JPH11111995A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置の製造方法Info
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- JPH11111995A JPH11111995A JP27090397A JP27090397A JPH11111995A JP H11111995 A JPH11111995 A JP H11111995A JP 27090397 A JP27090397 A JP 27090397A JP 27090397 A JP27090397 A JP 27090397A JP H11111995 A JPH11111995 A JP H11111995A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】工程の削減と表示装置の小型化が可能な表示装
置の製造方法の提供。 【解決手段】絶縁膜9,12,36に形成されたコンタ
クトホール10,21,38に、メッキ法によってコン
タクトメタル22,25,39,55,59,63を充
填形成する。
置の製造方法の提供。 【解決手段】絶縁膜9,12,36に形成されたコンタ
クトホール10,21,38に、メッキ法によってコン
タクトメタル22,25,39,55,59,63を充
填形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置といった
表示装置の製造方法に関するものである。
表示装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置を構成する薄膜トランジス
タ(以下TFTと称す)アレイ基板の製造方法の一例
を、図10,図11を参照して説明する。
タ(以下TFTと称す)アレイ基板の製造方法の一例
を、図10,図11を参照して説明する。
【0003】まず、図10(a)に示すように、絶縁性
基板からなる表示用基板1上に必要に応じてアンダーコ
ート膜(例えばSiO2膜)2を形成する。次にクロム
等の金属からなる遮光膜3をパターン形成する。次に、
第1の層間絶縁膜4(例えばSiOx)を7000Å程
度の膜厚で形成する。次に、第1の層間絶縁膜4上に結
晶化Si層5をパターン形成し、さらに結晶化Si層5
上に、ゲート絶縁膜(SiO2)6を1000Å程度の
膜厚で成膜する。
基板からなる表示用基板1上に必要に応じてアンダーコ
ート膜(例えばSiO2膜)2を形成する。次にクロム
等の金属からなる遮光膜3をパターン形成する。次に、
第1の層間絶縁膜4(例えばSiOx)を7000Å程
度の膜厚で形成する。次に、第1の層間絶縁膜4上に結
晶化Si層5をパターン形成し、さらに結晶化Si層5
上に、ゲート絶縁膜(SiO2)6を1000Å程度の
膜厚で成膜する。
【0004】次に、図10(b),(c)に示すよう
に、LDD膜7となるSiNx,TaOx膜を成膜し、続
いてゲート配線8となるアルミニウム(Al),アルミ
ニウム合金(AlXX),タンタル(Ta),クロム
(Cr)、モリブデンシリサイド(MoSi)、タング
ステン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成膜する。そし
て、形成したゲート配線材やLDD膜材をパターニング
してLDD膜7やゲート配線8を形成したううえで、ボ
ロンやリンの不純物をドーピングすることで、CMOS
駆動回路となるp型チャネル部やn型チャネル部を形成
する。
に、LDD膜7となるSiNx,TaOx膜を成膜し、続
いてゲート配線8となるアルミニウム(Al),アルミ
ニウム合金(AlXX),タンタル(Ta),クロム
(Cr)、モリブデンシリサイド(MoSi)、タング
ステン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成膜する。そし
て、形成したゲート配線材やLDD膜材をパターニング
してLDD膜7やゲート配線8を形成したううえで、ボ
ロンやリンの不純物をドーピングすることで、CMOS
駆動回路となるp型チャネル部やn型チャネル部を形成
する。
【0005】次に、図11(a)に示すように、形成し
たp型チャネル部やn型チャネル部の上から第2の層間
絶縁膜(SiOx膜)9を3000Å程度の膜厚で成膜
する。さらに、第2の層間絶縁膜9に、ドライエッチン
グを施して、結晶化Si膜5ないしは遮光膜3に達する
第1のコンタクトホール10を形成する。
たp型チャネル部やn型チャネル部の上から第2の層間
絶縁膜(SiOx膜)9を3000Å程度の膜厚で成膜
する。さらに、第2の層間絶縁膜9に、ドライエッチン
グを施して、結晶化Si膜5ないしは遮光膜3に達する
第1のコンタクトホール10を形成する。
【0006】次に、図11(b)に示すように、ソース
・ドレイン電極となるアルミニウム(Al)やアルミニ
ウム合金(AlXX)、タンタル(Ta)、クロム(C
r)、モリブデンシリサイド(MoSi)、タングステ
ン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成膜してパターニン
グすることで、ソース・ドレイン電極11を形成する。
この際、オーミック性や電極材間の電池反応による防食
を防止するために、チタン(Ti)、モリブデン(M
o)等をソース・ドレイン電極11の下層や上下層それ
ぞれに配置することで、ソース・ドレイン電極11を多
層膜構成にする場合もある。
・ドレイン電極となるアルミニウム(Al)やアルミニ
ウム合金(AlXX)、タンタル(Ta)、クロム(C
r)、モリブデンシリサイド(MoSi)、タングステ
ン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成膜してパターニン
グすることで、ソース・ドレイン電極11を形成する。
この際、オーミック性や電極材間の電池反応による防食
を防止するために、チタン(Ti)、モリブデン(M
o)等をソース・ドレイン電極11の下層や上下層それ
ぞれに配置することで、ソース・ドレイン電極11を多
層膜構成にする場合もある。
【0007】次に、表示用基板1を平坦化するために、
ソース・ドレイン電極11上に第3の層間絶縁膜12
(レジスト膜)を成膜し、さらに、第3の層間絶縁膜1
2に、ソース・ドレイン電極11に達する第2のコンタ
クトホール13を形成する。
ソース・ドレイン電極11上に第3の層間絶縁膜12
(レジスト膜)を成膜し、さらに、第3の層間絶縁膜1
2に、ソース・ドレイン電極11に達する第2のコンタ
クトホール13を形成する。
【0008】次に、第3の層間絶縁膜12上に、Indium
Tin Oxide(以下、ITOと略す)からなり、第2のコ
ンタクトホール13を介してソース・ドレイン電極11
に導通する透明導電膜を成膜してパターニングすること
で画素電極14を形成する。
Tin Oxide(以下、ITOと略す)からなり、第2のコ
ンタクトホール13を介してソース・ドレイン電極11
に導通する透明導電膜を成膜してパターニングすること
で画素電極14を形成する。
【0009】次に、第3の層間絶縁膜14上に、SiN
x膜からなる保護膜15を成膜したのち、画素電極14
等の上方をパターン開口することで、液晶表示装置のポ
リシリコン薄膜トランジスタアレイ(poly−Si:
TFTアレイ)が完成する。
x膜からなる保護膜15を成膜したのち、画素電極14
等の上方をパターン開口することで、液晶表示装置のポ
リシリコン薄膜トランジスタアレイ(poly−Si:
TFTアレイ)が完成する。
【0010】このようにして行う液晶表示装置の製造方
法には、コンタクトホール10,13内においてソース
・ドレイン電極11や画素電極14に接続不良が発生し
やすい、という不具合があった。以下、説明する。
法には、コンタクトホール10,13内においてソース
・ドレイン電極11や画素電極14に接続不良が発生し
やすい、という不具合があった。以下、説明する。
【0011】第1のコンタクトホール10は上述したよ
うに、第1〜第3の層間絶縁膜4,6,9をエッチング
することで形成している。ところが、第1〜第3の層間
絶縁膜4,6,9は、エッチング工程の前工程として、
それぞれフォトリソグラフィ工程、エッチング工程、ド
ーピング工程等程を処理工程を経ているため、各層間絶
縁膜4,6,9のの界面部分での膜質は変質してしまっ
ており、エッチング特性は他の部分とは異なったものに
なっている。このような理由により厚み方向にエッチン
グ特性が変動したエッチング対象膜を精度よくエッチン
グしようとすると、エッチング対象膜の厚み方向にドラ
イエッチング条件を変化させて選択比を制御する必要が
ある。しかしながら、そのような選択比の制御を行うこ
とにより一定のホール側壁形状が得られずにホール側壁
形状が変動してしまうという現象が発生していた。
うに、第1〜第3の層間絶縁膜4,6,9をエッチング
することで形成している。ところが、第1〜第3の層間
絶縁膜4,6,9は、エッチング工程の前工程として、
それぞれフォトリソグラフィ工程、エッチング工程、ド
ーピング工程等程を処理工程を経ているため、各層間絶
縁膜4,6,9のの界面部分での膜質は変質してしまっ
ており、エッチング特性は他の部分とは異なったものに
なっている。このような理由により厚み方向にエッチン
グ特性が変動したエッチング対象膜を精度よくエッチン
グしようとすると、エッチング対象膜の厚み方向にドラ
イエッチング条件を変化させて選択比を制御する必要が
ある。しかしながら、そのような選択比の制御を行うこ
とにより一定のホール側壁形状が得られずにホール側壁
形状が変動してしまうという現象が発生していた。
【0012】一方、第2のコンタクトホール13におい
ては、第4の層間絶縁膜12が絶縁特性や平坦化性を維
持するために、2〜3ミクロンという比較的厚い膜厚を
必要とするため、当然ながら第2のコンタクトホール1
3の孔深さも2〜3ミクロンと深くなっていた。
ては、第4の層間絶縁膜12が絶縁特性や平坦化性を維
持するために、2〜3ミクロンという比較的厚い膜厚を
必要とするため、当然ながら第2のコンタクトホール1
3の孔深さも2〜3ミクロンと深くなっていた。
【0013】このように、第1のコンタクトホール10
では、絶縁膜の膜質の変化によりテーパ面すなわちコン
タクトホールの側壁が歪んで平滑でなくなるうえ、第2
のコンタクトホール13では、孔深さが深くなってい
た。このような理由により、次工程で成膜されるソース
・ドレイン電極11や画素電極14にカバレッジ不良が
発生し、これにより配線切れによる接続不良を生じさせ
ていた。
では、絶縁膜の膜質の変化によりテーパ面すなわちコン
タクトホールの側壁が歪んで平滑でなくなるうえ、第2
のコンタクトホール13では、孔深さが深くなってい
た。このような理由により、次工程で成膜されるソース
・ドレイン電極11や画素電極14にカバレッジ不良が
発生し、これにより配線切れによる接続不良を生じさせ
ていた。
【0014】このような接続不良を解消する方法とし
て、第1,第2のコンタクトホール10,13の側壁の
傾斜角度を緩やかなテーパ状にすることでガバレッジを
向上させることが考えられる。しかしながら、液晶表示
装置では、高精密な画像要求に応えるために、1画素当
たりの占有面積は限られたものとなっており、そのよう
な制約を有する液晶表示装置において、第1,第2のコ
ンタクトホール10,13の側壁が緩やかなテーパ状と
なって、コンタクトホール占有面積が増加することは、
上記制約の上から適当とはいえないものであった。
て、第1,第2のコンタクトホール10,13の側壁の
傾斜角度を緩やかなテーパ状にすることでガバレッジを
向上させることが考えられる。しかしながら、液晶表示
装置では、高精密な画像要求に応えるために、1画素当
たりの占有面積は限られたものとなっており、そのよう
な制約を有する液晶表示装置において、第1,第2のコ
ンタクトホール10,13の側壁が緩やかなテーパ状と
なって、コンタクトホール占有面積が増加することは、
上記制約の上から適当とはいえないものであった。
【0015】そこで、従来から、上記接続不良の解消方
法として、コンタクトメタルを形成する方法が採られて
いた。すなわち、ソース・ドレイン電極11や画素電極
14を形成するまえに、第1,第2のコンタクトホール
10,13にコンタクトメタルを充填形成し、これによ
り、第1,第2のコンタクトホール10,13の占有面
積を増加を抑制したうえで、ソース・ドレイン電極膜1
1や画素電極14の接続性を向上させていた。
法として、コンタクトメタルを形成する方法が採られて
いた。すなわち、ソース・ドレイン電極11や画素電極
14を形成するまえに、第1,第2のコンタクトホール
10,13にコンタクトメタルを充填形成し、これによ
り、第1,第2のコンタクトホール10,13の占有面
積を増加を抑制したうえで、ソース・ドレイン電極膜1
1や画素電極14の接続性を向上させていた。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにして、ソース・ドレイン電極膜11や画素電極14
の接続性を向上させた従来例においてはも、次のような
課題があった。
うにして、ソース・ドレイン電極膜11や画素電極14
の接続性を向上させた従来例においてはも、次のような
課題があった。
【0017】コンタクトメタルは、コンタクトメタル層
の成膜工程、フォト工程、エッチング工程、フォトレジ
スト剥離工程など多くの工程が必要であり、その分、工
程が増加してコストアップを招いていた。
の成膜工程、フォト工程、エッチング工程、フォトレジ
スト剥離工程など多くの工程が必要であり、その分、工
程が増加してコストアップを招いていた。
【0018】また、フォト工程ではマスク合わせにより
パターンを焼き付けることから合わせマージンが必要と
なり、そのために、コンタクトメタルの幅サイズは第
1,第2のコンタクトホール10,13の開口サイズよ
りも大きくする必要があり、これでは、さらに高精密な
画像が求められている現状では、コンタクトホール1
0,13の占有面積を十分抑制できるものとはいえなく
なっていた。具体的には、5〜6μmの開口サイズを有
する第1,第2のコンタクトホール10,13に対し
て、合わせマージンを含めて10〜20μmの幅サイズ
のコンタクトメタルが必要であった。
パターンを焼き付けることから合わせマージンが必要と
なり、そのために、コンタクトメタルの幅サイズは第
1,第2のコンタクトホール10,13の開口サイズよ
りも大きくする必要があり、これでは、さらに高精密な
画像が求められている現状では、コンタクトホール1
0,13の占有面積を十分抑制できるものとはいえなく
なっていた。具体的には、5〜6μmの開口サイズを有
する第1,第2のコンタクトホール10,13に対し
て、合わせマージンを含めて10〜20μmの幅サイズ
のコンタクトメタルが必要であった。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明は、メッキ法によ
ってコンタクトメタルを充填形成することに特徴を有し
ており、これによって確実なコンタクトメタルでコンタ
クトホールを埋め、基板表面を平坦化して次工程で成膜
されるスパッタ膜の良好なカバレッジ性を得るものであ
る。
ってコンタクトメタルを充填形成することに特徴を有し
ており、これによって確実なコンタクトメタルでコンタ
クトホールを埋め、基板表面を平坦化して次工程で成膜
されるスパッタ膜の良好なカバレッジ性を得るものであ
る。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、表示用基板上の絶縁膜に形成されたコンタクトホー
ルに、コンタクトメタルを充填形成したのち、前記絶縁
膜上に、前記コンタクトメタルに導通する配線パターン
を形成する表示装置の製造方法であって、前記コンタク
トメタルをメッキ法によりコンタクトホールに充填形成
することに特徴を有しており、これにより次のような作
用を有する。すなわち、開口サイズやテーパ形状深さ等
が異なり、形状が歪なコンタクトホールであっても確実
にコンタクトメタルが充填形成されることになる。しか
も、メッキによりコンタクトメタルを充填するので、コ
ンタクトメタルの充填にフォト工程、エッチング工程、
フォトレジスト剥離工程といった面倒な工程は要らなく
なる。
は、表示用基板上の絶縁膜に形成されたコンタクトホー
ルに、コンタクトメタルを充填形成したのち、前記絶縁
膜上に、前記コンタクトメタルに導通する配線パターン
を形成する表示装置の製造方法であって、前記コンタク
トメタルをメッキ法によりコンタクトホールに充填形成
することに特徴を有しており、これにより次のような作
用を有する。すなわち、開口サイズやテーパ形状深さ等
が異なり、形状が歪なコンタクトホールであっても確実
にコンタクトメタルが充填形成されることになる。しか
も、メッキによりコンタクトメタルを充填するので、コ
ンタクトメタルの充填にフォト工程、エッチング工程、
フォトレジスト剥離工程といった面倒な工程は要らなく
なる。
【0021】本発明の請求項2記載の発明は、請求項1
に係る表示装置の製造方法において、前記コンタクトホ
ール形成時に前記絶縁膜上に形成するレジストパターン
をメッキマスクにして、前記コンタクトメタルを形成す
ることに特徴を有しており、これにより次のような作用
を有する。すなわち、コンタクトホール用のレジストパ
ターンをメッキマスクにしてコンタクトメタルをメッキ
形成するので、コンタクトメタルをセルフアライメント
した状態で充填することができ、コンタクトメタルの形
成精度が高まることになる。しかも、このようなコンタ
クトメタルの形成精度の向上を従前からあるレジストパ
ターンを用いるので、新たな工程の追加は必要なくな
る。
に係る表示装置の製造方法において、前記コンタクトホ
ール形成時に前記絶縁膜上に形成するレジストパターン
をメッキマスクにして、前記コンタクトメタルを形成す
ることに特徴を有しており、これにより次のような作用
を有する。すなわち、コンタクトホール用のレジストパ
ターンをメッキマスクにしてコンタクトメタルをメッキ
形成するので、コンタクトメタルをセルフアライメント
した状態で充填することができ、コンタクトメタルの形
成精度が高まることになる。しかも、このようなコンタ
クトメタルの形成精度の向上を従前からあるレジストパ
ターンを用いるので、新たな工程の追加は必要なくな
る。
【0022】本発明の請求項3に記載の発明は、コンタ
クトメタルが無電解メッキ法によりコンタクトホールに
充填形成されて成ることに特徴を有しており、これによ
り次のような作用を有する。すなわち、コンタクトホー
ルが形成された絶縁膜の下層に位置する構成膜が分離パ
ターン状態であってもコンタクトメタルを充填すること
ができる上、メッキ液への浸漬時間で成膜制御を行うこ
とができるので、成膜設備として簡易な構成でよくな
る。
クトメタルが無電解メッキ法によりコンタクトホールに
充填形成されて成ることに特徴を有しており、これによ
り次のような作用を有する。すなわち、コンタクトホー
ルが形成された絶縁膜の下層に位置する構成膜が分離パ
ターン状態であってもコンタクトメタルを充填すること
ができる上、メッキ液への浸漬時間で成膜制御を行うこ
とができるので、成膜設備として簡易な構成でよくな
る。
【0023】本発明の請求項4に記載の発明は、遮光膜
がパターン形成された表示用基板上に、第1の層間絶縁
膜、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート配線、および第2
の層間絶縁膜を順次積層形成する工程と、前記第2の層
間絶縁膜に、前記半導体層もしくは前記遮光膜に達する
第1のコンタクトホールを形成する工程と、前記第1の
コンタクトホールに第1のコンタクトメタルを充填する
工程と、前記第2の層間絶縁膜上に、前記第1のコンタ
クトメタルに導通するソース・ドレイン電極をパターン
形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜上に、前記ソー
ス・ドレイン電極を埋め込む第3の層間絶縁膜を形成す
る工程と、前記第3の層間絶縁膜に、前記ソース・ドレ
イン電極に達する第2のコンタクトホールを形成する工
程と、前記第2のコンタクトホールに第2のコンタクト
メタルを充填する工程と、前記第3の層間絶縁膜上に、
前記第2のコンタクトメタルに導通する画素電極を形成
する工程とを含む表示装置の製造方法であって、前記第
1,第2のコンタクトメタルを、第1,第2のコンタク
トホール形成時に前記第2,第3の層間絶縁膜上に形成
するレジストパターンをメッキマスクにしたメッキ法に
より、前記第1,第2のコンタクトホールに充填形成す
ることに特徴を有しており、これにより次のような作用
を有する。すなわち、poly−SiTFT型の液晶表
示装置の製造方法において、上記した請求項1と同様の
作用を発揮することができる。
がパターン形成された表示用基板上に、第1の層間絶縁
膜、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート配線、および第2
の層間絶縁膜を順次積層形成する工程と、前記第2の層
間絶縁膜に、前記半導体層もしくは前記遮光膜に達する
第1のコンタクトホールを形成する工程と、前記第1の
コンタクトホールに第1のコンタクトメタルを充填する
工程と、前記第2の層間絶縁膜上に、前記第1のコンタ
クトメタルに導通するソース・ドレイン電極をパターン
形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜上に、前記ソー
ス・ドレイン電極を埋め込む第3の層間絶縁膜を形成す
る工程と、前記第3の層間絶縁膜に、前記ソース・ドレ
イン電極に達する第2のコンタクトホールを形成する工
程と、前記第2のコンタクトホールに第2のコンタクト
メタルを充填する工程と、前記第3の層間絶縁膜上に、
前記第2のコンタクトメタルに導通する画素電極を形成
する工程とを含む表示装置の製造方法であって、前記第
1,第2のコンタクトメタルを、第1,第2のコンタク
トホール形成時に前記第2,第3の層間絶縁膜上に形成
するレジストパターンをメッキマスクにしたメッキ法に
より、前記第1,第2のコンタクトホールに充填形成す
ることに特徴を有しており、これにより次のような作用
を有する。すなわち、poly−SiTFT型の液晶表
示装置の製造方法において、上記した請求項1と同様の
作用を発揮することができる。
【0024】本発明の請求項5に記載の発明は、ゲート
配線がパターン形成された表示用基板上に、ゲート絶縁
膜および半導体層を順次積層形成する工程と、前記半導
体層上にソース・ドレイン電極をパターン形成する工程
と、前記表示用基板上に、前記半導体層および前記ソー
ス・ドレイン電極を埋め込む層間絶縁膜を形成する工程
と、前記層間絶縁膜にソース・ドレイン電極に達するコ
ンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホー
ルにコンタクトメタルを充填する工程と、前記層間絶縁
膜上に、前記コンタクトメタルに導通する画素電極を形
成する工程とを含む表示装置の製造方法であって、前記
コンタクトメタルを、前記コンタクトホール形成時に前
記層間絶縁膜上に形成するレジストパターンをメッキマ
スクにしたメッキ法により、前記コンタクトホールに充
填形成することに特徴を有しており、これにより次の作
用がある。すなわち、a−SiTFT型の液晶表示装置
において、上記した請求項1と同様の作用を発揮するこ
とができる。
配線がパターン形成された表示用基板上に、ゲート絶縁
膜および半導体層を順次積層形成する工程と、前記半導
体層上にソース・ドレイン電極をパターン形成する工程
と、前記表示用基板上に、前記半導体層および前記ソー
ス・ドレイン電極を埋め込む層間絶縁膜を形成する工程
と、前記層間絶縁膜にソース・ドレイン電極に達するコ
ンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホー
ルにコンタクトメタルを充填する工程と、前記層間絶縁
膜上に、前記コンタクトメタルに導通する画素電極を形
成する工程とを含む表示装置の製造方法であって、前記
コンタクトメタルを、前記コンタクトホール形成時に前
記層間絶縁膜上に形成するレジストパターンをメッキマ
スクにしたメッキ法により、前記コンタクトホールに充
填形成することに特徴を有しており、これにより次の作
用がある。すなわち、a−SiTFT型の液晶表示装置
において、上記した請求項1と同様の作用を発揮するこ
とができる。
【0025】本発明の請求項6記載の発明は、表示用基
板上に、それぞれ液晶材を含有する第1の着色レジスト
層、第2の着色レジスト層、および第3の着色レジスト
層を透明導電膜を介して順次積層形成するとともに、前
記第1、第2、第3の着色レジスト層にコンタクトホー
ルを形成し、さらに形成したコンタクトホールに、前記
透明電極膜の層間接続用のコンタクトメタルを充填する
表示装置の製造方法であって、前記コンタクトメタル
を、前記コンタクトホール形成時に各着色レジスト層上
に形成するレジストパターンをメッキマスクにしたメッ
キ法により前記コンタクトホールに充填形成することに
特徴を有しており、これにより次のような作用を有す
る。すなわち、液晶材を含有してなる前記第1、第2、
第3の着色レジスト層を積層配置してなるpoly−S
iやa−SiのカラーTFT型の液晶表示装置におい
て、上記した請求項1と同様の作用を発揮することがで
きる。
板上に、それぞれ液晶材を含有する第1の着色レジスト
層、第2の着色レジスト層、および第3の着色レジスト
層を透明導電膜を介して順次積層形成するとともに、前
記第1、第2、第3の着色レジスト層にコンタクトホー
ルを形成し、さらに形成したコンタクトホールに、前記
透明電極膜の層間接続用のコンタクトメタルを充填する
表示装置の製造方法であって、前記コンタクトメタル
を、前記コンタクトホール形成時に各着色レジスト層上
に形成するレジストパターンをメッキマスクにしたメッ
キ法により前記コンタクトホールに充填形成することに
特徴を有しており、これにより次のような作用を有す
る。すなわち、液晶材を含有してなる前記第1、第2、
第3の着色レジスト層を積層配置してなるpoly−S
iやa−SiのカラーTFT型の液晶表示装置におい
て、上記した請求項1と同様の作用を発揮することがで
きる。
【0026】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0027】第1の実施の形態 本実施の形態は本発明を透過型液晶表示装置に実施した
例であって、図1〜図5にはその製造方法の各段階の状
態を示す断面構成図が順次示されている。
例であって、図1〜図5にはその製造方法の各段階の状
態を示す断面構成図が順次示されている。
【0028】まず、図1(a)に示すように、絶縁性基
板からなる表示用基板1上に必要に応じてアンダーコー
ト膜(例えばSiO2膜)2を形成する。次にクロム等
の金属からなる遮光膜3をパターン形成する。次に、第
1の層間絶縁膜4(例えばSiOx)を7000Å程度
の膜厚で形成する。次に、第1の層間絶縁膜4上に、a
−Si膜を成膜し、例えばXeClエキシマレーザーの
照射により結晶化してpoly−Si層5をパターン形
成する。さらにpoly−Si層5上に、ゲート絶縁膜
(SiO2)6を1000Å程度の膜厚で形成する。
板からなる表示用基板1上に必要に応じてアンダーコー
ト膜(例えばSiO2膜)2を形成する。次にクロム等
の金属からなる遮光膜3をパターン形成する。次に、第
1の層間絶縁膜4(例えばSiOx)を7000Å程度
の膜厚で形成する。次に、第1の層間絶縁膜4上に、a
−Si膜を成膜し、例えばXeClエキシマレーザーの
照射により結晶化してpoly−Si層5をパターン形
成する。さらにpoly−Si層5上に、ゲート絶縁膜
(SiO2)6を1000Å程度の膜厚で形成する。
【0029】次に、図1(b),(c)に示すように、
LDD膜7となるSiNx,TaOx膜を成膜し、続いて
ゲート配線8となるアルミニウム(Al),アルミニウ
ム合金(AlXX),タンタル(Ta),クロム(C
r)、モリブデンシリサイド(MoSi)、タングステ
ン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成膜する。そして、
形成したゲート配線材やLDD膜材をパターニングして
LDD膜7やゲート配線8を形成したううえで、ボロン
やリンの不純物をドーピングすることで、CMOS駆動
回路となるp型チャネル部やn型チャネル部を形成す
る。以上の工程は従来例と同様である。次に本実施の形
態と特徴となる工程を説明する。
LDD膜7となるSiNx,TaOx膜を成膜し、続いて
ゲート配線8となるアルミニウム(Al),アルミニウ
ム合金(AlXX),タンタル(Ta),クロム(C
r)、モリブデンシリサイド(MoSi)、タングステ
ン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成膜する。そして、
形成したゲート配線材やLDD膜材をパターニングして
LDD膜7やゲート配線8を形成したううえで、ボロン
やリンの不純物をドーピングすることで、CMOS駆動
回路となるp型チャネル部やn型チャネル部を形成す
る。以上の工程は従来例と同様である。次に本実施の形
態と特徴となる工程を説明する。
【0030】図2(a)に示すように、形成したp型チ
ャネル部やn型チャネル部の上から第2の層間絶縁膜
(SiOx膜)9を3000Å程度の膜厚で成膜する。
さらに、図2(b)に示すように、第2の層間絶縁膜9
上にフォトレジスト層を形成したのち、フォトリソグラ
フィ工程を施すことで、第1のエッチングマスク20を
形成し、さらに、形成した第1のエッチングマスク20
を介して第2の層間絶縁膜9をエッチング(例えば、フ
ッ素系エッチングガスを用いたドライエッチング)する
ことで、結晶化Si膜5ないしは遮光膜3に達する第1
のコンタクトホール21を形成する。
ャネル部やn型チャネル部の上から第2の層間絶縁膜
(SiOx膜)9を3000Å程度の膜厚で成膜する。
さらに、図2(b)に示すように、第2の層間絶縁膜9
上にフォトレジスト層を形成したのち、フォトリソグラ
フィ工程を施すことで、第1のエッチングマスク20を
形成し、さらに、形成した第1のエッチングマスク20
を介して第2の層間絶縁膜9をエッチング(例えば、フ
ッ素系エッチングガスを用いたドライエッチング)する
ことで、結晶化Si膜5ないしは遮光膜3に達する第1
のコンタクトホール21を形成する。
【0031】次に、第1のコンタクトメタル材の材料
(例えば銅)を含有するメッキ液(例えば、ピロリン酸
銅メッキ液,硫酸銅メッキ液)に表示用基板1を浸漬さ
せて無電界メッキすることで、第1のコンタクトホール
21内に第1のコンタクトメタル22を充填する。充填
量は、メッキ液に対する表示用基板1の浸漬時間を変動
させることで精度よく調整することができる。第1のコ
ンタクトメタル22を充填したのち、図3に示すよう
に、第1のエッチングマスク20を表示用基板1上から
剥離させる。
(例えば銅)を含有するメッキ液(例えば、ピロリン酸
銅メッキ液,硫酸銅メッキ液)に表示用基板1を浸漬さ
せて無電界メッキすることで、第1のコンタクトホール
21内に第1のコンタクトメタル22を充填する。充填
量は、メッキ液に対する表示用基板1の浸漬時間を変動
させることで精度よく調整することができる。第1のコ
ンタクトメタル22を充填したのち、図3に示すよう
に、第1のエッチングマスク20を表示用基板1上から
剥離させる。
【0032】このとき、第1のエッチングマスク20上
に付着した余分な第1のコンタクトメタル22は、第1
のエッチングマスク20とともに剥離するので、第1の
コンタクトメタル22は第1のコンタクトホール21内
に精度高くセルフアライメントされた状態で、かつ第2
の層間絶縁膜9に対して平滑性高く(面一状態で)形成
されることになる。そのうえ、このような精度の高いア
ライメントを第1のコンタクトホール21の形成時に作
成した第1のエッチングマスク20を流用して行ってい
るので、第1のコンタクトメタル22用として、専用の
アライメント用マスクを形成する必要もなく、工程数も
増加しない。
に付着した余分な第1のコンタクトメタル22は、第1
のエッチングマスク20とともに剥離するので、第1の
コンタクトメタル22は第1のコンタクトホール21内
に精度高くセルフアライメントされた状態で、かつ第2
の層間絶縁膜9に対して平滑性高く(面一状態で)形成
されることになる。そのうえ、このような精度の高いア
ライメントを第1のコンタクトホール21の形成時に作
成した第1のエッチングマスク20を流用して行ってい
るので、第1のコンタクトメタル22用として、専用の
アライメント用マスクを形成する必要もなく、工程数も
増加しない。
【0033】次に、図4(a)に示すように、ソース・
ドレイン電極11となるアルミニウム(Al)やアルミ
ニウム合金(AlXX)、タンタル(Ta)、クロム
(Cr)、モリブデンシリサイド(MoSi)、タング
ステン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成膜してソース
・ドレイン電極11の形状にパターン形成し、さらに、
表示用基板1を平坦化するために、ソース・ドレイン電
極11上に第3の絶縁膜12(レジスト膜)を成膜す
る。なお、オーミック性や電極材間の電池反応による防
食を鑑みて、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)等を
前記ソース・ドレイン電極11の下層や上下層に用い、
ソース・ドレイン電極11を積層膜構成にする場合もあ
る。
ドレイン電極11となるアルミニウム(Al)やアルミ
ニウム合金(AlXX)、タンタル(Ta)、クロム
(Cr)、モリブデンシリサイド(MoSi)、タング
ステン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成膜してソース
・ドレイン電極11の形状にパターン形成し、さらに、
表示用基板1を平坦化するために、ソース・ドレイン電
極11上に第3の絶縁膜12(レジスト膜)を成膜す
る。なお、オーミック性や電極材間の電池反応による防
食を鑑みて、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)等を
前記ソース・ドレイン電極11の下層や上下層に用い、
ソース・ドレイン電極11を積層膜構成にする場合もあ
る。
【0034】次に、図4(b)に示すように、第3の層
間絶縁膜12上にフォトレジスト層を形成したのち、フ
ォトリソグラフィ工程を施すことで、第2のエッチング
マスク23を形成し、さらに、形成した第2のエッチン
グマスク23を介して第3の層間絶縁膜12をエッチン
グ(例えば、フッ素系エッチングガスを用いたドライエ
ッチング)することで、ソース・ドレイン電極11に達
する第2のコンタクトホール24を形成する。
間絶縁膜12上にフォトレジスト層を形成したのち、フ
ォトリソグラフィ工程を施すことで、第2のエッチング
マスク23を形成し、さらに、形成した第2のエッチン
グマスク23を介して第3の層間絶縁膜12をエッチン
グ(例えば、フッ素系エッチングガスを用いたドライエ
ッチング)することで、ソース・ドレイン電極11に達
する第2のコンタクトホール24を形成する。
【0035】次に、第4(c)に示すように、第2のコ
ンタクトメタル材の材料(例えば銅)を含有するメッキ
液(例えば、ピロリン酸銅メッキ液,硫酸銅メッキ液)
に表示用基板1を浸漬させて無電界メッキすることで、
第2のコンタクトホール24内に第2のコンタクトメタ
ル25を充填する。第2のコンタクトメタル25の充填
量は、第1のコンタクトメタル22の充填量と同様、メ
ッキ液に対する表示用基板1の浸漬時間を変動させるこ
とで精度よく調整することができる。第2のコンタクト
メタル25を充填したのち、図5(a)に示すように、
第2のエッチングマスク23を表示用基板1上から剥離
させる。
ンタクトメタル材の材料(例えば銅)を含有するメッキ
液(例えば、ピロリン酸銅メッキ液,硫酸銅メッキ液)
に表示用基板1を浸漬させて無電界メッキすることで、
第2のコンタクトホール24内に第2のコンタクトメタ
ル25を充填する。第2のコンタクトメタル25の充填
量は、第1のコンタクトメタル22の充填量と同様、メ
ッキ液に対する表示用基板1の浸漬時間を変動させるこ
とで精度よく調整することができる。第2のコンタクト
メタル25を充填したのち、図5(a)に示すように、
第2のエッチングマスク23を表示用基板1上から剥離
させる。
【0036】このとき、第2のエッチングマスク23上
に付着した余分な第2のコンタクトメタル25は、第2
のエッチングマスク23とともに剥離するので、第2の
コンタクトメタル25は第2のコンタクトホール24内
に精度高くセルフアライメントされた状態で、かつ第3
の層間絶縁膜12に対して平滑性高く(面一状態で)形
成されることになる。そのうえ、このような精度の高い
アライメントを第2のコンタクトホール24の形成時に
作成した第2のエッチングマスク23を流用して行って
いるので、第2のコンタクトメタル25用として、専用
のアライメント用マスクを形成する必要もなく、工程数
も増加しない。
に付着した余分な第2のコンタクトメタル25は、第2
のエッチングマスク23とともに剥離するので、第2の
コンタクトメタル25は第2のコンタクトホール24内
に精度高くセルフアライメントされた状態で、かつ第3
の層間絶縁膜12に対して平滑性高く(面一状態で)形
成されることになる。そのうえ、このような精度の高い
アライメントを第2のコンタクトホール24の形成時に
作成した第2のエッチングマスク23を流用して行って
いるので、第2のコンタクトメタル25用として、専用
のアライメント用マスクを形成する必要もなく、工程数
も増加しない。
【0037】次に、第3の層間絶縁膜12上に、Ind
ium Tin Oxide(ITO)からなり、第2
のコンタクトホール24を介してソース・ドレイン電極
11に導通する透明導電膜14を成膜してパターニング
することで画素電極14を形成する。
ium Tin Oxide(ITO)からなり、第2
のコンタクトホール24を介してソース・ドレイン電極
11に導通する透明導電膜14を成膜してパターニング
することで画素電極14を形成する。
【0038】次に、第3の層間絶縁膜12上に、SiN
x膜からなる保護縁膜15を成膜したのち、画素電極1
4等の上方をパターン開口することで、液晶表示装置の
ポリシリコン薄膜トランジスタアレイ(poly−S
i:TFTアレイ(トップゲート型))が完成する。
x膜からなる保護縁膜15を成膜したのち、画素電極1
4等の上方をパターン開口することで、液晶表示装置の
ポリシリコン薄膜トランジスタアレイ(poly−S
i:TFTアレイ(トップゲート型))が完成する。
【0039】第2の実施の形態 本実施の形態は本発明を透過型液晶表示装置に実施した
例であって、図6,図7にはその製造方法の各段階の状
態を示す断面構成図が順次示されている。
例であって、図6,図7にはその製造方法の各段階の状
態を示す断面構成図が順次示されている。
【0040】まず、図6(a)に示すように、ガラス基
板等の透明絶縁基板からなる表示用基板30を用意し、
この表示用基板30上にアンダーコート膜31(例えば
SiO2膜)を形成する。次に、アルミニウム(A
l)、アルミニウム合金(AlXX)、タンタル(T
a)、クロム(Cr)、モリブデンシリサイド(MoS
i)、タングステン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成
膜してパターニングすることで、ゲート配線32を形成
する。そして、ゲート配線32がパターン形成された表
示用基板30上に、絶縁膜、a−Si膜を順次形成した
後、パターニングする(不要部分を除去する)ことで、
ゲート絶縁膜33,a−Si層34を形成する。
板等の透明絶縁基板からなる表示用基板30を用意し、
この表示用基板30上にアンダーコート膜31(例えば
SiO2膜)を形成する。次に、アルミニウム(A
l)、アルミニウム合金(AlXX)、タンタル(T
a)、クロム(Cr)、モリブデンシリサイド(MoS
i)、タングステン(W)、銅(Cu)等の金属膜を成
膜してパターニングすることで、ゲート配線32を形成
する。そして、ゲート配線32がパターン形成された表
示用基板30上に、絶縁膜、a−Si膜を順次形成した
後、パターニングする(不要部分を除去する)ことで、
ゲート絶縁膜33,a−Si層34を形成する。
【0041】次に、図6(b)に示すように、a−Si
層34上の所定位置にソース・ドレイン電極35をパタ
ーン形成する。そして、ソース・ドレイン電極35をパ
ターン形成した表示用基板30に、ボロンやリンの不純
物をドーピングすることで、CMOS駆動回路となるp
型チャネル部やn型チャネル部を形成する。さらに、形
成したp型チャネル部やn型チャネル部の上から層間絶
縁膜(SiOx膜)36を3000Å程度の膜厚で成膜
する。
層34上の所定位置にソース・ドレイン電極35をパタ
ーン形成する。そして、ソース・ドレイン電極35をパ
ターン形成した表示用基板30に、ボロンやリンの不純
物をドーピングすることで、CMOS駆動回路となるp
型チャネル部やn型チャネル部を形成する。さらに、形
成したp型チャネル部やn型チャネル部の上から層間絶
縁膜(SiOx膜)36を3000Å程度の膜厚で成膜
する。
【0042】そして、図6(c)に示すように、層間絶
縁膜36上にフォトレジスト層を形成したのち、フォト
リソグラフィ工程を施すことで、エッチングマスク37
を形成し、さらに、形成したエッチングマスク37を介
して層間絶縁膜36をエッチング(例えば、フッ素系エ
ッチングガスを用いたドライエッチング)することで、
a−Si膜34に達するコンタクトホール38を形成す
る。
縁膜36上にフォトレジスト層を形成したのち、フォト
リソグラフィ工程を施すことで、エッチングマスク37
を形成し、さらに、形成したエッチングマスク37を介
して層間絶縁膜36をエッチング(例えば、フッ素系エ
ッチングガスを用いたドライエッチング)することで、
a−Si膜34に達するコンタクトホール38を形成す
る。
【0043】次に、コンタクトメタル材の材料(例えば
銅)を含有するメッキ液(例えば、ピロリン酸銅メッキ
液,硫酸銅メッキ液)に表示用基板30を浸漬させて無
電界メッキすることで、コンタクトホール38内にコン
タクトメタル39を充填する。コンタクトメタル39の
充填量は、メッキ液に対する表示用基板30の浸漬時間
を変動させることで精度よく調整することができる。
銅)を含有するメッキ液(例えば、ピロリン酸銅メッキ
液,硫酸銅メッキ液)に表示用基板30を浸漬させて無
電界メッキすることで、コンタクトホール38内にコン
タクトメタル39を充填する。コンタクトメタル39の
充填量は、メッキ液に対する表示用基板30の浸漬時間
を変動させることで精度よく調整することができる。
【0044】コンタクトメタル39を充填したのち、図
7(a)に示すように、エッチングマスク37を表示用
基板30上から剥離させる。このとき、エッチングマス
ク30上に付着した余分なコンタクトメタル39は、エ
ッチングマスク37とともに剥離するので、コンタクト
メタル39はコンタクトホール38内に精度高くセルフ
アライメントされた状態で、かつ層間絶縁膜36に対し
て平滑性高く(面一状態で)形成されることになる。そ
のうえ、このような精度の高いアライメントをコンタク
トホール38の形成時に作成したエッチングマスク37
を流用して行っているので、コンタクトメタル39用と
して、専用のアライメント用マスクを形成する必要もな
く、工程数も増加しない。
7(a)に示すように、エッチングマスク37を表示用
基板30上から剥離させる。このとき、エッチングマス
ク30上に付着した余分なコンタクトメタル39は、エ
ッチングマスク37とともに剥離するので、コンタクト
メタル39はコンタクトホール38内に精度高くセルフ
アライメントされた状態で、かつ層間絶縁膜36に対し
て平滑性高く(面一状態で)形成されることになる。そ
のうえ、このような精度の高いアライメントをコンタク
トホール38の形成時に作成したエッチングマスク37
を流用して行っているので、コンタクトメタル39用と
して、専用のアライメント用マスクを形成する必要もな
く、工程数も増加しない。
【0045】次に、層間絶縁膜36上に、Indium
Tin Oxide(ITO)からなり、コンタクト
ホール38を介してソース・ドレイン電極35に導通す
る透明導電膜を成膜してパターニングすることで画素電
極40を形成する。
Tin Oxide(ITO)からなり、コンタクト
ホール38を介してソース・ドレイン電極35に導通す
る透明導電膜を成膜してパターニングすることで画素電
極40を形成する。
【0046】次に、層間絶縁膜36上に、SiNx膜か
らなる絶縁膜41を成膜したのち、画素電極40等の上
方をパターン開口することで、液晶表示装置のアモルフ
ァスシリコン薄膜トランジスタアレイ(a−Si:TF
Tアレイ(ボトムゲート型))が完成する。
らなる絶縁膜41を成膜したのち、画素電極40等の上
方をパターン開口することで、液晶表示装置のアモルフ
ァスシリコン薄膜トランジスタアレイ(a−Si:TF
Tアレイ(ボトムゲート型))が完成する。
【0047】第3の実施の形態 本実施の形態は本発明を透過型液晶表示装置に実施した
例であって、図8にはその製造方法の各段階の状態を示
す断面構成図が順次示されている。
例であって、図8にはその製造方法の各段階の状態を示
す断面構成図が順次示されている。
【0048】まず、図8(a)に示すように、前記第
1、第2の実施の形態の製造方法等で作成したa−Si
/poly−Si:TFT基板50の表面に第1の透明
導電膜51をパターン形成する。そして、第1の透明導
電膜51の上に、液晶材を含有する絶縁体からなる第1
の着色レジスト層(例えばシアン(Cy)層)52をパ
ターン形成する。
1、第2の実施の形態の製造方法等で作成したa−Si
/poly−Si:TFT基板50の表面に第1の透明
導電膜51をパターン形成する。そして、第1の透明導
電膜51の上に、液晶材を含有する絶縁体からなる第1
の着色レジスト層(例えばシアン(Cy)層)52をパ
ターン形成する。
【0049】次に、図8(b)に示すように、第1の着
色レジスト層52上にフォトレジスト層を形成したの
ち、フォトリソグラフィ工程を施すことで、第1のエッ
チングマスク53を形成し、さらに、形成した第1のエ
ッチングマスク53を介して第1の着色レジスト層52
をエッチング(例えば、フッ素系エッチングガスを用い
たドライエッチング)することで、第1の透明電極膜5
1に達する第1のコンタクトホール54を形成する。
色レジスト層52上にフォトレジスト層を形成したの
ち、フォトリソグラフィ工程を施すことで、第1のエッ
チングマスク53を形成し、さらに、形成した第1のエ
ッチングマスク53を介して第1の着色レジスト層52
をエッチング(例えば、フッ素系エッチングガスを用い
たドライエッチング)することで、第1の透明電極膜5
1に達する第1のコンタクトホール54を形成する。
【0050】次に、コンタクトメタル材の材料(例えば
銅)を含有するメッキ液(例えば、ピロリン酸銅メッキ
液,硫酸銅メッキ液)にTFT基板50を浸漬させて無
電界メッキすることで、第1のコンタクトホール54内
に第1のコンタクトメタル55を充填する。コンタクト
メタル55の充填量は、メッキ液に対する表示用基板5
0の浸漬時間を変動させることで精度よく調整すること
ができる。
銅)を含有するメッキ液(例えば、ピロリン酸銅メッキ
液,硫酸銅メッキ液)にTFT基板50を浸漬させて無
電界メッキすることで、第1のコンタクトホール54内
に第1のコンタクトメタル55を充填する。コンタクト
メタル55の充填量は、メッキ液に対する表示用基板5
0の浸漬時間を変動させることで精度よく調整すること
ができる。
【0051】第1のコンタクトメタル55を充填したの
ち、図9(a)に示すように、第1のエッチングマスク
53を表示用基板1上から剥離させる。このとき、第1
のエッチングマスク53上に付着した余分な第1のコン
タクトメタル55は、第1のエッチングマスク53とと
もに剥離するので、第1のコンタクトメタル55は第1
のコンタクトホール54内に精度高くセルフアライメン
トされた状態で、かつ第1の着色レジスト層52に対し
て平滑性高く(面一状態で)形成されることになる。そ
のうえ、このような精度の高いアライメントを第1のコ
ンタクトホール54の形成時に作成した第1のエッチン
グマスク53を流用して行っているので、第1のコンタ
クトメタル55用として、専用のアライメント用マスク
を形成する必要もなく、工程数も増加しない。
ち、図9(a)に示すように、第1のエッチングマスク
53を表示用基板1上から剥離させる。このとき、第1
のエッチングマスク53上に付着した余分な第1のコン
タクトメタル55は、第1のエッチングマスク53とと
もに剥離するので、第1のコンタクトメタル55は第1
のコンタクトホール54内に精度高くセルフアライメン
トされた状態で、かつ第1の着色レジスト層52に対し
て平滑性高く(面一状態で)形成されることになる。そ
のうえ、このような精度の高いアライメントを第1のコ
ンタクトホール54の形成時に作成した第1のエッチン
グマスク53を流用して行っているので、第1のコンタ
クトメタル55用として、専用のアライメント用マスク
を形成する必要もなく、工程数も増加しない。
【0052】次に、図9(b)に示すように、第1の着
色レジスト層52上に、第2の透明電極膜56、第2の
着色レジスト層(例えば、マゼンタ(Mg)層)57を
形成し、さらに第2の着色レジスト層57に、第2のコ
ンタクトホール58および第2のコンタクトメタル59
を形成する。なお、第2の透明電極膜56、第2の着色
レジスト層57,第2のコンタクトホール58,および
第2のコンタクトメタル59の製造方法は、第8(a)
〜(c)に示した第1の透明電極膜51、第1の着色レ
ジスト層52,第1のコンタクトホール54,および第
1のコンタクトメタル55の製造方法と同一のであるの
で説明は省略する。
色レジスト層52上に、第2の透明電極膜56、第2の
着色レジスト層(例えば、マゼンタ(Mg)層)57を
形成し、さらに第2の着色レジスト層57に、第2のコ
ンタクトホール58および第2のコンタクトメタル59
を形成する。なお、第2の透明電極膜56、第2の着色
レジスト層57,第2のコンタクトホール58,および
第2のコンタクトメタル59の製造方法は、第8(a)
〜(c)に示した第1の透明電極膜51、第1の着色レ
ジスト層52,第1のコンタクトホール54,および第
1のコンタクトメタル55の製造方法と同一のであるの
で説明は省略する。
【0053】次に、図9(c)に示すように、第2の着
色レジスト層56上に、第3の透明電極膜60、第3の
着色レジスト層(例えば、イエロー(Ye)層)61を
形成し、この第3の着色レジスト層61に、第3のコン
タクトホール62および第3のコンタクトメタル63を
形成する。なお、第3の透明電極膜60、第3の着色レ
ジスト層61,第3のコンタクトホール62,および第
3のコンタクトメタル63の製造方法は、第8(a)〜
(c)に示した第1の透明電極膜51、第1の着色レジ
スト層52,第1のコンタクトホール54,および第1
のコンタクトメタル55の製造方法と同一のであるので
説明は省略する。
色レジスト層56上に、第3の透明電極膜60、第3の
着色レジスト層(例えば、イエロー(Ye)層)61を
形成し、この第3の着色レジスト層61に、第3のコン
タクトホール62および第3のコンタクトメタル63を
形成する。なお、第3の透明電極膜60、第3の着色レ
ジスト層61,第3のコンタクトホール62,および第
3のコンタクトメタル63の製造方法は、第8(a)〜
(c)に示した第1の透明電極膜51、第1の着色レジ
スト層52,第1のコンタクトホール54,および第1
のコンタクトメタル55の製造方法と同一のであるので
説明は省略する。
【0054】最後に、図9(c)に示すように、第3の
着色レジスト層56上を覆う保護膜64を形成して、カ
ラー液晶表示装置が完成する。
着色レジスト層56上を覆う保護膜64を形成して、カ
ラー液晶表示装置が完成する。
【0055】ところで、このようにして液晶表示装置を
製造する本発明の製造方法では、コンタクトメタル2
2,25,39,55,59,63と、上層側のソース
・ドレイン電極11、画素電極14、画素電極40,な
いしは第2,第3の透明電極膜56,60とを一体にメ
ッキにより形成することで、工程の削減を図ることが考
えられる。しかしながら、液晶表示装置が有する次のよ
うな特徴によりそれは不可能である。すなわち、ソース
・ドレイン配電電極11は、低抵抗かつ微細加工が可能
な導電材料から構成する必要があり、そのような特徴を
備えた導電材料をメッキすることは現在のメッキ法では
困難である。また、画素電極14,40,透明電極膜5
6,60を構成するITO等の透明導電材料をメッキす
ることも現在のメッキ法では困難である。
製造する本発明の製造方法では、コンタクトメタル2
2,25,39,55,59,63と、上層側のソース
・ドレイン電極11、画素電極14、画素電極40,な
いしは第2,第3の透明電極膜56,60とを一体にメ
ッキにより形成することで、工程の削減を図ることが考
えられる。しかしながら、液晶表示装置が有する次のよ
うな特徴によりそれは不可能である。すなわち、ソース
・ドレイン配電電極11は、低抵抗かつ微細加工が可能
な導電材料から構成する必要があり、そのような特徴を
備えた導電材料をメッキすることは現在のメッキ法では
困難である。また、画素電極14,40,透明電極膜5
6,60を構成するITO等の透明導電材料をメッキす
ることも現在のメッキ法では困難である。
【0056】このように、その構造上、コンタクトメタ
ル22,25,39,55,59,63の形成工程と、
上層側のソース・ドレイン電極11、画素電極14、画
素電極40,ないしは第2,第3の透明電極膜56,6
0の形成工程とを別々に設定しなければならないという
特徴を有する液晶表示装置において、本発明は、コンタ
クトホール形成用のエッチングマスク20,23,3
7,53を、メッキマスクとして流用することで、メッ
キマスクの作成工程を省略できるので、工程を省略して
製造コストを削減するうえでの効果は大きいものとなっ
ている。
ル22,25,39,55,59,63の形成工程と、
上層側のソース・ドレイン電極11、画素電極14、画
素電極40,ないしは第2,第3の透明電極膜56,6
0の形成工程とを別々に設定しなければならないという
特徴を有する液晶表示装置において、本発明は、コンタ
クトホール形成用のエッチングマスク20,23,3
7,53を、メッキマスクとして流用することで、メッ
キマスクの作成工程を省略できるので、工程を省略して
製造コストを削減するうえでの効果は大きいものとなっ
ている。
【0057】なお、上述した各実施の形態では透過型の
液晶表示装置に於いて本発明を実施したが、反射型の液
晶表示装置に於いても同様に実施することができる。
液晶表示装置に於いて本発明を実施したが、反射型の液
晶表示装置に於いても同様に実施することができる。
【0058】また、上述した各実施の形態では液晶表示
装置のTFTアレイ基板において本発明を実施したが、
本発明は液晶表示装置に限らず、他の表示装置に於いて
も同様に実施することができる。
装置のTFTアレイ基板において本発明を実施したが、
本発明は液晶表示装置に限らず、他の表示装置に於いて
も同様に実施することができる。
【0059】
【発明の効果】本発明によって、開口サイズやテーパ形
状深さ等が異なり、形状が歪なコンタクトホールであっ
ても確実にコンタクトメタルが充填形成され、次工程で
は確実なメタルカバレッジを得ることから断切れ(コン
タクトメタルの断線)を回避できる。コンタクトホール
の加工においても緩やかなテーパ形状を必要とせず加工
条件や材料・材質に左右されることなくエッチング条件
を決定できる。
状深さ等が異なり、形状が歪なコンタクトホールであっ
ても確実にコンタクトメタルが充填形成され、次工程で
は確実なメタルカバレッジを得ることから断切れ(コン
タクトメタルの断線)を回避できる。コンタクトホール
の加工においても緩やかなテーパ形状を必要とせず加工
条件や材料・材質に左右されることなくエッチング条件
を決定できる。
【0060】コンタクトメタルの形成での成膜工程にお
いて、メッキ液への浸漬手法で必要部分の成膜が容易に
でき、浸漬時間の制御にてコンタクトホールの表面形状
を凹、凸、平坦へと任意に得ることができる。従って、
従来のコンタクトメタル形成で要したフォト工程、エッ
チング工程、フォトレジスト剥離工程など多くの工程が
不要となる。
いて、メッキ液への浸漬手法で必要部分の成膜が容易に
でき、浸漬時間の制御にてコンタクトホールの表面形状
を凹、凸、平坦へと任意に得ることができる。従って、
従来のコンタクトメタル形成で要したフォト工程、エッ
チング工程、フォトレジスト剥離工程など多くの工程が
不要となる。
【0061】メッキ法でコンタクトメタルを形成するの
で、底面の金属層が露出した状態にコンタクトホールを
形成すれば、その開口サイズの微細化に関係なく、ま
た、ホール深さのに関係なく、どのような形状のコンタ
クトホールにも容易かつ確実にコンタクトメタルを形成
することができる。
で、底面の金属層が露出した状態にコンタクトホールを
形成すれば、その開口サイズの微細化に関係なく、ま
た、ホール深さのに関係なく、どのような形状のコンタ
クトホールにも容易かつ確実にコンタクトメタルを形成
することができる。
【0062】また、コンタクトホール形成時のレジスト
パターンをメッキマスクにすれば、コンタクトメタルを
セルフアレイメントした状態で充填することができ、コ
ンタクトメタルの形成精度を高めることができる。しか
も、このようなコンタクトメタルの形成精度の向上を従
前からあるコンタクトホール用のレジストパターンを用
いるので、新たな工程を追加する必要がなく、その分、
製造の手間が省略できて、製造コストを抑えることがで
きる。
パターンをメッキマスクにすれば、コンタクトメタルを
セルフアレイメントした状態で充填することができ、コ
ンタクトメタルの形成精度を高めることができる。しか
も、このようなコンタクトメタルの形成精度の向上を従
前からあるコンタクトホール用のレジストパターンを用
いるので、新たな工程を追加する必要がなく、その分、
製造の手間が省略できて、製造コストを抑えることがで
きる。
【図1】 本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
【図2】 本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
【図3】 本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法の製造途中の状態を示す断面構成図である。
製造方法の製造途中の状態を示す断面構成図である。
【図4】 本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
【図5】 本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法で製造された液晶表示装置の断面構成図であ
る。
製造方法で製造された液晶表示装置の断面構成図であ
る。
【図6】 本発明の第2の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
【図7】 本発明の第2の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
【図8】 本発明の第3の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
【図9】 本発明の第3の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
製造方法の各工程を順に示す断面構成図である。
【図10】 従来例の液晶表示装置の製造方法の各工程
を順に示す断面構成図である。
を順に示す断面構成図である。
【図11】 従来例の液晶表示装置の製造方法の各工程
を順に示す断面構成図である。
を順に示す断面構成図である。
1 表示用基板 2 アンダーコート膜 3 遮
光膜 4 第1の層間絶縁膜 5 結晶化Si膜 6 ゲ
ート絶縁膜 7 LDD膜 8 ゲート配線 9 第
2の層間絶縁膜 20 第1のエッチングマスク 21 第1のコンタクトホール 22
第1のコンタクトメタル 23 第2のエッチングマスク 24
第2のコンタクトホール 25 第2のコンタクトメタル 30 表示用基板 31
アンダーコート膜 32 ゲート配線 33
ゲート絶縁膜 34 a−Si層 35 ソース・ドレイン配線 36
層間絶縁膜 37 エッチングマスク 38
コンタクトホール 39 コンタクトメタル 40
画素電極 50 TFT基板 51
第1の透明電極膜 52 第1の着色レジスト層 53
第1のエッチングマスク 54 第1のコンタクトホール 55
第1のコンタクトメタル 56 第2の透明電極膜 57
第2の着色レジスト層 58 第2のコンタクトホール 59
第2のコンタクトメタル 60 第3の透明電極膜 61
第3の着色レジスト層 62 第3のコンタクトホール 63
第3のコンタクトメタル 64 保護膜
光膜 4 第1の層間絶縁膜 5 結晶化Si膜 6 ゲ
ート絶縁膜 7 LDD膜 8 ゲート配線 9 第
2の層間絶縁膜 20 第1のエッチングマスク 21 第1のコンタクトホール 22
第1のコンタクトメタル 23 第2のエッチングマスク 24
第2のコンタクトホール 25 第2のコンタクトメタル 30 表示用基板 31
アンダーコート膜 32 ゲート配線 33
ゲート絶縁膜 34 a−Si層 35 ソース・ドレイン配線 36
層間絶縁膜 37 エッチングマスク 38
コンタクトホール 39 コンタクトメタル 40
画素電極 50 TFT基板 51
第1の透明電極膜 52 第1の着色レジスト層 53
第1のエッチングマスク 54 第1のコンタクトホール 55
第1のコンタクトメタル 56 第2の透明電極膜 57
第2の着色レジスト層 58 第2のコンタクトホール 59
第2のコンタクトメタル 60 第3の透明電極膜 61
第3の着色レジスト層 62 第3のコンタクトホール 63
第3のコンタクトメタル 64 保護膜
Claims (6)
- 【請求項1】 表示用基板上の絶縁膜に形成されたコン
タクトホールに、コンタクトメタルを充填形成したの
ち、前記絶縁膜上に、前記コンタクトメタルに導通する
配線パターンを形成する表示装置の製造方法であって、 前記コンタクトメタルをメッキ法によりコンタクトホー
ルに充填形成することを特徴とする表示装置の製造方
法。 - 【請求項2】 請求項1記載の表示装置の製造方法であ
って、 前記コンタクトホール形成時に前記絶縁膜上に形成する
レジストパターンをメッキマスクにして、前記コンタク
トメタルを形成することを特徴とする表示装置の製造方
法。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の表示装置の製造
方法であって、 メッキ法として、無電解メッキ法を用いることを特徴と
する表示装置の製造方法。 - 【請求項4】 遮光膜がパターン形成された表示用基板
上に、第1の層間絶縁膜、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲ
ート配線、および第2の層間絶縁膜を順次積層形成する
工程と、前記第2の層間絶縁膜に、前記半導体層もしく
は前記遮光膜に達する第1のコンタクトホールを形成す
る工程と、前記第1のコンタクトホールに第1のコンタ
クトメタルを充填する工程と、前記第2の層間絶縁膜上
に、前記第1のコンタクトメタルに導通するソース・ド
レイン電極をパターン形成する工程と、前記第2の層間
絶縁膜上に、前記ソース・ドレイン電極を埋め込む第3
の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第3の層間絶縁膜
に、前記ソース・ドレイン電極に達する第2のコンタク
トホールを形成する工程と、前記第2のコンタクトホー
ルに第2のコンタクトメタルを充填する工程と、前記第
3の層間絶縁膜上に、前記第2のコンタクトメタルに導
通する画素電極を形成する工程とを含む表示装置の製造
方法であって、 前記第1,第2のコンタクトメタルを、第1,第2のコ
ンタクトホール形成時に前記第2,第3の層間絶縁膜上
に形成するレジストパターンをメッキマスクにしたメッ
キ法により、前記第1,第2のコンタクトホールに充填
形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項5】 ゲート配線がパターン形成された表示用
基板上に、ゲート絶縁膜および半導体層を順次積層形成
する工程と、前記半導体層上にソース・ドレイン電極を
パターン形成する工程と、前記表示用基板上に前記半導
体層および前記ソース・ドレイン電極を埋め込む層間絶
縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にソース・ドレ
イン電極に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールにコンタクトメタルを充填する工
程と、前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトメタルに導
通する画素電極を形成する工程とを含む表示装置の製造
方法であって、前記コンタクトメタルを、前記コンタク
トホール形成時に前記層間絶縁膜上に形成するレジスト
パターンをメッキマスクにしたメッキ法により、前記コ
ンタクトホールに充填形成することを特徴とする表示装
置の製造方法。 - 【請求項6】 表示用基板上に、それぞれ液晶材を含有
する第1の着色レジスト層、第2の着色レジスト層、お
よび第3の着色レジスト層を透明導電膜を介して順次積
層形成するとともに、前記第1、第2、第3の着色レジ
スト層にコンタクトホールを形成し、さらに形成したコ
ンタクトホールに、前記透明電極膜の層間接続用のコン
タクトメタルを充填する表示装置の製造方法であって、 前記コンタクトメタルを、前記コンタクトホール形成時
に各着色レジスト層上に形成するレジストパターンをメ
ッキマスクにしたメッキ法により前記コンタクトホール
に充填形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27090397A JPH11111995A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27090397A JPH11111995A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11111995A true JPH11111995A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17492597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27090397A Pending JPH11111995A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11111995A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003031586A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | アレイ基板の製造方法、アレイ基板および液晶表示素子 |
WO2013159542A1 (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置 |
KR20160080954A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP27090397A patent/JPH11111995A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003031586A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | アレイ基板の製造方法、アレイ基板および液晶表示素子 |
WO2013159542A1 (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置 |
US8877649B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-11-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device |
US9177920B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-11-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device |
KR20160080954A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
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