JPH02230127A - 反射型液晶表示デバイスの製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示デバイスの製造方法Info
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- JPH02230127A JPH02230127A JP1050428A JP5042889A JPH02230127A JP H02230127 A JPH02230127 A JP H02230127A JP 1050428 A JP1050428 A JP 1050428A JP 5042889 A JP5042889 A JP 5042889A JP H02230127 A JPH02230127 A JP H02230127A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プロジエクション表示デバイスに利用するア
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスの製造方
法に関するものである。
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスの製造方
法に関するものである。
従来の技術
近年、アクティブ素子を利用した液晶表示デバイスはポ
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
以下に従来の反射型液晶表示デバイスの製造方法につい
て説明する。
て説明する。
第２図は従来の反射型液晶表示デバイスの製造工程の流
れ図である。１は絶縁基板、２は配線電極およびスイッ
チング素子、３は絶縁体層、４は反射画素電極、５は対
向透明基板、６は対向共通電極、７はブラックマトリッ
クス、８はシール材である。
れ図である。１は絶縁基板、２は配線電極およびスイッ
チング素子、３は絶縁体層、４は反射画素電極、５は対
向透明基板、６は対向共通電極、７はブラックマトリッ
クス、８はシール材である。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスの製造
方法について説明する。
方法について説明する。
まず、絶縁基板１に配線電極およびスイッチング素子２
を形成した後、絶縁体層３を成膜し、反射画素電極を形
成する工程を行う。その後、配向膜を形成し、ラビング
を行う（配向処理）。一方、対向透明基板５に透明な対
向共通電極６を成膜した後、ブラックマトリックス７を
形成する工程を行う。さらに、これに配向処理を行い、
上記の２つの基板を張り合わせ装置を用いて反射画素電
極とブラックマトリックスの位置関係を調整（アライメ
ント）シた後、シール材８で固定する。最後に、液晶を
注入して、完全に封止して完成する。
を形成した後、絶縁体層３を成膜し、反射画素電極を形
成する工程を行う。その後、配向膜を形成し、ラビング
を行う（配向処理）。一方、対向透明基板５に透明な対
向共通電極６を成膜した後、ブラックマトリックス７を
形成する工程を行う。さらに、これに配向処理を行い、
上記の２つの基板を張り合わせ装置を用いて反射画素電
極とブラックマトリックスの位置関係を調整（アライメ
ント）シた後、シール材８で固定する。最後に、液晶を
注入して、完全に封止して完成する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の製造方法では、反射画素電極
とブラックマトリックスの位置調整の工程が煩雑であり
、さらに、反射画素電極とブラックマトリックスの形状
が微細になってくると正確な調整が容易でない。
とブラックマトリックスの位置調整の工程が煩雑であり
、さらに、反射画素電極とブラックマトリックスの形状
が微細になってくると正確な調整が容易でない。
本発明は上記従来の課題を解決するものでブラックマト
リックスを反射画素電極と同時に形成することができ、
工程の簡略化を実現することのできる反射型液晶表示デ
バイスの製造方法を提供することを目的とする。
リックスを反射画素電極と同時に形成することができ、
工程の簡略化を実現することのできる反射型液晶表示デ
バイスの製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の反射型液晶表示デバ
イスの製造方法は、スイッチング素子と反射画素電極と
の中間層である黒色絶縁体をエッチングによりパターン
形成することにより、ブラックマトリックスを反射画素
電極、スイッチング素子を具備した基板に形成する工程
から構成されている。
イスの製造方法は、スイッチング素子と反射画素電極と
の中間層である黒色絶縁体をエッチングによりパターン
形成することにより、ブラックマトリックスを反射画素
電極、スイッチング素子を具備した基板に形成する工程
から構成されている。
作用
この方法によって、ブラックマトリックスを反射画素電
極と同時に形成することができ、工程の簡略化、デバイ
スの微細化を実現することのできる。さらに、ブラック
マトリックスが反射画素電掻と同じ高さであるため、配
向処理工程での電極の端部のかけを防ぐことが出来る。
極と同時に形成することができ、工程の簡略化、デバイ
スの微細化を実現することのできる。さらに、ブラック
マトリックスが反射画素電掻と同じ高さであるため、配
向処理工程での電極の端部のかけを防ぐことが出来る。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例における反射
型液晶表示デバイスの製造方法の工程を示すものである
。第１図において、１１は絶縁基板、１２は配線電極お
よびスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、
ＴＰＴ）、１３は黒色絶縁体層としてＰｒＭｎＯｚ、１
４はレジスト、１５は反射画素電極としてアルミニウム
である。
型液晶表示デバイスの製造方法の工程を示すものである
。第１図において、１１は絶縁基板、１２は配線電極お
よびスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、
ＴＰＴ）、１３は黒色絶縁体層としてＰｒＭｎＯｚ、１
４はレジスト、１５は反射画素電極としてアルミニウム
である。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスの製造
方法について、スイッチング素子の形成までの工程は従
来例の工程と同様である。第１図ｆａ）はＰｒＭｎＯ３
をスバッタにて成膜後、コンタクトホールを形成する。
方法について、スイッチング素子の形成までの工程は従
来例の工程と同様である。第１図ｆａ）はＰｒＭｎＯ３
をスバッタにて成膜後、コンタクトホールを形成する。
第１図（ｂ）はその後、レジストパターンを形成し、こ
れをマスクにして、反応性イオンエッチングによりくぼ
みを形成する。
れをマスクにして、反応性イオンエッチングによりくぼ
みを形成する。
第１図（Ｃ）は次に、この基板上にスパッタによって反
射画素電極用にアルミニウムをくぼみの分だけの厚みに
成膜する。第１図（ｄ）はそして、レジストを取り除い
て、レジスト上に成膜されたアルミニウムを取り除く
（リフトオフ）ことにより、ＰｒＭ ｎ Ｏ ｓが露出
させて反射画素電極を分離する。
射画素電極用にアルミニウムをくぼみの分だけの厚みに
成膜する。第１図（ｄ）はそして、レジストを取り除い
て、レジスト上に成膜されたアルミニウムを取り除く
（リフトオフ）ことにより、ＰｒＭ ｎ Ｏ ｓが露出
させて反射画素電極を分離する。
ここで反射画素電極とブラックマトリックスが同時に形
成されることになる。第１図（ｅ）はこれに配向処理を
行う。一方、対向共通電極のみが具備された対向透明基
板を形成し、これらを張り合わせ、シーリング、液晶注
入など従来の製造方法と同様の一連の工程を経て完成す
る。
成されることになる。第１図（ｅ）はこれに配向処理を
行う。一方、対向共通電極のみが具備された対向透明基
板を形成し、これらを張り合わせ、シーリング、液晶注
入など従来の製造方法と同様の一連の工程を経て完成す
る。
以上のように本実施例によれば、黒色絶縁体ＰｒＭｎｏ
．をパターン形成する工程により、対向透明基板上にブ
ラックマトリックスの形成工程が削減でき、ＴＦＴアレ
イ側基板と対向透明基板とのアライメントが不用となり
、製造工程の簡略化と反射画素電極の微細化が図れる。
．をパターン形成する工程により、対向透明基板上にブ
ラックマトリックスの形成工程が削減でき、ＴＦＴアレ
イ側基板と対向透明基板とのアライメントが不用となり
、製造工程の簡略化と反射画素電極の微細化が図れる。
さらに、ブラックマトリックスを反射画素電極間に直に
形成できるために光の内部への進入を完全に抑えること
ができ、スイッチング素子の光伝導による漏れ電流を防
ぐことができる。
形成できるために光の内部への進入を完全に抑えること
ができ、スイッチング素子の光伝導による漏れ電流を防
ぐことができる。
なお、リフトオフを用いて反射画素電極を分離したが、
アルミニウムのエッチバック法、あるいは、機械研摩に
よる工程を用いてもよい。
アルミニウムのエッチバック法、あるいは、機械研摩に
よる工程を用いてもよい。
発明の効果
以上のように本発明は反射型液晶表示デバイスの製造方
法において、スイッチング素子と反射画素電極との中間
層である黒色絶縁体をエッチングによりパターン形成す
ることにより、ブラックマトリックスを反射画素電極、
スイッチング素子を具備した基板に形成する方法により
、対向透明基板上にブラックマトリックスの形成工程が
削減でき、ＴＦＴ側基板と対向透明基板とのアライメン
トが不用となり、製造工程の簡略化によるコストの削減
と反射画素電極の微細化による集積度の向上が図れる。
法において、スイッチング素子と反射画素電極との中間
層である黒色絶縁体をエッチングによりパターン形成す
ることにより、ブラックマトリックスを反射画素電極、
スイッチング素子を具備した基板に形成する方法により
、対向透明基板上にブラックマトリックスの形成工程が
削減でき、ＴＦＴ側基板と対向透明基板とのアライメン
トが不用となり、製造工程の簡略化によるコストの削減
と反射画素電極の微細化による集積度の向上が図れる。
さらに、ブラックマトリックスを反射画素電掻間に直に
形成できるために光の内部への進入を完全に抑えること
ができ、スイッチング素子の光伝導による漏れ電流を防
ぐことができるなど、数々の優れた効果を得ることので
きる反射型液晶表示デバイスの製造方法を実現できるも
のである。
形成できるために光の内部への進入を完全に抑えること
ができ、スイッチング素子の光伝導による漏れ電流を防
ぐことができるなど、数々の優れた効果を得ることので
きる反射型液晶表示デバイスの製造方法を実現できるも
のである。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの製造方法の工程流れ図、第２図は従来の反射型液
晶表示デバイスの製造方法の工程流れ図である。 １１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・ＴＦＴ
および配線電極、１３・・・・・・Ｐ ｒＭｎｏｚ 、
１４・・・・・・レジスト、１５・・・・・・アルミニ
ウム。
イスの製造方法の工程流れ図、第２図は従来の反射型液
晶表示デバイスの製造方法の工程流れ図である。 １１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・ＴＦＴ
および配線電極、１３・・・・・・Ｐ ｒＭｎｏｚ 、
１４・・・・・・レジスト、１５・・・・・・アルミニ
ウム。
Claims (1)
- スイッチング素子を有した反射型液晶表示デバイスの製
造法であって、スイッチング素子と反射画素電極との中
間層である黒色絶縁体をエッチングによりパターン形成
することにより、ブラックマトリックスを反射画素電極
、スイッチング素子を具備した基板に形成することを特
徴とする反射型液晶表示デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5042889A JPH0752267B2 (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 反射型液晶表示デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5042889A JPH0752267B2 (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 反射型液晶表示デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230127A true JPH02230127A (ja) | 1990-09-12 |
| JPH0752267B2 JPH0752267B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=12858597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5042889A Expired - Fee Related JPH0752267B2 (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 反射型液晶表示デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752267B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6122025A (en) * | 1996-12-03 | 2000-09-19 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display including a black matrix formed in trench in an interlayer insulating layer |
| US7129631B2 (en) * | 1999-06-25 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Black matrix for flat panel field emission displays |
| US7321405B2 (en) * | 2002-04-15 | 2008-01-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display with black matrix and method of fabricating thereof |
-
1989
- 1989-03-02 JP JP5042889A patent/JPH0752267B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6122025A (en) * | 1996-12-03 | 2000-09-19 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display including a black matrix formed in trench in an interlayer insulating layer |
| US8350994B1 (en) | 1996-12-03 | 2013-01-08 | Lg Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display |
| US7129631B2 (en) * | 1999-06-25 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Black matrix for flat panel field emission displays |
| US7321405B2 (en) * | 2002-04-15 | 2008-01-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display with black matrix and method of fabricating thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0752267B2 (ja) | 1995-06-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |