JPH11127038A - 前置増幅回路 - Google Patents
前置増幅回路Info
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- JPH11127038A JPH11127038A JP9287288A JP28728897A JPH11127038A JP H11127038 A JPH11127038 A JP H11127038A JP 9287288 A JP9287288 A JP 9287288A JP 28728897 A JP28728897 A JP 28728897A JP H11127038 A JPH11127038 A JP H11127038A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
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- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光伝送システムに用いられる光受信器におい
て、大光入力時における受信回路の飽和動作を抑制し、
常に安定した受信動作が可能な前置増幅器。 【解決手段】 光―電流変換を行う光半導体と、光半導
体の光電流を入力とするコレクタに接続される第１の抵
抗器を持つ第１のトランジスタと、第１のトランジスタ
のコレクタとベースが接続された第２のトランジスタ
と、第２のトランジスタのエミッタに直列に接続するレ
ベルシフト回路と第２の抵抗器と、レベルシフト回路と
第２の抵抗器の間と第１のトランジスタのベースに接続
された帰還抵抗器と、第２のトランジスタのエミッタと
ベースが接続された出力段トランジスタと、出力段トラ
ンジスタのエミッタに接続された負荷抵抗器と、第１の
抵抗器に並列に接続の第２のダイオードから構成され、
変換された電流を電流−電圧変換し、変換された電圧信
号を出力する。
て、大光入力時における受信回路の飽和動作を抑制し、
常に安定した受信動作が可能な前置増幅器。 【解決手段】 光―電流変換を行う光半導体と、光半導
体の光電流を入力とするコレクタに接続される第１の抵
抗器を持つ第１のトランジスタと、第１のトランジスタ
のコレクタとベースが接続された第２のトランジスタ
と、第２のトランジスタのエミッタに直列に接続するレ
ベルシフト回路と第２の抵抗器と、レベルシフト回路と
第２の抵抗器の間と第１のトランジスタのベースに接続
された帰還抵抗器と、第２のトランジスタのエミッタと
ベースが接続された出力段トランジスタと、出力段トラ
ンジスタのエミッタに接続された負荷抵抗器と、第１の
抵抗器に並列に接続の第２のダイオードから構成され、
変換された電流を電流−電圧変換し、変換された電圧信
号を出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光伝送システムの光
受信器に関し、特に大光入力時における飽和動作を抑制
する前置増幅回路に関する。
受信器に関し、特に大光入力時における飽和動作を抑制
する前置増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光伝送システムにおける光受信器
に用いられる前置増幅回路は一般的に図６に示すような
回路構成であった。
に用いられる前置増幅回路は一般的に図６に示すような
回路構成であった。
【０００３】従来例の前置増幅回路では、入力された光
信号はフォトダイオードＤｐｈで光電流Ｉｐｈに変換さ
れる。変換された電流Ｉｐｈは帰還抵抗Ｒｆを経由して
トランジスタＴ１とＴ２で構成されるコアアンプに流れ
込み電流−電圧変換される。変換された電圧信号は、ト
ランジスタＴ３のエミッタから出力される。
信号はフォトダイオードＤｐｈで光電流Ｉｐｈに変換さ
れる。変換された電流Ｉｐｈは帰還抵抗Ｒｆを経由して
トランジスタＴ１とＴ２で構成されるコアアンプに流れ
込み電流−電圧変換される。変換された電圧信号は、ト
ランジスタＴ３のエミッタから出力される。
【０００４】従来の前置増幅回路では、次のような大入
力時に動作不良が起こるという欠点があった。すなわ
ち、光電流Ｉｐｈが増大すると帰還抵抗Ｒｆでの電圧降
下が大きくなり、ダイオードＤ３、抵抗Ｒ２、帰還抵抗
Ｒｆの接続点の電位がＶＥＥと同電位に近くなる。この
とき、トランジスタＴ１のコレクタ電流Ｉｃ１は増加す
る方向に動作する。このＩｃ１の増大により、抵抗Ｒ１
での電位降下でトランジスタＴ１のＶｃｅ電圧が飽和し
てしまうと、回路全体が正常な動作を行わなくなってし
まう。
力時に動作不良が起こるという欠点があった。すなわ
ち、光電流Ｉｐｈが増大すると帰還抵抗Ｒｆでの電圧降
下が大きくなり、ダイオードＤ３、抵抗Ｒ２、帰還抵抗
Ｒｆの接続点の電位がＶＥＥと同電位に近くなる。この
とき、トランジスタＴ１のコレクタ電流Ｉｃ１は増加す
る方向に動作する。このＩｃ１の増大により、抵抗Ｒ１
での電位降下でトランジスタＴ１のＶｃｅ電圧が飽和し
てしまうと、回路全体が正常な動作を行わなくなってし
まう。
【０００５】この飽和動作を回避する方法として、図７
に示す用に帰還抵抗Ｒｆと並列に電圧降下制限のための
ダイオードＤ４を接続する方法がある。この回路では、
光電流Ｉｐｈと帰還抵抗Ｒｆの電圧降下が Ｒｆ×Ｉｐ
ｈ＞Ｖｆ（Ｄ４）となった時点でダイオードＤ４の順方
向電圧が支配的となり降下電位はＶｆ（Ｄ４）で制限さ
れる。
に示す用に帰還抵抗Ｒｆと並列に電圧降下制限のための
ダイオードＤ４を接続する方法がある。この回路では、
光電流Ｉｐｈと帰還抵抗Ｒｆの電圧降下が Ｒｆ×Ｉｐ
ｈ＞Ｖｆ（Ｄ４）となった時点でダイオードＤ４の順方
向電圧が支配的となり降下電位はＶｆ（Ｄ４）で制限さ
れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示す回
路形式では次のような欠点がある。すなわち、この回路
では、大入力時の電圧降下が一定となるため、回路動作
上は等価的に帰還抵抗値Ｒｆが小さくなったと考えられ
る。このことが帰還回路の不安定な動作を招きやすくす
る。図８に本回路形式の周波数特性と、オープンループ
利得帯域特性と、コアアンプの無帰還利得帯域特性を示
す。図に示すように無帰還利得の１次ポールの周波数で
の利得余裕が帰還回路の安定性を示す１つの指標となる
が、等価的に帰還抵抗Ｒｆが小さくなった場合、オープ
ンループ利得の０クロス点がＡ／（２πＣｉｎＲｆ）に
従って高域側にシフトし、無帰還利得帯域の１次ポール
に接近し利得余裕が無くなり、非常に発振しやすい状態
となるという欠点があった。また、第１のトランジスタ
Ｔ１のベースに容量成分を付加することとなるため、前
置増幅回路としての帯域特性、雑音特性に関しても悪影
響を及ぼす。
路形式では次のような欠点がある。すなわち、この回路
では、大入力時の電圧降下が一定となるため、回路動作
上は等価的に帰還抵抗値Ｒｆが小さくなったと考えられ
る。このことが帰還回路の不安定な動作を招きやすくす
る。図８に本回路形式の周波数特性と、オープンループ
利得帯域特性と、コアアンプの無帰還利得帯域特性を示
す。図に示すように無帰還利得の１次ポールの周波数で
の利得余裕が帰還回路の安定性を示す１つの指標となる
が、等価的に帰還抵抗Ｒｆが小さくなった場合、オープ
ンループ利得の０クロス点がＡ／（２πＣｉｎＲｆ）に
従って高域側にシフトし、無帰還利得帯域の１次ポール
に接近し利得余裕が無くなり、非常に発振しやすい状態
となるという欠点があった。また、第１のトランジスタ
Ｔ１のベースに容量成分を付加することとなるため、前
置増幅回路としての帯域特性、雑音特性に関しても悪影
響を及ぼす。
【０００７】本発明の目的は、光伝送システムに用いら
れる光受信器において、大光入力時における受信回路の
飽和動作を抑制し、常に安定した受信動作が可能な前置
増幅回路を提供することである。
れる光受信器において、大光入力時における受信回路の
飽和動作を抑制し、常に安定した受信動作が可能な前置
増幅回路を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の前置増幅回路
は、光―電流変換を行う光半導体と、光半導体の光電流
を入力とするコレクタに接続される第１の抵抗器を持つ
第１のトランジスタと、第１のトランジスタのコレクタ
とベースが接続された第２のトランジスタと、第２のト
ランジスタのエミッタに直列に接続するレベルシフト回
路と第２の抵抗器と、レベルシフト回路と第２の抵抗器
の間と第１のトランジスタのベースに接続された帰還抵
抗器と、第２のトランジスタのエミッタとベースが接続
された出力段トランジスタと、出力段トランジスタのエ
ミッタに接続された負荷抵抗器とから構成され、変換さ
れた電流を電流−電圧変換し、変換された電圧信号を出
力する前置増幅回路において、さらに、第１の抵抗器に
並列に直列接続の複数の第２のダイオードを有すること
を特徴とする。
は、光―電流変換を行う光半導体と、光半導体の光電流
を入力とするコレクタに接続される第１の抵抗器を持つ
第１のトランジスタと、第１のトランジスタのコレクタ
とベースが接続された第２のトランジスタと、第２のト
ランジスタのエミッタに直列に接続するレベルシフト回
路と第２の抵抗器と、レベルシフト回路と第２の抵抗器
の間と第１のトランジスタのベースに接続された帰還抵
抗器と、第２のトランジスタのエミッタとベースが接続
された出力段トランジスタと、出力段トランジスタのエ
ミッタに接続された負荷抵抗器とから構成され、変換さ
れた電流を電流−電圧変換し、変換された電圧信号を出
力する前置増幅回路において、さらに、第１の抵抗器に
並列に直列接続の複数の第２のダイオードを有すること
を特徴とする。
【０００９】また、光半導体は、ピン−フォトダイオー
ドであっても良いし、アバランシェフォトダイオードで
あっても良い。
ドであっても良いし、アバランシェフォトダイオードで
あっても良い。
【００１０】また、レベルシフト回路は、第１のダイオ
ードであっても良いし、第３の抵抗器であっても良い。
ードであっても良いし、第３の抵抗器であっても良い。
【００１１】更に、前記トランジスタは、ＦＥＴトラン
ジスタであっても良い。
ジスタであっても良い。
【００１２】また、第１の抵抗器に並列に接続の第２の
ダイオードを有する前置増幅回路が、さらに、出力段ト
ランジスタのエミッタに接続された負荷抵抗器の他端に
コレクタが接続され、ベース同士が接続されているミラ
ー回路を形成する２個のトランジスタと、コレクタと電
源の間に可変抵抗器を有し、出力段トランジスタの電流
を制御し、駆動する負荷インピーダンスに併せて駆動能
力を可変することを特徴とする。
ダイオードを有する前置増幅回路が、さらに、出力段ト
ランジスタのエミッタに接続された負荷抵抗器の他端に
コレクタが接続され、ベース同士が接続されているミラ
ー回路を形成する２個のトランジスタと、コレクタと電
源の間に可変抵抗器を有し、出力段トランジスタの電流
を制御し、駆動する負荷インピーダンスに併せて駆動能
力を可変することを特徴とする。
【００１３】さらに、第１の抵抗器に並列に接続の第２
のダイオードを有する前置増幅回路が、さらに、出力段
トランジスタのエミッタに接続された負荷抵抗器の他端
にコレクタが接続され、ベース同士が接続されているミ
ラー回路を形成する２個のトランジスタと、コレクタと
電源の間に可変抵抗器と、２個のそれぞれがコレクタ負
荷とエミッタ負荷を有し、一方のトランジスタのベース
が出力段トランジスタのエミッタに接続され、他方のト
ランジスタのベースが基準電源に接続され、ミラー回路
に接続されて形成されているシングル−バランス変換回
路を出力段トランジスタに接続し、２系統の出力を得る
ことを特徴とする。
のダイオードを有する前置増幅回路が、さらに、出力段
トランジスタのエミッタに接続された負荷抵抗器の他端
にコレクタが接続され、ベース同士が接続されているミ
ラー回路を形成する２個のトランジスタと、コレクタと
電源の間に可変抵抗器と、２個のそれぞれがコレクタ負
荷とエミッタ負荷を有し、一方のトランジスタのベース
が出力段トランジスタのエミッタに接続され、他方のト
ランジスタのベースが基準電源に接続され、ミラー回路
に接続されて形成されているシングル−バランス変換回
路を出力段トランジスタに接続し、２系統の出力を得る
ことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を、図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の前置増幅回路の回路構成を
示す。Ｄｐｈは光―電流変換を行うピン−フォトダイオ
ードＰＩＮ−ＰＤまたはアバランシェフォトダイオード
ＡＰＤの光半導体を表す。
示す。Ｄｐｈは光―電流変換を行うピン−フォトダイオ
ードＰＩＮ−ＰＤまたはアバランシェフォトダイオード
ＡＰＤの光半導体を表す。
【００１６】コアアンプは第１のトランジスタＴ１と、
抵抗Ｒ１と、トランジスタＴ１と抵抗Ｒ１との間にベー
スを接続するトランジスタＴ２と、トランジスタＴ２の
エミッタに接続するレベルシフト回路Ｌ１と、抵抗Ｒ２
とから構成される。
抵抗Ｒ１と、トランジスタＴ１と抵抗Ｒ１との間にベー
スを接続するトランジスタＴ２と、トランジスタＴ２の
エミッタに接続するレベルシフト回路Ｌ１と、抵抗Ｒ２
とから構成される。
【００１７】出力回路は、トランジスタＴ２のエミッタ
にベースを接続するトランジスタＴ３と、トランジスタ
Ｔ３のエミッタに接続する抵抗Ｒ３とから構成されるエ
ミッタフォロア回路で構成される。
にベースを接続するトランジスタＴ３と、トランジスタ
Ｔ３のエミッタに接続する抵抗Ｒ３とから構成されるエ
ミッタフォロア回路で構成される。
【００１８】帰還抵抗Ｒｆは第１のトランジスタＴ１
と、レベルシフト回路Ｌ１と抵抗Ｒ２との間に接続され
ている。
と、レベルシフト回路Ｌ１と抵抗Ｒ２との間に接続され
ている。
【００１９】電源ＶＣＣ電位とトランジスタＴ１のコレ
クタ間には、大入力時の飽和動作を抑制するためのダイ
オードＤ１、Ｄ２が配置された構成となっている。
クタ間には、大入力時の飽和動作を抑制するためのダイ
オードＤ１、Ｄ２が配置された構成となっている。
【００２０】図１において、ダイオードＤ１、Ｄ２は、
大入力時のコレクタ電流Ｉｃ１の増大による電圧降下が
Ｉｃ１×Ｒ１＞Ｖｆ（Ｄ１）＋Ｖｆ（Ｄ２）になった時
点でＶｆ（Ｄ１）＋Ｖｆ（Ｄ２）に固定し、トランジス
タＴ１のＶｃｅが飽和することを抑制する。ダイオード
Ｄ１、Ｄ２は、大入力時のコレクタ電流Ｉｃ１の増大に
よる電圧降下の大きさによってその数が制限されるもの
ではない。すなわち、ダイオードは１個であっても良
く、あるいは３個であっても良く、さらには少なくとも
１個のダイオードと抵抗との組み合わせであっても良
い。また、レベルシフト回路Ｌ１はダイオードまたは抵
抗器により構成される。
大入力時のコレクタ電流Ｉｃ１の増大による電圧降下が
Ｉｃ１×Ｒ１＞Ｖｆ（Ｄ１）＋Ｖｆ（Ｄ２）になった時
点でＶｆ（Ｄ１）＋Ｖｆ（Ｄ２）に固定し、トランジス
タＴ１のＶｃｅが飽和することを抑制する。ダイオード
Ｄ１、Ｄ２は、大入力時のコレクタ電流Ｉｃ１の増大に
よる電圧降下の大きさによってその数が制限されるもの
ではない。すなわち、ダイオードは１個であっても良
く、あるいは３個であっても良く、さらには少なくとも
１個のダイオードと抵抗との組み合わせであっても良
い。また、レベルシフト回路Ｌ１はダイオードまたは抵
抗器により構成される。
【００２１】このようにして、大入力時にダイオードＤ
１、Ｄ２はトランジスタＴ１のコレクタ電位を一定に保
ちトランジスタＴ１のＶｃｅ電位を確保することによっ
て飽和動作を抑制できる。従って、大入力時の安定動作
を確保することが可能となる。
１、Ｄ２はトランジスタＴ１のコレクタ電位を一定に保
ちトランジスタＴ１のＶｃｅ電位を確保することによっ
て飽和動作を抑制できる。従って、大入力時の安定動作
を確保することが可能となる。
【００２２】次に、図１の前置増幅回路の動作について
説明する。
説明する。
【００２３】まず、入力された光信号はＤｐｈで光電流
Ｉｐｈに変換される。変換された電流Ｉｐｈは帰還抵抗
Ｒｆを経由してコアアンプに流れ込み電流−電圧変換さ
れる。変換された電圧信号は、トランジスタＴ３のエミ
ッタから出力される。本回路形式では、光電流Ｉｐｈが
小さい動作領域では、光電流Ｉｐｈと帰還抵抗Ｒｆでの
電位差がエミッタフォロア回路を経由して出力される。
Ｉｐｈに変換される。変換された電流Ｉｐｈは帰還抵抗
Ｒｆを経由してコアアンプに流れ込み電流−電圧変換さ
れる。変換された電圧信号は、トランジスタＴ３のエミ
ッタから出力される。本回路形式では、光電流Ｉｐｈが
小さい動作領域では、光電流Ｉｐｈと帰還抵抗Ｒｆでの
電位差がエミッタフォロア回路を経由して出力される。
【００２４】大入力時は、トランジスタＴ１のコレクタ
電流Ｉｃ１増大してＩｃ１×Ｒ１＞Ｖｆ（Ｄ１）＋Ｖｆ
（Ｄ２）になった時点で、トランジスタＴ１のコレクタ
電位はＶｆ（Ｄ１）＋Ｖｆ（Ｄ２）に固定される。この
ため、トランジスタＴ１のＶｃｅが一定に保たれ飽和せ
ずに安定に動作し、出力電位を一定に固定に保つことが
できる。
電流Ｉｃ１増大してＩｃ１×Ｒ１＞Ｖｆ（Ｄ１）＋Ｖｆ
（Ｄ２）になった時点で、トランジスタＴ１のコレクタ
電位はＶｆ（Ｄ１）＋Ｖｆ（Ｄ２）に固定される。この
ため、トランジスタＴ１のＶｃｅが一定に保たれ飽和せ
ずに安定に動作し、出力電位を一定に固定に保つことが
できる。
【００２５】またこのとき、帰還回路の安定性を示す利
得余裕が増大する方向に各特性が移行する。図２に本発
明の帰還回路の周波数特性と、オープンループ利得帯域
特性と、コアアンプの無帰還利得帯域特性を示す。大入
力動作時における本回路の動作は、図に示す無帰還利得
が縮小することと等価となる。従って、無帰還利得帯域
を示す１次ポールが高帯域側へ移行することとなる。ま
た、図に示すオープンループ利得帯域特性では、利得が
減少する側へ移行するためオープンループ利得の０クロ
ス点は低域側へ移行する。従って、帰還回路の安定性を
示す利得余裕は増大し、動作不良の懸念は、通常状態よ
り少なく、無くなっていく。
得余裕が増大する方向に各特性が移行する。図２に本発
明の帰還回路の周波数特性と、オープンループ利得帯域
特性と、コアアンプの無帰還利得帯域特性を示す。大入
力動作時における本回路の動作は、図に示す無帰還利得
が縮小することと等価となる。従って、無帰還利得帯域
を示す１次ポールが高帯域側へ移行することとなる。ま
た、図に示すオープンループ利得帯域特性では、利得が
減少する側へ移行するためオープンループ利得の０クロ
ス点は低域側へ移行する。従って、帰還回路の安定性を
示す利得余裕は増大し、動作不良の懸念は、通常状態よ
り少なく、無くなっていく。
【００２６】次に本発明の前置増幅回路の他の実施例に
ついて図面を参照して説明する。図３は、図１に示した
前置増幅回路において、ＦＥＴトランジスタを用いた場
合の実施例である。回路構成は図１のトランジスタをＦ
ＥＴトランジスタに置き換えた形になっており、その動
作は図１と同じなので省略する。なお、図３の例ではレ
ベルシフト回路Ｌ１がダイオードＤ３の場合を示してい
る。
ついて図面を参照して説明する。図３は、図１に示した
前置増幅回路において、ＦＥＴトランジスタを用いた場
合の実施例である。回路構成は図１のトランジスタをＦ
ＥＴトランジスタに置き換えた形になっており、その動
作は図１と同じなので省略する。なお、図３の例ではレ
ベルシフト回路Ｌ１がダイオードＤ３の場合を示してい
る。
【００２７】図４は、出力のエミッタフォロア回路の電
流をコントロールするためのカレントミラー回路を加え
たものである。回路構成は、図４に示すように、出力段
トランジスタＴ３のエミッタに接続された負荷抵抗器Ｒ
３の他端にコレクタが接続され、ベース同士が接続され
ているミラー回路を形成する２個のトランジスタＴ４、
Ｔ５と、トランジスタＴ５のコレクタと電源ＶＣＣの間
に可変抵抗器Ｒ４が図１の前置増幅回路に追加されてい
る。本前置増幅回路は、これによって駆動する負荷イン
ピーダンスに併せて駆動能力を可変にすることが可能と
なる。
流をコントロールするためのカレントミラー回路を加え
たものである。回路構成は、図４に示すように、出力段
トランジスタＴ３のエミッタに接続された負荷抵抗器Ｒ
３の他端にコレクタが接続され、ベース同士が接続され
ているミラー回路を形成する２個のトランジスタＴ４、
Ｔ５と、トランジスタＴ５のコレクタと電源ＶＣＣの間
に可変抵抗器Ｒ４が図１の前置増幅回路に追加されてい
る。本前置増幅回路は、これによって駆動する負荷イン
ピーダンスに併せて駆動能力を可変にすることが可能と
なる。
【００２８】図５は、出力のエミッタフォロア回路にシ
ングル−バランス変換回路を加えたものである。その回
路構成は、２個のトランジスタＴ６、Ｔ７と、コレクタ
に接続された抵抗Ｒ６、Ｒ８とエミッタに接続された抵
抗Ｒ５、Ｒ７が、一方のトランジスタＴ６のベースが出
力段トランジスタＴ３のエミッタに接続され、他方のト
ランジスタＴ７のベースが基準電源Ｖｒｅｆに接続さ
れ、抵抗Ｒ５、Ｒ７の他端がミラー回路に接続されて形
成されている。このシングル−バランス変換回路を出力
段トランジスタＴ３に接続し、これによって２系統の出
力を得ることが可能となる。
ングル−バランス変換回路を加えたものである。その回
路構成は、２個のトランジスタＴ６、Ｔ７と、コレクタ
に接続された抵抗Ｒ６、Ｒ８とエミッタに接続された抵
抗Ｒ５、Ｒ７が、一方のトランジスタＴ６のベースが出
力段トランジスタＴ３のエミッタに接続され、他方のト
ランジスタＴ７のベースが基準電源Ｖｒｅｆに接続さ
れ、抵抗Ｒ５、Ｒ７の他端がミラー回路に接続されて形
成されている。このシングル−バランス変換回路を出力
段トランジスタＴ３に接続し、これによって２系統の出
力を得ることが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
大入力時にダイオードＤ１、Ｄ２がトランジスタＴ１の
コレクタ電位を一定に保ちトランジスタＴ１のＶｃｅ電
位を確保することによって飽和動作を抑制でき、以下に
記載するような効果がある。
大入力時にダイオードＤ１、Ｄ２がトランジスタＴ１の
コレクタ電位を一定に保ちトランジスタＴ１のＶｃｅ電
位を確保することによって飽和動作を抑制でき、以下に
記載するような効果がある。
【００３０】（１）大入力時の出力電位をダイオードＤ
１、Ｄ２により一定電位に保つことができ出力振幅を一
定に保つことができる。
１、Ｄ２により一定電位に保つことができ出力振幅を一
定に保つことができる。
【００３１】（２）大入力時の動作は、コアアンプの利
得を低下させる動作となるため、コアアンプ帯域は伸張
し、トランスインピーダンス利得帯域は低下するため各
々のポールは離れていくこととなり、帰還回路としての
安定性が増大する。
得を低下させる動作となるため、コアアンプ帯域は伸張
し、トランスインピーダンス利得帯域は低下するため各
々のポールは離れていくこととなり、帰還回路としての
安定性が増大する。
【００３２】（３）２に示す動作のため、通常動作の安
定性のみを考慮するだけで安定な回路が実現できるた
め、帰還回路の設計が容易となる。
定性のみを考慮するだけで安定な回路が実現できるた
め、帰還回路の設計が容易となる。
【図１】本発明の前置増幅回路の一実施例の構成を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の前置増幅回路の一実施例の周波数特性
と、オープンループ利得帯域特性と、コアアンプの無帰
還利得帯域特性を示す図である。
と、オープンループ利得帯域特性と、コアアンプの無帰
還利得帯域特性を示す図である。
【図３】図１に示した前置増幅回路において、ＦＥＴト
ランジスタを用いた場合の実施例の構成を示す図であ
る。
ランジスタを用いた場合の実施例の構成を示す図であ
る。
【図４】出力のエミッタフォロア回路の電流をコントロ
ールするためのカレントミラー回路を加えた場合の実施
例の構成を示す図である。
ールするためのカレントミラー回路を加えた場合の実施
例の構成を示す図である。
【図５】出力のエミッタフォロア回路にシングル−バラ
ンス変換回路を加えた場合の実施例の構成を示す図であ
る。
ンス変換回路を加えた場合の実施例の構成を示す図であ
る。
【図６】従来の前置増幅回路の回路構成を示す図であ
る。
る。
【図７】図６の前置増幅回路の帰還抵抗Ｒｆと並列に電
圧降下制限のためのダイオードＤ４を接続した前置増幅
回路の回路構成を示す図である。
圧降下制限のためのダイオードＤ４を接続した前置増幅
回路の回路構成を示す図である。
【図８】従来の改良された図７の前置増幅回路の周波数
特性と、オープンループ利得帯域特性と、コアアンプの
無帰還利得帯域特性を示す図である。
特性と、オープンループ利得帯域特性と、コアアンプの
無帰還利得帯域特性を示す図である。
Ｔ１〜Ｔ７ トランジスタ Ｄ１〜Ｄ３ ダイオード Ｒ１〜Ｒ７ 抵抗 Ｒｆ 帰還抵抗 Ｌ１ レベルシフト回路 Ｄｐｈ フォトダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/04 10/06
Claims (8)
- 【請求項１】 光―電流変換を行う光半導体と、前記光
半導体の光電流を入力とするコレクタに接続される第１
の抵抗器を持つ第１のトランジスタと、前記第１のトラ
ンジスタのコレクタとベースが接続された第２のトラン
ジスタと、前記第２のトランジスタのエミッタに直列に
接続するレベルシフト回路と第２の抵抗器と、前記レベ
ルシフト回路と第２の抵抗器の間と第１のトランジスタ
のベースに接続された帰還抵抗器と、前記第２のトラン
ジスタのエミッタとベースが接続された出力段トランジ
スタと、前記出力段トランジスタのエミッタに接続され
た負荷抵抗器とから構成され、変換された電流を電流−
電圧変換し、変換された電圧信号を出力する前置増幅回
路において、 さらに、前記第１の抵抗器に並列に接続の第２のダイオ
ードを有することを特徴とする前置増幅回路。 - 【請求項２】 前記光半導体が、 ピン−フォトダイオードである請求項１記載の前置増幅
回路。 - 【請求項３】 前記光半導体が、 アバランシェフォトダイオードである請求項１記載の前
置増幅回路。 - 【請求項４】 前記レベルシフト回路が、 第１のダイオードである請求項１記載の前置増幅回路。
- 【請求項５】 前記レベルシフト回路が、 第３の抵抗器である請求項１記載の前置増幅回路。
- 【請求項６】 前記トランジスタが、 ＦＥＴトランジスタである請求項１記載の前置増幅回
路。 - 【請求項７】 さらに、前記第１の抵抗器に並列に接続
の第２のダイオードを有する前記前置増幅回路が、 さらに、前記出力段トランジスタのエミッタに接続され
た負荷抵抗器の他端にコレクタが接続され、ベース同士
が接続されているミラー回路を形成する２個のトランジ
スタと、コレクタと電源の間に可変抵抗器を有し、前記
出力段トランジスタの電流を制御し、駆動する負荷イン
ピーダンスに併せて駆動能力を可変することを特徴とす
る請求項１記載の前置増幅回路。 - 【請求項８】 さらに、前記第１の抵抗器に並列に接続
の第２のダイオードを有する前記前置増幅回路が、 さらに、前記出力段トランジスタのエミッタに接続され
た負荷抵抗器の他端にコレクタが接続され、ベース同士
が接続されているミラー回路を形成する２個のトランジ
スタと、コレクタと電源の間に可変抵抗器と、 ２個のそれぞれがコレクタ負荷とエミッタ負荷を有し、
一方のトランジスタのベースが出力段トランジスタのエ
ミッタに接続され、他方のトランジスタのベースが基準
電源に接続され、前記ミラー回路に接続されて形成され
ているシングル−バランス変換回路を出力段トランジス
タに接続し、２系統の出力を得ることを特徴とする請求
項１記載の前置増幅回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9287288A JPH11127038A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 前置増幅回路 |
| EP98119378A EP0911964A1 (en) | 1997-10-20 | 1998-10-14 | Optical receiver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9287288A JPH11127038A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 前置増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11127038A true JPH11127038A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17715457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9287288A Pending JPH11127038A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 前置増幅回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0911964A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11127038A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013098801A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 受光レベル取得装置、光受信器、光通信システム、受光レベル取得方法及びプログラム |
| JP2016052016A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 株式会社東芝 | 光受信回路および光結合装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004026401A1 (de) | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Paul Scherrer Institut | Anordnung zur durchführung einer protonentherapie |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2653018B2 (ja) * | 1993-11-24 | 1997-09-10 | 日本電気株式会社 | トランスインピーダンス形増幅回路 |
-
1997
- 1997-10-20 JP JP9287288A patent/JPH11127038A/ja active Pending
-
1998
- 1998-10-14 EP EP98119378A patent/EP0911964A1/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013098801A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 受光レベル取得装置、光受信器、光通信システム、受光レベル取得方法及びプログラム |
| JP2016052016A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 株式会社東芝 | 光受信回路および光結合装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0911964A1 (en) | 1999-04-28 |
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