステンレスリングを用いずに光アイソレ
ータ付き光ファイバ端子を構成している。
【００３７】光アイソレ−タ素子１１は、構成例１の光
アイソレ−タ素子と構成及び寸法とも同様のものであ
る。
アイソレ−タ素子と構成及び寸法とも同様のものであ
る。
【００３８】溝入円柱状磁石２３の材質はサマリウムコ
バルトであり、図１に示した様に砥石４により溝加工を
施した後に着磁した。又、寸法は外径２．０ｍｍ、厚さ
１．７ｍｍ、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ１．４ｍｍとし
た。
バルトであり、図１に示した様に砥石４により溝加工を
施した後に着磁した。又、寸法は外径２．０ｍｍ、厚さ
１．７ｍｍ、溝幅０．８ｍｍ、溝深さ１．４ｍｍとし
た。
【００３９】上記光アイソレ−タ素子及び溝入円柱状磁
石を用いた光アイソレータ付き光ファイバ端子を、以下
の工程で作製した。
石を用いた光アイソレータ付き光ファイバ端子を、以下
の工程で作製した。
【００４０】まず、外径２．０ｍｍのステンレスに、外
径０．７５ｍｍのジルコニアからなるキャピラリー部１
７が圧入されたフェル−ル１４に、光ファイバ１５を接
着固定した後、突き出ているキャピラリー部１７の端面
に６゜の斜め研磨を施した。この際、研磨後のキャピラ
リー部１７の突き出し長さは０．５ｍｍであった。
径０．７５ｍｍのジルコニアからなるキャピラリー部１
７が圧入されたフェル−ル１４に、光ファイバ１５を接
着固定した後、突き出ているキャピラリー部１７の端面
に６゜の斜め研磨を施した。この際、研磨後のキャピラ
リー部１７の突き出し長さは０．５ｍｍであった。
【００４１】次に、研磨を施したキャピラリー部１７の
端面に、エポキシ接着剤を塗布し、光アイソレータ素子
１１を所定の位置に配置し、その後、エポキシ接着剤を
硬化させ、光アイソレータ素子１１をキャピラリー部１
７の端面に接着固定した。
端面に、エポキシ接着剤を塗布し、光アイソレータ素子
１１を所定の位置に配置し、その後、エポキシ接着剤を
硬化させ、光アイソレータ素子１１をキャピラリー部１
７の端面に接着固定した。
【００４２】最後、光アイソレータ素子１１及び突き出
ているキャピラリー部１７が、溝入円柱状磁石２３の溝
部２４の内部に収まるような配置で、溝入円柱状磁石２
３をフェル−ル１４にエポキシ接着剤で接着固定した。
この際、溝入円柱状磁石２３は、溝部２４の溝加工方向
が光アイソレータ素子１１を傾けた方向と一致するよな
う位置に固定されているため、光アイソレータ素子１１
が溝入円柱状磁石２３の内壁に接触することがない。
ているキャピラリー部１７が、溝入円柱状磁石２３の溝
部２４の内部に収まるような配置で、溝入円柱状磁石２
３をフェル−ル１４にエポキシ接着剤で接着固定した。
この際、溝入円柱状磁石２３は、溝部２４の溝加工方向
が光アイソレータ素子１１を傾けた方向と一致するよな
う位置に固定されているため、光アイソレータ素子１１
が溝入円柱状磁石２３の内壁に接触することがない。
【００４３】上記のような工程で作製された光アイソレ
ータ付き光ファイバ端子の光学特性を評価したところ、
アイソレ−ション及び挿入損失等の光学特性は、共に良
好であった。
ータ付き光ファイバ端子の光学特性を評価したところ、
アイソレ−ション及び挿入損失等の光学特性は、共に良
好であった。
【００４４】又、この光アイソレータ付き光ファイバ端
子の最大外径はフェルール１４の外径２．０ｍｍであ
り、通常用いられるファルールの外径２．５ｍｍより小
さく、部材点数も少ない。従って、光アイソレ−タ付き
でない単体の光ファイバ端子と全く同様に取り扱うこと
ができる。
子の最大外径はフェルール１４の外径２．０ｍｍであ
り、通常用いられるファルールの外径２．５ｍｍより小
さく、部材点数も少ない。従って、光アイソレ−タ付き
でない単体の光ファイバ端子と全く同様に取り扱うこと
ができる。
【００４５】［構成例３］溝入円柱状磁石を用いた光ア
イソレータの構成例３について図７を参照して詳細に説
明する。
イソレータの構成例３について図７を参照して詳細に説
明する。
【００４６】光アイソレ−タ素子１１は、構成例１の光
アイソレ−タ素子と構成及び寸法とも同様のものであ
る。
アイソレ−タ素子と構成及び寸法とも同様のものであ
る。
【００４７】溝入円柱状磁石２５の材質はサマリウムコ
バルトであり、図１に示した様に砥石４により溝加工を
施した後に着磁した。又、寸法は外径１．４ｍｍ、厚さ
１．０ｍｍ、溝幅０．５５ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍとし
た。
バルトであり、図１に示した様に砥石４により溝加工を
施した後に着磁した。又、寸法は外径１．４ｍｍ、厚さ
１．０ｍｍ、溝幅０．５５ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍとし
た。
【００４８】上記光アイソレ−タ素子及び溝入円柱状磁
石を用いた光アイソレータを、以下の工程で作製した。
石を用いた光アイソレータを、以下の工程で作製した。
【００４９】まず、光アイソレータ素子１１を素子固定
部材３１に半田により固定した。ここで、光アイソレー
タ素子１１は、中心軸に対して４゜傾けて斜め配置され
ている。
部材３１に半田により固定した。ここで、光アイソレー
タ素子１１は、中心軸に対して４゜傾けて斜め配置され
ている。
【００５０】次、溝入円柱状磁石２５を素子固定部材３
１にエポキシ接着剤で固定した。この際、、溝入円柱状
磁石２５は、溝部の溝加工方向が光アイソレータ素子１
１を傾けた方向と一致するような位置に固定されている
ため、光アイソレータ素子１１が溝入円柱状磁石２５の
内壁に接触することがない。
１にエポキシ接着剤で固定した。この際、、溝入円柱状
磁石２５は、溝部の溝加工方向が光アイソレータ素子１
１を傾けた方向と一致するような位置に固定されている
ため、光アイソレータ素子１１が溝入円柱状磁石２５の
内壁に接触することがない。
【００５１】最後に、ステンレスホルダー３２を素子固
定部材３１にＹＡＧレーザで溶接固定した。
定部材３１にＹＡＧレーザで溶接固定した。
【００５２】上記のような工程で作製された光アイソレ
ータの光学特性を評価したところ、アイソレ−ション及
び挿入損失等の光学特性は、共に良好であった。
ータの光学特性を評価したところ、アイソレ−ション及
び挿入損失等の光学特性は、共に良好であった。
【００５３】［構成例４］溝入円筒状磁石を用いた光ア
イソレータ付き光ファイバ端子の構成例４について図８
を参照して詳細に説明する。
イソレータ付き光ファイバ端子の構成例４について図８
を参照して詳細に説明する。
【００５４】光アイソレ−タ素子１１は、ファラデ−回
転子１１ｂ、２枚の偏光子１１ａで挟んで調整接着した
後、切断加工により縦０．６ｍｍ、横０．６ｍｍ、厚さ
１．４ｍｍの光アイソレ−タ素子１１を多数個取りし
た。ここで、偏光子１１ａの材質は、偏光ガラスであ
り、厚さは０．５ｍｍとした。ファラデ−回転子３の材
質は、ビスマス置換希土類鉄ガ−ネットであり、厚さは
０．４ｍｍとした。
転子１１ｂ、２枚の偏光子１１ａで挟んで調整接着した
後、切断加工により縦０．６ｍｍ、横０．６ｍｍ、厚さ
１．４ｍｍの光アイソレ−タ素子１１を多数個取りし
た。ここで、偏光子１１ａの材質は、偏光ガラスであ
り、厚さは０．５ｍｍとした。ファラデ−回転子３の材
質は、ビスマス置換希土類鉄ガ−ネットであり、厚さは
０．４ｍｍとした。
【００５５】溝入円筒状磁石１２の材質はサマリウムコ
バルトであり、図２に示した様に砥石４により溝加工を
施した後に着磁した。又、寸法は外径１．９ｍｍ、内径
０．９ｍｍ、厚さ１．０ｍｍ、溝幅０．７ｍｍ、溝深さ
０．２ｍｍとした。
バルトであり、図２に示した様に砥石４により溝加工を
施した後に着磁した。又、寸法は外径１．９ｍｍ、内径
０．９ｍｍ、厚さ１．０ｍｍ、溝幅０．７ｍｍ、溝深さ
０．２ｍｍとした。
【００５６】上記光アイソレ−タ素子及び溝入円筒状磁
石を用いた光アイソレータ付き光ファイバ端子を、以下
の工程で作製した。
石を用いた光アイソレータ付き光ファイバ端子を、以下
の工程で作製した。
【００５７】まず、外径２．０ｍｍのステンレスに、外
径０．８５ｍｍのジルコニアからなるキャピラリー部１
７が圧入されたフェル−ル１４に、光ファイバ１５を接
着固定した後、突き出ているキャピラリー部１７の端面
に６゜の斜め研磨を施した。この際、研磨後のキャピラ
リー部１７の突き出し長さは０．８ｍｍであった。
径０．８５ｍｍのジルコニアからなるキャピラリー部１
７が圧入されたフェル−ル１４に、光ファイバ１５を接
着固定した後、突き出ているキャピラリー部１７の端面
に６゜の斜め研磨を施した。この際、研磨後のキャピラ
リー部１７の突き出し長さは０．８ｍｍであった。
【００５８】次に、研磨を施したキャピラリー部１７の
端面に、エポキシ接着剤を塗布し、光アイソレータ素子
１１を所定の位置に配置し、その後、エポキシ接着剤を
硬化させ、光アイソレータ素子１１をキャピラリー部１
７の端面に接着固定した。
端面に、エポキシ接着剤を塗布し、光アイソレータ素子
１１を所定の位置に配置し、その後、エポキシ接着剤を
硬化させ、光アイソレータ素子１１をキャピラリー部１
７の端面に接着固定した。
【００５９】次に、外径１．９ｍｍ、内径０．９０ｍ
ｍ、厚さ０．９５ｍｍのステンレスリング１８に、フェ
ルール１４のキャピラリー部１７を挿入してエポキシ接
着剤で接着固定した。
ｍ、厚さ０．９５ｍｍのステンレスリング１８に、フェ
ルール１４のキャピラリー部１７を挿入してエポキシ接
着剤で接着固定した。
【００６０】最後、ステンレスリング１８に、溝入円筒
状磁石１２をエポキシ接着剤で接着固定した。この際、
溝入円筒状磁石１２は、溝部１３の溝加工方向が光アイ
ソレータ素子１１を傾けた方向と一致するような位置に
固定されているため、光アイソレータ素子１１が溝入円
柱状磁石２１の内壁に接触することがない。
状磁石１２をエポキシ接着剤で接着固定した。この際、
溝入円筒状磁石１２は、溝部１３の溝加工方向が光アイ
ソレータ素子１１を傾けた方向と一致するような位置に
固定されているため、光アイソレータ素子１１が溝入円
柱状磁石２１の内壁に接触することがない。
【００６１】上記のような工程で作製された光アイソレ
ータ付き光ファイバ端子の光学特性を評価したところ、
アイソレ−ション及び挿入損失等の光学特性は、共に良
好であった。
ータ付き光ファイバ端子の光学特性を評価したところ、
アイソレ−ション及び挿入損失等の光学特性は、共に良
好であった。
【００６２】又、この光アイソレータ付き光ファイバ端
子の最大外径はフェルール１４の外径２．０ｍｍであ
り、通常用いられているフェルールの外径２．５ｍｍよ
り小さくなっている。従って、光アイソレ−タ付きでな
い単体の光ファイバ端子と全く同様に取り扱うことがで
きる。
子の最大外径はフェルール１４の外径２．０ｍｍであ
り、通常用いられているフェルールの外径２．５ｍｍよ
り小さくなっている。従って、光アイソレ−タ付きでな
い単体の光ファイバ端子と全く同様に取り扱うことがで
きる。
【００６３】尚、上記の光アイソレータ素子１１を、溝
加工を施していない従来の円筒状磁石の円筒内に６゜傾
けて斜め配置するためには、１．２ｍｍ以上の内径が必
要となるが、外径１．９ｍｍ、内径１．２ｍｍの円筒状
磁石を作製することは困難である。
加工を施していない従来の円筒状磁石の円筒内に６゜傾
けて斜め配置するためには、１．２ｍｍ以上の内径が必
要となるが、外径１．９ｍｍ、内径１．２ｍｍの円筒状
磁石を作製することは困難である。
【００６４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光アイソ
レータ及び光アイソレータ付き光ファイバ端子の小型化
を容易に実現することができる。
レータ及び光アイソレータ付き光ファイバ端子の小型化
を容易に実現することができる。
【００６５】又、光アイソレータ及び光アイソレータ付
き光ファイバ端子を小型化したときに、製造作業が著し
く困難になることもない。
き光ファイバ端子を小型化したときに、製造作業が著し
く困難になることもない。
【００６６】尚、本発明は、入射ビーム径が小さいた
め、小さい光アイソレータ素子を用いることができる光
アイソレータ付き光ファイバ端子の場合に、小型化及び
低価格化の点で最大の特徴を出すことができるが、光ア
イソレータ単体であっても、磁石の配置空間が小さくな
るので、同形状の光アイソレータ素子を用いた場合によ
り小型の光アイソレータを提供することができる。
め、小さい光アイソレータ素子を用いることができる光
アイソレータ付き光ファイバ端子の場合に、小型化及び
低価格化の点で最大の特徴を出すことができるが、光ア
イソレータ単体であっても、磁石の配置空間が小さくな
るので、同形状の光アイソレータ素子を用いた場合によ
り小型の光アイソレータを提供することができる。
【００６７】又、本発明は、光アイソレータ付半導体レ
ーザモジュールの小型化、低価格化を実現にも有効とな
る。
ーザモジュールの小型化、低価格化を実現にも有効とな
る。
【図１】本発明にかかる溝入円柱状磁石を示した図面で
ある。
ある。
【図２】本発明にかかる溝入円柱状磁石と光アイソレー
タ素子の位置関係を示した図面である。
タ素子の位置関係を示した図面である。
【図３】本発明にかかる溝入円筒状磁石を示した図面で
ある。
ある。
【図４】本発明にかかる溝入円筒状磁石と光アイソレー
タ素子の位置関係を示した図面である。
タ素子の位置関係を示した図面である。
【図５】本発明にかかる光アイソレータ付き光ファイバ
端子（構成例１）を示した図面である。
端子（構成例１）を示した図面である。
【図６】本発明にかかる光アイソレータ付き光ファイバ
端子（構成例２）を示した図面である。
端子（構成例２）を示した図面である。
【図７】本発明にかかる光アイソレータ（構成例３）を
示した図面である。
示した図面である。
【図８】本発明にかかる光アイソレータ付き光ファイバ
端子（構成例４）を示した図面である。
端子（構成例４）を示した図面である。
【図９】従来の光アイソレータ付き光ファイバ端子を示
した図面である。
した図面である。
１、３１ 円筒状磁石 １ａ、１２ 溝入円筒状磁石 ２、６、１３、２２、２４ 溝部 ４ 砥石 ５ 円柱状磁石 ５ａ、２１、２３、２５ 溝入円柱状磁石 ８、１１、３２ アイソレータ素子 １１ａ 偏光子 １１ｂ ファラデー回転子 １４、３４ フェルール １５、３３ 光ファイバ １７ キャピラリー部
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも１枚の偏光子と少なくとも１
枚のファラデ−回転子からなる光アイソレータ素子及
び、前記ファラデ−回転子に磁界を印加する永久磁石で
構成される光アイソレータに於いて、前記永久磁石が溝
部を有し、該溝部の溝内に、前記光アイソレータ素子の
少なくとも一部が配置されていることを特徴とする光ア
イソレータ。 - 【請求項２】 請求項１記載の光アイソレータにおい
て、上記永久磁石が、円柱形状の永久磁石に溝部を設け
たものであることを特徴とする光アイソレータ。 - 【請求項３】 請求項１記載の光アイソレータにおい
て、上記永久磁石が、円筒形状の永久磁石に溝部を設け
たものであり、該溝部の空間を利用することにより、上
記光アイソレータ素子を入射光に対して傾斜配置したこ
とを特徴とする光アイソレータ。 - 【請求項４】 光ファイバと、該光ファイバを保持する
フェルールと、少なくとも１枚の偏光子と少なくとも１
枚のファラデ−回転子からなる光アイソレータ素子及
び、前記ファラデ−回転子に磁界を印加する永久磁石で
構成される光アイソレータ付き光ファイバ端子に於い
て、前記永久磁石が溝部を有し、該溝部の溝内に、前記
光アイソレータ素子の少なくとも一部が配置されている
ことを特徴とする光アイソレータ付き光ファイバ端子。 - 【請求項５】 請求項４記載の光アイソレータ付き光フ
ァイバ端子において、上記永久磁石が、円柱形状の永久
磁石に溝部を設けたものであることを特徴とする光アイ
ソレータ付き光ファイバ端子。 - 【請求項６】 請求項４記載の光アイソレータ付き光フ
ァイバ端子において、上記永久磁石が、円柱形状の永久
磁石に溝部を設けたものであり、該溝部の空間を利用す
ることにより、上記光アイソレータ素子を入射光に対し
て傾斜配置したことを特徴とする光アイソレータ付き光
ファイバ端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9332093A JPH11167085A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 光アイソレータ及び光アイソレータ付き光ファイバ端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9332093A JPH11167085A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 光アイソレータ及び光アイソレータ付き光ファイバ端子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11167085A true JPH11167085A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18251071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9332093A Pending JPH11167085A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 光アイソレータ及び光アイソレータ付き光ファイバ端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11167085A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002082308A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Tokin Corp | ピグテール型光アイソレータおよびその製造方法 |
| JP2002156554A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Kyocera Corp | 光学部品付き光ファイバピグテイル |
| WO2003098324A1 (fr) * | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Fdk Corporation | Isolateur optique du type maintenu par ferrule et son procede de fabrication |
| US6906843B2 (en) | 2002-05-22 | 2005-06-14 | Fdk Corporation | Ferrule attachment type optical isolator, and manufacturing method thereof |
| WO2007069688A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | 光アイソレータ付きレセプタクルおよびその製造方法 |
| JP2011215571A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-10-27 | Kyocera Corp | 円筒型光学部品 |
| JP2017198776A (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | 信越化学工業株式会社 | 光アイソレータ |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP9332093A patent/JPH11167085A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002082308A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Tokin Corp | ピグテール型光アイソレータおよびその製造方法 |
| JP2002156554A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Kyocera Corp | 光学部品付き光ファイバピグテイル |
| WO2003098324A1 (fr) * | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Fdk Corporation | Isolateur optique du type maintenu par ferrule et son procede de fabrication |
| US6906843B2 (en) | 2002-05-22 | 2005-06-14 | Fdk Corporation | Ferrule attachment type optical isolator, and manufacturing method thereof |
| WO2007069688A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | 光アイソレータ付きレセプタクルおよびその製造方法 |
| US8388240B2 (en) | 2005-12-16 | 2013-03-05 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | Receptacle attached with optical isolator and method thereof |
| JP2011215571A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-10-27 | Kyocera Corp | 円筒型光学部品 |
| JP2017198776A (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | 信越化学工業株式会社 | 光アイソレータ |
| US11409144B2 (en) | 2016-04-26 | 2022-08-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator |
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