JPH11120562A - 光記録再生装置 - Google Patents

光記録再生装置

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JPH11120562A
JPH11120562A JP9283511A JP28351197A JPH11120562A JP H11120562 A JPH11120562 A JP H11120562A JP 9283511 A JP9283511 A JP 9283511A JP 28351197 A JP28351197 A JP 28351197A JP H11120562 A JPH11120562 A JP H11120562A
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JP
Japan
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pulse
mark
recording
power
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP9283511A
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English (en)
Inventor
Junsaku Nakajima
淳策 中嶋
Hitoshi Takeuchi
仁志 竹内
Tatsuya Numa
龍矢 沼
Takeshi Yamaguchi
毅 山口
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP9283511A priority Critical patent/JPH11120562A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度化においても再生信号のジッターを小
さくできる光記録再生装置を提供する。 【解決手段】 本発明の光記録再生装置は、複数の小パ
ルスを照射して、1つのマークを形成する光記録再生装
置において、マルチパルスを構成している少なくとも先
頭の小パルスの前端部でパワーが大きく、後端部では規
定されたパワーに収束するマルチパルスを用いて記録を
行う記録手段を設けてなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクドライ
ブ等の光記録再生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】CD−Rや光磁気ディスクに代表される
書き込み可能な光ディスクは、既にコンピューター用の
外部メモリとして実用化がなされており、その高密度化
が進められている。
【0003】例えばDVD−RやDVD−RAMではデ
ィクス片面で3.9GB、2.6GBといった大きな容
量が実現されている。高密度化への要素技術の1つはマ
ーク長記録を行うことである。即ち、記録マークのエッ
ジの位置に情報を持たせることで、マークの位置に情報
を持たせるよりも大きな記録密度が得られる。そして、
このマーク長記録では当然、マークのエッジ位置を精密
に制御する必要が生じる。1つのマークに対し、1つの
光パルスを対応させて光変調記録を行った場合、形成さ
れるマークの形状は、マーク前端部で幅が狭く、マーク
後端部で幅が広いという、いわゆる涙滴状マークとな
る。このようなマークを再生すると、信号の立ち上が
り、立ち下がりの傾きが一定しないため、エッジ位置を
見極めにくい(即ちジッターが大きくなる)という欠点
があった。
【0004】ジッターの増加は再生時の誤り率の増加を
意味している。これを解決するために、1つのマークに
対し、複数の光パルスを対応させて、いわゆる俵型のマ
ークを形成することが行われている。俵型のマークを再
生すると、その信号の立ち上がり、立ち下がりの傾きが
一定するため、ジッターが大幅に改善される。
【0005】以下の例では、書き込み可能な光ディスク
として記録膜にGeSbTeを用いた相変化ディスクを
用いている。トラックピッチは0.74μmであり、基
板に形成されたランド部、グルーブ部を共に記録トラッ
クとして用いている。基板の厚さは0.6mmであり、
波長650nmのレーザー光、NA0.6の対物レンズ
を用いて記録再生している。また、使用されるマーク
は、最短マークで3T、最長マークで14Tで表される
長さとなり、ランダムデータは3Tから14TまでのT
の整数倍の長さのマークがランダムに形成されたものと
なる。
【0006】ディスクの線速は6m/secである。
【0007】[比較例1]図11に示すように、1つの
マークMに対し、1つのパルスが対応する方式で記録
(シングルパルス記録)し、再生を行った。図11では
3Tマークを書くときの例を示している。記録パルスは
記録パワーレベル(Pw)とバイアスパワーレベル2
(Pb2)により構成されている。初期化されたトラッ
クに、Pb2を再生パワーの1mWと同じとし、Pwを
種々変化させてランダムデータを記録した。それを再生
した際のジッター値とPwの関係を示したのが図12で
ある。ここで3T信号のマーク長は0.6μmに相当し
ている。Pwが7.5mWのとき最も良好なジッター値
として16%が得られる。
【0008】[比較例2]上記に対する比較例として、
図13に示すように、1つのマークに対し、複数のパル
スが対応する方式で記録(マルチパルス記録)し、再生
を行った。図13では3T、4T、5T、11Tマーク
を書くときの例を示している。記録パルスは記録パワー
レベル(Pw)とバイアスパワーレベル1(Pb1)と
バイアスパワーレベル2(Pb2)により構成されてい
る。初期化されたトラックに、Pb2を再生パワーと同
じ1mW、Pb1を4.5mWとし、Pwを種々変化さ
せてランダムデータを記録した。それを再生した際のジ
ッター値とPwの関係を示したのが図14である。ここ
で3T信号のマーク長は比較例1と同じく0.6μmに
相当している。Pwが9.5−11.0mWのとき最も
良好なジッター値として8%が得られる。
【0009】比較例1と比較例2の違いが生じる理由を
以下に述べる。
【0010】図15は11Tマークを形成するためにシ
ングルパルスで記録した場合(a)と、マルチパルスで
記録した場合(b)にできるマーク形状を計算機シミュ
レーションにより求めたものである。(a)ではPb2
を1mW、Pwを8mWとし、(b)ではPb1を4.
5mW、Pb2を1mW、Pwを11mWとして計算を
行っている。媒体の記録層であるGeSbTeの融点が
600℃ 程度であることから、媒体の最高到達温度の
600℃ の等温線に従ったマークが形成されると仮定
している。(a)と(b)を比べると、(a)のマーク
M1は前端の幅が狭く、後端にゆくほど幅が広くなって
いるのに対し、(b)のマークM2では前端から後端ま
で幅がほぼ一定になっている。
【0011】したがって、再生信号は(a)ではマーク
前端に対応する部位の立ち上がりが緩やかで、マーク後
端にゆくほど信号強度が大きくなってゆく。一方(b)
ではマーク前端、後端ともにそれに対応する部位の立ち
上がり、立ち下がりが急峻になる。(a)では立ち上が
りが緩やかなため、マーク前端のエッジ位置を見極めに
くい。また、マーク後端部の幅がマーク長によって異な
ることになるので、長いマークほど後端エッジがより後
ろにずれることとなる。一方、このような現象が(b)
では起こらない。これが比較例1と比較例2の違いが生
じる理由である。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
マルチパルスを用いて更なる高密度化を行った場合、ジ
ッター値が増加してしまい、高密度化できないという問
題点を有する。
【0013】[比較例3]例えば、3T信号のマーク長
を0.4μmにして(すなわち高密度化して)、図15
(b)のマルチパルスを用いて、比較例2と同様の実験
を行った。初期化されたトラックに、Pb2を再生パワ
ーと同じ1mW、Pb1を4.5mWとし、Pwを種々
変化させてランダムデータを記録した。それを再生した
際のジッター値とPwの関係を示したのが図16であ
る。Pwが9.5−11.0mWのとき最も良好なジッ
ター値として13%が得られる。図14と図16を比べ
るとわかるように、高密度化を行うとジッターが増加す
る。
【0014】これは比較例2では、マークエッジのゆら
ぎが検出窓に対し相対的に小さかったのに対し、比較例
3では、高密度化によって検出窓が小さくなった分、検
出窓に対するマークエッジのゆらぎが相対的に大きくな
ったためである。
【0015】本発明は以上の点に鑑み、高密度化におい
ても再生信号のジッターを小さくできる光記録再生装置
を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録再生装置
は、複数の小パルスを照射して、1つのマークを形成す
る光記録再生装置において、マルチパルスを構成してい
る少なくとも先頭の小パルスの前端部でパワーが大き
く、後端部では規定されたパワーに収束するマルチパル
スを用いて記録を行う記録手段を設けてなることを特徴
とする。
【0017】
【発明の実施の形態】図1は本発明で用いたマルチパル
スの波形例である。図2はこれらのマルチパルス生成の
ための装置のブロック図である。
【0018】図2において、1はマルチパルス発生回
路、2はエッジ強調パルス発生回路、3はV−I変換回
路、4乃至6はそれぞれ電流値Iw,Ib1,Ib2の
電流源、7はレーザーダイオード、8及び9は電流スイ
ッチである。図3は、エッジ強調発生回路2の一構成例
であり、コンデンサCと抵抗R1からなる微分回路、ダ
イオードDと抵抗R2からなる半波整流回路、バッフア
アンプBを有している。
【0019】図4は図2、図3の回路における各部の信
号波形例である。図4に示すような記録データWDとラ
イトゲート信号Wgがマルチパルス発生回路1に入力さ
れ、マルチパルスのうちの第1バイアスパワーPb1の
on/offを制御する信号Ib1onと、記録パワー
レベルPwのon/offを制御する信号Iwonを生
成する。これらの信号Ib1on、Iwonによりそれ
ぞれ電流スウィッチ8、9が制御され、電流源4、5か
ら記録パワーPwを生成するための電流Iw、第1バイ
アスパワーPb1を生成するための電流Ib1をレーザ
ーダイオード7のアノードに流し込む。なお、第2バイ
アスパワー2を生成するための電流Ib2は、電流源6
から常にレーザーダイオード7のアノードに流れ込んで
いる。
【0020】エッジ強調パルス発生回路2は、ライトゲ
ート信号Wgと、記録パワーレベルPwのon/off
を制御する信号Iwonを入力し、信号Iwon波形の
微分、半波整流により信号Iwonの前エッジに対応し
て該部分を強調したエッジ強調パルスIeを得る。ここ
で生成されたエッジ強調パルスIeは、V−I変換回路
3により電圧−電流(V−I)変換を行った後、記録パ
ワーPwを生成するための電流Iwに加算されて、レー
ザーダイオード7のアノードに流れ込む。図1(i)は
上記例におけるマルチパルスを示すものである。
【0021】図5、図6はエッジ強調パルス発生回路2
のその他の回路構成例を示すもので、図5はディレイ回
路Dy、インバータIn、アンド回路Aとから構成さ
れ、図6はコンデンサC、コイルL、抵抗Rからなる共
振回路、アナログスイッチSW、バッフアアンプBとか
ら構成されたものである。いずれも、記録パワーレベル
Pwのon/offを制御する信号Iwonの前エッジ
に対応して該部分を強調する、図5、図6内に図示する
ようなエッジ強調パルスIeを得る。これらの場合のレ
ーザーダイオード7に対するマルチパルス例を図1(i
i)、(iii)に示す。
【0022】次に、図1(i)、(ii)、(iii)
の各マルチパルスを用いて、初期化されたトラックに、
ランダムデータを記録した。記録密度は、例えば、比較
例3と同様であり、3T信号のマーク長を0.4μmに
して測定を行った。
【0023】なお、本実施例においても、書き込み可能
な光ディスクとして記録膜にGeSbTeを用いた相変
化ディスクを用いている。トラックピッチは0.74μ
mであり、基板に形成されたランド部、グルーブ部を共
に記録トラックとして用いている。基板の厚さは0.6
mmであり、波長650nmのレーザー光、NA0.6
の対物レンズを用いて記録再生している。また、使用さ
れるマークは、最短マークで3T、最長マークで14T
で表される長さとなり、ランダムデータは3Tから14
TまでのTの整数倍の長さのマークがランダムに形成さ
れたものとなる。ディスクの線速は6m/secであ
る。
【0024】図1(i)、(ii)、(iii)のマル
チパルスでは、パワーのピークの値がPwより5%程度
大きくなるよう調整した。そして、第2バイアスパワー
Pb2を再生パワーと同じ1mW、第1バイアスパワー
Pb1を4.5mWとして、記録パワーPwを種々変化
させた。このときの、再生ジッターの値とPwの関係を
示したのが図7である。
【0025】図7に明らかなように、Pwが9.5−1
1.0mWのとき最も良好なジッター値として8%程度
の値が得られる。図16と図7を比べるとわかるよう
に、図15(b)のマルチパルスを用いるよりも、図1
(i)、(ii)、(iii)のマルチパルスを用いた
ほうが、ジッターが減少する。
【0026】この理由は、以下のように考えられる。
【0027】図8(a)に示すような従来のエッジが強
調されていないマルチパルスで書き込んだ場合、マルチ
パルスを構成する複数の小パルスそれぞれにより形成さ
れる小マーク形状は、図8(b)のように、前端の幅の
狭い小マークが連なることとなる。これらの小マークの
重ね合わせとして、図8(c)に示すような記録マーク
が実際には形成される。図8(c)のマークは幅がほぼ
一定であるが、その前端部では小さなマークの重ね合わ
せが起こらないため、幅が狭くなっている。したがっ
て、図8(d)に示すような再生信号が得られることと
なり、立ち上がりが緩やかなものとなる。特に、3T信
号のマーク長を0.4μmにして(すなわち高密度化し
て)、記録する場合、高密度化によって検出窓が小さく
なった分、検出窓に対するマークエッジのゆらぎが相対
的に大きくなったため、上記の影響が大である。
【0028】一方、図9(a)に示すようなエッジを強
調した、すなわち、マルチパルスを構成している各々の
小パルス先頭部でパワーが大きく、各々の小パルスの後
端部では規定されたパワーに収束するマルチパルスを用
いて書き込んだ場合、マルチパルスを構成する複数の小
パルスそれぞれの先頭部分でパワーが大きいため、図9
(b)のように、前端の幅が十分広い小マークが連なる
こととなる。これらの小マークの重ね合わせとして図9
(c)に示すような記録マークが形成される。図9
(c)のマークは幅がほぼ一定であり、しかもその前端
部も幅が十分広くなる。したがって、図9(d)に示す
ような再生信号が得られることとなり、立ち上がりが急
峻なものとなる。
【0029】比較例2でも説明したように、立ち上がり
が急峻な再生信号ほどマークのエッジ位置を見極めやす
くなる。このことが、本実施例で得られるジッターが比
較例3で得られるジッターより良好となる理由である。
【0030】[比較例4]次に、本例の効果をさらに明
らかにするため、図10に示すマルチパルスを用いて、
比較例3や実施例と同様の測定を行った。
【0031】図10に示すマルチパルスは、マルチパル
スを構成する小パルスのうち、先頭のものが全体的に大
きなパワーになっている形態を有している。こうするこ
とで、マーク先端部でマークの幅を広げ、再生信号の立
ち上がりを急峻にする効果を期待できる。図10で第1
バイアスパワーPb1は4.5mW、第2バイアスパワ
ーPb2は1.0mWで実施例と同じである。Pw1と
Pw2を種々変化させたときの得られたジッター値を表
1に示す。
【0032】
【表1】
【0033】表1より、このとき得られるジッター値は
せいぜい12%程度であり、実施例での値には及ばな
い。これは以下の理由による。即ち、図10のように先
頭の小パルスを大きくしても、小パルス内でのパワーは
一定であるため、小パルスによって形成される小マーク
はやはり図9(b)と同様に前端部の幅の狭いものとな
ってしまう。このことが立ち上がりの緩やかな再生信号
を招くこととなる。
【0034】本発明では、マルチパルスを構成する小パ
ルス各々でパワー変動がなされている。特に先頭の小パ
ルスの前端部でパワーが大きく、後端部では規定された
パワーに収束するマルチパルスを用いることが、形成さ
れるマークの前端部の幅を広げることに大きく寄与して
いる。従って実際、少なくとも先頭の小パルスの前端部
でパワーが大きく、後端部では規定されたパワーに収束
するマルチパルスを用いた場合であっても、図7で説明
した特性、すなわち、Pwが9.5−11.0mWのと
き最も良好なジッター値として8%程度の値が得られ
る。
【0035】なお、具体的な実施例のように各々小パル
スのエッジを強調しても、同じジッター値が得られる
が、これはエッジ強調の回路構成が簡単であるという利
点がある。
【0036】何れにせよ、少なくとも先頭の小パルスの
前端部でパワーが大きく、後端部では規定されたパワー
に収束するマルチパルスを用いることによって、マーク
の前端部の幅が広がり、立ち上がりの急峻な再生信号が
得られ、ジッター低減がなされることとなる。言い換え
ると、マルチパルスを構成する小パルス内でパワー変動
させる本発明は、比較例4からもわかるように、従来か
らある小パルス内でパワー変動させることのないマルチ
パルスではなし得ない効果を発揮することとなる。
【0037】ここで、実施例で用いた本発明に係るマル
チパルスは3種類だけであるが、本発明の主旨に従え
ば、マルチパルスを構成する少なくとも先頭の小パルス
の前端部でパワーが大きくなり、後端部では規定された
パワーに収束するようなマルチパルスであれば、本実施
例に限られるものではない。従って、図3、5、6に示
したものとは異なる構成のエッジ強調パルス発生回路を
用いても良いし、また、必ずしもエッジ強調パルス発生
回路を用いる必要はなく、別の構成で、小パルスの前端
部でパワーが大きいようなマルチパルスを生成してもよ
い。また、リンギングを用いて前述のようなマルチパル
スを発生させてもよい。
【0038】さらに、実施例や比較例で用いた媒体は相
変化媒体であるが、本発明は媒体材料に制限を受けるも
のではなく、例えば、光磁気材料や色素材料であって
も、記録がヒートモードで行われるものであれば良いこ
とは言うまでもない。
【0039】
【発明の効果】以上のように、請求項記載の光記録装置
を用いて記録を行うと、記録密度を高くしてもジッター
の増加を抑える事ができ、高密度光記録ができるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るマルチパルスの波形例を示す図で
ある。
【図2】本発明に係るマルチパルスを生成する装置例を
示すブロック図である。
【図3】図2の要部構成例を示す回路図である。
【図4】図2、図3の各部における信号波形例を示す図
である。
【図5】図2の要部の他の構成例を示す回路図である。
【図6】図2の要部のさらに他の構成例を示す回路図で
ある。
【図7】本発明に係るマルチパルスで高密度にランダム
データを記録した際の、PwとPLLジッターの関係を
表すグラフである。
【図8】従来のマルチパルスでマークを形成したとき
の、マーク形状と再生信号を表す説明図である。
【図9】本発明に係るマルチパルスでマークを形成した
ときの、マーク形状と再生信号を表す説明図である。
【図10】比較のためのマルチパルスの波形例を示す図
である。
【図11】シングルパルスでマークを形成したときの記
録パルスと記録マークを示す図である。
【図12】シングルパルスでランダムデータを記録した
際の、PwとPLLジッターの関係を表すグラフであ
る。
【図13】マルチパルスでマークを形成したときの記録
パルスと記録マークを示す図である。
【図14】従来のマルチパルスでランダムデータを記録
した際の、PwとPLLジッターの関係を表すグラフで
ある。
【図15】シングルパルスでマークを形成したとき、及
び従来のマルチパルスでマークを形成したときの、マー
ク形状のシミュレーション結果と再生信号を表す図であ
る。
【図16】従来のマルチパルスで高密度にランダムデー
タを記録した際の、PwとPLLジッターの関係を表す
グラフである。
【符号の説明】
1 マルチパルス発生回路 2 エッジ強調パルス発生回路 3 V−I変換回路 4 電流源 5 電流源 6 電流源 7 電流スイッチ 8 電流スイッチ WD 記録データ Wg ライトゲート信号 Ib1on バイアスパワー1のon/offを制御す
る信号 Iwon 記録パワーのon/offを制御する信号 Ie エッジ強調パルス発生回路より出力される信号 Iwd レーザーダイオードのアノードに入力される信
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 毅 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の小パルスを照射して、1つのマー
    クを形成する光記録再生装置において、マルチパルスを
    構成している少なくとも先頭の小パルスの前端部でパワ
    ーが大きく、後端部では規定されたパワーに収束するマ
    ルチパルスを用いて記録を行う記録手段を設けてなるこ
    とを特徴とする光記録再生装置。
JP9283511A 1997-10-16 1997-10-16 光記録再生装置 Pending JPH11120562A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9283511A JPH11120562A (ja) 1997-10-16 1997-10-16 光記録再生装置

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JP9283511A JPH11120562A (ja) 1997-10-16 1997-10-16 光記録再生装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007018581A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Victor Co Of Japan Ltd レーザ発光素子駆動制御回路、光ディスク装置、レーザ発光素子駆動制御方法

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JP2007018581A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Victor Co Of Japan Ltd レーザ発光素子駆動制御回路、光ディスク装置、レーザ発光素子駆動制御方法
JP4587073B2 (ja) * 2005-07-06 2010-11-24 日本ビクター株式会社 レーザ発光素子駆動制御回路、光ディスク装置、レーザ発光素子駆動制御方法

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