JPH11135528A - 半導体装置用基板及びこれを用いた樹脂モールド方法 - Google Patents
半導体装置用基板及びこれを用いた樹脂モールド方法Info
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- JPH11135528A JPH11135528A JP29449997A JP29449997A JPH11135528A JP H11135528 A JPH11135528 A JP H11135528A JP 29449997 A JP29449997 A JP 29449997A JP 29449997 A JP29449997 A JP 29449997A JP H11135528 A JPH11135528 A JP H11135528A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に不要な樹脂を残さずに確実な樹脂モー
ルドを可能とする。 【解決手段】 樹脂モールド時に基板１０ａ上で樹脂充
填用の樹脂路７が配置される部位に、樹脂モールド後の
硬化樹脂の剥離用の金属部８が設けられた半導体装置用
基板において、前記金属部８の表面が前記樹脂モールド
後の樹脂との密着性が前記金属部８との密着性よりも高
い樹脂被膜９ｂによって被覆され、前記樹脂路７が前記
金属部８の幅内を通過すべく設けられる。
ルドを可能とする。 【解決手段】 樹脂モールド時に基板１０ａ上で樹脂充
填用の樹脂路７が配置される部位に、樹脂モールド後の
硬化樹脂の剥離用の金属部８が設けられた半導体装置用
基板において、前記金属部８の表面が前記樹脂モールド
後の樹脂との密着性が前記金属部８との密着性よりも高
い樹脂被膜９ｂによって被覆され、前記樹脂路７が前記
金属部８の幅内を通過すべく設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用基板及
びこれを用いた半導体装置の製造方法に関し、より詳細
には樹脂基板を基板とする半導体装置用基板及びこの半
導体装置用基板を用いる樹脂モールド方法に関する。
びこれを用いた半導体装置の製造方法に関し、より詳細
には樹脂基板を基板とする半導体装置用基板及びこの半
導体装置用基板を用いる樹脂モールド方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製品にはＢＧＡ（Ball Grid
Array)等のように樹脂基板に半導体チップを搭載して樹
脂成形した製品がある。図７にＢＧＡで用いる半導体装
置用基板１０の例を示す。ＢＧＡでの樹脂モールド操作
は、半導体装置用基板に半導体チップ５を搭載した後、
樹脂モールド装置により半導体装置用基板１０で半導体
チップ５を搭載した片面を樹脂モールドすることによっ
て行う。
Array)等のように樹脂基板に半導体チップを搭載して樹
脂成形した製品がある。図７にＢＧＡで用いる半導体装
置用基板１０の例を示す。ＢＧＡでの樹脂モールド操作
は、半導体装置用基板に半導体チップ５を搭載した後、
樹脂モールド装置により半導体装置用基板１０で半導体
チップ５を搭載した片面を樹脂モールドすることによっ
て行う。
【０００３】樹脂モールドの際には図７に示すように短
冊状に形成した半導体装置用基板１０を使用し、樹脂モ
ールド金型の所定位置に半導体装置用基板１０をセット
した後、ポットからキャビティに樹脂を充填して樹脂モ
ールドする。同図で示すように、樹脂が充填されるキャ
ビティ６は半導体装置用基板１０の側縁から離間した位
置にあるから、樹脂モールドの際には半導体装置用基板
１０の側縁からキャビティ６まで半導体装置用基板１０
の表面上を樹脂路７が通過する。
冊状に形成した半導体装置用基板１０を使用し、樹脂モ
ールド金型の所定位置に半導体装置用基板１０をセット
した後、ポットからキャビティに樹脂を充填して樹脂モ
ールドする。同図で示すように、樹脂が充填されるキャ
ビティ６は半導体装置用基板１０の側縁から離間した位
置にあるから、樹脂モールドの際には半導体装置用基板
１０の側縁からキャビティ６まで半導体装置用基板１０
の表面上を樹脂路７が通過する。
【０００４】このため樹脂モールドした状態で樹脂路７
内で残留して硬化した樹脂（ランナー樹脂、ゲート樹
脂）が半導体装置用基板１０の表面に付着して残るよう
になる。ディゲート操作は、樹脂モールドによってこの
ような半導体装置用基板１０の表面に残留した硬化樹脂
を剥離除去する操作である。図７に示す半導体装置用基
板１０は樹脂路が通過する部位に硬化樹脂の剥離用の金
属部として金めっき部８を設けたものである。
内で残留して硬化した樹脂（ランナー樹脂、ゲート樹
脂）が半導体装置用基板１０の表面に付着して残るよう
になる。ディゲート操作は、樹脂モールドによってこの
ような半導体装置用基板１０の表面に残留した硬化樹脂
を剥離除去する操作である。図７に示す半導体装置用基
板１０は樹脂路が通過する部位に硬化樹脂の剥離用の金
属部として金めっき部８を設けたものである。
【０００５】樹脂基板を用いた半導体装置用基板では表
面に回路パターンを形成した後、回路パターン等を保護
するため樹脂被膜によって基板表面を被覆する。樹脂路
７が通過する部位に金めっき部８を露出させるのは、樹
脂モールド後の硬化樹脂が金から容易に剥離する性質を
利用して、ディゲート操作が確実に行えるようにするた
めである。半導体装置用基板１０の製造工程では、回路
パターンを形成する際に金めっきを施す工程があるか
ら、硬化樹脂が通過する部位に金めっき部８を形成する
ことは製造工程上も容易である。
面に回路パターンを形成した後、回路パターン等を保護
するため樹脂被膜によって基板表面を被覆する。樹脂路
７が通過する部位に金めっき部８を露出させるのは、樹
脂モールド後の硬化樹脂が金から容易に剥離する性質を
利用して、ディゲート操作が確実に行えるようにするた
めである。半導体装置用基板１０の製造工程では、回路
パターンを形成する際に金めっきを施す工程があるか
ら、硬化樹脂が通過する部位に金めっき部８を形成する
ことは製造工程上も容易である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような半導体装置用基板１０を用いて樹脂モールドした
場合は以下のような問題点がある。図８は半導体装置用
基板１０を樹脂モールド金型２０でクランプして樹脂モ
ールドする状態を示す。同図で９は基板１０ａの表面を
被覆する樹脂被膜である。樹脂路７は金めっき部８を施
した部位を通過するが、基板１０ａを被覆する樹脂被膜
９は金めっき部８を設けた部位では金めっき部８の側縁
部にわずかに重複して設けられ、樹脂路７の側縁部がこ
の樹脂被膜９の側縁部の内側を通過するように配置され
る。
ような半導体装置用基板１０を用いて樹脂モールドした
場合は以下のような問題点がある。図８は半導体装置用
基板１０を樹脂モールド金型２０でクランプして樹脂モ
ールドする状態を示す。同図で９は基板１０ａの表面を
被覆する樹脂被膜である。樹脂路７は金めっき部８を施
した部位を通過するが、基板１０ａを被覆する樹脂被膜
９は金めっき部８を設けた部位では金めっき部８の側縁
部にわずかに重複して設けられ、樹脂路７の側縁部がこ
の樹脂被膜９の側縁部の内側を通過するように配置され
る。
【０００７】したがって、半導体装置用基板１０を樹脂
モールド金型２０でクランプすると、金めっき部８を設
けた部位では、金めっき部８の表面に被着した樹脂被膜
９の厚さ分だけ隙間７ａが生じ、樹脂モールドの際にこ
の隙間７ａの部分に樹脂が入り込む。樹脂モールド後
は、ディゲート操作によって金めっき部８に付着した硬
化樹脂を剥離除去するのであるが、この隙間７ａ部分で
硬化した樹脂がディゲートの際に樹脂路７内で硬化した
樹脂と分離し、金めっき部８の表面上にそのまま残留す
ることがある。
モールド金型２０でクランプすると、金めっき部８を設
けた部位では、金めっき部８の表面に被着した樹脂被膜
９の厚さ分だけ隙間７ａが生じ、樹脂モールドの際にこ
の隙間７ａの部分に樹脂が入り込む。樹脂モールド後
は、ディゲート操作によって金めっき部８に付着した硬
化樹脂を剥離除去するのであるが、この隙間７ａ部分で
硬化した樹脂がディゲートの際に樹脂路７内で硬化した
樹脂と分離し、金めっき部８の表面上にそのまま残留す
ることがある。
【０００８】隙間７ａで硬化した樹脂は細幅で金めっき
部８の表面に筋状に残るため、商品の見栄えの点で問題
となる。また、樹脂モールド後にははんだボール付け工
程、あるいは半導体装置用基板１０から最終製品の個片
に分離するといった工程があり、これらの加工工程中に
金めっき部８の表面から樹脂が剥離して加工装置内に落
下するといった問題もある。
部８の表面に筋状に残るため、商品の見栄えの点で問題
となる。また、樹脂モールド後にははんだボール付け工
程、あるいは半導体装置用基板１０から最終製品の個片
に分離するといった工程があり、これらの加工工程中に
金めっき部８の表面から樹脂が剥離して加工装置内に落
下するといった問題もある。
【０００９】本発明はこれらの問題点を解消すべくなさ
れたものであり、ＢＧＡ等の樹脂基板を使用した半導体
装置の製造に好適に用いることができる半導体装置用基
板及びこの半導体装置用基板を用いる樹脂モールド方法
を提供することを目的とする。
れたものであり、ＢＧＡ等の樹脂基板を使用した半導体
装置の製造に好適に用いることができる半導体装置用基
板及びこの半導体装置用基板を用いる樹脂モールド方法
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、樹脂モールド時
に基板上で樹脂充填用の樹脂路が配置される位に、樹脂
モールド後の硬化樹脂の剥離用の金属部が設けられた半
導体装置用基板において、前記金属部の表面が前記樹脂
モールド後の樹脂との密着性が前記金属部との密着性よ
りも高い樹脂被膜によって被覆され、前記樹脂路が前記
金属部の幅内を通過すべく設けられたことを特徴とす
る。また、前記金属部を被覆する樹脂被膜が、前記基板
の表面を被覆して保護する樹脂被膜と同一の樹脂により
一連に被着形成されたことを特徴とする。また、前記金
属部を被覆する樹脂被膜が、前記基板の表面を被覆して
保護する樹脂被膜とは異種の樹脂により形成されたこと
を特徴とする。異種の樹脂として金属部との剥離性の良
好な樹脂を使用することにより、樹脂モールド後に金属
部から硬化樹脂とともに樹脂被膜を好適に剥離除去する
ことができる。また、前記金属部が形成されている領域
内で前記樹脂路が通過する両側縁位置の外側に、各々の
側縁に沿って露出溝を設けたことを特徴とする。これに
より、露出溝にそって硬化樹脂とともに樹脂被膜を剥離
除去することができる。また、前記樹脂路とキャビティ
との接続部で樹脂路を幅方向に横切る露出溝を設けたこ
とを特徴とする。また、前記金属部が基板表面に設けら
れた下地の樹脂被膜上に形成されたことは、樹脂モール
ド時のクランプ性を向上させ、確実な樹脂モールドがで
きる点で好ましい。また、前記金属部が表面に金めっき
が施された金めっき部であることは、樹脂被膜の剥離性
が好適になされる点で好ましい。
するため次の構成を備える。すなわち、樹脂モールド時
に基板上で樹脂充填用の樹脂路が配置される位に、樹脂
モールド後の硬化樹脂の剥離用の金属部が設けられた半
導体装置用基板において、前記金属部の表面が前記樹脂
モールド後の樹脂との密着性が前記金属部との密着性よ
りも高い樹脂被膜によって被覆され、前記樹脂路が前記
金属部の幅内を通過すべく設けられたことを特徴とす
る。また、前記金属部を被覆する樹脂被膜が、前記基板
の表面を被覆して保護する樹脂被膜と同一の樹脂により
一連に被着形成されたことを特徴とする。また、前記金
属部を被覆する樹脂被膜が、前記基板の表面を被覆して
保護する樹脂被膜とは異種の樹脂により形成されたこと
を特徴とする。異種の樹脂として金属部との剥離性の良
好な樹脂を使用することにより、樹脂モールド後に金属
部から硬化樹脂とともに樹脂被膜を好適に剥離除去する
ことができる。また、前記金属部が形成されている領域
内で前記樹脂路が通過する両側縁位置の外側に、各々の
側縁に沿って露出溝を設けたことを特徴とする。これに
より、露出溝にそって硬化樹脂とともに樹脂被膜を剥離
除去することができる。また、前記樹脂路とキャビティ
との接続部で樹脂路を幅方向に横切る露出溝を設けたこ
とを特徴とする。また、前記金属部が基板表面に設けら
れた下地の樹脂被膜上に形成されたことは、樹脂モール
ド時のクランプ性を向上させ、確実な樹脂モールドがで
きる点で好ましい。また、前記金属部が表面に金めっき
が施された金めっき部であることは、樹脂被膜の剥離性
が好適になされる点で好ましい。
【００１１】前記半導体装置用基板を用いた樹脂モール
ド方法であって、前記半導体装置用基板の前記金属部を
被覆する前記樹脂被膜上に樹脂路を配置して前記キャビ
ティに樹脂を充填し、前記樹脂が硬化した後、ディゲー
ト操作の際に前記樹脂路中で硬化した樹脂とともに該硬
化樹脂に付着する前記樹脂被膜を剥離除去することを特
徴とする。
ド方法であって、前記半導体装置用基板の前記金属部を
被覆する前記樹脂被膜上に樹脂路を配置して前記キャビ
ティに樹脂を充填し、前記樹脂が硬化した後、ディゲー
ト操作の際に前記樹脂路中で硬化した樹脂とともに該硬
化樹脂に付着する前記樹脂被膜を剥離除去することを特
徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置用
基板の実施形態について図面とともに詳細に説明する。
図１、２は半導体装置用基板１０の第１の実施の形態の
構成を示す説明図である。図１は半導体装置用基板１０
に半導体チップを搭載し、樹脂モールドしてディゲート
した状態の平面図、図２は樹脂モールドの際に樹脂路７
が通過する部分を拡大して示す説明図である。
基板の実施形態について図面とともに詳細に説明する。
図１、２は半導体装置用基板１０の第１の実施の形態の
構成を示す説明図である。図１は半導体装置用基板１０
に半導体チップを搭載し、樹脂モールドしてディゲート
した状態の平面図、図２は樹脂モールドの際に樹脂路７
が通過する部分を拡大して示す説明図である。
【００１３】前述した従来の半導体装置用基板１０で
は、樹脂モールドの際に樹脂路が通過する部位の金めっ
き部８は露出した形態で形成していたのに対し、本実施
形態の半導体装置用基板１０は樹脂路が通過する金めっ
き部８の表面を樹脂被膜９によって被覆したことを特徴
とし、樹脂モールドの際には金めっき部８を被覆する樹
脂被膜９の上を樹脂路が通過するようにする。
は、樹脂モールドの際に樹脂路が通過する部位の金めっ
き部８は露出した形態で形成していたのに対し、本実施
形態の半導体装置用基板１０は樹脂路が通過する金めっ
き部８の表面を樹脂被膜９によって被覆したことを特徴
とし、樹脂モールドの際には金めっき部８を被覆する樹
脂被膜９の上を樹脂路が通過するようにする。
【００１４】図１で１２は樹脂成形部であり、８は金め
っき部、９は樹脂被膜である。金めっき部８の表面はあ
らかじめ樹脂被膜９によって被覆されていた部位である
が、樹脂モールド後のディゲート操作によって樹脂路７
中で硬化した樹脂とともに樹脂被膜９が剥離除去され、
金めっきが露出した状態となっている。
っき部、９は樹脂被膜である。金めっき部８の表面はあ
らかじめ樹脂被膜９によって被覆されていた部位である
が、樹脂モールド後のディゲート操作によって樹脂路７
中で硬化した樹脂とともに樹脂被膜９が剥離除去され、
金めっきが露出した状態となっている。
【００１５】図２は樹脂モールド時に半導体装置用基板
１０の側縁からキャビティ６のコーナー部に向けて樹脂
路７が延出して配置される様子を拡大して示す。金めっ
き部８は樹脂路７の配置と同様に基板の側縁からキャビ
ティ６に通じるように配置されている。本実施形態の半
導体装置用基板１０で特徴的な構成は、金めっき部８が
設けられた範囲についても樹脂被膜９によって被覆した
ことと、樹脂路７の側縁に沿って露出溝９ａを設けたこ
とにある。
１０の側縁からキャビティ６のコーナー部に向けて樹脂
路７が延出して配置される様子を拡大して示す。金めっ
き部８は樹脂路７の配置と同様に基板の側縁からキャビ
ティ６に通じるように配置されている。本実施形態の半
導体装置用基板１０で特徴的な構成は、金めっき部８が
設けられた範囲についても樹脂被膜９によって被覆した
ことと、樹脂路７の側縁に沿って露出溝９ａを設けたこ
とにある。
【００１６】図３に樹脂路７と金めっき部８、露出溝９
ａの相互配置を断面図によって示す。従来の半導体装置
用基板と同様に基板１０ａの表面がソルダーレジスト等
の樹脂被膜９によって被覆され、樹脂路７が通過する部
位に合わせて金めっき部８が設けられる。９ｂは金めっ
き部８の表面を被覆する樹脂被膜であり、９ａは樹脂被
膜９ｂに設けた露出溝である。樹脂被膜９ｂは基板１０
ａの表面を被覆する樹脂被膜９と同一の材料で形成した
もので、基板１０ａの表面に所要の回路パターンおよび
金めっき部８を形成した後、基板１０ａの表面に被覆用
の樹脂をコーティングし、フォトリソグラフィー法ある
いはレーザ光照射等を利用して露出溝９ａを形成するこ
とができる。
ａの相互配置を断面図によって示す。従来の半導体装置
用基板と同様に基板１０ａの表面がソルダーレジスト等
の樹脂被膜９によって被覆され、樹脂路７が通過する部
位に合わせて金めっき部８が設けられる。９ｂは金めっ
き部８の表面を被覆する樹脂被膜であり、９ａは樹脂被
膜９ｂに設けた露出溝である。樹脂被膜９ｂは基板１０
ａの表面を被覆する樹脂被膜９と同一の材料で形成した
もので、基板１０ａの表面に所要の回路パターンおよび
金めっき部８を形成した後、基板１０ａの表面に被覆用
の樹脂をコーティングし、フォトリソグラフィー法ある
いはレーザ光照射等を利用して露出溝９ａを形成するこ
とができる。
【００１７】樹脂路７は両側の露出溝９ａの中間を通過
するように配置されており、樹脂モールドに際して、樹
脂路７（金型ランナーおよび金型ゲート）を通過する樹
脂は金めっき部８の表面を被覆する樹脂被膜９ｂに接し
てキャビティ６に充填される。したがって、樹脂モール
ド後は樹脂路７内の樹脂は樹脂被膜９ｂに接した状態で
硬化する。
するように配置されており、樹脂モールドに際して、樹
脂路７（金型ランナーおよび金型ゲート）を通過する樹
脂は金めっき部８の表面を被覆する樹脂被膜９ｂに接し
てキャビティ６に充填される。したがって、樹脂モール
ド後は樹脂路７内の樹脂は樹脂被膜９ｂに接した状態で
硬化する。
【００１８】ディゲート操作の際には樹脂路７内で硬化
した樹脂に樹脂被膜９ｂが密着しているから、硬化樹脂
を剥離除去する操作によって樹脂被膜９ｂとともに硬化
樹脂が剥離除去される。本実施形態では樹脂被膜９ｂに
露出溝９ａを設けたことにより、硬化樹脂を剥離除去す
る際に、露出溝９ａが樹脂被膜９を分離する境界線とな
って硬化樹脂とともに樹脂被膜９ｂがきれいに剥離除去
される。
した樹脂に樹脂被膜９ｂが密着しているから、硬化樹脂
を剥離除去する操作によって樹脂被膜９ｂとともに硬化
樹脂が剥離除去される。本実施形態では樹脂被膜９ｂに
露出溝９ａを設けたことにより、硬化樹脂を剥離除去す
る際に、露出溝９ａが樹脂被膜９を分離する境界線とな
って硬化樹脂とともに樹脂被膜９ｂがきれいに剥離除去
される。
【００１９】このように、露出溝９ａは硬化樹脂を剥離
除去する際に樹脂被膜９ｂを金めっき部８から確実に剥
離するためのものであるから、露出溝９ａは図２に示す
ように基板の側縁部からキャビティ６のコーナー部まで
通じるように設けるのがよい。なお、キャビティ６のコ
ーナー部と樹脂路７との接続部に樹脂路７を幅方向に横
切るように露出溝９ｃを設けて、ディゲート時にキャビ
ティ６との連結部分で樹脂被膜９ｂが剥離しやすくして
もよい。この露出溝９ｃはコーナー部と樹脂路との接続
端に一致して配置するのがよいが、境界位置から若干位
置ずれしていても実際には問題にならない。
除去する際に樹脂被膜９ｂを金めっき部８から確実に剥
離するためのものであるから、露出溝９ａは図２に示す
ように基板の側縁部からキャビティ６のコーナー部まで
通じるように設けるのがよい。なお、キャビティ６のコ
ーナー部と樹脂路７との接続部に樹脂路７を幅方向に横
切るように露出溝９ｃを設けて、ディゲート時にキャビ
ティ６との連結部分で樹脂被膜９ｂが剥離しやすくして
もよい。この露出溝９ｃはコーナー部と樹脂路との接続
端に一致して配置するのがよいが、境界位置から若干位
置ずれしていても実際には問題にならない。
【００２０】図４〜６は半導体装置用基板１０の他の実
施形態を示す。この実施形態の半導体装置用基板１０は
樹脂路７が通過する部位に合わせて設けた金めっき部８
の表面全体を基板１０ａを被覆する樹脂被膜９によって
被覆したことを特徴とする。すなわち、上記実施形態で
は金めっき部８を被覆する樹脂被膜９に露出溝９ａを設
けたが、本実施形態では露出溝９ａを設けずに単に金め
っき部８を樹脂被膜９によって被覆したものである。
施形態を示す。この実施形態の半導体装置用基板１０は
樹脂路７が通過する部位に合わせて設けた金めっき部８
の表面全体を基板１０ａを被覆する樹脂被膜９によって
被覆したことを特徴とする。すなわち、上記実施形態で
は金めっき部８を被覆する樹脂被膜９に露出溝９ａを設
けたが、本実施形態では露出溝９ａを設けずに単に金め
っき部８を樹脂被膜９によって被覆したものである。
【００２１】図４、５に示す実施形態の半導体装置用基
板１０は基板１０ａの表面に回路パターン等を形成し、
所要部位に金めっきを施した後、金めっき部８を含む基
板１０ａの表面に被膜用の樹脂をコーティングして樹脂
膜９を形成する。図６は樹脂被膜９を２層構造とした実
施形態である。この場合は基板１０ａの表面に樹脂被膜
９を形成し、下地の樹脂被膜９で金めっき部８を形成す
る部位に導体部を形成して金めっきを施した後、被覆用
の樹脂をコーティングして２層目の樹脂被膜９を形成す
る。なお、図３に示す露出溝９ａを設けた例でも金めっ
き部８を中間に設けて樹脂被膜９を２層構造とすること
も可能である。
板１０は基板１０ａの表面に回路パターン等を形成し、
所要部位に金めっきを施した後、金めっき部８を含む基
板１０ａの表面に被膜用の樹脂をコーティングして樹脂
膜９を形成する。図６は樹脂被膜９を２層構造とした実
施形態である。この場合は基板１０ａの表面に樹脂被膜
９を形成し、下地の樹脂被膜９で金めっき部８を形成す
る部位に導体部を形成して金めっきを施した後、被覆用
の樹脂をコーティングして２層目の樹脂被膜９を形成す
る。なお、図３に示す露出溝９ａを設けた例でも金めっ
き部８を中間に設けて樹脂被膜９を２層構造とすること
も可能である。
【００２２】本実施形態の場合も樹脂モールドの際に樹
脂路７内の樹脂は樹脂被膜９に接した状態で硬化し、デ
ィゲート操作によって樹脂路７内で硬化した樹脂と一体
に樹脂被膜９が剥離除去される。樹脂路７は図５、６に
示すように、金めっき部８の幅内を通過するように配置
されているから、ディゲート操作により硬化樹脂を剥離
除去する際に、金めっき部８上で樹脂路７が通過した部
位の樹脂被膜９が除去され金めっき部８が露出する。
脂路７内の樹脂は樹脂被膜９に接した状態で硬化し、デ
ィゲート操作によって樹脂路７内で硬化した樹脂と一体
に樹脂被膜９が剥離除去される。樹脂路７は図５、６に
示すように、金めっき部８の幅内を通過するように配置
されているから、ディゲート操作により硬化樹脂を剥離
除去する際に、金めっき部８上で樹脂路７が通過した部
位の樹脂被膜９が除去され金めっき部８が露出する。
【００２３】樹脂路７内で硬化した樹脂を剥離除去する
際に樹脂被膜９が硬化樹脂とともに剥離除去されるの
は、樹脂被膜９が硬化樹脂にはより強固に結合するのに
対して、樹脂被膜９と金めっき部８との結合性が低いこ
とによる。すなわち、樹脂被膜９は金めっき部８に対し
ては剥離しやすいから、樹脂路７内で硬化した樹脂を剥
離除去することによって容易に硬化樹脂とともに樹脂被
膜９を剥離除去することが可能となる。
際に樹脂被膜９が硬化樹脂とともに剥離除去されるの
は、樹脂被膜９が硬化樹脂にはより強固に結合するのに
対して、樹脂被膜９と金めっき部８との結合性が低いこ
とによる。すなわち、樹脂被膜９は金めっき部８に対し
ては剥離しやすいから、樹脂路７内で硬化した樹脂を剥
離除去することによって容易に硬化樹脂とともに樹脂被
膜９を剥離除去することが可能となる。
【００２４】本実施形態の半導体装置用基板を用いて樹
脂モールドした場合は、図５、６に示すように、樹脂路
７が通過する部分では樹脂が全面的に樹脂被膜９に接す
るから、樹脂被膜９に接して硬化した樹脂はディゲート
操作により樹脂被膜９とともに確実に剥離除去され、基
板側に不要な樹脂が残留することがない。これによっ
て、基板上に樹脂が残って商品の見栄えが悪くなるとい
った問題を解消することができる。また、樹脂被膜９上
に樹脂路７を通過させると樹脂被膜９の弾性によって樹
脂路７が通過する部位でのクランプ性が高まることか
ら、より確実な樹脂モールドが可能になる。図６に示す
実施形態は樹脂被膜９を２層にしてクランプ性をさらに
高めたものである。
脂モールドした場合は、図５、６に示すように、樹脂路
７が通過する部分では樹脂が全面的に樹脂被膜９に接す
るから、樹脂被膜９に接して硬化した樹脂はディゲート
操作により樹脂被膜９とともに確実に剥離除去され、基
板側に不要な樹脂が残留することがない。これによっ
て、基板上に樹脂が残って商品の見栄えが悪くなるとい
った問題を解消することができる。また、樹脂被膜９上
に樹脂路７を通過させると樹脂被膜９の弾性によって樹
脂路７が通過する部位でのクランプ性が高まることか
ら、より確実な樹脂モールドが可能になる。図６に示す
実施形態は樹脂被膜９を２層にしてクランプ性をさらに
高めたものである。
【００２５】図３で示す実施形態の場合も、樹脂路７は
樹脂被膜９ｂの幅内に配置しているから、樹脂モールド
の際には樹脂路７は樹脂被膜９ｂの上を通過し、上記実
施形態と同様に、樹脂路７が通過する部位でのクランプ
性が向上して確実な樹脂モールドができる。また、ディ
ゲートする際に硬化樹脂とともに樹脂被膜９ｂが剥離除
去され、基板側に不要樹脂を残留させることなくディゲ
ートでき、製品上の問題点を解消することができる。
樹脂被膜９ｂの幅内に配置しているから、樹脂モールド
の際には樹脂路７は樹脂被膜９ｂの上を通過し、上記実
施形態と同様に、樹脂路７が通過する部位でのクランプ
性が向上して確実な樹脂モールドができる。また、ディ
ゲートする際に硬化樹脂とともに樹脂被膜９ｂが剥離除
去され、基板側に不要樹脂を残留させることなくディゲ
ートでき、製品上の問題点を解消することができる。
【００２６】上述した各実施形態の半導体装置用基板は
樹脂モールドの際に樹脂路が通過する部位に設けていた
金めっき部８等の金属部を樹脂被膜によって被覆したこ
とを特徴とする。この樹脂被膜は、前述したように基板
１０ａを被覆する際に同時に金属部の表面を被覆して形
成したが、金属部を被覆する樹脂被膜を基板１０ａを被
覆する樹脂とは異種の樹脂によって被覆することも可能
である。
樹脂モールドの際に樹脂路が通過する部位に設けていた
金めっき部８等の金属部を樹脂被膜によって被覆したこ
とを特徴とする。この樹脂被膜は、前述したように基板
１０ａを被覆する際に同時に金属部の表面を被覆して形
成したが、金属部を被覆する樹脂被膜を基板１０ａを被
覆する樹脂とは異種の樹脂によって被覆することも可能
である。
【００２７】すなわち、まず、金属部を除いて基板１０
ａの表面を通常用いられている樹脂被膜で被覆し、次い
で金属部の表面のみを他の樹脂によって被覆する、もし
くは、金属部の表面のみを他の樹脂によって被覆した
後、基板１０ａを樹脂被膜によって被覆する方法によっ
て、金属部の表面を特定の樹脂被膜によって被覆した半
導体装置用基板を得ることができる。
ａの表面を通常用いられている樹脂被膜で被覆し、次い
で金属部の表面のみを他の樹脂によって被覆する、もし
くは、金属部の表面のみを他の樹脂によって被覆した
後、基板１０ａを樹脂被膜によって被覆する方法によっ
て、金属部の表面を特定の樹脂被膜によって被覆した半
導体装置用基板を得ることができる。
【００２８】このように、金属部の表面を被覆する樹脂
を基板１０ａを被覆する樹脂とは異種の樹脂とする方法
は、基板１０ａを被覆する樹脂にくらべて金属部との剥
離性に優れた樹脂を選択して使用できる点で有効であ
る。とくに、金属部に使用する金属との関係で、より剥
離性に優れた樹脂を使用できることは有効である。
を基板１０ａを被覆する樹脂とは異種の樹脂とする方法
は、基板１０ａを被覆する樹脂にくらべて金属部との剥
離性に優れた樹脂を選択して使用できる点で有効であ
る。とくに、金属部に使用する金属との関係で、より剥
離性に優れた樹脂を使用できることは有効である。
【００２９】基板１０ａを被覆する樹脂被膜と金属部を
被覆する樹脂被膜の樹脂材を異種の材料とする場合も、
上記各実施形態で説明したと同様に、金属部を被覆した
部位に露出溝９ａ、９ｃを設けることが可能であり、基
板１０ａを被覆する樹脂被膜を２層構造とすることも可
能である。
被覆する樹脂被膜の樹脂材を異種の材料とする場合も、
上記各実施形態で説明したと同様に、金属部を被覆した
部位に露出溝９ａ、９ｃを設けることが可能であり、基
板１０ａを被覆する樹脂被膜を２層構造とすることも可
能である。
【００３０】上記実施形態では樹脂基板を使用するＢＧ
Ａ用の基板を例に説明したが、本発明は種々タイプの半
導体装置に使用される基板に適用できるものであり、た
とえば硬化樹脂の剥離用として金めっき以外のめっきを
設けた基板についても同様に適用可能である。
Ａ用の基板を例に説明したが、本発明は種々タイプの半
導体装置に使用される基板に適用できるものであり、た
とえば硬化樹脂の剥離用として金めっき以外のめっきを
設けた基板についても同様に適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置用基板によれ
ば、上述したように、樹脂モールドした後、樹脂路部分
で硬化した樹脂をディゲートする際に樹脂路部分の樹脂
被膜を硬化樹脂とともに確実に剥離除去することがで
き、基板側に不要な樹脂を残留させることがなくなっ
て、確実なディゲートが可能となる。また、樹脂路が通
過する部位に樹脂被膜を配置したことによって樹脂もれ
や樹脂ばりを生じさせずに確実な樹脂モールドが可能と
なる。また、本発明に係る樹脂モールド方法によれば、
ディゲート操作が容易で、より確実な樹脂モールドが可
能となる。
ば、上述したように、樹脂モールドした後、樹脂路部分
で硬化した樹脂をディゲートする際に樹脂路部分の樹脂
被膜を硬化樹脂とともに確実に剥離除去することがで
き、基板側に不要な樹脂を残留させることがなくなっ
て、確実なディゲートが可能となる。また、樹脂路が通
過する部位に樹脂被膜を配置したことによって樹脂もれ
や樹脂ばりを生じさせずに確実な樹脂モールドが可能と
なる。また、本発明に係る樹脂モールド方法によれば、
ディゲート操作が容易で、より確実な樹脂モールドが可
能となる。
【図１】本発明に係る半導体装置用基板を用いて樹脂モ
ールドした状態の平面図である。
ールドした状態の平面図である。
【図２】半導体装置用基板での樹脂路、金めっき部等の
配置例を示す説明図である。
配置例を示す説明図である。
【図３】半導体装置用基板での樹脂路、金めっき部等の
配置を示す断面図である。
配置を示す断面図である。
【図４】半導体装置用基板での樹脂路、金めっき部等の
他の配置例を示す説明図である。
他の配置例を示す説明図である。
【図５】半導体装置用基板での樹脂路、金めっき部等の
他の配置を示す断面図である。
他の配置を示す断面図である。
【図６】半導体装置用基板での樹脂路、金めっき部等の
さらに他の配置を示す断面図である。
さらに他の配置を示す断面図である。
【図７】従来の半導体装置用基板の平面図である。
【図８】従来の半導体装置用基板での樹脂路、金めっき
部等の配置を示す断面図である。
部等の配置を示す断面図である。
５ 半導体チップ ６ キャビティ ７ 樹脂路 ８ 金めっき部 ９、９ｂ 樹脂被膜 ９ａ、９ｃ 露出溝 １０ 半導体装置用基板 １０ａ 基板 １２ 樹脂成形部 ２０ 樹脂モールド金型
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (8)
- 【請求項１】 樹脂モールド時に基板上で樹脂充填用の
樹脂路が配置される位に、樹脂モールド後の硬化樹脂の
剥離用の金属部が設けられた半導体装置用基板におい
て、 前記金属部の表面が前記樹脂モールド後の樹脂との密着
性が前記金属部との密着性よりも高い樹脂被膜によって
被覆され、 前記樹脂路が前記金属部の幅内を通過すべく設けられた
ことを特徴とする半導体装置用基板。 - 【請求項２】 前記金属部を被覆する樹脂被膜が、前記
基板の表面を被覆して保護する樹脂被膜と同一の樹脂に
より一連に被着形成されたことを特徴とする半導体装置
用基板。 - 【請求項３】 前記金属部を被覆する樹脂被膜が、前記
基板の表面を被覆して保護する樹脂被膜とは異種の樹脂
により形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導
体装置用基板。 - 【請求項４】 前記金属部が形成されている領域内で前
記樹脂路が通過する両側縁位置の外側に、各々の側縁に
沿って露出溝を設けたことを特徴とする請求項１または
３記載の半導体装置用基板。 - 【請求項５】 前記樹脂路とキャビティとの接続部で樹
脂路を幅方向に横切る露出溝を設けたことを特徴とする
請求項４記載の半導体装置用基板。 - 【請求項６】 前記金属部が基板表面に設けられた下地
の樹脂被膜上に形成されたことを特徴とする請求項１、
２、３、４または５記載の半導体装置用基板。 - 【請求項７】 前記金属部が表面に金めっきが施された
金めっき部であることを特徴とする請求項１、２、３、
４、５または６記載の半導体装置用基板。 - 【請求項８】 請求項１、２、３、４、５、６または７
記載の半導体装置用基板を用いた樹脂モールド方法であ
って、 前記半導体装置用基板の前記金属部を被覆する前記樹脂
被膜上に樹脂路を配置して前記キャビティに樹脂を充填
し、 前記樹脂が硬化した後、ディゲート操作の際に前記樹脂
路中で硬化した樹脂とともに該硬化樹脂に付着する前記
樹脂被膜を剥離除去することを特徴とする樹脂モールド
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29449997A JPH11135528A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 半導体装置用基板及びこれを用いた樹脂モールド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29449997A JPH11135528A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 半導体装置用基板及びこれを用いた樹脂モールド方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135528A true JPH11135528A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17808569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29449997A Pending JPH11135528A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 半導体装置用基板及びこれを用いた樹脂モールド方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135528A (ja) |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP29449997A patent/JPH11135528A/ja active Pending
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