JPH11157920A - セラミックヒータ及びその製造方法 - Google Patents
セラミックヒータ及びその製造方法Info
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- JPH11157920A JPH11157920A JP9342216A JP34221697A JPH11157920A JP H11157920 A JPH11157920 A JP H11157920A JP 9342216 A JP9342216 A JP 9342216A JP 34221697 A JP34221697 A JP 34221697A JP H11157920 A JPH11157920 A JP H11157920A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイグレーションが発生し難い，セラミック
ヒータ及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 セラミックからなる基部と発熱抵抗体と
よりなる。上記セラミックは，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，
ＭｇＯ及びＣａＯの合計量を１００重量％とした場合に
９０〜９６重量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％のＳｉＯ
2 ，０．６〜１．５重量％のＭｇＯ及び１．３〜６．８
重量％のＣａＯを含有し，ＣａＯ／ＭｇＯが４．５以下
かつＭｇＯとＣａＯの合計量が１．９重量％以上であ
り，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量
１００重量％に対し，０．２〜２０．０重量％のＺｒＯ
2 及び０．２〜２０．０重量％のＹ2 Ｏ3 を含有する。
ヒータ及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 セラミックからなる基部と発熱抵抗体と
よりなる。上記セラミックは，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，
ＭｇＯ及びＣａＯの合計量を１００重量％とした場合に
９０〜９６重量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％のＳｉＯ
2 ，０．６〜１．５重量％のＭｇＯ及び１．３〜６．８
重量％のＣａＯを含有し，ＣａＯ／ＭｇＯが４．５以下
かつＭｇＯとＣａＯの合計量が１．９重量％以上であ
り，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量
１００重量％に対し，０．２〜２０．０重量％のＺｒＯ
2 及び０．２〜２０．０重量％のＹ2 Ｏ3 を含有する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，自動車内燃機関の燃焼制御用酸
素センサ等に組付けて使用するセラミックヒータ及びそ
の製造方法に関する。
素センサ等に組付けて使用するセラミックヒータ及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来から，自動車内燃機関における排ガス
を浄化するために，該内燃機関の排気系に配置した酸素
センサにより排ガス中の酸素濃度を測定し，該測定値に
基づいて空燃比制御を行っている。上記酸素センサとし
ては，例えば酸素濃度差によって起電力を発生するＺｒ
Ｏ2 ＋Ｙ2 Ｏ3 等の固体電解質体を用いた酸素センサ素
子よりなるもの，酸素濃度差によって電気抵抗が変化す
るＴｉＯ2 等の酸化物半導体を用いた酸素センサ素子よ
りなるものが知られている。
を浄化するために，該内燃機関の排気系に配置した酸素
センサにより排ガス中の酸素濃度を測定し，該測定値に
基づいて空燃比制御を行っている。上記酸素センサとし
ては，例えば酸素濃度差によって起電力を発生するＺｒ
Ｏ2 ＋Ｙ2 Ｏ3 等の固体電解質体を用いた酸素センサ素
子よりなるもの，酸素濃度差によって電気抵抗が変化す
るＴｉＯ2 等の酸化物半導体を用いた酸素センサ素子よ
りなるものが知られている。
【０００３】いずれの構成にかかる酸素センサにおいて
も，酸素濃度の測定の際には，酸素センサ素子の温度を
活性化温度まで高める必要がある。この場合の加熱手段
としてはセラミックよりなる絶縁体を基部として，該基
部に発熱抵抗体を埋設した構造を有するセラミックヒー
タが利用されている（後述の図１，図４参照）。
も，酸素濃度の測定の際には，酸素センサ素子の温度を
活性化温度まで高める必要がある。この場合の加熱手段
としてはセラミックよりなる絶縁体を基部として，該基
部に発熱抵抗体を埋設した構造を有するセラミックヒー
タが利用されている（後述の図１，図４参照）。
【０００４】上記セラミックヒータにかかるセラミック
としては低ソーダアルミナが多く利用されている。ま
た，上記発熱抵抗体としては，Ｐｔ等の導電材料に絶縁
性セラミック材料を微量添加したものが多く利用されて
いる。
としては低ソーダアルミナが多く利用されている。ま
た，上記発熱抵抗体としては，Ｐｔ等の導電材料に絶縁
性セラミック材料を微量添加したものが多く利用されて
いる。
【０００５】
【解決しようとする課題】しかしながら，従来のセラミ
ックヒータには次のような問題があった。従来にかかる
セラミックヒータにおいては，発熱抵抗体の発熱に伴い
セラミック中に含まれるフラックス成分である陽イオン
が，発熱抵抗体の電位の高い側より低い側へと移動し，
電位の低い部分において集中偏析するという現象が発生
する。この現象をマイグレーションというが，該マイグ
レーションの発生は発熱抵抗体の抵抗値変動の原因とな
り，発熱抵抗体の断線の原因となる。
ックヒータには次のような問題があった。従来にかかる
セラミックヒータにおいては，発熱抵抗体の発熱に伴い
セラミック中に含まれるフラックス成分である陽イオン
が，発熱抵抗体の電位の高い側より低い側へと移動し，
電位の低い部分において集中偏析するという現象が発生
する。この現象をマイグレーションというが，該マイグ
レーションの発生は発熱抵抗体の抵抗値変動の原因とな
り，発熱抵抗体の断線の原因となる。
【０００６】ところで，上記問題を解決するために様々
な方法が提案されている。例えば，マイグレーションの
要因となるフラックス成分をセラミックス中より減量
し，該セラミックスを高純度とする方法である。しかし
ながら，不純物としてのフラックス成分の混入は避けら
れず，根本的解決とならない上，高純度化により原料コ
ストが高くなってしまう問題がある。
な方法が提案されている。例えば，マイグレーションの
要因となるフラックス成分をセラミックス中より減量
し，該セラミックスを高純度とする方法である。しかし
ながら，不純物としてのフラックス成分の混入は避けら
れず，根本的解決とならない上，高純度化により原料コ
ストが高くなってしまう問題がある。
【０００７】他の方法として，マイグレーションを抑制
するためのダミーパターンを形成する方法が提案されて
いるが，限られたスペース内にダミーパターンを追加し
なければならず，製造上のバラツキを考慮すると実用化
は困難である。
するためのダミーパターンを形成する方法が提案されて
いるが，限られたスペース内にダミーパターンを追加し
なければならず，製造上のバラツキを考慮すると実用化
は困難である。
【０００８】本発明は，かかる問題点に鑑み，マイグレ
ーションが発生し難い，セラミックヒータ及びその製造
方法を提供しようとするものである。
ーションが発生し難い，セラミックヒータ及びその製造
方法を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，セラミックから
なる基部と，該基部内に少なくとも発熱部が埋設された
発熱抵抗体とよりなるセラミックヒータにおいて，上記
セラミックは，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａ
Ｏの合計量を１００重量％とした場合に，９０〜９６重
量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％のＳｉＯ2 ，０．６〜
１．５重量％のＭｇＯ及び１．３〜６．８重量％のＣａ
Ｏを含有し，更に，上記ＭｇＯと上記ＣａＯの重量比
（ＣａＯ／ＭｇＯ）が４．５以下かつ上記ＭｇＯと上記
ＣａＯの合計量が１．９重量％以上であり，また，上記
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量１０
０重量％に対し，０．２〜２０．０重量％のＺｒＯ2 及
び０．２〜２０．０重量％のＹ2 Ｏ3 を含有することを
特徴とするセラミックヒータにある。
なる基部と，該基部内に少なくとも発熱部が埋設された
発熱抵抗体とよりなるセラミックヒータにおいて，上記
セラミックは，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａ
Ｏの合計量を１００重量％とした場合に，９０〜９６重
量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％のＳｉＯ2 ，０．６〜
１．５重量％のＭｇＯ及び１．３〜６．８重量％のＣａ
Ｏを含有し，更に，上記ＭｇＯと上記ＣａＯの重量比
（ＣａＯ／ＭｇＯ）が４．５以下かつ上記ＭｇＯと上記
ＣａＯの合計量が１．９重量％以上であり，また，上記
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量１０
０重量％に対し，０．２〜２０．０重量％のＺｒＯ2 及
び０．２〜２０．０重量％のＹ2 Ｏ3 を含有することを
特徴とするセラミックヒータにある。
【００１０】上記Ａｌ2 Ｏ3 が９０重量％未満である場
合には，マイグレーションの原因となるフラックス成分
量が多く，耐久性が劣化するおそれがある。一方，９６
重量％より大である場合には，充分に緻密な焼結体が得
られず，実用レベルを満たす抗折強度にならないおそれ
がある。上記ＳｉＯ2 が１重量％未満である場合には，
抗折強度が低下するおそれがある。一方，８重量％より
大である場合には，耐久性及び電気絶縁性が劣化するお
それがある。
合には，マイグレーションの原因となるフラックス成分
量が多く，耐久性が劣化するおそれがある。一方，９６
重量％より大である場合には，充分に緻密な焼結体が得
られず，実用レベルを満たす抗折強度にならないおそれ
がある。上記ＳｉＯ2 が１重量％未満である場合には，
抗折強度が低下するおそれがある。一方，８重量％より
大である場合には，耐久性及び電気絶縁性が劣化するお
それがある。
【００１１】上記ＭｇＯが０．６重量％未満である場合
には，ＭｇＯの特徴であるアルミナの粒成長抑制効果が
充分発揮されないため，緻密な焼結体が得られないおそ
れがある。一方，１．５重量％より大である場合には，
耐久性の劣化が生じるおそれがある。上記ＣａＯが１．
３重量％未満である場合には，抗折強度が低下するおそ
れがある。一方，６．８重量％より大である場合には，
耐久性の劣化するおそれがある。
には，ＭｇＯの特徴であるアルミナの粒成長抑制効果が
充分発揮されないため，緻密な焼結体が得られないおそ
れがある。一方，１．５重量％より大である場合には，
耐久性の劣化が生じるおそれがある。上記ＣａＯが１．
３重量％未満である場合には，抗折強度が低下するおそ
れがある。一方，６．８重量％より大である場合には，
耐久性の劣化するおそれがある。
【００１２】また，上記ＭｇＯと上記ＣａＯの重量比が
ＣａＯ／ＭｇＯ≦４．５である場合には，アルミナの粒
界において複雑な構造をもつモンチセライト結晶層（Ｃ
ａＭｇＳｉＯ4 ）が生成することから，陽イオンの移動
を妨げマイグレーション抑制効果が大きくなる。これに
より，耐久性の優れたセラミックヒータが得られる。
ＣａＯ／ＭｇＯ≦４．５である場合には，アルミナの粒
界において複雑な構造をもつモンチセライト結晶層（Ｃ
ａＭｇＳｉＯ4 ）が生成することから，陽イオンの移動
を妨げマイグレーション抑制効果が大きくなる。これに
より，耐久性の優れたセラミックヒータが得られる。
【００１３】上記重量比が４．５より大の場合は，モン
チセライト結晶層の生成割合が少なくマイグレーション
抑制効果が充分でないため，耐久性が劣るおそれがあ
る。また，上記ＭｇＯと上記ＣａＯの合計量が１．９重
量％以上の場合，上記モンチセライト結晶層がアルミナ
の結晶粒をコーティングし，マイグレーション抑制層と
しての効果を最も発揮できる。上記合計量が１．９重量
％未満の場合は，アルミナ粒界をコーティングするのに
充分なモンチセライト結晶層が生成せず，マイグレーシ
ョン抑制効果が充分でないおそれがある。
チセライト結晶層の生成割合が少なくマイグレーション
抑制効果が充分でないため，耐久性が劣るおそれがあ
る。また，上記ＭｇＯと上記ＣａＯの合計量が１．９重
量％以上の場合，上記モンチセライト結晶層がアルミナ
の結晶粒をコーティングし，マイグレーション抑制層と
しての効果を最も発揮できる。上記合計量が１．９重量
％未満の場合は，アルミナ粒界をコーティングするのに
充分なモンチセライト結晶層が生成せず，マイグレーシ
ョン抑制効果が充分でないおそれがある。
【００１４】また，上記ＺｒＯ2 が０．２〜２０．０重
量％である場合，アルミナ粒界の結晶化（マイグレーシ
ョン抑制層の形成）を促進するため，マイグレーション
を抑制し，耐久性が向上する。上記ＺｒＯ2 が０．２重
量％未満及び２０．０重量％より大である場合には，い
ずれも抗折強度の低下及び耐久性の劣化が起きるおそれ
がある。同様に，上記Ｙ2 Ｏ3 が０．２〜２０．０重量
％である場合，アルミナ粒界の結晶化（マイグレーショ
ン抑制層の形成）を促進するため，マイグレーションを
抑制し，耐久性が向上する。上記Ｙ2 Ｏ3 が０．２重量
％未満及び２０．０重量％より大である場合には，いず
れも抗折強度の低下及び耐久性の劣化が起きるおそれが
ある。
量％である場合，アルミナ粒界の結晶化（マイグレーシ
ョン抑制層の形成）を促進するため，マイグレーション
を抑制し，耐久性が向上する。上記ＺｒＯ2 が０．２重
量％未満及び２０．０重量％より大である場合には，い
ずれも抗折強度の低下及び耐久性の劣化が起きるおそれ
がある。同様に，上記Ｙ2 Ｏ3 が０．２〜２０．０重量
％である場合，アルミナ粒界の結晶化（マイグレーショ
ン抑制層の形成）を促進するため，マイグレーションを
抑制し，耐久性が向上する。上記Ｙ2 Ｏ3 が０．２重量
％未満及び２０．０重量％より大である場合には，いず
れも抗折強度の低下及び耐久性の劣化が起きるおそれが
ある。
【００１５】本発明の作用につき，以上に説明する。本
発明にかかるセラミックヒータのセラミックは上述した
ごとき組成であり，所定のＣａＯとＭｇＯの重量比及び
合計量を有し，所定量のＺｒＯ2 及びＹ2 Ｏ3 を含有し
ている。この所定重量比のＣａＯ及びＭｇＯにより，ア
ルミナの粒界において複雑な構造をもつモンチセライト
結晶層を生成することができる。
発明にかかるセラミックヒータのセラミックは上述した
ごとき組成であり，所定のＣａＯとＭｇＯの重量比及び
合計量を有し，所定量のＺｒＯ2 及びＹ2 Ｏ3 を含有し
ている。この所定重量比のＣａＯ及びＭｇＯにより，ア
ルミナの粒界において複雑な構造をもつモンチセライト
結晶層を生成することができる。
【００１６】更に，ＣａＯ及びＭｇＯの所定合計量によ
り，上記モンチセライト結晶層がアルミナ結晶粒をコー
ティング可能となる充分な生成量を得ることができ，マ
イグレーション抑制層としての効果が顕著となる。即
ち，後述する図２（ａ）に示すごとく，上記セラミック
の組織３はアルミナ結晶粒３１より構成され，該アルミ
ナ結晶粒を取り囲むようにモンチセライト結晶層３２が
存在する。仮にＣａＯ及びＭｇＯの合計量が少ない場合
の組織３９は，図２（ｂ）に示すごとく，アルミナ結晶
粒３１の全てを取り囲むようにモンチセライト結晶層３
２が形成されず，部分的にガラス層３３が形成されてし
まう。
り，上記モンチセライト結晶層がアルミナ結晶粒をコー
ティング可能となる充分な生成量を得ることができ，マ
イグレーション抑制層としての効果が顕著となる。即
ち，後述する図２（ａ）に示すごとく，上記セラミック
の組織３はアルミナ結晶粒３１より構成され，該アルミ
ナ結晶粒を取り囲むようにモンチセライト結晶層３２が
存在する。仮にＣａＯ及びＭｇＯの合計量が少ない場合
の組織３９は，図２（ｂ）に示すごとく，アルミナ結晶
粒３１の全てを取り囲むようにモンチセライト結晶層３
２が形成されず，部分的にガラス層３３が形成されてし
まう。
【００１７】また，所定量のＺｒＯ2 及びＹ2 Ｏ3 によ
り，アルミナの粒界に存在するフラックス成分の網目構
造における架橋陰イオンが切断され，上記フラックス成
分の結晶化を促進することができる。このため，アルミ
ナの粒界において陽イオンが移動し難い複雑な構造を持
つモンチセライト結晶層をより多く生成することが可能
となり，マイグレーションの抑制効果を飛躍的に向上す
ることができる。
り，アルミナの粒界に存在するフラックス成分の網目構
造における架橋陰イオンが切断され，上記フラックス成
分の結晶化を促進することができる。このため，アルミ
ナの粒界において陽イオンが移動し難い複雑な構造を持
つモンチセライト結晶層をより多く生成することが可能
となり，マイグレーションの抑制効果を飛躍的に向上す
ることができる。
【００１８】以上のように，本発明によれば，マイグレ
ーションが発生し難い，セラミックヒータ及びその製造
方法を提供することができる。
ーションが発生し難い，セラミックヒータ及びその製造
方法を提供することができる。
【００１９】なお，本発明にかかるセラミックヒータと
しては，後述する図１に示すごとき積層板状型のセラミ
ックヒータ，あるいは図３〜図５に示すごとき棒状のセ
ラミックヒータを挙げることができる。
しては，後述する図１に示すごとき積層板状型のセラミ
ックヒータ，あるいは図３〜図５に示すごとき棒状のセ
ラミックヒータを挙げることができる。
【００２０】また，請求項２の発明は，セラミックから
なる基部と，該基部内に少なくとも発熱部が埋設された
発熱抵抗体とよりなるセラミックヒータであって，上記
セラミックは，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａ
Ｏの合計量を１００重量％とした場合に，９０〜９６重
量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％のＳｉＯ2 ，０．６〜
１．５重量％のＭｇＯ及び１．３〜６．８重量％のＣａ
Ｏを含有し，更に，上記ＭｇＯと上記ＣａＯの重量比
（ＣａＯ／ＭｇＯ）が４．５以下かつ上記ＭｇＯと上記
ＣａＯの合計量が１．９重量％以上であり，また，上記
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量１０
０重量％に対し，０．２〜２０．０重量％のＺｒＯ2 及
び０．２〜２０．０重量％のＹ2 Ｏ3 を含有するセラミ
ックヒータを製造するに当たり，上記セラミック用の原
料を還元雰囲気中，焼成温度１４８０℃〜１５４０℃に
て焼成することを特徴とするセラミックヒータの製造方
法にある。
なる基部と，該基部内に少なくとも発熱部が埋設された
発熱抵抗体とよりなるセラミックヒータであって，上記
セラミックは，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａ
Ｏの合計量を１００重量％とした場合に，９０〜９６重
量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％のＳｉＯ2 ，０．６〜
１．５重量％のＭｇＯ及び１．３〜６．８重量％のＣａ
Ｏを含有し，更に，上記ＭｇＯと上記ＣａＯの重量比
（ＣａＯ／ＭｇＯ）が４．５以下かつ上記ＭｇＯと上記
ＣａＯの合計量が１．９重量％以上であり，また，上記
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量１０
０重量％に対し，０．２〜２０．０重量％のＺｒＯ2 及
び０．２〜２０．０重量％のＹ2 Ｏ3 を含有するセラミ
ックヒータを製造するに当たり，上記セラミック用の原
料を還元雰囲気中，焼成温度１４８０℃〜１５４０℃に
て焼成することを特徴とするセラミックヒータの製造方
法にある。
【００２１】本発明にかかる製造方法によれば，請求項
１に示すごとき，セラミックの組織中の結晶粒界を陽イ
オンが移動し難く，マイグレーションを生じ難いセラミ
ックよりなるセラミックヒータを得ることができる。
１に示すごとき，セラミックの組織中の結晶粒界を陽イ
オンが移動し難く，マイグレーションを生じ難いセラミ
ックよりなるセラミックヒータを得ることができる。
【００２２】なお，上記還元雰囲気としては，水素ガス
及び窒素ガスよりなる雰囲気等を挙げることができる。
また，上記焼成温度が１４８０℃未満である場合には，
充分に緻密な焼結体が得られず，実用レベルを満たす抗
折強度にならないおそれがある。一方，上記焼成温度が
１５４０℃より大である場合には，発熱材料が過焼成と
なり，局部的な粒成長が発生するため耐久性が低下して
しまうおそれがある。
及び窒素ガスよりなる雰囲気等を挙げることができる。
また，上記焼成温度が１４８０℃未満である場合には，
充分に緻密な焼結体が得られず，実用レベルを満たす抗
折強度にならないおそれがある。一方，上記焼成温度が
１５４０℃より大である場合には，発熱材料が過焼成と
なり，局部的な粒成長が発生するため耐久性が低下して
しまうおそれがある。
【００２３】また，上記セラミック用の原料としては，
精製された合成原料，不純物を含む天然原料等，幅広く
選択することができる。また，上記セラミック用の原料
としては，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの
合計量を１００重量％とした場合に，９０〜９６重量％
のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％のＳｉＯ2 ，０．６〜１．
５重量％のＭｇＯ及び１．３〜６．８重量％のＣａＯを
含有し，更に，上記ＭｇＯと上記ＣａＯの重量比（Ｃａ
Ｏ／ＭｇＯ）が４．５以下かつ上記ＭｇＯと上記ＣａＯ
の合計量が１．９重量％以上であり，また，上記Ａｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量１００重量
％に対し，０．２〜２０．０重量％のＺｒＯ2 及び０．
２〜２０．０重量％のＹ2Ｏ3 という組成を持った材料
を使用する。
精製された合成原料，不純物を含む天然原料等，幅広く
選択することができる。また，上記セラミック用の原料
としては，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの
合計量を１００重量％とした場合に，９０〜９６重量％
のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％のＳｉＯ2 ，０．６〜１．
５重量％のＭｇＯ及び１．３〜６．８重量％のＣａＯを
含有し，更に，上記ＭｇＯと上記ＣａＯの重量比（Ｃａ
Ｏ／ＭｇＯ）が４．５以下かつ上記ＭｇＯと上記ＣａＯ
の合計量が１．９重量％以上であり，また，上記Ａｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量１００重量
％に対し，０．２〜２０．０重量％のＺｒＯ2 及び０．
２〜２０．０重量％のＹ2Ｏ3 という組成を持った材料
を使用する。
【００２４】次に，請求項３の発明のように，セラミッ
ク用の原料の一部として，カオリン，タルクの少なくと
も一種を使用することが好ましい。上記カオリン，タル
クは安価な天然原料であり，これにより，セラミックヒ
ータの製造コストを減じることができる。
ク用の原料の一部として，カオリン，タルクの少なくと
も一種を使用することが好ましい。上記カオリン，タル
クは安価な天然原料であり，これにより，セラミックヒ
ータの製造コストを減じることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかるセラミックヒータ及びその
製造方法につき，図１，図２を用いて説明する。本例の
セラミックヒータ１は，図１（ａ），（ｂ）に示すごと
く，セラミックからなる基部と，該基部内に発熱部１３
１が埋設された発熱抵抗体１３とよりなる。
製造方法につき，図１，図２を用いて説明する。本例の
セラミックヒータ１は，図１（ａ），（ｂ）に示すごと
く，セラミックからなる基部と，該基部内に発熱部１３
１が埋設された発熱抵抗体１３とよりなる。
【００２６】上記セラミックは，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量を１００重量％とした
場合に，９０〜９６重量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％
のＳｉＯ2 ，０．６〜１．５重量％のＭｇＯ及び１．３
〜６．８重量％のＣａＯを含有し，更に，上記ＭｇＯと
上記ＣａＯの重量比（ＣａＯ／ＭｇＯ）が４．５以下か
つ上記ＭｇＯと上記ＣａＯの合計量が１．９重量％以上
であり，また，上記Ａｌ2Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及び
ＣａＯの合計量１００重量％に対し，０．２〜２０．０
重量％のＺｒＯ2 及び０．２〜２０．０重量％のＹ2 Ｏ
3 を含有する。
Ｏ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量を１００重量％とした
場合に，９０〜９６重量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜８重量％
のＳｉＯ2 ，０．６〜１．５重量％のＭｇＯ及び１．３
〜６．８重量％のＣａＯを含有し，更に，上記ＭｇＯと
上記ＣａＯの重量比（ＣａＯ／ＭｇＯ）が４．５以下か
つ上記ＭｇＯと上記ＣａＯの合計量が１．９重量％以上
であり，また，上記Ａｌ2Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及び
ＣａＯの合計量１００重量％に対し，０．２〜２０．０
重量％のＺｒＯ2 及び０．２〜２０．０重量％のＹ2 Ｏ
3 を含有する。
【００２７】まず，本例にかかるセラミックヒータ１の
構造につき説明する。図１（ａ），（ｂ）に示すごと
く，本例はヒータ基板１１と該ヒータ基板１１に設けた
発熱抵抗体１３と両者を被覆する被覆基板１２とよりな
る積層型のセラミックヒータ１である。上記ヒータ基板
１１及び被覆基板１２がセラミックよりなる基部であ
る。
構造につき説明する。図１（ａ），（ｂ）に示すごと
く，本例はヒータ基板１１と該ヒータ基板１１に設けた
発熱抵抗体１３と両者を被覆する被覆基板１２とよりな
る積層型のセラミックヒータ１である。上記ヒータ基板
１１及び被覆基板１２がセラミックよりなる基部であ
る。
【００２８】上記発熱抵抗体１３は通電により発熱する
発熱部１３１，リード線１９と導通する端子部１３３，
該端子部１３３と発熱部１３１とを結ぶリード部１３２
とよりなる。また，上記セラミックヒータ１の側部１８
には上記端子部１３３と電気的に導通した導体部１９０
が設けてある。上記導体部１９０に対し，リード線１９
がロー付けされてなる。上記リード線１９は通電用の電
源に接続されている。
発熱部１３１，リード線１９と導通する端子部１３３，
該端子部１３３と発熱部１３１とを結ぶリード部１３２
とよりなる。また，上記セラミックヒータ１の側部１８
には上記端子部１３３と電気的に導通した導体部１９０
が設けてある。上記導体部１９０に対し，リード線１９
がロー付けされてなる。上記リード線１９は通電用の電
源に接続されている。
【００２９】上記セラミックヒータ１の製造方法につき
説明する。アルミナ９２重量％，カオリン２．５重量
％，タルク３．０重量％及び炭酸カルシウム３．０重量
％よりなる混合物を作製し，更に該混合物の合計量１０
０重量％に対して，ジルコニア１．１重量％及びイット
リア５．ｌ重量％を添加して，セラミック用の原料を作
製する。
説明する。アルミナ９２重量％，カオリン２．５重量
％，タルク３．０重量％及び炭酸カルシウム３．０重量
％よりなる混合物を作製し，更に該混合物の合計量１０
０重量％に対して，ジルコニア１．１重量％及びイット
リア５．ｌ重量％を添加して，セラミック用の原料を作
製する。
【００３０】なお，上記セラミック用の原料の組成は，
Ａｌ2 Ｏ3 ９３．０重量％，ＳｉＯ2 ２．５重量％，Ｍ
ｇＯ１．０重量％，ＣａＯ３．５重量％であり，また，
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量１０
０重量％に対して，ＺｒＯ2１．０重量％，Ｙ2 Ｏ
3 ５．０重量％が添加してある。
Ａｌ2 Ｏ3 ９３．０重量％，ＳｉＯ2 ２．５重量％，Ｍ
ｇＯ１．０重量％，ＣａＯ３．５重量％であり，また，
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量１０
０重量％に対して，ＺｒＯ2１．０重量％，Ｙ2 Ｏ
3 ５．０重量％が添加してある。
【００３１】上記セラミック用の原料に適当量のバイン
ダを添加し，溶剤中で混合してスラリーを作製する。得
られたスラリーをドクターブレード法により成形し，グ
リーンシートを得た。
ダを添加し，溶剤中で混合してスラリーを作製する。得
られたスラリーをドクターブレード法により成形し，グ
リーンシートを得た。
【００３２】次に，上記グリーンシートにＶ，Ｍｏ等を
主成分とした発熱抵抗体用ペーストをスクリーン印刷
し，発熱抵抗体１３用の印刷パターンを形成した。これ
がヒータ基板１１用のグリーンシートとなる。更に，上
記グリーンシートを被覆するように被覆基板１２用のグ
リーンシートを積層し，両者を圧着接合する。得られた
接合体の側面１８に導体部１９０を形成した後，還元雰
囲気（水素ガス及び窒素ガス），温度１５２０℃にて焼
成した。
主成分とした発熱抵抗体用ペーストをスクリーン印刷
し，発熱抵抗体１３用の印刷パターンを形成した。これ
がヒータ基板１１用のグリーンシートとなる。更に，上
記グリーンシートを被覆するように被覆基板１２用のグ
リーンシートを積層し，両者を圧着接合する。得られた
接合体の側面１８に導体部１９０を形成した後，還元雰
囲気（水素ガス及び窒素ガス），温度１５２０℃にて焼
成した。
【００３３】得られた焼成体の導体部１９０にニッケル
メッキ（１次メッキ）を施した後，Ａｕ−Ｃｕロー及び
Ｃｕロー等を用いてリード線１９をロー付けした。その
後，再度ニッケルメッキ（２次メッキ）を施した。ただ
し，導体部１９０への１次メッキは省略することができ
る。以上によりセラミックヒータ１を得た。
メッキ（１次メッキ）を施した後，Ａｕ−Ｃｕロー及び
Ｃｕロー等を用いてリード線１９をロー付けした。その
後，再度ニッケルメッキ（２次メッキ）を施した。ただ
し，導体部１９０への１次メッキは省略することができ
る。以上によりセラミックヒータ１を得た。
【００３４】次に，本例にかかるセラミックヒータ１の
性能につき試験し，その結果を表１に記載した。上記試
験に使用した試料１〜１７にかかるセラミックヒータ
は，これを構成するセラミックの組成を表１に示すごと
く変化させて，それぞれ作製したものである。なお，同
表にかかるＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯの量
を表す数値は重量％である。また，Ｙ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2
の量は，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯの合計
量を１００重量％とした場合の，該合計量に対する重量
％で記載した。
性能につき試験し，その結果を表１に記載した。上記試
験に使用した試料１〜１７にかかるセラミックヒータ
は，これを構成するセラミックの組成を表１に示すごと
く変化させて，それぞれ作製したものである。なお，同
表にかかるＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯの量
を表す数値は重量％である。また，Ｙ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2
の量は，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯの合計
量を１００重量％とした場合の，該合計量に対する重量
％で記載した。
【００３５】このような試料１〜１７についてそれぞれ
の抗折強度と断線時間とを測定し，評価した。上記抗折
強度は，実車搭載時に必要となる実用強度である８０Ｎ
を上回ることを判定基準とした。測定は３点曲げ試験
（ＪＩＳ Ｒ１６０１）に基づいて実施した。上記断線
時間は，試料１〜試料１７の発熱部１３１の表面温度が
１１００℃となるよう発熱抵抗層１３に通電し，これが
断線に至るまでの時間を計測した。また，判定基準とし
ては，実車搭載時の信頼性を充分に保証するための基準
となる１１００℃での加速耐久試験において，断線時間
が１０００時間を上回ることとした。以上の測定結果を
表１に記載した。
の抗折強度と断線時間とを測定し，評価した。上記抗折
強度は，実車搭載時に必要となる実用強度である８０Ｎ
を上回ることを判定基準とした。測定は３点曲げ試験
（ＪＩＳ Ｒ１６０１）に基づいて実施した。上記断線
時間は，試料１〜試料１７の発熱部１３１の表面温度が
１１００℃となるよう発熱抵抗層１３に通電し，これが
断線に至るまでの時間を計測した。また，判定基準とし
ては，実車搭載時の信頼性を充分に保証するための基準
となる１１００℃での加速耐久試験において，断線時間
が１０００時間を上回ることとした。以上の測定結果を
表１に記載した。
【００３６】表１によれば，セラミックの組成が本発明
にかかる範囲内にある試料２〜試料６及び試料１１〜試
料１４の抗折強度はいずれも８０Ｎ以上でありセラミッ
クヒータに要求される必要強度を満たしていることが分
かった。また，断線時間も１０００時間を超えており基
準を満たしていることが分かった。
にかかる範囲内にある試料２〜試料６及び試料１１〜試
料１４の抗折強度はいずれも８０Ｎ以上でありセラミッ
クヒータに要求される必要強度を満たしていることが分
かった。また，断線時間も１０００時間を超えており基
準を満たしていることが分かった。
【００３７】一方，試料１では，Ａｌ2 Ｏ3 の量が少な
く，ＳｉＯ2 の量が多いため，マイグレーションの抑制
効果が充分発揮できず，断線時間が短くなった。更に，
試料７ではＡｌ2 Ｏ3 の量が多くＳｉＯ2 の量が少ない
ため，本例にかかる焼成温度１５２０℃では充分に緻密
化しなかった。つまり，抗折強度が低く，実用的な強度
を有するセラミックとならなかった。
く，ＳｉＯ2 の量が多いため，マイグレーションの抑制
効果が充分発揮できず，断線時間が短くなった。更に，
試料７ではＡｌ2 Ｏ3 の量が多くＳｉＯ2 の量が少ない
ため，本例にかかる焼成温度１５２０℃では充分に緻密
化しなかった。つまり，抗折強度が低く，実用的な強度
を有するセラミックとならなかった。
【００３８】また，試料８，試料９は，実用強度は基準
を上回っているが，ＣａＯとＭｇＯの重量比若しくは合
計量が本発明の範囲から外れているため，マイグレーシ
ョンの抑制効果が不充分で，断線時間が短くなった。
を上回っているが，ＣａＯとＭｇＯの重量比若しくは合
計量が本発明の範囲から外れているため，マイグレーシ
ョンの抑制効果が不充分で，断線時間が短くなった。
【００３９】また，ＺｒＯ2 とＹ2 Ｏ3 の量が本発明の
範囲から外れている試料１０，試料１５は，抗折強度，
断線時間がいずれも基準に達しなかった。また，ＺｒＯ
2 とＹ2 Ｏ3 のいずれか一方を添加していない試料１
６，試料１７は，マイグレーションにより短時間で断線
に至っていることが分かった。
範囲から外れている試料１０，試料１５は，抗折強度，
断線時間がいずれも基準に達しなかった。また，ＺｒＯ
2 とＹ2 Ｏ3 のいずれか一方を添加していない試料１
６，試料１７は，マイグレーションにより短時間で断線
に至っていることが分かった。
【００４０】次に，本例における作用効果につき説明す
る。本発明にかかるセラミックヒータ１のセラミック
は，上述したごとき組成であり，所定のＣａＯとＭｇＯ
の重量比及び合計量を有し，所定量のＺｒＯ2 及びＹ2
Ｏ3 を含有している。この所定重量比のＣａＯ及びＭｇ
Ｏにより，アルミナの粒界において複雑な構造をもつモ
ンチセライト結晶層を生成することができる。
る。本発明にかかるセラミックヒータ１のセラミック
は，上述したごとき組成であり，所定のＣａＯとＭｇＯ
の重量比及び合計量を有し，所定量のＺｒＯ2 及びＹ2
Ｏ3 を含有している。この所定重量比のＣａＯ及びＭｇ
Ｏにより，アルミナの粒界において複雑な構造をもつモ
ンチセライト結晶層を生成することができる。
【００４１】更に，ＣａＯ及びＭｇＯの所定合計量によ
り，上記モンチセライト結晶層がアルミナ結晶粒をコー
ティング可能となる充分な生成量を得ることができ，マ
イグレーションの抑制層としての効果が顕著となる。即
ち，図２（ａ）に示すごとく，上記セラミックの組織３
はアルミナ結晶粒３１より構成され，該アルミナ結晶粒
を取り囲むようにモンチセライト結晶層３２が存在す
る。仮にＣａＯ及びＭｇＯの合計量が少ない場合の組織
３９は，図２（ｂ）に示すごとく，アルミナ結晶粒３１
の全てを取り囲むようにモンチセライト結晶層３２が形
成されず，部分的にガラス層３３が形成されてしまう。
り，上記モンチセライト結晶層がアルミナ結晶粒をコー
ティング可能となる充分な生成量を得ることができ，マ
イグレーションの抑制層としての効果が顕著となる。即
ち，図２（ａ）に示すごとく，上記セラミックの組織３
はアルミナ結晶粒３１より構成され，該アルミナ結晶粒
を取り囲むようにモンチセライト結晶層３２が存在す
る。仮にＣａＯ及びＭｇＯの合計量が少ない場合の組織
３９は，図２（ｂ）に示すごとく，アルミナ結晶粒３１
の全てを取り囲むようにモンチセライト結晶層３２が形
成されず，部分的にガラス層３３が形成されてしまう。
【００４２】また，所定量のＺｒＯ2 及びＹ2 Ｏ3 によ
り，アルミナの粒界に存在するフラックス成分の網目構
造における架橋陰イオンが切断され，上記フラックス成
分の結晶化を促進することができる。このため，アルミ
ナの粒界において，陽イオンが移動し難い複雑な構造を
持つモンチセライト結晶層をより多く生成することが可
能となり，マイグレーションの抑制効果を飛躍的に向上
することができる。
り，アルミナの粒界に存在するフラックス成分の網目構
造における架橋陰イオンが切断され，上記フラックス成
分の結晶化を促進することができる。このため，アルミ
ナの粒界において，陽イオンが移動し難い複雑な構造を
持つモンチセライト結晶層をより多く生成することが可
能となり，マイグレーションの抑制効果を飛躍的に向上
することができる。
【００４３】以上のように，本例によれば，マイグレー
ションが発生し難い，セラミックヒータ及びその製造方
法を提供することができる。
ションが発生し難い，セラミックヒータ及びその製造方
法を提供することができる。
【００４４】
【表１】
【００４５】実施形態例２ 本例は，図３〜図５に示すごとく，棒状のセラミックヒ
ータについて示すものである。図３に示すごとく，上記
棒状のセラミックヒータ２は，発熱抵抗体２３が設けら
れた被覆シート２１と，図４に示すごとく，該被覆シー
ト２１が巻回されるセラミック心棒２２とよりなる。上
記発熱抵抗体２３は通電により発熱する発熱部２３１，
リード線２９と導通する端子部２３３，該端子部２３３
と発熱部２３１とを結ぶリード部２３２とよりなる。
ータについて示すものである。図３に示すごとく，上記
棒状のセラミックヒータ２は，発熱抵抗体２３が設けら
れた被覆シート２１と，図４に示すごとく，該被覆シー
ト２１が巻回されるセラミック心棒２２とよりなる。上
記発熱抵抗体２３は通電により発熱する発熱部２３１，
リード線２９と導通する端子部２３３，該端子部２３３
と発熱部２３１とを結ぶリード部２３２とよりなる。
【００４６】また，図５に示すごとく，上記セラミック
ヒータ２の側部２８には外側端子部２３４が設けてあ
る。上記端子部２３３と上記外側端子部２３４との間は
導体の充填されたスルーホール２３５により接続されて
いる。上記外側導体部２３４にはニッケルめっき２９０
が施され，これに対しリード線２９がロー２９１を用い
て接続されており，更にニッケルめっき２９２が施され
ている。上記リード線２９は通電用の電源に接続されて
いる。
ヒータ２の側部２８には外側端子部２３４が設けてあ
る。上記端子部２３３と上記外側端子部２３４との間は
導体の充填されたスルーホール２３５により接続されて
いる。上記外側導体部２３４にはニッケルめっき２９０
が施され，これに対しリード線２９がロー２９１を用い
て接続されており，更にニッケルめっき２９２が施され
ている。上記リード線２９は通電用の電源に接続されて
いる。
【００４７】また，上記被覆シート２１及びセラミック
心棒２２は，実施形態例１にかかるセラミックと同じ組
成である。その他は実施形態例１と同様である。また，
実施形態例１と同様の作用効果を有する。
心棒２２は，実施形態例１にかかるセラミックと同じ組
成である。その他は実施形態例１と同様である。また，
実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【図１】実施形態例１にかかる，（ａ）セラミックヒー
タの展開説明図，（ｂ）セラミックヒータの斜視図。
タの展開説明図，（ｂ）セラミックヒータの斜視図。
【図２】実施形態例１にかかる，（ａ）セラミックの組
織の状態を示す説明図，（ｂ）ＣａＯ及びＭｇＯの合計
量が少ないセラミック組織の状態を示す説明図。
織の状態を示す説明図，（ｂ）ＣａＯ及びＭｇＯの合計
量が少ないセラミック組織の状態を示す説明図。
【図３】実施形態例２にかかる，棒状セラミックヒータ
の展開説明図。
の展開説明図。
【図４】実施形態例２にかかる，棒状セラミックヒータ
の説明図。
の説明図。
【図５】実施形態例２にかかる，棒状セラミックヒータ
の要部断面説明図。
の要部断面説明図。
１，２．．．セラミックヒータ， １３，２３．．．発熱抵抗体， １３１，２３１．．．発熱部，
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白井 誠 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックからなる基部と，該基部内に
少なくとも発熱部が埋設された発熱抵抗体とよりなるセ
ラミックヒータにおいて，上記セラミックは，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量を１００重量
％とした場合に，９０〜９６重量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜
８重量％のＳｉＯ2 ，０．６〜１．５重量％のＭｇＯ及
び１．３〜６．８重量％のＣａＯを含有し，更に，上記
ＭｇＯと上記ＣａＯの重量比（ＣａＯ／ＭｇＯ）が４．
５以下かつ上記ＭｇＯと上記ＣａＯの合計量が１．９重
量％以上であり，また，上記Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｍ
ｇＯ及びＣａＯの合計量１００重量％に対し，０．２〜
２０．０重量％のＺｒＯ2 及び０．２〜２０．０重量％
のＹ2 Ｏ3 を含有することを特徴とするセラミックヒー
タ。 - 【請求項２】 セラミックからなる基部と，該基部内に
少なくとも発熱部が埋設された発熱抵抗体とよりなるセ
ラミックヒータであって，上記セラミックは，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ及びＣａＯの合計量を１００重量
％とした場合に，９０〜９６重量％のＡｌ2 Ｏ3 ，１〜
８重量％のＳｉＯ2 ，０．６〜１．５重量％のＭｇＯ及
び１．３〜６．８重量％のＣａＯを含有し，更に，上記
ＭｇＯと上記ＣａＯの重量比（ＣａＯ／ＭｇＯ）が４．
５以下かつ上記ＭｇＯと上記ＣａＯの合計量が１．９重
量％以上であり，また，上記Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｍ
ｇＯ及びＣａＯの合計量１００重量％に対し，０．２〜
２０．０重量％のＺｒＯ2 及び０．２〜２０．０重量％
のＹ2 Ｏ3 を含有するセラミックヒータを製造するに当
たり，上記セラミック用の原料を還元雰囲気中，焼成温
度１４８０℃〜１５４０℃にて焼成することを特徴とす
るセラミックヒータの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２において，セラミック用の原料
の一部として，カオリン，タルクの少なくとも一種を使
用することを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9342216A JPH11157920A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | セラミックヒータ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9342216A JPH11157920A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | セラミックヒータ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11157920A true JPH11157920A (ja) | 1999-06-15 |
Family
ID=18352024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9342216A Pending JPH11157920A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | セラミックヒータ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11157920A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009298654A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Nippon Soken Inc | 複合セラミック体の製造方法 |
| US8841589B2 (en) | 2011-08-30 | 2014-09-23 | Denso Corporation | Ceramic heater and gas sensor element |
| US9651517B2 (en) | 2014-02-11 | 2017-05-16 | Denso Corporation | Ceramic heater and gas sensor element using the same |
| CN109998175A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-07-12 | 珠海市香之君科技股份有限公司 | 新型烟草智能加热机 |
| CN110167221A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-23 | 中研香诚(北京)科技有限公司 | 一种陶瓷加热片及其制备方法 |
| CN114195490A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-03-18 | 武汉中维创发工业研究院有限公司 | 陶瓷电阻的制备方法、陶瓷电阻及电子电路器件 |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP9342216A patent/JPH11157920A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009298654A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Nippon Soken Inc | 複合セラミック体の製造方法 |
| US8841589B2 (en) | 2011-08-30 | 2014-09-23 | Denso Corporation | Ceramic heater and gas sensor element |
| US9651517B2 (en) | 2014-02-11 | 2017-05-16 | Denso Corporation | Ceramic heater and gas sensor element using the same |
| CN109998175A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-07-12 | 珠海市香之君科技股份有限公司 | 新型烟草智能加热机 |
| CN110167221A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-23 | 中研香诚(北京)科技有限公司 | 一种陶瓷加热片及其制备方法 |
| CN114195490A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-03-18 | 武汉中维创发工业研究院有限公司 | 陶瓷电阻的制备方法、陶瓷电阻及电子电路器件 |
| CN114195490B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-11-28 | 维达力实业(深圳)有限公司 | 陶瓷电阻的制备方法、陶瓷电阻及电子电路器件 |
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