JPH11121359A - 露光方法およびディバイス製造方法 - Google Patents
露光方法およびディバイス製造方法Info
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- JPH11121359A JPH11121359A JP9299513A JP29951397A JPH11121359A JP H11121359 A JPH11121359 A JP H11121359A JP 9299513 A JP9299513 A JP 9299513A JP 29951397 A JP29951397 A JP 29951397A JP H11121359 A JPH11121359 A JP H11121359A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 直線状のエッジを有するアパーチャブレード
を用いてアライメントマークのコントラストを向上させ
る。 【解決手段】 ウエハ１０の回路パターン転写領域Ｋ１
１とともに露光される４個のアライメントマークＡ１１
をスクライブライン１１の幅を２分割する直線１１ａの
片側に転写する。アパーチャ３０の開口３０ａの直線状
のエッジを前記直線１１ａに投影することで、回路パタ
ーン転写領域Ｋ１１に隣接する回路パターン転写領域Ｋ
６，Ｋ１２，Ｋ１６，Ｋ１０のアライメントマークＡ
６，Ａ１２，Ａ１６，Ａ１０の多重露光を防ぐことがで
きる。
を用いてアライメントマークのコントラストを向上させ
る。 【解決手段】 ウエハ１０の回路パターン転写領域Ｋ１
１とともに露光される４個のアライメントマークＡ１１
をスクライブライン１１の幅を２分割する直線１１ａの
片側に転写する。アパーチャ３０の開口３０ａの直線状
のエッジを前記直線１１ａに投影することで、回路パタ
ーン転写領域Ｋ１１に隣接する回路パターン転写領域Ｋ
６，Ｋ１２，Ｋ１６，Ｋ１０のアライメントマークＡ
６，Ａ１２，Ａ１６，Ａ１０の多重露光を防ぐことがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ステップ＆リピー
ト方式によってウエハ等の基板を露光する露光方法およ
びディバイス製造方法に関するものである。
ト方式によってウエハ等の基板を露光する露光方法およ
びディバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】２５６メガビット以上のＤＲＡＭの製造
には、線幅０．２５ミクロン以下の微細な回路パターン
の転写が必要であり、このために、近年特に、荷電粒子
蓄積リング放射光（Ｘ線）を露光光とする露光装置が注
目されている。
には、線幅０．２５ミクロン以下の微細な回路パターン
の転写が必要であり、このために、近年特に、荷電粒子
蓄積リング放射光（Ｘ線）を露光光とする露光装置が注
目されている。
【０００３】このような露光装置においては、まず、ウ
エハ等の基板の所定数の露光画角のうちの１つにマスク
の回路パターン等を転写、焼き付けし、他の露光画角の
それぞれについても逐次同様の転写、焼き付けを行なう
ステップ＆リピート方式等を採用するのが一般的であ
り、この方式の露光装置の多くは、各露光画角を露光す
るときに露光光の一部分が隣接する露光画角に入射し
て、ここに転写される回路パターン等のコントラストを
低下させるいわゆる多重露光を防ぐためのアパーチャ
（開口手段）を備えている（特開平５−３６５８９号公
報参照）。
エハ等の基板の所定数の露光画角のうちの１つにマスク
の回路パターン等を転写、焼き付けし、他の露光画角の
それぞれについても逐次同様の転写、焼き付けを行なう
ステップ＆リピート方式等を採用するのが一般的であ
り、この方式の露光装置の多くは、各露光画角を露光す
るときに露光光の一部分が隣接する露光画角に入射し
て、ここに転写される回路パターン等のコントラストを
低下させるいわゆる多重露光を防ぐためのアパーチャ
（開口手段）を備えている（特開平５−３６５８９号公
報参照）。
【０００４】図７は従来のＸ線露光装置の主要部を示す
もので、図示しない位置決めステージに保持されたウエ
ハ１１０は、マスク１２０を経て照射されるＸ線Ｌ0 に
よって露光され、これによって、マスク１２０の回路パ
ターン１２３が転写、焼き付けされる。Ｘ線Ｌ0 の光路
には、Ｘ線Ｌ0 の不必要な周辺部分Ｌｅを遮断するアパ
ーチャ１３０が配設され、ウエハ１１０の露光画角の周
辺が不必要に露光されるのを防ぐ役目をする。
もので、図示しない位置決めステージに保持されたウエ
ハ１１０は、マスク１２０を経て照射されるＸ線Ｌ0 に
よって露光され、これによって、マスク１２０の回路パ
ターン１２３が転写、焼き付けされる。Ｘ線Ｌ0 の光路
には、Ｘ線Ｌ0 の不必要な周辺部分Ｌｅを遮断するアパ
ーチャ１３０が配設され、ウエハ１１０の露光画角の周
辺が不必要に露光されるのを防ぐ役目をする。
【０００５】アパーチャ１３０は、Ｘ線を遮るのに充分
な遮光性を有する板材、例えば、厚さ約１００μｍのス
テンレス鋼板によって作られた４枚のアパーチャブレー
ド１３１からなり、各アパーチャブレード１３１は、ア
パーチャ１３０内の駆動ユニットによってＸ線Ｌ0 の光
軸に垂直な方向に進退される。
な遮光性を有する板材、例えば、厚さ約１００μｍのス
テンレス鋼板によって作られた４枚のアパーチャブレー
ド１３１からなり、各アパーチャブレード１３１は、ア
パーチャ１３０内の駆動ユニットによってＸ線Ｌ0 の光
軸に垂直な方向に進退される。
【０００６】マスク１２０は、Ｘ線を透過させるＸ線透
過膜１２１とこれに被着されたＡｕ（金）膜等のＸ線吸
収体１２２からなり、該Ｘ線吸収体１２２の主要部には
ウエハ１１０の回路パターン転写領域Ｋ１１等に所定の
回路パターンを転写するための回路パターン１２３が設
けられ、また、回路パターン１２３の外周には、次回の
リソグラフィのためにウエハ１１０に転写するアライメ
ントマーク１２４と、マスク１２０の外周部全体を遮光
する遮光枠１２５が設けられる。
過膜１２１とこれに被着されたＡｕ（金）膜等のＸ線吸
収体１２２からなり、該Ｘ線吸収体１２２の主要部には
ウエハ１１０の回路パターン転写領域Ｋ１１等に所定の
回路パターンを転写するための回路パターン１２３が設
けられ、また、回路パターン１２３の外周には、次回の
リソグラフィのためにウエハ１１０に転写するアライメ
ントマーク１２４と、マスク１２０の外周部全体を遮光
する遮光枠１２５が設けられる。
【０００７】Ｘ線Ｌ0 の露光によってマスク１２０の回
路パターン１２３がウエハ１１０に転写されてウエハ１
１０の回路パターン１１３となり、マスク１２０のアラ
イメントマーク１２４がウエハ１１０のスクライブライ
ン１１１に転写されてウエハ１１０のアライメントマー
ク１１４（Ａ１１）となる。
路パターン１２３がウエハ１１０に転写されてウエハ１
１０の回路パターン１１３となり、マスク１２０のアラ
イメントマーク１２４がウエハ１１０のスクライブライ
ン１１１に転写されてウエハ１１０のアライメントマー
ク１１４（Ａ１１）となる。
【０００８】図９に示すように、ウエハ１１０は前記回
路パターン転写領域Ｋ１１を含む複数の回路パターン転
写領域Ｋ１〜Ｋ２１を有し、各回路パターン転写領域Ｋ
１〜Ｋ２１の周辺には前述のようにスクライブライン１
１１が配設される。互いに隣接する回路パターン転写領
域、例えば中央の回路パターン転写領域Ｋ１１と図示右
側の回路パターン転写領域Ｋ１２の間のスクライブライ
ン１１１上には図８に示すように両回路パターン転写領
域Ｋ１１，Ｋ１２のアライメントマークＡ１１，Ａ１２
が互いに重なることのないように転写される。なお、各
回路パターン転写領域Ｋ１〜Ｋ２１は方形であり、前記
アライメントマーク１１４（Ａ１１，Ａ１２等）は各回
路パターン転写領域Ｋ１〜Ｋ２１の各辺に隣接して１個
ずつ合計４個転写されるのが一般的である。
路パターン転写領域Ｋ１１を含む複数の回路パターン転
写領域Ｋ１〜Ｋ２１を有し、各回路パターン転写領域Ｋ
１〜Ｋ２１の周辺には前述のようにスクライブライン１
１１が配設される。互いに隣接する回路パターン転写領
域、例えば中央の回路パターン転写領域Ｋ１１と図示右
側の回路パターン転写領域Ｋ１２の間のスクライブライ
ン１１１上には図８に示すように両回路パターン転写領
域Ｋ１１，Ｋ１２のアライメントマークＡ１１，Ａ１２
が互いに重なることのないように転写される。なお、各
回路パターン転写領域Ｋ１〜Ｋ２１は方形であり、前記
アライメントマーク１１４（Ａ１１，Ａ１２等）は各回
路パターン転写領域Ｋ１〜Ｋ２１の各辺に隣接して１個
ずつ合計４個転写されるのが一般的である。
【０００９】ウエハ１１０のスクライブライン１１１に
は、その両側の回路パターン転写領域のアライメントマ
ークがほぼ同等に直列に配設される。従って、例えば、
ウエハ１１０の中央の回路パターン転写領域Ｋ１１にマ
スク１２０の回路パターン１２３を転写し、これと同時
に該回路パターン転写領域Ｋ１１の４個のアライメント
マークＡ１１をスクライブライン１１１上に転写すると
きは、中央の回路パターン転写領域Ｋ１１に隣接する４
個の回路パターン転写領域Ｋ６，Ｋ１２，Ｋ１６，Ｋ１
０のそれぞれのアライメントマークＡ６，Ａ１２，Ａ１
６，Ａ１０の転写部分がアパーチャ１３０の開口１３０
ａ（破線で示す）を通過したＸ線の露光領域内に位置す
る。その結果、微小量ではあるが、マスク１２０の遮光
枠１２５を透過したＸ線によって前記アライメントマー
クＡ６，Ａ１２，Ａ１６，Ａ１０の転写部分が不必要に
露光される傾向がある。
は、その両側の回路パターン転写領域のアライメントマ
ークがほぼ同等に直列に配設される。従って、例えば、
ウエハ１１０の中央の回路パターン転写領域Ｋ１１にマ
スク１２０の回路パターン１２３を転写し、これと同時
に該回路パターン転写領域Ｋ１１の４個のアライメント
マークＡ１１をスクライブライン１１１上に転写すると
きは、中央の回路パターン転写領域Ｋ１１に隣接する４
個の回路パターン転写領域Ｋ６，Ｋ１２，Ｋ１６，Ｋ１
０のそれぞれのアライメントマークＡ６，Ａ１２，Ａ１
６，Ａ１０の転写部分がアパーチャ１３０の開口１３０
ａ（破線で示す）を通過したＸ線の露光領域内に位置す
る。その結果、微小量ではあるが、マスク１２０の遮光
枠１２５を透過したＸ線によって前記アライメントマー
クＡ６，Ａ１２，Ａ１６，Ａ１０の転写部分が不必要に
露光される傾向がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術によれ
ば、前述のように、ウエハの各回路パターン転写領域と
その周囲のスクライブラインにマスクの回路パターンと
アライメントマークをそれぞれ転写するときに、隣接す
る回路パターン転写領域のアライメントマークの転写部
分がアパーチャの開口内にあるために、マスクの遮光枠
を透過したＸ線によって不必要に露光されるのを避ける
ことができない。このような状態でウエハの各回路パタ
ーン転写領域について順次上記の露光サイクルを繰り返
すうちに、いわゆる多重露光によってスクライブライン
の露光量が過剰となり、これに転写されるアライメント
マークのコントラストが著しく低下し、次回のリソグラ
フィにおいて充分に高精度の位置合わせを行なうことが
できない。
ば、前述のように、ウエハの各回路パターン転写領域と
その周囲のスクライブラインにマスクの回路パターンと
アライメントマークをそれぞれ転写するときに、隣接す
る回路パターン転写領域のアライメントマークの転写部
分がアパーチャの開口内にあるために、マスクの遮光枠
を透過したＸ線によって不必要に露光されるのを避ける
ことができない。このような状態でウエハの各回路パタ
ーン転写領域について順次上記の露光サイクルを繰り返
すうちに、いわゆる多重露光によってスクライブライン
の露光量が過剰となり、これに転写されるアライメント
マークのコントラストが著しく低下し、次回のリソグラ
フィにおいて充分に高精度の位置合わせを行なうことが
できない。
【００１１】また、このようにアライメントマークが過
剰に露光されるのを防ぐために、アパーチャの開口の周
縁に凹所を設け、露光中の回路パターン転写領域のアラ
イメントマークの転写部分のみが露光されるように構成
したものも提案されているが（特開平５−３６５８９号
公報参照）、アパーチャの開口の周縁に凹所を形成する
ための加工が複雑であるうえに、アライメントマークを
スクライブライン上で他の位置へずらせる必要が生じた
ときには、そのたびにアパーチャを移動させなければな
らず、この作業が繁雑で露光装置のスループットを低下
させるという不都合もある。
剰に露光されるのを防ぐために、アパーチャの開口の周
縁に凹所を設け、露光中の回路パターン転写領域のアラ
イメントマークの転写部分のみが露光されるように構成
したものも提案されているが（特開平５−３６５８９号
公報参照）、アパーチャの開口の周縁に凹所を形成する
ための加工が複雑であるうえに、アライメントマークを
スクライブライン上で他の位置へずらせる必要が生じた
ときには、そのたびにアパーチャを移動させなければな
らず、この作業が繁雑で露光装置のスループットを低下
させるという不都合もある。
【００１２】本発明は上記従来の技術の有する問題点に
鑑みてなされたものであって、アパーチャの開口の周縁
を複雑な形状に加工することなく、アライメントマーク
の多重露光の問題点を容易に解決できる露光方法および
ディバイス製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
鑑みてなされたものであって、アパーチャの開口の周縁
を複雑な形状に加工することなく、アライメントマーク
の多重露光の問題点を容易に解決できる露光方法および
ディバイス製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の露光方法は、開口手段の開口を通る露光光に
よって基板の複数の回路パターン転写領域のそれぞれを
逐次露光する工程を有し、互いに隣接する一対の回路パ
ターン転写領域のそれぞれのアライメントマークが、両
回路パターン転写領域の間の境界領域を２分割する直線
に対して互に反対側に転写されることを特徴とする。
め本発明の露光方法は、開口手段の開口を通る露光光に
よって基板の複数の回路パターン転写領域のそれぞれを
逐次露光する工程を有し、互いに隣接する一対の回路パ
ターン転写領域のそれぞれのアライメントマークが、両
回路パターン転写領域の間の境界領域を２分割する直線
に対して互に反対側に転写されることを特徴とする。
【００１４】アライメントマークが、回路パターン転写
領域の各辺の中央に近接して転写されるとよい。
領域の各辺の中央に近接して転写されるとよい。
【００１５】開口手段が、直線状のエッジを有するアパ
ーチャブレードによって構成されているとよい。
ーチャブレードによって構成されているとよい。
【００１６】
【作用】互いに隣接する一対の回路パターン転写領域の
それぞれのアライメントマークを、両回路パターン転写
領域の間のスクライブライン等を２分割する直線の両側
に配設する。各回路パターン転写領域を露光するときに
は、開口手段の開口のエッジを直線状にして、前記スク
ライブラインを２分割する直線に投影することで、隣接
する回路パターン転写領域のアライメントマークの多重
露光を防ぐことができる。
それぞれのアライメントマークを、両回路パターン転写
領域の間のスクライブライン等を２分割する直線の両側
に配設する。各回路パターン転写領域を露光するときに
は、開口手段の開口のエッジを直線状にして、前記スク
ライブラインを２分割する直線に投影することで、隣接
する回路パターン転写領域のアライメントマークの多重
露光を防ぐことができる。
【００１７】開口手段のアパーチャブレード等のエッジ
に凹所を設ける場合のような複雑な加工を必要とせず、
従って、開口手段の加工コストが低くてすむ。
に凹所を設ける場合のような複雑な加工を必要とせず、
従って、開口手段の加工コストが低くてすむ。
【００１８】このように、アライメントマークの多重露
光によるコントラストの低下を防ぐことで重ね合わせ精
度を向上させ、かつ、装置コストを低減することで、半
導体ディバイスの高精度化と低価格化に大きく貢献でき
る。
光によるコントラストの低下を防ぐことで重ね合わせ精
度を向上させ、かつ、装置コストを低減することで、半
導体ディバイスの高精度化と低価格化に大きく貢献でき
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００２０】図１は一実施の形態による露光方法を説明
するもので、図示しない位置決めステージに保持された
基板であるウエハ１０は、その表面にマスク２０を経て
照射されるＸ線Ｌ1 によって露光され、これによって、
マスク２０の回路パターン２３を転写、焼き付けされ
る。Ｘ線Ｌ1 の光路には、Ｘ線Ｌ1 の不必要な周辺部分
Ｌｅを遮断する開口手段であるアパーチャ３０が配設さ
れ、ウエハ１０の露光画角の周辺が露光されるのを防ぐ
役目をする。アパーチャ３０は、Ｘ線を遮るのに充分な
遮光性を有する板材、例えば、厚さ約１００μｍのステ
ンレス鋼板によって作られた４枚のアパーチャブレード
３１からなり、各アパーチャブレード３１は、アパーチ
ャ３０内の駆動ユニットによってＸ線Ｌ1 の光軸に垂直
な方向に進退される。
するもので、図示しない位置決めステージに保持された
基板であるウエハ１０は、その表面にマスク２０を経て
照射されるＸ線Ｌ1 によって露光され、これによって、
マスク２０の回路パターン２３を転写、焼き付けされ
る。Ｘ線Ｌ1 の光路には、Ｘ線Ｌ1 の不必要な周辺部分
Ｌｅを遮断する開口手段であるアパーチャ３０が配設さ
れ、ウエハ１０の露光画角の周辺が露光されるのを防ぐ
役目をする。アパーチャ３０は、Ｘ線を遮るのに充分な
遮光性を有する板材、例えば、厚さ約１００μｍのステ
ンレス鋼板によって作られた４枚のアパーチャブレード
３１からなり、各アパーチャブレード３１は、アパーチ
ャ３０内の駆動ユニットによってＸ線Ｌ1 の光軸に垂直
な方向に進退される。
【００２１】マスク２０は、Ｘ線を透過させるＸ線透過
膜２１とこれに被着されたＡｕ（金）膜等のＸ線吸収体
２２からなり、該Ｘ線吸収体２２の主要部にはウエハ１
０の回路パターン転写領域Ｋ１１等に所定の回路パター
ンを転写するための回路パターン２３が設けられ、ま
た、回路パターン２３の外周には、次回のリソグラフィ
のためのアライメントマーク２４と、マスク２０の外周
部全体を遮光する遮光枠２５が設けられる。
膜２１とこれに被着されたＡｕ（金）膜等のＸ線吸収体
２２からなり、該Ｘ線吸収体２２の主要部にはウエハ１
０の回路パターン転写領域Ｋ１１等に所定の回路パター
ンを転写するための回路パターン２３が設けられ、ま
た、回路パターン２３の外周には、次回のリソグラフィ
のためのアライメントマーク２４と、マスク２０の外周
部全体を遮光する遮光枠２５が設けられる。
【００２２】Ｘ線Ｌ1 の露光によってマスク２０の回路
パターン２３がウエハ１０に転写されてウエハ１０の回
路パターン１３となり、マスク２０のアライメントマー
ク２４がウエハ１０の境界領域であるスクライブライン
１１に転写されてウエハ１０のアライメントマーク１４
（Ａ１１）となる。
パターン２３がウエハ１０に転写されてウエハ１０の回
路パターン１３となり、マスク２０のアライメントマー
ク２４がウエハ１０の境界領域であるスクライブライン
１１に転写されてウエハ１０のアライメントマーク１４
（Ａ１１）となる。
【００２３】図３に示すように、ウエハ１０は前記回路
パターン転写領域Ｋ１１を含む複数の回路パターン転写
領域Ｋ１〜Ｋ２１を有し、各回路パターン転写領域Ｋ１
〜Ｋ２１の周辺には前述のようにスクライブライン１１
が配設され、互いに隣接する回路パターン転写領域、例
えば中央の回路パターン転写領域Ｋ１１と図示右側の回
路パターン転写領域Ｋ１２の間のスクライブライン１１
上には両回路パターン転写領域Ｋ１１，Ｋ１２のアライ
メントマークＡ１１，Ａ１２がスクライブライン１１を
幅方向に２分割する直線１１ａを挟んで互いに反対側で
平行になるように転写される。なお、各回路パターン転
写領域Ｋ１〜Ｋ２１は方形であり、前記アライメントマ
ーク１４（Ａ１１，Ａ１２等）は各回路パターン転写領
域Ｋ１〜Ｋ２１の各辺に隣接して１個ずつ合計４個転写
されるのが一般的である。
パターン転写領域Ｋ１１を含む複数の回路パターン転写
領域Ｋ１〜Ｋ２１を有し、各回路パターン転写領域Ｋ１
〜Ｋ２１の周辺には前述のようにスクライブライン１１
が配設され、互いに隣接する回路パターン転写領域、例
えば中央の回路パターン転写領域Ｋ１１と図示右側の回
路パターン転写領域Ｋ１２の間のスクライブライン１１
上には両回路パターン転写領域Ｋ１１，Ｋ１２のアライ
メントマークＡ１１，Ａ１２がスクライブライン１１を
幅方向に２分割する直線１１ａを挟んで互いに反対側で
平行になるように転写される。なお、各回路パターン転
写領域Ｋ１〜Ｋ２１は方形であり、前記アライメントマ
ーク１４（Ａ１１，Ａ１２等）は各回路パターン転写領
域Ｋ１〜Ｋ２１の各辺に隣接して１個ずつ合計４個転写
されるのが一般的である。
【００２４】従来例のように、ウエハ１０のアライメン
トマーク１４がスクライブライン１１上でほぼ同等に直
列に配設されていると、例えば、ウエハ１０の中央の回
路パターン転写領域Ｋ１１にマスク２０の回路パターン
２３を転写しこれと同時に、次回のリソグラフィのため
の４個のアライメントマークＡ１１をスクライブライン
１１上に転写するときは、中央の回路パターン転写領域
Ｋ１１に隣接する４個の回路パターン転写領域Ｋ６，Ｋ
１２，Ｋ１６，Ｋ１０のそれぞれのアライメントマーク
Ａ６，Ａ１２，Ａ１６，Ａ１０が多重露光され、コント
ラストが低下するおそれがある。
トマーク１４がスクライブライン１１上でほぼ同等に直
列に配設されていると、例えば、ウエハ１０の中央の回
路パターン転写領域Ｋ１１にマスク２０の回路パターン
２３を転写しこれと同時に、次回のリソグラフィのため
の４個のアライメントマークＡ１１をスクライブライン
１１上に転写するときは、中央の回路パターン転写領域
Ｋ１１に隣接する４個の回路パターン転写領域Ｋ６，Ｋ
１２，Ｋ１６，Ｋ１０のそれぞれのアライメントマーク
Ａ６，Ａ１２，Ａ１６，Ａ１０が多重露光され、コント
ラストが低下するおそれがある。
【００２５】そこで、互いに隣接する回路パターン転写
領域、例えば、図１の（ｂ）に示すように回路パターン
転写領域Ｋ１１，Ｋ１２の間のスクライブライン１１を
幅方向に２分割する直線１１ａ（破線で示す）を挟ん
で、両回路パターン転写領域Ｋ１１，Ｋ１２のアライメ
ントマークＡ１１，Ａ１２が互いに反対側で平行になる
ように配設するとともに、アパーチャ３０によって露光
画角を確定するに際しては、その開口縁すなわち各アパ
ーチャブレード３１の内端縁をスクライブライン１１の
前記直線１１ａに投影して、該直線１１ａの外側を遮光
するように各アパーチャブレード３１の位置決めを行な
う。
領域、例えば、図１の（ｂ）に示すように回路パターン
転写領域Ｋ１１，Ｋ１２の間のスクライブライン１１を
幅方向に２分割する直線１１ａ（破線で示す）を挟ん
で、両回路パターン転写領域Ｋ１１，Ｋ１２のアライメ
ントマークＡ１１，Ａ１２が互いに反対側で平行になる
ように配設するとともに、アパーチャ３０によって露光
画角を確定するに際しては、その開口縁すなわち各アパ
ーチャブレード３１の内端縁をスクライブライン１１の
前記直線１１ａに投影して、該直線１１ａの外側を遮光
するように各アパーチャブレード３１の位置決めを行な
う。
【００２６】アパーチャ３０の開口３０ａがスクライブ
ライン１１を２分割する直線１１ａの内側に投影され、
回路パターン転写領域Ｋ１１のアライメントマークＡ１
１が回路パターン１３とともに露光されるが、隣接する
回路パターン転写領域Ｋ６，Ｋ１２，Ｋ１６，Ｋ１０の
アライメントマークＡ６，Ａ１２，Ａ１６，Ａ１０の転
写部分はアパーチャ３０によって完全に遮光される。従
って、多重露光のおそれはない。次回の露光サイクルに
おいては、コントラストの良好なアライメントマークを
用いることで重ね合わせ精度の高い転写、焼き付けを行
なうことができる。
ライン１１を２分割する直線１１ａの内側に投影され、
回路パターン転写領域Ｋ１１のアライメントマークＡ１
１が回路パターン１３とともに露光されるが、隣接する
回路パターン転写領域Ｋ６，Ｋ１２，Ｋ１６，Ｋ１０の
アライメントマークＡ６，Ａ１２，Ａ１６，Ａ１０の転
写部分はアパーチャ３０によって完全に遮光される。従
って、多重露光のおそれはない。次回の露光サイクルに
おいては、コントラストの良好なアライメントマークを
用いることで重ね合わせ精度の高い転写、焼き付けを行
なうことができる。
【００２７】アパーチャ３０は、スクライブライン１１
を２分割する直線１１ａに沿って露光画角を確定するも
のであるから、各アパーチャブレード３１のエッジであ
る内端縁にアライメントマークを転写するための凹所等
を設けることなく、直線状に加工するだけでよい（図２
参照）。従って、アパーチャブレード３１の加工コスト
が上昇して露光装置の高価格化を招くおそれもない。
を２分割する直線１１ａに沿って露光画角を確定するも
のであるから、各アパーチャブレード３１のエッジであ
る内端縁にアライメントマークを転写するための凹所等
を設けることなく、直線状に加工するだけでよい（図２
参照）。従って、アパーチャブレード３１の加工コスト
が上昇して露光装置の高価格化を招くおそれもない。
【００２８】このように、安価な露光装置を用いて重ね
合わせ精度の高い転写、焼き付けを行なうことで、半導
体ディバイス等の高精度化と低価格化に大きく貢献でき
る。
合わせ精度の高い転写、焼き付けを行なうことで、半導
体ディバイス等の高精度化と低価格化に大きく貢献でき
る。
【００２９】また、互いに隣接する回路パターン転写領
域のアライメントマークが同じスクライブライン上に幅
方向に直列に配設される結果となるため、アライメント
マークの配設位置を各回路パターン転写領域の各辺の中
央に設定することができる。回路パターン転写領域の各
辺の中央に配設されたアライメントマークは、回路パタ
ーン転写領域の各辺の中央から遠い部位に配設されたア
ライメントマークに比べて、露光中のウエハの昇温等に
よるディストーションによるアライメントマークの変位
が少ないために、位置決め精度を大きく向上させること
ができる。隣接する回路パターン転写領域の一対のアラ
イメントマークがスクライブラインに沿って長さ方向に
直列に配設されていれば、少なくとも一方のアライメン
トマークは、回路パターン転写領域の各辺の中央からず
れることになる。
域のアライメントマークが同じスクライブライン上に幅
方向に直列に配設される結果となるため、アライメント
マークの配設位置を各回路パターン転写領域の各辺の中
央に設定することができる。回路パターン転写領域の各
辺の中央に配設されたアライメントマークは、回路パタ
ーン転写領域の各辺の中央から遠い部位に配設されたア
ライメントマークに比べて、露光中のウエハの昇温等に
よるディストーションによるアライメントマークの変位
が少ないために、位置決め精度を大きく向上させること
ができる。隣接する回路パターン転写領域の一対のアラ
イメントマークがスクライブラインに沿って長さ方向に
直列に配設されていれば、少なくとも一方のアライメン
トマークは、回路パターン転写領域の各辺の中央からず
れることになる。
【００３０】さらに、図４に示すように、１つの回路パ
ターン転写領域Ｋ１１の各辺に対して複数のアライメン
トマークＡ１１を転写する場合でも、アパーチャ３０の
各アパーチャブレード３１の位置を変更する等の作業は
不必要である。すなわち、回路パターン転写領域Ｋ１１
に対する複数のアライメントマークＡ１１はいずれも、
スクライブライン１１を２分割する直線１１ａの片側に
配設されるため、アパーチャ３０の開口３０ａはそのま
まの形状でよい。
ターン転写領域Ｋ１１の各辺に対して複数のアライメン
トマークＡ１１を転写する場合でも、アパーチャ３０の
各アパーチャブレード３１の位置を変更する等の作業は
不必要である。すなわち、回路パターン転写領域Ｋ１１
に対する複数のアライメントマークＡ１１はいずれも、
スクライブライン１１を２分割する直線１１ａの片側に
配設されるため、アパーチャ３０の開口３０ａはそのま
まの形状でよい。
【００３１】一般的に半導体ディバイス等の製造におい
ては、１つの回路パターン転写領域に対して例えば２０
レイヤーの露光を行なうものであるから、１つの回路パ
ターン転写領域に複数のアライメントマークが必要であ
り、レイヤーと同数のアライメントマークを必要とする
場合もある。このようにアライメントマークの数が変わ
っても、アパーチャを再駆動する等のめんどうな作業が
不要であるから、露光装置のスループットを大幅に向上
できるという特筆すべき利点もある。
ては、１つの回路パターン転写領域に対して例えば２０
レイヤーの露光を行なうものであるから、１つの回路パ
ターン転写領域に複数のアライメントマークが必要であ
り、レイヤーと同数のアライメントマークを必要とする
場合もある。このようにアライメントマークの数が変わ
っても、アパーチャを再駆動する等のめんどうな作業が
不要であるから、露光装置のスループットを大幅に向上
できるという特筆すべき利点もある。
【００３２】次に上記説明した露光方法を利用したディ
バイス製造方法の実施例を説明する。図５は半導体ディ
バイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶
パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステップＳ１
（回路設計）では半導体ディバイスの回路設計を行な
う。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パタ
ーンを形成したマスクを製作する。ステップＳ３（ウエ
ハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステ
ップＳ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製さ
れた半導体ディバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体ディバイ
スが完成し、これが出荷（ステップＳ７）される。
バイス製造方法の実施例を説明する。図５は半導体ディ
バイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶
パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステップＳ１
（回路設計）では半導体ディバイスの回路設計を行な
う。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パタ
ーンを形成したマスクを製作する。ステップＳ３（ウエ
ハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステ
ップＳ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製さ
れた半導体ディバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体ディバイ
スが完成し、これが出荷（ステップＳ７）される。
【００３３】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップＳ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップＳ１３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップＳ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップＳ１６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップＳ１７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップＳ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体ディバイスを製造することができ
る。
を示す。ステップＳ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップＳ１３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップＳ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップＳ１６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップＳ１７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップＳ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体ディバイスを製造することができ
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００３５】アパーチャブレード等に複雑な加工を必要
とすることなく、アライメントマークの多重露光を回避
して、重ね合わせ精度の高い露光を行なうことができ
る。その結果、半導体ディバイス等の低価格化と高精度
化に大きく貢献できる。
とすることなく、アライメントマークの多重露光を回避
して、重ね合わせ精度の高い露光を行なうことができ
る。その結果、半導体ディバイス等の低価格化と高精度
化に大きく貢献できる。
【図１】一実施の形態による露光方法を説明するもの
で、（ａ）は露光装置を示す模式図、（ｂ）はウエハの
一部分を示す部分平面図である。
で、（ａ）は露光装置を示す模式図、（ｂ）はウエハの
一部分を示す部分平面図である。
【図２】アパーチャブレードとマスクの位置関係を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】ウエハ全体を説明する図である。
【図４】回路パターン転写領域の各辺に対して複数のア
ライメントマークを転写する場合を説明する図である。
ライメントマークを転写する場合を説明する図である。
【図５】半導体ディバイスの製造方法を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図６】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図７】一従来例を示す模式図である。
【図８】図７のウエハの一部分を示す部分平面図であ
る。
る。
【図９】ウエハ全体を説明する図である。
Ｋ１〜Ｋ２１ 回路パターン転写領域 Ａ６，Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１６，１４ アラ
イメントマーク １０ ウエハ １１ スクライブライン ２０ マスク ３０ アパーチャ ３１ アパーチャブレード
イメントマーク １０ ウエハ １１ スクライブライン ２０ マスク ３０ アパーチャ ３１ アパーチャブレード
Claims (6)
- 【請求項１】 開口手段の開口を通る露光光によって基
板の複数の回路パターン転写領域のそれぞれを逐次露光
する工程を有し、互いに隣接する一対の回路パターン転
写領域のそれぞれのアライメントマークが、両回路パタ
ーン転写領域の間の境界領域を２分割する直線に対して
互に反対側に転写されることを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 アライメントマークが、回路パターン転
写領域の各辺の中央に近接して転写されることを特徴と
する請求項１記載の露光方法。 - 【請求項３】 各回路パターン転写領域のアライメント
マークが、隣接する回路パターン転写領域との間の境界
領域を２分割する直線の片側に複数転写されることを特
徴とする請求項１または２記載の露光方法。 - 【請求項４】 露光光がＸ線であることを特徴とする請
求項１ないし３いずれか１項記載の露光方法。 - 【請求項５】 開口手段が、直線状のエッジを有するア
パーチャブレードによって構成されていることを特徴と
する請求項１ないし４いずれか１項記載の露光方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５いずれか１項記載の露
光方法によって基板に回路パターンを転写、焼き付けす
る工程を有するディバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9299513A JPH11121359A (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | 露光方法およびディバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9299513A JPH11121359A (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | 露光方法およびディバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121359A true JPH11121359A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17873568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9299513A Pending JPH11121359A (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | 露光方法およびディバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121359A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009532909A (ja) * | 2006-04-03 | 2009-09-10 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 複数のフィールド及びアライメント・マークを有する基板を同時にパターニングする方法 |
-
1997
- 1997-10-16 JP JP9299513A patent/JPH11121359A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009532909A (ja) * | 2006-04-03 | 2009-09-10 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 複数のフィールド及びアライメント・マークを有する基板を同時にパターニングする方法 |
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