JPH11121497A - Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH11121497A JPH11121497A JP27847197A JP27847197A JPH11121497A JP H11121497 A JPH11121497 A JP H11121497A JP 27847197 A JP27847197 A JP 27847197A JP 27847197 A JP27847197 A JP 27847197A JP H11121497 A JPH11121497 A JP H11121497A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構造が単純で放熱特性に優れ、信頼性が高
く、しかも、製造工程を簡易化してコストを低減できる
ようにした、ＢＧＡ型半導体装置及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 ＴＡＢリードを保持するＴＡＢテープと
半導体素子とを電気的に接続し、前記半導体素子を収納
するために前記ＴＡＢテープの略中央部に半導体素子用
貫通穴を形成し、パッド電極へアクセスするために前記
ＴＡＢテープに形成した多数のパッド電極用貫通穴を前
記ＴＡＢリード側において塞ぐように、非導電性接着剤
を介して、前記ＴＡＢテープに放熱板を固着し、前記半
導体素子と前記ＴＡＢリードとをワイヤーボンディング
し、前記半導体素子、ＴＡＢリードおよび前記ワイヤー
ボンディングを樹脂封止部で被覆し、前記パッド電極用
貫通穴を介して、外側から前記パッド電極に半田ボール
を電気的に接続する。
く、しかも、製造工程を簡易化してコストを低減できる
ようにした、ＢＧＡ型半導体装置及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 ＴＡＢリードを保持するＴＡＢテープと
半導体素子とを電気的に接続し、前記半導体素子を収納
するために前記ＴＡＢテープの略中央部に半導体素子用
貫通穴を形成し、パッド電極へアクセスするために前記
ＴＡＢテープに形成した多数のパッド電極用貫通穴を前
記ＴＡＢリード側において塞ぐように、非導電性接着剤
を介して、前記ＴＡＢテープに放熱板を固着し、前記半
導体素子と前記ＴＡＢリードとをワイヤーボンディング
し、前記半導体素子、ＴＡＢリードおよび前記ワイヤー
ボンディングを樹脂封止部で被覆し、前記パッド電極用
貫通穴を介して、外側から前記パッド電極に半田ボール
を電気的に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢテープを使
用したＢＧＡ型半導体装置及びその製造方法に関する。
用したＢＧＡ型半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＢＧＡ型半導体装置は、例えば、
特開平８−２５０５２９号公報に所載のような構成にな
っている。これを図３を用いて以下に説明する。
特開平８−２５０５２９号公報に所載のような構成にな
っている。これを図３を用いて以下に説明する。
【０００３】ここでは、樹脂基板の略中央部に半導体素
子（後述）を収納する貫通穴を設けるとともに樹脂基板
上にリード電極２０及びパッド電極１４を形成した回路
基板１１と、回路基板１１の貫通穴を覆うよう接着シー
ト１３を介して回路基板１１に固着した放熱板１２と、
回路基板１１の貫通穴と放熱板１２とにより形成された
凹部に固着されてリード電極２０とワイヤーボンディン
グ（符号１７で示す）された半導体素子１９と、半導体
素子１９を封止する樹脂封止部１８と、パッド電極１４
に半田ボール１５を設けてなるＢＧＡ型半導体装置にお
いて、回路基板１１の一方の面のみリード電極２０及び
パッド電極１４を形成し、他方の面に放熱板１２を固着
すると共に、パッド電極１４のみを露呈する開口部を設
けるように、また、回路基板１１の一方の面と側面、及
び、放熱板１２の側面を覆うように、樹脂封止部１８を
形成し、半田パンプ１６を樹脂封止部１８の開口部に形
成している。
子（後述）を収納する貫通穴を設けるとともに樹脂基板
上にリード電極２０及びパッド電極１４を形成した回路
基板１１と、回路基板１１の貫通穴を覆うよう接着シー
ト１３を介して回路基板１１に固着した放熱板１２と、
回路基板１１の貫通穴と放熱板１２とにより形成された
凹部に固着されてリード電極２０とワイヤーボンディン
グ（符号１７で示す）された半導体素子１９と、半導体
素子１９を封止する樹脂封止部１８と、パッド電極１４
に半田ボール１５を設けてなるＢＧＡ型半導体装置にお
いて、回路基板１１の一方の面のみリード電極２０及び
パッド電極１４を形成し、他方の面に放熱板１２を固着
すると共に、パッド電極１４のみを露呈する開口部を設
けるように、また、回路基板１１の一方の面と側面、及
び、放熱板１２の側面を覆うように、樹脂封止部１８を
形成し、半田パンプ１６を樹脂封止部１８の開口部に形
成している。
【０００４】また、このような従来の半導体装置を製造
するには、以下の工程を採用することになる。 （１）放熱板１２を複数個取りする短冊状の金属板に、
個々の放熱板１２を区分するスリット形成工程、（２）
個々の放熱板１２に、一方の面にのみリード電極２０お
よびパッド電極１４を有し、略中央部に半導体素子１９
を収納する貫通穴を有し、前記貫通穴を覆うように回路
基板１１の他方の面を固着する回路基板固着工程、
（３）回路基板１１の貫通穴と放熱板１２とにより形成
された凹部に半導体素子１９を固着するダイボンディン
グ工程、（４）半導体素子１９の電極と回路基板１１の
リード電極２０とをワイヤーで接続するワイヤーボンデ
ィング工程、（５）ワイヤーボンディングされた半導体
素子１９を覆って、パッド電極１４を除く回路基板１１
の一方の面及び側面と、前記スリット形成工程で形成さ
れたスリットによって露出された放熱板側面と、パッド
電極１４上の開口部とを形成するように、樹脂封止部１
８を金型内で形成するトランスファーモールド工程、
（６）パッド電極１４上に対応する開口部１６に半田ペ
ーストを塗布した後、半田ボール１５を搭載し、加熱し
て、半田ボール１５を固着する半田ボール工程、（７）
前記スリットの連結部を切り離す分離工程。
するには、以下の工程を採用することになる。 （１）放熱板１２を複数個取りする短冊状の金属板に、
個々の放熱板１２を区分するスリット形成工程、（２）
個々の放熱板１２に、一方の面にのみリード電極２０お
よびパッド電極１４を有し、略中央部に半導体素子１９
を収納する貫通穴を有し、前記貫通穴を覆うように回路
基板１１の他方の面を固着する回路基板固着工程、
（３）回路基板１１の貫通穴と放熱板１２とにより形成
された凹部に半導体素子１９を固着するダイボンディン
グ工程、（４）半導体素子１９の電極と回路基板１１の
リード電極２０とをワイヤーで接続するワイヤーボンデ
ィング工程、（５）ワイヤーボンディングされた半導体
素子１９を覆って、パッド電極１４を除く回路基板１１
の一方の面及び側面と、前記スリット形成工程で形成さ
れたスリットによって露出された放熱板側面と、パッド
電極１４上の開口部とを形成するように、樹脂封止部１
８を金型内で形成するトランスファーモールド工程、
（６）パッド電極１４上に対応する開口部１６に半田ペ
ーストを塗布した後、半田ボール１５を搭載し、加熱し
て、半田ボール１５を固着する半田ボール工程、（７）
前記スリットの連結部を切り離す分離工程。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たＢＧＡ型半導体装置では、トランスファーモールド工
程において、樹脂封止部１８を形成するが、その際、樹
脂基板１１上のパッド電極１４を露出させるように、モ
ールド金型（図示せず）には、開口部１６に対応する凸
部を形成されせる必要がある。
たＢＧＡ型半導体装置では、トランスファーモールド工
程において、樹脂封止部１８を形成するが、その際、樹
脂基板１１上のパッド電極１４を露出させるように、モ
ールド金型（図示せず）には、開口部１６に対応する凸
部を形成されせる必要がある。
【０００６】この場合、モールド金型の形状が複雑にな
り、トランスファーモールド工程にて、樹脂充填の完了
後、金型から製品を取り出す際、樹脂と金型との離型性
が悪く、金型に樹脂が残留したり、モールドに局部的な
欠けが生じる不具合がある。また、樹脂の残留及びモー
ルドの欠けを防止するために、金型内で、樹脂を更に温
度降下して、硬化させる場合には、製品を金型内に保持
する時間が増加し、生産性の低下を招いてしまう。
り、トランスファーモールド工程にて、樹脂充填の完了
後、金型から製品を取り出す際、樹脂と金型との離型性
が悪く、金型に樹脂が残留したり、モールドに局部的な
欠けが生じる不具合がある。また、樹脂の残留及びモー
ルドの欠けを防止するために、金型内で、樹脂を更に温
度降下して、硬化させる場合には、製品を金型内に保持
する時間が増加し、生産性の低下を招いてしまう。
【０００７】また、トランスファーモールド工程は、１
８０℃前後に加熱された金型において、回路基板１１、
放熱板１２及びワイヤーボンディングされた半導体素子
１９を２０〜４０ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で保持し、３
０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 にて樹脂を充填するが、その
際、回路基板１１上のパッド電極１４に対応する開口部
では、パッド電極１４上に薄い樹脂バリが形成される場
合がある。
８０℃前後に加熱された金型において、回路基板１１、
放熱板１２及びワイヤーボンディングされた半導体素子
１９を２０〜４０ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で保持し、３
０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 にて樹脂を充填するが、その
際、回路基板１１上のパッド電極１４に対応する開口部
では、パッド電極１４上に薄い樹脂バリが形成される場
合がある。
【０００８】この樹脂バリがあると、後工程の半田ボー
ル搭載時に、半田ボール１５とパッド電極１４とを電気
的に接続できない状況となる。従って、この樹脂バリを
除去するため、レーザーなどを用いて、樹脂バリを除去
する工程が必要となり、工程の複雑化、また、コストア
ップを招いてしまう。
ル搭載時に、半田ボール１５とパッド電極１４とを電気
的に接続できない状況となる。従って、この樹脂バリを
除去するため、レーザーなどを用いて、樹脂バリを除去
する工程が必要となり、工程の複雑化、また、コストア
ップを招いてしまう。
【０００９】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、その目的とするところは、構造
が単純で放熱特性に優れ、信頼性が高く、しかも、製造
工程を簡易化してコストを低減できるようにした、ＢＧ
Ａ型半導体装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
ためになされたもので、その目的とするところは、構造
が単純で放熱特性に優れ、信頼性が高く、しかも、製造
工程を簡易化してコストを低減できるようにした、ＢＧ
Ａ型半導体装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このため、本発明のＢＧ
Ａ型半導体装置では、ＴＡＢリードを保持するＴＡＢテ
ープと、前記ＴＡＢリードと電気的に接続される半導体
素子と、前記半導体素子を収納するために前記ＴＡＢテ
ープの略中央部に形成した半導体素子用貫通穴と、パッ
ド電極へアクセスするために前記ＴＡＢテープに形成し
た多数のパッド電極用貫通穴と、前記ＴＡＢリード側に
おいて前記貫通穴を塞ぐように、非導電性接着剤を介し
て、前記ＴＡＢテープに固着される放熱板と、前記半導
体素子用貫通穴において前記半導体素子と前記ＴＡＢリ
ードとを結ぶワイヤーボンディングと、前記半導体素
子、ＴＡＢリードおよび前記ワイヤーボンディングを封
止するために被覆する樹脂封止部と、前記パッド電極用
貫通穴を介して、外側から前記パッド電極に電気的に接
続される半田ボールとを具備している。
Ａ型半導体装置では、ＴＡＢリードを保持するＴＡＢテ
ープと、前記ＴＡＢリードと電気的に接続される半導体
素子と、前記半導体素子を収納するために前記ＴＡＢテ
ープの略中央部に形成した半導体素子用貫通穴と、パッ
ド電極へアクセスするために前記ＴＡＢテープに形成し
た多数のパッド電極用貫通穴と、前記ＴＡＢリード側に
おいて前記貫通穴を塞ぐように、非導電性接着剤を介し
て、前記ＴＡＢテープに固着される放熱板と、前記半導
体素子用貫通穴において前記半導体素子と前記ＴＡＢリ
ードとを結ぶワイヤーボンディングと、前記半導体素
子、ＴＡＢリードおよび前記ワイヤーボンディングを封
止するために被覆する樹脂封止部と、前記パッド電極用
貫通穴を介して、外側から前記パッド電極に電気的に接
続される半田ボールとを具備している。
【００１１】従って、構造がシンプルになり、放熱特性
に優れ、製品としての信頼性が高くなる。
に優れ、製品としての信頼性が高くなる。
【００１２】また、本発明の製造方法では、ＴＡＢテー
プの一方の面にＴＡＢリード、パッド電極を形成する工
程と、前記ＴＡＢテープの他方の面において、その略中
央に半導体素子を収納するための貫通穴を、また、その
周囲にパッド電極部へアクセスするための貫通穴を形成
する工程と、非導電性接着剤を介して、前記ＴＡＢテー
プと半導体素子とを放熱板に固着する工程と、前記ＴＡ
Ｂリードと半導体素子とを電気的に接続するワイヤーボ
ンディング工程と、前記半導体用貫通穴において、前記
半導体素子とワイヤーとを樹脂封止する工程と、前記パ
ッド電極用貫通穴を介して、外側からパッド電極に半田
ボールを搭載する工程とよりなることを特徴とする。
プの一方の面にＴＡＢリード、パッド電極を形成する工
程と、前記ＴＡＢテープの他方の面において、その略中
央に半導体素子を収納するための貫通穴を、また、その
周囲にパッド電極部へアクセスするための貫通穴を形成
する工程と、非導電性接着剤を介して、前記ＴＡＢテー
プと半導体素子とを放熱板に固着する工程と、前記ＴＡ
Ｂリードと半導体素子とを電気的に接続するワイヤーボ
ンディング工程と、前記半導体用貫通穴において、前記
半導体素子とワイヤーとを樹脂封止する工程と、前記パ
ッド電極用貫通穴を介して、外側からパッド電極に半田
ボールを搭載する工程とよりなることを特徴とする。
【００１３】従って、樹脂封止金型の形状簡素化を実現
し、樹脂封止時の金型と樹脂の離型性の低下を防ぎ、生
産性を向上させる。また、電極パッドに樹脂バリが発生
せず、高信頼性を有する半田ボールと電極パッドとの電
気的接続が可能となり、従来において必要であった樹脂
バリ除去工程を削除でき、製造コストを低減できる。
し、樹脂封止時の金型と樹脂の離型性の低下を防ぎ、生
産性を向上させる。また、電極パッドに樹脂バリが発生
せず、高信頼性を有する半田ボールと電極パッドとの電
気的接続が可能となり、従来において必要であった樹脂
バリ除去工程を削除でき、製造コストを低減できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、図１は完成されたＢ
ＧＡ型半導体装置の断面を示し、図２は図１に示すＴＡ
Ｂテープ１の平面を示している。
て図面を参照して説明する。なお、図１は完成されたＢ
ＧＡ型半導体装置の断面を示し、図２は図１に示すＴＡ
Ｂテープ１の平面を示している。
【００１５】まず、図２において説明すると、ＴＡＢテ
ープ１は、０．０５〜０．３ｍｍの厚さを有する有機絶
縁性フィルムからなり、一方の面上には、０．０１〜
０．１ｍｍの厚さの導体金属を用いて、任意の形状及び
位置に、ＴＡＢリード６及びパッド電極９が形成されて
いる。
ープ１は、０．０５〜０．３ｍｍの厚さを有する有機絶
縁性フィルムからなり、一方の面上には、０．０１〜
０．１ｍｍの厚さの導体金属を用いて、任意の形状及び
位置に、ＴＡＢリード６及びパッド電極９が形成されて
いる。
【００１６】また、ＴＡＢテープ１の略中央部には、半
導体素子５を収納するための貫通穴が、また、パッド電
極９に対応して、半田ボール２を収納するための多数の
貫通穴が、それぞれ、形成されている。図１に示すよう
に、０．１〜０．３ｍｍの厚さの金属からなる放熱板７
に、ＴＡＢテープ１のＴＡＢリード６、パッド電極９が
形成されている面が、非導電性接着剤８を介して固着さ
れ、同様に、ＴＡＢテープ１の略中央部に設けられた貫
通穴の部分において、半導体素子５が非導電性接着剤８
を介して、放熱板７に固着されている。
導体素子５を収納するための貫通穴が、また、パッド電
極９に対応して、半田ボール２を収納するための多数の
貫通穴が、それぞれ、形成されている。図１に示すよう
に、０．１〜０．３ｍｍの厚さの金属からなる放熱板７
に、ＴＡＢテープ１のＴＡＢリード６、パッド電極９が
形成されている面が、非導電性接着剤８を介して固着さ
れ、同様に、ＴＡＢテープ１の略中央部に設けられた貫
通穴の部分において、半導体素子５が非導電性接着剤８
を介して、放熱板７に固着されている。
【００１７】さらに、半導体素子５の電極とＴＡＢリー
ド６とは、ワイヤー４を用いて電気的に接続され（ワイ
ヤーボンディング）、半導体素子５とワイヤー４とを覆
うように、ＴＡＢテープ５の貫通穴の部分に、樹脂封止
部３が形成される。従って、半導体素子用の貫通穴以外
では、ＴＡＢテープ１及びパッド電極９は、この樹脂封
止部３の樹脂では覆われず、露出した状態が保たれてい
る。
ド６とは、ワイヤー４を用いて電気的に接続され（ワイ
ヤーボンディング）、半導体素子５とワイヤー４とを覆
うように、ＴＡＢテープ５の貫通穴の部分に、樹脂封止
部３が形成される。従って、半導体素子用の貫通穴以外
では、ＴＡＢテープ１及びパッド電極９は、この樹脂封
止部３の樹脂では覆われず、露出した状態が保たれてい
る。
【００１８】さらに、実質的にパッド電極９が外側に露
出するように、ＴＡＢテープ１に設けられた貫通穴に半
田ボール２を供給し、例えば、１７０〜２４０℃の温度
で、１０〜３０秒の条件で、加熱炉中で加熱することに
より、電極パッド９及び半田ボール２の相互を接合す
る。即ち、樹脂封止を行うトランスファーモールド工程
において、半導体素子５の収納部のみに樹脂封止部３を
形成することによって、樹脂封止金型の形状簡素化を実
現し、樹脂封止時の金型と樹脂との離型性の低下を防
ぎ、生産性を向上させることができる。また、電極パッ
ド９に樹脂バリが発生せず、従来技術では必要であった
樹脂バリ除去工程を削除でき、半田ボール２と電極パッ
ド９との電気的接続に高信頼性が得られ、しかも、その
製造コストを低減できる。
出するように、ＴＡＢテープ１に設けられた貫通穴に半
田ボール２を供給し、例えば、１７０〜２４０℃の温度
で、１０〜３０秒の条件で、加熱炉中で加熱することに
より、電極パッド９及び半田ボール２の相互を接合す
る。即ち、樹脂封止を行うトランスファーモールド工程
において、半導体素子５の収納部のみに樹脂封止部３を
形成することによって、樹脂封止金型の形状簡素化を実
現し、樹脂封止時の金型と樹脂との離型性の低下を防
ぎ、生産性を向上させることができる。また、電極パッ
ド９に樹脂バリが発生せず、従来技術では必要であった
樹脂バリ除去工程を削除でき、半田ボール２と電極パッ
ド９との電気的接続に高信頼性が得られ、しかも、その
製造コストを低減できる。
【００１９】
【実施例】次に、本発明の実施例について具体的に説明
する。ここでは、ＴＡＢテープ１として、０．１ｍｍの
厚さを有するポリイミドフィルムが用いられ、その一方
の面上に厚さ０．０３ｍｍの銅を用いて、任意の形状及
び位置に、ＴＡＢリード６及びパッド電極９を形成す
る。
する。ここでは、ＴＡＢテープ１として、０．１ｍｍの
厚さを有するポリイミドフィルムが用いられ、その一方
の面上に厚さ０．０３ｍｍの銅を用いて、任意の形状及
び位置に、ＴＡＢリード６及びパッド電極９を形成す
る。
【００２０】また、ＴＡＢテープ１の略中央部には半導
体素子収納のための貫通穴が、また、パッド電極９に対
応する個所には半田ボール収納のための貫通穴が形成さ
れる。そして、図１に示すように、厚さ：０．１ｍｍの
金属からなる放熱板７に、ＴＡＢテープ１のＴＡＢリー
ド６、パッド電極９が形成されている面を、非導電性接
着剤８を用いて固着し、同じ非導電性接着剤８を用い
て、前記ＴＡＢテープ１の略中央部に設けられた貫通穴
に位置して、放熱板７に半導体素子５を固着する。
体素子収納のための貫通穴が、また、パッド電極９に対
応する個所には半田ボール収納のための貫通穴が形成さ
れる。そして、図１に示すように、厚さ：０．１ｍｍの
金属からなる放熱板７に、ＴＡＢテープ１のＴＡＢリー
ド６、パッド電極９が形成されている面を、非導電性接
着剤８を用いて固着し、同じ非導電性接着剤８を用い
て、前記ＴＡＢテープ１の略中央部に設けられた貫通穴
に位置して、放熱板７に半導体素子５を固着する。
【００２１】さらに、前記半導体素子５の電極とＴＡＢ
テープ１上のＴＡＢリード６とを、ワイヤー４を用いて
電気的に接続し、ＴＡＢテープ５の貫通穴の部分におい
て、樹脂封止部３により、半導体素子５とワイヤー４と
を覆う。従って、ＴＡＢテープ１及びパッド電極９は、
樹脂で覆われず、露出した状態が保たれる。
テープ１上のＴＡＢリード６とを、ワイヤー４を用いて
電気的に接続し、ＴＡＢテープ５の貫通穴の部分におい
て、樹脂封止部３により、半導体素子５とワイヤー４と
を覆う。従って、ＴＡＢテープ１及びパッド電極９は、
樹脂で覆われず、露出した状態が保たれる。
【００２２】次いで、パッド電極９が実質的に外側に露
出するように、ＴＡＢテープ１に設けられた貫通穴に半
田ボール２を供給し、温度：２２０℃、１５秒の条件
で、加熱炉中で加熱することにより、パッド電極と半田
ボールとの接合を行う。
出するように、ＴＡＢテープ１に設けられた貫通穴に半
田ボール２を供給し、温度：２２０℃、１５秒の条件
で、加熱炉中で加熱することにより、パッド電極と半田
ボールとの接合を行う。
【００２３】このように、樹脂封止を行うトランスファ
ーモールド工程において、半導体素子５の収納部のみに
樹脂封止部を形成することによって、樹脂封止金型の形
状の簡素化を実現し、樹脂封止時の金型と樹脂との離型
性の低下を防ぎ、生産性を向上させることができる。ま
た、電極パッド９に樹脂バリが発生せず、半田ボール２
と電極パッド９との電気的接続に高信頼性を得ることが
でき、従来から必要であった樹脂バリ除去工程を削減で
き、その製造コストを低減できる。
ーモールド工程において、半導体素子５の収納部のみに
樹脂封止部を形成することによって、樹脂封止金型の形
状の簡素化を実現し、樹脂封止時の金型と樹脂との離型
性の低下を防ぎ、生産性を向上させることができる。ま
た、電極パッド９に樹脂バリが発生せず、半田ボール２
と電極パッド９との電気的接続に高信頼性を得ることが
でき、従来から必要であった樹脂バリ除去工程を削減で
き、その製造コストを低減できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＢＧＡ型
半導体装置では、ＴＡＢリードを保持するＴＡＢテープ
と、前記ＴＡＢリードと電気的に接続される半導体素子
と、前記半導体素子を収納するために前記ＴＡＢテープ
の略中央部に形成した半導体素子用貫通穴と、パッド電
極へアクセスするために前記ＴＡＢテープに形成した多
数のパッド電極用貫通穴と、前記ＴＡＢリード側におい
て前記貫通穴を塞ぐように、非導電性接着剤を介して、
前記ＴＡＢテープに固着される放熱板と、前記半導体素
子用貫通穴において前記半導体素子と前記ＴＡＢリード
とを結ぶワイヤーボンディングと、前記半導体素子、Ｔ
ＡＢリードおよび前記ワイヤーボンディングを封止する
ために被覆する樹脂封止部と、前記パッド電極用貫通穴
を介して、外側から前記パッド電極に電気的に接続され
る半田ボールとを具備している。
半導体装置では、ＴＡＢリードを保持するＴＡＢテープ
と、前記ＴＡＢリードと電気的に接続される半導体素子
と、前記半導体素子を収納するために前記ＴＡＢテープ
の略中央部に形成した半導体素子用貫通穴と、パッド電
極へアクセスするために前記ＴＡＢテープに形成した多
数のパッド電極用貫通穴と、前記ＴＡＢリード側におい
て前記貫通穴を塞ぐように、非導電性接着剤を介して、
前記ＴＡＢテープに固着される放熱板と、前記半導体素
子用貫通穴において前記半導体素子と前記ＴＡＢリード
とを結ぶワイヤーボンディングと、前記半導体素子、Ｔ
ＡＢリードおよび前記ワイヤーボンディングを封止する
ために被覆する樹脂封止部と、前記パッド電極用貫通穴
を介して、外側から前記パッド電極に電気的に接続され
る半田ボールとを具備している。
【００２５】従って、構造がシンプルになり、放熱特性
に優れ、製品としての信頼性が高くなる。
に優れ、製品としての信頼性が高くなる。
【００２６】また、本発明の半導体製造方法では、ＴＡ
Ｂテープの一方の面にＴＡＢリード、パッド電極を形成
する工程と、前記ＴＡＢテープの他方の面において、そ
の略中央に半導体素子を収納するための貫通穴を、ま
た、その周囲にパッド電極部へアクセスするための貫通
穴を形成する工程と、非導電性接着剤を介して、前記Ｔ
ＡＢテープと半導体素子とを放熱板に固着する工程と、
前記ＴＡＢリードと半導体素子とを電気的に接続するワ
イヤーボンディング工程と、前記半導体用貫通穴におい
て、前記半導体素子とワイヤーとを樹脂封止する工程
と、前記パッド電極用貫通穴を介して、外側からパッド
電極に半田ボールを搭載する工程とよりなることを特徴
とする。
Ｂテープの一方の面にＴＡＢリード、パッド電極を形成
する工程と、前記ＴＡＢテープの他方の面において、そ
の略中央に半導体素子を収納するための貫通穴を、ま
た、その周囲にパッド電極部へアクセスするための貫通
穴を形成する工程と、非導電性接着剤を介して、前記Ｔ
ＡＢテープと半導体素子とを放熱板に固着する工程と、
前記ＴＡＢリードと半導体素子とを電気的に接続するワ
イヤーボンディング工程と、前記半導体用貫通穴におい
て、前記半導体素子とワイヤーとを樹脂封止する工程
と、前記パッド電極用貫通穴を介して、外側からパッド
電極に半田ボールを搭載する工程とよりなることを特徴
とする。
【００２７】従って、樹脂封止金型の形状簡素化を実現
し、樹脂封止時の金型と樹脂の離型性の低下を防ぎ、生
産性を向上させる。また、電極パッドに樹脂バリが発生
せず、高信頼性を有する半田ボールと電極パッドとの電
気的接続が可能となり、従来において必要であった樹脂
バリ除去工程を削除でき、製造コストを低減できる。
し、樹脂封止時の金型と樹脂の離型性の低下を防ぎ、生
産性を向上させる。また、電極パッドに樹脂バリが発生
せず、高信頼性を有する半田ボールと電極パッドとの電
気的接続が可能となり、従来において必要であった樹脂
バリ除去工程を削除でき、製造コストを低減できる。
【図１】本発明の実施の形態を示すＢＧＡ型半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】同じく、そのＴＡＢテープの平面図である。
【図３】従来技術におけるＢＧＡ型半導体装置の断面図
である。
である。
１ ＴＡＢテープ ２ 半田ボール ３ 封止樹脂 ４ ワイヤー ５ 半導体素子 ６ ＴＡＢリード ７ 放熱板 ８ 非導電性接着剤 ９ パッド電極 １０ リード電極 １１ 回路基板 １２ 放熱板 １３ 接着シート １４ パッド電極 １５ 半田ボール １６ 半田ペースト １７ ボンディングワイヤー １８ 封止樹脂 １９ 半導体素子
Claims (2)
- 【請求項１】 ＴＡＢリードを保持するＴＡＢテープ
と、 前記ＴＡＢリードと電気的に接続される半導体素子と、 前記半導体素子を収納するために前記ＴＡＢテープの略
中央部に形成した半導体素子用貫通穴と、 パッド電極へアクセスするために前記ＴＡＢテープに形
成した多数のパッド電極用貫通穴と、 前記ＴＡＢリード側において前記貫通穴を塞ぐように、
非導電性接着剤を介して、前記ＴＡＢテープに固着され
る放熱板と、 前記半導体素子用貫通穴において前記半導体素子と前記
ＴＡＢリードとを結ぶワイヤーボンディングと、 前記半導体素子、ＴＡＢリードおよび前記ワイヤーボン
ディングを封止するために被覆する樹脂封止部と、 前記パッド電極用貫通穴を介して、外側から前記パッド
電極に電気的に接続される半田ボールとを具備すること
を特徴とするＢＧＡ型半導体装置。 - 【請求項２】 ＴＡＢテープの一方の面にＴＡＢリー
ド、パッド電極を形成する工程と、 前記ＴＡＢテープの他方の面において、その略中央に半
導体素子を収納するための貫通穴を、また、その周囲に
パッド電極部へアクセスするための貫通穴を形成する工
程と、 非導電性接着剤を介して、前記ＴＡＢテープと半導体素
子とを放熱板に固着する工程と、 前記ＴＡＢリードと半導体素子とを電気的に接続するワ
イヤーボンディング工程と、 前記半導体用貫通穴において、前記半導体素子とワイヤ
ーとを樹脂封止する工程と、 前記パッド電極用貫通穴を介して、外側からパッド電極
に半田ボールを搭載する工程とよりなることを特徴とす
るＢＧＡ型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9278471A JP2954112B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9278471A JP2954112B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121497A true JPH11121497A (ja) | 1999-04-30 |
| JP2954112B2 JP2954112B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=17597802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9278471A Expired - Fee Related JP2954112B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2954112B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473336B1 (ko) * | 2002-05-06 | 2005-03-08 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
| JP2014143450A (ja) * | 2008-01-15 | 2014-08-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用配線部材、半導体装置用複合配線部材、および樹脂封止型半導体装置 |
-
1997
- 1997-10-13 JP JP9278471A patent/JP2954112B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473336B1 (ko) * | 2002-05-06 | 2005-03-08 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
| JP2014143450A (ja) * | 2008-01-15 | 2014-08-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用配線部材、半導体装置用複合配線部材、および樹脂封止型半導体装置 |
| US9324636B2 (en) | 2008-01-15 | 2016-04-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device and associated wiring and support structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2954112B2 (ja) | 1999-09-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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