JPH11162385A - 荷電ビーム描画用鏡筒 - Google Patents
荷電ビーム描画用鏡筒Info
- Publication number
- JPH11162385A JPH11162385A JP34231097A JP34231097A JPH11162385A JP H11162385 A JPH11162385 A JP H11162385A JP 34231097 A JP34231097 A JP 34231097A JP 34231097 A JP34231097 A JP 34231097A JP H11162385 A JPH11162385 A JP H11162385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged beam
- heating
- electrode
- plate
- flat plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電ビームの位置精度の劣化に大きく影響す
る静電式偏向器の平板電極の汚れを、鏡筒を分解するこ
となく除去可能にする。 【解決手段】 静電式偏向器１６、１７の平板電極３１
は、電気絶縁材であるセラミック製の電熱板３２に接着
などにより密着固定されている。電熱板３２内には、電
熱線３６が埋設され、電源ケーブル３７、３８からの給
電により電熱板３２を加熱し、これにより平板電極３１
を加熱して平板電極３１の機能面すなわち表面の汚れを
蒸発させて除去する。
る静電式偏向器の平板電極の汚れを、鏡筒を分解するこ
となく除去可能にする。 【解決手段】 静電式偏向器１６、１７の平板電極３１
は、電気絶縁材であるセラミック製の電熱板３２に接着
などにより密着固定されている。電熱板３２内には、電
熱線３６が埋設され、電源ケーブル３７、３８からの給
電により電熱板３２を加熱し、これにより平板電極３１
を加熱して平板電極３１の機能面すなわち表面の汚れを
蒸発させて除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電式偏向器によ
り荷電ビームを偏向させる方式の荷電ビーム描画用鏡筒
に係り、特に静電式偏向器の平板電極の汚れによる荷電
ビームの位置精度の劣化防止に関する。
り荷電ビームを偏向させる方式の荷電ビーム描画用鏡筒
に係り、特に静電式偏向器の平板電極の汚れによる荷電
ビームの位置精度の劣化防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電ビーム描画用鏡筒の内部は、高真空
環境下で使用されるため、汚れが発生しないように製造
・管理されるが、荷電ビームによるレジストの露光すな
わち描画に伴って突沸するガスが鏡筒内に流入し、１〜
２ヵ月の使用で汚れが蓄積し、荷電ビームの位置精度の
劣化を招く。このため、定期的に鏡筒を分解して部品を
洗浄する必要がある。
環境下で使用されるため、汚れが発生しないように製造
・管理されるが、荷電ビームによるレジストの露光すな
わち描画に伴って突沸するガスが鏡筒内に流入し、１〜
２ヵ月の使用で汚れが蓄積し、荷電ビームの位置精度の
劣化を招く。このため、定期的に鏡筒を分解して部品を
洗浄する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、描画精度
は、ますます高度化し、これに伴って鏡筒の分解洗浄の
頻度が高まっている。定期的な鏡筒の分解洗浄は、装置
の稼動率を低下させるばかりでなく、分解洗浄後の性能
回復時にトラブルを発生するなどの問題がある。
は、ますます高度化し、これに伴って鏡筒の分解洗浄の
頻度が高まっている。定期的な鏡筒の分解洗浄は、装置
の稼動率を低下させるばかりでなく、分解洗浄後の性能
回復時にトラブルを発生するなどの問題がある。
【０００４】本発明は、荷電ビームの位置精度の劣化に
大きく影響する静電式偏向器の平板電極の汚れを、鏡筒
を分解することなく除去することを目的としている。
大きく影響する静電式偏向器の平板電極の汚れを、鏡筒
を分解することなく除去することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、静電式偏向器により荷電ビームを偏向させ
る方式の荷電ビーム描画用鏡筒において、前記静電式偏
向器の平板電極を加熱する加熱手段を設けたものであ
る。この加熱手段としては、平板電極の裏面を支持す
る、たとえば電熱線を埋設したセラミック製の板などか
らなる電熱板や、平板電極の裏面側に配置されたイオン
ボンバー用のフィラメントとすることができる。
の本発明は、静電式偏向器により荷電ビームを偏向させ
る方式の荷電ビーム描画用鏡筒において、前記静電式偏
向器の平板電極を加熱する加熱手段を設けたものであ
る。この加熱手段としては、平板電極の裏面を支持す
る、たとえば電熱線を埋設したセラミック製の板などか
らなる電熱板や、平板電極の裏面側に配置されたイオン
ボンバー用のフィラメントとすることができる。
【０００６】この発明によれば、平板電極の機能面が汚
れてきたとき、電熱板やイオンボンバー用のフィラメン
トなどの加熱手段により平板電極の機能面を加熱するこ
とにより、汚れを蒸発除去することができる。
れてきたとき、電熱板やイオンボンバー用のフィラメン
トなどの加熱手段により平板電極の機能面を加熱するこ
とにより、汚れを蒸発除去することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
図１ないし図２を参照して説明する。図１において、１
０は鏡筒、２０は描画室である。鏡筒１０は、電子銃の
ような荷電ビーム発生源１１、レンズ１２、１３、１
４、ブランキング電極１５、静電式偏向器１６、１７と
からなり、鏡筒１０の内部は、真空ポンプ１８Ａ、１８
Ｂ、１８Ｃにより真空引きされる。描画室２０内には、
被描画材としての試料２１が図示省略したステージによ
り移動可能に収納され、描画室２０内は、真空ポンプ２
２により真空引きされる。
図１ないし図２を参照して説明する。図１において、１
０は鏡筒、２０は描画室である。鏡筒１０は、電子銃の
ような荷電ビーム発生源１１、レンズ１２、１３、１
４、ブランキング電極１５、静電式偏向器１６、１７と
からなり、鏡筒１０の内部は、真空ポンプ１８Ａ、１８
Ｂ、１８Ｃにより真空引きされる。描画室２０内には、
被描画材としての試料２１が図示省略したステージによ
り移動可能に収納され、描画室２０内は、真空ポンプ２
２により真空引きされる。
【０００８】図２は、同じ構造である静電式偏向器１
６、１７の１つについて、その片側を拡大して示すもの
である。３１は、静電式偏向器１６、１７の平板電極で
あって、電気絶縁材であるセラミック製の電熱板３２に
接着などにより密着固定されている。電熱板３２は、こ
れに一体的に取り付けられた取付ボルト３３を介して支
え部材３４にナット３５により取り付けられている。電
熱板３２内には、電熱線３６が埋設され、電源ケーブル
３７、３８からの給電により電熱板３２を加熱し、これ
により平板電極３１を加熱するようになっている。な
お、３９は、平板電極３１へ偏向電圧を印加するケーブ
ルである。
６、１７の１つについて、その片側を拡大して示すもの
である。３１は、静電式偏向器１６、１７の平板電極で
あって、電気絶縁材であるセラミック製の電熱板３２に
接着などにより密着固定されている。電熱板３２は、こ
れに一体的に取り付けられた取付ボルト３３を介して支
え部材３４にナット３５により取り付けられている。電
熱板３２内には、電熱線３６が埋設され、電源ケーブル
３７、３８からの給電により電熱板３２を加熱し、これ
により平板電極３１を加熱するようになっている。な
お、３９は、平板電極３１へ偏向電圧を印加するケーブ
ルである。
【０００９】次いで本装置の作用について説明する。荷
電ビーム発生源１１から出た荷電ビームＢは、レンズ１
２を通過した後、ブランキング電極１５により通過・遮
断を制御される。ブランキング電極１５を通過した荷電
ビームＢは、さらにレンズ１３、静電式偏向器１６、１
７、レンズ１４を通して試料２１上の所望位置に導か
れ、試料２１の表面に塗布された図示しないレジストを
露光して描画する。
電ビーム発生源１１から出た荷電ビームＢは、レンズ１
２を通過した後、ブランキング電極１５により通過・遮
断を制御される。ブランキング電極１５を通過した荷電
ビームＢは、さらにレンズ１３、静電式偏向器１６、１
７、レンズ１４を通して試料２１上の所望位置に導か
れ、試料２１の表面に塗布された図示しないレジストを
露光して描画する。
【００１０】この描画に伴ってレジストから突沸するガ
スが鏡筒１０内に流入し、その内部の表面に付着し、蓄
積される。この汚れは、荷電ビームＢにより帯電し、荷
電ビームＢの位置を変化させる。鏡筒１０の内部表面の
うち、荷電ビームＢに接近しており、かつ荷電ビームＢ
の通過のＯＮ，ＯＦＦや偏向に伴う荷電ビームＢの強度
変化を受ける静電式偏向器１６、１７の平板電極３１の
機能面すなわち表面の汚れは、荷電ビームＢの位置精度
の劣化に大きく影響する。
スが鏡筒１０内に流入し、その内部の表面に付着し、蓄
積される。この汚れは、荷電ビームＢにより帯電し、荷
電ビームＢの位置を変化させる。鏡筒１０の内部表面の
うち、荷電ビームＢに接近しており、かつ荷電ビームＢ
の通過のＯＮ，ＯＦＦや偏向に伴う荷電ビームＢの強度
変化を受ける静電式偏向器１６、１７の平板電極３１の
機能面すなわち表面の汚れは、荷電ビームＢの位置精度
の劣化に大きく影響する。
【００１１】そこで、任意もしくは予め定めた所定の時
間経過後の非描画時に、電熱線３６に給電して電熱板３
２を加熱し、平板電極３１の機能面を、レジストにより
異なるが一般的には４００℃以上に加熱する。これによ
り平板電極３１の機能面の汚れは蒸発して除去される。
間経過後の非描画時に、電熱線３６に給電して電熱板３
２を加熱し、平板電極３１の機能面を、レジストにより
異なるが一般的には４００℃以上に加熱する。これによ
り平板電極３１の機能面の汚れは蒸発して除去される。
【００１２】この平板電極３１の加熱による機能面の汚
れの除去は、非描画時の比較的短い時間で行うことが可
能であり、装置の稼動率を低下させることはほとんどな
い。なお、電熱板３２は、上記のように電熱線３６を埋
設したセラミック製の板からなるものに限らず、電熱板
３２に直接通電する方式のものでもよく、その材質もセ
ラミックに限定されないことは言うまでもない。
れの除去は、非描画時の比較的短い時間で行うことが可
能であり、装置の稼動率を低下させることはほとんどな
い。なお、電熱板３２は、上記のように電熱線３６を埋
設したセラミック製の板からなるものに限らず、電熱板
３２に直接通電する方式のものでもよく、その材質もセ
ラミックに限定されないことは言うまでもない。
【００１３】図３は、本発明の他の実施の形態を示すも
ので、耐熱性を有する金属の薄板からなる平板電極４１
の両端が、同じく金属製のフレーム４２に溶接などによ
り固定して張設されている。フレーム４２は、これに一
体的に取り付けられた取付ボルト４３及びナット４６に
より電気絶縁材４４を介して支え部材４５に取り付けら
れている。なお、電気絶縁材４４は、支え部材４５に一
体的に取り付けられている。
ので、耐熱性を有する金属の薄板からなる平板電極４１
の両端が、同じく金属製のフレーム４２に溶接などによ
り固定して張設されている。フレーム４２は、これに一
体的に取り付けられた取付ボルト４３及びナット４６に
より電気絶縁材４４を介して支え部材４５に取り付けら
れている。なお、電気絶縁材４４は、支え部材４５に一
体的に取り付けられている。
【００１４】平板電極４１の裏面側には、イオンボンバ
ー用のフィラメント４７が設けられ、電源ケーブル４
８、４９により１０００ボルト程度の電圧が印加される
ようになっている。なお、平板電極４１は、ナット４６
により先端が固定されたケーブル５０から同ナット４
６、取付ボルト４３及びフレーム４２を介して偏向電圧
を印加されると共に、後述する汚れの除去時にはアース
に接続されるようになっている。
ー用のフィラメント４７が設けられ、電源ケーブル４
８、４９により１０００ボルト程度の電圧が印加される
ようになっている。なお、平板電極４１は、ナット４６
により先端が固定されたケーブル５０から同ナット４
６、取付ボルト４３及びフレーム４２を介して偏向電圧
を印加されると共に、後述する汚れの除去時にはアース
に接続されるようになっている。
【００１５】この装置は、平板電極４１に汚れが蓄積さ
れたとき、ケーブル５０により平板電極４１をアースに
落とし、フィラメント４７に電源ケーブル４８、４９か
ら約１０００ボルトの高電圧を約１０〜３０秒間印加し
て、フィラメント４７を加熱することにより、汚れを焼
き出し、ガス化して除去することができる。
れたとき、ケーブル５０により平板電極４１をアースに
落とし、フィラメント４７に電源ケーブル４８、４９か
ら約１０００ボルトの高電圧を約１０〜３０秒間印加し
て、フィラメント４７を加熱することにより、汚れを焼
き出し、ガス化して除去することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、荷電
ビームの位置精度の劣化に大きく影響する静電式偏向器
の平板電極の汚れを、鏡筒を分解することなく除去する
ことができる。これにより装置の保守管理が容易になる
と共に、鏡筒の分解洗浄に伴うトラブルの発生を抑える
ことができ、装置の稼動率を高めることができると同時
に、描画精度の維持が容易になるなど大きな効果が得ら
れる。
ビームの位置精度の劣化に大きく影響する静電式偏向器
の平板電極の汚れを、鏡筒を分解することなく除去する
ことができる。これにより装置の保守管理が容易になる
と共に、鏡筒の分解洗浄に伴うトラブルの発生を抑える
ことができ、装置の稼動率を高めることができると同時
に、描画精度の維持が容易になるなど大きな効果が得ら
れる。
【図１】本発明を適用する荷電ビーム描画用鏡筒の一例
を示す概要図。
を示す概要図。
【図２】本発明の実施の形態を示す要部拡大図。
【図３】本発明の他の実施の形態を示す要部拡大図。
１０ 鏡筒 １１ 荷電ビーム発生源 １２、１３、１４ レンズ １５ ブランキング電極 １６、１７ 静電式偏向器 １８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ 真空ポンプ ２０ 描画室 ２１ 試料 ２２ 真空ポンプ ３１ 平板電極 ３２ 電熱板 ３４ 支え部材 ３６ 電熱線 ３７、３８ 電源ケーブル ３９ ケーブル ４１ 平板電極 ４２ フレーム ４５ 支え部材 ４７ フィラメント ４８、４９ 電源ケーブル ５０ ケーブル
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５５１
Claims (4)
- 【請求項１】 静電式偏向器により荷電ビームを偏向さ
せる方式の荷電ビーム描画用鏡筒において、前記静電式
偏向器の平板電極を加熱する加熱手段を設けたことを特
徴とする荷電ビーム描画用鏡筒。 - 【請求項２】 前記加熱手段が、前記平板電極の裏面を
支持する電熱板であることを特徴とする請求項１に記載
の荷電ビーム描画用鏡筒。 - 【請求項３】 前記電熱板が、電熱線を埋設したセラミ
ック製の板であることを特徴とする請求項２に記載の荷
電ビーム描画用鏡筒。 - 【請求項４】 前記加熱手段が、前記平板電極の裏面側
に配置されたイオンボンバー用のフィラメントであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム描画用鏡
筒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34231097A JPH11162385A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 荷電ビーム描画用鏡筒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34231097A JPH11162385A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 荷電ビーム描画用鏡筒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162385A true JPH11162385A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18352743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34231097A Pending JPH11162385A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 荷電ビーム描画用鏡筒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11162385A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231170A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-08-16 | Toshiba Corp | 静電偏向器及びその製造方法、静電レンズ及びその製造方法、電子ビーム照射装置及びそのクリーニング方法 |
| JP2010212583A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Nuflare Technology Inc | 成形アパーチャ部材のクリーニング方法及び描画方法 |
| CN111742389A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-10-02 | 瓦里安半导体设备公司 | 包含内部加热元件的导电束光学器件 |
| KR20200113278A (ko) * | 2018-02-21 | 2020-10-06 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 내부의 입자들을 감소시키기 위한 에너지 퓨리티 모듈, 이온 주입 시스템 및 방법 |
-
1997
- 1997-11-27 JP JP34231097A patent/JPH11162385A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231170A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-08-16 | Toshiba Corp | 静電偏向器及びその製造方法、静電レンズ及びその製造方法、電子ビーム照射装置及びそのクリーニング方法 |
| JP2010212583A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Nuflare Technology Inc | 成形アパーチャ部材のクリーニング方法及び描画方法 |
| CN111742389A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-10-02 | 瓦里安半导体设备公司 | 包含内部加热元件的导电束光学器件 |
| KR20200113279A (ko) * | 2018-02-21 | 2020-10-06 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 웨이퍼로 이온 빔을 전달하기 위한 정전 필터 및 이온 주입 시스템 |
| KR20200113278A (ko) * | 2018-02-21 | 2020-10-06 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 내부의 입자들을 감소시키기 위한 에너지 퓨리티 모듈, 이온 주입 시스템 및 방법 |
| JP2021514533A (ja) * | 2018-02-21 | 2021-06-10 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 内部加熱要素を含む電導性ビーム光学系 |
| CN111742389B (zh) * | 2018-02-21 | 2023-12-05 | 瓦里安半导体设备公司 | 用于向晶片递送离子束的静电过滤器及离子植入系统 |
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