JPH11162015A - 情報記録坦体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板１との界面おいて記録層２が剥離するこ
とがなく、物理的なコピーを確実に防止できる構造を有
する情報記録坦体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 微細パターン列１Ａを有する基板１上
に、記録層２と、剥離防止層４と、保護層３とを順次積
層してなること光ディスクＡＡ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の情
報記録坦体及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、読み取り可能な情報が記録さ
れ、更に記録された情報を読み出すディスク状情報記録
坦体があり、近年はこのディスク状情報記録坦体の高密
度化が進んでいる。こうしたディスク状情報記録坦体に
は磁気ディスク、光ディスク、静電容量ディスクなど様
々な種類のディスクがあるが、光ディスクの進歩はめざ
ましい。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】さて、前記した高密度
情報記録坦体の普及と最近のパーソナルコンピュータの
高性能化に伴い、重要情報もこれら高密度情報記録坦体
に記録する機会が多くなっている。しかし、セキュリテ
ィの問題は解決されていないと言ってもよい。つまり、
これらの高密度情報記録坦体は１枚に大容量の情報が記
録できるという大きな利点が有る反面、市販の製造設備
でたやすく複製が可能であるという欠点をもつ。特に、
顧客銀行預金情報、電子マネーなどといった財産的な重
要情報が大量に記録されている高密度情報記録坦体の原
盤を盗み出して、これを大量に複製（偽造）して利害関
係者に大量に配布するという犯罪を未然に防止できな
い。この結果、顧客個人のプライバシーの蹂躙、金融取
引の信用不安などが発生し、安定した商取引に支障を来
し、この結果、社会的な信用不安が発生する恐れがあっ
た。

【０００４】そこで、こうした重要情報が記録されてい
る高密度情報記録坦体が偽造されない方法が必要とされ
ていた。その解決手段として、従来いわゆる暗号を利用
したコピープロテクトが数々提案されている。いわゆる
電子的なコピーに対するプロテクトである。暗号の高度
化に伴って、この方法は困難になりつつある。代わって
台頭してきたのが物理的なコピー方法である。偽造の方
法は、ディスクを層状に剥離し、その情報面を露出し、
情報を他に転写することによって行われる。そしてそれ
を鋳型として、別のフラットなプラスチック板に信号を
転写することができる。この鋳型は繰り返し使用できる
ので、本物と寸分違わぬ信号パターンを複数作ることが
できるのである。つまり電子的なコピー以外に、情報を
丸ごとコピーする物理的なコピー法があり、これに対し
ては対抗手段がなかった。

【０００５】図３は、光ディスクの構造を説明するため
の図である。図３に示すように、光ディスクＡは、微細
パターン列１Ａを有する信号面である基板１上に、反射
膜である記録層２、保護層３を順次積層して構成され
る。こうした構成の光ディスクＡの場合、剥離が行える
のは基板１と記録層２との界面である。一般に保護膜３
は記録層２に対して充分な密着力が得られるように、そ
して保護膜３として必要な強度を持つように硬い膜とな
っている。しかし基板１と記録層２の界面については、
密着力が弱く、粘着テープを用いて丹念に剥がしを行え
ば基板１の表面が露出することになる。基板１上に記録
層２を形成する方法は、蒸着やスパッタリングなどがあ
るが、後者は密着力がすぐれているものの不充分で、粘
着テープを用いて信号面が露出していた。こうした課題
に着目して、本発明は、粘着テープを用いても基板１と
記録層２の界面において記録層２が剥離することがな
く、物理的なコピー（偽造）を確実に防止することがで
きる構造を有する情報記録坦体及びその製造方法を提供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明は、下記（１）〜（１４）の構成になる
情報記録坦体及びその製造方法を提供する。

【０００７】（１） 図１に示すように、微細パターン
列１Ａを有する基板１上に、記録層２と、剥離防止層４
と、保護層３とを順次積層してなることを特徴とする情
報記録坦体（光ディスク）ＡＡ。

【０００８】（２） 図１，２に示すように、前記
（１）記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであっ
て、前記剥離防止層４は、伸び率１００％〜３００％の
樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅからなり、前記保護層３は、伸び率
５％以下の樹脂α，βからなることを特徴とする情報記
録坦体。

【０００９】（３） 図１に示すように、前記（１）又
は（２）記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであっ
て、前記記録層２は、光反射膜、光磁気膜、相変化膜、
色素膜を少なくとも１つ含む単層又は積層構造体でなる
ことを特徴とする情報記録坦体。

【００１０】（４） 前記（３）記載の情報記録坦体
（光ディスク）ＡＡであって、前記光反射膜は、アルミ
ニウム、金、銀、シリコン、チタン、タンタル、クロ
ム、又は、アルミニウム、金、銀、シリコン、チタン、
タンタル、クロムを含む合金のいずれかでなることを特
徴とする情報記録坦体。

【００１１】（５） 前記（３）又は（４）記載の情報
記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、前記光磁気膜
は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ、コバ
ルト、白金を少なくとも１つ含んでなることを特徴とす
る情報記録坦体。

【００１２】（６） 前記（３）ないし（５）のいずれ
かに記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、
前記相変化膜は、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅを少
なくとも１つ含んでなることを特徴とする情報記録坦
体。

【００１３】（７） 前記（３）ないし（６）のいずれ
かに記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、
前記色素膜は、シアニン色素、アゾ色素を少なくとも１
つ含んでなることを特徴とする情報記録坦体。

【００１４】（８） 前記（１）ないし（７）のいずれ
かに記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、
前記剥離防止層４は、放射線（紫外線）硬化樹脂、熱硬
化樹脂、電子線硬化樹脂を少なくとも１つ含んで硬化さ
せたものであることを特徴とする情報記録坦体。

【００１５】（９） 微細パターン列１Ａを有する基板
１上に記録層２と剥離防止層４と保護層３とを順次積層
した情報記録坦体（光ディスク）ＡＡを製造する情報記
録坦体の製造方法であって、前記記録層２上に、剥離防
止層４となる樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを塗布する工程と、次
に、前記記録層２上に塗付した樹脂を硬化して前記剥離
防止層４を形成する工程と、次に、前記剥離防止層４上
に、保護層３となる樹脂α，βを塗布する工程と、次
に、前記剥離防止層４上に塗付した樹脂α，βを硬化し
て前記保護層３を形成する工程とを有することを特徴と
する情報記録坦体の製造方法。

【００１６】（１０） 前記記録層２上に剥離防止層４
となる樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを塗布する工程は、スピンコ
ート法、バーコート法、ロールコート法、スプレー法、
浸漬法、印刷のいずれかの方法を用いて行われることを
特徴とする前記（９）記載の情報記録坦体の製造方法。

【００１７】（１１） 前記記録層２上に塗付した樹脂
Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを硬化して前記剥離防止層４を形成する
工程は、放射線照射、電子線照射、ベーキングのいずれ
かの方法、またはこれらの方法を複合して行われること
を特徴とする前記（９）記載の情報記録坦体の製造方
法。

【００１８】（１２） 前記ベーキングは、５０度〜１
５０度のヒーター加熱、または赤外線加熱であることを
特徴とする前記（１１）記載の情報記録坦体の製造方
法。

【００１９】（１３） 請求項１ないし請求項８のいず
れかに記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであっ
て、保護層３面に形成したテストピースを剥離する剥離
試験方法において、剥離が認められないことを特徴とす
る情報記録坦体。

【００２０】（１４） 請求項１ないし請求項８のいず
れかに記載の情報記録坦体であって、剥離防止層４と保
護層３を合わせた層５の光線透過率が７０％以上である
ことを特徴とする情報記録坦体。

【００２１】

【発明の実施の態様】以下、本発明の情報記録坦体及び
その製造方法について、図面に沿って説明する。図１は
本発明の情報記録坦体の構造を説明するための図、図２
は実施例１〜実施例８、比較例１〜比較例１１における
剥離試験結果を説明するための図である。前述したもの
と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。下記に、（１）情報記録坦体（実施例１〜実施例
８）、（２）情報記録坦体製造方法、（３）情報記録坦
体（実施例９〜実施例１９）の順に説明する。

【００２２】（１）情報記録坦体 本発明になる情報記録坦体は、前述した図３に示した光
ディスクＡを構成する記録層２と保護層３との間に、後
述する剥離防止層４を間隙なく介挿した構造に等しいも
のである。即ち、本発明になる情報記録坦体である光デ
ィスクＡＡは、図１に示すように、微細パターン列１Ａ
を有する信号面である基板１上に、反射膜である記録層
２、剥離防止層４、保護層３を順次積層して構成され
る。

【００２３】記録層２と保護層３との間に剥離防止層４
を介在させる理由は、伸び率が互いに異なる樹脂を用い
た剥離防止層４と保護層３とを積層することにより、基
板１と記録層２との界面における剥離を不可とすること
にある。即ち、剥離防止層４は伸び率１００％〜３００
％の柔軟性樹脂を用い、また、保護層３は伸び率５％以
下の非柔軟性樹脂を用いる。こうすることで、保護層３
側からの剥離による剪断力が下層（剥離防止層４）で分
散、吸収されるので、この結果、基板１と記録層２との
界面における剥離は不可となるのである。

【００２４】しかし、伸び率５％より上の柔軟性樹脂を
保護層３として用いると、その表面が極めて柔らかくな
り外部からの傷に対して極めて弱くなるため、伸び率５
％以下の硬い保護層３を形成するのである。剥離試験後
の顕微鏡観察では、上層（保護層３）が壊れているのが
確認できるが、その破片は下層（剥離防止層４）に強固
に接着しており、下層の剥離は認められない。従って、
剥離防止層４と記録層２とは常時安定した密着接着状態
であるから、基板１と記録層２との界面における剥離は
不可となり、基板１を利用した光ディスクＡＡの偽造を
未然にしかも確実に防止することができる。

【００２５】［実施例１〜実施例８と比較例１〜比較例
１１との対比］次に、本発明の情報記録担体の実施例１
〜実施例８について、比較例１〜比較例７の対比で説明
する。

【００２６】［実施例１〜実施例８］前記した光ディス
クＡＡはＣＤ−ＲＯＭと同様な構造とする。この光ディ
スクＡＡを構成する基板１は１．２ｍｍ厚のポリカーボ
ネートからなる。この基板１の表面には微細パターン列
１Ａが螺旋状または同心円状に刻設されており、微細パ
ターン（線幅０．６μｍ）が情報として刻まれている。
この基板１上には記録層２がスパッタ法でアルミニウム
７０ｎｍ厚で形成されている。この記録層２上には剥離
防止層４が５μｍ〜１０μｍ厚で形成されている。そし
て、この剥離防止層４上には保護層３が５μｍ〜１０μ
ｍ厚で形成されている。

【００２７】これら剥離防止層４と保護層３とは、いず
れも下記する「樹脂Ａ」〜「樹脂Ｅ」、「樹脂α」、
「樹脂β」を用いてなるものであり、また、これら樹脂
はいずれも紫外線硬化タイプに調整されている。剥離防
止層４は記録層３上に樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを塗布する工
程（スピンコート）と、塗付した樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを
硬化させる工程（紫外線照射）とにより形成される。ま
た、保護層３は硬化した剥離防止層４上に樹脂α，βを
塗布する工程（スピンコート）と、塗付した樹脂α，β
を硬化させる工程（紫外線照射）とにより形成される。
紫外線照射は、高圧水銀灯の紫外線を２０００ｍＪ照射
で行った。

【００２８】ところで、図２に示す剥離試験の方法は、
保護層３表面にカッターナイフで、１ｍｍ刻みの傷を碁
盤の目状につけ、１００個のマスをつくる（テストピー
スをつくる）。この結果、剥離防止層４、記録層２、基
板１の表層に傷が入ることになる。ここまでの作業は、
ＪＩＳ−Ｋ５４００に記載された方法と同じである。Ｊ
ＩＳではこの作業で剥がれたマス目の数を数えてランク
分けするが、本発明の情報記録坦体（光ディスクＡＡ）
の剥離試験方法では、このマスにスコッチ・ポリイミド
テープ５４１３（接着力７００ｇ／２５ｍｍ）を貼り付
けて剥離する。そしてこの試験を同一箇所で１０回行
い、１つでも剥離が認められれば「ＮＧ」とした。この
試験方法は、カッターナイフによる保護層３の切断に加
え、テープによる保護層３の引き剥がしが加わり、さら
に、その試験を同一箇所で繰り返すことによって微小な
保護層３の剥がれも拡大して剥離するので、ＪＩＳＫ−
５４００よりも、ずっと厳しい剥離試験方法である。

【００２９】前記した剥離防止層４と保護層３は、「樹
脂Ａ」〜「樹脂Ｅ」、「樹脂α」、「樹脂β」を、図２
に示すように、組み合わせてなるものである。図２中、
「ＮＧ」は基板１と記録層２間に剥離状態が生じたと
き、「ＯＫ」は基板１と記録層２間に剥離状態が全く生
じないときをそれぞれ指す。

【００３０】即ち、図２に示すように、「実施例１」〜
「実施例４」は剥離防止層４として「樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ」を、保護層３として全て「樹脂α」を用いてなる。
また、「実施例５」〜「実施例８」は剥離防止層４とし
て「樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ」を、保護層３として「樹脂
β」を用いてなる。そして、「実施例１」〜「実施例
８」の剥離試験結果は、全て「ＯＫ」である。

【００３１】「樹脂Ａ」…伸び率５０％（モノマー、Ｍ
−５５００（東亜合成（株）社製）に光開始剤ダロキュ
ア１１７３（メルクジャパン（株）社製）を３％添加し
たもの） 「樹脂Ｂ」…伸び率１００％（紫外線硬化型組成物、Ｕ
Ｖ−３６３０（東亜合成（株）社製）） 「樹脂Ｃ」…伸び率１５０％（モノマー、ＣＬ−５０
（日本化薬（株）社製）に光開始剤ダロキュア１１７３
（メルクジャパン（株）社製）を３％添加したもの） 「樹脂Ｄ」…伸び率２００％（モノマー、Ｕ−３４０Ａ
（新中村化学工業（株）社製）に光開始剤ダロキュア１
１７３（メルクジャパン（株）社製）を３％添加したも
の） 「樹脂Ｅ」…伸び率３００％（モノマー、Ｍ−５７００
（東亜合成（株）社製）に光開始剤ダロキュア１１７３
（メルクジャパン（株）社製）を３％添加したもの） 「樹脂α」…伸び率０〜５％．値が小さいために測定誤
差がこの位生じる。（紫外線硬化型組成物、ＳＤ−１７
００（大日本インキ化学工業（株）社製）） 「樹脂β」…伸び率０〜５％．値が小さいために測定誤
差がこの位生じる。 （紫外線硬化型組成物、ＸＲ−１１（住友化学工業
（株）社製）） なお、伸び率の測定方法はＪＩＳＫ−６３０１に記載さ
れた試験方法によるものである。

【００３２】［比較例１〜比較例７］［比較例１〜比較
例７］は、前述した［実施例１〜実施例８］の剥離防止
層４と保護層３とに用いる樹脂が相違する。これ以外の
ディスクの構成は［実施例１〜実施例８］と同様であ
る。図２に示すように、「比較例１」〜「比較例７」は
剥離防止層４として「樹脂α，β，Ａ，β，β，β，
β，」を、保護層３として「樹脂β，α，α，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ」を用いてなる。そして、「比較例１」〜「比較
例７」の剥離試験結果は、全て「ＮＧ」である。

【００３３】［比較例８〜比較例１１］［比較例８〜比
較例１１］は、図３に示した光ディスクＡの構成におけ
る保護層３の厚さ及び樹脂を適宜選択したものである。
光ディスクＡの基板１は１．２ｍｍ厚のポリカーボネー
ト、記録層２は７０ｎｍ厚のアルミニウムで形成されて
いる。図２に示すように、保護層３として、「比較例
８」は８μｍ厚の「樹脂α」を用い、「比較例９」は８
μｍ厚の「樹脂β」を用い、「比較例１０」は１６μｍ
厚の「樹脂α」を用い、「比較例１１」は１６μｍ厚の
「樹脂β」を用いてなる。そして、「比較例８」〜「比
較例１１」の剥離試験結果は、全て「ＮＧ」である。

【００３４】この結果、［実施例１〜実施例８］の剥離
試験結果は全て「ＯＫ」であるのに対して、「比較例
１」〜「比較例１１」の剥離試験結果は全て「ＮＧ」で
ある。よって、上記した剥離防止層４、保護層３を［実
施例１〜実施例８］にあるような樹脂を用いることによ
り、剥離防止層４と記録層２とは常時安定した密着接着
状態がえられ、基板１と記録層２との界面における剥離
は完全に不可となり、基板１を利用した光ディスクＡＡ
の偽造を未然にしかも確実に防止することができる。

【００３５】以上のように、伸び率１００％〜３００％
の樹脂からなる剥離防止層４と、伸び率５％以下の樹脂
からなる保護層３を積層したものについてのみ剥離が認
められず、剥離防止効果が認められる。なお、上述した
剥離防止層４は最大伸び率３００％の樹脂を用いたもの
しか示していないが、これ以上の伸び率（３００％〜１
０００％）の樹脂を用いたものでも良いことは勿論であ
る。樹脂は主剤であるモノマー及び硬化させるための重
合開始剤からなる。例えば「樹脂Ｅ」においては、モノ
マーがＭ−５７００、重合開始剤がダイキュア１１７３
である。なお、「樹脂Ｂ」，「樹脂α」，「樹脂β」は
開始剤を含んだ組成物である。本発明の最大の特徴であ
る伸び率はモノマーの種類によって主に決定される。し
かし、塗布性を考え粘度調整の目的で各種エチレン性不
飽和樹脂を添加しても良い。しかしあくまでも本発明の
範囲を逸脱しない量で添加すべきである。

【００３６】また必要に応じて各種ポリマーをバインダ
ーとして添加してもよい。しかしあくまでも本発明の範
囲を逸脱しない量で添加すべきである。なお後述する実
施例１３のように、信号面サイドより読みとるタイプの
光ディスクの場合は剥離防止層４と保護層３の透過率に
留意しなければならない。すなわち読み取りや書き込み
に使用する光は、ピックアップレンズを出射した後、こ
の２つの層５を通過して記録層２に照射され、ここで反
射され、再度２つの層５を通過してピックアップレンズ
に戻る。これら２つの層は記録再生に使用するレーザー
波長で、充分透過することが必要であり、少なくとも７
０％以上必要である。この透過率を下回ると再生信号の
出力が半減（０．７Ｘ０．７＝０．４９）して安定した
再生が不可能になる。記録層２の材質によっては記録層
２自身の反射率が低い場合もあるから、望ましくは９０
％以上の透過率が必要である。

【００３７】この透過率の測定には石英ガラスにこれら
２層を同一膜厚で順に積層した試験片を用いることがで
きる。石英ガラス単独の試験片も併せて用意し、赤外光
から紫外光まで波長を選択できる透過型分光器でこれら
２つの試験片の透過光量を測定して、それらの比から透
過率を定義することができる。勿論選択する波長は記録
または再生レーザーの波長であって、例えば８３０，７
８０，６９０，６５０，６３５，５３２，４３０，４１
０，３７０ｎｍの波長やその近辺を用いる。

【００３８】また、各種エチレン性不飽和樹脂の例とし
ては、単官能アクリレート（メタクリレート）、２官能
アクリレート（メタクリレート）、３官能アクリレート
（メタクリレート）、４官能アクリレート（メタクリレ
ート）、６官能アクリレート（メタクリレート）などを
挙げることができる。具体的には単官能アクリレートと
して、２ーエチルヘキシルアクリレート、２ーヒドロキ
シエチルアクリレート、Ｎービニルピロリドン、ｔ−ブ
チルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２官能
アクリレートとして、エチレングリコールジアクリレー
ト、ポリエチレングリコールジアクリレート、１、４ー
ブタンジオールジアクリレート、１、５ーペンタンジオ
ールジアクリレート、１、６ーヘキサンジオールジアク
リレート、１、１０ーデカンジオールジアクリレート、
３官能アクリレートとして、トリメチロールプロパント
リアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト、グリセロールトリアクリレート、４官能アクリレー
トとして、テトロメチロールメタンテトラアクリレー
ト、６官能アクリレートとして、ジペンタエリスリトー
ルヘキサアクリレートなどを挙げることができる。また
これらの官能基（アクリロイル基）をメタクリロイル基
に置き換えたものでも可能である。

【００３９】また、重合開始剤は、実施例では紫外線硬
化に対応した光開始剤とした。但し、ここで使用した重
合開始剤はダロキュア１１７３（２ーヒドロキシー２ー
メチルー１ーフェニルプロパンー１ーオン）に限定され
るものではない。ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノ
ン、４−メトキシベンゾフェノン、ベンジルジメチルケ
タール、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプ
ロピルエーテル、ミルラーズケトン、アントラキノン、
２−メチルアントラキノン、アセトフェノン、αα−ジ
クロルー４ーフェノキシアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルトリクロロアセトフェノン、メチルオルソベン
ゾイルベンゾエート、２ークロロチオキサントン、２，
４−ジエチルチオキサントンでも使用可能である。これ
らの重合開始剤は紫外線硬化用として混合できるばかり
ではなく、γ線、電子線、マイクロ波硬化用としても混
合して用いることができる。またこれらには必要に応じ
て重合促進剤として、アミン化合物を添加してもよい。

【００４０】なお、この重合開始剤を熱硬化用とするな
らば、先述の重合開始剤ではなく、一般的な重合用開始
剤（例えばアゾビスイソブチロニトリルなど）を混合し
て用いる。

【００４１】ところで、特開平５ー８１７０２号公報に
は、保護膜を２層にし、上層である高い表面硬度を有す
る表面層と、下層である密着性を有する内面層の構成が
説明されている。この特許の構成は断面構造上、本発明
に類似しているが、磁界変調式光磁気ディスクのＣＳＳ
動作を良好にするため特に表面硬度を高くした表面層
（鉛筆硬度ＨＢ以上）に特徴があり、実施例では鉛筆硬
度でＨと２Ｈの硬度が例示されている。そして内面層に
ついては、単に金属に対する密着性の優れた樹脂として
しか記載がなく、その物性や材料についてはなんら限定
がない。実施例として挙げられているＳＤ−１０１やＳ
Ｄ−３０１は、光ディスクで一般的に用いられる保護膜
であり、その伸び率は０〜５％の範囲であり、測定でき
ないほど小さい。表面層、内面層とも伸び率についての
言及がなく、両層の物性上のバランスと偽造防止につな
がる剥離性との関係についても示されていない。また実
施例で行われている密着力試験はＪＩＳ−Ｋ５４００で
あって、本発明で行っている試験方法に比べてずっと緩
やかな条件のものである。以上述べたように本発明と従
来技術とは根本的に目的、物性的構成、効果が異なるも
のである。

【００４２】（２）情報記録坦体製造方法 次に、上述した本発明になる情報記録坦体を製造する製
造方法について説明する。以下の説明においては、本発
明の要部である、記録層２上に剥離防止層４を形成する
工程と、剥離防止層４上に保護層３を形成する工程とに
絞って、詳述する。これ以外のディスク製造工程（基板
１、記録層２形成工程）は周知のものであるので、その
説明は省略する。

【００４３】さて、本発明になる情報記録坦体製造方法
は、反射層である記録層２上に柔軟層である剥離防止層
４を塗布する工程と、この剥離防止層４を硬化させる工
程と、剥離防止層４上に保護層３を塗布する工程と、こ
の保護層３を硬化させる工程の順であることが望まし
い。剥離防止層４を硬化させる工程を省いたときには密
着性が著しく低下することが実験で確かめられている。

【００４４】剥離防止層４及び保護層３を塗布する工程
は、スピンコート法、バーコート法、ロールコート法、
スプレー法、浸漬法、印刷が望ましい。以下、剥離防止
層４に適応した場合の各工法の特徴を整理する。スピン
コート法は、回転数や回転時間を調整することで膜厚を
容易に設定できるという利点がある。ただし剥離防止層
４は粘度が高いために回転数を大きく設定することが必
要になってきて、量産にはあまり向かない反面、従来の
光ディスクラインの設備を共用できるという利点があ
る。バーコーター法は、バーの目の粗さと掃引速度で膜
厚を決めることができ、装置が簡単で、速度も速い利点
がある反面、目の痕跡が残りやすい欠点も合わせ持って
いる。ロールコータ法は、ロール間のギャップと回転速
度で膜厚が決まり、高粘度でもスピードの速いライン構
築が可能であり、更に表面粗さの最も小さい綺麗な層を
形成することができる。スプレー法は、設備コストが最
も安くできるが、表面粗さが大きくなる欠点や、作業環
境が汚れやすいという欠点もある。浸漬法は、溶液に漬
けて引き上げるだけで、これも設備コストが安くできる
が、裏面にもついてしまうという欠点を持っている。印
刷の場合（例えばスクリーン印刷）は高粘度でありなが
ら高速で、しかも表面だけ、しかも綺麗に塗布できると
いう利点がある。また設備コストも比較的安くできる。
以上の長所短所を考慮して、利用者が塗布方法を選択す
ればよい。

【００４５】剥離防止層４、保護層３を硬化させる工程
は、先例では紫外線としたがこれに限定されない。可視
光やマイクロ波、γ線を含む放射線でも良く、また、電
子線照射であっても良く、共に硬化が高速で行える。ま
た剥離防止層４、保護層３を硬化させる工程は、オーブ
ンなどでの加熱法でも良い。この場合は熱重合用の開始
剤添加が必要になるが、５０度〜１５０度程度の加熱で
硬化を行うことができる。硬化時間は紫外線、電子線、
マイクロ波照射に比べると１０倍〜１００倍かかるが、
設備コストの安い製造方法である。なお加熱温度は高け
れば高いほど硬化が短時間で済む。効果のはっきり認め
られる温度は５０度以上である。また温度が高すぎると
基板に反りが発生してしまい、信号読み取り性能に影響
が発生する。ポリカーボネートの場合、融点が１４０度
であるので、極めて短時間の加熱硬化であっても最大１
５０度の温度であることが必要である。反りを考慮に入
れると５０度〜８０度の温度範囲で硬化させるのが最も
好ましい。硬化させる方法としては、一般的なヒーター
加熱が使用できるが、赤外線加熱が直接的、スポット的
に加熱できるという点で効果的である。

【００４６】以上、本発明について実施例１〜実施例８
を示したが、これらは発明の基本骨格を示すための説明
であり、本発明はこれに限定されるものではない。例え
ば保護層３の上に、印刷膜を施してもよい。また、記録
層２、剥離防止層４、保護層３を、塗布する範囲を徐々
に変えて、剥離防止層４が記録層２を、保護層３が剥離
防止層４を包み込むように形成しても良い。また基板１
の読み取り面側に、傷防止層や帯電防止層、あるいは、
反り矯正層、透湿防止層を設けてもよい。

【００４７】上記実施例１〜実施例８ではＣＤ−ＲＯＭ
に代表させ、再生専用光ディスクを元にして説明した
が、いわゆる光磁気ディスク（例：ＭＤデータなど）や
相変化ディスク（例：ＰＤなど）のような記録再生型光
ディスクであっても良いし、追記型ディスク（ＣＤ−Ｒ
など）であってもよい。その場合には記録層２は、それ
ら記録機能を有する機能膜に置き換えることができる。
また順次書き込みデーターを消去してゆくことで情報を
変更してゆくディスクであってもよい。また貼り合わせ
構造を持つディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ、ＤＶＤ−Ｒなど）であってもよい。また、本発明を
既存のコピープロテクト法と組み合わせて、高度なセキ
ュリティーシステムとしてもよい。

【００４８】（３）情報記録坦体 次に、このような多種類のディスクに適用可能な本発明
の情報記録坦体について、具体的に説明する。即ち、こ
こで説明する本発明の情報記録坦体は、図１に示した光
ディスクＡＡと同一の構成を備えており、微細パターン
列１Ａを有する信号面である基板１上に、反射膜である
記録層２、剥離防止層４、保護層３を順次積層して構成
される。

【００４９】この構成に加えて、特に、この記録層２
を、光反射膜、光磁気膜、相変化膜、色素膜を少なくと
も１つ含む単層又は積層構造体で構成したものである。
また、これら光反射膜、光磁気膜、相変化膜、色素膜を
使用する媒体（ディスク）としては、次のような再生専
用媒体、光磁気媒体、相変化媒体、追記型色素媒体、追
記型相変化媒体が上げられる。

【００５０】［再生専用媒体］前記した光反射膜を使用
する再生専用媒体としては、アルミニウム、金、銀、
銅、ニッケル、クロム、シリコン、チタン、タンタルや
これらを主成分とする合金、そしてＳｉＮ、ＳｉＣ、Ｓ
ｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮなどを用いることができ
る。

【００５１】［光磁気媒体］また、前記した光磁気膜を
使用する光磁気媒体としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅなどの遷移金
属と希土類の合金、コバルトと白金の交互積層膜を用い
ることができる。遷移金属はＨｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕに
置換しても良く、また、Ｂｉ、Ｓｎなどを添加しても良
い。

【００５２】［相変化媒体］さらに、前記した相変化膜
を使用する相変化媒体としては、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＴ
ｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｎＴｅ、ＧｅＳｎＴｅＡｕ、Ｇ
ｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＡｓ、ＳｂＴｅ、ＳｂＳｅＴｅ、Ｓ
ｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＩｎＴｅ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｂ、Ｉ
ｎＳｂＳｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＣｕＡ
ｌＴｅＳｂなどのカルコゲン系合金を用いることができ
る。

【００５３】［追記型色素媒体］さらにまた、前記した
色素膜を使用する追記型色素媒体としては、シアニン色
素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、アゾ
色素、ナフトキノン色素などを用いることができる。

【００５４】［追記型相変化媒体］さらにまた、前記し
た相変化膜を使用する追記型相変化媒体としては、テル
ル、ビスマス、ＴｅＯ、ＴｅＣなどの低融点金属や合金
を用いることができる。なお、これら光磁気媒体、相変
化媒体、追記型色素媒体、追記型相変化媒体に、再生出
力向上の目的で、光学干渉膜（ＳｉＮ、ＳｉＯ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳＳｉＯ、ＡｌＯ、ＭｇＦ、ＩｎＯ、ＺｒＯな
ど）や光反射膜（アルミ、金など）を併用して積層して
もよい。また、高密度記録再生を行うために、公知の超
解像マスク膜やコントラスト増強膜を併用して積層して
も良い。

【００５５】次に、前記した光磁気媒体、相変化媒体、
追記型色素媒体、追記型相変化媒体を記録層２として用
いた各種のディスク実施例を示す。 ［実施例９］光磁気ディスクで説明する。基板１はアク
リル、１．２ｍｍ厚である。その表面には微細パターン
（グルーブ線幅１．０μｍ、トラックピッチ１．６μ
ｍ）１Ａが情報として刻まれている。その信号面上に記
録層２として光磁気膜ＴｂＦｅＣｏが９０ｎｍ、更に光
学干渉膜ＳｉＯが８０ｎｍ、共にスパッタ法で形成され
ている。剥離防止層４の成膜を樹脂Ｂにてスプレー法で
行い、膜厚を２０μｍとした。硬化方法は実施例１と同
じである。続いて保護膜３の材料、成膜方法、硬化方法
を実施例１と同じ内容で行って、ディスクを完成させ
た。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。

【００５６】［実施例１０］相変化ディスクで説明す
る。基板１材料はポリカーボネートとポリスチレンのブ
レンド品、１．２ｍｍ厚である。その表面には微細パタ
ーン（クルーブ線幅０．４μｍ、トラックピッチ１．６
μｍ）１Ａが情報として刻まれている。その信号面上に
記録層２として、相変化膜ＡｇＩｎＳｂＴｅ１００ｎｍ
がスパッタ法で形成されている。剥離防止層４の成膜方
法をバーコート（膜厚１５μｍ）とした他は実施例３と
同じ内容で剥離防止層４、保護層３を形成した。先と同
じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。

【００５７】［実施例１１］追記型ディスク、ＣＤ−Ｒ
で説明する。基板１はポリカーボネート、１．２ｍｍ厚
である。その表面には微細パターン（グルーブ線幅０．
６μｍ、トラックピッチ１．６μｍ）１Ａが情報として
刻まれている。その信号面上に記録層２として、スピン
コート法で追記型色素膜アゾ系色素１５０ｎｍ及び光反
射膜として蒸着法で銀が６０ｎｍ形成されている。剥離
防止層４の材料はモノマーＣＬ−５０に熱硬化剤アゾビ
スイソブチロニトリルを５％添加したものとし、ロール
コートで９μｍ塗布した。硬化は７０℃のオーブンの中
をコンベア搬送しながら３０分で硬化させた。そして保
護膜は樹脂βをスピンコートで７μｍに塗布し、実施例
１と同じ紫外線ランプで硬化させた。先と同じ剥離試験
を行ったところ、ＯＫであった。

【００５８】［実施例１２］追記型ディスク、ＣＤ−Ｒ
で説明する。基板１はポリカーボネート、１．２ｍｍ厚
である。その表面には微細パターン（グルーブ線幅０．
６μｍ、トラックピッチ１．６μｍ）１Ａが情報として
刻まれている。その信号面上に記録層２として、スピン
コート法で追記型色素膜シアニン系色素１２０ｎｍ及び
光反射膜がスパッタ法で金が７０ｎｍ形成されている。
剥離防止層４の材料は樹脂Ｂとし、スピンコートで１２
μｍ塗布した。それをマイクロ波照射５分で硬化させ
た。そして保護膜３は樹脂βをスピンコートで７μｍに
塗布し、実施例１と同じ紫外線ランプで硬化させた。先
と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。

【００５９】［実施例１３］再生専用型ディスクであっ
て、信号面サイドより読み取る超高密度ディスクで説明
する。基板１はポリカーボネート、１．２ｍｍ厚であ
る。その表面には微細パターン（線幅０．１５μｍ、１
０種類の長さのピット、トラックピッチ０．４μｍ）１
Ａが情報として刻まれている。その信号面上に記録層２
としてスパッタ法で光反射膜ＡｌＴｉが６０ｎｍ形成さ
れている。剥離防止層４の材料は樹脂Ｃをそのまま用
い、スクリーン印刷で３０μｍ塗布した。硬化は実施例
１と同じ紫外線ランプで硬化させた。この塗布と硬化を
重ねて合計３回行い、更に保護膜３として樹脂βをスピ
ンコートで１０μｍに塗布し、実施例１と同じ紫外線ラ
ンプで硬化させた。先と同じ剥離試験を行ったところ、
ＯＫであった。なお、この時、同じ剥離防止層４、保護
膜３を積層した石英ガラスを用意し、波長５３２ｎｍの
光ビームの透過率を測定したところ、８２％であった。

【００６０】［実施例１４］短波長対応光磁気ディスク
で説明する。基板１はガラス、１．２ｍｍ厚である。そ
の表面には微細パターン（グルーブ線幅０．４μｍ、ト
ラックピッチ０．９μｍ）１Ａが情報としてエッチング
で刻まれている。その信号面上に記録層２として、光磁
気媒体コバルト（０．５ｎｍ）白金（０．５ｎｍ）が交
互に２０層ずつスパッタ法で積層形成されている。剥離
防止層４を樹脂Ｄにてスプレー法で行い、膜厚を２０μ
ｍとした。硬化は電子線を３０秒間連続照射して行っ
た。続いて保護膜３の材料、成膜方法、硬化方法を実施
例１と同じ内容で行ってディスクを完成させた。先と同
じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。

【００６１】［実施例１５］短波長対応光磁気ディスク
で説明する。基板１材質はアモルファスポリオレフィン
の一種である商品名ゼオネックス２８０、１．２ｍｍ厚
である。その表面には微細パターン（グルーブ線幅０．
４μｍ、トラックピッチ０．９μｍ）１Ａが情報として
刻まれている。その信号面上に記録層２として、光学干
渉膜ＳｉＮ８０ｎｍ、光磁気膜ＮｄＦｅＣｏ９０ｎｍ、
ＳｉＮ８０ｎｍ、光反射膜ＡｌＴａ８０ｎｍがスパッタ
法で形成されている。剥離防止層４、及び保護膜３は実
施例２と同じ内容で行ってディスクを完成させた。先と
同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。

【００６２】［実施例１６］高密度光磁気ディスクＡＳ
ＭＯで説明する。基板１はポリカーボネート、０．６ｍ
ｍ厚（ただしセンタークランプ部は１．２ｍｍ）であ
る。その表面には微細パターン（グルーブ線幅０．３μ
ｍ、トラックピッチ０．６μｍ）１Ａが情報として刻ま
れている。その信号面上に記録層２が光学干渉膜ＳｉＮ
８０ｎｍ、光磁気膜ＧｄＦｅＣｏ４０ｎｍ、光磁気媒体
ＴｅＦｅＣｏ６０ｎｍ、光学干渉膜ＳｉＮ６０ｎｍ、光
反射膜ＡｌＴｉ７０ｎｍがスパッタ法で形成されてい
る。剥離防止層４は樹脂Ｄにモノマー１．６ヘキサンジ
オールジアクリレートを１０％添加して粘度を下げたも
のをスピンコートで７μｍ塗布した。硬化方法は実施例
１と同じである。また保護膜３の材料、成膜方法、硬化
方法は実施例１と同じ内容で形成した。更に基板の読み
取り面側に反り矯正及び透湿防止用にＳｉＯをスパッタ
法で形成した。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫ
であった。

【００６３】［実施例１７］貼り合わせ型相変化ディス
クＤＶＤ−ＲＡＭで説明する。基板１はポリカーボネー
ト、０．６ｍｍ厚である。その表面には微細パターン
（グルーブ線幅０．７μｍ、トラックピッチ１．４８μ
ｍ）１Ａが情報として刻まれている。この基板１を２枚
用意し、それぞれの信号面上に記録層２がスパッタ法
で、光学干渉膜ＺｎＳＳｉＯ９０ｎｍ、相変化膜ＧｅＳ
ｂＴｅ２０ｎｍ、光学干渉膜ＺｎＳＳｉＯ２０ｎｍ、光
反射膜ＡｌＣｒ１５０ｎｍを形成した。剥離防止層４、
保護膜３は各々実施例８と同じ内容で形成した。更に２
つの半ディスクを貼り合わせるに当り、片側の保護膜３
面上にスクリーン印刷でＳＫ−７０００（ソニーケミカ
ル製）を３０μｍ印刷し、紫外線を５００ｍＪ照射し
た。そして他方のディスクを重ね合わせ、プレスした。
この貼り合わせディスクを縦置きで２４時間エージング
し、ディスクを完成させた。カッターナイフを用いて２
つの半ディスクに分解したものについて、先と同じ剥離
試験を行ったところ、ＯＫであった。

【００６４】［実施例１８］貼り合わせ型ディスクＤＶ
Ｄの再生専用２層タイプで説明する。基板１はポリカー
ボネート、０．６ｍｍ厚である。その表面には微細パタ
ーン（線幅０．３μｍ、１０種類の長さのピット、トラ
ックピッチ０．７４μｍ）１Ａが情報として刻まれてい
る。この基板１を２枚用意した。１枚には信号面上に記
録層２がスパッタ法で、光反射膜金１４ｎｍを形成し、
もう１枚には同様に光反射膜としてスパッタ法でアルミ
ニウムを主成分とする合金、Ａ６０６１を６０ｎｍ形成
した。そしてそれぞれの記録層２上にスピン法で樹脂Ｅ
を１５μｍ形成し、実施例１と同じ方法で硬化させた。
片側の半ディスクをスピナーで低速回転させながら、保
護膜兼接着剤として樹脂αを塗布し、回転中に他の半デ
ィスクを気泡が入らないように重ね合わせ、続いて１５
００ｒｐｍで回転させ余剰の樹脂を振り切った。そして
これに金を形成した基板側より紫外線を１０００ｍＪ照
射して接着してディスクを完成させた。金とＡ６０６１
の間の樹脂の厚みは合計４５μｍとなった。この貼り合
わせディスクをカッターナイフを用いて２つの半ディス
クに分解したものについて、先と同じ剥離試験を行った
ところ、ＯＫであった。

【００６５】［実施例１９］貼り合わせ型ディスクＤＶ
Ｄの再生専用２層タイプで説明する。基板１はポリカー
ボネート、０．６ｍｍ厚である。その表面には微細パタ
ーン（線幅０．３μｍ、１０種類の長さのピット、トラ
ックピッチ０．７４μｍ）１Ａが情報として刻まれてい
る。この基板１を２枚用意した。１枚には信号面上に記
録層２が光反射膜ＳｉＮ４０ｎｍをスパッタ法で形成
し、もう１枚には同様に光反射膜としてスパッタ法でク
ロムを１００ｎｍ形成した。そしてそれぞれの記録層２
上にスピン法で樹脂Ｅを２０μｍ形成し、実施例１と同
じ方法で硬化させた。片側の半ディスクをスピナーで低
速回転させながら、保護膜３兼接着剤として樹脂βを塗
布し、回転中に他の半ディスクを気泡が入らないように
重ね合わせ、続いて２０００ｒｐｍで回転させ余剰の樹
脂を振り切った。そしてこれにＳｉＮを形成した基板側
より紫外線を１０００ｍＪ照射して接着してディスクを
完成させた。ＳｉＮとクロム間のの樹脂の厚みは合計４
５μｍとなった。この貼り合わせディスクをカッターナ
イフを用いて２つの半ディスクに分解したものについ
て、先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。

【００６６】

【発明の効果】上述した構成を有する本発明の情報記録
坦体は、特に伸び率１００％〜３００％の樹脂からなる
剥離防止層と、伸び率５％以下の樹脂からなる保護層と
を記録層上に積層したので、例えば、粘着テープを用い
ても基板と記録層の界面おいて記録層が剥離することが
なく、この結果、基板の物理的な偽造コピー法を確実に
防止することができ、また、こうした構成の情報記録坦
体の製造方法を提供することができる。さらに、記録層
を、光反射膜、光磁気膜、相変化膜、色素膜を少なくと
も１つ含む単層又は積層構造体で構成したことにより、
こうした記録層を有する多種類のディスクのいずれにつ
いても、基板の物理的な偽造コピー法を確実に防止する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の情報記録坦体の構造を説明するための
図である。

【図２】実施例１〜実施例８、比較例１〜比較例１１に
おける剥離試験結果を説明するための図である。

【図３】光ディスクの構造を説明するための図である。

【符号の説明】

１ 基板 １Ａ 微細パターン列 ２ 記録層 ３ 保護層 ４ 剥離防止層 ５ 層 Ａ，ＡＡ 光ディスク Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，α，β 樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５２２ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５２２

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】微細パターン列を有する基板上に、記録層
   と、剥離防止層と、保護層とを順次積層してなることを
   特徴とする情報記録坦体。
2. 【請求項２】請求項１記載の情報記録坦体であって、 前記剥離防止層は、伸び率１００％〜３００％の樹脂か
   らなり、 前記保護層は、伸び率５％以下の樹脂からなることを特
   徴とする情報記録坦体。
3. 【請求項３】請求項１又は２記載の情報記録坦体であっ
   て、 前記記録層は、光反射膜、光磁気膜、相変化膜、色素膜
   を少なくとも１つ含む単層又は積層構造体でなることを
   特徴とする情報記録坦体。
4. 【請求項４】請求項３記載の情報記録坦体であって、 前記光反射膜は、アルミニウム、金、銀、シリコン、チ
   タン、タンタル、クロム、又は、アルミニウム、金、
   銀、シリコン、チタン、タンタル、クロムを含む合金の
   いずれかでなることを特徴とする情報記録坦体。
5. 【請求項５】請求項３又は４記載の情報記録坦体であっ
   て、 前記光磁気膜は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＦ
   ｅＣｏ、コバルト、白金を少なくとも１つ含んでなるこ
   とを特徴とする情報記録坦体。
6. 【請求項６】請求項３ないし請求項５のいずれかに記載
   の情報記録坦体であって、 前記相変化膜は、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅを少
   なくとも１つ含んでなることを特徴とする情報記録坦
   体。
7. 【請求項７】請求項３ないし請求項６のいずれかに記載
   の情報記録坦体であって、 前記色素膜は、シアニン色素、アゾ色素を少なくとも１
   つ含んでなることを特徴とする情報記録坦体。
8. 【請求項８】請求項１ないし請求項７のいずれかに記載
   の情報記録坦体であって、 前記剥離防止層は、放射線硬化樹脂、熱硬化樹脂、電子
   線硬化樹脂を少なくとも１つ含んで硬化させたものであ
   ることを特徴とする情報記録坦体。
9. 【請求項９】微細パターン列を有する基板上に記録層と
   剥離防止層と保護層とを順次積層した情報記録坦体を製
   造する情報記録坦体の製造方法であって、 前記記録層上に、剥離防止層となる樹脂を塗布する工程
   と、 次に、前記記録層上に塗付した樹脂を硬化して前記剥離
   防止層を形成する工程と、 次に、前記剥離防止層上に、保護層となる樹脂を塗布す
   る工程と、 次に、前記剥離防止層上に塗付した樹脂を硬化して前記
   保護層を形成する工程とを有することを特徴とする情報
   記録坦体の製造方法。
10. 【請求項１０】前記記録層上に剥離防止層となる樹脂を
    塗布する工程は、スピンコート法、バーコート法、ロー
    ルコート法、スプレー法、浸漬法、印刷のいずれかの方
    法を用いて行われることを特徴とする請求項９記載の情
    報記録坦体の製造方法。
11. 【請求項１１】前記記録層上に塗付した樹脂を硬化して
    前記剥離防止層を形成する工程は、放射線照射、電子線
    照射、ベーキングのいずれかの方法、またはこれらの方
    法を複合して行われることを特徴とする請求項９記載の
    情報記録坦体の製造方法。
12. 【請求項１２】前記ベーキングは、５０度〜１５０度の
    ヒーター加熱、または赤外線加熱であることを特徴とす
    る請求項１１記載の情報記録坦体の製造方法。
13. 【請求項１３】請求項１ないし請求項８のいずれかに記
    載の情報記録坦体であって、保護層面に形成したテスト
    ピースを剥離する剥離試験方法において、剥離が認めら
    れないことを特徴とする情報記録坦体。
14. 【請求項１４】請求項１ないし請求項８のいずれかに記
    載の情報記録坦体であって、剥離防止層と保護層を合わ
    せた層の光線透過率が７０％以上であることを特徴とす
    る情報記録坦体。