JPH11122013A

JPH11122013A - 遅延線装置

Info

Publication number: JPH11122013A
Application number: JP29184597A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Yasukawa; 芳行安川; Kenji Endo; 謙二遠藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1997-10-09
Filing date: 1997-10-09
Publication date: 1999-04-30

Abstract

(57)【要約】【課題】全体の寸法を大幅に小さくできる遅延線装置
を提供する。【解決手段】一端を反射端として構成した、遅延線を
構成する伝送線と、この伝送線の他端に接続された非可
逆回路素子とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話の基地局
等に使用される高周波の低歪み電力増幅器に使用される
遅延線装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話等の基地局においては、終段の
増幅器が複数の回線の振幅変調又は周波数変調された信
号を同時に増幅し空中線に供給することが要求される。
しかしながら、携帯電話の基地局等で使用される増幅器
のように大電力を出力することを要求される増幅器にお
いては、トランジスタ等の能動素子が有する非線形特性
の影響を受けるため、３次相互変調歪等（以下ＩＭＤと
略す）が発生し不要輻射を生じるため、何らかの線形化
処理が必要となる。

【０００３】このＩＭＤを防止するために、図１に示す
ようなフィードフォワード方式（以下ＦＦ方式と略す）
の増幅器が使用されている（特開平６−２２４６５０号
公報）。

【０００４】同図において、１０は増幅すべき高周波信
号の入力される入力端子、１１は入力端子１０に接続さ
れた第１の方向性結合器、１２は第１の方向性結合器１
１の出力に接続された主増幅器、１３は同じく第１の方
向性結合器１１の出力に接続された第１の遅延線装置、
１４は主増幅器１２の出力に接続された第２の方向性結
合器、１５は第１の遅延線装置１３及び第２の方向性結
合器１４の出力に接続された第３の方向性結合器、１６
は第３の方向性結合器１５の出力に接続された誤差増幅
器、１７は第２の方向性結合器１４の出力に接続された
第２の遅延線装置、１８は誤差増幅器１６及び第２の遅
延線装置１７の出力に接続された第４の方向性結合器、
１９は第４の方向性結合器１８の出力に接続された出力
端子をそれぞれ示している。

【０００５】同図からも明らかのように、ＦＦ方式で
は、入力端子１０を介して入力された高周波信号を第１
の方向性結合器１１によって２分配して一方を主増幅器
１２で増幅する。この主増幅器１２では、図１に示すよ
うに、主信号に付随してＩＭＤ（歪信号）が発生してい
る。第１の方向性結合器１１によって分配された他方の
入力信号は、主増幅器１２と同じだけの遅延特性を持た
せた第１の遅延線装置１３を通過する。この第１の遅延
線装置１３の出力信号と、第２の方向性結合器１４によ
り主増幅器１２の出力の一部を分配し図示しないレベル
調整器及び位相調整器によってレベル調整及び位相調整
した信号とを第３の方向性結合器１５において位相を反
転して合成することにより、本来の信号成分（主信号）
は互いに打ち消し合い、ＩＭＤ成分（歪信号）のみを得
ることができる。次にこのＩＭＤ成分を主増幅器１２が
発生しているレベルに見合うまで誤差増幅器１６で増幅
する。

【０００６】一方、主増幅器１２の出力信号は、誤差増
幅器１６と同じだけの遅延特性を持たせた第２の遅延線
装置１７を通過させ、第４の方向性結合器１８において
誤差増幅器１６から出力されたＩＭＤ成分の信号を位相
を反転させて合成する。その結果、ＩＭＤ成分が互いに
打ち消し合い、本来の希望する信号のみが出力端子１９
から出力される。このように構成することにより、歪特
性の大変良好な増幅器を得ることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この種の増幅器には、
以下のごとき問題が従来より存在していた。

【０００８】（１）増幅器補償用の遅延線装置として数
１０ｎｓｅｃの遅延時間が通常要求されるが、遅延線装
置に同軸線路型の遅延線素子を使用する場合、数１０ｎ
ｓｅｃの遅延時間を得るためには、数メートルの同軸ケ
ーブルが必要となり、形状が非常に大きくなる。また、
小型化のために細い同軸ケーブルを使用すると、損失が
著しく大きくなってしまう。

【０００９】（２）共振器を組み合わせたフィルタを遅
延線装置に使用する場合、数１０ｎｓｅｃの遅延時間を
得るためには、１０段又はそれ以上の段数の共振器が必
要となり、損失が大きくなることはもとより組立工数が
増大してしまい、さらに、特性の調整が困難を極めるこ
ととなる。

【００１０】（３）マイクロストリップラインを遅延素
子として使用する場合、ライン幅方向の両端部にエネル
ギーが集中するため、損失が非常に大きくなってしま
う。

【００１１】（４）電力増幅器内の主増幅器及び誤差増
幅器は個々に周波数特性上のばらつきを有しているが、
ＩＭＤを完全に除去するためには個々の増幅器毎にこの
ばらつきを修正する必要がある。このためには、主増幅
器及び誤差増幅器と遅延線装置とを組みあげた後に、主
増幅器及び誤差増幅器の周波数特性を調整することが要
求され、これは製造工程を著しく煩雑にする。

【００１２】従って本発明は、従来技術の上述した問題
点を解消するものであり、その目的は、全体の寸法を大
幅に小さくできる遅延線装置を提供することにある。

【００１３】本発明の他の目的は、電力増幅器内の主増
幅器及び誤差増幅器の個々の特性上のばらつきを容易に
修正可能な遅延線装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一端を
反射端として構成した、遅延線を構成する伝送線と、こ
の伝送線の他端に接続された非可逆回路素子とを備えた
遅延線装置が提供される。

【００１５】遅延線を構成する伝送線の一端を反射端と
することにより、その伝送線においては信号が往復２回
伝達されるため通常の半分の長さで必要な遅延時間を得
ることができる。伝送線に注入する信号と取り出す信号
とは、伝達する方向が異なるためその伝送線の他端にサ
ーキュレータ等の非可逆回路素子を接続し、信号の注
入、取り出しを行う。

【００１６】伝送線の反射端に接続されたリアクタンス
成分をさらに備えることが好ましい。これにより、反射
波の位相を変化させることができる。

【００１７】伝送線が、同軸ケーブルからなるか、又は
中心導体と、中心導体を取り囲む所定の軸方向長さを有
するセラミック誘電体と、セラミック誘電体の外面に形
成されている外導体とを含む同軸型線路からなることも
好ましい。より好ましくは、このセラミック誘電体が、
複数の独立したピースにより形成されている。同軸線路
中の基本的伝搬形態はＴＥＭ波であり、進行方向には電
界も磁界も存在しないので、セラミック誘電体は進行方
向に全て連続している必要はなく、製造方法の都合によ
り短い長さのセラミック誘電体を多数連ねても何ら問題
はない。

【００１８】遅延時間及び位相角を調節するべく、セラ
ミック誘電体が追加又は除去可能であることが好まし
い。

【００１９】伝送線の他端と非可逆回路素子との間に帯
域通過フィルタ又はλ／４変成器が接続されていること
が好ましい。伝送線の途中に、周波数特性を変化させる
ため及びインピーダンス整合を行うための帯域通過フィ
ルタを設置すると、往復２回分の作用をさせることがで
きる。また、個々の増幅器の周波数特性上のばらつきを
この帯域通過フィルタで修正することができる。

【００２０】λ／４変成器は、入力側の特性インピーダ
ンスと出力側の特性インピーダンスとが互いに異なる値
に設定することができる。これによって、セラミックの
伝送線と外部とのインピーダンス整合を取ることができ
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の実施形
態を詳細に説明する。

【００２２】図２は本発明の一実施形態として同軸ケー
ブルを使用した遅延線装置の構成を概略的に示す図であ
り、図３は本実施形態の遅延線装置の通過損失及び遅延
時間の周波数特性を示す特性図である。

【００２３】同図において、２０は同軸ケーブルからな
り遅延線を構成する伝送線、２１は反射端を構成する伝
送線２０の一端、２４は伝送線２０の他端２２に接続さ
れたサーキュレータ（本発明の非可逆回路素子に対応す
る）をそれぞれ示している。伝送線２０の一端２１は、
開放されており、実質的に反射端を構成している。伝送
線２０の一端２１を短絡させて実質的な反射端を構成し
てもよいことは明らかである。

【００２４】伝送線２０に注入する信号と取り出す信号
とは、伝達する方向が異なるためその伝送線２０の他端
２２にサーキュレータ２４を接続し、信号の注入、取り
出しを行っている。本実施形態においては、伝送線２０
として２ｍの長さの８Ｄ２Ｗ同軸ケーブルを用いてい
る。この構成によれば、図３に示すように、約１７ｎｓ
ｅｃの遅延時間が得られる。この長さの同軸ケーブル
は、通常に通過時間を測定すると８．３ｎｓｅｃである
から、伝送線２０の往復とサーキュレータ２４周りの時
間遅れとにより約１７ｎｓｅｃの遅延時間が得られてい
る。このように、伝送線２０内を信号が往復２回伝達さ
れるため、通常の半分の長さで必要な遅延時間を得るこ
とができるから全体の寸法を大幅に小さくすることがで
きる。なお、反射端２１は基本的に全反射をさせるの
で、定在波が発生して特性に悪影響を与えないように、
他端２２においては特に良好な（本実施形態においては
Ｖ．Ｓ．Ｗ．Ｒが１．０５以下の）整合をとることが必
要である。

【００２５】図４は本発明の他の実施形態として同軸ケ
ーブルを使用した遅延線装置の構成を概略的に示す図で
ある。

【００２６】同図において、４０は同軸ケーブルからな
り遅延線を構成する伝送線、４１は反射端を構成する伝
送線４０の一端、４３は伝送線４０の他端４２に接続さ
れた周波数特性を持たせるための帯域通過フィルタ、４
４は帯域通過フィルタ４３に接続されたサーキュレータ
（本発明の非可逆回路素子に対応する）をそれぞれ示し
ている。伝送線４０の一端４１は、開放されており、実
質的に反射端を構成している。この反射端には位相を調
整するための可変コンデンサ４５が接続されている。

【００２７】伝送線４０に注入する信号と取り出す信号
とは、伝達する方向が異なるためその伝送線４０の他端
４２に帯域通過フィルタ４３を介してサーキュレータ４
４を接続し、信号の注入、取り出しを行っている。本実
施形態においては、図２の実施形態と同様に、伝送線４
０として２ｍの長さの８Ｄ２Ｗ同軸ケーブルを用いてい
る。

【００２８】このように、伝送線４０内を信号が往復２
回伝達されるため、通常の半分の長さで必要な遅延時間
を得ることができるから全体の寸法を大幅に小さくする
ことができる。また、可変コンデンサ４５を調整するの
みで、位相を調整することが容易に行える。これによっ
て個々の増幅器の位相特性のばらつきが修正可能とな
る。なお、反射端４１は基本的に全反射をさせるので、
定在波が発生して特性に悪影響を与えないように、他端
４２においては特に良好な（本実施形態においてはＶ．
Ｓ．Ｗ．Ｒが１．０５以下の）整合をとることが必要で
ある。また、扱う電力にもよるが反射端４１においては
通常の線路上の数倍のエネルギーが発生することがある
ので可変コンデンサ４５の耐圧には十分注意をする必要
がある。

【００２９】図５は、図４の実施形態における帯域通過
フィルタ４３の具体的な構成例を示す回路図である。同
図からも明らかのように、帯域通過フィルタ４３は、例
えばセラミック誘電体からなる２段の共振器を容量結合
したフィルタであり、そのねじ４３ａ〜４３ｅを調整す
ることによってキャパシタンスが可変となるように構成
されており、これによって通過周波数帯域特性が制御可
能となる。なお、帯域通過フィルタの種類は、誘電体共
振器を使用したものの他に、キャビティ型、ヘリカル型
等のいかなるものであってもよいし、段数も２段に限定
されることはない。

【００３０】電力増幅器は、通常、単峰型又は双峰型の
周波数特性を有しており、このばらつきを補正するため
に、帯域通過フィルタ４３の周波数特性をチェビシェフ
型又はマキシマリ・フラット型に調整し、これによって
電力増幅器全体の周波数特性を調整する。

【００３１】図６は、本実施形態における遅延線装置に
おいて調整可能な範囲の周波数特性を比較して示してい
る。同図から明らかのように、例えば、実線Ａに示すよ
うな特性と１点鎖線Ｂに示すような特性との間で帯域通
過フィルタ４３の周波数特性を調整するか又は適切な特
性を有する帯域通過フィルタ４３を選択することによっ
て、電力増幅器全体の周波数特性を平坦な特性に簡単に
修正することができる。

【００３２】図７は本発明のさらに他の実施形態として
同軸型線路を使用した遅延線装置の構成を概略的に示す
図である。

【００３３】同図において、７０は同軸型線路からなり
遅延線を構成する伝送線、７１は反射端を構成する伝送
線７０の一端、７３は伝送線７０の他端７２に接続され
た周波数特性を持たせるため及び及び特性インピーダン
スを整合させるための帯域通過フィルタ、７４は帯域通
過フィルタ７３に接続されたサーキュレータ（本発明の
非可逆回路素子に対応する）をそれぞれ示している。伝
送線７０の一端７１は、開放されており、実質的に反射
端を構成している。

【００３４】伝送線７０に注入する信号と取り出す信号
とは、伝達する方向が異なるためその伝送線７０の他端
７２に帯域通過フィルタ７３を介してサーキュレータ７
４を接続し、信号の注入、取り出しを行っている。本実
施形態においては、伝送線７０は、中心導体７０ａと、
中心導体７０ａを取り囲むセラミック誘電体７０ｂと、
セラミック誘電体７０ｂの外面に形成されている外導体
７０ｃとから形成されている。

【００３５】伝送線７０のセラミック誘電体７０ｂは、
より小型化を図るべく波長短縮率を大きくするように高
誘電率のセラミック誘電体材料（ε_r ＝３７、材料Ｑ＝
１００００以上）を、外径が１２ｍｍ、軸方向の長さが
１５ｍｍであり、内径が１．６ｍｍの中心孔を有する円
筒状ピース又は角筒状ピースに成形したものを複数個軸
方向に連ねて構成されている。

【００３６】反射端７１の部分において、セラミック誘
電体７０ｂは、金属スリーブ７６を同軸に連ね中心導体
７０ａの端部にナット７７を螺合することによって固定
されている。これによって、セラミック誘電体７０ｂ
は、追加又は除去することが可能な構造になっている。
従って、セラミック誘電体７０ｂ１個当たりに、約０．
６ｎｓｅｃの遅延時間及び位相の微調整が可能である。
軸方向長さがさらに短いセラミック誘電体７０ｂを用意
すれば、さらなる微調整が可能である。また、金属スリ
ーブ７６は、この反射端７１において、中心導体の外径
と外導体の内径の比（内外径比）を変えてインピーダン
スをセラミック誘電体が設置されている部分と同様に一
定（約２０Ω）に保つ働きも行っている。

【００３７】中心導体７０ａは、セラミック誘電体７０
ｂの中心孔に肉厚の薄い（約１００μｍ）銅、銀、銀め
っきを施したアルミニウム等の金属パイプを挿入し、静
圧プレスによりこのパイプを圧延して（箔押して）誘電
体中心孔に密着させて形成してもよいし、セラミック誘
電体の中心孔内に中実の線状の銅、銀、アルミニウム等
の金属導体を挿入して形成してもよい。さらに、セラミ
ック誘電体の中心孔内に銅、銀、アルミニウム等の金属
板を筒状に巻いたものを挿入して、挿入後に自己の拡が
り力で誘電体中心孔に密着させるようにしてもよい。

【００３８】外導体７０ｃは、セラミック誘電体７０ｂ
の外面にこれより僅かに内径の小さい銅、銀、アルミニ
ウム等のパイプ状の金属導体を加熱膨張させて外装して
いる。外導体７０ｃは、その他に、セラミック誘電体の
外面に銀ペーストを塗布し、通常の銀ペーストの焼き付
け温度（約８５０℃）で焼成して形成してもよいが、反
射端７１の部分では、パイプ状の金属導体を用いる必要
がある。銀ペーストによる焼き付けを用いる代わりに、
無電解めっきによって形成することも可能である。

【００３９】セラミック誘電体７０ｂが高誘電率のセラ
ミック誘電体材料（ε_r ＝３７、材料Ｑ＝１００００以
上）で形成されているため、同軸線路としての特性イン
ピーダンスはかなり低くなり、そのままでは他の素子と
直接接続することができない。即ち、通常、高周波回路
ではその特性インピーダンスを通常５０Ωに設定する
が、本伝送線では、上述したように高誘電率のセラミッ
ク誘電体を用いていることと、挿入損失を極力減らすた
め中心導体の径を大きく設定していることとにより、そ
の特性インピーダンスが２０Ω程度とかなり低く、整合
手段が必要となる。帯域通過フィルタ７３は、入出力イ
ンピーダンスが異なるように設計されており、インピー
ダンス整合をも兼ねるように伝送線７０の他端７２に接
続されている。

【００４０】この帯域通過フィルタ７３は、図４の実施
形態における帯域通過フィルタと同様に、セラミック誘
電体からなる２段の共振器を容量結合したフィルタであ
り、そのねじ７３ａ〜７３ｅを調整することによってキ
ャパシタンスが可変となるように構成されており、これ
によって通過周波数帯域特性が制御可能となる。なお、
帯域通過フィルタの種類は、誘電体共振器を使用したも
のの他に、キャビティ型、ヘリカル型等のいかなるもの
であってもよいし、段数も２段に限定されることはな
い。

【００４１】電力増幅器は、通常、単峰型又は双峰型の
周波数特性を有しており、このばらつきを補正するため
に、帯域通過フィルタ７３の周波数特性をチェビシェフ
型又はマキシマリ・フラット型に調整し、これによって
電力増幅器全体の周波数特性を調整する。帯域通過フィ
ルタ７３の周波数特性を調整するか又は適切な特性を有
する帯域通過フィルタ７３を選択することによって、電
力増幅器全体の周波数特性を平坦な特性に簡単に修正す
ることができる。

【００４２】このように、本実施形態によれば、伝送線
７０内を信号が往復２回伝達されるため、通常の半分の
長さで必要な遅延時間を得ることができるから全体の寸
法を大幅に小さくすることができる。しかも、伝送線７
０として、高誘電率のセラミック誘電体を用いた同軸型
線路を用いているため、より小さな寸法で所望の遅延時
間を得ることができ、また、高周波帯域において損失が
小さくなる。さらに、セラミック誘電体７０ｂの各ピー
スを増減することにより、遅延時間及び位相の微調整が
容易に行える。これによって個々の増幅器の遅延時間及
び位相特性のばらつきが修正可能となる。

【００４３】図８は本発明のまたさらに他の実施形態と
して同軸型線路を使用した遅延線装置の構成を概略的に
示す図である。

【００４４】同図において、８０は同軸型線路からなり
遅延線を構成する伝送線、８１は反射端を構成する伝送
線８０の一端、８８は伝送線８０内の他端８２の部分に
設けられたλ／４変成器、８４はλ／４変成器８８を介
して伝送線８０に接続されたサーキュレータ（本発明の
非可逆回路素子に対応する）をそれぞれ示している。伝
送線８０の一端８１は、開放されており、実質的に反射
端を構成している。

【００４５】伝送線８０に注入する信号と取り出す信号
とは、伝達する方向が異なるためその伝送線８０の他端
８２にサーキュレータ８４を接続し、信号の注入、取り
出しを行っている。本実施形態においては、伝送線８０
は、中心導体８０ａと、中心導体８０ａを取り囲むセラ
ミック誘電体８０ｂと、セラミック誘電体８０ｂの外面
に形成されている外導体８０ｃとから形成されている。

【００４６】伝送線８０のセラミック誘電体８０ｂは、
より小型化を図るべく波長短縮率を大きくするように高
誘電率のセラミック誘電体材料（ε_r ＝３７、材料Ｑ＝
１００００以上）を、外径が１２ｍｍ、軸方向の長さが
１５ｍｍであり、内径が１．６ｍｍの中心孔を有する円
筒状ピース又は角筒状ピースに成形したものを複数個軸
方向に連ねて構成されている。

【００４７】反射端８１の部分において、セラミック誘
電体８０ｂは、金属スリーブ８６を同軸に連ね中心導体
８０ａの端部にナット８７を螺合することによって固定
されている。これによって、セラミック誘電体８０ｂ
は、追加又は除去することが可能な構造になっている。
従って、セラミック誘電体８０ｂ１個当たりに、約０．
６ｎｓｅｃの遅延時間及び位相の微調整が可能である。
軸方向長さがさらに短いセラミック誘電体８０ｂを用意
すれば、さらなる微調整が可能である。また、金属スリ
ーブ８６は、この反射端８１において、中心導体の外径
と外導体の内径の比（内外径比）を変えてインピーダン
スを一定（約２０Ω）に保つ働きも行っている。

【００４８】中心導体８０ａは、セラミック誘電体８０
ｂの中心孔に肉厚の薄い（約１００μｍ）銅、銀、銀め
っきを施したアルミニウム等の金属パイプを挿入し、静
圧プレスによりこのパイプを圧延して（箔押して）誘電
体中心孔に密着させて形成してもよいし、セラミック誘
電体の中心孔内に中実の線状の銅、銀、アルミニウム等
の金属導体を挿入して形成してもよい。さらに、セラミ
ック誘電体の中心孔内に銅、銀、アルミニウム等の金属
板を筒状に巻いたものを挿入して、挿入後に自己の拡が
り力で誘電体中心孔に密着させるようにしてもよい。

【００４９】外導体８０ｃは、セラミック誘電体８０ｂ
の外面にこれより僅かに内径の小さい銅、銀、アルミニ
ウム等のパイプ状の金属導体を加熱膨張させて外装して
いる。外導体８０ｃは、その他に、セラミック誘電体の
外面に銀ペーストを塗布し、通常の銀ペーストの焼き付
け温度（約８５０℃）で焼成して形成してもよいが、反
射端８１の部分では、パイプ状の金属導体を用いる必要
がある。銀ペーストによる焼き付けを用いる代わりに、
無電解めっきによって形成することも可能である。

【００５０】セラミック誘電体８０ｂが高誘電率のセラ
ミック誘電体材料（ε_r ＝３７、材料Ｑ＝１００００以
上）で形成されているため、同軸線路としての特性イン
ピーダンスはかなり低くなり、そのままでは他の素子と
直接接続することができない。即ち、高周波回路ではそ
の特性インピーダンスを通常５０Ωに設定するが、本伝
送線では、上述したように高誘電率のセラミック誘電体
を用いていることと、挿入損失を極力減らすため中心導
体の径を大きく設定していることとにより、その特性イ
ンピーダンスが２０Ω程度とかなり低く、整合手段が必
要となる。λ／４変成器８８は、このインピーダンス整
合を行うために伝送線８０の他端８２の部分に設けられ
ている。

【００５１】このλ／４変成器８８の部分には、誘電体
材料は存在せず、空気が誘電体として働いている。λ／
４変成器部分８８の中心導体は、２段階に径の異なる中
実の棒状の金属導体８８ａ及び８８ｂから構成されてい
る。また、その外導体は、パイプ状の金属導体で形成さ
れている。

【００５２】このように、本実施形態によれば、伝送線
８０内を信号が往復２回伝達されるため、通常の半分の
長さで必要な遅延時間を得ることができるから全体の寸
法を大幅に小さくすることができる。しかも、伝送線８
０として、高誘電率のセラミック誘電体を用いた同軸型
線路を用いているため、より小さな寸法で所望の遅延時
間を得ることができ、また、高周波帯域において損失が
小さくなる。さらに、セラミック誘電体８０ｂの各ピー
スを増減することにより、遅延時間及び位相の微調整が
容易に行える。これによって個々の増幅器の遅延時間及
び位相特性のばらつきが修正可能となる。

【００５３】なお、以上述べた図７及び図８の実施形態
におけるセラミック誘電体は、その軸方向長さが１５ｍ
ｍ程度の互いに独立した複数のピースを連接して形成し
ているが、その代わりに、軸方向長さが３００ｍｍ程度
の単一のセラミック誘電体を用いることも可能である。

【００５４】本発明は、以上の実施形態に限定されるも
のではない。要求される装置の形状により伝送線は渦巻
き状に配置したり、ＦＦ式電力増幅器全体の筐体の隙間
部分に効率よく配置しても良い。さらに、サーキュレー
タのポートの１つを予め２０Ω等に設定する方法もあ
る。また、サーキュレータはモニタ内蔵タイプを使用す
るとＦＦ式電力増幅器全体の設計が効率的に実施でき
る。

【００５５】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、遅
延線装置は、一端を反射端として構成した、遅延線を構
成する伝送線と、この伝送線の他端に接続された非可逆
回路素子とを備えている。このように、遅延線を構成す
る伝送線の一端を反射端とすることにより、その伝送線
においては信号が往復２回伝達されるため通常の半分の
長さで必要な遅延時間を得ることができる。伝送線に注
入する信号と取り出す信号とは、伝達する方向が異なる
ためその伝送線の他端にサーキュレータ等の非可逆回路
素子を接続し、信号の注入、取り出しを行う。その結
果、全体の寸法を大幅に小さくできる。

【００５７】また、伝送線として、高誘電率のセラミッ
ク誘電体を用いた同軸型線路を用いれば、より小さな寸
法で所望の遅延時間を得ることができ、高周波帯域にお
いて損失が小さくなる。さらに、セラミック誘電体の各
ピースを増減することにより、遅延時間及び位相の微調
整が容易に行える。その結果、ＦＦ式電力増幅器に組み
込んでから個々の増幅器のばらつきに合わせて調整する
ことが可能となりＩＭＤ成分の大変少ないＦＦ式電力増
幅器の量産が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＦＦ式電力増幅器の構成の概略を示すブロック
図である。

【図２】本発明の一実施形態として同軸ケーブルを使用
した遅延線装置の構成を概略的に示す図である。

【図３】図２の実施形態の遅延線装置の通過損失及び遅
延時間の周波数特性を示す特性図である。

【図４】本発明の他の実施形態として同軸ケーブルを使
用した遅延線装置の構成を概略的に示す図である。

【図５】図４の実施形態における帯域通過フィルタの具
体的な構成を示す回路図である。

【図６】図４の実施形態において調整可能な範囲の周波
数特性を比較して示す特性図である。

【図７】本発明のさらに他の実施形態として同軸型線路
を使用した遅延線装置の構成を概略的に示す図である。

【図８】本発明のまたさらに他の実施形態として同軸型
線路を使用した遅延線装置の構成を概略的に示す図であ
る。

【符号の説明】

２０、４０、７０、８０伝送線２１、４１、７１、８１、反射端を構成する一端２２、４２、７２、８２他端２４、４４、７４サーキュレータ４３、７３帯域通過フィルタ４５可変コンデンサ８８ λ／４変成器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一端を反射端として構成した、遅延線を
構成する伝送線と、該伝送線の他端に接続された非可逆
回路素子とを備えたことを特徴とする遅延線装置。
【請求項２】前記伝送線の反射端に接続されたリアク
タンス成分をさらに備えたことを特徴とする請求項１に
記載の遅延線装置。
【請求項３】前記伝送線が、同軸ケーブルからなるこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の遅延線装置。
【請求項４】前記伝送線が、中心導体と、該中心導体
を取り囲む所定の軸方向長さを有するセラミック誘電体
と、該セラミック誘電体の外面に形成されている外導体
とを含む同軸型線路からなることを特徴とする請求項１
又は２に記載の遅延線装置。
【請求項５】前記セラミック誘電体が、複数の独立し
たピースにより形成されていることを特徴とする請求項
４に記載の遅延線装置。
【請求項６】遅延時間及び位相角を調節するべく、前
記セラミック誘電体が追加又は除去可能であることを特
徴とする請求項５に記載の遅延線装置。
【請求項７】前記伝送線の他端と前記非可逆回路素子
との間に帯域通過フィルタが接続されていることを特徴
とする請求項１から６のいずれか１項に記載の遅延線装
置。
【請求項８】前記伝送線の他端と前記非可逆回路素子
との間にλ／４変成器が接続されていることを特徴とす
る請求項１から６のいずれか１項に記載の遅延線装置。