JPH11135461A - 銅配線ならびにその製造方法 - Google Patents
銅配線ならびにその製造方法Info
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- JPH11135461A JPH11135461A JP30116397A JP30116397A JPH11135461A JP H11135461 A JPH11135461 A JP H11135461A JP 30116397 A JP30116397 A JP 30116397A JP 30116397 A JP30116397 A JP 30116397A JP H11135461 A JPH11135461 A JP H11135461A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明が解決しようとする課題は、高純度で
電気的特性に優れた銅薄膜の配線を提供することであ
る。また、そのような銅配線を可能とする製造方法を提
供することである。 【解決手段】 炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅
化合物を原料として用いたＣＶＤ法において、フッ素を
含有するガスを供給すると、このフッ素及び、原料ガス
供給用の水素が反応に寄与し、不純物は気体として表面
から脱離する。従って基板との界面付近における不純物
濃度の上昇が抑制され、得られる銅配線は、低電気抵抗
で信頼性が高い。特に微細化された配線においてその効
果が大きい。
電気的特性に優れた銅薄膜の配線を提供することであ
る。また、そのような銅配線を可能とする製造方法を提
供することである。 【解決手段】 炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅
化合物を原料として用いたＣＶＤ法において、フッ素を
含有するガスを供給すると、このフッ素及び、原料ガス
供給用の水素が反応に寄与し、不純物は気体として表面
から脱離する。従って基板との界面付近における不純物
濃度の上昇が抑制され、得られる銅配線は、低電気抵抗
で信頼性が高い。特に微細化された配線においてその効
果が大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特に
半導体集積回路に用いる銅配線及びその製造方法に関す
る。
半導体集積回路に用いる銅配線及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ等半導体集積回路装置はま
すます高密度化され、配線に関してもその細密化、微細
化が進んでいる。それに伴って、従来用いられてきたア
ルミニウム（Ａｌ）合金配線においては、エレクトロマ
イグレーションやストレスマイグレーション等の問題が
生じていた。そこで、アルミニウム（Ａｌ）合金配線に
比較してより高い信頼性を有し、かつ低抵抗である銅を
もちいた配線に注目が集まり、種々の研究開発がなされ
てきた。
すます高密度化され、配線に関してもその細密化、微細
化が進んでいる。それに伴って、従来用いられてきたア
ルミニウム（Ａｌ）合金配線においては、エレクトロマ
イグレーションやストレスマイグレーション等の問題が
生じていた。そこで、アルミニウム（Ａｌ）合金配線に
比較してより高い信頼性を有し、かつ低抵抗である銅を
もちいた配線に注目が集まり、種々の研究開発がなされ
てきた。
【０００３】例えば、銅の表面酸化や周囲のシリコン層
や酸化膜との反応を抑制して性能を維持するために、銅
配線の表面や基板との境界に高融点金属をコーティング
する方法がある。また、配線構造の微細化に関して、基
板に設けた溝中に配線を埋め込む構造が特開平７−２９
７１８６号において開示されている。
や酸化膜との反応を抑制して性能を維持するために、銅
配線の表面や基板との境界に高融点金属をコーティング
する方法がある。また、配線構造の微細化に関して、基
板に設けた溝中に配線を埋め込む構造が特開平７−２９
７１８６号において開示されている。
【０００４】このように微細な銅配線を形成するための
銅の堆積方法としてはスパッタ、メッキ、化学気相成長
（ＣＶＤ）等があるが、例えば前述の特開平７−２９７
１８６においてヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランを原料ガスとして用いて
いるように、有機銅化合物を原料としたＣＶＤ法を用い
ることが多い。この方法においては、下記の不均化反応
（１）によって銅が堆積する。 ２Ｃｕ(hfac)(tmvs)→Ｃｕ＋Ｃｕ(hfac)2 ＋(tmvs)2・・・（１） ここで(hfac)、(tmvs)はそれぞれヘキサフルオロアセチ
ルアセトン、トリメチルビニルシランを表す。この反応
では、図５（ａ）及び（ｂ）に示されるように、原料ガ
ス１１すなわち１価の銅化合物であるＣｕ(hfac)(tmvs)
の２分子が相互に電子をやり取りし、銅の価電状態を０
価と２価に分配して、０価の銅は金属として堆積し、
２価の銅と(hfac)は揮発性の分子であるＣｕ(hfac)2
を形成して表面から脱離し、(tmvs)は２個がくっつい
て同様に揮発性の分子となり脱離している。
銅の堆積方法としてはスパッタ、メッキ、化学気相成長
（ＣＶＤ）等があるが、例えば前述の特開平７−２９７
１８６においてヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランを原料ガスとして用いて
いるように、有機銅化合物を原料としたＣＶＤ法を用い
ることが多い。この方法においては、下記の不均化反応
（１）によって銅が堆積する。 ２Ｃｕ(hfac)(tmvs)→Ｃｕ＋Ｃｕ(hfac)2 ＋(tmvs)2・・・（１） ここで(hfac)、(tmvs)はそれぞれヘキサフルオロアセチ
ルアセトン、トリメチルビニルシランを表す。この反応
では、図５（ａ）及び（ｂ）に示されるように、原料ガ
ス１１すなわち１価の銅化合物であるＣｕ(hfac)(tmvs)
の２分子が相互に電子をやり取りし、銅の価電状態を０
価と２価に分配して、０価の銅は金属として堆積し、
２価の銅と(hfac)は揮発性の分子であるＣｕ(hfac)2
を形成して表面から脱離し、(tmvs)は２個がくっつい
て同様に揮発性の分子となり脱離している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、特に上記不
均化反応（１）の初期においては、副反応として(hfac)
の分解が起こりやすいことが知られている。この副反応
の影響については、Chemistry of Metal CVD（ＶＣＨ出
版、１９９４年）pp.273に次のように記載されている。
すなわち、図５（ｃ）に示されるように３７５Ｋ以上の
温度において、基板１０表面に吸着したヘキサフルオロ
アセチルアセトナ銅（Ｃｕ(hfac)）のhfac基は一部分解
し、その結果、分解生成物に起因する炭素、酸素、フッ
素などの不純物元素が堆積した銅の中に残存するという
ものである。
均化反応（１）の初期においては、副反応として(hfac)
の分解が起こりやすいことが知られている。この副反応
の影響については、Chemistry of Metal CVD（ＶＣＨ出
版、１９９４年）pp.273に次のように記載されている。
すなわち、図５（ｃ）に示されるように３７５Ｋ以上の
温度において、基板１０表面に吸着したヘキサフルオロ
アセチルアセトナ銅（Ｃｕ(hfac)）のhfac基は一部分解
し、その結果、分解生成物に起因する炭素、酸素、フッ
素などの不純物元素が堆積した銅の中に残存するという
ものである。
【０００６】このような不純物元素は堆積した銅の純度
を低下させ、その抵抗率を上昇させたり粒成長を阻害す
るなど、銅配線としての電気特性や信頼性を低下させる
要因となる。また、上記公知例特平７−２９７１８６号
に示された溝構造の配線等、微細化に配慮された配線に
おいて、配線の銅は極めて薄い膜状となる。このように
薄い銅膜の形成は、反応（１）初期すなわち上記副反応
が起こりやすい状況、下においてなされる。その結果、
堆積された銅の体積に占める不純物の割合が増加して銅
の純度が低下し、電気特性や信頼性を劣化させる原因と
なっていた。
を低下させ、その抵抗率を上昇させたり粒成長を阻害す
るなど、銅配線としての電気特性や信頼性を低下させる
要因となる。また、上記公知例特平７−２９７１８６号
に示された溝構造の配線等、微細化に配慮された配線に
おいて、配線の銅は極めて薄い膜状となる。このように
薄い銅膜の形成は、反応（１）初期すなわち上記副反応
が起こりやすい状況、下においてなされる。その結果、
堆積された銅の体積に占める不純物の割合が増加して銅
の純度が低下し、電気特性や信頼性を劣化させる原因と
なっていた。
【０００７】そこで本発明が解決しようとする課題は、
高純度で電気的特性に優れた銅薄膜の配線を提供するこ
とである。また、そのような銅配線を可能とする製造方
法を提供することである。
高純度で電気的特性に優れた銅薄膜の配線を提供するこ
とである。また、そのような銅配線を可能とする製造方
法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めの、本発明の銅配線は、炭素及びフッ素からなる基を
持つ有機銅化合物を原料として用いたＣＶＤ法におい
て、フッ素を含有するガスを少なくとも成膜初期におい
て原料と同時に供給して得られることを特徴とする。
めの、本発明の銅配線は、炭素及びフッ素からなる基を
持つ有機銅化合物を原料として用いたＣＶＤ法におい
て、フッ素を含有するガスを少なくとも成膜初期におい
て原料と同時に供給して得られることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の銅配線は、炭素及びフッ素
からなる基を持つ有機銅化合物を原料として用いたＣＶ
Ｄ法において、フッ素を含有するガスを少なくとも成膜
初期において原料と交互に供給して得られることを特徴
とする。
からなる基を持つ有機銅化合物を原料として用いたＣＶ
Ｄ法において、フッ素を含有するガスを少なくとも成膜
初期において原料と交互に供給して得られることを特徴
とする。
【００１０】また、本発明の銅配線は、有機銅化合物原
料としてヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）を
含む化合物を用いて得られることを特徴とする。
料としてヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）を
含む化合物を用いて得られることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の銅配線は、活性なフッ素を
含有するガスを供給して得られることを特徴とする。
含有するガスを供給して得られることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の銅配線は、フッ素を含有す
るガスとして、フッ化水素を供給して得られることを特
徴とする。
るガスとして、フッ化水素を供給して得られることを特
徴とする。
【００１３】また、本発明の銅配線は、フッ化水素を１
０〜２００ｓｃｃｍ供給して得られることを特徴とす
る。
０〜２００ｓｃｃｍ供給して得られることを特徴とす
る。
【００１４】また、本発明の銅配線の製造方法は、炭素
及びフッ素からなる基を持つ有機銅化合物を原料として
用いたＣＶＤ法であって、フッ素を含有するガスを少な
くとも成膜初期において原料と同時に供給することを特
徴とする。
及びフッ素からなる基を持つ有機銅化合物を原料として
用いたＣＶＤ法であって、フッ素を含有するガスを少な
くとも成膜初期において原料と同時に供給することを特
徴とする。
【００１５】また、本発明の銅配線の製造方法は、炭素
及びフッ素からなる基を持つ有機銅化合物を原料として
用いたＣＶＤ法であって、フッ素を含有するガスを少な
くとも成膜初期において原料と交互に供給することを特
徴とする。
及びフッ素からなる基を持つ有機銅化合物を原料として
用いたＣＶＤ法であって、フッ素を含有するガスを少な
くとも成膜初期において原料と交互に供給することを特
徴とする。
【００１６】また、本発明の銅配線の製造方法は、有機
銅化合物原料としてヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅（Ｉ）を含む化合物を用いることを特徴とする。
銅化合物原料としてヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅（Ｉ）を含む化合物を用いることを特徴とする。
【００１７】また、本発明の銅配線の製造方法は、活性
なフッ素を含有するガスを供給することを特徴とする。
なフッ素を含有するガスを供給することを特徴とする。
【００１８】また、本発明の銅配線の製造方法は、フッ
素を含有するガスとして、フッ化水素を供給することを
特徴とする。
素を含有するガスとして、フッ化水素を供給することを
特徴とする。
【００１９】また、本発明の銅配線の製造方法は、フッ
化水素を１０〜２００ｓｃｃｍ供給することを特徴とす
る。
化水素を１０〜２００ｓｃｃｍ供給することを特徴とす
る。
【００２０】本発明における作用原理について、ヘキサ
フルオロアセチルアセトナ銅（Ｉ）トリメチルビニルシ
ラン（Ｃｕ(hfac)(tmvc)）を用いたＣＶＤ法を例に、図
１に示すとともに以下に説明する。
フルオロアセチルアセトナ銅（Ｉ）トリメチルビニルシ
ラン（Ｃｕ(hfac)(tmvc)）を用いたＣＶＤ法を例に、図
１に示すとともに以下に説明する。
【００２１】従来の方法においては、前述の副反応すな
わち(hfac)が分解する反応により、Ｃ−ＣＯ基、ＣＦ3
基等が基板１０表面に吸着していると考えられる。これ
に対し、上記ＣＶＤ法において原料ガス１１と同時にフ
ッ素を含有するガスを供給すると、このフッ素及び、原
料ガス供給用の水素が反応に寄与する。すなわち、下記
（２）〜（４）に示す反応が起こる。 ＣＦ3 ＋Ｆ→ＣＦ4 ・・・（２） ＣＦ3 ＋Ｈ→ＣＨＦ3 ・・・（３） Ｃ−ＣＯ＋４Ｈ→ＣＨ4 ＋ＣＯ・・・（４） これらの反応生成物であるＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＨ4 、
ＣＯはいずれも揮発性の分子であって、気体として表面
から脱離する。従って、従来法における不純物の混入を
解消し、堆積した銅の純度を高め、銅配線の電気的特性
や信頼性を向上することが可能となる。
わち(hfac)が分解する反応により、Ｃ−ＣＯ基、ＣＦ3
基等が基板１０表面に吸着していると考えられる。これ
に対し、上記ＣＶＤ法において原料ガス１１と同時にフ
ッ素を含有するガスを供給すると、このフッ素及び、原
料ガス供給用の水素が反応に寄与する。すなわち、下記
（２）〜（４）に示す反応が起こる。 ＣＦ3 ＋Ｆ→ＣＦ4 ・・・（２） ＣＦ3 ＋Ｈ→ＣＨＦ3 ・・・（３） Ｃ−ＣＯ＋４Ｈ→ＣＨ4 ＋ＣＯ・・・（４） これらの反応生成物であるＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＨ4 、
ＣＯはいずれも揮発性の分子であって、気体として表面
から脱離する。従って、従来法における不純物の混入を
解消し、堆積した銅の純度を高め、銅配線の電気的特性
や信頼性を向上することが可能となる。
【００２２】また、フッ素と水素からなるフッ化水素ガ
スあるいはプラズマを用いると、図１（ｃ）に示される
ようにフッ化水素ガス１２の分解によって活性なフッ素
ラジカル１３、水素ラジカル１４が生じる。その結果、
上述（２）〜（４）の反応が起こりやすくなり、より一
層の効果を上げることが可能となる。
スあるいはプラズマを用いると、図１（ｃ）に示される
ようにフッ化水素ガス１２の分解によって活性なフッ素
ラジカル１３、水素ラジカル１４が生じる。その結果、
上述（２）〜（４）の反応が起こりやすくなり、より一
層の効果を上げることが可能となる。
【００２３】
【実施例】本発明について、以下実施例を用いて説明す
る。
る。
【００２４】図２は、本発明の銅配線を得るためのＣＶ
Ｄ装置の構造図である。ＣＶＤチャンバー２０内に基板
１０が保持されている。基板１０は、Ｓｉ基板状に酸
化シリコン膜を１μm 堆積し、通常のフォトリソグラ
フィー及びドライエッチング法を用いた加工により酸化
膜表面に深さ０．５μm の配線パターンの溝を形成し、
スパッタ法によってその上に５０ｎｍのＴｉＮ膜を堆
積させたものである。この基板１０をＣＶＤ温度である
２００℃に保持する。このときチャンバー２０内は、ポ
ンプ２１によって１０-7Ｔｏｒｒ台まで真空排気されて
いる。次に、液体原料（Ｃｕ(hfac)(tmvs)）２２を気化
気２３内で気化して原料ガス（Ｃｕ(hfac)(tmvs)）１１
とし、キャリアガスである水素ガス２４とともにチャン
バー２０内に導入する。液体原料２２の供給速度は０．
４ｇ／分であり、水素ガス２４の流量は２００ｓｃｃｍ
である。このときポンプ２１によって、チャンバー２０
内の圧力が１Ｔｏｒｒになるように調整する。さらに、
別系統よりフッ化水素（ＨＦ）ガス１２をチャンバー２
０内に導入する。フッ化水素ガス１２は、液体のフッ化
水素５０％溶液２５を入れた容器２６から、バルブ（ニ
ードルバルブ）２７を介してチャンバー２０に接続され
た配管２８から蒸気として導入される。フッ化水素ガス
１２の流量は４０ｓｃｃｍである。
Ｄ装置の構造図である。ＣＶＤチャンバー２０内に基板
１０が保持されている。基板１０は、Ｓｉ基板状に酸
化シリコン膜を１μm 堆積し、通常のフォトリソグラ
フィー及びドライエッチング法を用いた加工により酸化
膜表面に深さ０．５μm の配線パターンの溝を形成し、
スパッタ法によってその上に５０ｎｍのＴｉＮ膜を堆
積させたものである。この基板１０をＣＶＤ温度である
２００℃に保持する。このときチャンバー２０内は、ポ
ンプ２１によって１０-7Ｔｏｒｒ台まで真空排気されて
いる。次に、液体原料（Ｃｕ(hfac)(tmvs)）２２を気化
気２３内で気化して原料ガス（Ｃｕ(hfac)(tmvs)）１１
とし、キャリアガスである水素ガス２４とともにチャン
バー２０内に導入する。液体原料２２の供給速度は０．
４ｇ／分であり、水素ガス２４の流量は２００ｓｃｃｍ
である。このときポンプ２１によって、チャンバー２０
内の圧力が１Ｔｏｒｒになるように調整する。さらに、
別系統よりフッ化水素（ＨＦ）ガス１２をチャンバー２
０内に導入する。フッ化水素ガス１２は、液体のフッ化
水素５０％溶液２５を入れた容器２６から、バルブ（ニ
ードルバルブ）２７を介してチャンバー２０に接続され
た配管２８から蒸気として導入される。フッ化水素ガス
１２の流量は４０ｓｃｃｍである。
【００２５】上記の装置及び方法によって得られた銅配
線の銅膜中における不純物分布をＳＩＭＳ（２次イオン
質量分析法）で測定し、その結果を図３に示した。ま
た、比較例として、従来法すなわちフッ化水素ガスを供
給しない方法で得られた銅配線についても同様に測定
し、その結果を図４に示した。比較例の銅配線において
は、下地金属であるＴｉＮとの界面Ａ付近の不純物濃度
が高く、界面から離れるに従って濃度が減少していた。
これに対し、本発明の銅配線においてはＣ、Ｏ、Ｆいず
れの不純物濃度も比較例より低くなっており、特に界面
Ａ付近においてその差が顕著である。すなわち、本発明
においては、基板との界面付近の不純物の増加が抑制さ
れている。
線の銅膜中における不純物分布をＳＩＭＳ（２次イオン
質量分析法）で測定し、その結果を図３に示した。ま
た、比較例として、従来法すなわちフッ化水素ガスを供
給しない方法で得られた銅配線についても同様に測定
し、その結果を図４に示した。比較例の銅配線において
は、下地金属であるＴｉＮとの界面Ａ付近の不純物濃度
が高く、界面から離れるに従って濃度が減少していた。
これに対し、本発明の銅配線においてはＣ、Ｏ、Ｆいず
れの不純物濃度も比較例より低くなっており、特に界面
Ａ付近においてその差が顕著である。すなわち、本発明
においては、基板との界面付近の不純物の増加が抑制さ
れている。
【００２６】上記の、不純物の増加しやすい領域は、膜
厚にして５０ｎｍ程度である。従って、微細化に留意し
た配線、例えば溝構造の配線において、溝幅が０．２μ
m 程度になると、溝内に堆積された銅のうち半分近くが
不純物の多い領域となり、製品の性能保持上好ましくな
い。しかし、本発明の銅配線においては、界面付近の不
純物濃度を低下することが可能であり、製品特性の向上
効果が大きい。
厚にして５０ｎｍ程度である。従って、微細化に留意し
た配線、例えば溝構造の配線において、溝幅が０．２μ
m 程度になると、溝内に堆積された銅のうち半分近くが
不純物の多い領域となり、製品の性能保持上好ましくな
い。しかし、本発明の銅配線においては、界面付近の不
純物濃度を低下することが可能であり、製品特性の向上
効果が大きい。
【００２７】上記の実施例では、フッ化水素ガスの流量
を４０ｓｃｃｍとしたが、流量１０ｓｃｃｍ以上におい
て同様の効果が見られた。流量が増加するに従って銅中
の不純物は減少するが、２００ｓｃｃｍ以上では銅の膜
が白濁するという問題が生じた。従って、フッ化水素ガ
スの供給量は１０〜２００ｓｃｃｍとする。
を４０ｓｃｃｍとしたが、流量１０ｓｃｃｍ以上におい
て同様の効果が見られた。流量が増加するに従って銅中
の不純物は減少するが、２００ｓｃｃｍ以上では銅の膜
が白濁するという問題が生じた。従って、フッ化水素ガ
スの供給量は１０〜２００ｓｃｃｍとする。
【００２８】また、フッ化水素ガスの供給を最初の５分
間に限って行った場合においても同様に、界面付近の不
純物濃度は低下した。すなわち銅堆積反応継続中全般に
わたってではなく、少なくとも反応の初期においてフッ
化水素ガスを供給することによって、同様の効果が得ら
れる。
間に限って行った場合においても同様に、界面付近の不
純物濃度は低下した。すなわち銅堆積反応継続中全般に
わたってではなく、少なくとも反応の初期においてフッ
化水素ガスを供給することによって、同様の効果が得ら
れる。
【００２９】また、最初に原料ガスを１分間供給した
後、この供給を一次中断し、フッ化水素ガスを１００ｓ
ｃｃｍで３０秒間供給するというシーケンスを繰り返し
た場合にも不純物濃度は低下した。すなわちフッ化水素
ガスを原料ガスを交互に供給する場合にも、同時に供給
する場合と同様の効果が得られる。
後、この供給を一次中断し、フッ化水素ガスを１００ｓ
ｃｃｍで３０秒間供給するというシーケンスを繰り返し
た場合にも不純物濃度は低下した。すなわちフッ化水素
ガスを原料ガスを交互に供給する場合にも、同時に供給
する場合と同様の効果が得られる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板と
の界面付近における不純物濃度の上昇が抑制されるの
で、得られる銅配線は、低電気抵抗で信頼性が高い。ま
た、特に、微細化された配線においてその効果が大き
い。
の界面付近における不純物濃度の上昇が抑制されるの
で、得られる銅配線は、低電気抵抗で信頼性が高い。ま
た、特に、微細化された配線においてその効果が大き
い。
【図１】 本発明の作用原理を示す説明図である。
【図２】 本発明の一実施例に使用する装置の概略を示
す構成図である。
す構成図である。
【図３】 本発明の一実施例の結果を示す図である。
【図４】 従来法による比較例の結果を示す図である。
１０ 基板 １１ 原料ガス １２ フッ化水素ガス １３ フッ素ラジカル １４ 水素ラジカル ２０ チャンバー ２１ ポンプ ２２ 液体原料 ２３ 気化器 ２４ 水素ガス ２５ 液体フッ化水素 ２６ 液体容器 ２７ バルブ ２８ 配管
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年３月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の作用原理を示す説明図である。
【図２】 本発明の一実施例に使用する装置の概略を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図３】 本発明の一実施例の結果を示す図である。
【図４】 従来法による比較例の結果を示す図であ
る。
る。
【図５】 従来法の作用原理を示す説明図である。
【符号の説明】 １０ 基板 １１ 原料ガス １２ フッ化水素ガス １３ フッ素ラジカル １４ 水素ラジカル ２０ チャンバー ２１ ポンプ ２２ 液体原料 ２３ 気化器 ２４ 水素ガス ２５ 液体フッ化水素 ２６ 液体容器 ２７ バルブ ２８ 配管
Claims (12)
- 【請求項１】 炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅
化合物を原料として用いたＣＶＤ法において、フッ素を
含有するガスを少なくとも成膜初期において原料と同時
に供給して得られることを特徴とする銅配線。 - 【請求項２】 炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅
化合物を原料として用いたＣＶＤ法において、フッ素を
含有するガスを少なくとも成膜初期において原料と交互
に供給して得られることを特徴とする銅配線。 - 【請求項３】 有機銅化合物原料としてヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅（Ｉ）を含む化合物を用いて得ら
れることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅
配線。 - 【請求項４】 活性なフッ素を含有するガスを供給して
得られることを特徴とする請求項１から請求項３のいず
れか一に記載の銅配線。 - 【請求項５】 フッ素を含有するガスとして、フッ化水
素を供給して得られることを特徴とする請求項１から請
求項４のいずれか一に記載の銅配線。 - 【請求項６】 フッ化水素を１０〜２００ｓｃｃｍ供給
して得られることを特徴とする請求項１から請求項５の
いずれか一に記載の銅配線。 - 【請求項７】 炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅
化合物を原料として用いたＣＶＤ法であって、フッ素を
含有するガスを少なくとも成膜初期において原料と同時
に供給することを特徴とする銅配線の製造方法。 - 【請求項８】 炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅
化合物を原料として用いたＣＶＤ法であって、フッ素を
含有するガスを少なくとも成膜初期において原料と交互
に供給することを特徴とする銅配線の製造方法。 - 【請求項９】 有機銅化合物原料としてヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅（Ｉ）を含む化合物を用いること
を特徴とする請求項７又は請求項８に記載の銅配線の製
造方法。 - 【請求項１０】 活性なフッ素を含有するガスを供給す
ることを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか一
に記載の銅配線の製造方法。 - 【請求項１１】 フッ素を含有するガスとして、フッ化
水素を供給することを特徴とする請求項７から請求項１
０のいずれか一に記載の銅配線の製造方法。 - 【請求項１２】 フッ化水素を１０〜２００ｓｃｃｍ供
給することを特徴とする請求項７から請求項１１のいず
れか一に記載の銅配線の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP30116397A JP3189767B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 銅配線の製造方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057126A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP4680325B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2011-05-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜 |
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-
1997
- 1997-10-31 JP JP30116397A patent/JP3189767B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9441289B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-09-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity copper or high-purity copper alloy sputtering target, process for manufacturing the sputtering target, and high-purity copper or high-purity copper alloy sputtered film |
| US9476134B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-10-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High purity copper and method of producing high purity copper based on electrolysis |
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