JP3656420B2 - 情報記録坦体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク等の情報記録坦体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、読み取り可能な情報が記録され、更に記録された情報を読み出すディスク状情報記録坦体があり、近年はこのディスク状情報記録坦体の高密度化が進んでいる。こうしたディスク状情報記録坦体には磁気ディスク、光ディスク、静電容量ディスクなど様々な種類のディスクがあるが、光ディスクの進歩はめざましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
さて、前記した高密度情報記録坦体の普及と最近のパーソナルコンピュータの高性能化に伴い、重要情報もこれら高密度情報記録坦体に記録する機会が多くなっている。しかし、セキュリティの問題は解決されていないと言ってもよい。
つまり、これらの高密度情報記録坦体は１枚に大容量の情報が記録できるという大きな利点が有る反面、市販の製造設備でたやすく複製が可能であるという欠点をもつ。特に、顧客銀行預金情報、電子マネーなどといった財産的な重要情報が大量に記録されている高密度情報記録坦体の原盤を盗み出して、これを大量に複製（偽造）して利害関係者に大量に配布するという犯罪を未然に防止できない。この結果、顧客個人のプライバシーの蹂躙、金融取引の信用不安などが発生し、安定した商取引に支障を来し、この結果、社会的な信用不安が発生する恐れがあった。
【０００４】
そこで、こうした重要情報が記録されている高密度情報記録坦体が偽造されない方法が必要とされていた。その解決手段として、従来いわゆる暗号を利用したコピープロテクトが数々提案されている。いわゆる電子的なコピーに対するプロテクトである。暗号の高度化に伴って、この方法は困難になりつつある。代わって台頭してきたのが物理的なコピー方法である。偽造の方法は、ディスクを層状に剥離し、その情報面を露出し、情報を他に転写することによって行われる。そしてそれを鋳型として、別のフラットなプラスチック板に信号を転写することができる。この鋳型は繰り返し使用できるので、本物と寸分違わぬ信号パターンを複数作ることができるのである。つまり電子的なコピー以外に、情報を丸ごとコピーする物理的なコピー法があり、これに対しては対抗手段がなかった。
【０００５】
図３は、光ディスクの構造を説明するための図である。
図３に示すように、光ディスクＡは、微細パターン列１Ａを有する信号面である基板１上に、反射膜である記録層２、保護層３を順次積層して構成される。こうした構成の光ディスクＡの場合、剥離が行えるのは基板１と記録層２との界面である。一般に保護膜３は記録層２に対して充分な密着力が得られるように、そして保護膜３として必要な強度を持つように硬い膜となっている。しかし基板１と記録層２の界面については、密着力が弱く、粘着テープを用いて丹念に剥がしを行えば基板１の表面が露出することになる。基板１上に記録層２を形成する方法は、蒸着やスパッタリングなどがあるが、後者は密着力がすぐれているものの不充分で、粘着テープを用いて信号面が露出していた。
こうした課題に着目して、本発明は、粘着テープを用いても基板１と記録層２の界面において記録層２が剥離することがなく、物理的なコピー（偽造）を確実に防止することができる構造を有する情報記録坦体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するために、本発明は、下記（１）〜（１２）の構成になる情報記録坦体及びその製造方法を提供する。
【０００７】
（１） 図１，２に示すように、微細パターン列１Ａを有する基板１上に、記録層２と、剥離防止層４と、保護層３とを順次積層し、
前記剥離防止層４は、ＪＩＳＫ−６３０１記載の試験方法による伸び率が下限１００％、上限３００％の樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅからなり、
前記保護層３は、前記試験方法による伸び率が５％以下の樹脂α，βからなることを特徴とする情報記録坦体（光ディスク）ＡＡ。
（２） 図１に示すように、前記（１）記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、
前記記録層２は、光反射膜、光磁気膜、相変化膜、色素膜を少なくとも１つ含む単層又は積層構造体でなることを特徴とする情報記録坦体。
（３） 前記（２）記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、
前記光反射膜は、アルミニウム、金、銀、シリコン、チタン、タンタル、クロム、又は、アルミニウム、金、銀、シリコン、チタン、タンタル、クロムを含む合金のいずれかでなることを特徴とする情報記録坦体。
（４） 前記（２）記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、
前記光磁気膜は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ、コバルト、白金を少なくとも１つ含んでなることを特徴とする情報記録坦体。
（５） 前記（２）記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、
前記相変化膜は、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅを少なくとも１つ含んでなることを特徴とする情報記録坦体。
(６) 前記（２）記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、
前記色素膜は、シアニン色素、アゾ色素を少なくとも１つ含んでなることを特徴とする情報記録坦体。
（７） 前記（１）ないし（６）のいずれかに記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、
前記剥離防止層４は、放射線(紫外線)硬化樹脂、熱硬化樹脂、電子線硬化樹脂を少なくとも１つ含んで硬化させたものであることを特徴とする情報記録坦体。
（８） 前記（１）ないし（６）のいずれかに記載の情報記録坦体（光ディスク）ＡＡであって、 剥離防止層４と保護層３を合わせた層５の光線透過率が７０％以上であることを特徴とする情報記録坦体。
（９） 微細パターン列１Ａを有する基板１上に記録層２と剥離防止層４と保護層３とを順次積層した情報記録坦体（光ディスク）ＡＡを製造する情報記録坦体の製造方法であって、
前記記録層２上に、樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを塗布する工程と、
次に、前記記録層２上に塗付した樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを硬化して、ＪＩＳＫ−６３０１記載の試験方法による伸び率が下限１００％、上限３００％である前記剥離防止層４を形成する工程と、
次に、前記剥離防止層４上に、樹脂α，βを塗布する工程と、
次に、前記剥離防止層４上に塗布した樹脂α，βを硬化して、前記試験方法による伸び率が５％以下である前記保護層３を形成する工程とを有することを特徴とする情報記録坦体の製造方法。
（１０） 前記記録層２上に剥離防止層４となる樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを塗布する工程は、スピンコート法、バーコート法、ロールコート法、スプレー法、浸漬法、印刷のいずれかの方法を用いて行われることを特徴とする前記(９)記載の情報記録坦体の製造方法。
（１１） 前記記録層２上に塗付した樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを硬化して前記剥離防止層４を形成する工程は、放射線照射、電子線照射、ベーキングのいずれかの方法、またはこれらの方法を複合して行われることを特徴とする前記(９)記載の情報記録坦体の製造方法。
（１２） 前記ベーキングは、５０度〜１５０度のヒーター加熱、または赤外線加熱であることを特徴とする前記(１１)記載の情報記録坦体の製造方法。
【００２１】
【発明の実施の態様】
以下、本発明の情報記録坦体及びその製造方法について、図面に沿って説明する。図１は本発明の情報記録坦体の構造を説明するための図、図２は実施例１〜実施例８、比較例１〜比較例１１における剥離試験結果を説明するための図である。前述したものと同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
下記に、（１）情報記録坦体（実施例１〜実施例８）、（２）情報記録坦体製造方法、（３）情報記録坦体（実施例９〜実施例１９）の順に説明する。
【００２２】
（１）情報記録坦体
本発明になる情報記録坦体は、前述した図３に示した光ディスクＡを構成する記録層２と保護層３との間に、後述する剥離防止層４を間隙なく介挿した構造に等しいものである。即ち、本発明になる情報記録坦体である光ディスクＡＡは、図１に示すように、微細パターン列１Ａを有する信号面である基板１上に、反射膜である記録層２、剥離防止層４、保護層３を順次積層して構成される。
【００２３】
記録層２と保護層３との間に剥離防止層４を介在させる理由は、伸び率が互いに異なる樹脂を用いた剥離防止層４と保護層３とを積層することにより、基板１と記録層２との界面における剥離を不可とすることにある。即ち、剥離防止層４は伸び率１００％〜３００％の柔軟性樹脂を用い、また、保護層３は伸び率５％以下の非柔軟性樹脂を用いる。こうすることで、保護層３側からの剥離による剪断力が下層（剥離防止層４）で分散、吸収されるので、この結果、基板１と記録層２との界面における剥離は不可となるのである。
【００２４】
しかし、伸び率５％より上の柔軟性樹脂を保護層３として用いると、その表面が極めて柔らかくなり外部からの傷に対して極めて弱くなるため、伸び率５％以下の硬い保護層３を形成するのである。
剥離試験後の顕微鏡観察では、上層（保護層３）が壊れているのが確認できるが、その破片は下層（剥離防止層４）に強固に接着しており、下層の剥離は認められない。従って、剥離防止層４と記録層２とは常時安定した密着接着状態であるから、基板１と記録層２との界面における剥離は不可となり、基板１を利用した光ディスクＡＡの偽造を未然にしかも確実に防止することができる。
【００２５】
［実施例１〜実施例８と比較例１〜比較例１１との対比］
次に、本発明の情報記録担体の実施例１〜実施例８について、比較例１〜比較例７の対比で説明する。
【００２６】
［実施例１〜実施例８］
前記した光ディスクＡＡはＣＤ−ＲＯＭと同様な構造とする。
この光ディスクＡＡを構成する基板１は１．２ｍｍ厚のポリカーボネートからなる。この基板１の表面には微細パターン列１Ａが螺旋状または同心円状に刻設されており、微細パターン（線幅０．６μｍ）が情報として刻まれている。この基板１上には記録層２がスパッタ法でアルミニウム７０ｎｍ厚で形成されている。この記録層２上には剥離防止層４が５μｍ〜１０μｍ厚で形成されている。そして、この剥離防止層４上には保護層３が５μｍ〜１０μｍ厚で形成されている。
【００２７】
これら剥離防止層４と保護層３とは、いずれも下記する「樹脂Ａ」〜「樹脂Ｅ」、「樹脂α」、「樹脂β」を用いてなるものであり、また、これら樹脂はいずれも紫外線硬化タイプに調整されている。剥離防止層４は記録層３上に樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを塗布する工程（スピンコート）と、塗付した樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを硬化させる工程（紫外線照射）とにより形成される。また、保護層３は硬化した剥離防止層４上に樹脂α，βを塗布する工程（スピンコート）と、塗付した樹脂α，βを硬化させる工程（紫外線照射）とにより形成される。紫外線照射は、高圧水銀灯の紫外線を２０００ｍＪ照射で行った。
【００２８】
ところで、図２に示す剥離試験の方法は、保護層３表面にカッターナイフで、１ｍｍ刻みの傷を碁盤の目状につけ、１００個のマスをつくる（テストピースをつくる）。この結果、剥離防止層４、記録層２、基板１の表層に傷が入ることになる。ここまでの作業は、ＪＩＳ−Ｋ５４００に記載された方法と同じである。ＪＩＳではこの作業で剥がれたマス目の数を数えてランク分けするが、本発明の情報記録坦体（光ディスクＡＡ）の剥離試験方法では、このマスにスコッチ・ポリイミドテープ５４１３（接着力７００ｇ／２５ｍｍ）を貼り付けて剥離する。そしてこの試験を同一箇所で１０回行い、１つでも剥離が認められれば「ＮＧ」とした。この試験方法は、カッターナイフによる保護層３の切断に加え、テープによる保護層３の引き剥がしが加わり、さらに、その試験を同一箇所で繰り返すことによって微小な保護層３の剥がれも拡大して剥離するので、ＪＩＳＫ−５４００よりも、ずっと厳しい剥離試験方法である。
【００２９】
前記した剥離防止層４と保護層３は、「樹脂Ａ」〜「樹脂Ｅ」、「樹脂α」、「樹脂β」を、図２に示すように、組み合わせてなるものである。図２中、「ＮＧ」は基板１と記録層２間に剥離状態が生じたとき、「ＯＫ」は基板１と記録層２間に剥離状態が全く生じないときをそれぞれ指す。
【００３０】
即ち、図２に示すように、「実施例１」〜「実施例４」は剥離防止層４として「樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ」を、保護層３として全て「樹脂α」を用いてなる。また、「実施例５」〜「実施例８」は剥離防止層４として「樹脂Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ」を、保護層３として「樹脂β」を用いてなる。そして、「実施例１」〜「実施例８」の剥離試験結果は、全て「ＯＫ」である。
【００３１】
「樹脂Ａ」…伸び率５０％（モノマー、Ｍ−５５００（東亜合成（株）社製）に光開始剤ダロキュア１１７３（メルクジャパン（株）社製）を３％添加したもの）
「樹脂Ｂ」…伸び率１００％（紫外線硬化型組成物、ＵＶ−３６３０（東亜合成（株）社製））
「樹脂Ｃ」…伸び率１５０％（モノマー、ＣＬ−５０（日本化薬（株）社製）に光開始剤ダロキュア１１７３（メルクジャパン（株）社製）を３％添加したもの）
「樹脂Ｄ」…伸び率２００％（モノマー、Ｕ−３４０Ａ（新中村化学工業（株）社製）に光開始剤ダロキュア１１７３（メルクジャパン（株）社製）を３％添加したもの）
「樹脂Ｅ」…伸び率３００％（モノマー、Ｍ−５７００（東亜合成（株）社製）に光開始剤ダロキュア１１７３（メルクジャパン（株）社製）を３％添加したもの）
「樹脂α」…伸び率０〜５％．値が小さいために測定誤差がこの位生じる。
（紫外線硬化型組成物、ＳＤ−１７００（大日本インキ化学工業 （株）社製））
「樹脂β」…伸び率０〜５％．値が小さいために測定誤差がこの位生じる。
（紫外線硬化型組成物、ＸＲ−１１（住友化学工業（株）社製））
なお、伸び率の測定方法はＪＩＳＫ−６３０１に記載された試験方法によるものである。
【００３２】
［比較例１〜比較例７］
［比較例１〜比較例７］は、前述した［実施例１〜実施例８］の剥離防止層４と保護層３とに用いる樹脂が相違する。これ以外のディスクの構成は［実施例１〜実施例８］と同様である。図２に示すように、「比較例１」〜「比較例７」は剥離防止層４として「樹脂α，β，Ａ，β，β，β，β，」を、保護層３として「樹脂β，α，α，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ」を用いてなる。そして、「比較例１」〜 「比較例７」の剥離試験結果は、全て「ＮＧ」である。
【００３３】
［比較例８〜比較例１１］
［比較例８〜比較例１１］は、図３に示した光ディスクＡの構成における保護層３の厚さ及び樹脂を適宜選択したものである。光ディスクＡの基板１は１．２ｍｍ厚のポリカーボネート、記録層２は７０ｎｍ厚のアルミニウムで形成されている。図２に示すように、保護層３として、「比較例８」は８μｍ厚の「樹脂α」を用い、「比較例９」は８μｍ厚の「樹脂β」を用い、「比較例１０」は１６μｍ厚の「樹脂α」を用い、「比較例１１」は１６μｍ厚の「樹脂β」を用いてなる。そして、「比較例８」〜「比較例１１」の剥離試験結果は、全て「ＮＧ」である。
【００３４】
この結果、［実施例１〜実施例８］の剥離試験結果は全て「ＯＫ」であるのに対して、「比較例１」〜「比較例１１」の剥離試験結果は全て「ＮＧ」である。よって、上記した剥離防止層４、保護層３を［実施例１〜実施例８］にあるような樹脂を用いることにより、剥離防止層４と記録層２とは常時安定した密着接着状態がえられ、基板１と記録層２との界面における剥離は完全に不可となり、基板１を利用した光ディスクＡＡの偽造を未然にしかも確実に防止することができる。
【００３５】
以上のように、伸び率１００％〜３００％の樹脂からなる剥離防止層４と、伸び率５％以下の樹脂からなる保護層３を積層したものについてのみ剥離が認められず、剥離防止効果が認められる。なお、上述した剥離防止層４は最大伸び率３００％の樹脂を用いたものしか示していないが、これ以上の伸び率（３００％〜１０００％）の樹脂を用いたものでも良いことは勿論である。樹脂は主剤であるモノマー及び硬化させるための重合開始剤からなる。例えば「樹脂Ｅ」においては、モノマーがＭ−５７００、重合開始剤がダイキュア１１７３である。なお、「樹脂Ｂ」，「樹脂α」，「樹脂β」は開始剤を含んだ組成物である。本発明の最大の特徴である伸び率はモノマーの種類によって主に決定される。しかし、塗布性を考え粘度調整の目的で各種エチレン性不飽和樹脂を添加しても良い。しかしあくまでも本発明の範囲を逸脱しない量で添加すべきである。
【００３６】
また必要に応じて各種ポリマーをバインダーとして添加してもよい。しかしあくまでも本発明の範囲を逸脱しない量で添加すべきである。
なお後述する実施例１３のように、信号面サイドより読みとるタイプの光ディスクの場合は剥離防止層４と保護層３の透過率に留意しなければならない。すなわち読み取りや書き込みに使用する光は、ピックアップレンズを出射した後、この２つの層５を通過して記録層２に照射され、ここで反射され、再度２つの層５を通過してピックアップレンズに戻る。これら２つの層は記録再生に使用するレーザー波長で、充分透過することが必要であり、少なくとも７０％以上必要である。この透過率を下回ると再生信号の出力が半減（０．７Ｘ０．７＝０．４９）して安定した再生が不可能になる。記録層２の材質によっては記録層２自身の反射率が低い場合もあるから、望ましくは９０％以上の透過率が必要である。
【００３７】
この透過率の測定には石英ガラスにこれら２層を同一膜厚で順に積層した試験片を用いることができる。石英ガラス単独の試験片も併せて用意し、赤外光から紫外光まで波長を選択できる透過型分光器でこれら２つの試験片の透過光量を測定して、それらの比から透過率を定義することができる。勿論選択する波長は記録または再生レーザーの波長であって、例えば８３０，７８０，６９０，６５０，６３５，５３２，４３０，４１０，３７０ｎｍの波長やその近辺を用いる。
【００３８】
また、各種エチレン性不飽和樹脂の例としては、単官能アクリレート（メタクリレート）、２官能アクリレート（メタクリレート）、３官能アクリレート（メタクリレート）、４官能アクリレート（メタクリレート）、６官能アクリレート（メタクリレート）などを挙げることができる。具体的には単官能アクリレートとして、２ーエチルヘキシルアクリレート、２ーヒドロキシエチルアクリレート、Ｎービニルピロリドン、ｔ−ブチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２官能アクリレートとして、エチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、１、４ーブタンジオールジアクリレート、１、５ーペンタンジオールジアクリレート、１、６ーヘキサンジオールジアクリレート、１、１０ーデカンジオールジアクリレート、３官能アクリレートとして、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、グリセロールトリアクリレート、４官能アクリレートとして、テトロメチロールメタンテトラアクリレート、６官能アクリレートとして、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを挙げることができる。またこれらの官能基（アクリロイル基）をメタクリロイル基に置き換えたものでも可能である。
【００３９】
また、重合開始剤は、実施例では紫外線硬化に対応した光開始剤とした。但し、ここで使用した重合開始剤はダロキュア１１７３（２ーヒドロキシー２ーメチルー１ーフェニルプロパンー１ーオン）に限定されるものではない。ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、４−メトキシベンゾフェノン、ベンジルジメチルケタール、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ミルラーズケトン、アントラキノン、２−メチルアントラキノン、アセトフェノン、αα−ジクロルー４ーフェノキシアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、メチルオルソベンゾイルベンゾエート、２ークロロチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントンでも使用可能である。これらの重合開始剤は紫外線硬化用として混合できるばかりではなく、γ線、電子線、マイクロ波硬化用としても混合して用いることができる。またこれらには必要に応じて重合促進剤として、アミン化合物を添加してもよい。
【００４０】
なお、この重合開始剤を熱硬化用とするならば、先述の重合開始剤ではなく、一般的な重合用開始剤（例えばアゾビスイソブチロニトリルなど）を混合して用いる。
【００４１】
ところで、特開平５ー８１７０２号公報には、保護膜を２層にし、上層である高い表面硬度を有する表面層と、下層である密着性を有する内面層の構成が説明されている。この特許の構成は断面構造上、本発明に類似しているが、磁界変調式光磁気ディスクのＣＳＳ動作を良好にするため特に表面硬度を高くした表面層（鉛筆硬度ＨＢ以上）に特徴があり、実施例では鉛筆硬度でＨと２Ｈの硬度が例示されている。そして内面層については、単に金属に対する密着性の優れた樹脂としてしか記載がなく、その物性や材料についてはなんら限定がない。実施例として挙げられているＳＤ−１０１やＳＤ−３０１は、光ディスクで一般的に用いられる保護膜であり、その伸び率は０〜５％の範囲であり、測定できないほど小さい。表面層、内面層とも伸び率についての言及がなく、両層の物性上のバランスと偽造防止につながる剥離性との関係についても示されていない。また実施例で行われている密着力試験はＪＩＳ−Ｋ５４００であって、本発明で行っている試験方法に比べてずっと緩やかな条件のものである。以上述べたように本発明と従来技術とは根本的に目的、物性的構成、効果が異なるものである。
【００４２】
（２）情報記録坦体製造方法
次に、上述した本発明になる情報記録坦体を製造する製造方法について説明する。以下の説明においては、本発明の要部である、記録層２上に剥離防止層４を形成する工程と、剥離防止層４上に保護層３を形成する工程とに絞って、詳述する。これ以外のディスク製造工程（基板１、記録層２形成工程）は周知のものであるので、その説明は省略する。
【００４３】
さて、本発明になる情報記録坦体製造方法は、反射層である記録層２上に柔軟層である剥離防止層４を塗布する工程と、この剥離防止層４を硬化させる工程と、剥離防止層４上に保護層３を塗布する工程と、この保護層３を硬化させる工程の順であることが望ましい。剥離防止層４を硬化させる工程を省いたときには密着性が著しく低下することが実験で確かめられている。
【００４４】
剥離防止層４及び保護層３を塗布する工程は、スピンコート法、バーコート法、ロールコート法、スプレー法、浸漬法、印刷が望ましい。以下、剥離防止層４に適応した場合の各工法の特徴を整理する。
スピンコート法は、回転数や回転時間を調整することで膜厚を容易に設定できるという利点がある。ただし剥離防止層４は粘度が高いために回転数を大きく設定することが必要になってきて、量産にはあまり向かない反面、従来の光ディスクラインの設備を共用できるという利点がある。バーコーター法は、バーの目の粗さと掃引速度で膜厚を決めることができ、装置が簡単で、速度も速い利点がある反面、目の痕跡が残りやすい欠点も合わせ持っている。ロールコータ法は、ロール間のギャップと回転速度で膜厚が決まり、高粘度でもスピードの速いライン構築が可能であり、更に表面粗さの最も小さい綺麗な層を形成することができる。スプレー法は、設備コストが最も安くできるが、表面粗さが大きくなる欠点や、作業環境が汚れやすいという欠点もある。浸漬法は、溶液に漬けて引き上げるだけで、これも設備コストが安くできるが、裏面にもついてしまうという欠点を持っている。印刷の場合（例えばスクリーン印刷）は高粘度でありながら高速で、しかも表面だけ、しかも綺麗に塗布できるという利点がある。また設備コストも比較的安くできる。
以上の長所短所を考慮して、利用者が塗布方法を選択すればよい。
【００４５】
剥離防止層４、保護層３を硬化させる工程は、先例では紫外線としたがこれに限定されない。可視光やマイクロ波、γ線を含む放射線でも良く、また、電子線照射であっても良く、共に硬化が高速で行える。また剥離防止層４、保護層３を硬化させる工程は、オーブンなどでの加熱法でも良い。この場合は熱重合用の開始剤添加が必要になるが、５０度〜１５０度程度の加熱で硬化を行うことができる。硬化時間は紫外線、電子線、マイクロ波照射に比べると１０倍〜１００倍かかるが、設備コストの安い製造方法である。なお加熱温度は高ければ高いほど硬化が短時間で済む。効果のはっきり認められる温度は５０度以上である。また温度が高すぎると基板に反りが発生してしまい、信号読み取り性能に影響が発生する。ポリカーボネートの場合、融点が１４０度であるので、極めて短時間の加熱硬化であっても最大１５０度の温度であることが必要である。反りを考慮に入れると５０度〜８０度の温度範囲で硬化させるのが最も好ましい。硬化させる方法としては、一般的なヒーター加熱が使用できるが、赤外線加熱が直接的、スポット的に加熱できるという点で効果的である。
【００４６】
以上、本発明について実施例１〜実施例８を示したが、これらは発明の基本骨格を示すための説明であり、本発明はこれに限定されるものではない。例えば保護層３の上に、印刷膜を施してもよい。また、記録層２、剥離防止層４、保護層３を、塗布する範囲を徐々に変えて、剥離防止層４が記録層２を、保護層３が剥離防止層４を包み込むように形成しても良い。また基板１の読み取り面側に、傷防止層や帯電防止層、あるいは、反り矯正層、透湿防止層を設けてもよい。
【００４７】
上記実施例１〜実施例８ではＣＤ−ＲＯＭに代表させ、再生専用光ディスクを元にして説明したが、いわゆる光磁気ディスク（例：ＭＤデータなど）や相変化ディスク（例：ＰＤなど）のような記録再生型光ディスクであっても良いし、追記型ディスク（ＣＤ−Ｒなど）であってもよい。その場合には記録層２は、それら記録機能を有する機能膜に置き換えることができる。また順次書き込みデーターを消去してゆくことで情報を変更してゆくディスクであってもよい。また貼り合わせ構造を持つディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒなど）であってもよい。また、本発明を既存のコピープロテクト法と組み合わせて、高度なセキュリティーシステムとしてもよい。
【００４８】
（３）情報記録坦体
次に、このような多種類のディスクに適用可能な本発明の情報記録坦体について、具体的に説明する。
即ち、ここで説明する本発明の情報記録坦体は、図１に示した光ディスクＡＡと同一の構成を備えており、微細パターン列１Ａを有する信号面である基板１上に、反射膜である記録層２、剥離防止層４、保護層３を順次積層して構成される。
【００４９】
この構成に加えて、特に、この記録層２を、光反射膜、光磁気膜、相変化膜、色素膜を少なくとも１つ含む単層又は積層構造体で構成したものである。また、これら光反射膜、光磁気膜、相変化膜、色素膜を使用する媒体（ディスク）としては、次のような再生専用媒体、光磁気媒体、相変化媒体、追記型色素媒体、追記型相変化媒体が上げられる。
【００５０】
［再生専用媒体］
前記した光反射膜を使用する再生専用媒体としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、クロム、シリコン、チタン、タンタルやこれらを主成分とする合金、そしてＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮなどを用いることができる。
【００５１】
［光磁気媒体］
また、前記した光磁気膜を使用する光磁気媒体としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅなどの遷移金属と希土類の合金、コバルトと白金の交互積層膜を用いることができる。遷移金属はＨｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕに置換しても良く、また、Ｂｉ、Ｓｎなどを添加しても良い。
【００５２】
［相変化媒体］
さらに、前記した相変化膜を使用する相変化媒体としては、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｎＴｅ、ＧｅＳｎＴｅＡｕ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＡｓ、ＳｂＴｅ、ＳｂＳｅＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＩｎＴｅ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｂ、ＩｎＳｂＳｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＣｕＡｌＴｅＳｂなどのカルコゲン系合金を用いることができる。
【００５３】
［追記型色素媒体］
さらにまた、前記した色素膜を使用する追記型色素媒体としては、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、アゾ色素、ナフトキノン色素などを用いることができる。
【００５４】
［追記型相変化媒体］
さらにまた、前記した相変化膜を使用する追記型相変化媒体としては、テルル、ビスマス、ＴｅＯ、ＴｅＣなどの低融点金属や合金を用いることができる。
なお、これら光磁気媒体、相変化媒体、追記型色素媒体、追記型相変化媒体に、再生出力向上の目的で、光学干渉膜（ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳＳｉＯ、ＡｌＯ、ＭｇＦ、ＩｎＯ、ＺｒＯなど）や光反射膜（アルミ、金など）を併用して積層してもよい。また、高密度記録再生を行うために、公知の超解像マスク膜やコントラスト増強膜を併用して積層しても良い。
【００５５】
次に、前記した光磁気媒体、相変化媒体、追記型色素媒体、追記型相変化媒体を記録層２として用いた各種のディスク実施例を示す。
［実施例９］
光磁気ディスクで説明する。
基板１はアクリル、１．２ｍｍ厚である。その表面には微細パターン（グルーブ線幅１．０μｍ、トラックピッチ１．６μｍ）１Ａが情報として刻まれている。その信号面上に記録層２として光磁気膜ＴｂＦｅＣｏが９０ｎｍ、更に光学干渉膜ＳｉＯが８０ｎｍ、共にスパッタ法で形成されている。剥離防止層４の成膜を樹脂Ｂにてスプレー法で行い、膜厚を２０μｍとした。硬化方法は実施例１と同じである。続いて保護膜３の材料、成膜方法、硬化方法を実施例１と同じ内容で行って、ディスクを完成させた。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００５６】
［実施例１０］
相変化ディスクで説明する。
基板１材料はポリカーボネートとポリスチレンのブレンド品、１．２ｍｍ厚である。その表面には微細パターン（クルーブ線幅０．４μｍ、トラックピッチ１．６μｍ）１Ａが情報として刻まれている。その信号面上に記録層２として、相変化膜ＡｇＩｎＳｂＴｅ１００ｎｍがスパッタ法で形成されている。剥離防止層４の成膜方法をバーコート（膜厚１５μｍ）とした他は実施例３と同じ内容で剥離防止層４、保護層３を形成した。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００５７】
［実施例１１］
追記型ディスク、ＣＤ−Ｒで説明する。
基板１はポリカーボネート、１．２ｍｍ厚である。その表面には微細パターン （グルーブ線幅０．６μｍ、トラックピッチ１．６μｍ）１Ａが情報として刻まれている。その信号面上に記録層２として、スピンコート法で追記型色素膜アゾ系色素１５０ｎｍ及び光反射膜として蒸着法で銀が６０ｎｍ形成されている。剥離防止層４の材料はモノマーＣＬ−５０に熱硬化剤アゾビスイソブチロニトリルを５％添加したものとし、ロールコートで９μｍ塗布した。硬化は７０℃のオーブンの中をコンベア搬送しながら３０分で硬化させた。そして保護膜は樹脂βをスピンコートで７μｍに塗布し、実施例１と同じ紫外線ランプで硬化させた。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００５８】
［実施例１２］
追記型ディスク、ＣＤ−Ｒで説明する。
基板１はポリカーボネート、１．２ｍｍ厚である。その表面には微細パターン （グルーブ線幅０．６μｍ、トラックピッチ１．６μｍ）１Ａが情報として刻まれている。その信号面上に記録層２として、スピンコート法で追記型色素膜シアニン系色素１２０ｎｍ及び光反射膜がスパッタ法で金が７０ｎｍ形成されている。剥離防止層４の材料は樹脂Ｂとし、スピンコートで１２μｍ塗布した。それをマイクロ波照射５分で硬化させた。そして保護膜３は樹脂βをスピンコートで７μｍに塗布し、実施例１と同じ紫外線ランプで硬化させた。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００５９】
［実施例１３］
再生専用型ディスクであって、信号面サイドより読み取る超高密度ディスクで説明する。
基板１はポリカーボネート、１．２ｍｍ厚である。その表面には微細パターン （線幅０．１５μｍ、１０種類の長さのピット、トラックピッチ０．４μｍ）１Ａが情報として刻まれている。その信号面上に記録層２としてスパッタ法で光反射膜ＡｌＴｉが６０ｎｍ形成されている。剥離防止層４の材料は樹脂Ｃをそのまま用い、スクリーン印刷で３０μｍ塗布した。硬化は実施例１と同じ紫外線ランプで硬化させた。この塗布と硬化を重ねて合計３回行い、更に保護膜３として樹脂βをスピンコートで１０μｍに塗布し、実施例１と同じ紫外線ランプで硬化させた。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。なお、この時、同じ剥離防止層４、保護膜３を積層した石英ガラスを用意し、波長５３２ｎｍの光ビームの透過率を測定したところ、８２％であった。
【００６０】
［実施例１４］
短波長対応光磁気ディスクで説明する。
基板１はガラス、１．２ｍｍ厚である。その表面には微細パターン（グルーブ線幅０．４μｍ、トラックピッチ０．９μｍ）１Ａが情報としてエッチングで刻まれている。その信号面上に記録層２として、光磁気媒体コバルト（０．５ｎｍ）白金（０．５ｎｍ）が交互に２０層ずつスパッタ法で積層形成されている。剥離防止層４を樹脂Ｄにてスプレー法で行い、膜厚を２０μｍとした。硬化は電子線を３０秒間連続照射して行った。続いて保護膜３の材料、成膜方法、硬化方法を実施例１と同じ内容で行ってディスクを完成させた。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００６１】
［実施例１５］
短波長対応光磁気ディスクで説明する。
基板１材質はアモルファスポリオレフィンの一種である商品名ゼオネックス２８０、１．２ｍｍ厚である。その表面には微細パターン（グルーブ線幅０．４μｍ、トラックピッチ０．９μｍ）１Ａが情報として刻まれている。その信号面上に記録層２として、光学干渉膜ＳｉＮ８０ｎｍ、光磁気膜ＮｄＦｅＣｏ９０ｎｍ、ＳｉＮ８０ｎｍ、光反射膜ＡｌＴａ８０ｎｍがスパッタ法で形成されている。剥離防止層４、及び保護膜３は実施例２と同じ内容で行ってディスクを完成させた。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００６２】
［実施例１６］
高密度光磁気ディスクＡＳＭＯで説明する。
基板１はポリカーボネート、０．６ｍｍ厚（ただしセンタークランプ部は１．２ｍｍ）である。その表面には微細パターン（グルーブ線幅０．３μｍ、トラックピッチ０．６μｍ）１Ａが情報として刻まれている。その信号面上に記録層２が光学干渉膜ＳｉＮ８０ｎｍ、光磁気膜ＧｄＦｅＣｏ４０ｎｍ、光磁気媒体ＴｅＦｅＣｏ６０ｎｍ、光学干渉膜ＳｉＮ６０ｎｍ、光反射膜ＡｌＴｉ７０ｎｍがスパッタ法で形成されている。剥離防止層４は樹脂Ｄにモノマー１．６ヘキサンジオールジアクリレートを１０％添加して粘度を下げたものをスピンコートで７μｍ塗布した。硬化方法は実施例１と同じである。また保護膜３の材料、成膜方法、硬化方法は実施例１と同じ内容で形成した。更に基板の読み取り面側に反り矯正及び透湿防止用にＳｉＯをスパッタ法で形成した。先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００６３】
［実施例１７］
貼り合わせ型相変化ディスクＤＶＤ−ＲＡＭで説明する。
基板１はポリカーボネート、０．６ｍｍ厚である。その表面には微細パターン （グルーブ線幅０．７μｍ、トラックピッチ１．４８μｍ）１Ａが情報として刻まれている。この基板１を２枚用意し、それぞれの信号面上に記録層２がスパッタ法で、光学干渉膜ＺｎＳＳｉＯ９０ｎｍ、相変化膜ＧｅＳｂＴｅ２０ｎｍ、光学干渉膜ＺｎＳＳｉＯ２０ｎｍ、光反射膜ＡｌＣｒ１５０ｎｍを形成した。剥離防止層４、保護膜３は各々実施例８と同じ内容で形成した。更に２つの半ディスクを貼り合わせるに当り、片側の保護膜３面上にスクリーン印刷でＳＫ−７０００（ソニーケミカル製）を３０μｍ印刷し、紫外線を５００ｍＪ照射した。そして他方のディスクを重ね合わせ、プレスした。この貼り合わせディスクを縦置きで２４時間エージングし、ディスクを完成させた。カッターナイフを用いて２つの半ディスクに分解したものについて、先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００６４】
［実施例１８］
貼り合わせ型ディスクＤＶＤの再生専用２層タイプで説明する。
基板１はポリカーボネート、０．６ｍｍ厚である。その表面には微細パターン （線幅０．３μｍ、１０種類の長さのピット、トラックピッチ０．７４μｍ）１Ａが情報として刻まれている。この基板１を２枚用意した。１枚には信号面上に記録層２がスパッタ法で、光反射膜金１４ｎｍを形成し、もう１枚には同様に光反射膜としてスパッタ法でアルミニウムを主成分とする合金、Ａ６０６１を６０ｎｍ形成した。そしてそれぞれの記録層２上にスピン法で樹脂Ｅを１５μｍ形成し、実施例１と同じ方法で硬化させた。片側の半ディスクをスピナーで低速回転させながら、保護膜兼接着剤として樹脂αを塗布し、回転中に他の半ディスクを気泡が入らないように重ね合わせ、続いて１５００ｒｐｍで回転させ余剰の樹脂を振り切った。そしてこれに金を形成した基板側より紫外線を１０００ｍＪ照射して接着してディスクを完成させた。金とＡ６０６１の間の樹脂の厚みは合計４５μｍとなった。この貼り合わせディスクをカッターナイフを用いて２つの半ディスクに分解したものについて、先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００６５】
［実施例１９］
貼り合わせ型ディスクＤＶＤの再生専用２層タイプで説明する。
基板１はポリカーボネート、０．６ｍｍ厚である。その表面には微細パターン （線幅０．３μｍ、１０種類の長さのピット、トラックピッチ０．７４μｍ）１Ａが情報として刻まれている。この基板１を２枚用意した。１枚には信号面上に記録層２が光反射膜ＳｉＮ４０ｎｍをスパッタ法で形成し、もう１枚には同様に光反射膜としてスパッタ法でクロムを１００ｎｍ形成した。そしてそれぞれの記録層２上にスピン法で樹脂Ｅを２０μｍ形成し、実施例１と同じ方法で硬化させた。片側の半ディスクをスピナーで低速回転させながら、保護膜３兼接着剤として樹脂βを塗布し、回転中に他の半ディスクを気泡が入らないように重ね合わせ、続いて２０００ｒｐｍで回転させ余剰の樹脂を振り切った。そしてこれにＳｉＮを形成した基板側より紫外線を１０００ｍＪ照射して接着してディスクを完成させた。ＳｉＮとクロム間のの樹脂の厚みは合計４５μｍとなった。この貼り合わせディスクをカッターナイフを用いて２つの半ディスクに分解したものについて、先と同じ剥離試験を行ったところ、ＯＫであった。
【００６６】
【発明の効果】
上述した構成を有する本発明は、基板と記録層の界面において記録層が剥離することがなく、この基板上に形成されてある微細パターン列の物理的なコピー（偽造）を確実に防止することができる構造を有する情報記録坦体及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の情報記録坦体の構造を説明するための図である。
【図２】実施例１〜実施例８、比較例１〜比較例１１における剥離試験結果を説明するための図である。
【図３】光ディスクの構造を説明するための図である。
【符号の説明】
１ 基板
１Ａ 微細パターン列
２ 記録層
３ 保護層
４ 剥離防止層
５ 層
Ａ，ＡＡ 光ディスク
Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，α，β 樹脂

Claims (12)

1. 微細パターン列を有する基板上に、記録層と、剥離防止層と、保護層とを順次積層し、
   前記剥離防止層は、ＪＩＳＫ−６３０１記載の試験方法による伸び率が下限１００％ 、 上限３００％の樹脂からなり、
   前記保護層は、前記試験方法による伸び率が５％以下の樹脂からなることを特徴とする情報記録坦体。
2. 請求項１記載の情報記録坦体であって、
   前記記録層は、光反射膜、光磁気膜、相変化膜、色素膜を少なくとも１つ含む単層又は積層構造体でなることを特徴とする情報記録坦体。
3. 請求項２記載の情報記録坦体であって、
   前記光反射膜は、アルミニウム、金、銀、シリコン、チタン、タンタル、クロム、又は、アルミニウム、金、銀、シリコン、チタン、タンタル、クロムを含む合金のいずれかでなることを特徴とする情報記録坦体。
4. 請求項２記載の情報記録坦体であって、
   前記光磁気膜は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ、コバルト、白金を少なくとも１つ含んでなることを特徴とする情報記録坦体。
5. 請求項２記載の情報記録坦体であって、
   前記相変化膜は、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅを少なくとも１つ含んでなることを特徴とする情報記録坦体。
6. 請求項２記載の情報記録坦体であって、
   前記色素膜は、シアニン色素、アゾ色素を少なくとも１つ含んでなることを特徴とする情報記録坦体。
7. 請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の情報記録坦体であって、
   前記剥離防止層は、放射線硬化樹脂、熱硬化樹脂、電子線硬化樹脂を少なくとも１つ含んで硬化させたものであることを特徴とする情報記録坦体。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の情報記録坦体であって、前記剥離防止層と前記保護層を合わせた層の光線透過率が７０％以上であることを特徴とする情報記録坦体。
9. 微細パターン列を有する基板上に記録層と剥離防止層と保護層とを順次積層した情報記録坦体を製造する情報記録坦体の製造方法であって、
   前記記録層上に、樹脂を塗布する工程と、
   次に、前記記録層上に塗付した樹脂を硬化して、ＪＩＳＫ−６３０１記載の試験方法による伸び率が下限１００％、上限３００％である前記剥離防止層を形成する工程と、
   次に、前記剥離防止層上に、樹脂を塗布する工程と、
   次に、前記剥離防止層上に塗布した樹脂を硬化して、前記試験方法による伸び率が５％以下である前記保護層を形成する工程とを有することを特徴とする情報記録坦体の製造方法。
10. 前記記録層上に剥離防止層となる樹脂を塗布する工程は、スピンコート法、バーコート法、ロールコート法、スプレー法、浸漬法、印刷のいずれかの方法を用いて行われることを特徴とする請求項９記載の情報記録坦体の製造方法。
11. 前記記録層上に塗付した樹脂を硬化して前記剥離防止層を形成する工程は、放射線照射、電子線照射、ベーキングのいずれかの方法、またはこれらの方法を複合して行われることを特徴とする請求項９記載の情報記録坦体の製造方法。
12. 前記ベーキングは、５０度〜１５０度のヒーター加熱、または赤外線加熱であることを特徴とする請求項１１記載の情報記録坦体の製造方法。

Images