JPH1115396A - 太陽電池素子付き液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
太陽電池素子付き液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPH1115396A JPH1115396A JP9164149A JP16414997A JPH1115396A JP H1115396 A JPH1115396 A JP H1115396A JP 9164149 A JP9164149 A JP 9164149A JP 16414997 A JP16414997 A JP 16414997A JP H1115396 A JPH1115396 A JP H1115396A
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- crystal display
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 太陽電池素子付き液晶表示素子において、液
晶表示素子と太陽電池素子を同一基板に形成し、太陽電
池専用のスペースを省略し、さらに、製造工程と部品点
数を減らすことを実現する。 【解決手段】 太陽電池素子付き液晶表示素子は、ガラ
スもしくはプラスチック基板１上に透明導電膜６パター
ンを形成し、この透明導電膜パターン上に化学気相成長
法により太陽電池素子となるアモルファスシリコン膜７
を形成し、このアモルファスシリコン上にレジストパタ
ーンを形成し、このレジストパターンをエッチングマス
クとしてドライエッチング法によりアモルファスシリコ
ン膜のエッチングを行い、このアモルファスシリコン膜
を除去した透明導電膜パターンを液晶表示素子とするこ
とを特徴とする。
晶表示素子と太陽電池素子を同一基板に形成し、太陽電
池専用のスペースを省略し、さらに、製造工程と部品点
数を減らすことを実現する。 【解決手段】 太陽電池素子付き液晶表示素子は、ガラ
スもしくはプラスチック基板１上に透明導電膜６パター
ンを形成し、この透明導電膜パターン上に化学気相成長
法により太陽電池素子となるアモルファスシリコン膜７
を形成し、このアモルファスシリコン上にレジストパタ
ーンを形成し、このレジストパターンをエッチングマス
クとしてドライエッチング法によりアモルファスシリコ
ン膜のエッチングを行い、このアモルファスシリコン膜
を除去した透明導電膜パターンを液晶表示素子とするこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池素子付き
液晶表示素子および太陽電池素子付き液晶表示素子の製
造方法に関する。
液晶表示素子および太陽電池素子付き液晶表示素子の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術の液晶４を駆動して数字の表示
を行う単純マトリクス方式の液晶表示装置の作成方法を
図面を用いて説明する。図６は従来例における単純マト
リクス方式の液晶表示装置を示す模式拡大斜視図であ
る。図２は従来例における単純マトリクス方式の液晶表
示装置を示す模式拡大断面図である。図４と図５は従来
例における数字表示を行う液晶４を駆動するための透明
導電膜６パターンの模式拡大平面図である。
を行う単純マトリクス方式の液晶表示装置の作成方法を
図面を用いて説明する。図６は従来例における単純マト
リクス方式の液晶表示装置を示す模式拡大斜視図であ
る。図２は従来例における単純マトリクス方式の液晶表
示装置を示す模式拡大断面図である。図４と図５は従来
例における数字表示を行う液晶４を駆動するための透明
導電膜６パターンの模式拡大平面図である。
【０００３】透明導電膜６パターンの形成方法として
は、まずスパッタリング法もしくは化学気相成長法によ
って基板１上に透明導電膜６材料を形成し、この透明導
電膜６材料上にフォトリソグラフィー法によってレジス
ト１０のパターンを形成する。その後、このパターン形
成したレジスト１０をエッチングマスクとして、ウェッ
トエッチング法もしくはドライエッチング法によって図
４と図５にしめす透明導電膜６パターンをえる。さら
に、この透明導電膜６パターン上に液晶４を配向させる
ための配向膜５を設け、この配向膜５に液晶４を配向さ
せるためのラビング処理を施す。このようにして作成し
た図４と図５の透明導電膜６パターンを有する基板を、
図６にしめすように対向させ、その間に液晶４を封入し
て張り合わせ、それぞれの基板の外側に偏光軸が互いに
直交するようにそれぞれ偏光板２を配置する。さらに、
この基板の一方の外側に反射板３を配置する。このよう
にして、図６に示す液晶表示装置をえる。この液晶表示
装置の断面を示したものが図２である。
は、まずスパッタリング法もしくは化学気相成長法によ
って基板１上に透明導電膜６材料を形成し、この透明導
電膜６材料上にフォトリソグラフィー法によってレジス
ト１０のパターンを形成する。その後、このパターン形
成したレジスト１０をエッチングマスクとして、ウェッ
トエッチング法もしくはドライエッチング法によって図
４と図５にしめす透明導電膜６パターンをえる。さら
に、この透明導電膜６パターン上に液晶４を配向させる
ための配向膜５を設け、この配向膜５に液晶４を配向さ
せるためのラビング処理を施す。このようにして作成し
た図４と図５の透明導電膜６パターンを有する基板を、
図６にしめすように対向させ、その間に液晶４を封入し
て張り合わせ、それぞれの基板の外側に偏光軸が互いに
直交するようにそれぞれ偏光板２を配置する。さらに、
この基板の一方の外側に反射板３を配置する。このよう
にして、図６に示す液晶表示装置をえる。この液晶表示
装置の断面を示したものが図２である。
【０００４】そして、図４と図５に示した入力端子８に
それぞれ電気信号を加えると、上下の透明導電膜６パタ
ーンの同時に電圧が印加された部分が表示されることと
なる。
それぞれ電気信号を加えると、上下の透明導電膜６パタ
ーンの同時に電圧が印加された部分が表示されることと
なる。
【０００５】従来の技術では、このようにして作成した
液晶表示装置と、別途作成した太陽電池素子７を組み合
わせて太陽電池素子付き液晶表示素子を組み立てる。
液晶表示装置と、別途作成した太陽電池素子７を組み合
わせて太陽電池素子付き液晶表示素子を組み立てる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の太陽電池素子付
き液晶表示素子では、液晶表示素子と太陽電池素子を別
々に製造し、組み合わせて製品とする。このため、液晶
表示素子と太陽電池素子の製造には、それぞれ別々の設
備が必要となる。また、電卓や時計のような製品では、
太陽電池専用のスペースが必要で、製品の大きさやデザ
インを制約し、大きな欠点となっていた。
き液晶表示素子では、液晶表示素子と太陽電池素子を別
々に製造し、組み合わせて製品とする。このため、液晶
表示素子と太陽電池素子の製造には、それぞれ別々の設
備が必要となる。また、電卓や時計のような製品では、
太陽電池専用のスペースが必要で、製品の大きさやデザ
インを制約し、大きな欠点となっていた。
【０００７】そこで、本発明では太陽電池素子と液晶表
示素子を同時に同一基板内に作り込むことにより、部品
点数を減らし、製造工程および設備を少なくし、さらに
外観上液晶表示部以外に太陽電池素子専用のスペースを
必要としない太陽電池素子付き液晶表示素子とその製造
方法を提供する。
示素子を同時に同一基板内に作り込むことにより、部品
点数を減らし、製造工程および設備を少なくし、さらに
外観上液晶表示部以外に太陽電池素子専用のスペースを
必要としない太陽電池素子付き液晶表示素子とその製造
方法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成させる
ために、本発明の太陽電池素子付き液晶表示素子と、そ
の製造方法は下記記載の手段を採用する。
ために、本発明の太陽電池素子付き液晶表示素子と、そ
の製造方法は下記記載の手段を採用する。
【０００９】基板上に透明導電膜パターンを形成し、そ
の一部を液晶表示素子とし、他の一部に太陽電池素子を
形成することを特徴とする。
の一部を液晶表示素子とし、他の一部に太陽電池素子を
形成することを特徴とする。
【００１０】請求項２記載の発明である太陽電池素子付
き液晶表示素子の製造方法は、ガラスもしくはプラスチ
ック基板上に透明導電膜パターンを形成し、この透明導
電膜パターン上に化学気相成長法により太陽電池素子と
なるアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファ
スシリコン膜上にレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンをエッチングマスクとしてドライエッチン
グ法によりアモルファスシリコン膜のエッチングを行
い、このアモルファスシリコン膜を除去した部分透明導
電膜パターンを液晶表示素子とすることを特徴とする。
き液晶表示素子の製造方法は、ガラスもしくはプラスチ
ック基板上に透明導電膜パターンを形成し、この透明導
電膜パターン上に化学気相成長法により太陽電池素子と
なるアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファ
スシリコン膜上にレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンをエッチングマスクとしてドライエッチン
グ法によりアモルファスシリコン膜のエッチングを行
い、このアモルファスシリコン膜を除去した部分透明導
電膜パターンを液晶表示素子とすることを特徴とする。
【００１１】請求項３記載の太陽電池素子付き液晶表示
素子の製造方法は、ガラスもしくはプラスチック基板上
に透明導電膜を形成し、この透明導電膜上に化学気相成
長法により太陽電池素子となるアモルファスシリコン膜
を形成し、さらにこのアモルファスシリコン膜上に電極
膜となる導電膜を形成し、この導電膜上に太陽電池素子
のパターニングを行うための第１のレジストパターンを
形成し、この第１のレジストパターンをエッチングマス
クとして導電膜およびアモルファスシリコン膜のエッチ
ングを行い、さらにこの第１のレジストを除去した後、
透明電極パターンを形成するための第２のレジストパタ
ーンを形成し、第２のレジストパターンをエッチングマ
スクとして透明導電膜パターン形成することを特徴とす
る。
素子の製造方法は、ガラスもしくはプラスチック基板上
に透明導電膜を形成し、この透明導電膜上に化学気相成
長法により太陽電池素子となるアモルファスシリコン膜
を形成し、さらにこのアモルファスシリコン膜上に電極
膜となる導電膜を形成し、この導電膜上に太陽電池素子
のパターニングを行うための第１のレジストパターンを
形成し、この第１のレジストパターンをエッチングマス
クとして導電膜およびアモルファスシリコン膜のエッチ
ングを行い、さらにこの第１のレジストを除去した後、
透明電極パターンを形成するための第２のレジストパタ
ーンを形成し、第２のレジストパターンをエッチングマ
スクとして透明導電膜パターン形成することを特徴とす
る。
【００１２】本発明においては、液晶表示素子と太陽電
池素子を同じ基板１に作り込むことができる。したがっ
て、太陽電池素子専用のスペースを設ける必要がなく、
電卓や時計のような製品に用いる場合でも太陽電池がデ
ザインの制約をすることがない。また、同時に作り込む
ため、別々に作る場合に比べて工程が省略でき、製造設
備も少なくできる。
池素子を同じ基板１に作り込むことができる。したがっ
て、太陽電池素子専用のスペースを設ける必要がなく、
電卓や時計のような製品に用いる場合でも太陽電池がデ
ザインの制約をすることがない。また、同時に作り込む
ため、別々に作る場合に比べて工程が省略でき、製造設
備も少なくできる。
【００１３】
【発明の実施の形態】基板上に透明導電膜パターンを形
成し、その一部を液晶表示素子とし、他の一部に太陽電
池素子を形成することを特徴とする太陽電池素子付き液
晶表示素子。
成し、その一部を液晶表示素子とし、他の一部に太陽電
池素子を形成することを特徴とする太陽電池素子付き液
晶表示素子。
【００１４】ガラスもしくはプラスチック基板上に透明
導電膜パターンを形成し、この透明導電膜パターン上に
化学気相成長法により太陽電池素子となるアモルファス
シリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜上に
レジストパターンを形成し、このレジストパターンをエ
ッチングマスクとしてドライエッチング法によりアモル
ファスシリコン膜のエッチングを行い、このアモルファ
スシリコン膜を除去した部分の透明導電膜パターンを液
晶表示素子とすることを特徴とする太陽電池素子付き液
晶表示素子の製造方法。
導電膜パターンを形成し、この透明導電膜パターン上に
化学気相成長法により太陽電池素子となるアモルファス
シリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜上に
レジストパターンを形成し、このレジストパターンをエ
ッチングマスクとしてドライエッチング法によりアモル
ファスシリコン膜のエッチングを行い、このアモルファ
スシリコン膜を除去した部分の透明導電膜パターンを液
晶表示素子とすることを特徴とする太陽電池素子付き液
晶表示素子の製造方法。
【００１５】以下、本発明による実施例における太陽電
池素子付き液晶表示素子を図面を基に説明する。図１は
本発明を用いて形成した太陽電池素子付き液晶表示素子
の模式断面図である。一方の基板１には液晶表示部と太
陽電池素子が同一基板１内に形成してある。つぎに、本
発明による太陽電池素子付き液晶表示素子の製造方法を
図面を用いて説明する。まず、ガラスもしくはプラスチ
ック基板１上に透明導電膜６である酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）をスパッタリング法により成膜する。この時
のスパッタリングの条件は、スパッタリング装置内に１
００ｓｃｃｍのアルゴンガスと２ｓｃｃｍの酸素ガスを
導入し、圧力を５ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒとして、
これに１ＫＷ〜３ＫＷのＲＦ電力（１３．５６ＭＨｚ）
を印加して生成したプラズマによって行う。さらに、こ
のＩＴＯ上に液晶表示パターンと太陽電池素子の下部電
極パターンと同じ形状のレジスト１０パターンをフォト
リソグラフィー法により形成する。この状態の基板１の
断面図を示したものが、図７である。
池素子付き液晶表示素子を図面を基に説明する。図１は
本発明を用いて形成した太陽電池素子付き液晶表示素子
の模式断面図である。一方の基板１には液晶表示部と太
陽電池素子が同一基板１内に形成してある。つぎに、本
発明による太陽電池素子付き液晶表示素子の製造方法を
図面を用いて説明する。まず、ガラスもしくはプラスチ
ック基板１上に透明導電膜６である酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）をスパッタリング法により成膜する。この時
のスパッタリングの条件は、スパッタリング装置内に１
００ｓｃｃｍのアルゴンガスと２ｓｃｃｍの酸素ガスを
導入し、圧力を５ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒとして、
これに１ＫＷ〜３ＫＷのＲＦ電力（１３．５６ＭＨｚ）
を印加して生成したプラズマによって行う。さらに、こ
のＩＴＯ上に液晶表示パターンと太陽電池素子の下部電
極パターンと同じ形状のレジスト１０パターンをフォト
リソグラフィー法により形成する。この状態の基板１の
断面図を示したものが、図７である。
【００１６】つぎに、図８に示すように、このレジスト
１０パターンをエッチングマスクとして用いてエッチン
グ処理を行い、その後レジスト１０を剥離して透明導電
膜６パターンをえる。
１０パターンをエッチングマスクとして用いてエッチン
グ処理を行い、その後レジスト１０を剥離して透明導電
膜６パターンをえる。
【００１７】このとき、ＩＴＯのエッチングをウェット
エッチング法で行う場合には、塩化鉄と塩酸と水の比が
それぞれ３：５：２となるように混合した溶液を用いて
行う。また、ＩＴＯのエッチング処理をドライエッチン
グ法で行う場合には、ドライエッチング装置内に１００
ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍの流量でメタン（ＣＨ４）を
導入し、これに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの水素と０
ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのメタノール（ＣＨ３ＯＨ）
とを加えて、全体の圧力を３０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴ
ｏｒｒとして、これに１ＫＷ〜３ＫＷで１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を印加して生成したプラズマによって行
う。
エッチング法で行う場合には、塩化鉄と塩酸と水の比が
それぞれ３：５：２となるように混合した溶液を用いて
行う。また、ＩＴＯのエッチング処理をドライエッチン
グ法で行う場合には、ドライエッチング装置内に１００
ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍの流量でメタン（ＣＨ４）を
導入し、これに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの水素と０
ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのメタノール（ＣＨ３ＯＨ）
とを加えて、全体の圧力を３０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴ
ｏｒｒとして、これに１ＫＷ〜３ＫＷで１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を印加して生成したプラズマによって行
う。
【００１８】この後、プラズマＣＶＤ法により、この下
部電極パターン上にｐ型のアモルファスシリコン膜７と
ｉ型のアモルファスシリコン膜７とｎ型のアモルファス
シリコン膜７を続けて成膜し、太陽電池素子膜とする。
部電極パターン上にｐ型のアモルファスシリコン膜７と
ｉ型のアモルファスシリコン膜７とｎ型のアモルファス
シリコン膜７を続けて成膜し、太陽電池素子膜とする。
【００１９】このときｐ型のアモルファスシリコン膜７
を成膜するには、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５
００ｓｃｃｍと０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのジボラン
ガスを導入し、全体の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒ
ｒとし、５０Ｗ〜３００Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波
電力を印加して生成したプラズマを用い、温度を２５０
℃とした電極上に基板１を置いて行う。ｉ型のアモルフ
ァスシリコン膜７を成膜する場合には、プラズマＣＶＤ
装置内にシランガス５００ｓｃｃｍを導入し、全体の圧
力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、５０Ｗ〜３００
Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して生成した
プラズマを用いて、温度を２５０℃とした電極上に基板
１を置いて行う。ｎ型のアモルファスシリコン膜７を成
膜するには、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５００
ｓｃｃｍと０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのホスフィンガ
スを導入し、全体の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒ
とし、５０Ｗ〜３００Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加して生成したプラズマを用い、温度を２５０℃
とした電極上に基板１を置いて行う。
を成膜するには、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５
００ｓｃｃｍと０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのジボラン
ガスを導入し、全体の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒ
ｒとし、５０Ｗ〜３００Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波
電力を印加して生成したプラズマを用い、温度を２５０
℃とした電極上に基板１を置いて行う。ｉ型のアモルフ
ァスシリコン膜７を成膜する場合には、プラズマＣＶＤ
装置内にシランガス５００ｓｃｃｍを導入し、全体の圧
力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、５０Ｗ〜３００
Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して生成した
プラズマを用いて、温度を２５０℃とした電極上に基板
１を置いて行う。ｎ型のアモルファスシリコン膜７を成
膜するには、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５００
ｓｃｃｍと０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのホスフィンガ
スを導入し、全体の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒ
とし、５０Ｗ〜３００Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加して生成したプラズマを用い、温度を２５０℃
とした電極上に基板１を置いて行う。
【００２０】つぎに図９に示すように、太陽電池素子の
上部電極膜１１となるアルミニウムをスパッタリング法
により成膜し、この上にフォトリソグラフィー法により
太陽電池素子パターンと同じレジスト１０パターンを形
成する。
上部電極膜１１となるアルミニウムをスパッタリング法
により成膜し、この上にフォトリソグラフィー法により
太陽電池素子パターンと同じレジスト１０パターンを形
成する。
【００２１】この時のスパッタリングの条件は、スパッ
タリング装置内に１００ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入
し、圧力を５ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒとして、こ
れに１ＫＷ〜３ＫＷのＲＦ電力（１３．５６ＭＨｚ）を
印加して生成したプラズマによって行う。
タリング装置内に１００ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入
し、圧力を５ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒとして、こ
れに１ＫＷ〜３ＫＷのＲＦ電力（１３．５６ＭＨｚ）を
印加して生成したプラズマによって行う。
【００２２】そして、このレジスト１０パターンをエッ
チングマスクとして、ドライエッチング法によりアルミ
ニウムとアモルファスシリコン７のエッチング行う。ア
ルミニウムのドライエッチングはドライエッチング装置
内に１００ｓｃｃｍ〜３００ｓｃｃｍの流量でＢＣｌ３
を導入し、これに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの塩素を
加え、全体の圧力を１０ｍＴｏｒｒとして、これに１０
００Ｗのマイクロ波（ＥＣＲ条件）を印加して生成した
プラズマによって行う。
チングマスクとして、ドライエッチング法によりアルミ
ニウムとアモルファスシリコン７のエッチング行う。ア
ルミニウムのドライエッチングはドライエッチング装置
内に１００ｓｃｃｍ〜３００ｓｃｃｍの流量でＢＣｌ３
を導入し、これに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの塩素を
加え、全体の圧力を１０ｍＴｏｒｒとして、これに１０
００Ｗのマイクロ波（ＥＣＲ条件）を印加して生成した
プラズマによって行う。
【００２３】アモルファスシリコン７のドライエッチン
グは、ドライエッチング装置内に１００ｓｃｃｍ〜３０
０ｓｃｃｍの流量で六フッ化硫黄（ＳＦ６）を導入し、
これに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの酸素を加え、全体
の圧力を５０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴｏｏｒとして、こ
れに１００Ｗ〜１０００ＷのＲＦ電力（１３．５６ＭＨ
ｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
グは、ドライエッチング装置内に１００ｓｃｃｍ〜３０
０ｓｃｃｍの流量で六フッ化硫黄（ＳＦ６）を導入し、
これに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの酸素を加え、全体
の圧力を５０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴｏｏｒとして、こ
れに１００Ｗ〜１０００ＷのＲＦ電力（１３．５６ＭＨ
ｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
【００２４】つぎに、図１０に示すように、レジスト１
０を剥離して、液晶表示素子と太陽電池素子を同一基板
１内に形成することができる。図３は、数字表示のため
に、同一基板内に液晶表示素子と太陽電池素子を形成し
た基板１の模式平面図である。そして、上部電極端子９
ａと下部電極端子９ｂより電力を取り出し、外部にある
蓄電池に蓄電し、この電力を利用して液晶表示素子を駆
動することができる。
０を剥離して、液晶表示素子と太陽電池素子を同一基板
１内に形成することができる。図３は、数字表示のため
に、同一基板内に液晶表示素子と太陽電池素子を形成し
た基板１の模式平面図である。そして、上部電極端子９
ａと下部電極端子９ｂより電力を取り出し、外部にある
蓄電池に蓄電し、この電力を利用して液晶表示素子を駆
動することができる。
【００２５】この基板１表面にポリイミド系の配向膜５
材料を塗布し、この表面をラビング処理をすることによ
り配向膜５を形成する。対向する基板１についても同様
な方法で、図４に示すようなＩＴＯパターンを形成し、
その上に配向膜５を形成する。この２つの基板１の間に
液晶４を封入して張り合わせ、それぞれの基板の外側に
偏光軸が互いに直交するように、それぞれ偏光板２を配
置し、さらに、この基板の一方の外側に反射板３を配置
する。このようにして、図１に示す太陽電池素子付き液
晶表示素子をえることができた。
材料を塗布し、この表面をラビング処理をすることによ
り配向膜５を形成する。対向する基板１についても同様
な方法で、図４に示すようなＩＴＯパターンを形成し、
その上に配向膜５を形成する。この２つの基板１の間に
液晶４を封入して張り合わせ、それぞれの基板の外側に
偏光軸が互いに直交するように、それぞれ偏光板２を配
置し、さらに、この基板の一方の外側に反射板３を配置
する。このようにして、図１に示す太陽電池素子付き液
晶表示素子をえることができた。
【００２６】また、もう一つの本発明による太陽電池素
子付き液晶表示素子の製造方法は、まず、ガラスもしく
はプラスチック基板１上に透明導電膜６である酸化イン
ジウムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法により成膜す
る。この時のスパッタリングの条件は、スパッタリング
装置内に１００ｓｃｃｍのアルゴンガスと２ｓｃｃｍの
酸素ガスを導入し、圧力を５ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒ
ｒとして、これに１ＫＷ〜３ＫＷのＲＦ電力（１３．５
６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
子付き液晶表示素子の製造方法は、まず、ガラスもしく
はプラスチック基板１上に透明導電膜６である酸化イン
ジウムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法により成膜す
る。この時のスパッタリングの条件は、スパッタリング
装置内に１００ｓｃｃｍのアルゴンガスと２ｓｃｃｍの
酸素ガスを導入し、圧力を５ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒ
ｒとして、これに１ＫＷ〜３ＫＷのＲＦ電力（１３．５
６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
【００２７】つぎに、、プラズマＣＶＤ法により、この
透明導電膜上ににｐ型のアモルファスシリコン７とｉ型
のアモルファスシリコン７とｎ型のアモルファスシリコ
ン７を続けて成膜し、太陽電池素子膜とする。
透明導電膜上ににｐ型のアモルファスシリコン７とｉ型
のアモルファスシリコン７とｎ型のアモルファスシリコ
ン７を続けて成膜し、太陽電池素子膜とする。
【００２８】このときｐ型のアモルファスシリコン膜７
を成膜するには、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５
００ｓｃｃｍと０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのジボラン
ガスを導入し、全体の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒ
ｒとし、５０Ｗ〜３００Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波
電力を印加して生成したプラズマを用い、温度を２５０
℃とした電極上に基板１を置いて行う。ｉ型のアモルフ
ァスシリコン膜７を成膜する場合には、プラズマＣＶＤ
装置内にシランガス５００ｓｃｃｍを導入し、全体の圧
力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、５０Ｗ〜３００
Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して生成した
プラズマを用いて、温度を２５０℃とした電極上に基板
１を置いて行う。ｎ型のアモルファスシリコン膜７を成
膜するには、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５００
ｓｃｃｍと０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのホスフィンガ
スを導入し、全体の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒ
とし、５０Ｗ〜３００Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加して生成したプラズマを用い、温度を２５０℃
とした電極上に基板１を置いて行う。
を成膜するには、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５
００ｓｃｃｍと０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのジボラン
ガスを導入し、全体の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒ
ｒとし、５０Ｗ〜３００Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波
電力を印加して生成したプラズマを用い、温度を２５０
℃とした電極上に基板１を置いて行う。ｉ型のアモルフ
ァスシリコン膜７を成膜する場合には、プラズマＣＶＤ
装置内にシランガス５００ｓｃｃｍを導入し、全体の圧
力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒとし、５０Ｗ〜３００
Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して生成した
プラズマを用いて、温度を２５０℃とした電極上に基板
１を置いて行う。ｎ型のアモルファスシリコン膜７を成
膜するには、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス５００
ｓｃｃｍと０．１ｓｃｃｍ〜１ｓｃｃｍのホスフィンガ
スを導入し、全体の圧力を０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒ
とし、５０Ｗ〜３００Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加して生成したプラズマを用い、温度を２５０℃
とした電極上に基板１を置いて行う。
【００２９】つぎに、太陽電池素子の上部電極膜１１と
なるアルミニウムをスパッタリング法により成膜し、こ
の上にフォトリソグラフィー法により上部電極膜１１パ
ターンと同じレジスト１０パターンを形成する。この状
態を図１１にしめす。
なるアルミニウムをスパッタリング法により成膜し、こ
の上にフォトリソグラフィー法により上部電極膜１１パ
ターンと同じレジスト１０パターンを形成する。この状
態を図１１にしめす。
【００３０】この時のスパッタリングの条件は、スパッ
タリング装置内に１００ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入
し、圧力を５ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒとして、こ
れに１ＫＷ〜３ＫＷのＲＦ電力（１３．５６ＭＨｚ）を
印加して生成したプラズマによって行う。
タリング装置内に１００ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入
し、圧力を５ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒとして、こ
れに１ＫＷ〜３ＫＷのＲＦ電力（１３．５６ＭＨｚ）を
印加して生成したプラズマによって行う。
【００３１】そして、このレジスト１０パターンをエッ
チングマスクとしてドライエッチング法によりアルミニ
ウムのエッチングを行う。このとき、アルミのドライエ
ッチングはドライエッチング装置内に１００ｓｃｃｍ〜
３００ｓｃｃｍの流量でＢＣｌ３を導入し、これに０ｓ
ｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの塩素を加え、全体の圧力を１
０ｍＴｏｒｒとして、これに１０００Ｗのマイクロ波
（ＥＣＲ条件）を印加して生成したプラズマによって行
う。
チングマスクとしてドライエッチング法によりアルミニ
ウムのエッチングを行う。このとき、アルミのドライエ
ッチングはドライエッチング装置内に１００ｓｃｃｍ〜
３００ｓｃｃｍの流量でＢＣｌ３を導入し、これに０ｓ
ｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの塩素を加え、全体の圧力を１
０ｍＴｏｒｒとして、これに１０００Ｗのマイクロ波
（ＥＣＲ条件）を印加して生成したプラズマによって行
う。
【００３２】つづいて、このレジスト１０パターンをエ
ッチングマスクとして、さらに、アモルファスシリコン
７膜のエッチングを行い、このレジスト１０を剥離して
図１２をえる。アモルファスシリコン７のドライエッチ
ングは、ドライエッチング装置内に１００ｓｃｃｍ〜３
００ｓｃｃｍの流量で六フッ化硫黄（ＳＦ６）を導入
し、これに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの酸素を加え、
全体の圧力を５０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴｏｏｒとし
て、これに１００Ｗ〜１０００ＷのＲＦ電力（１３．５
６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
ッチングマスクとして、さらに、アモルファスシリコン
７膜のエッチングを行い、このレジスト１０を剥離して
図１２をえる。アモルファスシリコン７のドライエッチ
ングは、ドライエッチング装置内に１００ｓｃｃｍ〜３
００ｓｃｃｍの流量で六フッ化硫黄（ＳＦ６）を導入
し、これに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの酸素を加え、
全体の圧力を５０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴｏｏｒとし
て、これに１００Ｗ〜１０００ＷのＲＦ電力（１３．５
６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマによって行う。
【００３３】さらに、再度フォトリソグラフィー法によ
り、透明導電膜６パターンと同じレジスト１０パターン
を形成し、このレジスト１０パターンをエッチングマス
クとして用いて透明導電膜６のエッチング処理を行い、
その後レジスト１０を剥離して図１４に示すように太陽
電池素子付き液晶表示素子をえる。
り、透明導電膜６パターンと同じレジスト１０パターン
を形成し、このレジスト１０パターンをエッチングマス
クとして用いて透明導電膜６のエッチング処理を行い、
その後レジスト１０を剥離して図１４に示すように太陽
電池素子付き液晶表示素子をえる。
【００３４】ＩＴＯのエッチングをウェットエッチング
法で行う場合には、塩化鉄と塩酸と水の比がそれぞれ
３：５：２となるように混合した溶液を用いて行う。Ｉ
ＴＯのエッチング処理をドライエッチング法で行う場合
には、ドライエッチング装置内に１００ｓｃｃｍ〜５０
０ｓｃｃｍの流量でメタン（ＣＨ４）を導入し、これに
０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの水素と０ｓｃｃｍ〜１０
０ｓｃｃｍのメタノール（ＣＨ３ＯＨ）とを加えて、全
体の圧力を３０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴｏｒｒとして、
これに１ＫＷ〜３ＫＷで１３．５６ＭＨｚの高周波電力
を印加して生成したプラズマによって行う。
法で行う場合には、塩化鉄と塩酸と水の比がそれぞれ
３：５：２となるように混合した溶液を用いて行う。Ｉ
ＴＯのエッチング処理をドライエッチング法で行う場合
には、ドライエッチング装置内に１００ｓｃｃｍ〜５０
０ｓｃｃｍの流量でメタン（ＣＨ４）を導入し、これに
０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの水素と０ｓｃｃｍ〜１０
０ｓｃｃｍのメタノール（ＣＨ３ＯＨ）とを加えて、全
体の圧力を３０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴｏｒｒとして、
これに１ＫＷ〜３ＫＷで１３．５６ＭＨｚの高周波電力
を印加して生成したプラズマによって行う。
【００３５】そして、図１４に示した太陽電池付き液晶
表示素子を形成した基板１表面にポリイミド系の配向膜
５材料を塗布し、この表面をラビング処理をすることに
より配向膜５を形成する。対向する基板１についても同
様な方法で、図４に示すようなＩＴＯパターンを形成
し、その上に配向膜５を形成する。この２つの基板１の
間に液晶４を封入して張り合わせ、それぞれの基板の外
側に偏光軸が互いに直交するように、それぞれ偏光板２
を配置し、さらに、この基板の一方の外側に反射板３を
配置する。このようにして、図１に示す太陽電池素子付
き液晶表示素子をえることができた。
表示素子を形成した基板１表面にポリイミド系の配向膜
５材料を塗布し、この表面をラビング処理をすることに
より配向膜５を形成する。対向する基板１についても同
様な方法で、図４に示すようなＩＴＯパターンを形成
し、その上に配向膜５を形成する。この２つの基板１の
間に液晶４を封入して張り合わせ、それぞれの基板の外
側に偏光軸が互いに直交するように、それぞれ偏光板２
を配置し、さらに、この基板の一方の外側に反射板３を
配置する。このようにして、図１に示す太陽電池素子付
き液晶表示素子をえることができた。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よる太陽電池素子付き液晶表示素子は、液晶表示素子と
太陽電池素子を同一基板内に作り込むことができる。し
たがって、太陽電池素子専用のスペースを設ける必要が
なく、電卓や時計といった賞品に用いた場合に太陽電池
素子がデザインの制約をしない。また、同時に作り込む
ため、工程が省略でき、製造設備を少なくすることがで
きる。さらに、部品点数も減らすこととなり組立工程も
簡略化できることとなる。
よる太陽電池素子付き液晶表示素子は、液晶表示素子と
太陽電池素子を同一基板内に作り込むことができる。し
たがって、太陽電池素子専用のスペースを設ける必要が
なく、電卓や時計といった賞品に用いた場合に太陽電池
素子がデザインの制約をしない。また、同時に作り込む
ため、工程が省略でき、製造設備を少なくすることがで
きる。さらに、部品点数も減らすこととなり組立工程も
簡略化できることとなる。
【図１】本発明の実施例における太陽電池素子付き液晶
表示素子を示す断面図である。
表示素子を示す断面図である。
【図２】従来例における液晶表示装置を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例における太陽電池素子付き液晶
表示素子の製造工程を説明するための平面図である。
表示素子の製造工程を説明するための平面図である。
【図４】本発明の実施例における太陽電池素子付き液晶
表示素子の製造工程を説明するための平面図である。
表示素子の製造工程を説明するための平面図である。
【図５】従来例における液晶表示装置の製造工程を説明
するための平面図である。
するための平面図である。
【図６】従来例における液晶表示装置を説明するための
斜視図である。
斜視図である。
【図７】本発明の実施例における太陽電池素子付き液晶
表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施例における太陽電池素子付き液晶
表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施例における太陽電池素子付き液晶
表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施例における太陽電池素子付き液
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施例における太陽電池素子付き液
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の実施例における太陽電池素子付き液
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の実施例における太陽電池素子付き液
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の実施例における太陽電池素子付き液
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
晶表示素子の製造工程を説明するための断面図である。
１ 基板 ２ 偏光板 ３ 反射板 ４ 液晶 ５ 配向膜 ６ 透明導電膜 ７ アモルファスシリコン膜 ８ 入力端子 ９ａ 上部電極端子 ９ｂ 下部電極端子 １０ レジスト １１ 上部電極膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に透明導電膜パターンを形成し、
その一部を液晶表示素子とし、他の一部に太陽電池素子
を形成することを特徴とする太陽電池素子付き液晶表示
素子。 - 【請求項２】 ガラスもしくはプラスチック基板上に透
明導電膜パターンを形成し、この透明導電膜パターン上
に化学気相成長法により太陽電池素子となるアモルファ
スシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜上
にレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとしてドライエッチング法によりアモ
ルファスシリコン膜のエッチングを行い、このアモルフ
ァスシリコン膜を除去した部分の透明導電膜パターンを
液晶表示素子とすることを特徴とする太陽電池素子付き
液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項３】 ガラスもしくはプラスチック基板上に透
明導電膜を形成し、この透明導電膜上に化学気相成長法
により太陽電池素子となるアモルファスシリコン膜を形
成し、さらにこのアモルファスシリコン膜上に電極膜と
なる導電膜を形成し、この導電膜上に太陽電池素子のパ
ターニングを行うための第１のレジストパターンを形成
し、この第１のレジストパターンをエッチングマスクと
して導電膜とアモルファスシリコン膜のエッチングを行
い、さらにこの第１のレジストを除去した後、透明電極
パターンを形成するための第２のレジストパターンを形
成し、第２のレジストパターンをエッチングマスクとし
て透明導電膜のエッチングを行い、透明導電膜パターン
を形成することを特徴とする太陽電池素子付き液晶表示
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9164149A JPH1115396A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 太陽電池素子付き液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9164149A JPH1115396A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 太陽電池素子付き液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1115396A true JPH1115396A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15787680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9164149A Pending JPH1115396A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 太陽電池素子付き液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1115396A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096109A3 (de) * | 2002-05-14 | 2004-11-04 | Junghans Uhren Gmbh | Vorrichtung mit solarzellenanordnung und flüssigkristallanzeige |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP9164149A patent/JPH1115396A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096109A3 (de) * | 2002-05-14 | 2004-11-04 | Junghans Uhren Gmbh | Vorrichtung mit solarzellenanordnung und flüssigkristallanzeige |
| CN100360993C (zh) * | 2002-05-14 | 2008-01-09 | 荣汉斯·乌伦股份公司 | 具有太阳电池机构和液晶显示器的装置 |
| US7460188B2 (en) | 2002-05-14 | 2008-12-02 | Junghans Uhren Gmbh | Solar-powered device comprising a solar cell arrangement and a liquid crystal display and method of making |
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