JPH11119265A - 光導波路素子 - Google Patents
光導波路素子Info
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- JPH11119265A JPH11119265A JP30343597A JP30343597A JPH11119265A JP H11119265 A JPH11119265 A JP H11119265A JP 30343597 A JP30343597 A JP 30343597A JP 30343597 A JP30343597 A JP 30343597A JP H11119265 A JPH11119265 A JP H11119265A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- waveguide device
- cladding layer
- electrode
- thickness
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、低駆動電圧特性と低伝搬損失特性を
同時に充足して、各種の偏向素子、スイッチング素子、
あるいは変調素子へ利用可能な光導波路素子を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】ＳｒＴｉＯ3クラッド層３を有するプリズ
ム型ＥＯ偏向素子へ、レーザ光源９で６３３ｎｍの波長
のレーザ・ビーム６を生成し、レンズ１０でコリメート
した後、ＰＺＴ薄膜光導波路１へ入射プリズム５を介し
て導入する。入射したレーザ・ビーム６は下部Ｎｂドー
プＳｒＴｉＯ3基板電極２とプリズム型上部Ａｌ電極７
の間に電圧を印加することによりプリズム電極７下の部
分とそれ以外の部分において異なる屈折率が発生し、レ
ーザ・ビームが偏向される。偏向されたレーザ・ビーム
６は端面からの出射ビーム８として出射される。
同時に充足して、各種の偏向素子、スイッチング素子、
あるいは変調素子へ利用可能な光導波路素子を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】ＳｒＴｉＯ3クラッド層３を有するプリズ
ム型ＥＯ偏向素子へ、レーザ光源９で６３３ｎｍの波長
のレーザ・ビーム６を生成し、レンズ１０でコリメート
した後、ＰＺＴ薄膜光導波路１へ入射プリズム５を介し
て導入する。入射したレーザ・ビーム６は下部Ｎｂドー
プＳｒＴｉＯ3基板電極２とプリズム型上部Ａｌ電極７
の間に電圧を印加することによりプリズム電極７下の部
分とそれ以外の部分において異なる屈折率が発生し、レ
ーザ・ビームが偏向される。偏向されたレーザ・ビーム
６は端面からの出射ビーム８として出射される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路と、この
光導波路内に入射されたレーザ・ビームを電気光学効果
によって偏向、スイッチング、あるいは変調するための
電極が備えられた光導波路素子に関する。本発明は特
に、レーザ・プリンタ、デジタル複写機、ファクシミリ
用の光偏向素子、光通信や光コンピュータ用の光スイッ
チおよび光変調素子、光ディスク用のピックアップなど
を含むオプト・エレクトロニクス全般に適用可能な光導
波路素子に関する。
光導波路内に入射されたレーザ・ビームを電気光学効果
によって偏向、スイッチング、あるいは変調するための
電極が備えられた光導波路素子に関する。本発明は特
に、レーザ・プリンタ、デジタル複写機、ファクシミリ
用の光偏向素子、光通信や光コンピュータ用の光スイッ
チおよび光変調素子、光ディスク用のピックアップなど
を含むオプト・エレクトロニクス全般に適用可能な光導
波路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ・ビーム・プリンタ、デジタル複
写機、ファクシミリなどに用いられるレーザ・ビーム光
偏向装置として、気体レーザや半導体レーザからのビー
ムをを偏向するポリゴンミラーと呼ばれる回転多面鏡
と、その回転多面鏡により反射されたレーザ・ビームを
感光体などの結像面上において、等速度直線運動の状態
に集光するｆθレンズとで構成されたものが代表的に用
いられている。このようなポリゴンミラーを用いる光偏
向装置はポリゴンミラーをモータによって高速回転させ
るために耐久性に問題があるとともに騒音が発生し、ま
た光走査速度がモータの回転数によって制限される問題
がある。
写機、ファクシミリなどに用いられるレーザ・ビーム光
偏向装置として、気体レーザや半導体レーザからのビー
ムをを偏向するポリゴンミラーと呼ばれる回転多面鏡
と、その回転多面鏡により反射されたレーザ・ビームを
感光体などの結像面上において、等速度直線運動の状態
に集光するｆθレンズとで構成されたものが代表的に用
いられている。このようなポリゴンミラーを用いる光偏
向装置はポリゴンミラーをモータによって高速回転させ
るために耐久性に問題があるとともに騒音が発生し、ま
た光走査速度がモータの回転数によって制限される問題
がある。
【０００３】一方、固体型のレーザ・ビーム光偏向装置
としては、音響光学効果を利用した光偏向素子があり、
なかでも光導波路型素子が期待されている。この光導波
路素子はポリゴンミラーを用いたレーザ・ビーム光走査
装置の欠点を解決するレーザ・ビーム光走査素子とし
て、プリンタなどへの応用が検討されている。この光導
波路型の光偏向素子は、ＬｉＮｂＯ3やＺｎＯなどより
なる光導波路と、この光導波路内にレーザ光ビームをカ
ップリング（入射）させる手段を有し、さらに光導波路
中の光ビームを音響光学効果により偏向するための表面
弾性波を励起するくし形の電極と偏向された光ビームを
光導波路中よりアウトプットするための手段が備えられ
たものであり、このほかに必要に応じて薄膜レンズなど
が素子へ付加される。しかしながら、音響光学効果を利
用した光偏向素子は一般に偏向速度限界によるレーザ偏
向速度の上限の問題があり、レーザ・プリンタ、デジタ
ル複写機、ファクシミリなどの画像形成装置への応用に
は限界が存在する。
としては、音響光学効果を利用した光偏向素子があり、
なかでも光導波路型素子が期待されている。この光導波
路素子はポリゴンミラーを用いたレーザ・ビーム光走査
装置の欠点を解決するレーザ・ビーム光走査素子とし
て、プリンタなどへの応用が検討されている。この光導
波路型の光偏向素子は、ＬｉＮｂＯ3やＺｎＯなどより
なる光導波路と、この光導波路内にレーザ光ビームをカ
ップリング（入射）させる手段を有し、さらに光導波路
中の光ビームを音響光学効果により偏向するための表面
弾性波を励起するくし形の電極と偏向された光ビームを
光導波路中よりアウトプットするための手段が備えられ
たものであり、このほかに必要に応じて薄膜レンズなど
が素子へ付加される。しかしながら、音響光学効果を利
用した光偏向素子は一般に偏向速度限界によるレーザ偏
向速度の上限の問題があり、レーザ・プリンタ、デジタ
ル複写機、ファクシミリなどの画像形成装置への応用に
は限界が存在する。
【０００４】これに対して、音響光学効果と比較して変
調速度の速い電気光学効果を有する酸化物強誘電体材料
を用いた技術が例えば、「A.Yariv,Optical Electronic
s,4th ed.(New York,Rinehart and Winston,1991)３３
６〜３３９頁」等にも解説されているプリズム型光偏向
素子が知られている。このような素子としてはセラミッ
クや単結晶を用いたバルク素子があるが、寸法が大き
く、また、駆動電圧がかなり高いために実用的な偏向角
度を得ることができなかった。また、Ｔｉ拡散型光導波
路やプロトン交換型光導波路を作製したＬｉＮｂＯ3単
結晶ウェハを用いてカスケード型にプリズムを配したプ
リズム型ドメイン反転光偏向素子またはプリズム型電極
光偏向素子が「Q.Chen,et al.,J.Lightwave Tech.vol.1
2(1994)１４０１頁」（文献１）や特開平１−２４８１
４１号公報などに示されている。しかし、ＬｉＮｂＯ3
単結晶ウェハの厚さである０．５ｍｍ程度の電極間隔が
必要となるために依然として駆動電圧が高く、上記の文
献１では±６００Ｖの駆動電圧でもわずか０．２度程度
の偏向角度しか得られておらず、実用的な偏向角度を得
ることはできないという問題がある。
調速度の速い電気光学効果を有する酸化物強誘電体材料
を用いた技術が例えば、「A.Yariv,Optical Electronic
s,4th ed.(New York,Rinehart and Winston,1991)３３
６〜３３９頁」等にも解説されているプリズム型光偏向
素子が知られている。このような素子としてはセラミッ
クや単結晶を用いたバルク素子があるが、寸法が大き
く、また、駆動電圧がかなり高いために実用的な偏向角
度を得ることができなかった。また、Ｔｉ拡散型光導波
路やプロトン交換型光導波路を作製したＬｉＮｂＯ3単
結晶ウェハを用いてカスケード型にプリズムを配したプ
リズム型ドメイン反転光偏向素子またはプリズム型電極
光偏向素子が「Q.Chen,et al.,J.Lightwave Tech.vol.1
2(1994)１４０１頁」（文献１）や特開平１−２４８１
４１号公報などに示されている。しかし、ＬｉＮｂＯ3
単結晶ウェハの厚さである０．５ｍｍ程度の電極間隔が
必要となるために依然として駆動電圧が高く、上記の文
献１では±６００Ｖの駆動電圧でもわずか０．２度程度
の偏向角度しか得られておらず、実用的な偏向角度を得
ることはできないという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これに対して、本発明
者は特開平９−５７９７号公報に開示したように、導電
性基板上に設けられた電気光学効果を有する酸化物光導
波路と、この光導波路内に光ビームを入射させる光源を
有し、光導波路上には光導波路よりも小さい屈折率を有
する酸化物電極、あるいは光導波路よりも小さい屈折率
を有するクラッド層を介して電極が設けられ、さらに光
導波路中の光ビームを電気光学効果によって偏向するた
めの電極が備えられた薄膜光導波路を用いたプリズム型
光偏向素子を発明し、上記の駆動電圧の問題を解決し
た。
者は特開平９−５７９７号公報に開示したように、導電
性基板上に設けられた電気光学効果を有する酸化物光導
波路と、この光導波路内に光ビームを入射させる光源を
有し、光導波路上には光導波路よりも小さい屈折率を有
する酸化物電極、あるいは光導波路よりも小さい屈折率
を有するクラッド層を介して電極が設けられ、さらに光
導波路中の光ビームを電気光学効果によって偏向するた
めの電極が備えられた薄膜光導波路を用いたプリズム型
光偏向素子を発明し、上記の駆動電圧の問題を解決し
た。
【０００６】しかし、上部電極に酸化物を用いた場合に
は透明性が十分でないためにやはり伝搬損失が増加した
り、金属と比べて微細加工が容易でないなどの問題があ
った。一般に、上部電極についてはコプレーナ型電極配
置を有する素子において、光導波路上の金属電極と光導
波路間にはＳｉＯ2によるクラッド層が挿入され、金属
電極への電磁界の染みだしを防ぎ、伝搬光の吸収を回避
する方法がとられている。そこで、それと同様にクラッ
ド層を導入し、金属電極を用いると金属電極への電磁界
の染みだしを防ぎ、伝搬光の吸収を回避することが可能
となるが、電気光学効果を有する酸化物光導波路材料の
比誘電率は数十から数千におよび、ＳｉＯ2の比誘電率
３．９と比べると極めて大きく、さらに、上記の導電性
基板上の薄膜光導波路構造においては等価回路として直
列コンデンサを形成するため、薄膜光導波路にかかる実
効電圧は印加電圧に対して数％以下にしかならず、結局
駆動電圧の大幅な増加を招くことになってしまうという
問題があった。
は透明性が十分でないためにやはり伝搬損失が増加した
り、金属と比べて微細加工が容易でないなどの問題があ
った。一般に、上部電極についてはコプレーナ型電極配
置を有する素子において、光導波路上の金属電極と光導
波路間にはＳｉＯ2によるクラッド層が挿入され、金属
電極への電磁界の染みだしを防ぎ、伝搬光の吸収を回避
する方法がとられている。そこで、それと同様にクラッ
ド層を導入し、金属電極を用いると金属電極への電磁界
の染みだしを防ぎ、伝搬光の吸収を回避することが可能
となるが、電気光学効果を有する酸化物光導波路材料の
比誘電率は数十から数千におよび、ＳｉＯ2の比誘電率
３．９と比べると極めて大きく、さらに、上記の導電性
基板上の薄膜光導波路構造においては等価回路として直
列コンデンサを形成するため、薄膜光導波路にかかる実
効電圧は印加電圧に対して数％以下にしかならず、結局
駆動電圧の大幅な増加を招くことになってしまうという
問題があった。
【０００７】本発明の目的は、光導波路素子において、
低駆動電圧特性と低伝搬損失特性を同時に解決できる構
造を提供することにある。また、本発明の目的は、光導
波路素子を各種の偏向素子、スイッチング素子、あるい
は変調素子へ利用可能とすることにある。
低駆動電圧特性と低伝搬損失特性を同時に解決できる構
造を提供することにある。また、本発明の目的は、光導
波路素子を各種の偏向素子、スイッチング素子、あるい
は変調素子へ利用可能とすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、導電性また
は半導電性の単結晶基板、あるいは導電性または半導電
性のエピタキシャルまたは高配向性の薄膜を表面に有す
る単結晶基板上へ作製されたエピタキシャルまたは高配
向性の電気光学効果を有する光導波路と、この光導波路
上にはクラッド層と、さらにこのクラッド層上には金属
薄膜の上部電極が設置されたことを特徴とする光導波路
素子によって達成される。本発明の光導波路素子によれ
ば、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することに
より異なる屈折率をもつ部分を発生させて、光導波路に
入射する光ビームを電圧に応じて変調、スイッチング、
または偏向させることができる。
は半導電性の単結晶基板、あるいは導電性または半導電
性のエピタキシャルまたは高配向性の薄膜を表面に有す
る単結晶基板上へ作製されたエピタキシャルまたは高配
向性の電気光学効果を有する光導波路と、この光導波路
上にはクラッド層と、さらにこのクラッド層上には金属
薄膜の上部電極が設置されたことを特徴とする光導波路
素子によって達成される。本発明の光導波路素子によれ
ば、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することに
より異なる屈折率をもつ部分を発生させて、光導波路に
入射する光ビームを電圧に応じて変調、スイッチング、
または偏向させることができる。
【０００９】本発明の光導波路素子において、下部電極
基板として導電性または半導電性の単結晶基板、あるい
は基板と光導波路の間に設けた導電性または半導電性の
エピタキシャルまたは高配向性の薄膜として用いること
が可能な材料は、ＮｂなどをドープしたＳｒＴｉＯ3、
ＡｌドープＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＲｕＯ2、ＢａＰｂＯ3、
ＳｒＲｕＯ3、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x、ＳｒＶＯ3、ＬａＮ
ｉＯ3、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3、ＺｎＧａ2Ｏ4、ＣｄＧ
ａ2Ｏ4、ＣｄＧａ2Ｏ4、Ｍｇ2ＴｉＯ4、ＭｇＴｉ2Ｏ4な
どの酸化物、Ｓｉ、Ｇｅ、ダイアモンドなどの単体半導
体、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳ
ｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＬ
ｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＳｂ、Ｇ
ａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｓＳ
ｂなどのＩＩＩ−Ｖ系の化合物半導体、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅ、ＣａＳｅ、Ｃｄｔｅ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴ
ｅ、ＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ系の化合物半導体、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属などを用いることが
できる。
基板として導電性または半導電性の単結晶基板、あるい
は基板と光導波路の間に設けた導電性または半導電性の
エピタキシャルまたは高配向性の薄膜として用いること
が可能な材料は、ＮｂなどをドープしたＳｒＴｉＯ3、
ＡｌドープＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＲｕＯ2、ＢａＰｂＯ3、
ＳｒＲｕＯ3、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x、ＳｒＶＯ3、ＬａＮ
ｉＯ3、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3、ＺｎＧａ2Ｏ4、ＣｄＧ
ａ2Ｏ4、ＣｄＧａ2Ｏ4、Ｍｇ2ＴｉＯ4、ＭｇＴｉ2Ｏ4な
どの酸化物、Ｓｉ、Ｇｅ、ダイアモンドなどの単体半導
体、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳ
ｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＬ
ｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＳｂ、Ｇ
ａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｓＳ
ｂなどのＩＩＩ−Ｖ系の化合物半導体、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅ、ＣａＳｅ、Ｃｄｔｅ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴ
ｅ、ＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ系の化合物半導体、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属などを用いることが
できる。
【００１０】このうち、下部電極の上部に配置する酸化
物薄膜光導波路の膜質を考えると、下部電極には酸化物
を用いることが望ましい。これらの導電性または半導電
性の単結晶基板、あるいは導電性または半導電性のエピ
タキシャルまたは配向性の薄膜は、強誘電体薄膜の結晶
構造、および偏向速度、スイッチング速度、または変調
速度によって必要とされるキャリア・モビリティに応じ
て選ばれることが望ましい。また、導電性または半導電
性の単結晶基板、あるいは導電性または半導電性のエピ
タキシャルまたは配向性の薄膜は、抵抗率としては１０
8Ω・ｃｍ以下、望ましくは１０6Ω・ｃｍ以下がＲＣ時
定数の点より有効である。しかし、電圧降下が無視でき
る程度の抵抗率であれば上部電極または下部電極として
利用可能である。
物薄膜光導波路の膜質を考えると、下部電極には酸化物
を用いることが望ましい。これらの導電性または半導電
性の単結晶基板、あるいは導電性または半導電性のエピ
タキシャルまたは配向性の薄膜は、強誘電体薄膜の結晶
構造、および偏向速度、スイッチング速度、または変調
速度によって必要とされるキャリア・モビリティに応じ
て選ばれることが望ましい。また、導電性または半導電
性の単結晶基板、あるいは導電性または半導電性のエピ
タキシャルまたは配向性の薄膜は、抵抗率としては１０
8Ω・ｃｍ以下、望ましくは１０6Ω・ｃｍ以下がＲＣ時
定数の点より有効である。しかし、電圧降下が無視でき
る程度の抵抗率であれば上部電極または下部電極として
利用可能である。
【００１１】基板と光導波路の間に設けた導電性または
半導電性のエピタキシャルまたは高配向性の薄膜の基板
として用いることが可能な材料は、ＳｒＴｉＯ3、Ｂａ
ＴｉＯ3、ＢａＺｒＯ3、ＬａＡｌＯ3、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3
８％−ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＬｉＮｂＯ3、
ＬｉＴａＯ3、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯなどの酸化物、Ｓｉ、
Ｇｅ、ダイアモンドなどの単体半導体、ＡｌＡｓ、Ａｌ
Ｓｂ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡ
ｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＬｎＰ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＳｂ、ＧａＩｎＡｓ、Ｇａ
ＩｎＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｓＳｂなどのＩＩＩ−
Ｖ系の化合物半導体、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃ
ａＳｅ、Ｃｄｔｅ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳなどの
ＩＩ−ＶＩ系の化合物半導体などを用いることができる
が、酸化物を用いることが上部に配置する酸化物薄膜光
導波路の膜質にとって有利なことが多い。
半導電性のエピタキシャルまたは高配向性の薄膜の基板
として用いることが可能な材料は、ＳｒＴｉＯ3、Ｂａ
ＴｉＯ3、ＢａＺｒＯ3、ＬａＡｌＯ3、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3
８％−ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＬｉＮｂＯ3、
ＬｉＴａＯ3、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯなどの酸化物、Ｓｉ、
Ｇｅ、ダイアモンドなどの単体半導体、ＡｌＡｓ、Ａｌ
Ｓｂ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡ
ｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＬｎＰ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＳｂ、ＧａＩｎＡｓ、Ｇａ
ＩｎＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｓＳｂなどのＩＩＩ−
Ｖ系の化合物半導体、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃ
ａＳｅ、Ｃｄｔｅ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳなどの
ＩＩ−ＶＩ系の化合物半導体などを用いることができる
が、酸化物を用いることが上部に配置する酸化物薄膜光
導波路の膜質にとって有利なことが多い。
【００１２】薄膜光導波路材料としては酸化物から選択
され、具体的にはＡＢＯ3型のペロブスカイト型では正
方晶、斜方晶または擬立方晶系として例えばＢａＴｉＯ
3、ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ1-xＬａx（ＺｒyＴｉ1-y）1-x/4
Ｏ3（ｘおよびｙの値によりＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺ
Ｔ）、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、ＫＮｂＯ3など、六
方晶系として例えばＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3などに代
表される強誘電体、タングステンブロンズ型ではＳｒx
Ｂａ1-xＮｂ2Ｏ6、ＰｂxＢａ1-xＮｂ2Ｏ6など、またこ
のほかに、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12、Ｐｂ2ＫＮｂ5Ｏ15、Ｋ3Ｌ
ｉ2Ｎｂ5Ｏ15、さらに以上の置換誘導体などより選ばれ
る。薄膜光導波路の膜厚は通常０．１μｍから１０μｍ
の間に設定されるが、これは目的によって適当に選択す
ることができる。
され、具体的にはＡＢＯ3型のペロブスカイト型では正
方晶、斜方晶または擬立方晶系として例えばＢａＴｉＯ
3、ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ1-xＬａx（ＺｒyＴｉ1-y）1-x/4
Ｏ3（ｘおよびｙの値によりＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺ
Ｔ）、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、ＫＮｂＯ3など、六
方晶系として例えばＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3などに代
表される強誘電体、タングステンブロンズ型ではＳｒx
Ｂａ1-xＮｂ2Ｏ6、ＰｂxＢａ1-xＮｂ2Ｏ6など、またこ
のほかに、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12、Ｐｂ2ＫＮｂ5Ｏ15、Ｋ3Ｌ
ｉ2Ｎｂ5Ｏ15、さらに以上の置換誘導体などより選ばれ
る。薄膜光導波路の膜厚は通常０．１μｍから１０μｍ
の間に設定されるが、これは目的によって適当に選択す
ることができる。
【００１３】クラッド層は薄膜光導波路材料よりも小さ
い屈折率を有し、かつクラッド層の比誘電率と前記光導
波路の比誘電率の比が０．００２以上、望ましくはクラ
ッド層の比誘電率と前記光導波路の比誘電率の比が０．
００６以上であり、かつクラッド層の比誘電率が８以上
である材料が選ばれる。クラッド層材料については光導
波路に対してエピタキシ関係を保持できることは必ずし
も必要ではなく多結晶薄膜でも良いが、均一な界面を得
る必要がある場合には光導波路材料とのエピタキシ関係
を保持できることが必要である。このエピタキシ関係を
保持できる条件としては、クラッド層材料が薄膜光導波
路材料の結晶構造に類似で、格子常数の差が１０％以下
であることが望ましいが、必ずしもこの関係に従わなく
ともエピタキシ関係を保持できれば良い。具体的には、
ＡＢＯ3型のペロブスカイト型酸化物では、正方晶、斜
方晶または擬立方晶系として例えばＳｒＴｉＯ3、Ｂａ
ＴｉＯ3、（Ｓｒ1-xＢａx）ＴｉＯ3（０＜ｘ＜１０
０）、ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ1-xＬａx（ＺｒyＴｉ1-y）
1-x/4Ｏ3（０＜ｘ＜３０、０＜ｙ＜１００、ｘおよびｙ
の値によりＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、ＫＮｂＯ3など、六方晶系として例え
ばＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3などに代表される強誘電
体、タングステンブロンズ型酸化物ではＳｒxＢａ1-xＮ
ｂ2Ｏ6、ＰｂxＢａ1-xＮｂ2Ｏ6など、またこのほかに、
Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12、Ｐｂ2ＫＮｂ5Ｏ15、Ｋ3Ｌｉ2Ｎｂ5Ｏ
15、ＺｎＯさらに以上の置換誘導体より選ばれる。クラ
ッド層の膜厚と上記光導波路の膜厚の比は０．１以上、
望ましくは０．５以上であり、かつクラッド層の膜厚が
１０ｎｍ以上であることが有効である。
い屈折率を有し、かつクラッド層の比誘電率と前記光導
波路の比誘電率の比が０．００２以上、望ましくはクラ
ッド層の比誘電率と前記光導波路の比誘電率の比が０．
００６以上であり、かつクラッド層の比誘電率が８以上
である材料が選ばれる。クラッド層材料については光導
波路に対してエピタキシ関係を保持できることは必ずし
も必要ではなく多結晶薄膜でも良いが、均一な界面を得
る必要がある場合には光導波路材料とのエピタキシ関係
を保持できることが必要である。このエピタキシ関係を
保持できる条件としては、クラッド層材料が薄膜光導波
路材料の結晶構造に類似で、格子常数の差が１０％以下
であることが望ましいが、必ずしもこの関係に従わなく
ともエピタキシ関係を保持できれば良い。具体的には、
ＡＢＯ3型のペロブスカイト型酸化物では、正方晶、斜
方晶または擬立方晶系として例えばＳｒＴｉＯ3、Ｂａ
ＴｉＯ3、（Ｓｒ1-xＢａx）ＴｉＯ3（０＜ｘ＜１０
０）、ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ1-xＬａx（ＺｒyＴｉ1-y）
1-x/4Ｏ3（０＜ｘ＜３０、０＜ｙ＜１００、ｘおよびｙ
の値によりＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、ＫＮｂＯ3など、六方晶系として例え
ばＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3などに代表される強誘電
体、タングステンブロンズ型酸化物ではＳｒxＢａ1-xＮ
ｂ2Ｏ6、ＰｂxＢａ1-xＮｂ2Ｏ6など、またこのほかに、
Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12、Ｐｂ2ＫＮｂ5Ｏ15、Ｋ3Ｌｉ2Ｎｂ5Ｏ
15、ＺｎＯさらに以上の置換誘導体より選ばれる。クラ
ッド層の膜厚と上記光導波路の膜厚の比は０．１以上、
望ましくは０．５以上であり、かつクラッド層の膜厚が
１０ｎｍ以上であることが有効である。
【００１４】上部電極はＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、
Ａｕなどの各種金属電極や合金を用いることが可能であ
る。上記クラッド層、および薄膜光導波路は電子ビーム
蒸着、フラッシュ蒸着、イオン・プレーティング、Ｒｆ
−マグネトロン・スパッタリング、イオン・ビーム・ス
パッタリング、レーザ・アブレーション、ＭＢＥ、ＣＶ
Ｄ、プラズマＣＶＤ、ＭＯＣＶＤなどより選ばれる気相
成長法およびゾルゲル法、ＭＯＤ法などのウエット・プ
ロセスにより作製された薄膜の固相成長法によって作製
される。
ｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、
Ａｕなどの各種金属電極や合金を用いることが可能であ
る。上記クラッド層、および薄膜光導波路は電子ビーム
蒸着、フラッシュ蒸着、イオン・プレーティング、Ｒｆ
−マグネトロン・スパッタリング、イオン・ビーム・ス
パッタリング、レーザ・アブレーション、ＭＢＥ、ＣＶ
Ｄ、プラズマＣＶＤ、ＭＯＣＶＤなどより選ばれる気相
成長法およびゾルゲル法、ＭＯＤ法などのウエット・プ
ロセスにより作製された薄膜の固相成長法によって作製
される。
【００１５】次に、本発明の光導波路素子の基本原理に
ついて図１乃至図１３を用いて詳細に説明する。本発明
の光導波路素子に用いられるスラブ型光導波路の一般的
な形態を図１および図２に示す。ここで、光は導波路１
１をｚ方向に進行する。導波路１１はｎ1、ε1で示され
る屈折率・比誘電率を有しており、ｎ2、ε2で示される
屈折率および比誘電率を有する媒質１２及びｎ3、ε3で
示される屈折率および比誘電率を有する媒質１３に挟ま
れている。また、図１において、ｘ方向はこれらの媒質
１２、１３、および光導波路１１の表面に垂直な方向で
あり、ｙ方向はｘ方向およびｚ方向と垂直な方向と定義
する。図２に示すように、媒質１３と光導波路１１との
境界の座標をｘ＝０とし、光導波路１１の厚さをｄと仮
定する。
ついて図１乃至図１３を用いて詳細に説明する。本発明
の光導波路素子に用いられるスラブ型光導波路の一般的
な形態を図１および図２に示す。ここで、光は導波路１
１をｚ方向に進行する。導波路１１はｎ1、ε1で示され
る屈折率・比誘電率を有しており、ｎ2、ε2で示される
屈折率および比誘電率を有する媒質１２及びｎ3、ε3で
示される屈折率および比誘電率を有する媒質１３に挟ま
れている。また、図１において、ｘ方向はこれらの媒質
１２、１３、および光導波路１１の表面に垂直な方向で
あり、ｙ方向はｘ方向およびｚ方向と垂直な方向と定義
する。図２に示すように、媒質１３と光導波路１１との
境界の座標をｘ＝０とし、光導波路１１の厚さをｄと仮
定する。
【００１６】このときに、ｚ方向にｅｘｐｊ［ωｔ−β
ｚ］で伝搬する光波の波動方程式は次のようになる。
ｚ］で伝搬する光波の波動方程式は次のようになる。
【００１７】 δ2（Ｅz，Ｈz）／δx 2＋δ2（Ｅz，Ｈz）／δy 2＋χi 2（Ｅz，Ｈz）／δz 2＝ ０・・・［１］ （χi 2＝ｋi 2−β2、ｋi 2＝ω2μ0εi＝ｋ0 2ｎi 2、ｉ＝
１，２，３） ここで、ωは光波の角周波数、μ0は真空の透磁率、ｊ
は虚数、βは伝搬定数である。
１，２，３） ここで、ωは光波の角周波数、μ0は真空の透磁率、ｊ
は虚数、βは伝搬定数である。
【００１８】ｙ方向に電磁界が一様であるとすれば、ｅ
ｘｐｊ［ωｔ−βｚ］を省いて、Ｅz，Ｈz∝Ｆ（ｘ）と
おくことによって、［１］式は次のような波動方程式と
なる。 ｄ2Ｆ（ｘ）／ｄy 2＋χiＦ（ｘ）＝０・・・［２］
ｘｐｊ［ωｔ−βｚ］を省いて、Ｅz，Ｈz∝Ｆ（ｘ）と
おくことによって、［１］式は次のような波動方程式と
なる。 ｄ2Ｆ（ｘ）／ｄy 2＋χiＦ（ｘ）＝０・・・［２］
【００１９】従って、すべての電磁界成分は指数関数ま
たは三角関数で表されることになり、一方向に一様な電
磁界はＴＥモード（Ｅz＝０）とＴＭモード（Ｈz＝０）
として表され、電磁界成分は次のようになる。 ＴＥ： Ｅz＝０、Ｅx＝Ｈy＝０ δＥy／δz＝ｊωμ0Ｈx δＥy／δx＝−ｊωμ0Ｈz ＴＭ： Ｈz＝０、Ｈx＝Ｅy＝０ δＨy／δz＝−ｊωεiＥx δＨy／δy＝ｊωεiＥz
たは三角関数で表されることになり、一方向に一様な電
磁界はＴＥモード（Ｅz＝０）とＴＭモード（Ｈz＝０）
として表され、電磁界成分は次のようになる。 ＴＥ： Ｅz＝０、Ｅx＝Ｈy＝０ δＥy／δz＝ｊωμ0Ｈx δＥy／δx＝−ｊωμ0Ｈz ＴＭ： Ｈz＝０、Ｈx＝Ｅy＝０ δＨy／δz＝−ｊωεiＥx δＨy／δy＝ｊωεiＥz
【００２０】ここで、ＴＥモードについて、媒質１２の
領域（以下、ＩＩ領域という）および媒質１３の領域
（以下、ＩＩＩ領域という）での電界は、｜ｘ｜＝∞で
０でなければならないから、 ＩＩＩ領域：Ｅy3＝Ｅ3ｅｘｐ（−γ3ｘ）、ｘ＞０・・・［３］ Ｉ領域：Ｅy1＝Ｅ1ｃｏｓ（ｋxｘ＋φ3）、−ｄ＜ｘ＜０・・・［４］ ＩＩ領域：Ｅy2＝Ｅ2ｅｘｐ｛γ2（ｘ＋ｔ）｝、ｘ＜−ｄ・・・［５］ となり、電界は基板へ染みだすことがわかる。なお、光
導波路１１の領域がＩ領域である。ここで、 γ3＝ｋ0（Ｎ2−ｎ3 2）0.5・・・［６］ ｋx＝ｋ0（ｎ1 2−Ｎ2）0.5・・・［７］ γ2＝ｋ0（Ｎ2−ｎ2 2）0.5・・・［８］ また、ｘ＝０において電界成分ＥyとＨzが連続である境
界条件より、 Ｅ3＝Ｅ1ｃｏｓφ3・・・・［９］ ｔａｎφ3＝γ3／ｋx・・・［１０］ ｘ＝−ｄにおいても同様であるから境界条件を適用し
て、 Ｅ2＝Ｅ1ｃｏｓ（ｋxｄ−φ3）・・・・［１１］ ｔａｎ（ｋxｔ−φ3）＝γ2／ｋx・・・［１２］ これらの関係より、
領域（以下、ＩＩ領域という）および媒質１３の領域
（以下、ＩＩＩ領域という）での電界は、｜ｘ｜＝∞で
０でなければならないから、 ＩＩＩ領域：Ｅy3＝Ｅ3ｅｘｐ（−γ3ｘ）、ｘ＞０・・・［３］ Ｉ領域：Ｅy1＝Ｅ1ｃｏｓ（ｋxｘ＋φ3）、−ｄ＜ｘ＜０・・・［４］ ＩＩ領域：Ｅy2＝Ｅ2ｅｘｐ｛γ2（ｘ＋ｔ）｝、ｘ＜−ｄ・・・［５］ となり、電界は基板へ染みだすことがわかる。なお、光
導波路１１の領域がＩ領域である。ここで、 γ3＝ｋ0（Ｎ2−ｎ3 2）0.5・・・［６］ ｋx＝ｋ0（ｎ1 2−Ｎ2）0.5・・・［７］ γ2＝ｋ0（Ｎ2−ｎ2 2）0.5・・・［８］ また、ｘ＝０において電界成分ＥyとＨzが連続である境
界条件より、 Ｅ3＝Ｅ1ｃｏｓφ3・・・・［９］ ｔａｎφ3＝γ3／ｋx・・・［１０］ ｘ＝−ｄにおいても同様であるから境界条件を適用し
て、 Ｅ2＝Ｅ1ｃｏｓ（ｋxｄ−φ3）・・・・［１１］ ｔａｎ（ｋxｔ−φ3）＝γ2／ｋx・・・［１２］ これらの関係より、
【００２１】 ｋxｄ＝（ｍ＋１）π−ｔａｎ-1（ｋx／γ2）−ｔａｎ-1（ｋx／γ3） ・・・［１３］
【００２２】ここで、ｍはモード・ナンバー（ｍ＝０，
１，２，．．．．．）である。このような解析的方法に
よって電磁界分布を求める以外に、ＢＰＭ(Beam Propag
ation Method)によって電磁界分布を求めることもでき
る。
１，２，．．．．．）である。このような解析的方法に
よって電磁界分布を求める以外に、ＢＰＭ(Beam Propag
ation Method)によって電磁界分布を求めることもでき
る。
【００２３】ここで、図３はＮｂ０．００５％ドープＳ
ｒＴｉＯ3導電性基板２上（ｎ2＝２．４０）に６００ｎ
ｍの厚さのＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路１（ｎ1
＝２．５６）が設けられ、さらにその上に上部Ａｌ電極
７が設けられた構造における、波長６３３ｎｍでのＴＥ
0モードの強度分布の模式図を示す。この際、薄膜光導
波路１中の光の振動数がＡｌ電極７のプラズマ振動数を
越えると、光伝搬にともないＡｌ電極７中へ染みだした
成分がＡｌ中のキャリアによって強く吸収され、伝搬損
失となる。このとき光導波路１表面や光導波路１中の粒
界などによる散乱、および光導波路１自身の吸収による
損失に加えて、金属電極吸収によって生じる伝搬損失は
光導波路１の膜厚に依存し、光導波路膜厚が厚いほうが
電界の光導波路１中での閉じ込めが強くなり、基板へ染
みだす割合が少なくなるために伝搬損失は図４に示すよ
うに小さくなる。
ｒＴｉＯ3導電性基板２上（ｎ2＝２．４０）に６００ｎ
ｍの厚さのＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路１（ｎ1
＝２．５６）が設けられ、さらにその上に上部Ａｌ電極
７が設けられた構造における、波長６３３ｎｍでのＴＥ
0モードの強度分布の模式図を示す。この際、薄膜光導
波路１中の光の振動数がＡｌ電極７のプラズマ振動数を
越えると、光伝搬にともないＡｌ電極７中へ染みだした
成分がＡｌ中のキャリアによって強く吸収され、伝搬損
失となる。このとき光導波路１表面や光導波路１中の粒
界などによる散乱、および光導波路１自身の吸収による
損失に加えて、金属電極吸収によって生じる伝搬損失は
光導波路１の膜厚に依存し、光導波路膜厚が厚いほうが
電界の光導波路１中での閉じ込めが強くなり、基板へ染
みだす割合が少なくなるために伝搬損失は図４に示すよ
うに小さくなる。
【００２４】
【表１】
【００２５】しかし、この染みだしの起こる領域を図５
および上記表１のように吸収のないＳｒＴｉＯ3クラッ
ド層３で置き換えれば上部Ａｌ電極７による吸収はなく
なり、伝搬損失の低減が可能となる。クラッド層３がこ
のように薄膜光導波路１と金属電極７の隔離層として機
能するためには、一般に、クラッド層材料の屈折率が薄
膜光導波路材料の屈折率よりも小さいことが必要であ
る。
および上記表１のように吸収のないＳｒＴｉＯ3クラッ
ド層３で置き換えれば上部Ａｌ電極７による吸収はなく
なり、伝搬損失の低減が可能となる。クラッド層３がこ
のように薄膜光導波路１と金属電極７の隔離層として機
能するためには、一般に、クラッド層材料の屈折率が薄
膜光導波路材料の屈折率よりも小さいことが必要であ
る。
【００２６】次に、図６は吸収係数α＝１７４を有す
る、Ｎｂ０．５％ドープＳｒＴｉＯ3導電性基板２上に
６００ ｎｍの厚さのＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波
路１が設けられた構造における、波長６３３ｎｍにおけ
るＴＥ0モードの強度分布の模式図を示す。先の例と同
様に、基板の光吸収により光導波路１中の光伝搬にとも
ない基板へ染みだした成分が吸収され、伝搬損失とな
る。この伝搬損失はやはり光導波路１の膜厚に依存し、
光導波路膜厚が厚いほうが電界の光導波路１中での閉じ
込めが強くなり、基板へ染みだす割合が少なくなるため
に伝搬損失は図７に示すように小さくなる。
る、Ｎｂ０．５％ドープＳｒＴｉＯ3導電性基板２上に
６００ ｎｍの厚さのＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波
路１が設けられた構造における、波長６３３ｎｍにおけ
るＴＥ0モードの強度分布の模式図を示す。先の例と同
様に、基板の光吸収により光導波路１中の光伝搬にとも
ない基板へ染みだした成分が吸収され、伝搬損失とな
る。この伝搬損失はやはり光導波路１の膜厚に依存し、
光導波路膜厚が厚いほうが電界の光導波路１中での閉じ
込めが強くなり、基板へ染みだす割合が少なくなるため
に伝搬損失は図７に示すように小さくなる。
【００２７】
【表２】
【００２８】しかし、この染みだしている領域の厚さ分
を図８および上記表２のように吸収のないノンドープＳ
ｒＴｉＯ3バッファ層４で置き換えればＮｂドープＳｒ
ＴｉＯ3導電性基板２による吸収はなくなり、伝搬損失
の低減が可能となる。バッファ層４がこのように薄膜光
導波路１と導電性基板２の隔離層として機能するために
は、クラッド層３と同様に、バッファ層材料の屈折率が
薄膜光導波路材料の屈折率よりも小さいことが必要であ
る。また、バッファ層材料は導電性基板材料と光導波路
材料とのエピタキシ関係を保持できることが必要であ
る。このエピタキシ関係を保持できる条件としては、バ
ッファ層材料が導電性基板材料と光導波路材料の結晶構
造に類似で、格子常数の差が１０％以下であることが望
ましいが、必ずしもこの関係に従わなくともエピタキシ
関係を保持できる場合がある。上記のノンドープＳｒＴ
ｉＯ3バッファ層４の例では、ＮｂドープＳｒＴｉＯ3導
電性基板２とＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路１と同
様のペロブスカイト構造を有し、格子常数の差はＮｂド
ープＳｒＴｉＯ3導電性基板２に対しては０％、ＰＺＴ
（５２／４８）薄膜光導波路１に対しては３％を有す
る。
を図８および上記表２のように吸収のないノンドープＳ
ｒＴｉＯ3バッファ層４で置き換えればＮｂドープＳｒ
ＴｉＯ3導電性基板２による吸収はなくなり、伝搬損失
の低減が可能となる。バッファ層４がこのように薄膜光
導波路１と導電性基板２の隔離層として機能するために
は、クラッド層３と同様に、バッファ層材料の屈折率が
薄膜光導波路材料の屈折率よりも小さいことが必要であ
る。また、バッファ層材料は導電性基板材料と光導波路
材料とのエピタキシ関係を保持できることが必要であ
る。このエピタキシ関係を保持できる条件としては、バ
ッファ層材料が導電性基板材料と光導波路材料の結晶構
造に類似で、格子常数の差が１０％以下であることが望
ましいが、必ずしもこの関係に従わなくともエピタキシ
関係を保持できる場合がある。上記のノンドープＳｒＴ
ｉＯ3バッファ層４の例では、ＮｂドープＳｒＴｉＯ3導
電性基板２とＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路１と同
様のペロブスカイト構造を有し、格子常数の差はＮｂド
ープＳｒＴｉＯ3導電性基板２に対しては０％、ＰＺＴ
（５２／４８）薄膜光導波路１に対しては３％を有す
る。
【００２９】上記の構造（表２参照）におけるバッファ
層膜厚と基板吸収による伝搬損失の関係を図９に示す。
バッファ層膜厚がゼロすなわちバッファ層４がない場合
伝搬損失は６２．９ ｄＢ／ｃｍにもなるが、膜厚３０
０ｎｍのバッファ層４を挿入すると伝搬損失はわずか
０．６ｄＢ／ｃｍにまで低減できる。また、図１０には
各波長におけるＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路／ノ
ンドープＳｒＴｉＯ3バッファ層／ＮｂドープＳｒＴｉ
Ｏ3基板構造における、基板吸収による伝搬損失が１ｄ
Ｂ／ｃｍとなる光導波路膜厚とバッファ層膜厚の関係を
示す。一般に、波長が長いほうが屈折率の波長分散によ
る低下と実効屈折率の低下とにより電界の光導波路中で
の閉じ込めが弱くなり、基板への染みだしが多くなる
が、この図１０の例のようにバッファ層４の膜厚を適切
に選択することによって伝搬損失を小さくすることがで
きる。バッファ層４と光導波路１の膜厚比は伝搬損失を
１ｄＢ／ｃｍ以下に低減するために少なくとも０．１以
上が必要である。また、ＴＥ0のシングルモードでの動
作を前提とする際には０．５以上とすることが適切であ
る。バッファ層４と光導波路１の膜厚比の上限として
は、光導波路のＴＥ0モードのカットオフ膜厚において
最大となり、一般に１０程度となる。これらのことはク
ラッド層３についても全く同様である。
層膜厚と基板吸収による伝搬損失の関係を図９に示す。
バッファ層膜厚がゼロすなわちバッファ層４がない場合
伝搬損失は６２．９ ｄＢ／ｃｍにもなるが、膜厚３０
０ｎｍのバッファ層４を挿入すると伝搬損失はわずか
０．６ｄＢ／ｃｍにまで低減できる。また、図１０には
各波長におけるＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路／ノ
ンドープＳｒＴｉＯ3バッファ層／ＮｂドープＳｒＴｉ
Ｏ3基板構造における、基板吸収による伝搬損失が１ｄ
Ｂ／ｃｍとなる光導波路膜厚とバッファ層膜厚の関係を
示す。一般に、波長が長いほうが屈折率の波長分散によ
る低下と実効屈折率の低下とにより電界の光導波路中で
の閉じ込めが弱くなり、基板への染みだしが多くなる
が、この図１０の例のようにバッファ層４の膜厚を適切
に選択することによって伝搬損失を小さくすることがで
きる。バッファ層４と光導波路１の膜厚比は伝搬損失を
１ｄＢ／ｃｍ以下に低減するために少なくとも０．１以
上が必要である。また、ＴＥ0のシングルモードでの動
作を前提とする際には０．５以上とすることが適切であ
る。バッファ層４と光導波路１の膜厚比の上限として
は、光導波路のＴＥ0モードのカットオフ膜厚において
最大となり、一般に１０程度となる。これらのことはク
ラッド層３についても全く同様である。
【００３０】一方、上部金属電極と薄膜光導波路の間に
クラッド層が存在すると、上下電極間に印加した電圧は
薄膜光導波路とクラッド層のそれぞれの容量に従って分
配され、薄膜光導波路に実際に印加される実効電圧は低
下する。図１１に基板２／光導波路１／クラッド層３／
金属電極７の等価回路を示す。この等価回路は薄膜光導
波路１の容量Ｃwとクラッド層３の容量ＣCからなる直列
回路で表され、これらの容量と等価回路全体の容量Ｃ0
との関係は次のようになる。 １／Ｃ0＝１／Ｃw＋１／ＣC＝（Ｃw＋ＣC）／（Ｃw・ＣC）・・・［１４］ 電荷Ｑは同じなので、 Ｑ＝Ｃ0Ｖ0＝ＣwＶw・・・［１５］ （（Ｃw・ＣC）／（Ｃw＋ＣC））・Ｖ0＝ＣwＶw・・・［１６］ 従って、薄膜光導波路１に印加される実効電圧Ｖwは、
薄膜光導波路１の比誘電率をεw、膜厚をｄw、クラッド
層３の比誘電率をεC、膜厚をｄCとすると次式のように
なる。
クラッド層が存在すると、上下電極間に印加した電圧は
薄膜光導波路とクラッド層のそれぞれの容量に従って分
配され、薄膜光導波路に実際に印加される実効電圧は低
下する。図１１に基板２／光導波路１／クラッド層３／
金属電極７の等価回路を示す。この等価回路は薄膜光導
波路１の容量Ｃwとクラッド層３の容量ＣCからなる直列
回路で表され、これらの容量と等価回路全体の容量Ｃ0
との関係は次のようになる。 １／Ｃ0＝１／Ｃw＋１／ＣC＝（Ｃw＋ＣC）／（Ｃw・ＣC）・・・［１４］ 電荷Ｑは同じなので、 Ｑ＝Ｃ0Ｖ0＝ＣwＶw・・・［１５］ （（Ｃw・ＣC）／（Ｃw＋ＣC））・Ｖ0＝ＣwＶw・・・［１６］ 従って、薄膜光導波路１に印加される実効電圧Ｖwは、
薄膜光導波路１の比誘電率をεw、膜厚をｄw、クラッド
層３の比誘電率をεC、膜厚をｄCとすると次式のように
なる。
【００３１】 Ｖw＝（ＣC／（Ｃw＋ＣC））・Ｖ0＝（εCｄw／（εwｄC＋εCｄw））・Ｖ0・ ・・［１７］
【００３２】厚さ６００ｎｍのＰＺＴ薄膜光導波路１
（εw＝９００）に対して、比誘電率３００を有する３
００ｎｍの厚さのＳｒＴｉＯ3クラッド層（εC＝３０
０）を設けた場合には、
（εw＝９００）に対して、比誘電率３００を有する３
００ｎｍの厚さのＳｒＴｉＯ3クラッド層（εC＝３０
０）を設けた場合には、
【００３３】Ｖw＝εCｄw／（εwｄC＋εCｄw）・Ｖ0＝
３００×６００／（９００×３００＋３００×６００）
・Ｖ0＝０．４０Ｖ0
３００×６００／（９００×３００＋３００×６００）
・Ｖ0＝０．４０Ｖ0
【００３４】と印加電圧Ｖ0の４０％を実効電圧Ｖwとし
て光導波路に印加可能となる。［１７］式は、さらに下
記のように変形できる。
て光導波路に印加可能となる。［１７］式は、さらに下
記のように変形できる。
【００３５】Ｖw／Ｖ0＝（εC／εw）／｛（ｄC／ｄw）
＋（εC／εw）｝＝１／｛（ｄC／ｄw）／（εC／εw）
＋１｝
＋（εC／εw）｝＝１／｛（ｄC／ｄw）／（εC／εw）
＋１｝
【００３６】 １／（Ｖw／Ｖ0）＝（ｄC／ｄw）／（εC／εw）＋１ εC／εw＝（ｄC／ｄw）／｛１／（Ｖw／Ｖ0）−１｝・・・［１８］
【００３７】ｄC／ｄwとεC／εwの関係を０．０２≦Ｖ
w／Ｖ0≦０．４および０．４≦Ｖw／Ｖ0≦０．９の範囲
の値についてそれぞれ図１２および図１３に示す。本発
明においてはｄC／ｄwは０．１以上であるので、Ｖw／
Ｖ0が０．０２以上の値となるεC／εwは図１２より
０．００２以上となる。また、Ｖw／Ｖ0が０．１以上と
なることが望ましいとすれば、εC／εwとしては０．０
０６以上が望ましいことになる。εC／εwの上限として
は、クラッド層と薄膜光導波路に用いることができる材
料の組合せで決まり、１０程度となる。光導波路を構成
する材料の比誘電率は４０００に達するものがあるた
め、εC／εwとして０．００２以上という条件を備える
べきことを考慮すると、クラッド層の比誘電率εCは８
以上の値を有することが望ましい。クラッド層と薄膜光
導波路に用いることができる材料の組合せは、実効電圧
が印加電圧の１％以下となる条件では、導電性基板上に
電気光学効果を有するエピタキシャル光導波路を設け、
駆動電圧を大幅に低減する目的に対し有効ではなくな
る。すなわち、実効電圧が印加電圧の２％以下となる条
件ではクラッド層を有する膜厚１．０μｍの光導波路素
子へ印加する電圧は、クラッド層がなく、拡散光導波路
を有する厚さ５０．０μｍのウェハ素子へ印加する電圧
と等しくなり、このような厚さ５０．０μｍまでのウェ
ハは研磨などによって加工可能であるため、導電性基板
上に電気光学効果を有するエピタキシャル光導波路を設
けるメリットがなくなる。以上の原理はバッファ層につ
いてもまったく同様である。
w／Ｖ0≦０．４および０．４≦Ｖw／Ｖ0≦０．９の範囲
の値についてそれぞれ図１２および図１３に示す。本発
明においてはｄC／ｄwは０．１以上であるので、Ｖw／
Ｖ0が０．０２以上の値となるεC／εwは図１２より
０．００２以上となる。また、Ｖw／Ｖ0が０．１以上と
なることが望ましいとすれば、εC／εwとしては０．０
０６以上が望ましいことになる。εC／εwの上限として
は、クラッド層と薄膜光導波路に用いることができる材
料の組合せで決まり、１０程度となる。光導波路を構成
する材料の比誘電率は４０００に達するものがあるた
め、εC／εwとして０．００２以上という条件を備える
べきことを考慮すると、クラッド層の比誘電率εCは８
以上の値を有することが望ましい。クラッド層と薄膜光
導波路に用いることができる材料の組合せは、実効電圧
が印加電圧の１％以下となる条件では、導電性基板上に
電気光学効果を有するエピタキシャル光導波路を設け、
駆動電圧を大幅に低減する目的に対し有効ではなくな
る。すなわち、実効電圧が印加電圧の２％以下となる条
件ではクラッド層を有する膜厚１．０μｍの光導波路素
子へ印加する電圧は、クラッド層がなく、拡散光導波路
を有する厚さ５０．０μｍのウェハ素子へ印加する電圧
と等しくなり、このような厚さ５０．０μｍまでのウェ
ハは研磨などによって加工可能であるため、導電性基板
上に電気光学効果を有するエピタキシャル光導波路を設
けるメリットがなくなる。以上の原理はバッファ層につ
いてもまったく同様である。
【００３８】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態による
光導波路素子を図１４および図１５を用いて説明する。
図１４は本実施の形態による光導波路素子の上面図であ
り、図１５はその側面図である。本実施の形態において
は表３に示すようにＮｂドープＳｒＴｉＯ3（１００）
単結晶透明導電性の下部電極基板２上へ、膜厚９００ｎ
ｍのエピタキシャルＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路
１を成長させ、次に膜厚３００ｎｍのＳｒＴｉＯ3クラ
ッド層３を成長させ、さらにプリズム型Ａｌ上部電極７
を形成することによってプリズム型ＥＯ偏向素子を作製
した。
光導波路素子を図１４および図１５を用いて説明する。
図１４は本実施の形態による光導波路素子の上面図であ
り、図１５はその側面図である。本実施の形態において
は表３に示すようにＮｂドープＳｒＴｉＯ3（１００）
単結晶透明導電性の下部電極基板２上へ、膜厚９００ｎ
ｍのエピタキシャルＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路
１を成長させ、次に膜厚３００ｎｍのＳｒＴｉＯ3クラ
ッド層３を成長させ、さらにプリズム型Ａｌ上部電極７
を形成することによってプリズム型ＥＯ偏向素子を作製
した。
【００３９】
【表３】
【００４０】ＰＺＴ（５２／４８）光導波路層１はゾル
ゲル法を用いた固相エピタキシャル成長によって作製し
た。まず、無水酢酸鉛Ｐｂ（ＣＨ3ＣＯＯ）2、ジルコニ
ウム・イソプロポキシドＺｒ（Ｏ−ｉ−Ｃ3Ｈ7）4、お
よびチタン・イソプロポキシドＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ3Ｈ7）
4を出発原料として、２−メトキシエタノールに溶解
し、６時間の蒸留を行ったのち１８時間の還流を行い、
最終的にＰｂ濃度で０．６ＭのＰＺＴ（５２／４８）用
前駆体溶液を得た。さらに、この前駆体溶液をＮｂドー
プＳｒＴｉＯ3基板２へスピンコーティングを行った。
以上の操作はすべてＮ2雰囲気中にて行った。次に、加
湿Ｏ2雰囲気中で２０°Ｃ／ｓｅｃにて昇温して３５０
°Ｃにて保持の後、６５０°Ｃに保持し、最後に電気炉
の電源を切り冷却した。これにより膜厚１００ｎｍの第
１層目のＰＺＴ薄膜を固相エピタキシャル成長した。こ
れをさらに８回繰り返すことにより総膜厚９００ｎｍの
エピタキシャルＰＺＴ薄膜が得られた。結晶学的関係は
単一配向のＰＺＴ（１００）／／Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ
3（１００）、面内方位ＰＺＴ［００１］／／Ｎｂ−Ｓ
ｒＴｉＯ3［００１］の構造が得られた。
ゲル法を用いた固相エピタキシャル成長によって作製し
た。まず、無水酢酸鉛Ｐｂ（ＣＨ3ＣＯＯ）2、ジルコニ
ウム・イソプロポキシドＺｒ（Ｏ−ｉ−Ｃ3Ｈ7）4、お
よびチタン・イソプロポキシドＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ3Ｈ7）
4を出発原料として、２−メトキシエタノールに溶解
し、６時間の蒸留を行ったのち１８時間の還流を行い、
最終的にＰｂ濃度で０．６ＭのＰＺＴ（５２／４８）用
前駆体溶液を得た。さらに、この前駆体溶液をＮｂドー
プＳｒＴｉＯ3基板２へスピンコーティングを行った。
以上の操作はすべてＮ2雰囲気中にて行った。次に、加
湿Ｏ2雰囲気中で２０°Ｃ／ｓｅｃにて昇温して３５０
°Ｃにて保持の後、６５０°Ｃに保持し、最後に電気炉
の電源を切り冷却した。これにより膜厚１００ｎｍの第
１層目のＰＺＴ薄膜を固相エピタキシャル成長した。こ
れをさらに８回繰り返すことにより総膜厚９００ｎｍの
エピタキシャルＰＺＴ薄膜が得られた。結晶学的関係は
単一配向のＰＺＴ（１００）／／Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ
3（１００）、面内方位ＰＺＴ［００１］／／Ｎｂ−Ｓ
ｒＴｉＯ3［００１］の構造が得られた。
【００４１】このＰＺＴ薄膜光導波路１のポーリングを
行った後、ＳｒＴｉＯ3クラッド層３をゾルゲル法によ
って作製した。まず、Ｓｒ（ＯＣ2Ｈ5）2とＴｉ（Ｏ−
ｉ−Ｃ3Ｈ7）4を２−メトキシエタノールに溶解し、こ
の溶液を攪はんしつつ２時間蒸留し、さらに２２時間の
還流を行い複合金属アルコキシドＳｒＴｉ（ＯＣ2Ｈ4Ｏ
Ｃ2Ｈ5）6の溶液を得た。この溶液の一部に、Ｓｒまた
はＴｉとのモル比が１：２となる水および１：０．２と
なるアンモニア触媒を加え１００°Ｃで３時間攪拌した
後、０．６Ｍになるように調合した。この溶液をＰＺＴ
薄膜光導波路１を成長させたＮｂドープＳｒＴｉＯ3基
板上にスピンコートし、続いて２０°Ｃ／秒の速度にて
加熱し３００°Ｃで２分間および５５０°Ｃで保持し
た。この塗布と熱処理の操作を３回繰り返し、膜厚約３
００ｎｍのＳｒＴｉＯ3クラッド層３を得た。ＳｒＴｉ
Ｏ3クラッド層３上にはスパッタリング法によって成膜
した膜厚１００ｎｍのＡｌ薄膜による１５個の底辺２０
０μｍ、高さ１０００μｍのプリズム形上部電極７アレ
イをリフト・オフ法によって形成し、プリズム型ＥＯ偏
向素子を作製した。また、ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基板
２へのオーミック・コンタクトはＩｎによって得た。
行った後、ＳｒＴｉＯ3クラッド層３をゾルゲル法によ
って作製した。まず、Ｓｒ（ＯＣ2Ｈ5）2とＴｉ（Ｏ−
ｉ−Ｃ3Ｈ7）4を２−メトキシエタノールに溶解し、こ
の溶液を攪はんしつつ２時間蒸留し、さらに２２時間の
還流を行い複合金属アルコキシドＳｒＴｉ（ＯＣ2Ｈ4Ｏ
Ｃ2Ｈ5）6の溶液を得た。この溶液の一部に、Ｓｒまた
はＴｉとのモル比が１：２となる水および１：０．２と
なるアンモニア触媒を加え１００°Ｃで３時間攪拌した
後、０．６Ｍになるように調合した。この溶液をＰＺＴ
薄膜光導波路１を成長させたＮｂドープＳｒＴｉＯ3基
板上にスピンコートし、続いて２０°Ｃ／秒の速度にて
加熱し３００°Ｃで２分間および５５０°Ｃで保持し
た。この塗布と熱処理の操作を３回繰り返し、膜厚約３
００ｎｍのＳｒＴｉＯ3クラッド層３を得た。ＳｒＴｉ
Ｏ3クラッド層３上にはスパッタリング法によって成膜
した膜厚１００ｎｍのＡｌ薄膜による１５個の底辺２０
０μｍ、高さ１０００μｍのプリズム形上部電極７アレ
イをリフト・オフ法によって形成し、プリズム型ＥＯ偏
向素子を作製した。また、ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基板
２へのオーミック・コンタクトはＩｎによって得た。
【００４２】ここで、一般に電気光学効果を有する材料
に電場を加えると、対称心のない結晶構造における電場
による屈折率変化は次のようになり、 Δｎ＝ｎ0−ｎ＝−ａＥ−ｂＥ2−・・・［１９］ このうち一次の項はポッケルス（Ｐｏｃｋｅｌｓ）効果
と呼ばれ、一般に次のように示され、 Δｎ＝−１／２ｒｎ3Ｅ・・・［２０］ 二次の項がカー（Ｋｅｒｒ）効果と呼ばれ、一般に次の
ように示される。 Δｎ＝−１／２Ｒｎ3Ｅ2・・・［２１］
に電場を加えると、対称心のない結晶構造における電場
による屈折率変化は次のようになり、 Δｎ＝ｎ0−ｎ＝−ａＥ−ｂＥ2−・・・［１９］ このうち一次の項はポッケルス（Ｐｏｃｋｅｌｓ）効果
と呼ばれ、一般に次のように示され、 Δｎ＝−１／２ｒｎ3Ｅ・・・［２０］ 二次の項がカー（Ｋｅｒｒ）効果と呼ばれ、一般に次の
ように示される。 Δｎ＝−１／２Ｒｎ3Ｅ2・・・［２１］
【００４３】実際には、電場を大きくしていくと一次の
電気光学効果であるＰｏｃｋｅｌｓ効果に次第に二次の
電気光学効果であるＫｅｒｒ効果が重畳する形で屈折率
変化が起こる。このような電気光学効果を用いる際は、
対称心のない結晶構造を持ち高い係数を持つ強誘電体を
用いることとなり、前述した例のような酸化物強誘電体
が代表的である。このような強誘電体に局所電場を印加
するとのようにその部分の屈折率の低下が起こる。
電気光学効果であるＰｏｃｋｅｌｓ効果に次第に二次の
電気光学効果であるＫｅｒｒ効果が重畳する形で屈折率
変化が起こる。このような電気光学効果を用いる際は、
対称心のない結晶構造を持ち高い係数を持つ強誘電体を
用いることとなり、前述した例のような酸化物強誘電体
が代表的である。このような強誘電体に局所電場を印加
するとのようにその部分の屈折率の低下が起こる。
【００４４】本実施の形態においては、三角形のプリズ
ム型電極７が図１４および図１５に示すような位置に配
置され、距離ｄを隔てて設けられた下部電極であるＮｂ
ドープＳｒＴｉＯ3（１００）基板２と上部電極である
ＩＴＯ電極との間に電圧Ｖが印加されると、 Δｎ＝−１／２・ｒ・ｎ3・（Ｖ／ｄ）・・・［２２］ の屈折率変化が生じ、プリズムの長さをＬ、幅をＷとす
ると
ム型電極７が図１４および図１５に示すような位置に配
置され、距離ｄを隔てて設けられた下部電極であるＮｂ
ドープＳｒＴｉＯ3（１００）基板２と上部電極である
ＩＴＯ電極との間に電圧Ｖが印加されると、 Δｎ＝−１／２・ｒ・ｎ3・（Ｖ／ｄ）・・・［２２］ の屈折率変化が生じ、プリズムの長さをＬ、幅をＷとす
ると
【００４５】 θ＝−Δｎ×Ｌ／Ｗ＝１／２・ｒ・ｎ3・（Ｖ／ｄ）・（Ｌ／Ｗ）・・・［２ ３］
【００４６】の偏向が生じる。なお、二次の電気光学効
果であるＫｅｒｒ効果を有する強誘電体を用いたプリズ
ム型光偏向素子において次のようになる。 θ＝１／２・ｒ・ｎ3・（Ｖ／ｄ）2・（Ｌ／Ｗ）・・・［２４］
果であるＫｅｒｒ効果を有する強誘電体を用いたプリズ
ム型光偏向素子において次のようになる。 θ＝１／２・ｒ・ｎ3・（Ｖ／ｄ）2・（Ｌ／Ｗ）・・・［２４］
【００４７】まず、光導波路特性の評価を行なうため、
プリズム・カップリングによって６３３ｎｍのレーザ光
を本実施の形態による光導波路素子のＰＺＴ薄膜光導波
路１に導入し、光伝搬方向のＴＥ0モードの散乱光強度
分布を光ファイバーによって測定した。散乱光強度の対
数と光伝搬距離の関係の傾きより、光伝搬損失を求めた
ところ、本実施の形態による光導波路素子の膜厚３００
ｎｍのＳｒＴｉＯ3クラッド層３を有するＰＺＴ光導波
路１の光伝搬損失は４．１ｄＢ／ｃｍであり、実用レベ
ルに入る特性を示した。
プリズム・カップリングによって６３３ｎｍのレーザ光
を本実施の形態による光導波路素子のＰＺＴ薄膜光導波
路１に導入し、光伝搬方向のＴＥ0モードの散乱光強度
分布を光ファイバーによって測定した。散乱光強度の対
数と光伝搬距離の関係の傾きより、光伝搬損失を求めた
ところ、本実施の形態による光導波路素子の膜厚３００
ｎｍのＳｒＴｉＯ3クラッド層３を有するＰＺＴ光導波
路１の光伝搬損失は４．１ｄＢ／ｃｍであり、実用レベ
ルに入る特性を示した。
【００４８】一方、本実施の形態による光導波路素子の
ＳｒＴｉＯ3クラッド層のみをＮｂドープＳｒＴｉＯ3基
板上へ成長した状態で膜厚３００ｎｍのＳｒＴｉＯ3ク
ラッド層の比誘電率を測定したところ予想していた値で
ある３００よりも若干低い値である２５０を示した。一
方、ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基板上へ直接成長したＰＺ
Ｔ薄膜光導波路において測定した比誘電率は９００であ
った。従って、式［１７］より求められるＰＺＴ薄膜光
導波路の実効電圧は４５％となった。また、Ｎｂドープ
ＳｒＴｉＯ3基板上へ直接成長したＰＺＴ薄膜光導波路
において電気光学係数、および屈折率を測定した結果、
ｒ＝５０ｐｍ／Ｖ、およびｎ＝２．５６であった。
ＳｒＴｉＯ3クラッド層のみをＮｂドープＳｒＴｉＯ3基
板上へ成長した状態で膜厚３００ｎｍのＳｒＴｉＯ3ク
ラッド層の比誘電率を測定したところ予想していた値で
ある３００よりも若干低い値である２５０を示した。一
方、ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基板上へ直接成長したＰＺ
Ｔ薄膜光導波路において測定した比誘電率は９００であ
った。従って、式［１７］より求められるＰＺＴ薄膜光
導波路の実効電圧は４５％となった。また、Ｎｂドープ
ＳｒＴｉＯ3基板上へ直接成長したＰＺＴ薄膜光導波路
において電気光学係数、および屈折率を測定した結果、
ｒ＝５０ｐｍ／Ｖ、およびｎ＝２．５６であった。
【００４９】本実施の形態による光導波路素子の膜厚３
００ｎｍのＳｒＴｉＯ3クラッド層３を有するプリズム
型ＥＯ偏向素子へ、レーザ光源９で６３３ｎｍの波長の
レーザ・ビーム６を生成し、レンズ１０でこれを幅１ｍ
ｍにコリメートした後、ＰＺＴ薄膜光導波路１へ入射プ
リズム５を介して導入した。入射したレーザ・ビーム６
は下部ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基板電極２とプリズム型
上部Ａｌ電極７の間に電圧を印加することによりプリズ
ム電極７下の部分とそれ以外の部分において異なる屈折
率が発生し、レーザ・ビームが偏向された。偏向の後、
偏向されたレーザ・ビーム６は端面からの出射ビーム８
として出射された。投影面上でのレーザ・スポット位置
の変位より偏向角度を求めると、５０Ｖ印加、すなわち
実効電圧２２．５Ｖで２．９２度の偏向が確認された。
先に求めたｒ＝５０ｐｍ／Ｖ、およびｎ＝２．５６と、
設計値となるｄ＝９００ｎｍ、Ｗ＝２００μｍ、Ｌ＝１
０００μｍより実効電圧２２．５Ｖでの偏向角度を逆に
求めると実測とほぼ同じ３．００度となった。
００ｎｍのＳｒＴｉＯ3クラッド層３を有するプリズム
型ＥＯ偏向素子へ、レーザ光源９で６３３ｎｍの波長の
レーザ・ビーム６を生成し、レンズ１０でこれを幅１ｍ
ｍにコリメートした後、ＰＺＴ薄膜光導波路１へ入射プ
リズム５を介して導入した。入射したレーザ・ビーム６
は下部ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基板電極２とプリズム型
上部Ａｌ電極７の間に電圧を印加することによりプリズ
ム電極７下の部分とそれ以外の部分において異なる屈折
率が発生し、レーザ・ビームが偏向された。偏向の後、
偏向されたレーザ・ビーム６は端面からの出射ビーム８
として出射された。投影面上でのレーザ・スポット位置
の変位より偏向角度を求めると、５０Ｖ印加、すなわち
実効電圧２２．５Ｖで２．９２度の偏向が確認された。
先に求めたｒ＝５０ｐｍ／Ｖ、およびｎ＝２．５６と、
設計値となるｄ＝９００ｎｍ、Ｗ＝２００μｍ、Ｌ＝１
０００μｍより実効電圧２２．５Ｖでの偏向角度を逆に
求めると実測とほぼ同じ３．００度となった。
【００５０】以上のように、クラッド層と光導波路の膜
厚比が０．０５以上の領域では伝搬損失が実用的な範囲
に入り、本実施の形態による光導波路素子は有効に機能
することが証明された。
厚比が０．０５以上の領域では伝搬損失が実用的な範囲
に入り、本実施の形態による光導波路素子は有効に機能
することが証明された。
【００５１】次に本実施の形態に対する第１の比較例の
説明をする。本比較例においてはＮｂドープＳｒＴｉＯ
3（１００）単結晶透明導電性の下部電極基板上へ、膜
厚９００ｎｍのエピタキシャルＰＺＴ（５２／４８）薄
膜光導波路を成長させ、さらに本実施の形態と同様のプ
リズム型Ａｌ上部電極を形成することによってプリズム
型ＥＯ偏向素子を作製した。ＰＺＴ（５２／４８）光導
波路層は本実施の形態と同様にしてゾルゲル法を用いた
固相エピタキシャル成長によって、総膜厚９００ｎｍの
エピタキシャルＰＺＴ薄膜を作製した。ＰＺＴ薄膜光導
波路上には本実施の形態と同様にして膜厚１００ｎｍの
Ａｌ薄膜による１５個の底辺２００μｍ、高さ１０００
μｍのプリズム形上部電極アレイを形成し、プリズム型
ＥＯ偏向素子を作製した。また、ＮｂドープＳｒＴｉＯ
3基板へのオーミック・コンタクトはＩｎによって得
た。
説明をする。本比較例においてはＮｂドープＳｒＴｉＯ
3（１００）単結晶透明導電性の下部電極基板上へ、膜
厚９００ｎｍのエピタキシャルＰＺＴ（５２／４８）薄
膜光導波路を成長させ、さらに本実施の形態と同様のプ
リズム型Ａｌ上部電極を形成することによってプリズム
型ＥＯ偏向素子を作製した。ＰＺＴ（５２／４８）光導
波路層は本実施の形態と同様にしてゾルゲル法を用いた
固相エピタキシャル成長によって、総膜厚９００ｎｍの
エピタキシャルＰＺＴ薄膜を作製した。ＰＺＴ薄膜光導
波路上には本実施の形態と同様にして膜厚１００ｎｍの
Ａｌ薄膜による１５個の底辺２００μｍ、高さ１０００
μｍのプリズム形上部電極アレイを形成し、プリズム型
ＥＯ偏向素子を作製した。また、ＮｂドープＳｒＴｉＯ
3基板へのオーミック・コンタクトはＩｎによって得
た。
【００５２】プリズム・カップリングによって６３３ｎ
ｍのレーザ光を本比較例のＰＺＴ薄膜光導波路に導入
し、ＴＥ0モードの伝搬損失測定を行った所、光導波路
の散乱による損失の他にＡｌ上部電極による吸収の影響
が生じ、１１．２ｄＢ／ｃｍと比較的大きな伝搬損失を
示した。
ｍのレーザ光を本比較例のＰＺＴ薄膜光導波路に導入
し、ＴＥ0モードの伝搬損失測定を行った所、光導波路
の散乱による損失の他にＡｌ上部電極による吸収の影響
が生じ、１１．２ｄＢ／ｃｍと比較的大きな伝搬損失を
示した。
【００５３】次に本実施の形態に対する第２の比較例の
説明をする。本比較例においては、本実施の形態と同様
にＮｂドープＳｒＴｉＯ3（１００）単結晶透明導電性
の下部電極基板上へ、膜厚９００ｎｍのエピタキシャル
ＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路を成長させ、その上
に屈折率が１．４６、比誘電率が３．９である膜厚３０
０ｎｍのＳｉＯ2クラッド層を成長させ、さらに本実施
の形態と同様のプリズム型Ａｌ上部電極を形成すること
によってプリズム型ＥＯ偏向素子を作製した。ＰＺＴ
（５２／４８）光導波路層は本実施の形態と同様にして
ゾルゲル法を用いた固相エピタキシャル成長によって、
総膜厚９００ｎｍのエピタキシャルＰＺＴ薄膜を作製し
た。その後、ＳｉＯ2クラッド層はゾルゲル法を用いて
形成した。
説明をする。本比較例においては、本実施の形態と同様
にＮｂドープＳｒＴｉＯ3（１００）単結晶透明導電性
の下部電極基板上へ、膜厚９００ｎｍのエピタキシャル
ＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路を成長させ、その上
に屈折率が１．４６、比誘電率が３．９である膜厚３０
０ｎｍのＳｉＯ2クラッド層を成長させ、さらに本実施
の形態と同様のプリズム型Ａｌ上部電極を形成すること
によってプリズム型ＥＯ偏向素子を作製した。ＰＺＴ
（５２／４８）光導波路層は本実施の形態と同様にして
ゾルゲル法を用いた固相エピタキシャル成長によって、
総膜厚９００ｎｍのエピタキシャルＰＺＴ薄膜を作製し
た。その後、ＳｉＯ2クラッド層はゾルゲル法を用いて
形成した。
【００５４】プリズム・カップリングによって６３３ｎ
ｍのレーザ光を本比較例のＰＺＴ薄膜光導波路に導入
し、ＴＥ0モードの伝搬損失測定を行った所、Ａｌ上部
電極による吸収の影響が低減され、４．８ｄＢ／ｃｍと
良好な伝搬損失を示した。しかし、式［１７］より求め
られるＰＺＴ薄膜光導波路の実効電圧は、ＰＺＴ（５２
／４８）薄膜光導波路の膜厚９００ｎｍ、比誘電率９０
０、およびＳｉＯ2バッファ層の膜厚３００ｎｍ、比誘
電率３．９よりわずか１．３％となり、１００Ｖを印加
しても実効電圧は１．３Ｖにしかならないことがわかっ
た。
ｍのレーザ光を本比較例のＰＺＴ薄膜光導波路に導入
し、ＴＥ0モードの伝搬損失測定を行った所、Ａｌ上部
電極による吸収の影響が低減され、４．８ｄＢ／ｃｍと
良好な伝搬損失を示した。しかし、式［１７］より求め
られるＰＺＴ薄膜光導波路の実効電圧は、ＰＺＴ（５２
／４８）薄膜光導波路の膜厚９００ｎｍ、比誘電率９０
０、およびＳｉＯ2バッファ層の膜厚３００ｎｍ、比誘
電率３．９よりわずか１．３％となり、１００Ｖを印加
しても実効電圧は１．３Ｖにしかならないことがわかっ
た。
【００５５】次に、本発明の第２の実施の形態による光
導波路素子について説明する。本実施の形態による光導
波路素子は、表４に示すように第１の実施の形態とほぼ
同様にＮｂドープＳｒＴｉＯ3（１００）単結晶透明導
電性の下部電極基板上へ、膜厚１０００ｎｍのエピタキ
シャルＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路を成長させ、
さらに膜厚５００ｎｍのエピタキシャルＰＬＺＴ（９／
６５／３５）クラッド層を成長させ、最後にプリズム型
Ａｕ上部電極を形成することによってプリズム型ＥＯ偏
光素子を作製した。
導波路素子について説明する。本実施の形態による光導
波路素子は、表４に示すように第１の実施の形態とほぼ
同様にＮｂドープＳｒＴｉＯ3（１００）単結晶透明導
電性の下部電極基板上へ、膜厚１０００ｎｍのエピタキ
シャルＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路を成長させ、
さらに膜厚５００ｎｍのエピタキシャルＰＬＺＴ（９／
６５／３５）クラッド層を成長させ、最後にプリズム型
Ａｕ上部電極を形成することによってプリズム型ＥＯ偏
光素子を作製した。
【００５６】
【表４】
【００５７】ＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路、およ
びＰＬＺＴ（９／６５／３５）クラッド層は、第１の実
施の形態と同様にゾルゲル法を用いた固相エピタキシャ
ル成長によってＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路、お
よびＰＬＺＴ（９／６５／３５）クラッド層を積層させ
て得た。結晶学的関係は単一配向のＰＬＺＴ（１００）
／／ＰＺＴ（１００）／／ＰＺＴ（１００）／／Ｎｂ−
ＳｒＴｉＯ3（１００）、面内方位ＰＬＺＴ［００１］
／／ＰＺＴ［００１］／／Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ3［００
１］の構造が得られた。ＰＺＴ薄膜光導波路上にはＡｕ
薄膜による１５個の底辺１００μｍ、高さ１０００μｍ
のプリズム形上部電極アレイを形成し、プリズム型ＥＯ
偏向素子を作製した。また、ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基
板へのオーミック・コンタクトはＩｎによって得た。
びＰＬＺＴ（９／６５／３５）クラッド層は、第１の実
施の形態と同様にゾルゲル法を用いた固相エピタキシャ
ル成長によってＰＺＴ（５２／４８）薄膜光導波路、お
よびＰＬＺＴ（９／６５／３５）クラッド層を積層させ
て得た。結晶学的関係は単一配向のＰＬＺＴ（１００）
／／ＰＺＴ（１００）／／ＰＺＴ（１００）／／Ｎｂ−
ＳｒＴｉＯ3（１００）、面内方位ＰＬＺＴ［００１］
／／ＰＺＴ［００１］／／Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ3［００
１］の構造が得られた。ＰＺＴ薄膜光導波路上にはＡｕ
薄膜による１５個の底辺１００μｍ、高さ１０００μｍ
のプリズム形上部電極アレイを形成し、プリズム型ＥＯ
偏向素子を作製した。また、ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基
板へのオーミック・コンタクトはＩｎによって得た。
【００５８】プリズム・カップリングによって６３３ｎ
ｍのレーザ光を本実施の形態による光導波路素子のＰＺ
Ｔ薄膜光導波路に導入し、ＴＥ0モードの伝搬損失を測
定したところ、良好な値を示した。また、ＰＬＺＴバッ
ファ層の比誘電率測定値１９００と、ＰＺＴ薄膜光導波
路の比誘電率測定値９００より、式［１７］から求めら
れるＰＬＺＴ薄膜光導波路の実効電圧は８１％となた。
また、ＰＺＴ薄膜光導波路の電気光学係数、および屈折
率を測定した結果、ｒ＝５０ｐｍ／Ｖ、およびｎ＝２．
５６であった。
ｍのレーザ光を本実施の形態による光導波路素子のＰＺ
Ｔ薄膜光導波路に導入し、ＴＥ0モードの伝搬損失を測
定したところ、良好な値を示した。また、ＰＬＺＴバッ
ファ層の比誘電率測定値１９００と、ＰＺＴ薄膜光導波
路の比誘電率測定値９００より、式［１７］から求めら
れるＰＬＺＴ薄膜光導波路の実効電圧は８１％となた。
また、ＰＺＴ薄膜光導波路の電気光学係数、および屈折
率を測定した結果、ｒ＝５０ｐｍ／Ｖ、およびｎ＝２．
５６であった。
【００５９】第１の実施の形態と同様に本実施の形態に
よる光導波路素子のプリズム型ＥＯ偏向素子へ６３３ｎ
ｍの波長のレーザ・ビームを幅１ｍｍにコリメートした
後、ＰＬＺＴ薄膜光導波路へプリズムを介して導入し、
下部ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基板電極とＩＴＯ上部プリ
ズムＡｕ電極間に電圧を印加することにより導入された
レーザ・ビームが偏向された。偏向の後、偏向されたレ
ーザ・ビームは端面から出射され、投影面上でのレーザ
・スポット位置の変位より偏向角度を求めると、５Ｖ印
加、すなわち実効電圧４．１Ｖで０．９６度の偏向が確
認された。先に求めたｒ＝５０ｐｍ／Ｖ、およびｎ＝
２．５６と、設計値となるｄ＝１０００ｎｍ、Ｗ＝１０
０μｍ、Ｌ＝１０００μｍより実効電圧４．１Ｖでの偏
向角度を逆に求めると実測とほぼ同じ０．９９度となっ
た。
よる光導波路素子のプリズム型ＥＯ偏向素子へ６３３ｎ
ｍの波長のレーザ・ビームを幅１ｍｍにコリメートした
後、ＰＬＺＴ薄膜光導波路へプリズムを介して導入し、
下部ＮｂドープＳｒＴｉＯ3基板電極とＩＴＯ上部プリ
ズムＡｕ電極間に電圧を印加することにより導入された
レーザ・ビームが偏向された。偏向の後、偏向されたレ
ーザ・ビームは端面から出射され、投影面上でのレーザ
・スポット位置の変位より偏向角度を求めると、５Ｖ印
加、すなわち実効電圧４．１Ｖで０．９６度の偏向が確
認された。先に求めたｒ＝５０ｐｍ／Ｖ、およびｎ＝
２．５６と、設計値となるｄ＝１０００ｎｍ、Ｗ＝１０
０μｍ、Ｌ＝１０００μｍより実効電圧４．１Ｖでの偏
向角度を逆に求めると実測とほぼ同じ０．９９度となっ
た。
【００６０】第１および第２の実施の形態による光導波
路素子と同様に酸化物導電性基板上に薄膜光導波路とク
ラッド層を設けた構造の他の実施の形態による光導波路
素子の光導波路、バッファ層、導電性基板の材料、物理
特性の諸値を表５および表６に示すが、このような構造
はこれらに限られるものではない。また、以上の実施の
形態ではプリズム型ＥＯ偏向素子を示したが、本発明の
思想は言うまでもなくブラッグ反射型スイッチ、全反射
型スイッチ、方向性結合スイッチ、マッハツェンダ干渉
スイッチ、位相変調素子、モード変換素子、波長フィル
ター素子などＥＯ効果を用いるすべての光導波路素子に
おいて同様に適応可能であり、これらの薄膜光導波路素
子においても同じく低駆動電圧特性と低伝搬損失特性を
同時に解決できる構造が提供される。
路素子と同様に酸化物導電性基板上に薄膜光導波路とク
ラッド層を設けた構造の他の実施の形態による光導波路
素子の光導波路、バッファ層、導電性基板の材料、物理
特性の諸値を表５および表６に示すが、このような構造
はこれらに限られるものではない。また、以上の実施の
形態ではプリズム型ＥＯ偏向素子を示したが、本発明の
思想は言うまでもなくブラッグ反射型スイッチ、全反射
型スイッチ、方向性結合スイッチ、マッハツェンダ干渉
スイッチ、位相変調素子、モード変換素子、波長フィル
ター素子などＥＯ効果を用いるすべての光導波路素子に
おいて同様に適応可能であり、これらの薄膜光導波路素
子においても同じく低駆動電圧特性と低伝搬損失特性を
同時に解決できる構造が提供される。
【００６１】
【表５】
【００６２】
【表６】
【００６３】次に、本発明の第３の実施の形態による光
導波路素子について説明する。本実施の形態においては
表７に示すように、サファイア単結晶基板上へ、まず膜
厚２００ｎｍのエキタピシャルＡｌドープＺｎＯ導電層
を成長させ、次に巻く厚１０００ｎｍのエピタキシャル
ＬｉＮｂＯ3薄膜光導波路、さらに膜厚３００ｎｍのＺ
ｎＯクラッド層を成長させた。全ての層はＲｆスパッタ
リングにより成長させ、結晶学的関係は単一配向のＺｎ
Ｏ（００１）／／ＬｉＮｂＯ3（００１）／／Ａｌ−Ｚ
ｎＯ（００１）／／Ａｌ2Ｏ3（００１）光導波路構造が
得られた。
導波路素子について説明する。本実施の形態においては
表７に示すように、サファイア単結晶基板上へ、まず膜
厚２００ｎｍのエキタピシャルＡｌドープＺｎＯ導電層
を成長させ、次に巻く厚１０００ｎｍのエピタキシャル
ＬｉＮｂＯ3薄膜光導波路、さらに膜厚３００ｎｍのＺ
ｎＯクラッド層を成長させた。全ての層はＲｆスパッタ
リングにより成長させ、結晶学的関係は単一配向のＺｎ
Ｏ（００１）／／ＬｉＮｂＯ3（００１）／／Ａｌ−Ｚ
ｎＯ（００１）／／Ａｌ2Ｏ3（００１）光導波路構造が
得られた。
【００６４】
【表７】
【００６５】本実施の形態による光導波路素子と同様に
基板上に導電層を配し、その上に薄膜光導波路とクラッ
ド層を設けた構造の他の実施の形態による光導波路素子
の光導波路、バッファ層、導電性基板の材料、物理特性
の諸値を表８に示すが、このような構造はこれらに限ら
れるものではない。
基板上に導電層を配し、その上に薄膜光導波路とクラッ
ド層を設けた構造の他の実施の形態による光導波路素子
の光導波路、バッファ層、導電性基板の材料、物理特性
の諸値を表８に示すが、このような構造はこれらに限ら
れるものではない。
【００６６】
【表８】
【００６７】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、低駆動電
圧特性と低伝搬損失特性を同時に解決できる電気光学効
果を有する薄膜光導波路素子が実現できる。本発明の光
導波路素子は各種の偏向素子、スイッチング素子、ある
いは変調素子などを含む電気光学効果を利用する光導波
路素子全般へ利用可能となる。
圧特性と低伝搬損失特性を同時に解決できる電気光学効
果を有する薄膜光導波路素子が実現できる。本発明の光
導波路素子は各種の偏向素子、スイッチング素子、ある
いは変調素子などを含む電気光学効果を利用する光導波
路素子全般へ利用可能となる。
【図１】本発明の光導波路素子の原理を説明する図であ
る。
る。
【図２】光導波路素子における電界分布を示す図であ
る。
る。
【図３】表面にＡｌ電極を有する光導波路における電界
分布を示す図である。
分布を示す図である。
【図４】表面にＡｌ電極を有するＰＺＴ光導波路の伝搬
損失と膜厚の関係を示す図である。
損失と膜厚の関係を示す図である。
【図５】クラッド層を有する光導波路における電界分布
の原理図である。
の原理図である。
【図６】吸収係数が１７４のＳｒＴｉＯ3基板上のＰＺ
Ｔ光導波路における電界分布の原理図である。
Ｔ光導波路における電界分布の原理図である。
【図７】吸収係数が１７４のＳｒＴｉＯ3基板上のＰＺ
Ｔ光導波路の伝搬損失と膜厚の関係を示す図である。
Ｔ光導波路の伝搬損失と膜厚の関係を示す図である。
【図８】バッファ層を有する光導波路における電界分布
の原理図である。
の原理図である。
【図９】吸収係数が１７４のＳｒＴｉＯ3基板上の膜厚
６００ｎｍのＰＺＴ光導波路の伝搬損失とＳｒＴｉＯ3
バッファ層の膜厚の関係を示す図である。
６００ｎｍのＰＺＴ光導波路の伝搬損失とＳｒＴｉＯ3
バッファ層の膜厚の関係を示す図である。
【図１０】吸収係数が１７４のＳｒＴｉＯ3基板による
吸収伝搬損失が１ ｄＢ／ｃｍとなるＰＺＴ光導波路の
膜厚とＳｒＴｉＯ3バッファ層の膜厚の関係を示す図で
ある。
吸収伝搬損失が１ ｄＢ／ｃｍとなるＰＺＴ光導波路の
膜厚とＳｒＴｉＯ3バッファ層の膜厚の関係を示す図で
ある。
【図１１】光導波路／バッファ層／基板の等価回路を示
す図である。
す図である。
【図１２】実効電圧が０．０２〜０．４の範囲のクラッ
ド層膜厚／光導波路膜厚対クラッド層誘電率／光導波路
誘電率の関係を示す図である。
ド層膜厚／光導波路膜厚対クラッド層誘電率／光導波路
誘電率の関係を示す図である。
【図１３】実効電圧が０．４〜０．９の範囲のクラッド
層膜厚／光導波路膜厚対クラッド層誘電率／光導波路誘
電率の関係を示す図である。
層膜厚／光導波路膜厚対クラッド層誘電率／光導波路誘
電率の関係を示す図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態によるＥＯプリズ
ム型偏向素子の上面図である。
ム型偏向素子の上面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態によるＥＯプリズ
ム型偏向素子の側面図である。
ム型偏向素子の側面図である。
１ 薄膜光導波路 ２ 導電性基板 ３ クラッド層または空気 ４ バッファ層 ５ 入射プリズム ６ 入射ビーム ７ プリズム電極 ８ 出射ビーム ９ レーザ光源 １０ レンズ
Claims (11)
- 【請求項１】導電性または半導電性の下部電極となる単
結晶基板と、 前記単結晶基板表面に形成されたエピタキシャルまたは
単一配向性の強誘電体薄膜の光導波路と、 前記光導波路上に形成されたクラッド層と、 前記クラッド層上に形成された上部電極となる金属薄膜
とを備えたことを特徴とする光導波路素子。 - 【請求項２】請求項１記載の光導波路素子において、 前記単結晶基板の抵抗率が、１０8Ω・ｃｍ以下である
ことを特徴とする光導波路素子。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の光導波路素子に
おいて、 前記単結晶基板は、表面に導電性または半導電性のエピ
タキシャルまたは単一配向性の薄膜を有していることを
特徴とする光導波路素子。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の光導波
路素子において、 前記下部電極の材料が酸化物であることを特徴とする光
導波路素子。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載の光導波
路素子において、 前記光導波路が酸化物であることを特徴とする光導波路
素子。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれかに記載の光導波
路素子において、 前記クラッド層が前記光導波路よりも小さい屈折率を有
する酸化物であることを特徴とする光導波路素子。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれかに記載の光導波
路素子において、 前記クラッド層の比誘電率と前記光導波路の比誘電率の
比が０．００２以上であることを特徴とする光導波路素
子。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれかに記載の光導波
路素子において、 前記クラッド層の比誘電率が８以上であることを特徴と
する光導波路素子。 - 【請求項９】請求項１乃至８のいずれかに記載の光導波
路素子において、 前記クラッド層の膜厚と前記光導波路の膜厚の比が０．
１以上であることを特徴とする光導波路素子。 - 【請求項１０】請求項１乃至９のいずれかに記載の光導
波路素子において、 前記クラッド層の膜厚が１０ｎｍ以上であることを特徴
とする光導波路素子。 - 【請求項１１】請求項１乃至１０のいずれかに記載の光
導波路素子において、 前記上部電極と前記下部電極との間に電圧を印加するこ
とにより、前記光導波路に入射する光ビームを変調、ス
イッチング、または偏向することを特徴とする光導波路
素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30343597A JPH11119265A (ja) | 1997-10-18 | 1997-10-18 | 光導波路素子 |
| US09/119,044 US6078717A (en) | 1997-07-22 | 1998-07-20 | Opical waveguide device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30343597A JPH11119265A (ja) | 1997-10-18 | 1997-10-18 | 光導波路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119265A true JPH11119265A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17920979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30343597A Pending JPH11119265A (ja) | 1997-07-22 | 1997-10-18 | 光導波路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11119265A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004068235A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2006-05-25 | 富士通株式会社 | 光偏向素子およびその製造方法 |
| JP2008216437A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光電界センサ及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-18 JP JP30343597A patent/JPH11119265A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004068235A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2006-05-25 | 富士通株式会社 | 光偏向素子およびその製造方法 |
| JP2008216437A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光電界センサ及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041102 |