JPH11145378A - 複合電子回路装置 - Google Patents
複合電子回路装置Info
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- JPH11145378A JPH11145378A JP30760997A JP30760997A JPH11145378A JP H11145378 A JPH11145378 A JP H11145378A JP 30760997 A JP30760997 A JP 30760997A JP 30760997 A JP30760997 A JP 30760997A JP H11145378 A JPH11145378 A JP H11145378A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複合電子回路装置により電子部品の高密度実
装化を図る。 【解決手段】 回路基板（１１）に固着される一方の主
面（３０ａ）を有し且つ第１の電子回路（２８）を封止
する第１の半導体装置（１２）の第１の絶縁物封止体
（３０）の他方の主面（３０ｂ）上に第２の半導体装置
（１３）の第２の電子回路（４１）を封止する第２の絶
縁物封止体（４３）を固着して、回路基板（１１）の単
位面積当たりの実装密度を増加する。第１の絶縁物封止
体（３０）から導出された第１のリード（２５）は回路
基板（１１）の配線導体（１５）に電気的に接続され、
第２の絶縁物封止体（４３）から導出された第２のリー
ド（３９、４０、５６）は回路基板（１１）の異なる配
線導体（１８、１９）に電気的に接続される。
装化を図る。 【解決手段】 回路基板（１１）に固着される一方の主
面（３０ａ）を有し且つ第１の電子回路（２８）を封止
する第１の半導体装置（１２）の第１の絶縁物封止体
（３０）の他方の主面（３０ｂ）上に第２の半導体装置
（１３）の第２の電子回路（４１）を封止する第２の絶
縁物封止体（４３）を固着して、回路基板（１１）の単
位面積当たりの実装密度を増加する。第１の絶縁物封止
体（３０）から導出された第１のリード（２５）は回路
基板（１１）の配線導体（１５）に電気的に接続され、
第２の絶縁物封止体（４３）から導出された第２のリー
ド（３９、４０、５６）は回路基板（１１）の異なる配
線導体（１８、１９）に電気的に接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路装置、特
に、複数の電子部品を回路基板上に積層して固着した複
合電子回路装置に関する。
に、複数の電子部品を回路基板上に積層して固着した複
合電子回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に示すように、従来の電子回路装置
では、樹脂封止体（パッケージ）（１）から複数の金属
製リード（２）を導出させた複数の電子部品（３）を回
路基板（４）上に個別に搭載していた。
では、樹脂封止体（パッケージ）（１）から複数の金属
製リード（２）を導出させた複数の電子部品（３）を回
路基板（４）上に個別に搭載していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の電
子回路装置にも、高集積化（高密度実装化）の要求が高
まっている。従来の電子回路装置では、複数の電子部品
を直立して搭載（配置）するため、回路基板（４）の有
効実装面積が制限され、このため高密度実装化に限界が
あった。
子回路装置にも、高集積化（高密度実装化）の要求が高
まっている。従来の電子回路装置では、複数の電子部品
を直立して搭載（配置）するため、回路基板（４）の有
効実装面積が制限され、このため高密度実装化に限界が
あった。
【０００４】本発明は、電子部品の高密度実装化が可能
な複合電子回路装置を提供することを目的とする。
な複合電子回路装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による複合電子回
路装置は、回路基板（１１）に固着される一方の主面
（３０ａ）を有し且つ第１の電子回路（２８）を封止す
る第１の絶縁物封止体（３０）を備えた第１の半導体装
置（１２）と、第１の絶縁物封止体（３０）の他方の主
面（３０ｂ）上に固着され且つ第２の電子回路（４１）
を封止する第２の絶縁物封止体（４３）を備えた第２の
半導体装置（１３）とを備えている。第１の絶縁物封止
体（３０）から導出された第１のリード（２５）は回路
基板（１１）の配線導体（１５）に電気的に接続され
る。第２の絶縁物封止体（４３）から導出された第２の
リード（３９、４０、５６）は回路基板（１１）の異な
る配線導体（１８、１９）に電気的に接続される。
路装置は、回路基板（１１）に固着される一方の主面
（３０ａ）を有し且つ第１の電子回路（２８）を封止す
る第１の絶縁物封止体（３０）を備えた第１の半導体装
置（１２）と、第１の絶縁物封止体（３０）の他方の主
面（３０ｂ）上に固着され且つ第２の電子回路（４１）
を封止する第２の絶縁物封止体（４３）を備えた第２の
半導体装置（１３）とを備えている。第１の絶縁物封止
体（３０）から導出された第１のリード（２５）は回路
基板（１１）の配線導体（１５）に電気的に接続され
る。第２の絶縁物封止体（４３）から導出された第２の
リード（３９、４０、５６）は回路基板（１１）の異な
る配線導体（１８、１９）に電気的に接続される。
【０００６】回路基板（１１）に固着した第１の半導体
装置（１２）の第１の絶縁物封止体（３０）の上に第２
の半導体装置（１３）の第２の絶縁物封止体（４３）を
積層して固着するので、回路基板（１１）の単位面積当
たりの実装密度を増加することができる。
装置（１２）の第１の絶縁物封止体（３０）の上に第２
の半導体装置（１３）の第２の絶縁物封止体（４３）を
積層して固着するので、回路基板（１１）の単位面積当
たりの実装密度を増加することができる。
【０００７】本発明の実施の形態では、第２のリード
（３９、４０）は、ろう材（４６）により第２のリード
（３９、４０）を電気的に接着し且つ第１の絶縁物封止
体（３０）に固定された接着層（３４、３５）及び接続
部（３６、３７）及び接着層（３２、３３）を介して配
線導体（１８、１９）に電気的に接続される。第１の絶
縁物封止体（３０）の第１の主面（３０ａ）には接続部
（３６、３７）に接続された接着層（３２、３３）が形
成される。第１の絶縁物封止体（３０）から導出された
第１のリード（２５）は略９０度の角度で折曲げられて
回路基板（１１）の配線導体（１５）に接続されたスル
ーホール（４４）に電気的に接続される。第２のリード
（３９、４０）により第１の絶縁物封止体（３０）と第
２の絶縁物封止体（４３）との間に間隙（２６）が形成
される。
（３９、４０）は、ろう材（４６）により第２のリード
（３９、４０）を電気的に接着し且つ第１の絶縁物封止
体（３０）に固定された接着層（３４、３５）及び接続
部（３６、３７）及び接着層（３２、３３）を介して配
線導体（１８、１９）に電気的に接続される。第１の絶
縁物封止体（３０）の第１の主面（３０ａ）には接続部
（３６、３７）に接続された接着層（３２、３３）が形
成される。第１の絶縁物封止体（３０）から導出された
第１のリード（２５）は略９０度の角度で折曲げられて
回路基板（１１）の配線導体（１５）に接続されたスル
ーホール（４４）に電気的に接続される。第２のリード
（３９、４０）により第１の絶縁物封止体（３０）と第
２の絶縁物封止体（４３）との間に間隙（２６）が形成
される。
【０００８】本発明の他の実施の形態では、第２の絶縁
物封止体（４３）の一方の主面（４３ｂ）は第１の絶縁
物封止体（３０）の他方の主面（３０ｂ）に接着され、
第２のリード（５６）は第２の絶縁物封止体（４３）か
ら略９０度の角度で折曲げられて回路基板（１１）の配
線導体（１５）に接続されたスルーホール（４４）に電
気的に接続される。
物封止体（４３）の一方の主面（４３ｂ）は第１の絶縁
物封止体（３０）の他方の主面（３０ｂ）に接着され、
第２のリード（５６）は第２の絶縁物封止体（４３）か
ら略９０度の角度で折曲げられて回路基板（１１）の配
線導体（１５）に接続されたスルーホール（４４）に電
気的に接続される。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明による複合電子回路装置の
第１の実施の形態を図１〜図５について説明する。第１
の実施の形態による複合電子回路装置は、図１に示すよ
うに回路基板（１１）と、複数の半導体装置（１２）
（１３）とから構成される。
第１の実施の形態を図１〜図５について説明する。第１
の実施の形態による複合電子回路装置は、図１に示すよ
うに回路基板（１１）と、複数の半導体装置（１２）
（１３）とから構成される。
【００１０】例えばエポキシ樹脂等から成る板材により
形成された回路基板（１１）の一方の主面には、図２に
示すように、相互に電気的に分離して銅等の導電性金属
から形成された３個の配線導体（１５）と、対向して形
成された一対の配線導体（１８）（１９）と、一対の配
線導体（１８）（１９）の間にＨ形平面形状に形成され
た第１の電極（２０）とが印刷等によって設けられる。
第１の電極（２０）は、配線導体（１５）（１８）（１
９）から離間した位置に島状に形成される。配線導体
（１８）（１９）にはそれぞれ第２の電極（２１）及び
第３の電極（２２）が設けられる。３個の配線導体（１
５）の各一端に形成されたランド（１５ａ）にはスルー
ホール（４４）が形成される。３個のスルーホール（４
４）の各内壁に銅メッキにより形成された接続部（１５
ｂ）を介してランド（１５ａ）は回路基板（１１）の他
方の主面に形成された電極（２３）に電気的に接続され
る。
形成された回路基板（１１）の一方の主面には、図２に
示すように、相互に電気的に分離して銅等の導電性金属
から形成された３個の配線導体（１５）と、対向して形
成された一対の配線導体（１８）（１９）と、一対の配
線導体（１８）（１９）の間にＨ形平面形状に形成され
た第１の電極（２０）とが印刷等によって設けられる。
第１の電極（２０）は、配線導体（１５）（１８）（１
９）から離間した位置に島状に形成される。配線導体
（１８）（１９）にはそれぞれ第２の電極（２１）及び
第３の電極（２２）が設けられる。３個の配線導体（１
５）の各一端に形成されたランド（１５ａ）にはスルー
ホール（４４）が形成される。３個のスルーホール（４
４）の各内壁に銅メッキにより形成された接続部（１５
ｂ）を介してランド（１５ａ）は回路基板（１１）の他
方の主面に形成された電極（２３）に電気的に接続され
る。
【００１１】第１の電子部品としての半導体装置（１
２）は、一方の主面（３０ａ）及び他方の主面（３０
ｂ）を有する樹脂封止体等の絶縁物封止体（３０）と、
絶縁物封止体（３０）から導出された３個の第１のリー
ド（２５）とを備えている。
２）は、一方の主面（３０ａ）及び他方の主面（３０
ｂ）を有する樹脂封止体等の絶縁物封止体（３０）と、
絶縁物封止体（３０）から導出された３個の第１のリー
ド（２５）とを備えている。
【００１２】図１に示すように、半導体装置（１２）の
絶縁物封止体（３０）内には、支持板（２４）と、支持
板（２４）の一方の端部側に並置された３個の第１のリ
ード（２５）の各一端と、支持板（２４）に載置された
第１の回路を構成する半導体素子（２８）と、半導体素
子（２８）と第１のリード（２５）のいずれかとを電気
的に接続する金属細線（２９）とが設けられる。３個の
第１のリード（２５）の各々は回路基板（１１）に向か
って折り曲げられ、３個の第１のリード（２５）の各他
端は、回路基板（１１）の対応するスルーホール（４
４）に挿入され、配線導体（１５）のランド（１５ａ）
及び電極（２１）に半田（６０）によってろう付けされ
る。絶縁物封止体（３０）は、支持板（２４）の全面、
第１のリード（２５）の一端、半導体素子（２８）及び
金属細線（２９）を封止する。図３に示すように、半導
体装置（１２）の絶縁物封止体（３０）の一方の主面
（３０ａ）には、第１の接着層（３１）、第２の接着層
（３２）及び第３の接着層（３３）が形成される。第１
の接着層（３１）は、絶縁物封止体（３０）の一対の長
辺に隣接する一対の切欠部（３１ａ）（３１ｂ）と共に
Ｈ形平面形状に形成される。第２の接着層（３２）及び
第３の接着層（３３）は、第１の接着層（３１）から電
気的に離間して切欠部（３１ａ）（３１ｂ）内に形成さ
れる。半導体装置（１２）の絶縁物封止体（３０）の一
方の主面（３０ａ）に形成された第１の接着層（３
１）、第２の接着層（３２）、第３の接着層（３３）
は、それぞれ回路基板（１１）の一方の主面に形成され
た第１の電極（２０）、第２の電極（２１）、第３の電
極（２２）にろう材（半田）（４５）によって接着され
る。また、図４に示すように、絶縁物封止体（３０）の
他方の主面（３０ｂ）に第４の接着層（３４）及び第５
の接着層（３５）が形成され、絶縁物封止体（３０）の
側面（３０ｃ）（３０ｄ）には第１の接続部（３６）及
び第２の接続部（３７）が形成される。第１の接着層
（３１）、第２の接着層（３２）、第３の接着層（３
３）、第４の接着層（３４）、第５の接着層（３５）、
第１の接続部（３６）及び第２の接続部（３７）は導電
性材料、例えば銅等の無電解メッキ法によって形成する
ことができる。絶縁物封止体（３０）の一方の主面（３
０ａ）に形成された第２の接着層（３２）は第１の接続
部（３６）を介して絶縁物封止体（３０）の他方の主面
（３０ｂ）に形成された第４の接着層（３４）に電気的
に接続される。同様に、絶縁物封止体（３０）の一方の
主面（３０ａ）に形成された第３の接着層（３３）は第
２の接続部（３７）を介して絶縁物封止体（３０）の他
方の主面（３０ｂ）に形成された第５の接着層（３５）
に電気的に接続される。
絶縁物封止体（３０）内には、支持板（２４）と、支持
板（２４）の一方の端部側に並置された３個の第１のリ
ード（２５）の各一端と、支持板（２４）に載置された
第１の回路を構成する半導体素子（２８）と、半導体素
子（２８）と第１のリード（２５）のいずれかとを電気
的に接続する金属細線（２９）とが設けられる。３個の
第１のリード（２５）の各々は回路基板（１１）に向か
って折り曲げられ、３個の第１のリード（２５）の各他
端は、回路基板（１１）の対応するスルーホール（４
４）に挿入され、配線導体（１５）のランド（１５ａ）
及び電極（２１）に半田（６０）によってろう付けされ
る。絶縁物封止体（３０）は、支持板（２４）の全面、
第１のリード（２５）の一端、半導体素子（２８）及び
金属細線（２９）を封止する。図３に示すように、半導
体装置（１２）の絶縁物封止体（３０）の一方の主面
（３０ａ）には、第１の接着層（３１）、第２の接着層
（３２）及び第３の接着層（３３）が形成される。第１
の接着層（３１）は、絶縁物封止体（３０）の一対の長
辺に隣接する一対の切欠部（３１ａ）（３１ｂ）と共に
Ｈ形平面形状に形成される。第２の接着層（３２）及び
第３の接着層（３３）は、第１の接着層（３１）から電
気的に離間して切欠部（３１ａ）（３１ｂ）内に形成さ
れる。半導体装置（１２）の絶縁物封止体（３０）の一
方の主面（３０ａ）に形成された第１の接着層（３
１）、第２の接着層（３２）、第３の接着層（３３）
は、それぞれ回路基板（１１）の一方の主面に形成され
た第１の電極（２０）、第２の電極（２１）、第３の電
極（２２）にろう材（半田）（４５）によって接着され
る。また、図４に示すように、絶縁物封止体（３０）の
他方の主面（３０ｂ）に第４の接着層（３４）及び第５
の接着層（３５）が形成され、絶縁物封止体（３０）の
側面（３０ｃ）（３０ｄ）には第１の接続部（３６）及
び第２の接続部（３７）が形成される。第１の接着層
（３１）、第２の接着層（３２）、第３の接着層（３
３）、第４の接着層（３４）、第５の接着層（３５）、
第１の接続部（３６）及び第２の接続部（３７）は導電
性材料、例えば銅等の無電解メッキ法によって形成する
ことができる。絶縁物封止体（３０）の一方の主面（３
０ａ）に形成された第２の接着層（３２）は第１の接続
部（３６）を介して絶縁物封止体（３０）の他方の主面
（３０ｂ）に形成された第４の接着層（３４）に電気的
に接続される。同様に、絶縁物封止体（３０）の一方の
主面（３０ａ）に形成された第３の接着層（３３）は第
２の接続部（３７）を介して絶縁物封止体（３０）の他
方の主面（３０ｂ）に形成された第５の接着層（３５）
に電気的に接続される。
【００１３】半導体装置（１２）の絶縁物封止体（３
０）の他方の主面（３０ｂ）に配置された第２の電子部
品としての半導体装置（１３）は、図５に示すように、
樹脂封止体等の絶縁物封止体（４３）と、絶縁物封止体
（４３）の対向する側面（４３ａ）から導出された一対
の第２のリード（３９）（４０）とを有する。第２のリ
ード（３９）（４０）は、間隙（２６）を形成して絶縁
物封止体（４３）の下面に折り曲げられ、第２のリード
（３９）（４０）の折り曲げ端部は、それぞれ半導体装
置（１２）の第４の接着層（３４）と第５の接着層（３
５）にろう材（半田）（４６）によって接着される。半
導体装置（１３）の絶縁物封止体（４３）内には、支持
板（３８）と、支持板（３８）の一方の端部に連結され
た第２のリード（３９）の一端と、支持板（３８）の他
方の端部側に離間して配置された第２のリード（４０）
の一端と、支持板（３８）に載置された第２の電子回路
を構成する半導体素子（４１）と、半導体素子（４１）
とリード（４０）とを電気的に接続する金属細線（４
２）とが設けられる。絶縁物封止体（４３）は、支持板
（３８）の全面と、第２のリード（３９）（４０）の一
端と、半導体素子（４１）と、金属細線（４２）とを封
止する。
０）の他方の主面（３０ｂ）に配置された第２の電子部
品としての半導体装置（１３）は、図５に示すように、
樹脂封止体等の絶縁物封止体（４３）と、絶縁物封止体
（４３）の対向する側面（４３ａ）から導出された一対
の第２のリード（３９）（４０）とを有する。第２のリ
ード（３９）（４０）は、間隙（２６）を形成して絶縁
物封止体（４３）の下面に折り曲げられ、第２のリード
（３９）（４０）の折り曲げ端部は、それぞれ半導体装
置（１２）の第４の接着層（３４）と第５の接着層（３
５）にろう材（半田）（４６）によって接着される。半
導体装置（１３）の絶縁物封止体（４３）内には、支持
板（３８）と、支持板（３８）の一方の端部に連結され
た第２のリード（３９）の一端と、支持板（３８）の他
方の端部側に離間して配置された第２のリード（４０）
の一端と、支持板（３８）に載置された第２の電子回路
を構成する半導体素子（４１）と、半導体素子（４１）
とリード（４０）とを電気的に接続する金属細線（４
２）とが設けられる。絶縁物封止体（４３）は、支持板
（３８）の全面と、第２のリード（３９）（４０）の一
端と、半導体素子（４１）と、金属細線（４２）とを封
止する。
【００１４】本実施の形態では、以下の作用・効果が得
られる。 （１） ２つの半導体装置（１２）（１３）を垂直に重
ねて配置できるので、電子部品の高密度実装が可能であ
る。 （２） 半導体装置（１２）の第２の接着層（３２）、
第３の接着層（３３）、第４の接着層（３４）、第５の
接着層（３５）及び第１の接続部（３６）、第２の接続
部（３７）が半導体装置（１３）の配線導体を兼ねるの
で、複雑な電気的配線に省スペースで対応できる。 （３） 半導体装置（１２）の他方の主面（３０ｂ）と
半導体装置（１３）の下面との間に形成される間隙（２
６）により放熱性が向上する。
られる。 （１） ２つの半導体装置（１２）（１３）を垂直に重
ねて配置できるので、電子部品の高密度実装が可能であ
る。 （２） 半導体装置（１２）の第２の接着層（３２）、
第３の接着層（３３）、第４の接着層（３４）、第５の
接着層（３５）及び第１の接続部（３６）、第２の接続
部（３７）が半導体装置（１３）の配線導体を兼ねるの
で、複雑な電気的配線に省スペースで対応できる。 （３） 半導体装置（１２）の他方の主面（３０ｂ）と
半導体装置（１３）の下面との間に形成される間隙（２
６）により放熱性が向上する。
【００１５】図６は、本発明による複合電子回路装置の
第２の実施の形態を示す。図６に示すように、第１の電
子部品としての半導体装置（１２）と第２の電子部品と
しての半導体装置（１３）とが回路基板（１１）上に垂
直に積層して配置される。
第２の実施の形態を示す。図６に示すように、第１の電
子部品としての半導体装置（１２）と第２の電子部品と
しての半導体装置（１３）とが回路基板（１１）上に垂
直に積層して配置される。
【００１６】半導体装置（１２）は、絶縁物封止体（３
０）と、絶縁物封止体（３０）の一方の側面から導出さ
れた複数の第１のリード（２５）とを有し、各リード
（２５）の先端は回路基板（１１）に形成されたスルー
ホール（４４）に半田（６０）によってろう付けされて
いる。また、半導体装置（１２）の絶縁物封止体（３
０）の一方の主面（３０ａ）に形成された金属製の接着
層（３１）は、回路基板（１１）の電極（２０）にろう
材（４５）よって接着される。また、半導体装置（１
２）の絶縁物封止体（３０）の他方の主面（３０ｂ）に
形成された金属製の接着層（５４）には、半導体装置
（１３）の絶縁物封止体（５５）の下面（４３ｂ）に形
成された金属製接着層（５９）がろう材（４６）によっ
て接着される。半導体装置（１３）は、絶縁物封止体
（５５）と、絶縁物封止体（５５）の一方の側面から導
出された複数のリード（５６）を有し、各リード（５
６）は回路基板（１１）に形成された他のスルーホール
（４４）に半田（５８）によって接着される。本実施形
態の電子回路装置でも、電子部品の高密度実装が可能で
ある。ろう材（４５、４６）に代えて樹脂製の接着剤を
使用してもよい。
０）と、絶縁物封止体（３０）の一方の側面から導出さ
れた複数の第１のリード（２５）とを有し、各リード
（２５）の先端は回路基板（１１）に形成されたスルー
ホール（４４）に半田（６０）によってろう付けされて
いる。また、半導体装置（１２）の絶縁物封止体（３
０）の一方の主面（３０ａ）に形成された金属製の接着
層（３１）は、回路基板（１１）の電極（２０）にろう
材（４５）よって接着される。また、半導体装置（１
２）の絶縁物封止体（３０）の他方の主面（３０ｂ）に
形成された金属製の接着層（５４）には、半導体装置
（１３）の絶縁物封止体（５５）の下面（４３ｂ）に形
成された金属製接着層（５９）がろう材（４６）によっ
て接着される。半導体装置（１３）は、絶縁物封止体
（５５）と、絶縁物封止体（５５）の一方の側面から導
出された複数のリード（５６）を有し、各リード（５
６）は回路基板（１１）に形成された他のスルーホール
（４４）に半田（５８）によって接着される。本実施形
態の電子回路装置でも、電子部品の高密度実装が可能で
ある。ろう材（４５、４６）に代えて樹脂製の接着剤を
使用してもよい。
【００１７】本発明の実施の形態では、更に変更が可能
である。例えば、第２の半導体装置（１３）の上に第３
以上の半導体装置を更に積層し固着することができる。
である。例えば、第２の半導体装置（１３）の上に第３
以上の半導体装置を更に積層し固着することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明による複合電子回路装置では、複
数の半導体装置を垂直に重ねて配置できるので、電子部
品の高密度実装が可能である。
数の半導体装置を垂直に重ねて配置できるので、電子部
品の高密度実装が可能である。
【図１】 本発明による複合電子回路装置の側面図
【図２】 図１に示す回路基板の平面図
【図３】 第１の半導体装置の底面図
【図４】 第１の半導体装置の平面図
【図５】 図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図
【図６】 本発明の他の実施の形態を示す複合電子回路
装置の側面図
装置の側面図
【図７】 従来の電子回路装置の側面図
（１１）・・回路基板、 （１２）・・第１の半導体装
置、 （１３）・・第２の半導体装置、 （１５）・・
配線導体、 （１８、１９）・・配線導体、（２１、２
２）・・電極、 （２５）・・第１のリード、 （２
６）・・間隙、（２８）・・第１の電子回路、 （３
０）・・第１の絶縁物封止体、 （３０ａ）・・一方の
主面、 （３０ｂ）・・他方の主面、 （３２、３３）
・・接着層、 （３６、３７）・・接続部、 （３９、
４０、５６）・・第２のリード、（４１）・・第２の電
子回路、 （４３）・・第２の絶縁物封止体、 （４３
ａ）・・一方の主面、 （４４）・・スルーホール、
（４６）・・ろう材、
置、 （１３）・・第２の半導体装置、 （１５）・・
配線導体、 （１８、１９）・・配線導体、（２１、２
２）・・電極、 （２５）・・第１のリード、 （２
６）・・間隙、（２８）・・第１の電子回路、 （３
０）・・第１の絶縁物封止体、 （３０ａ）・・一方の
主面、 （３０ｂ）・・他方の主面、 （３２、３３）
・・接着層、 （３６、３７）・・接続部、 （３９、
４０、５６）・・第２のリード、（４１）・・第２の電
子回路、 （４３）・・第２の絶縁物封止体、 （４３
ａ）・・一方の主面、 （４４）・・スルーホール、
（４６）・・ろう材、
Claims (6)
- 【請求項１】 回路基板（１１）に固着される一方の主
面（３０ａ）を有し且つ第１の電子回路（２８）を封止
する第１の絶縁物封止体（３０）を備えた第１の半導体
装置（１２）と、前記第１の絶縁物封止体（３０）の他
方の主面（３０ｂ）上に固着され且つ第２の電子回路
（４１）を封止する第２の絶縁物封止体（４３）を備え
た第２の半導体装置（１３）とを備え、 前記第１の絶縁物封止体（３０）から導出された第１の
リード（２５）は前記回路基板（１１）の配線導体（１
５）に電気的に接続され、 前記第２の絶縁物封止体（４３）から導出された第２の
リード（３９、４０、５６）は前記回路基板（１１）の
異なる配線導体（１８、１９）に電気的に接続されたこ
とを特徴とする複合電子回路装置。 - 【請求項２】 前記第２のリード（３９、４０）は、ろ
う材（４６）により前記第２のリード（３９、４０）を
電気的に接着し且つ前記第１の絶縁物封止体（３０）に
固定された接着層（３４、３５）及び接続部（３６、３
７）及び接着層（３２、３３）を介して前記配線導体
（１８、１９）に電気的に接続された請求項１に記載の
複合電子回路装置。 - 【請求項３】 前記第１の絶縁物封止体（３０）の第１
の主面（３０ａ）には前記接続部（３６、３７）に接続
された接着層（３２、３３）が形成された請求項１に記
載の複合電子回路装置。 - 【請求項４】 前記第１の絶縁物封止体（３０）から導
出された第１のリード（２５）は略９０度の角度で折曲
げられて前記回路基板（１１）の配線導体（１５）に接
続されたスルーホール（４４）に電気的に接続された請
求項１に記載の複合電子回路装置。 - 【請求項５】 前記第２のリード（３９、４０）により
前記第１の絶縁物封止体（３０）と第２の絶縁物封止体
（４３）との間に間隙（２６）が形成された請求項１に
記載の複合電子回路装置。 - 【請求項６】 前記第２の絶縁物封止体（４３）の一方
の主面（４３ｂ）は前記第１の絶縁物封止体（３０）の
他方の主面（３０ｂ）に接着され、前記第２のリード
（５６）は前記第２の絶縁物封止体（４３）から略９０
度の角度で折曲げられて前記回路基板（１１）の配線導
体（１５）に接続されたスルーホール（４４）に電気的
に接続された請求項１に記載の複合電子回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30760997A JP2947468B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 複合電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30760997A JP2947468B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 複合電子回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145378A true JPH11145378A (ja) | 1999-05-28 |
| JP2947468B2 JP2947468B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=17971105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30760997A Expired - Fee Related JP2947468B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 複合電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2947468B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016189487A (ja) * | 2013-06-28 | 2016-11-04 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
-
1997
- 1997-11-10 JP JP30760997A patent/JP2947468B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016189487A (ja) * | 2013-06-28 | 2016-11-04 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2947468B2 (ja) | 1999-09-13 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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