JPH11122531A - 赤外線撮像素子 - Google Patents

赤外線撮像素子

Info

Publication number
JPH11122531A
JPH11122531A JP9282070A JP28207097A JPH11122531A JP H11122531 A JPH11122531 A JP H11122531A JP 9282070 A JP9282070 A JP 9282070A JP 28207097 A JP28207097 A JP 28207097A JP H11122531 A JPH11122531 A JP H11122531A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
silicon chip
infrared
array
image pickup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9282070A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoki Oyama
直樹 大山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP9282070A priority Critical patent/JPH11122531A/ja
Publication of JPH11122531A publication Critical patent/JPH11122531A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】撮像素子シリコンチップに対する赤外レンズシ
リコンチップの位置決めを容易にし、熱型の撮像素子に
も適用可能とする。 【解決手段】赤外線を検出して赤外画像を撮像する撮像
素子アレイ4が一主面に設けられ、かつ撮像素子アレイ
4が設けられた面側に複数のアライメント用凹構造7が
形成された撮像素子シリコンチップ1と、撮像素子アレ
イ4に対応する赤外レンズアレイ5が設けられ、かつア
ライメント用凹構造7に対応する複数のアライメント用
凸構造6が形成された赤外レンズシリコンチップ2とを
具備してなり、アライメント用凹構造7とアライメント
用凸構造6をはめ込んだ状態で、撮像素子アレイ4と赤
外レンズアレイ5が所定の間隙を挟んで固定され、かつ
位置合わせされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線カメラに用
いられる赤外線撮像素子に係わり、特に撮像素子チップ
と赤外レンズチップの位置合わせ機構を有する赤外線撮
像素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、赤外線撮像素子において、赤外レ
ンズシリコンチップを撮像素子シリコンチップ上に固定
することにより、撮像素子アレイの個々の素子の開口率
を高めて素子感度の向上を図っている。
【0003】図3は、従来の赤外線撮像素子の全体構成
を示す図である。図3に示すように、従来の撮像素子は
撮像素子シリコンチップ1と赤外レンズシリコンチップ
2から構成される。撮像素子シリコンチップ1のチップ
表面には赤外線受感素子をアレイ状にした撮像素子アレ
イ4があり、この撮像素子アレイ4に結像した赤外画像
を電気信号に変換する。
【0004】また、この撮像素子アレイ4の個々の素子
の開口率を高めて素子感度を向上するため、赤外レンズ
アレイ5が上面に形成された赤外レンズシリコンチップ
2が撮像素子シリコンチップ1上に固定して設けてあ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の赤外線撮像
素子では、赤外レンズシリコンチップ2を撮像素子シリ
コンチップ1上に固定する際に、赤外レンズシリコンチ
ップ2が可視光では不透明である。従って、この撮像素
子シリコンチップ1に対する位置決めをするのにアライ
メントマーク3と赤外レンズシリコンチップ2の外枠等
を利用している。しかしながら、この位置決め機構によ
り精度良く赤外レンズシリコンチップ2を撮像素子シリ
コンチップ1に固定するには手間を要する。
【0006】また、この従来の赤外線撮像素子の構成で
は赤外レンズシリコンチップ2の下面と撮像素子アレイ
4が形成してある撮像素子シリコンチップ1の上面は密
着することになる。このチップ1及び2が密着する構造
は、受感原理が量子型でない熱型の撮像素子に対しては
用いることができないという問題がある。
【0007】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、撮像素子チップ
に対する赤外レンズチップの位置決めを容易にし、受感
原理が量子型でない熱型の場合にも適用できる赤外線撮
像素子を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る赤外線撮像
素子は、赤外線を検出して赤外画像を撮像する撮像素子
アレイが一主面に設けられ、かつ該アレイが設けられた
面側に複数のアライメント用凹部が形成された撮像素子
チップと、前記撮像素子アレイに対応する赤外レンズア
レイが設けられ、かつ前記アライメント用凹部に対応す
る複数のアライメント用凸部が形成された赤外レンズチ
ップとを具備してなり、前記アライメント用凹部と前記
アライメント用凸部をはめ込んだ状態で、前記撮像素子
アレイと赤外レンズアレイが所定の間隙を挟んで固定さ
れ、かつ位置合わせされることを特徴とする。
【0009】本発明の望ましい形態は、以下に示す通り
である。 (1)撮像素子チップに設けられた凹部は、その凹部を
チップ表面に平行に切った断面積が深部にいくにつれて
小さくなる構造であり、赤外レンズチップに設けられた
凸部は、その凸部をチップ表面に平行に切った断面積が
凸部先端にいくにつれて小さくなる構造であり、凸構造
は凹構造よりも大きい。 (2)撮像素子チップに設けられた凹構造と赤外レンズ
チップに設けられた凸構造は相似形をなす。 (3)凹部は、撮像素子チップの四隅にそれぞれ4個設
けられる。 (4)撮像素子チップには赤外レンズチップの外枠に対
応して設けられたアライメントマークが設けられてい
る。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の一実施形態を説明する。図1(a)は本発明の一実施
形態に係る赤外線撮像素子の全体構成を示す斜視図であ
り、図1(b)は図1(a)中のA−A’断面図であ
る。図1(a)に示すように、この赤外線撮像素子は撮
像素子シリコンチップ1と赤外レンズシリコンチップ2
から構成される。撮像素子シリコンチップ1の表面には
赤外線受感素子をアレイ状にした撮像素子アレイ4が設
けられ、この撮像素子アレイ4に結像した赤外画像を電
気信号に変換する。
【0011】また、この撮像素子アレイ4の個々の素子
の開口率を高めて素子感度を向上するため、赤外レンズ
アレイ5を上面に形成した赤外レンズシリコンチップ2
が撮像素子シリコンチップ1上に固定される。
【0012】この赤外レンズシリコンチップ2を撮像素
子シリコンチップ1に固定し、撮像素子アレイ4と赤外
レンズアレイ5の位置決めを行うために、以下に示す2
つの位置決め機構が設けられている。
【0013】第1の位置決め機構として、撮像素子シリ
コンチップ1の四隅付近にアライメントマーク3が設け
られる。このアライメントマーク3は、赤外レンズシリ
コンチップ2の領域と同じ大きさの領域を撮像素子シリ
コンチップ1上に位置決めするもので、赤外レンズシリ
コンチップ2の領域の外枠が位置決めの基準となる。す
なわち、このアライメントマーク3に赤外レンズシリコ
ンチップ2の外枠を合わせることにより位置決めが行わ
れる。なお、この第1の位置決め機構は、おおよその位
置決めを行うのに用いられる。
【0014】また、第2の位置決め機構として、撮像素
子シリコンチップ1の上面の四隅付近にアライメント用
凹構造7が設けられ、一方赤外レンズシリコンチップ2
の下面には、アライメント用凹構造7に対応してアライ
メント用凸構造6が設けられている。図1(a)に示す
ように、これらアライメント用凹構造7とアライメント
用凸構造6によりアライメント用はめ込み構造8が実現
される。
【0015】また、図1(b)に示すようにアライメン
ト用凹構造7は逆ピラミッド型であり、これに対してア
ライメント用凸構造6は凹構造7よりも大きなピラミッ
ド型であり、凹構造7の凹部と凸構造6の凸部は相似形
をなす。
【0016】アライメント用凹構造7にアライメント用
凸構造6が四隅についてそれぞれはめ合わされることに
より位置決めが行われる。アライメント用凹構造7は通
常のシリコン異方性エッチングにより逆ピラミッド型の
凹構造として形成される。
【0017】次に、このアライメント用凸構造6の形成
工程を説明する。図2は、赤外レンズシリコンチップ2
におけるアライメント用凸構造6の形成工程を示す断面
図である。まず、赤外レンズアレイを上面側に形成した
シリコンチップ21を用意し(a)、このシリコンチッ
プ21の両面に熱酸化等によりシリコン酸化膜22を形
成する(b)。さらにフォトリソグラフィ技術を適用し
て凸構造として残したい領域に例えばボロンイオン23
を注入する(c)。さらにこの領域以外の下面のシリコ
ン酸化膜をフォトリソグラフィ技術を適用して除去する
(d)。
【0018】残った酸化膜をマスク材としてシリコン異
方性エッチングを行い、ピラミッド型の凸構造を形成す
る(e)。この際ボロンイオン23注入をした領域はエ
ッチングストッパとして働く。最後に、(b)で凸構造
が形成されない側に形成され、赤外線に対して不透明な
シリコン酸化膜を除去する(f)。
【0019】上記実施形態に係る赤外線撮像素子の動作
を説明する。まず、第1の位置決め機構であるアライメ
ントマーク3を用いて位置決めが行われる。すなわち、
載置された撮像素子シリコンチップ1上の所定の位置に
赤外レンズシリコンチップ2を載置する。この際に、撮
像素子シリコンチップ1上に設けられたアライメントマ
ーク3に赤外レンズシリコンチップ2の外枠を合わせる
ようにしておおよその位置決めを行う。
【0020】第1の位置決め機構による位置決めが行わ
れた後、さらに高精度の位置決めを行うため、第2の位
置決め機構による位置決めが行われる。すなわち、撮像
素子シリコンチップ1の四隅付近に設けられたアライメ
ント用凹構造7に赤外レンズシリコンチップ2に設けら
れたアライメント用凸構造6をはめ合わせる。
【0021】この凹構造7への凸構造6のはめ合わせに
おいて、前述したとおり凹構造7は逆ピラミッド型であ
り、凸構造6は凹構造7よりも大きなピラミッド型であ
り、これら凹部と凸部は相似形をなす。また、凸構造6
は図2で示した構造形成工程を適用することにより、精
度の高い凸構造6が形成される。従って、図1(b)に
示すように、撮像素子シリコンチップ1の上面と赤外レ
ンズシリコンチップ2の下面の間に任意に精度良く間隙
を形成することができる。これにより、撮像素子シリコ
ンチップ1と赤外レンズシリコンチップ2は密着せず、
受感原理が熱型の場合にも適用することができる。
【0022】このように、可視光では不透明な赤外レン
ズシリコンチップ2であっても、おおよその位置決めを
第1の位置決め機構であるアライメントマーク3と赤外
レンズシリコンチップ2の外枠で行い、その後の高精度
の位置決めは、第2の位置決め機構であるアライメント
用凸構造6とアライメント用凹構造7のはめ合わせで行
うことができる。
【0023】また、アライメント用凸構造6とアライメ
ント用凹構造7は、図2において示したようにいずれも
超微細半導体プロセス技術により形成されたものなので
高い位置決め精度が得られる。
【0024】なお、本実施形態においてはアライメント
用凹構造と凸構造が逆ピラミッド型及びピラミッド型で
ある場合を示したが、例えば三角錐、円錐型等、凹構造
と凸構造で複数箇所において固定されることにより位置
合わせがなされ、かつ赤外レンズシリコンチップと撮像
素子シリコンチップ間に間隙が形成されるものであれば
いかなる形状の凹構造・凸構造であっても適用可能であ
ることは勿論である。また、第1の位置決め機構を有し
ない場合であっても第2の位置決め機構を有するもので
あれば、本発明を適用可能であることは勿論である。ま
た、各構成要素の材質は上述したものに限定されず、凸
部と凹部を微細に形成できるものであれば、撮像素子シ
リコンチップと赤外レンズシリコンチップは他のチップ
であってもよい。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る赤外線
撮像素子によれば、撮像素子アレイが設けられた面側に
複数のアライメント用凹部が形成された撮像素子チップ
と、撮像素子アレイに対応する赤外レンズアレイが設け
られ、アライメント用凹部に対応する複数のアライメン
ト用凸部が形成された赤外レンズチップとを具備し、ア
ライメント用凹部とアライメント用凸部をはめ込んだ状
態で、撮像素子アレイと赤外レンズアレイが所定の間隙
を挟んで固定され、位置合わせされるため、撮像素子ア
レイに対する赤外レンズアレイの位置決めが容易にな
り、受感原理が量子型でなく熱型の場合にも適用が可能
となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る赤外線撮像素子の全
体構成を示す斜視図及び要部を示す断面図。
【図2】同実施形態における赤外線撮像素子の形成工程
を示す断面図。
【図3】従来の赤外線撮像素子の全体構成を示す斜視
図。
【符号の説明】
1 撮像素子シリコンチップ 2 赤外レンズシリコンチップ 3 アライメントマーク 4 撮像素子アレイ 5 赤外レンズアレイ 6 アライメント用凸構造 7 アライメント用凹構造 8 アライメント用はめ込み構造 21 シリコンチップ 22 シリコン酸化膜 23 ボロンイオン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 赤外線を検出して赤外画像を撮像する撮
    像素子アレイが一主面に設けられ、かつ該アレイが設け
    られた面側に複数のアライメント用凹部が形成された撮
    像素子チップと、 前記撮像素子アレイに対応する赤外レンズアレイが設け
    られ、かつ前記アライメント用凹部に対応する複数のア
    ライメント用凸部が形成された赤外レンズチップとを具
    備してなり、 前記アライメント用凹部と前記アライメント用凸部をは
    め込んだ状態で、前記撮像素子アレイと赤外レンズアレ
    イが所定の間隙を挟んで固定され、かつ位置合わせされ
    ることを特徴とする赤外線撮像素子。
JP9282070A 1997-10-15 1997-10-15 赤外線撮像素子 Withdrawn JPH11122531A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9282070A JPH11122531A (ja) 1997-10-15 1997-10-15 赤外線撮像素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9282070A JPH11122531A (ja) 1997-10-15 1997-10-15 赤外線撮像素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11122531A true JPH11122531A (ja) 1999-04-30

Family

ID=17647752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9282070A Withdrawn JPH11122531A (ja) 1997-10-15 1997-10-15 赤外線撮像素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11122531A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012013661A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Toshiba Corp 赤外線撮像素子及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012013661A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Toshiba Corp 赤外線撮像素子及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0511535Y2 (ja)
US7640653B2 (en) Attaching device
TWI488499B (zh) 光敏感器件的透鏡校準之方法,裝置及實施其之系統
US5075201A (en) Method for aligning high density infrared detector arrays
EP0091233A3 (en) Auto focus alignment and measurement system and method
CN105870142A (zh) 光学指纹识别装置的形成方法
JP2016025164A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
TW202145494A (zh) 積體晶片、晶圓結合的方法以及在晶圓上形成標記的方法
US4588899A (en) Alignment method
TW503467B (en) Camera and the manufacturing method thereof, exposure device using the same, measurement device, alignment device and aberration measurement device
JPH03165569A (ja) 画像伝送素子及びその製造方法
JPH11122531A (ja) 赤外線撮像素子
JPH01270362A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP4017908B2 (ja) カメラ
US20120026486A1 (en) Non-contacting aligning method for planes in three-dimensional environment
JP3328975B2 (ja) 半導体ウェーハ
JP3664028B2 (ja) 撮像装置
JP4154061B2 (ja) 測距装置
JP2740898B2 (ja) X線露光マスクとその製造方法
JPH0650993Y2 (ja) 半導体パッケージ装置
US6118128A (en) Alignment mark for electron beam lithography
JP2001033237A (ja) 光学検知装置
JPH0824353B2 (ja) 固体撮像装置の位置合わせ方法
US7088383B2 (en) Method of registering a molded lenslet array with an array of light emitting elements
JPH10239050A (ja) 測距装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050104