JPH11166903A - バイアホール検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ビルトアップ多層配線基板を製造する場合に、
絶縁層に形成されるバイアホールの検査に使用するバイ
アホール検査装置に関し、メッキ処理前のバイアホール
の底部の導電層の露出状態を精度高く検査できるように
する。 【解決手段】メッキ処理前のバイアホールを有するビル
トアップ多層配線基板３６を照明し、上方から被検査バ
イアホールのアナログ画像を取得し、これを二値化画像
に変換し、被検査バイアホールの二値化画像とテンプレ
ートとを重ね合わせて被検査バイアホールがバイアホー
ルであるか否かを判定し、バイアホールと判定した被検
査バイアホールの二値化画像に含まれるリングを構成す
る黒画素数の多少により銅層の露出部分が十分な正常な
バイアホールであるか否かを判定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ビルトアップ工法
により製造される多層配線基板、いわゆる、ビルトアッ
プ多層配線基板を製造する場合に、導電層上の絶縁層に
形成されるバイアホールの検査に使用されるバイアホー
ル検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１８はコア材の片面に多層配線層を形
成してなるビルトアップ多層配線基板の製造工程の一部
を示す概略的断端面図である。

【０００３】即ち、コア材の片面に多層配線層を形成し
てなるビルトアップ多層配線基板を製造する場合には、
まず、図１８（Ａ）に示すように、絶縁材からなるコア
材１の片面に配線層をなす銅層２及び絶縁層３を順に形
成する。

【０００４】次に、ホトリソグラフィ技術を用いて、図
１８（Ｂ）に示すように、絶縁層３の所定の部分にバイ
アホール４を形成し、続いて、図１８（Ｃ）に示すよう
に、無電解メッキ又は電解メッキにより、全面に銅層５
を形成する。

【０００５】次に、図１８（Ｄ）に示すように、全面に
レジスト層６を形成し、レジスト層６に対する露光、現
像を行い、図１８（Ｅ）に示すように、残存させるべき
銅層上にレジスト層７を残すようにする。

【０００６】次に、レジスト層７をマスクとして銅層５
のエッチングを行い、図１８（Ｆ）に示すように、銅層
２と接続された銅層８を残すようにする。このような工
程を繰り返すことによってビルトアップ多層配線基板を
形成することができる。

【０００７】ビルトアップ工法によれば、従来のドリル
加工による場合と異なり、きわめて小径のバイアホール
を形成することができるので、パターンの微細化を図る
ことができるが、重要なことは、バイアホールを介した
上下層の銅層の完全な接続である。

【０００８】図１９はバイアホールの形状例を示す概略
的断端面図である。図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はメ
ッキ処理前のバイアホールの形状例、図１９（Ｄ）、
（Ｅ）、（Ｆ）はメッキ処理後のバイアホールの形状例
を示しており、図１９中、１１はコア材、１２は下層の
銅層、１３は絶縁層、１４〜１６はバイアホール、１７
〜１９は上層の銅層である。

【０００９】図１９（Ａ）は正常なバイアホール１４が
形成されている場合を示しており、この場合には、メッ
キ処理を行うことにより、図１９（Ｄ）に示すように、
銅層１２に接続させた銅層１７を形成することができ
る。

【００１０】図１９（Ｂ）は銅層１２に達しない欠陥の
バイアホール１５が形成されている場合を示しており、
この場合には、メッキ処理を行っても、図１９（Ｅ）に
示すように、バイアホール１５の部分には銅層１２とは
接続しない銅層１８が形成されてしまう。

【００１１】図１９（Ｃ）は、銅層１２には達している
が、銅層１２の露出が不十分であるバイアホール１６が
形成されている場合を示しており、この場合には、メッ
キ処理を行うことにより、図１９（Ｆ）に示すように、
銅層１２には接続させることができるが、導通面積の小
さい「断線しかかり」の状態となってしまう銅層１９が
形成されてしまうことになる。

【００１２】ビルトアップ多層配線基板の信頼性を確保
するためには、図１９（Ｂ）に示すバイアホール１５の
みならず、図１９（Ｃ）に示すバイアホール１６も、欠
陥のバイアホールとして扱う必要があるが、従来では、
配線層をなす銅層を全て形成してから、電極間にプロー
ブを当てて導通試験を行うことによりバイアホールを検
査することが行われていた。

【００１３】しかし、このバイアホール検査方法によれ
ば、図１９（Ｂ）に示すようなバイアホール１５の存在
は検出することができるが、図１９（Ｃ）に示すような
上下銅層の「断線しかかり」状態を招くバイアホール１
６の存在は検出することができず、信頼性を確保するこ
とができないという問題点があった。

【００１４】また、このバイアホール検査方法によれ
ば、図１９（Ｂ）に示すようなバイアホール１５の存在
を検出することができたとしても、検査時には、既に銅
層１８が形成されているので、バイアホール１５及び銅
層１８を形成し直すということができず、歩留りの向上
を図ることができないという問題点があった。

【００１５】そこで、また、従来、バイアホール検査方
法として、図２０に示す光学装置を使用してメッキ処理
前のバイアホールを検査する方法が提案されている。

【００１６】図２０中、２４はメッキ処理前のバイアホ
ールを有する製造途中にあるビルトアップ多層配線基
板、２５は紫外光を発生する光源、２６は光源２５から
出力される紫外光２７をビルトアップ多層配線基板２４
に照射するビームスプリッタである。

【００１７】また、２８はレンズ、２９はビルトアップ
多層配線基板２４からの反射光に含まれる紫外光を遮断
し、ビルトアップ多層配線基板２４の表面の絶縁層から
発生する蛍光を通過させるフィルタ、３０はＣＣＤカメ
ラ、３１はＣＣＤカメラ３０から出力されるアナログ画
像信号を二値化画像に変換する二値化手段である。

【００１８】即ち、図２０に示す光学装置は、光源２５
から出力される紫外光２７をビームスプリッタ２６を介
してビルトアップ多層配線基板２４の表面に照射し、ビ
ルトアップ多層配線基板２４からの反射光をビームスプ
リッタ２６、レンズ２８及びフィルタ２９を介してＣＣ
Ｄカメラ３０に入光し、ＣＣＤカメラ３０によりビルト
アップ多層配線基板２４の表面のアナログ画像を取得
し、このアナログ画像を二値化変換した二値化画像を得
るとするものである。

【００１９】ここに、光源２５から出力される紫外光２
７をビームスプリッタ２６を介してビルトアップ多層配
線基板２４の表面に照射すると、絶縁層の部分では紫外
光が反射されると共に、紫外光よりも波長の長い蛍光を
発生し、銅層の部分は蛍光を発生せず、紫外光を反射す
ることになる。

【００２０】即ち、ビルトアップ多層配線基板２４から
の反射光のうち、絶縁層の部分からの反射光は紫外光と
蛍光とを含み、バイアホールの底部の露出された銅層か
らの反射光は紫外光のみとなる。

【００２１】図２１はビルトアップ多層配線基板２４か
らの反射光に含まれる紫外光の強度、蛍光の強度及びフ
ィルタ２９の透過特性を示す図であり、図２１中、３２
は反射紫外光の強度、３３は蛍光の強度、３４はフィル
タ２９の透過特性を示している。

【００２２】したがって、図２０に示す光学装置によれ
ば、ビルトアップ多層配線基板２４からの反射光のう
ち、蛍光成分だけをＣＣＤカメラ３０で検出し、絶縁層
の部分を「明」、バイアホールの底部の銅層の露出部分
を「暗」とするアナログ画像を取得することができる。

【００２３】したがって、また、ＣＣＤカメラ３０によ
り得られるアナログ画像を二値化手段３１により二値化
する場合には、絶縁層の部分を白画像、バイアホールの
底部の銅層の露出部分を黒画像とする二値化画像を取得
することができるので、バイアホールの底部の銅層の露
出部分を示す黒画像の画素数を計数することにより、バ
イアホールの底部の銅層の露出状態を検査し、バイアホ
ールの良否を判定することができる。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】図２２は図２０に示す
光学装置を使用する従来のバイアホール検査方法が有す
る問題点を説明するための図であり、図２２（Ａ）は図
１９（Ａ）に示したのと同様のメッキ処理前のバイアホ
ールの形状例を示す概略的断端面図、図２２（Ｄ）は図
２２（Ａ）に示すバイアホール１４のアナログ画像を示
す概略的平面図、図２２（Ｇ）は図２２（Ｄ）のＸ−Ｘ
線に沿った輝度を示す図である。

【００２５】また、図２２（Ｂ）は図１９（Ｂ）に示し
たのと同様のメッキ処理前のバイアホールの形状例を示
す概略的断端面図、図２２（Ｅ）は図２２（Ｂ）に示す
バイアホール１５のアナログ画像を示す概略的平面図、
図２２（Ｈ）は図２２（Ｅ）のＸ−Ｘ線に沿った輝度を
示す図である。

【００２６】また、図２２（Ｃ）は図１９（Ｃ）に示し
たのと同様のメッキ処理前のバイアホールの形状例を示
す概略的断端面図、図２２（Ｆ）は図２２（Ｃ）に示す
バイアホール１６のアナログ画像を示す概略的平面図、
図２２（Ｉ）は図２２（Ｆ）のＸ−Ｘ線に沿った輝度を
示す図である。

【００２７】ここに、例えば、図２２（Ａ）に示すよう
に、正常なバイアホール１４が形成されている場合に
は、図２２（Ｄ）に示すように、絶縁層１３の部分を
「明」、バイアホール１４の部分を「暗」とするアナロ
グ画像を得ることができ、これを二値化する場合には、
絶縁層１３の部分を白画像、バイアホール１４の部分を
黒画像とする二値化画像を得ることができるので、バイ
アホール１４は、正常なバイアホールであると判定する
ことができる。

【００２８】また、図２２（Ｂ）に示すように、銅層１
２に達しないバイアホール１５が形成されている場合に
は、図２２（Ｅ）に示すように、絶縁層１３の部分を
「明」、バイアホール１４の部分を「やや暗」とするア
ナログ画像を得ることができ、これを二値化する場合に
は、絶縁層１３の部分を白画像、バイアホール１５の部
分も白画像とする二値化画像を得ることができるので、
バイアホール１５は欠陥のバイアホールであると判定す
ることができる。

【００２９】これに対して、図２２（Ｃ）に示すよう
に、銅層１２には達しているが、銅層１２の露出が不十
分であるバイアホール１６が形成されている場合には、
バイアホール１６内の絶縁層の残渣は薄くなっているの
で、図２２（Ｆ）に示すように、絶縁層１３の部分を
「明」、バイアホール１６の部分を「ほぼ暗」とするア
ナログ画像を得てしまい、これを二値化する場合には、
絶縁層１３の部分を白画像、バイアホール１６の部分を
黒画像とする二値化画像を得てしまうことになるため、
欠陥とすべきバイアホール１６を正常なバイアホールで
あると判定してしまうことになる。

【００３０】このように、図２０に示す光学装置を使用
する従来のバイアホール検査方法によれば、図２２
（Ｂ）に示すように、上下層の銅層が完全に非導通状態
となってしまうようなバイアホール１５については、メ
ッキ処理前に検出することができるので、欠陥のバイア
ホールがこのようなバイアホールのみである場合には、
絶縁層１３及びバイアホール１５を形成し直すことがで
きるので、歩留りの向上を図ることができるが、図２２
（Ｃ）に示すように、上下層の銅層が「断線しかかり」
となってしまうようなバイアホール１６は検出すること
ができないという問題点があった。

【００３１】また、前述したように、ビルトアップ多層
配線基板を製造する場合に重要なことは、バイアホール
を介した上下層の銅層の完全な接続であるが、これを達
成するためには、バイアホールの底部の銅層の露出が十
分であるか否かを検査する必要があるのみならず、バイ
アホールの銅層に対する位置ずれを検査する必要があ
る。

【００３２】本発明は、かかる点に鑑み、メッキ処理前
のバイアホールの底部の導電層の露出状態を精度高く検
査することができるようにしたバイアホール検査装置を
提供することを第１の目的とし、メッキ処理前のバイア
ホールの導電層に対する位置の良否を精度高く検査する
ことができるようにしたバイアホール検査装置を提供す
ることを第２の目的とする。

【００３３】

【課題を解決するための手段】本発明中、第１の発明
（請求項１記載のバイアホール検査装置）は、導電層上
の絶縁層に形成されたバイアホールの底部の導電層の露
出状態を検査するバイアホール検査装置であって、被検
査バイアホール内の絶縁層の残渣の画像を取得すること
ができる画像取得手段と、この画像取得手段により取得
された被検査バイアホール内の絶縁層の残渣の画像を使
用して被検査バイアホールの底部の導電層の露出状態を
判断し、被検査バイアホールの良否を判定する良否判定
手段とを備えているというものである。

【００３４】本発明中、第１の発明によれば、被検査バ
イアホール内の絶縁層の残渣の画像を取得することがで
きる画像取得手段を備えているので、導電層の露出を妨
げている絶縁層の残渣の画像や、導電層の露出を不十分
としている絶縁層の残渣の画像を取得することができ
る。

【００３５】そして、画像取得手段により取得された絶
縁層の残渣の画像を使用して被検査バイアホールの底部
の導電層の露出状態を判断し、被検査バイアホールの良
否を判定する良否判定手段を備えているので、導電層の
露出を妨げている絶縁層の残渣が存在している被検査バ
イアホールのみならず、導電層の露出を不十分としてい
る絶縁層の残渣が存在している被検査バイアホールを欠
陥のバイアホールと判定することができる。

【００３６】本発明中、第２の発明（請求項２記載のバ
イアホール検査装置）は、第１の発明において、画像取
得手段は、被検査バイアホールを照明する照明手段と、
被検査バイアホールを上方から撮像して被検査バイアホ
ールのアナログ画像を取得するアナログ画像取得手段
と、このアナログ画像取得手段により取得された被検査
バイアホールのアナログ画像を二値化画像に変換する二
値化手段とを備えて構成されているというものである。

【００３７】本発明中、第３の発明（請求項３記載のバ
イアホール検査装置）は、第２の発明において、良否判
定手段は、二値化手段により得られる被検査バイアホー
ルの二値化画像を所定のテンプレートと比較して被検査
バイアホールがバイアホールであるか否かを判定し、被
検査バイアホールをバイアホールと判定した場合には、
被検査バイアホールの二値化画像の一部を構成するリン
グの面積又はリングに囲まれた部分の面積から被検査バ
イアホールの底部の導電層の露出状態を判断するように
構成されているというものである。

【００３８】本発明中、第３の発明によれば、リングの
面積が所定の面積よりも小さい場合又はリングに囲まれ
た部分の面積が所定の面積よりも大きい場合には、被検
査バイアホールの底部の絶縁層の残渣は少なく、導電層
の露出は十分であり、被検査バイアホールは、正常なバ
イアホールであると判定することができる。

【００３９】これに対して、リングの面積が所定の面積
よりも大きい場合又はリングに囲まれた部分の面積が所
定の面積よりも小さい場合には、被検査バイアホールの
底部の絶縁層の残渣は多く、導電層の露出は不十分であ
り、被検査バイアホールは、不良なバイアホールである
と判定することができる。

【００４０】本発明中、第４の発明（請求項４記載のバ
イアホール検査装置）は、第２の発明において、良否判
定手段は、被検査バイアホールの二値化画像の一部を構
成するリングに囲まれた部分の放射方向の測長を行い、
リングに囲まれた部分の放射方向の測長値から、被検査
バイアホールの底部の導電層の露出状態を判断するよう
に構成されているというものである。

【００４１】本発明中、第４の発明によれば、放射方向
の各測長値が所定の値以上の場合には、被検査バイアホ
ールの底部の絶縁層の残渣は少なく、導電層の露出は十
分であり、被検査バイアホールは、正常なバイアホール
であると判定することができる。

【００４２】これに対して、放射方向の測長値の中に所
定の値以下の測長値が存在する場合には、被検査バイア
ホールの底部の絶縁層の残渣は多く、導電層の露出は不
十分であり、被検査バイアホールは、不良なバイアホー
ルであると判定することができる。

【００４３】本発明中、第５の発明（請求項５記載のバ
イアホール検査装置）は、第１、第２、第３又は第４の
発明において、良否判定手段は、導電層上の絶縁層に形
成されるべきバイアホールのアドレスを登録するアドレ
ス登録部を有し、被検査バイアホールのアドレスがアド
レス登録部に登録されているアドレスか否かを判定し、
被検査バイアホールが過剰なバイアホールであるか否か
を含めて被検査バイアホールの良否を判定するように構
成されているというものである。

【００４４】本発明中、第６の発明（請求項６記載のバ
イアホール検査装置）は、導電層上の絶縁層に形成され
たバイアホールの導電層に対する位置ずれを検査するバ
イアホール検査装置であって、被検査バイアホールの画
像と他の部分の画像とが輝度を異にする第１の二値化画
像を取得する第１の二値化画像取得手段と、導電層の画
像と他の部分の画像とが輝度を異にする第２の二値化画
像を取得する第２の二値化画像取得手段と、第１の二値
化画像又は第１の二値化画像を拡大した第３の二値化画
像と第２の二値化画像とを画像処理し、被検査バイアホ
ールの画像のうち、導電層の画像と重なり合わない部分
の画像と、他の部分の画像とが輝度を異にする第４の二
値化画像を生成する画像処理手段とを備えているという
ものである。

【００４５】本発明中、第６の発明によれば、導電層と
重なり合わない被検査バイアホールの画像と他の部分の
画像とが輝度を異にする第４の二値化画像信号を取得す
ることができるので、導電層の画像と重なり合わない被
検査バイアホールの画像の大きさを計測することによ
り、導電層に対するバイアホールの位置ずれを検査する
ことができる。

【００４６】本発明中、第７の発明（請求項７記載のバ
イアホール検査装置）は、第６の発明において、被検査
バイアホールが形成されている面に青色光を照明する第
１の照明手段と、被検査バイアホールが形成されている
面に赤色光を照明する第２の照明手段と、被検査バイア
ホールが形成されている面の上方から撮像してアナログ
画像を取得するアナログ画像取得手段と、アナログ画像
取得手段により取得されたアナログ画像を二値化画像に
変換する二値化手段とを備え、第１の二値化画像取得手
段は、第１の照明手段と、アナログ画像取得手段と、二
値化手段とを含めて構成され、第２の二値化画像取得手
段は、第２の照明手段と、アナログ画像取得手段と、二
値化手段とを含めて構成されているというものである。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図１７を参照して、
本発明の第１実施形態〜第４実施形態について説明す
る。

【００４８】第１実施形態・・図１〜図７ 図１は本発明の第１実施形態の概念図である。図１中、
３６はメッキ処理前のバイアホールを有する製造途中に
あるビルトアップ多層配線基板、３７は光源、３８は光
源３７から出力される光３９をビルトアップ多層配線基
板３６に照射するためのビームスプリッタである。

【００４９】また、４０はレンズ、４１はビルトアップ
多層配線基板３６からの反射光を入光してビルトアップ
多層配線基板３６の表面を撮像して被検査バイアホール
のアナログ画像を取得するアナログ画像取得手段をなす
ＣＣＤカメラである。

【００５０】また、４２はＣＣＤカメラ４１から出力さ
れる被検査バイアホールのアナログ画像信号を二値化画
像信号に変換して二値化画像を取得するための二値化手
段、４３は二値化手段４２により得られる被検査バイア
ホールの二値化画像を記憶する記憶手段である。

【００５１】なお、本発明の第１実施形態においては、
光源３７と、ビームスプリッタ３８と、レンズ４０と、
ＣＣＤカメラ４１と、二値化手段４２と、記憶手段４３
とで、被検査バイアホール内の絶縁層の残渣の画像を取
得する画像取得手段が構成されている。

【００５２】また、４４は記憶手段４３に記憶された被
検査バイアホールの二値化画像から被検査バイアホール
内の絶縁層の残渣の状態、即ち、被検査バイアホールの
底部の銅層の露出状態を判断し、被検査バイアホールの
良否を判定する良否判定手段である。

【００５３】また、良否判定手段４４において、４５は
被検査バイアホールがバイアホールであるか否かを判断
するためのテンプレート（マッチングデータ）を格納す
るテンプレート格納部である。

【００５４】図２はテンプレート格納部４５に格納され
ているテンプレートを示す平面図であり、テンプレート
格納部４５に格納されているテンプレートは、１７×１
７個の画素を有する画面に、背景を白画素とする３６個
の黒画素からなるリング４７を表示する画像、即ち、正
常なバイアホールの二値化画像をデータ化したものであ
る。

【００５５】また、図１において、４９は記憶手段４３
に記憶された被検査バイアホールの二値化画像とテンプ
レートとを重ね合わせた場合の被検査バイアホールの二
値化画像とテンプレートとのマッチング状態、及び、被
検査バイアホールの二値化画像が有する黒画素数から判
断して、絶縁層の残渣の状態、即ち、銅層の露出状態を
判断し、被検査バイアホールの良否を判定する良否判定
部である。

【００５６】ここに、良否判定部４９は、記憶手段４３
に記憶された被検査バイアホールの二値化画像とテンプ
レートとを重ね合わせて、被検査バイアホールの二値化
画像の中の黒画素の３０個以上がテンプレートの黒画素
にヒット（マッチング）する場合には、二値化画像とさ
れている被検査バイアホールをバイアホールと判定し、
更に、バイアホールと判定した被検査バイアホールの二
値化画像が有する黒画素数が１２０個以下の場合には、
被検査バイアホールは、絶縁層の残渣が少ない、銅層の
露出が十分である正常なバイアホールとして判定する。

【００５７】このように構成された本発明の第１実施形
態においては、光源３７から出力される光３９は、ビー
ムスプリッタ３８を介して、ビルトアップ多層配線基板
３６の表面に上方から垂直に照射され、ビルトアップ多
層配線基板３６からの反射光は、ビームスプリッタ３８
及びレンズ４０を介してＣＣＤカメラ４１に入光し、Ｃ
ＣＤカメラ４１により被検査バイアホールのアナログ画
像が取得される。

【００５８】そして、ＣＣＤカメラ４１により得られた
被検査バイアホールのアナログ画像は、二値化手段４２
により二値化画像とされて記憶手段４３に記憶され、更
に、良否判定手段４４において、記憶手段４３に記憶さ
れた被検査バイアホールの二値化画像とテンプレートと
の重ね合わせが行われ、被検査バイアホールの良否が判
定される。

【００５９】図３はビルトアップ多層配線基板３６に上
方から垂直に光を照射した場合における入射光と反射光
との関係を示す概略的断端面図であり、図３中、５１は
コア材、５２は銅層、５３は絶縁層、５４はバイアホー
ル、５５〜５９は上方からの入射光線の一部を示してい
る。

【００６０】即ち、入射光線５５、５７、５９は、反射
面が水平であることから、上方に正反射し、ＣＣＤカメ
ラ４１に入光するが、入射光線５６、５８は、反射面が
斜めであるため、斜め方向に反射してしまい、ＣＣＤカ
メラ４１には入光しないことになる。

【００６１】したがって、ＣＣＤカメラ４１によりバイ
アホール５４を含む面を撮像すると、図４に示すよう
に、バイアホール５４内の絶縁層５３の残渣の部分を
「暗」のリング６１、その他の部分を「明」とするアナ
ログ画像を得ることができる。

【００６２】図５はビルトアップ多層配線基板３６に形
成されているバイアホールの形状例とＣＣＤカメラ４１
により得られるアナログ画像との関係を示す図であり、
図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はバイアホールの形状例、
図５（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）はアナログ画像を示してい
る。

【００６３】図５（Ａ）に示すように、正常なバイアホ
ール６３が形成されている場合には、バイアホール６３
の側面の傾斜は急峻となっているので、図５（Ｄ）に示
すように、バイアホール６３内の絶縁層５３の残渣の部
分を、輝度を「暗」とし、幅を小とするリング６４と
し、その他の部分を「明」とするアナログ画像を得るこ
とができる。

【００６４】また、図５（Ｂ）に示すように、内部に幅
の大きい絶縁層５３の残渣が存在する欠陥のバイアホー
ル６５が形成されている場合には、図５（Ｅ）に示すよ
うに、バイアホール６５内の絶縁層５３の残渣の部分
を、輝度を「暗」とし、幅を大とするリング６６、その
他の部分を「明」とするアナログ画像を得ることができ
る。

【００６５】また、図５（Ｃ）に示すように、銅層５２
の露出面を小さくする不規則な絶縁層５３の残渣が存在
している欠陥のバイアホール６７が形成されている場合
には、図５（Ｆ）に示すように、バイアホール６７内の
絶縁層５３の残渣の部分を、輝度を「暗」とし、幅を不
規則とするリング６８、その他の部分を「明」とするア
ナログ画像を得ることができる。

【００６６】図６は記憶手段４３に記憶された被検査バ
イアホールの二値化画像の例を示す平面図であり、図６
（Ａ）は図５（Ａ）に示すバイアホール６３の二値化画
像、図６（Ｂ）は図５（Ｂ）に示すバイアホール６５の
二値化画像、図６（Ｃ）は図５（Ｃ）に示すバイアホー
ル６７の二値化画像を示している。

【００６７】また、図７は図６に示す二値化画像とテン
プレート格納部４５に格納されているテンプレートとを
重ね合わせた状態を示す平面図であり、図７中、灰色か
らなる画像がテンプレートの画像を示している。

【００６８】ここに、図７（Ａ）は図６（Ａ）に示す二
値化画像とテンプレートとを重ね合わせた状態、図７
（Ｂ）は図６（Ｂ）に示す二値化画像とテンプレートと
を重ね合わせた状態、図７（Ｃ）は図６（Ｃ）に示す二
値化画像とテンプレートとを重ね合わせた状態を示して
いる。

【００６９】図７（Ａ）に示す場合には、図６（Ａ）に
示す二値化画像における黒画素のうち、３６個がテンプ
レートの黒画素にヒットしているので、図６（Ａ）に示
す二値化画像における黒画素からなるリング７０はバイ
アホールの画像と判定され、かつ、リング７０を構成す
る黒画素の数は１０８個であり、１２０個以下であるの
で、図５（Ａ）に示すバイアホール６３は、正常のバイ
アホールと判定されることになる。

【００７０】これに対して、図７（Ｂ）に示す場合に
は、図６（Ｂ）に示す二値化画像における黒画素のう
ち、３６個がテンプレートの黒画素にヒットしているの
で、図６（Ｂ）に示す二値化画像における黒画素からな
るリング７１はバイアホールの画像と判定されるが、リ
ング７１を構成する黒画素の数は１６４個であり、１２
０個を越えているので、図５（Ｂ）に示すバイアホール
６５は欠陥のバイアホールと判定されることになる。

【００７１】また、図７（Ｃ）に示す場合には、図６
（Ｃ）に示す二値化画像における黒画素のうち、３６個
がテンプレートの黒画素にヒットしているので、図６
（Ｃ）に示す二値化画像における黒画素からなるリング
７２はバイアホールの画像と判定されるが、リング７２
を構成する黒画素の数は１３２個であり、１２０個を越
えているので、図５（Ｃ）に示すバイアホール６７は欠
陥のバイアホールと判定されることになる。

【００７２】このように、本発明の第１実施形態によれ
ば、ビルトアップ多層配線基板３６に絶縁層及び露出さ
れた銅層で反射するような照明を行い、ビルトアップ多
層配線基板３６の上方に反射する光による被検査バイア
ホールのアナログ画像を取得し、このアナログ画像を二
値化画像に変換するようにしているので、被検査バイア
ホール内の絶縁層の残渣の厚さに依存せずに被検査バイ
アホール内の絶縁層の残渣を黒画素として検知すること
ができるので、銅層の露出を妨げている絶縁層の残渣の
みならず、銅層の露出を不十分としている絶縁層の残渣
を検知することができる。

【００７３】そして、被検査バイアホールの二値化画像
とテンプレートとを重ね合わせて、被検査バイアホール
がバイアホールであるか否かを判定し、更に、バイアホ
ールと判定した被検査バイアホールの二値化画像が有す
る黒画素数が一定数以下の場合には、絶縁層の残渣の少
ない、銅層の露出が十分である正常なバイアホールとし
て判定するとしているので、銅層の露出を妨げている絶
縁層の残渣が存在しているバイアホールのみならず、銅
層の露出を不十分としている絶縁層の残渣が存在し、
「断線しかかり」となる蓋然性の高いバイアホールを欠
陥のバイアホールと判定することができる。

【００７４】したがって、本発明の第１実施形態によれ
ば、製造途中にあるビルトアップ多層配線基板３６に形
成されたメッキ処理前のバイアホールについて、底部の
銅層の露出状態を精度高く検査することができる。

【００７５】なお、本発明の第１実施形態においては、
被検査バイアホールの二値化画像の中のリングを構成す
る黒画素の数を計数することにより、被検査バイアホー
ルの良否判定を行うようにしているが、リングに囲まれ
ている部分の白画素数を計数し、例えば、白画素数が５
０個以上の場合を銅層の露出が十分である正常なバイア
ホールと判定するようにしても良い。

【００７６】このようにすると、図６（Ａ）に示す場合
には、リング７０に囲まれている部分の白画素数は６９
個であり、５０個以上であるので、図５（Ａ）に示すバ
イアホール６３は正常のバイアホールと判定されること
になる。

【００７７】これに対して、図６（Ｂ）に示す場合に
は、リング７１に囲まれている部分の白画素数は１３個
であり、５０個未満であるので、図５（Ｂ）に示すバイ
アホール６５は欠陥のバイアホールと判定されることに
なる。

【００７８】また、図６（Ｃ）に示す場合には、リング
７２に囲まれている部分の白画素数は４５個であり、５
０個未満であるので、図５（Ｃ）に示すバイアホール６
７は欠陥のバイアホールと判定されることになる。

【００７９】第２実施形態・・図８〜図１０ 図８は本発明の第２実施形態の概念図であり、本発明の
第２実施形態は、図１に示す本発明の第１実施形態が備
える良否判定手段４４と構成を異にする良否判定手段７
５を設け、その他については、本発明の第１実施形態と
同様に構成したものである。

【００８０】良否判定手段７５において、７６は従来周
知の放射状測長センサを備え、記憶手段４３に記憶され
ている被検査バイアホールの二値化画像について放射状
の測長を行う測長部である。

【００８１】図９は測長部７６が備える放射状測長セン
サの概念図であり、図９中、７８は中心センサ、７９は
中心センサ７８が検出した画素と同一輝度の０°方向の
画素数を０°方向の測長値として検出する０°方向セン
サ部、８０は中心センサ７８が検出した画素と同一輝度
の４５°方向の画素数を４５°方向の測長値として検出
する４５°方向センサ部である。

【００８２】また、８１は中心センサ７８が検出した画
素と同一輝度の９０°方向の画素数を９０°方向の測長
値として検出する９０°方向センサ部、８２は中心セン
サ７８が検出した画素と同一輝度の１３５°方向の画素
数を１３５°方向の測長値として検出する１３５°方向
センサ部である。

【００８３】また、８３は中心センサ７８が検出した画
素と同一輝度の１８０°方向の画素数を１８０°方向の
測長値として検出する１８０°方向センサ部、８４は中
心センサ７８が検出した画素と同一輝度の２２５°方向
の画素数を２２５°方向の測長値として検出する２２５
°方向センサ部である。

【００８４】また、８５は中心センサ７８が検出した画
素と同一輝度の２７０°方向の画素数を２７０°方向の
測長値として検出する２７０°方向センサ部、８６は中
心センサ７８が検出した画素と同一輝度の３１５°方向
の画素数を３１５°方向の測長値として検出する３１５
°方向センサ部である。

【００８５】また、図８において、８８は被検査バイア
ホールの二値化画像に含まれる黒画素からなるリング内
の白画像の中心を検出する中心検出部、８９は被検査バ
イアホールの二値化画像に含まれる黒画素からなるリン
グ内の白画像の中心からの８方向の測長値の組み合わせ
から、リング内の白画像の形状をラジアルコードと呼ば
れる１６ビットのコードにコード化するラジアルコード
化部である。

【００８６】また、９０はラジアルコード化部８９から
出力されるラジアルコードの値から被検査バイアホール
内の絶縁層の残渣の状態、即ち、被検査バイアホールの
底部の銅層の露出状態を判断し、被検査バイアホールの
良否を判定する良否判定部である。

【００８７】このように構成された本発明の第２実施形
態においては、光源３７から出力される光３９は、ビー
ムスプリッタ３８を介して、ビルトアップ多層配線基板
３６の表面に上方から垂直に照射され、ビルトアップ多
層配線基板３６からの反射光は、ビームスプリッタ３８
及びレンズ４０を介してＣＣＤカメラ４１に入光し、Ｃ
ＣＤカメラ４１により被検査バイアホールのアナログ画
像が取得される。

【００８８】そして、ＣＣＤカメラ４１により得られた
被検査バイアホールのアナログ画像は、二値化手段４２
により二値化画像とされて記憶手段４３に記憶され、更
に、良否判定手段７５において、記憶手段４３に記憶さ
れている被検査バイアホールの二値化画像について放射
状の測長が行われ、被検査バイアホールの良否が判定さ
れる。

【００８９】図１０は良否判定部９０の動作を説明する
ための平面図であり、図１０（Ａ）は図５（Ａ）に示す
バイアホール６３の二値化画像、図１０（Ｂ）は図５
（Ｂ）に示すバイアホール６５の二値化画像、図５
（Ｃ）は図１０（Ｃ）に示すバイアホール６７の二値化
画像を概略的に示している。

【００９０】図１０（Ａ）において、９２は絶縁層５３
の残渣を示すリング７０に囲まれている部分の中心であ
り、この場合には、０°−１８０°方向、４５°−２２
５°方向、９０°−２７０°方向及び１３５°−３１５
°方向の各測長値は正常値を示すことになるので、図５
（Ａ）に示すバイアホール６３は、銅層５２の露出が十
分であるとして、正常なバイアホールと判定されること
になる。

【００９１】また、図１０（Ｂ）において、９３は絶縁
層５３の残渣を示すリング７１に囲まれている部分の中
心であり、この場合には、０°−１８０°方向、４５°
−２２５°方向、９０°−２７０°方向及び１３５°−
３１５°方向の各測長値は正常値よりも小さい値を示す
ことになるので、図５（Ｂ）に示すバイアホール６５
は、銅層５２の露出が不十分であるとして、欠陥のバイ
アホールと判定されることになる。

【００９２】また、図１０（Ｃ）において、９４は絶縁
層５３の残渣を示すリング７２に囲まれている部分の中
心であり、この場合には、４５°−２２５°方向、９０
°−２７０°方向及び１３５°−３１５°方向の各測長
値は正常値を示すが、０°−１８０°方向の測長値は正
常値よりも小さい値を示すことになるので、図５（Ｃ）
に示す被検査バイアホール６７は、銅層５２の露出が不
十分であるとして、欠陥のバイアホールと判定されるこ
とになる。

【００９３】本発明の第２実施形態によれば、本発明の
第１実施形態と同様に、ビルトアップ多層配線基板３６
に絶縁層及び露出された銅層で反射するような照明を行
い、ビルトアップ多層配線基板３６の上方に反射する光
による被検査バイアホールのアナログ画像を取得し、こ
のアナログ画像を二値化画像に変換するようにしている
ので、被検査バイアホール内の絶縁層の残渣の厚さに依
存せずに被検査バイアホール内の絶縁層の残渣を黒画像
として検知することができるので、銅層の露出を妨げて
いる絶縁層の残渣のみならず、銅層の露出を不十分とし
ている絶縁層の残渣を検知することができる。

【００９４】そして、被検査バイアホールの二値化画像
に含まれる絶縁層の残渣を示すリングに囲まれた部分の
放射状の測長を行うことにより、銅層の露出部分の形状
を判定するとしているので、銅層の露出を妨げている絶
縁層の残渣が存在しているバイアホールのみならず、銅
層の露出を不十分としている絶縁層の残渣が存在し、
「断線しかかり」となる蓋然性の高いバイアホールを欠
陥のバイアホールと判定することができる。

【００９５】したがって、本発明の第２実施形態によれ
ば、製造途中にあるビルトアップ多層配線基板３６に形
成されたメッキ処理前のバイアホールについて、底部の
銅層の露出状態を精度高く検査することができる。

【００９６】第３実施形態・・図１１、図１２ 図１１は本発明の第３実施形態の概念図であり、本発明
の第３実施形態は、図１に示す本発明の第１実施形態が
備える良否判定手段４４と構成の異なる良否判定手段９
６を設け、その他については、本発明の第１実施形態と
同様に構成したものである。

【００９７】良否判定手段９６は、良否判定手段４４が
備える良否判定部４９と機能が異なる良否判定部９７を
設けると共に、ビルトアップ多層配線基板３６に形成す
べきバイアホールのアドレスを登録するアドレス登録部
９８とを設け、その他については、良否判定手段４４と
同様に構成したものである。

【００９８】良否判定部９７は、被検査バイアホールの
二値化画像がテンプレート格納部４５に格納されている
テンプレートとマッチングするか否かを判断した後、テ
ンプレートとマッチングした被検査バイアホールのアド
レスがアドレス登録部９８に登録されているアドレスで
あるか否かを判断し、被検査バイアホールのアドレスが
アドレス登録部９８に登録されている場合には、欠落欠
陥であるか否かを判定し、被検査バイアホールのアドレ
スがアドレス登録部９８に登録されていない場合には、
過剰欠陥であるか否かを判定するものである。

【００９９】図１２は良否判定部９７の動作を示すフロ
ーチャートであり、良否判定部９７においては、被検査
バイアホールの二値化画像がテンプレートとマッチング
すると（ステップＳ１）、被検査バイアホールのビルト
アップ多層配線基板３６上のアドレスがアドレス登録部
９８に登録されているか否かを判断する（ステップＳ
２）。

【０１００】そして、被検査バイアホールのビルトアッ
プ多層配線基板３６上のアドレスがアドレス登録部９８
に登録されている場合には、本発明の第１実施形態の場
合と同様に、被検査バイアホールの二値化画像に含まれ
るリングを構成する黒画素数を計数して、黒画素数が１
２０個以下か否かを判断する（ステップＳ３）。

【０１０１】そして、リングを構成する黒画素数が１２
０個以下の場合には、被検査バイアホールは、絶縁層の
残渣が少なく、銅層の露出が十分である正常なバイアホ
ールとみることができるので、正常と判定し（ステップ
Ｓ４）、黒画素数が１２０個を越える場合には、被検査
バイアホールは、絶縁層の残渣が多く、銅層が露出され
ていないか、あるいは、銅層の露出が不十分とみること
ができるので、欠落欠陥と判定する（ステップＳ５）。

【０１０２】これに対して、被検査バイアホールのビル
トアップ多層配線基板３６上のアドレスがアドレス登録
部９８に登録されていない場合においても、本発明の第
１実施形態の場合と同様に、被検査バイアホールの二値
化画像に含まれるリングを構成する黒画素数を計数し
て、黒画素数が１２０個以下か否かを判断する（ステッ
プＳ６）。

【０１０３】そして、リングを構成する黒画素数が１２
０個以下の場合には、被検査バイアホールは、過剰のバ
イアホールとみることができるので、過剰欠陥と判定し
（ステップＳ７）、黒画素数が１２０個を越える場合に
は、過剰欠陥ではなく、正常であると判定する（ステッ
プＳ８）。

【０１０４】このように構成された本発明の第３実施形
態においては、光源３７から出力される光３９は、ビー
ムスプリッタ３８を介して、ビルトアップ多層配線基板
３６の表面に上方から垂直に照射され、ビルトアップ多
層配線基板３６からの反射光は、ビームスプリッタ３８
及びレンズ４０を介してＣＣＤカメラ４１に入光し、Ｃ
ＣＤカメラ４１により被検査バイアホールのアナログ画
像が取得される。

【０１０５】そして、ＣＣＤカメラ４１により得られた
被検査バイアホールのアナログ画像は、二値化手段４２
により二値化画像とされて記憶手段４３に記憶され、更
に、良否判定部９７において、記憶手段４３に記憶され
た被検査バイアホールの二値化画像とテンプレートとの
重ね合わせ、及び、アドレス登録部９８の参照が行わ
れ、被検査バイアホールが過剰なバイアホールであるか
否かを含めて被検査バイアホールの良否が判定される。

【０１０６】したがって、本発明の第３実施形態によれ
ば、本発明の第１実施形態と同様に、製造途中にあるビ
ルトアップ多層配線基板３６に形成されたメッキ処理前
のバイアホールについて、底部の銅層の露出状態を精度
高く検査することができると共に、過剰なバイアホール
を検出することができる。

【０１０７】なお、本発明の第３実施形態が備えるアド
レス登録部９８を図８に示す本発明の第２実施形態に備
えさせ、良否判定部９０で被検査バイアホールが過剰な
バイアホールであるか否かを判定させるように構成する
こともできる。

【０１０８】また、本発明の第１実施形態〜第３実施形
態においては、ビルトアップ多層配線基板３６に対して
垂直に照明するようにしているが、照明角度は、垂直方
向である必要はなく、特に、絶縁層や銅層に凹凸がある
場合には、斜め方向から照明する方が凹凸の影響を受け
ないので効果的である。

【０１０９】第４実施形態・・図１３〜図１７ 図１３は本発明の第４実施形態の概念図である。図１３
中、１００はメッキ処理前のバイアホールを有する製造
途中にあるビルトアップ多層配線基板、１０１は青色光
を出力する青色光源である。

【０１１０】また、１０２は青色光源１０１から出力さ
れる青色光をビルトアップ多層配線基板１００に上方か
ら照射させるためのビームスプリッタ、１０３、１０４
は赤色光をビルトアップ多層配線基板１００に対して斜
め上方から照射する赤色光源である。

【０１１１】また、１０５はレンズ、１０６はビルトア
ップ多層配線基板１００からの反射光を入光してビルト
アップ多層配線基板１００を撮像してアナログ画像を取
得するＣＣＤカメラ、１０７はＣＣＤカメラ１０６から
出力されるアナログ画像信号を二値化画像信号に変換し
て二値化画像を取得するための二値化手段である。

【０１１２】また、１０８は二値化手段１０７により得
られる二値化画像のうち、青色光源１０１による二値化
画像を記憶する記憶手段、１０９は記憶手段１０８に記
憶された二値化画像の外枠の大きさを一定とし、記憶手
段１０７に記憶された二値化画像を被検査バイアホール
がずれてもよい分だけ拡大する拡大手段である。

【０１１３】また、１１０は二値化手段１０７により得
られる二値化画像のうち、赤色光源１０３、１０４によ
る二値化画像を記憶する記憶手段、１１１は拡大手段１
０９から出力される二値化画像信号と記憶手段１１０か
ら出力される二値化画像信号とをＡＮＤ処理するＡＮＤ
回路である。

【０１１４】また、１１２はＡＮＤ回路１１１から出力
される二値化画像信号に基づく二値化画像から、被検査
バイアホールの下層受けパターンに対する位置ずれを検
査して、被検査バイアホールの良否を判定する良否判定
手段である。

【０１１５】このように構成された本発明の第４実施形
態においては、例えば、まず、青色光源１０１による青
色光のみがビルトアップ多層配線基板１００に照射さ
れ、青色光によるビルトアップ多層配線基板１００の二
値化画像が取得され、これが記憶手段１０８に記憶され
る。

【０１１６】次に、赤色光源１０３、１０４による赤色
光のみがビルトアップ多層配線基板１００に照射され、
赤色光によるビルトアップ多層配線基板１００の二値化
画像が取得され、これが記憶手段１１０に記憶される。

【０１１７】次に、記憶手段１０８に記憶されている二
値化画像が拡大手段１０９により拡大され、拡大された
二値化画像と、記憶手段１１０に記憶されている二値化
画像とのＡＮＤ処理がＡＮＤ回路１１１により行われ
る。

【０１１８】そして、良否判定手段１１２において、Ａ
ＮＤ回路１１１により得られる二値化画像に基づいて、
被検査バイアホールの下層受けパターンに対する位置ず
れが検査され、被検査バイアホールの良否が判定され
る。

【０１１９】図１４はビルトアップ多層配線基板１００
の一部分を示す概略的平面図であり、図１４中、１１４
はビルトアップ多層配線基板１００の一部分、１１５は
絶縁層、１１６はバイアホールを介して上層の銅層が接
続される銅層からなる下層受けパターン、１１７は被検
査バイアホールである。

【０１２０】ここに、ビルトアップ多層配線基板１００
に青色光源１０１による青色光のみを照射すると、青色
光は、絶縁層１１５では高い反射率で反射され、被検査
バイアホール１１７を介して露出している下層受けパタ
ーン１１６では低い反射率で反射され、被検査バイアホ
ール１１７の下層受けパターン１１６と重ならない部分
では、被検査バイアホール１１７内の絶縁層が傾きをも
っており、散乱されてしまう。

【０１２１】したがって、ビルトアップ多層配線基板１
００に青色光源１０１による青色光のみを照射すると、
ビルトアップ多層配線基板１００の一部分１１４の二値
化画像として、図１５（Ａ）に示すような二値化画像を
得ることができ、これが記憶手段１０８に記憶される。

【０１２２】図１５（Ａ）中、１１９はビルトアップ多
層配線基板１００の一部分１１４の二値化画像であり、
１２０は白画像からなる絶縁層１１５の画像、１２１は
黒画像からなる被検査バイアホール１１７の像である。

【０１２３】そして、記憶手段１０８に記憶された図１
５（Ａ）に示す二値化画像１１９をその外枠の大きさを
一定とし、被検査バイアホール１１７がずれてもよい分
だけ拡大手段１０９で拡大すると、例えば、図１５
（Ｂ）に示すような二値化画像を得ることができる。

【０１２４】図１５（Ｂ）中、１２２は拡大された二値
化画像であり、１２３は白画像からなる絶縁層１１５の
画像、１２４は黒画像からなる被検査バイアホール１１
７の像である。

【０１２５】これに対して、ビルトアップ多層配線基板
１００に赤色光源１０３、１０４による赤色光のみを照
射すると、絶縁層１１５は赤色光を透過し、下層受けパ
ターン１１６は赤色光を反射することになる。

【０１２６】したがって、ビルトアップ多層配線基板１
００に赤色光源１０３、１０４による赤色光のみを照射
すると、ビルトアップ多層配線基板１００の一部分１１
４の二値化画像として、図１６に示すような二値化画像
を得ることができ、これが記憶手段１１０に記憶され
る。

【０１２７】図１６中、１２６はビルトアップ多層配線
基板１００の一部分１１４の二値化画像であり、１２７
は黒画像からなる絶縁層１１５の画像、１２８は白画像
からなる下層受けパターン１１６の像である。

【０１２８】そして、図１５（Ｂ）に示す二値化画像１
２２と図１６に示す二値化画像１２６とを重ね合わせて
ＡＮＤ処理すると、図１７に示すように、二値化画像１
２２に含まれる被検査バイアホール１１７の画像のう
ち、下層受けパターン１１６と重なり合わない部分を黒
画像１３０、他の部分を白画像１３１とする二値化画像
１３２を得ることができる。

【０１２９】このように、本発明の第４実施形態によれ
ば、拡大手段１０９により得られる二値化画像に含まれ
る被検査バイアホールの画像のうち、下層受けパターン
と重なり合わない部分の画像を黒画像、他の部分の画像
を白画像とする二値化画像を取得し、下層受けパッドに
対する被検査バイアホールの位置ずれを知ることができ
るので、メッキ処理前のバイアホールの位置の良否を精
度高く検査することができる。

【０１３０】なお、拡大手段１０９を設けず、記憶手段
１０８に記憶された青色光源１０１による二値化画像
と、記憶手段１１０に記憶された赤色光源１０３、１０
４による二値化手段とをＡＮＤ回路１１１でＡＮＤ処理
するようにしても良い。

【０１３１】

【発明の効果】本発明中、第１、第２、第３、第４又は
第５の発明（請求項１、２、３、４又は５記載のバイア
ホール検査装置）によれば、導電層の露出を妨げている
絶縁層の残渣が存在している被検査バイアホールのみな
らず、導電層の露出を不十分としている絶縁層の残渣が
存在している被検査バイアホールを欠陥のバイアホール
と判定することができるので、メッキ処理前のバイアホ
ールの底部の導電層の露出状態を精度高く検査すること
ができる。

【０１３２】本発明中、第６又は第７の発明（請求項６
又は７記載のバイアホール検査装置）によれば、導電層
と重なり合わない被検査バイアホールの画像と他の部分
の画像とが輝度を異にする二値化画像信号を取得し、導
電層に対する被検査バイアホールの位置ずれを知ること
ができるので、メッキ処理前のバイアホールの位置の良
否を精度高く検査することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の概念図である。

【図２】本発明の第１実施形態が備える良否判定手段内
のテンプレート格納部に格納されているテンプレートを
示す平面図である。

【図３】ビルトアップ多層配線基板に上方から垂直に光
を照射した場合における入射光と反射光との関係を示す
概略的断端面図である。

【図４】図３に示すバイアホールを上方に配置したＣＣ
Ｄカメラにより撮像した場合に得られるアナログ画像を
示す平面図である。

【図５】ビルトアップ多層配線基板に形成されているバ
イアホールの形状例とＣＣＤカメラにより得られるアナ
ログ画像との関係を示す図である。

【図６】本発明の第１実施形態が備える記憶手段に記憶
された被検査バイアホールの二値化画像の例を示す平面
図である。

【図７】本発明の第１実施形態が備える記憶手段に記憶
されている二値化画像とテンプレートとを重ね合わせた
状態を示す平面図である。

【図８】本発明の第２実施形態の概念図である。

【図９】本発明の第２実施形態が備える良否判定手段内
の測長部が備える放射状測長センサの概念図である。

【図１０】本発明の第２実施形態が備える良否判定手段
内の良否判定部の動作を説明するための平面図である。

【図１１】本発明の第３実施形態の概念図である。

【図１２】本発明の第３実施形態が備える良否判定手段
内の良否判定部の動作を示すフローチャートである。

【図１３】本発明の第４実施形態の概念図である。

【図１４】メッキ処理前のバイアホールを有する製造途
中にあるビルトアップ多層配線基板の一部分を示す概略
的平面図である。

【図１５】本発明の第４実施形態により得られるメッキ
処理前のバイアホールを有する製造途中にあるビルトア
ップ多層配線基板の一部分の青色光による二値化画像を
示す平面図である。

【図１６】本発明の第４実施形態により得られるメッキ
処理前のバイアホールを有する製造途中にあるビルトア
ップ多層配線基板の一部分の赤色光による二値化画像を
示す平面図である。

【図１７】図１５（Ｂ）に示す二値化画像と図１６に示
す二値化画像とを重ね合わせてＡＮＤ処理した二値化画
像を示す平面図である。

【図１８】コア材の片面に多層配線層を形成してなるビ
ルトアップ多層配線基板の製造工程の一部を示す概略的
断端面図である。

【図１９】バイアホールの形状例を示す概略的断端面図
である。

【図２０】メッキ処理前のバイアホールを検査する従来
のバイアホール検査方法に使用する光学装置を示す概念
図である。

【図２１】ビルトアップ多層配線基板からの反射光に含
まれる紫外光の強度、蛍光の強度及び図２０に示す光学
装置が備えるフィルタの透過特性を示す図である。

【図２２】図２０に示す光学装置を使用する従来のバイ
アホール検査方法が有する問題点を説明するための図で
ある。

【符号の説明】 ３９ 光源から出力される光

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電層上の絶縁層に形成されたバイアホー
   ルの底部の前記導電層の露出状態を検査するバイアホー
   ル検査装置であって、 被検査バイアホール内の前記絶縁層の残渣の画像を取得
   することができる画像取得手段と、 前記画像取得手段により取得された前記被検査バイアホ
   ール内の前記絶縁層の残渣の画像を使用して前記被検査
   バイアホールの底部の前記導電層の露出状態を判断し、
   前記被検査バイアホールの良否を判定する良否判定手段
   とを備えていることを特徴とするバイアホール検査装
   置。
2. 【請求項２】前記画像取得手段は、 前記被検査バイアホールを照明する照明手段と、 前記被検査バイアホールを上方から撮像して前記被検査
   バイアホールのアナログ画像を取得するアナログ画像取
   得手段と、 前記アナログ画像取得手段により取得された前記被検査
   バイアホールのアナログ画像を二値化画像に変換する二
   値化手段とを備えて構成されていることを特徴とする請
   求項１記載のバイアホール検査装置。
3. 【請求項３】前記良否判定手段は、 前記二値化手段により得られる前記被検査バイアホール
   の二値化画像を所定のテンプレートと比較して前記被検
   査バイアホールがバイアホールであるか否かを判定し、
   前記被検査バイアホールをバイアホールと判定した場合
   には、前記被検査バイアホールの二値化画像の一部を構
   成するリングの面積又は前記リングに囲まれた部分の面
   積から、前記被検査バイアホールの底部の前記導電層の
   露出状態を判断するように構成されていることを特徴と
   する請求項２記載のバイアホール検査装置。
4. 【請求項４】前記良否判定手段は、 前記被検査バイアホールの二値化画像の一部を構成する
   リングに囲まれた部分の放射方向の測長を行い、前記リ
   ングに囲まれた部分の放射方向の測長値から、前記被検
   査バイアホールの底部の前記導電層の露出状態を判断す
   るように構成されていることを特徴とする請求項２記載
   のバイアホール検査装置。
5. 【請求項５】前記良否判定手段は、 前記導電層上の絶縁層に形成されるべきバイアホールの
   アドレスを登録するアドレス登録部を有し、 前記被検査バイアホールのアドレスが前記アドレス登録
   部に登録されているアドレスか否かを判定し、前記被検
   査バイアホールが過剰なバイアホールであるか否かを含
   めて前記被検査バイアホールの良否を判定するように構
   成されていることを特徴とする請求項１、２、３又は４
   記載のバイアホール検査装置。
6. 【請求項６】導電層上の絶縁層に形成されたバイアホー
   ルの前記導電層に対する位置ずれを検査するバイアホー
   ル検査装置であって、 被検査バイアホールの画像と他の部分の画像とが輝度を
   異にする第１の二値化画像を取得する第１の二値化画像
   取得手段と、 前記導電層の画像と他の部分の画像とが輝度を異にする
   第２の二値化画像を取得する第２の二値化画像取得手段
   と、 前記第１の二値化画像又は前記第１の二値化画像を拡大
   した第３の二値化画像と前記第２の二値化画像とを画像
   処理し、前記被検査バイアホールの画像のうち、前記導
   電層の画像と重なり合わない部分の画像と、他の部分の
   画像とが輝度を異にする第４の二値化画像を生成する画
   像処理手段とを備えていることを特徴とするバイアホー
   ル検査装置。
7. 【請求項７】前記被検査バイアホールが形成されている
   面に青色光を照明する第１の照明手段と、前記被検査バ
   イアホールが形成されている面に赤色光を照明する第２
   の照明手段と、前記被検査バイアホールが形成されてい
   る面の上方から撮像してアナログ画像を取得するアナロ
   グ画像取得手段と、前記アナログ画像取得手段により取
   得された前記アナログ画像を二値化画像に変換する二値
   化手段とを備え、 前記第１の二値化画像取得手段は、前記第１の照明手段
   と、前記アナログ画像取得手段と、前記二値化手段とを
   含めて構成され、 前記第２の二値化画像取得手段は、前記第２の照明手段
   と、前記アナログ画像取得手段と、前記二値化手段とを
   含めて構成されていることを特徴とする請求項６記載の
   バイアホール検査装置。