JPH11147888A - ２価金属および１３族金属を含む揮発性有機金属化合物、その製造方法およびそれを用いた異種金属酸化物膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＭＭ’₂ Ｏ₄ 型酸化物膜を形成するための化学
蒸着法に有用できる新規な有機金属化合物を提供する。 【解決手段】一般式Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ］₂
（ここで、Ｍは２価金属、Ｍ’は１３族金属、Ｒおよび
Ｒ’は、各々独立に、Ｃ_1-10アルキル基である。但し、
ＭがＭｇであるとき、Ｍ’はＡｌでない）で示される揮
発性有機金属化合物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般式：Ｍ［（μ
−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ］₂ （ここで、Ｍは２価金属、
Ｍ’は１３族金属、ＲおよびＲ’は、各々独立に、Ｃ
_1-10アルキル基である。但し、ＭがＭｇであるとき、
Ｍ’はＡｌではない）で示される揮発性有機金属化合物
に関する。また、本発明は、前記化合物を用いてＭＭ’
₂ Ｏ₄ 型異種金属酸化物膜を基板上に蒸着させる化学蒸
着法（ＣＶＤ）に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＭＭ’₂ Ｏ₄ （ここで、Ｍは２価金属で
あり、Ｍ’は１３族金属である）型の異種金属酸化物膜
は、電子工学分野において非常に有用な物質である。た
とえば、ＺｎＧａ₂ Ｏ₄ は、平板表示素子の低電圧陰極
発光物質として用いられ（Ｉ． Ｊ． Ｈｓｉｅｈ ｅｔ
ａｌ．， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙ
ｓｉｃｓ， ７６， ３７３５−３７３９（１９９４）；
Ｌ． Ｅ． Ｓｈｅａ ｅｔ ａｌ．， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，
１４１， ２１９８−２２００（１９９４）；米国特許
第５，５５８，８１４号参照）、ＣｄＧａ₂ Ｏ₄ および
ＺｎＧａ₂ Ｏ₄ は透明な伝導性物質として応用が期待さ
れる物質であり（Ｔ． Ｏｍａｔａ， Ｎ． Ｕｅｄａ，
Ｎ．Ｈｉｋｕｍａ， Ｋ． Ｕｅｄａ， Ｈ． Ｍｉｚｏｇ
ｕｃｈｉ， Ｔ． Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ， ａｎｄ Ｈ．
Ｋａｗａｚｏｅ， “Ｎｅｗ ｏｘｉｄｅ ｐｈａｓｅｗ
ｉｔｈ ｗｉｄｅ ｂａｎｄ ｇａｐ ａｎｄ ｈｉｇｈ ｅ
ｌｅｃｔｒｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ＣｄＧａ₂ Ｏ
₄ ｓｐｉｎｅｌ”、 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ， ６２（５）， ４９９（１９９３）；
Ｔ． Ｏｍａｔａ， Ｎ． Ｕｅｄａ， Ｋ． Ｕｅｄａ
ａｎｄ Ｈ． Ｋａｗａｚｏｅ， “Ｎｅｗ ｕｌｔｒａｖ
ｉｏｌｅｔ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｅｌｅｃｔｒｏｃｏｎ
ｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ、ＺｎＧａ₂ Ｏ₄ ｓｐｉｎ
ａｌ”、 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ， ６４（９）， １０７７（１９９４）参照）、Ｃ
ａＧａ₂ Ｏ₄ およびＣａＡｌ₂ Ｏ₄ は蛍光物質として広
く用いられ（米国特許第５，４２４，００６号および第
５，７２５，８０１号）、クロムでドーピングしたＢｅ
Ａｌ₂ Ｏ₄ 単結晶はレーザー用物質として用いられる
（米国特許第５ ０９０ ０１９号参照）。異種金属複合
酸化物は、通常構成成分の単一酸化物から粉末形態で製
造される。たとえば、ＺｎＧａ₂ Ｏ₄ 粉末はＺｎＯおよ
びＧａ₂ Ｏ₃ 粉末混合物から合成される。しかし、この
方法で高純度の複合酸化物を製造することは難しいだけ
でなく、高比表面積粉末を用いる電気素子の製造には色
々な製造上の問題がある。

【０００３】したがって、ＭＭ’₂ Ｏ₄ 型酸化物の製造
において、一般式Ｍｇ［Ａｌ（ＯＰｒⁱ ）₄ ］₂ を有す
るマグネシウムアルミニウムイソプロポキシドのような
蒸発可能なアルコキシド前駆体を用いる方法が試みられ
た。しかし、このような形態のアルコキシド前駆体はよ
り高い分子量の化合物、たとえば、Ｍｇ₂ Ａｌ₃ （ＯＰ
ｒⁱ ）₁₃などの化合物を形成するという問題がある
（Ｊ． Ａ． Ｍｅｅｓｅ−Ｍａｒｋｔｓｃｈｅｆｆｅｌ
ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒ
ｉａｌｓ， ５， ７５５−７５７（１９９３）参照）。
前記高分子量化合物の形成はＣＶＤ工程中前駆体の蒸気
圧を低下させる問題を引き起す。したがって、より簡単
かつ効果的なＭＭ’₂ Ｏ₄ 型の高純度酸化物膜の製造方
法を開発することが要求されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、ＭＭ’₂ Ｏ₄ 型の異種金属酸化物膜を形成する
ための化学蒸着法に有利に使用できる新規な有機金属化
合物を提供することである。

【０００５】また、本発明の他の目的は前記有機金属化
合物の改善された製造方法を提供することである。

【０００６】本発明のさらに他の目的は、前記有機金属
化合物を用いたＭＭ’₂ Ｏ₄ 型異種金属酸化物膜の蒸着
法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の一つの側面によ
れば、一般式：Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ］₂（こ
こで、ＭはＢｅ、Ｍｇ、ＺｎまたはＣｄのような２価金
属であり、Ｍ’はＡｌまたはＧａのような１３族金属で
あり、ＲおよびＲ’は、各々独立に、Ｃ_1-10アルキル基
である。但し、ＭがＭｇであるとき、Ｍ’はＡｌではな
い）で示される揮発性有機金属化合物が提供される。

【０００８】また、本発明の他の側面によれば、一般
式：Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ］₂ （ここで、Ｍは
Ｂｅ、Ｍｇ、ＺｎまたはＣｄのような２価金属であり、
Ｍ’はＡｌまたはＧａのような１３族金属であり、Ｒお
よびＲ’は、各々独立に、Ｃ_{1- 10}アルキル基である。但
し、ＭがＭｇであるとき、Ｍ’はＡｌではない）で示さ
れる揮発性有機金属化合物の製造方法であって、（ｉ）
式Ｒ₃ Ｍ’で示される１３族金属のアルキル化合物をア
ルコール（Ｒ’ＯＨ）または式Ｍ’（ＯＲ’）₃で示さ
れる１３族金属のアルコキシド化合物と反応させて式Ｒ
₂ Ｍ’ＯＲ’で示される１３族金属のジアルキル金属ア
ルコキシド化合物を生成させ、（ｉｉ）前記１３族金属
のジアルキル金属アルコキシド化合物を式Ｍ”ＯＲ’
（ここで、Ｍ”はＬｉ、ＮａまたはＫのようなアルカリ
金属である）で示されるアルカリ金属のアルコキシド化
合物と反応させて式Ｍ”（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ で示
されるアルカリ金属ジアルキル金属アルコキシドを生成
させ、（ｉｉｉ）前記アルカリ金属ジアルキル金属アル
コキシドを式ＭＸ₂ （ここで、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩ
である）で示されるハロゲン化金属と反応させ、および
（ｉｖ）揮発性有機金属化合物を分離することを含む揮
発性有機金属化合物の製造方法が提供される。

【０００９】本発明のさらなる側面によれば、一般式：
Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ］₂（ここで、ＭはＢ
ｅ、Ｍｇ、ＺｎまたはＣｄのような２価金属であり、
Ｍ’はＡｌまたはＧａのような１３族金属であり、Ｒお
よびＲ’は、各々独立に、Ｃ_1-10アルキル基である。但
し、ＭがＭｇであるとき、Ｍ’はＡｌではない）で示さ
れる揮発性有機金属化合物の蒸気を３００℃以上の温度
に加熱した基板と接触させることを含む、ＭＭ’₂ Ｏ₄
型異種金属酸化物膜を基板上に蒸着させる方法が提供さ
れる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。

【００１１】本発明の新規な有機金属化合物は、揮発性
が高く、１：２：４のＭ：Ｍ’：Ｏ元素比を有する（こ
こで、Ｍは、Ｂｅ、Ｍｇ、ＺｎまたはＣｄのような２価
金属であり、Ｍ’は、ＡｌまたはＧａのような１３族金
属である）。したがって、この化合物は基板上にＭＭ’
₂ Ｏ₄ 型異種金属酸化物膜を形成するための化学蒸着法
に有効に使用できる。本発明の有機金属化合物は、一般
式：Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ］₂ （ここで、Ｍは
Ｂｅ、Ｍｇ、ＺｎまたはＣｄのような２価金属、Ｍ’は
ＡｌまたはＧａのような１３族金属、ＲおよびＲ’は、
各々独立に、Ｃ_1-10アルキル基である。但し、ＭがＭｇ
であるとき、Ｍ’はＡｌではない）で示される揮発性有
機金属化合物である。

【００１２】本発明の実施に際し、ベリリウムジメチル
アルミニウムイソプロポキシド（Ｂｅ［（μ−ＯＰ
ｒⁱ ）₂ ＡｌＭｅ₂ ］₂ ）、亜鉛ジメチルガリウムイソ
プロポキシド（Ｚｎ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＧａＭｅ₂ ］
₂ ）、亜鉛ジエチルアルミニウムイソプロポキシド（Ｚ
ｎ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＡｌＥｔ₂ ］₂ ）、カドミウム
ジメチルアルミニウムｔｅｒｔ−ブトキシド（Ｃｄ
［（μ−ＯＢｕ^t ）₂ ＡｌＭｅ₂ ］₂ ）が最も好まし
い。

【００１３】本発明の有機金属化合物は下記のような方
法で製造され得る。すなわち、（ｉ）式Ｒ₃ Ｍ’で示さ
れる１３族金属のアルキル化合物をアルコール（Ｒ’Ｏ
Ｈ）または式Ｍ’（ＯＲ’）₃ で示される１３族金属の
アルコキシド化合物と反応させて式Ｒ₂ Ｍ’ＯＲ’で示
される１３族金属のジアルキル金属アルコキシド化合物
を生成させ、（ｉｉ）前記１３族金属のジアルキル金属
アルコキシド化合物を式Ｍ”ＯＲ’（ここで、Ｍ”はＬ
ｉ、ＮａまたはＫのようなアルカリ金属である）で示さ
れるアルカリ金属アルコキシド化合物と反応させて式
Ｍ”（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ で示されるアルカリ金属
ジアルキル金属アルコキシドを生成させ、ついで（ｉｉ
ｉ）前記アルカリ金属ジアルキル金属アルコキシドを式
ＭＸ₂（ここで、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩである）で示
されるハロゲン化金属と反応させて揮発性有機金属化合
物を製造する。上記の反応段階は下記反応式によって表
わされる。

【００１４】 （ｉ）Ｒ₃ Ｍ’＋Ｒ’ＯＨ→Ｒ₂ Ｍ’ＯＲ’＋ＲＨ または ２Ｒ₃ Ｍ’＋Ｍ’（ＯＲ’）₃ →３Ｒ₂ Ｍ’ＯＲ’ （ｉｉ）Ｒ₂ Ｍ’ＯＲ’＋Ｍ”ＯＲ’→Ｍ”（μ−Ｏ
Ｒ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ （ｉｉｉ）２Ｍ”（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ＋ＭＸ₂ →
Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ］₂ ＋２Ｍ”Ｘ 前記各式において、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩであり、
Ｍ、Ｍ’、Ｍ”、ＲおよびＲ’は、前記で定義した通り
である。

【００１５】前記段階（ｉ）において、１３族金属のア
ルキル化合物は、−２０℃ないし室温の低温で当量のア
ルコールと反応させるか、または室温で２：１のモル比
で１３族金属のアルコキシドと反応させ得る。また、前
記段階（ｉｉ）においては、ジアルキル金属アルコキシ
ドとアルカリ金属アルコキシドを当量比で用い、次い
で、前記段階（ｉｉｉ）において、アルカリ金属ジアル
キル金属アルコキシドと２価ハロゲン化金属は室温で
２：１のモル比で用いられる。

【００１６】段階（ｉ）での反応は溶媒なしで行い得、
段階（ｉｉ）および（ｉｉｉ）の反応は、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフランまたはｎ−ヘキサンのような
有機溶媒中で、好ましくは窒素またはアルゴン雰囲気下
で行い得る。

【００１７】なお、下記のように、前記段階（ｉ）で得
られたジアルキル金属アルコキシドは式Ｍ（ＯＲ’）₂
の２価金属のアルコキシドと２：１のモル比で直接反応
させて目的とする生成物を製造できる。

【００１８】２Ｒ₂ Ｍ’ＯＲ’＋Ｍ（ＯＲ’）₂ →Ｍ
［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ］₂ この式において、Ｍ、Ｍ’、ＲおよびＲ’は、前記で定
義した通りである。

【００１９】本発明によって製造された有機金属化合物
は、好ましくは室温ないし１００℃範囲の温度で気化さ
れ得る。

【００２０】前記のように得られた本発明の有機金属化
合物の蒸気を、約３００℃以上の温度に予め加熱された
基板の表面と１×１０^-5ないし１×１０^-1Ｔｏｒｒの圧
力、好ましくは１．５×１０^-5ないし１．２×１０^-2Ｔ
ｏｒｒの圧力下で接触させることによって基板上にＭ
Ｍ’₂ Ｏ₄ 型酸化物膜を形成することができる。本発明
の有機金属化合物の熱分解はβ−水素脱離段階を含む反
応径路を介しておこると推定され、有機基ＲとＲ’は、
全て当量比のアルカンとオレフィンに転換するので、蒸
着酸化膜上に炭素残渣をほとんど形成しない。たとえ
ば、ベリリウムジメチルアルミニウムイソプロポキシド
を用いてＣＶＤを行うと、メタンとプロピレンが１：１
のモル比で発生し、蒸着された膜は炭素を殆ど含まない
純粋なＢｅＡｌ₂ Ｏ₄ からなる。

【００２１】本発明の実施に用いられる基板は膜形成温
度またはそれ以上の温度において安定な無機固形物であ
り、その例としては、ガラス、石英、珪素、ヒ化ガリウ
ム、サファイア、ニオブ酸アルカリ金属、チタン酸アル
カリ土類金属、窒化ガリウム、窒化ニオブなどを挙げる
ことができ、被膜された基材を電子的用途で使用しよう
とする場合には、これらのうち珪素単結晶、ガラス、ヒ
化ガリウムおよびサファイアが好ましい。

【００２２】

【実施例】以下、本発明を下記実施例によってさらに詳
細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示する
のみであり、本発明の範囲を制限しない。

【００２３】各々の実施例において、本発明の有機金属
化合物で処理して被膜された基板をＸ線光電子顕微鏡に
直ちに移送して空気への露出を最小化した。

【００２４】有機金属化合物の製造 実施例１：ベリリウムジメチルアルミニウムイソプロポ
キシド（Ｂｅ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＡｌＭｅ₂ ］₂ ）の
合成 ジエチルエーテルに溶かしたジメチルアルミニウムイソ
プロポキシド１．２７ｇ（１０．９ｍｍｏｌ）にリチウ
ムイソプロポキシド０．７２ｇ（１０．９ｍｍｏｌ）を
加えて一日間攪拌した。これに、塩化ベリリウム０．４
４ｇ（５．５ｍｍｏｌ）を加え、生成した混合物を一日
間攪拌した後、濾過した。得られた濾液を減圧下で蒸留
して溶媒を除去し、固形残滓を真空下、７０℃で昇華さ
せて標題化合物１．０１ｇ（２．８１ｍｍｏｌ、収率５
２％）を白色の固体として得た。

【００２５】得られた化合物のベンゼン−ｄ₆ 中で ¹Ｈ
ＮＭＲ分析した結果、δ−０．４１［シングレット，
Ａｌ（ＣＨ₃ ）₂ ，１２Ｈ］、１．１３［ダブレット，
ＯＣＨ（ＣＨ₃ ）₂ ，２４Ｈ］および４．００［セプテ
ット，ＯＣＨ（ＣＨ₃ ）₂ ，４Ｈ］の位置でピークが観
察された。

【００２６】得られた化合物をＥＳＣＡＬＡＢ ＭＫ II
分光計（ＶＧ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｌｔｄ．）を使っ
てＸ線光電子スペクトル分析を行った結果、ベリリウ
ム、アルミニウム、酸素および炭素に相当するピークを
示した。各元素によるピークの広さを比べて測定した膜
表面の元素組成はベリリウム：アルミニウム：酸素：炭
素＝１：２．０１：４．７８：１６．５９であった。

【００２７】得られた化合物の融点は５６℃であり、３
１℃で１．００〜１．１０×１０^-1Ｔｏｒｒの蒸気圧を
有する。

【００２８】実施例２：亜鉛ジメチルガリウムイソプロ
ポキシド（Ｚｎ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＧａＭｅ₂ ］₂ ）
の合成 ジエチルエーテルに溶かしたジメチルガリウムイソプロ
ポキシド０．８６ｇ（５．４ｍｍｏｌ）にナトリウムイ
ソプロポキシド０．４４ｇ（５．４ｍｍｏｌ）を加えて
一日間攪拌した。これに、塩化亜鉛０．３７ｇ（２．７
ｍｍｏｌ）を加え、生成した混合物を一日間攪拌した
後、濾過した。得られた濾液を減圧下で蒸留して溶媒を
除去し、固形残滓を真空下、５０℃で昇華させて標題化
合物０．９５ｇ（１．９ｍｍｏｌ、収率７０％）を白色
の固体として得た。

【００２９】得られた化合物の融点は８３℃であり、ベ
ンゼン−ｄ₆ 中で ¹Ｈ ＮＭＲ分析した結果、δ−０．
０５［シングレット，Ｇａ（ＣＨ₃ ）₂ ，１２Ｈ］、
１．１３［ダブレット，ＯＣＨ（（ＣＨ₃ ）₂ ，２４
Ｈ］および４．０４［セプテット，ＯＣＨ（Ｃ
Ｈ₃ ）₂ ，４Ｈ］の位置でピークが観察された。Ｘ線結
晶分析による亜鉛ジメチルガリウムイソプロポキシド
（Ｚｎ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＧａＭｅ₂ ］₂ ）の結晶構
造を図１に示す。

【００３０】実施例３：亜鉛ジエチルアルミニウムイソ
プロポキシド（Ｚｎ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＡｌＥｔ₂ ］
₂ ）の合成 ジエチルエーテルに溶かしたリチウムジエチルアルミニ
ウムイソプロポキシド２．３０ｇ（１０．９ｍｍｏｌ）
に塩化亜鉛０．７４ｇ（５．５ｍｍｏｌ）を徐々に加
え、反応混合物を一日間攪拌した後、濾過した。得られ
た濾液を減圧下で蒸留して溶媒を除去し、固形残滓を真
空下、５０℃で昇華させて標題化合物１．１８ｇ（２．
５０ｍｍｏｌ、収率４５％）を白色の固体として得た。

【００３１】実施例４：カドミウムジメチルアルミニウ
ムｔｅｒｔ−ブトキシド（Ｃｄ［（μ−ＯＢｕ^t ）₂ Ａ
ｌＭｅ₂ ］₂ ）の合成 テトラヒドロフランに溶かしたリチウムジメチルアルミ
ニウムｔｅｒｔ−ブトキシド５．８４ｇ（２７．８ｍｍ
ｏｌ）に塩化カドミウム２．５５ｇ（１３．９ｍｍｏ
ｌ）を加え、生成した混合物を６時間攪拌した後、濾過
した。得られた濾液を減圧下で蒸留して溶媒を除去し、
固形残滓を真空下、５０℃で昇華させて標題化合物３．
４ｇ（６．５６ｍｍｏｌ、収率４７％）を白色の固体と
して得た。

【００３２】得られた化合物は３２℃で１．２５〜１．
３０×１０^-1Ｔｏｒｒの蒸気圧を有する。

【００３３】異種金属酸化物膜の形成 実施例５ 実施例１で製造したベリリウムジメチルアルミニウムイ
ソプロポキシド（Ｂｅ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＡｌＭ
ｅ₂ ］₂ ）を６０℃で気化させ、４００℃に予備加熱し
たＳｉ（１００）基板上で１時間４０分間化学蒸着を行
った。

【００３４】蒸着された膜のＸ線光電子スペクトルには
ベリリウム、アルミニウム、酸素、および炭素に相当す
るピークのみが観察された。各元素によるピークの広さ
を比べて測定した膜表面の元素組成はベリリウム：アル
ミニウム：酸素＝１．０：２．３：５．６であった。

【００３５】実施例６ 実施例１で製造したベリリウムジメチルアルミニウムイ
ソプロポキシド（Ｂｅ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＡｌＭ
ｅ₂ ］₂ ）を６０℃で気化させ、４００℃に予備加熱し
たＳｉ（１００）基板上で１時間１５分間化学蒸着を行
った。

【００３６】蒸着された膜のＸ線光電子スペクトルには
ベリリウム、アルミニウム、酸素、および炭素に相当す
るピークのみが観察された。各元素によるピークの広さ
を比べて測定した膜表面の元素組成はベリリウム：アル
ミニウム：酸素＝１．０：２．２：６．０であった。

【００３７】さらに、上記ＣＶＤ反応によって生成した
ガスをトラップに集め、ガスクロマトグラフィーで分析
した結果、ガス生成物は１：１のモル比のメタンとプロ
ピレンの混合物からなることが分かった。

【００３８】実施例７ 実施例２で製造した亜鉛ジメチルガリウムイソプロポキ
シド（Ｚｎ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＧａＭｅ₂ ］₂ ）を室
温で気化させ、６００℃に予備加熱したＳｉ（１００）
基板上で４時間化学蒸着を行った。

【００３９】蒸着された膜のＸ線光電子スペクトルには
亜鉛、ガリウム、酸素および炭素に相当するピークのみ
が観察された。各元素によるピークの広さを比べて測定
した膜表面の元素組成は亜鉛：ガリウム：酸素＝１．
０：２．４：６．６であった。

【００４０】実施例８ 実施例２で製造した亜鉛ジメチルガリウムイソプロポキ
シド（Ｚｎ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＧａＭｅ₂ ］₂ ）を室
温で気化させ、４００℃に予備加熱したＳｉ（１００）
基板上で６時間化学蒸着を行った。

【００４１】蒸着された膜のＸ線光電子スペクトルには
亜鉛、ガリウム、酸素および炭素に相当するピークのみ
が観察された。各元素によるピークの広さを比べて測定
した膜表面の元素組成は亜鉛：ガリウム：酸素＝１．
０：１．８：５．２であった。

【００４２】実施例９ 実施例４で製造したカドミウムジメチルアルミニウムｔ
ｅｒｔ−ブトキシド（Ｃｄ［（μ−ＯＢｕ^t ）₂ ＡｌＭ
ｅ₂ ］₂ ）を室温で気化させ、４００℃に予備加熱した
Ｓｉ（１００）基板上で５時間化学蒸着を行った。

【００４３】蒸着された膜のＸ線光電子スペクトルには
カドミウム、アルミニウム、酸素および炭素に相当する
ピークのみが観察された。各元素によるピークの広さを
比べて測定した膜表面の元素組成はカドミウム：アルミ
ニウム：酸素＝１．０：２．４：５．８であった。

【００４４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の一般式Ｍ
［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ ］₂ で示される有機金属化
合物は低温、すなわち、室温ないし１００℃範囲の温度
で気化され得るため、ＭＭ’₂ Ｏ₄ 型酸化物膜の化学蒸
着法に有用できる。さらに、本発明の有機金属化合物
は、ＭＭ’₂ Ｏ₄ 型酸化物粉末の製造および多孔性物質
の化学蒸気浸透（ＣＶＩ）法に使用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｘ線結晶分析による亜鉛ジメチルガリウムイソ
プロポキシド（Ｚｎ［（μ−ＯＰｒⁱ ）₂ ＧａＭｅ₂ ］
₂ ）の結晶構造を示す図。

フロントページの続き (72)発明者 ス − ジン・ク 大韓民国、デジョン 305−503、ユソン − グ、ソンガン − ドン ８−２、チ ョンソル・アパートメント 206−1205 (72)発明者 チャン − ギョウン・キム 大韓民国、デジョン 305−345、ユソン − グ、シンソン − ドン 160−１、 ハンウル・アパートメント 110−202 (72)発明者 キュ − サン・ユ 大韓民国、デジョン 305−503、ユソン − グ、ソンガン − ドン ８−２、チ ョンソル・アパートメント 206−1205

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式：Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’
   Ｒ₂ ］₂ （ここで、Ｍは２価金属、Ｍ’は１３族金属、
   ＲおよびＲ’は、各々独立に、Ｃ_1-10アルキル基であ
   る。但し、ＭがＭｇであるとき、Ｍ’はＡｌではない）
   で示される揮発性有機金属化合物。
2. 【請求項２】 前記２価金属が、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎまた
   はＣｄであることを特徴とする請求項１に記載の有機金
   属化合物。
3. 【請求項３】 前記１３族金属がＡｌまたはＧａである
   ことを特徴とする請求項１に記載の有機金属化合物。
4. 【請求項４】 前記有機金属化合物が、ベリリウムジメ
   チルアルミニウムイソプロポキシド、亜鉛ジメチルガリ
   ウムイソプロポキシド、亜鉛ジエチルアルミニウムイソ
   プロポキシドまたはカドミウムジメチルアルミニウムｔ
   ｅｒｔ−ブトキシドであることを特徴とする請求項１に
   記載の有機金属化合物。
5. 【請求項５】 一般式：Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’
   Ｒ₂ ］₂ （ここで、Ｍは、２価金属、Ｍ’は、１３族金
   属、ＲおよびＲ’は、各々独立に、Ｃ_1-10アルキル基で
   ある。但し、ＭがＭｇであるとき、Ｍ’はＡｌではな
   い）で示される揮発性有機金属化合物の製造方法であっ
   て、（ｉ）式Ｒ₃ Ｍ’で示される１３族金属のアルキル
   化合物をアルコール（Ｒ’ＯＨ）または式Ｍ’（Ｏ
   Ｒ’）₃ で示される１３族金属のアルコキシド化合物と
   反応させて式Ｒ₂ Ｍ’ＯＲ’で示される１３族金属のジ
   アルキル金属アルコキシド化合物を生成させ、（ｉｉ）
   前記１３族金属のジアルキル金属アルコキシド化合物を
   式Ｍ”ＯＲ’（ここで、Ｍ”はアルカリ金属である）で
   示されるアルカリ金属のアルコキシド化合物と反応させ
   て式Ｍ”（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ₂ で示されるアルカリ
   金属ジアルキル金属アルコキシドを生成させ、（ｉｉ
   ｉ）前記アルカリ金属ジアルキル金属アルコキシドを式
   ＭＸ₂ （ここで、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩである）で示
   されるハロゲン化金属と反応させ、および（ｉｖ）揮発
   性有機金属化合物を分離することを含む揮発性有機金属
   化合物の製造方法。
6. 【請求項６】 前記２価金属がＢｅ、Ｍｇ、Ｚｎまたは
   Ｃｄであることを特徴とする請求項５に記載の製造方
   法。
7. 【請求項７】 前記１３族金属がＡｌまたはＧａである
   ことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
8. 【請求項８】 一般式：Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’
   Ｒ₂ ］₂ （ここで、Ｍは、２価金属、Ｍ’は、１３族金
   属、ＲおよびＲ’は、各々独立に、Ｃ_1-10アルキル基で
   ある。但し、ＭがＭｇであるとき、Ｍ’はＡｌではな
   い）で示される揮発性有機金属化合物の製造方法であっ
   て、（ｉ）式Ｒ₃ Ｍ’で示される１３族金属のアルキル
   化合物をアルコール（Ｒ’ＯＨ）または式Ｍ’（Ｏ
   Ｒ’）₃ で示される１３族金属のアルコキシド化合物と
   反応させて式Ｒ₂ Ｍ’ＯＲ’で示される１３族金属のジ
   アルキル金属アルコキシド化合物を生成させ、（ｉｉ）
   前記ジアルキル金属アルコキシド化合物と式Ｍ（Ｏ
   Ｒ’）₂ で示される２価金属アルコキシドとを２：１の
   モル比で反応させ、（ｉｉｉ）揮発性有機金属化合物を
   分離することを含む揮発性有機金属化合物の製造方法。
9. 【請求項９】 前記２価金属がＢｅ、Ｍｇ、Ｚｎまたは
   Ｃｄであることを特徴とする請求項８に記載の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記１３族金属がＡｌまたはＧａであ
    ることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
11. 【請求項１１】 一般式：Ｍ［（μ−ＯＲ’）₂ Ｍ’Ｒ
    ₂ ］₂ （ここで、Ｍは、２価金属、Ｍ’は、１３族金
    属、ＲおよびＲ’は、各々独立に、Ｃ_1-10アルキル基で
    ある。但し、ＭがＭｇであるとき、Ｍ’はＡｌではな
    い）で示される揮発性有機金属化合物の蒸気を３００℃
    以上の温度に加熱した基板と接触させることを含む、Ｍ
    Ｍ’₂ Ｏ₄ 型異種金属酸化物膜を基板に蒸着させる方
    法。
12. 【請求項１２】 前記２価金属がＢｅ、Ｍｇ、Ｚｎまた
    はＣｄであることを特徴とする請求項１１に記載の製造
    方法。
13. 【請求項１３】 前記１３族金属がＡｌまたはＧａであ
    ることを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記有機金属化合物が室温ないし１０
    ０℃の温度で気化されることを特徴とする請求項１１に
    記載の方法。
15. 【請求項１５】 前記基板が、珪素単結晶、ガラス、ヒ
    化ガリウムまたはサファイアであることを特徴とする請
    求項１１に記載の方法。