JPH11111646A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は半導体チップの回路形成面に保護用の
樹脂が形成された半導体装置の製造方法及び半導体装置
に関し、均一の膜厚を有した樹脂を低コストでかつ効率
よく形成することを課題とする。 【解決手段】スクライブラインＳＬ及び電極部１４を除
き半導体チップ１２を保護する樹脂膜２０となる液状樹
脂２０Ａを一括してスクリーン印刷法を用いて印刷する
スクリーン印刷工程と、予備加熱を行なうことにより液
状樹脂２Ａを半固化樹脂２０Ｂとする予備加熱工程と、
半導体チップ１２の電極部１４上にスタッドバンプ１６
を形成する端子形成工程と、半固化樹脂２０Ｂを加熱し
溶融することにより半導体チップ１２上に樹脂膜２０を
形成する樹脂充填工程と、ウェーハ３０をスクライビン
グして個々の半導体チップ１２に分離するスクライビン
グ工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法及び半導体装置に係り、特に半導体チップの回路形成
面に保護用の樹脂が形成された半導体装置の製造方法及
び半導体装置に関する。近年、半導体装置の実装密度を
向上させるため、パッケージの小型化，薄型化の技術が
急速に進んでおり、このためパッケージ形状を半導体チ
ップの大きさに近づけるリアルチップサイズ化が図られ
ている。

【０００２】このパッケージのリアルチップサイズ化に
伴い、通常のパッケージのようにチップ周辺で内部配線
を行なうことができなくなり、このため半導体チップ上
に配線を行なう必要が生じる。このように、半導体チッ
プ上に配線を行なう場合、この配線が行なわれる面（回
路形成面）を保護する必要が生じる。このため、半導体
チップの回路形成面には、形成された配線及び回路の保
護を目的として樹脂膜が形成されている。

【０００３】上記のように、樹脂膜は半導体チップに形
成された配線及び回路の保護するものであるため、信頼
性の高い製造方法が望まれており、また生産性の向上の
面からは効率の良い製造方法が望まれている。

【０００４】

【従来の技術】従来、リアルチップサイズ化に対応した
半導体装置の製造方法において、半導体チップに樹脂膜
を形成する方法としては、スピンコート法或いはポッテ
ィング法が一般的に用いられていた。このスピンコート
法及びポッティング法は、共にウェーハを個々の半導体
チップにスクライビング（分割）する前に実施されるも
のである。

【０００５】スピンコート法は、ウェーハをスピンコー
トを行なう装置（スピンコータ）に水平に装着すると共
に、装着されたウェーハ上に樹脂膜となる樹脂を滴下す
る。そして、このウェーハを高速回転させことにより、
ウェーハ上に樹脂膜を形成する方法である。また、ポッ
ティング法は、ウェーハを回転させることなく樹脂膜を
形成するものであり、ディスペンサーを用いてウェーハ
に液状樹脂を滴下することにより樹脂膜を形成する方法
である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、スピンコー
ト法を用いてウェーハ上に樹脂膜を形成する方法では、
厚膜化が難しく、また成膜に要するコストが高くなると
いう問題点があった。即ち、高速回転を行なうウェーハ
に対し樹脂を滴下する方法では、膜厚が薄くなる傾向が
ある。よって、このスピンコート法はウェーハ上にレジ
スト膜を形成する場合においては有効であるが、半導体
チップの保護を行なうためある程度の厚さを必要とする
場合には、十分な膜厚を実現することができない。

【０００７】また、スピンコート法ではウェーハを回転
させる必要があるため、スピンコータにはスピンモー
タ，カップ等が設けられている。よって、スピンコータ
の設備コストが樹脂膜の形成コストに反映されてしま
い、結果として成膜に要するコストは高くなってしま
う。一方、ポッティング法を用いてウェーハ上に樹脂膜
を形成する方法では、ウェーハを回転させないため前記
のスピンコート法に比べてコストメリットはあるもの
の、膜厚のコントロールが困難で、また濡れ不足が発生
するという問題点があった。

【０００８】即ち、ディスペンサーを用いてウェーハに
液状樹脂を滴下する方法では、膜厚のコントロールはデ
ィスペンサーからの樹脂の滴下量により行なうが、一定
量の樹脂を滴下しても、これがウェーハの全面に均一に
流れる場合は少なく、どうしても樹脂の滴下位置から離
間した位置における膜厚が、樹脂の滴下位置の膜厚に比
べて薄くなる傾向がある。このため、ウェーハ全面にお
いて樹脂膜の厚さを均一とすることが困難であった。ま
た、樹脂がウェーハ全面に行き渡らない場合が生じ、こ
の場合には濡れ不足が発生してしまう。

【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、均一の膜厚を有した樹脂を低コストでかつ効率よ
く形成しうる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提
供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る手段を講じることにより解決することができる。請求
項１記載の発明に係る半導体装置の製造方法では、スク
ライブラインにより画成されると共に夫々電極部を有す
る複数の半導体チップが形成されたウェーハ上に、前記
スクライブライン及び電極部を除き前記半導体チップを
保護する樹脂を一括してスクリーン印刷法を用いて印刷
するスクリーン印刷工程と、予備加熱を行なうことによ
り、前記スクリーン印刷工程で印刷された前記樹脂を半
固化し、前記樹脂の印刷形状を維持させる予備加熱工程
と、前記予備加熱工程の終了後、前記半導体チップの電
極部上に外部接続端子を形成する端子形成工程と、前記
予備加熱工程において半固化した前記樹脂を加熱し溶融
することにより、少なくとも前記半導体チップ上に樹脂
充填を行なう樹脂充填工程と、前記ウェーハを前記スク
ライブライン位置においてスクライビングすることによ
り、個々の半導体チップに分離するスクライビング工程
とを有することを特徴とするものである。

【００１１】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置の製造方法において、前記スクラ
イビング工程を、前記予後加熱工程を実施した後で、前
記樹脂充填工程を実施する前に実施することを特徴とす
るものである。また、請求項３記載の発明では、前記請
求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
前記スクリーン印刷工程で用いるマスクを前記ウェーハ
に配設する前に、前記マスクに形成されたマスクパター
ンに対応したパターンを有すると共に弾性を有した緩衝
フィルムを前記ウェーハ上に配設することを特徴とする
ものである。

【００１２】また、請求項４記載の発明に係る半導体装
置の製造方法では、スクライブラインにより画成される
と共に夫々電極部を有する複数の半導体チップが形成さ
れたウェーハを、前記スクライブライン位置においてス
クライビングすることにより、前記半導体チップを分離
するスクライビング工程と前記スクライビング工程で分
離された複数の半導体チップをチップトレーに装着する
ことにより位置決めし、該位置決めされた前記半導体チ
ップ上に、前記電極部を除き前記半導体チップを保護す
る樹脂を一括してスクリーン印刷法を用いて印刷するス
クリーン印刷工程と、予備加熱を行なうことにより、前
記スクリーン印刷工程で印刷された前記樹脂を半固化
し、前記樹脂の印刷形状を維持させる予備加熱工程と、
前記予備加熱工程の終了後、前記半導体チップの電極部
上に外部接続端子を形成する端子形成工程と、前記予備
加熱工程において半固化した前記樹脂を加熱し溶融する
ことにより、少なくとも前記半導体チップ上に樹脂充填
を行なう樹脂充填工程とを有することを特徴とするもの
である。

【００１３】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項４記載の半導体装置の製造方法において、前記スクリ
ーン印刷工程で用いるマスクを前記半導体チップに配設
する前に、前記マスクに形成されたマスクパターンに対
応したパターンを有すると共に弾性を有した緩衝フィル
ムを前記半導体チップ上に配設することを特徴とするも
のである。

【００１４】また、請求項６記載の発明では、回路形成
面に設けられた電極部に外部接続端子が形成された半導
体チップと、前記回路形成面に配設されており、前記半
導体チップを保護する膜状の樹脂とを具備する半導体装
置において、前記樹脂を、前記外部接続端子のみを露出
させた状態で前記回路形成面の全面に形成すると共に、
前記回路形成面の中央部分における前記樹脂の膜厚（ｔ
１）を、前記回路形成面の外周部分における前記樹脂の
膜厚（ｔ２）に比べて厚くなるよう（ｔ１＞ｔ２）構成
したことを特徴とするものである。

【００１５】また、請求項７記載の発明では、回路形成
面に設けられた電極部に外部接続端子が形成された半導
体チップと、前記回路形成面に配設されており、前記半
導体チップを保護する膜状の樹脂とを具備する半導体装
置において、前記樹脂を半固化状態とすると共に、前記
回路形成面の前記電極を除く位置に配設したことを特徴
とするものである。

【００１６】更に、請求項８記載の発明では、前記請求
項６または７記載の半導体装置において、前記外部接続
端子を、スタッドバンプ，半田ボール，金ボール，或い
はＴＡＢ(Tape Automated Bonding)の内、いずれか一つ
により構成したことを特徴とするものである。

【００１７】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明に係る半導体装置の製造方法では、
先ず、スクリーン印刷工程を実施することにより、ウェ
ーハ上のスクライブライン及び電極部の形成位置を除き
半導体チップを保護する樹脂を形成する。この際、スク
リーン印刷法を用いてウェーハに樹脂を一括してスクリ
ーン印刷する。

【００１８】スクリーン印刷法では、印刷する樹脂の膜
厚は、用いるマスクの厚さによりコントロールすること
ができ、またウェーハの全面において印刷される樹脂の
膜厚を均一とすることができる。更に、ウェーハに形成
された複数の半導体チップに対し、配設位置を選定しつ
つ（即ち、スクライブライン及び電極部を除き）、樹脂
を一括的に配設することができる。よって、所望する膜
厚を有した樹脂を低コストでかつ効率良く形成すること
が可能となる。

【００１９】続いて、予備加熱工程を実施し、スクリー
ン印刷工程において印刷された樹脂に予備加熱を行なう
ことにより、この樹脂を半固化する。このように、樹脂
を半固化することにより、樹脂の印刷形状を維持させる
ことが可能となり（即ち、樹脂が流動することが抑制さ
れ）、予備加熱工程以降の各工程におけるウェーハの取
り扱いが容易となる。

【００２０】続いて実施される端子形成工程では、半導
体チップの電極部上に外部接続端子を形成する。この
際、予備加熱工程において樹脂の流動が抑制されている
ため、樹脂が流動して電極部を覆ってしまうようなこと
はなく、確実に電極部上に外部接続端子を形成すること
ができる。続いて実施される樹脂充填工程では、予備加
熱工程において半固化した樹脂を再加熱し溶融すること
により、少なくとも半導体チップ上に樹脂充填を行な
う。これにより、各半導体チップは樹脂により覆われ保
護された状態となる。

【００２１】また、再加熱により溶融した樹脂は流動性
を有した状態となるため、電極部及び外部接続端子の形
成位置にも流動し、外部接続端子の一部を露出させた状
態で電極部及び外部接続端子を封止する。これにより、
樹脂は電極部を含め半導体チップを保護した状態とな
る。スクライビング工程では、ウェーハをスクライブラ
イン位置においてスクライビングすることにより、個々
の半導体チップに分離する。この際、スクライブライン
位置には樹脂が配設されていないため、スクライビング
に用いるカッター（ブレード）に目詰まりが発生するこ
とを防止することができる。

【００２２】また、請求項２記載の発明によれば、予後
加熱工程を実施した後で、樹脂充填工程を実施する前に
スクライビング工程を実施することにより、不良半導体
チップをこの時点で除去することができるため、正常な
半導体チップにのみ樹脂充填工程を実施し、不良半導体
チップに対しては樹脂充填工程を実施しないため、製造
効率の向上を図ることができる。

【００２３】また、請求項３及び請求項５記載の発明に
よれば、スクリーン印刷工程で用いるマスクをウェーハ
或いは半導体チップに配設する前に、このマスクに形成
されたマスクパターンに対応したパターンを有すると共
に弾性を有した緩衝フィルムをウェーハ或いは半導体チ
ップ上に配設することにより、スクリーン印刷工程の実
施時において半導体チップに印加される印圧を軽減する
ことができる。これにより、スクリーン印刷工程におい
て、半導体チップにダメージ（損傷）が発生することを
防止することができる。

【００２４】また、請求項４記載の発明に係る半導体装
置の製造方法によれば、スクリーン印刷工程を実施する
前にスクライビング工程を実施することにより、不良半
導体チップを樹脂を配設する前の時点で除去することが
できる。これにより、正常な半導体チップに対してのみ
樹脂の配設を行なうことができるため、材料歩留りの向
上を図ることができると共に、製造効率の向上を図るこ
とができる。

【００２５】また、請求項６記載の発明によれば、半導
体チップの回路形成面に配設される樹脂を、回路形成面
の全面に形成したことにより、この樹脂により半導体チ
ップの回路形成面の保護を図ることができる。また、回
路形成面の中央部分における樹脂の膜厚（ｔ１）は、回
路形成面の外周部分における樹脂の膜厚（ｔ２）に比べ
て厚くなるよう（ｔ１＞ｔ２）構成することにより、特
に外部からの影響を受けやすい回路形成面の中央部分に
おける樹脂の膜厚が厚いため、上記の影響（例えば、ス
トレス，水分，α線，汚染）が半導体チップに及ぶこと
を確実に防止することができる。

【００２６】また、回路形成面の外周部分、即ち外部接
続端子の形成部分においては樹脂の膜厚は薄いため、外
部接続端子を樹脂から確実に露出させることができ、実
装性を向上させることができる。また、請求項７記載の
発明によれば、半導体チップに設けられた半固化状態の
樹脂は、半導体装置を実装基板に実装する際に印加され
る熱で加熱溶融する。そして、加熱溶融した樹脂は電極
部及び外部接続端子の形成位置に流動し、外部接続端子
の一部を露出させた状態で電極部及び外部接続端子を封
止する。これにより、樹脂は電極部を含め半導体チップ
を保護した状態となる。

【００２７】また、実装時に印加される熱を利用して半
固化状態の樹脂を溶融するため、実装処理と同時に樹脂
充填処理を行なうことができ、半導体装置の製造効率を
向上させることができる。更に、請求項８記載の発明の
ように、外部接続端子は、スタッドバンプ，半田ボー
ル，金ボール，或いはＴＡＢ(Tape Automated Bonding)
の内、いずれを用いることが可能である。

【００２８】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の一実
施例である半導体装置１０を示している。図１は半導体
装置１０の側断面を示しており、また図２は半導体装置
１０が実装基板２２に実装された状態を示している。こ
の半導体装置１０は、大略すると半導体チップ１２，電
極部１４，スタッドバンプ１６，絶縁膜１８，及び樹脂
膜２０等により構成されている。

【００２９】半導体チップ１２はいわゆるベアチップで
あり、図１における上面である回路形成面２６には複数
の電極部１４が形成されている。また、回路形成面２６
には、例えば窒化膜等の絶縁膜１８が形成されており、
電極部１４の形成位置を除き回路形成面２６を電気的に
絶縁している。また、電極部１４の上部には外部接続端
子として機能するスタッドバンプ１６が形成されてい
る。このスタッドバンプ１６は、ワイヤボンディング技
術を利用して、電極部１４上に立設形成されている。本
実施例では、電極部１４の材質としてアルミニウムが選
定されており、またスタッドバンプ１６の材質としては
金（Ａｕ）が選定されている。これにより、スタッドバ
ンプ１６を直接電極部１４上にボンディングすることが
できる。

【００３０】また、半導体チップ１２の回路形成面２６
上には、樹脂膜２０が配設されている。この樹脂膜２０
の材質は、例えばポリイミド樹脂，エポキシ樹脂，或い
はシリコーン樹脂等の熱硬化性或いは熱可塑性を有した
絶縁樹脂が選定されている。また、樹脂膜２０の膜厚
は、例えば２０〜５０μｍ程度の比較的厚い寸法に形成
されている。

【００３１】このように、樹脂膜２０の膜厚を比較的厚
く設定した構成としたのは、半導体チップ１２を外部か
ら印加される種々の悪影響から保護するためである。即
ち、樹脂膜１２はストレス，水分，α線，塵埃等（悪影
響）から半導体チップ１２（特に、回路形成面２６）を
保護する機能を奏するものであるため、その厚さが大で
ある程保護機能が高くなる。よって、本実施例では樹脂
膜２０の厚ささを比較的厚く設定している。

【００３２】また、回路形成面２６の中央部分（図中、
矢印Ａで示す）における樹脂膜２０の膜厚ｔ１は、回路
形成面２６の外周部分（図中、矢印Ｂで示す）における
樹脂膜２０の膜厚ｔ２に比べて厚くなるよう（ｔ１＞ｔ
２）構成している。具体的には、、中央部分Ａの膜厚ｔ
１は２０〜１００μｍとされており、また外周部分Ｂの
膜厚ｔ２は１０〜５０μｍとされている。

【００３３】この構成とすることにより、特に外部から
の影響を受けやすい回路形成面２６の中央部分における
樹脂膜２０の膜厚が厚いため、上記したストレス，水
分，α線，汚染等による悪影響が半導体チップ１２に及
ぶことを確実に防止することができる。また、回路形成
面２６の外周部分、即ち外部接続端子となるスタッドバ
ンプ１６の形成部分においては樹脂膜２０の膜厚は薄い
ため、スタッドバンプ１６を樹脂膜２０から確実に露出
させることができ、半導体装置１０の実装性を向上させ
ることができる。

【００３４】図２は、上記構成とされた半導体装置１０
を実装基板２２に実装した状態を示してる。同図に示さ
れるように、半導体装置１０は実装基板２２にフリップ
チップ実装される。実装基板２２のスタッドバンプ１６
の形成位置に対応する位置にはランド２４が形成されて
いる。半導体装置１０を実装基板２２に実装する際、ス
タッドバンプ１６をランド２４に接合するために加熱処
理が行われるが、この加熱処理により樹脂膜２０は実装
基板２２に接合する。即ち、樹脂膜２０は半導体装置１
０と実装基板２２との間に介装された状態となる。

【００３５】このように、樹脂膜２０が半導体装置１０
と実装基板２２との間に介装されることにより、実装状
態において樹脂膜２０はアンダーフィルレジンと同等の
機能を奏することとなる。よって、半導体チップ１２と
実装基板２２の熱膨張差に起因し、スタッドバンプ１６
の接合位置に応力が印加されバンプ剥離が発生すること
を防止でき、実装信頼性の向上を図ることができる。

【００３６】続いて、上記構成とされた半導体装置１０
の製造方法について説明する。図３は、本発明の第１実
施例である半導体装置１０の製造方法を製造手順に沿っ
て説明するための図である。本実施例に係る製造方法
は、スクリーン印刷工程，予備加熱工程，端子形成工
程，樹脂充填工程，スクライビング工程を有している。
以下、各工程について説明する。

【００３７】図３（Ａ）は、ウェーハ３０を示してい
る。このウェーハ３０は、図示しない別工程において回
路形成面２６に回路形成されることにより、複数の半導
体チップ１２が形成されている。また、回路形成面２６
の所定位置には電極部１４が形成されると共に、この電
極形成部１４をのぞく位置には絶縁膜１４が形成されて
いる。

【００３８】電極部１４は、後述する端子形成工程にお
いてスタッドバンプ１６が形成されるものであり、本実
施例ではアルミニウム（Ａｌ）により形成されている。
また、絶縁膜１４は例えば窒化膜であり、回路形成面２
６を電気的に絶縁するカバー膜として機能するものであ
り、ウェーハ３０の最終形成工程において形成されるも
のである。

【００３９】このウェーハ３０には、先ずスクリーン印
刷工程が実施される。図３（Ｂ）は、スクリーン印刷工
程を実施している様子を示す図である。このスクリーン
印刷工程では、周知のスクリーン印刷装置を用い、先ず
ウェーハ３０上にマスク３２を位置決めして装着する。
この位置決めは、例えば画像認識を行なうことにより実
施する。

【００４０】マスク３０には、前記した電極部１４の形
成位置及びウェーハ３０を個々の半導体チップ１２に分
割する位置であるスクライブライン（図中、破線ＳＬで
示す位置）を除く位置に予め開口部が形成されている。
そして、マスク３０に液状樹脂２０Ａを装填した上で、
スキージ３４を図３（Ａ）に矢印で示す印刷方向に移動
させ、液状樹脂２０Ａをマスク３０を介してウェーハ３
０上に印刷する。この液状樹脂２０Ａは後に樹脂膜２０
となるものであり、例えばポリイミド樹脂，エポキシ樹
脂，シリコーン樹脂等の所定の粘度を有した熱硬化性或
いは熱可塑性樹脂が選定されている。

【００４１】また、スクリーン印刷で用いられるマスク
３２としては、メッシュ版またはメタル版が一般的であ
る。ところで、スクリーン印刷法では、マスク３２上で
スキージ３４を走査させることにより印刷を行なう方法
であるため、印圧がマスク３２を介して回路形成面２６
に印加されてしまう。よって、本実施例のように回路形
成面２６が非常に微弱であるウェーハ３０である場合に
は、この印圧印加により回路形成面２６にダメージを受
けることが懸念される。

【００４２】このダメージに対しては、上記したマスク
の種類の内、メッシユ版の方がメタル版に対して有利で
あることが知られている。しかるに、本発明者がメッシ
ユ版及びメタル版の双方のマスク３２を用いてウェーハ
３０に対し液状樹脂２０Ａのスクリーン印刷を行なった
ところ、マスクの種類によるダメージの影響は見られな
かった。よって、ウェーハ３０に対し液状樹脂２０Ａを
スクリーン印刷する際、マスク３２の種類はメッシユ版
及びメタル版の双方の使用が可能である。

【００４３】尚、本実施例において、メッシユ版のマス
ク３２を用いた時の印刷条件は、印刷スキージ押し込み
量０．１〜１．０ｍｍ，印刷スキージ速度５〜５０ｍｍ
／ｓｅｃ，クリアランス１．０〜５．０ｍｍとした。ま
た、メタル版のマスク３２を用いた時の印刷条件は、印
刷スキージ押し込み量０〜０．５ｍｍ，印刷スキージ速
度５〜３０ｍｍ／ｓｅｃ，クリアランス０〜１．０ｍｍ
とした。

【００４４】上記のように、スクリーン印刷工程を実施
することにより、ウェーハ３０上のスクライブラインＳ
Ｌ及び電極部１４の形成位置を除き液状樹脂２０Ａが印
刷される。この際、スクリーン印刷法では、ウェーハ３
０上における樹脂膜２０の配設位置に液状樹脂２０Ａを
一括的に配設できるため、効率良くまた低コストで液状
樹脂２０Ａの配設を行なうことができる。

【００４５】また、スクリーン印刷法では、印刷する液
状樹脂２０Ａの膜厚をマスク３２の厚さにより容易にコ
ントロールすることができ、また印刷される液状樹脂２
０Ａの膜厚をウェーハ３０の全面において容易に均一化
することができる。よって、半導体チップ１２を保護す
るため２０〜５０μｍと比較的厚い寸法を要する樹脂膜
２０（液状樹脂２０Ａ）であっても、スクリーン印刷法
を用いることにより容易に上記所定の膜厚を実現するこ
とができる。

【００４６】また、スクリーン印刷法は、従来用いられ
ていたスピンコート法のようにウェーハを回転させる必
要がないため、スピンコート法に比べて設備コストの低
減を図ることができ、よって成膜に要するコストを低減
することができる。更に、スクリーン印刷法は、従来用
いられていたポッティング法のように、液状樹脂２０Ａ
がウェーハ３０の全面に行き渡らないということもな
く、よって濡れ不足が発生するようなこともない。

【００４７】上記したスクリーン印刷工程が終了する
と、マスク３２をウェーハ３０から取り外すと共に、予
備加熱工程が実施される。図３（Ｃ）は、予備加熱工程
を説明するための図である。予備加熱工程では、スクリ
ーン印刷工程において印刷された液状樹脂２０Ａに予備
加熱を行なうことにより、この液状樹脂２０Ａを半固化
樹脂２０Ｂを形成する。前記したように、液状樹脂２０
Ａは所定の粘度を有するものの、そのままの状態では経
時的に流動して印刷形状から変形してしまう。

【００４８】このように液状樹脂２０Ａが流動すると、
電極部１４がこの液状樹脂２０Ａにより覆われてしま
い、後に実施される端子形成工程においてスタッドバン
プ１６を電極部１４上に形成するのが困難となってしま
う。しかるに、予備加熱工程を実施し液状樹脂２０Ａを
半固化樹脂２０Ｂとすることにより、印刷形状を維持さ
せることが可能となり（即ち、樹脂が流動することが抑
制され）、予備加熱工程以降の各工程におけるウェーハ
３０の取り扱いが容易となる。

【００４９】上記した予備加熱工程が終了すると、続い
て端子形成工程が実施される。図３（Ｄ）は、端子形成
工程を説明するための図である。この端子形成工程で
は、半導体チップ１２の電極部１４上に外部接続端子と
なるスタッドバンプ１６を形成する。本実施例では、ス
タッドバンプ１６を形成するのにワイヤボンディング技
術を利用している。よって、ワイヤボンディングに設け
られたキャピラリ（図示せず）を用いてワイヤを電極部
１４にボンディングし、続いてキャピラリを上動させて
ワイヤを引きちぎることにより、スタッドバンプ１６が
形成される。このように、ワイヤボンディング技術を用
いてスタッドバンプ１６を形成することにより、効率よ
くスタッドバンプ１６を形成することができる。

【００５０】尚、本実施例では、スタッドバンプ１６の
材質を金（Ａｕ）に選定すると共に、電極部１４の材質
をアルミニウムに選定している。また、前記のように予
備加熱工程を実施することにより、半固化樹脂２０Ｂは
印刷形状を維持し流動が抑制されているため、半固化樹
脂２０Ｂが電極部１４を覆ってしまうようなことはな
く、確実に電極部１４上にスタッドバンプ１６を形成す
ることができる。

【００５１】更に、上記したワイヤボンディング技術を
利用してスタッドバンプ１６を形成した場合には、スタ
ッドバンプ１６の高さにバラツキが発生することが考え
られるが、これはスタッドバンプ１６の頭頂部に対しレ
ベリング処理を行なうことにより解決することができ
る。上記した端子形成工程が終了すると、続いて樹脂充
填工程及びスクライビング工程が実施される。図３
（Ｅ）は、樹脂充填工程及びスクライビング工程を説明
するための図である。

【００５２】樹脂充填工程では、予備加熱工程において
半固化した半固化樹脂２０Ｂを再加熱することにより溶
融し、半導体チップ１２上に樹脂充填を行なう。これに
より、樹脂膜２０が形成され、ウェーハ３０のに形成さ
れた複数の各半導体チップ１２は樹脂膜２０により覆わ
れ保護された状態となる（尚、スクライブラインＳＬは
露出される）。

【００５３】また、再加熱により溶融した半固化樹脂２
０Ｂは流動性を有した状態となるため、電極部１４及び
スタッドバンプ１６の形成位置にも流動し、樹脂膜２０
はスタッドバンプ１６の上部所定部分を露出させた状態
で電極部１４及びスタッドバンプ１６を樹脂封止する。
これにより、樹脂膜２０は、電極部１４及びスタッドバ
ンプ１６の一部を含め半導体チップ１２の回路形成面２
６の全面を保護した状態となる。

【００５４】また、前記したように、スクリーン印刷工
程で液状樹脂２０Ａが形成される部位は電極部１２を除
いた位置であるため、樹脂充填工程で再加熱により溶融
した半固化樹脂２０Ｂは、電極部１２の形成位置に向け
流れることとなる。このため、形成される樹脂膜２０
は、回路形成面２６の中央部分における膜厚が、回路形
成面２６の外周部分（即ち、電極部１２の形成位置近
傍）における膜厚に比べて厚くなる。具体的には、図１
を用いて説明したように、回路形成面２６の中央部分Ａ
の膜厚ｔ１は２０〜１００μｍとなり、また外周部分Ｂ
の膜厚ｔ２は１０〜５０μｍとなる。

【００５５】上記した樹脂充填工程が終了すると、続い
てスクライビング工程が実施され、ウェーハ３０をスク
ライブラインＳＬに沿ってスクライビングする。これに
より、ウェーハ３０は個々の半導体チップ１２に分離す
る。この際、スクライブラインＳＬには樹脂膜２０が配
設されていないため、スクライビングに用いるカッター
（ブレード）に目詰まりが発生することを防止すること
ができる。

【００５６】次に、本発明の第２実施例である半導体装
置１０の製造方法について説明する。図４は、本発明の
第２実施例である半導体装置１０の製造方法を製造手順
に沿って説明するための図である。尚、図４において、
図３に示した構成と同一構成については、同一符号を付
してその説明を省略する。本実施例に係る半導体装置１
０の製造方法において、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すスク
リーン印刷工程，及び予備加熱工程は、前記した第１実
施例に係る製造方法と同一であるため、その説明を省略
する。

【００５７】本実施例に係る製造方法では、図４（Ｄ）
に示すように、予後加熱工程を実施した後で、樹脂充填
工程を実施する前（具体的には、端子形成工程を実施す
る直前）にスクライビング工程を実施することを特徴と
している。即ち、図４（Ｃ）に示されるように、予後加
熱工程を実施することにより半固化樹脂２０Ｂを形成す
ると、続いてスクライビング工程が実施され、ウェーハ
３０は個々の半導体チップ１２に分離される。

【００５８】上記のようにスクライビング工程において
分離された半導体チップ１２は、図４（Ｅ）に示される
ようにチップトレー３６に形成された装着部３８内に装
着されるが、このチップトレー３６への装着前におい
て、各半導体チップ１２に対して例えば外観テスト，電
気的動作テスト等の試験が行なわれる。そして、不良と
なった半導体チップ（不良半導体チップ）に関しては除
去処理が行なわれる。よって、チップトレー３６に装着
される半導体チップ１２は良品のみとなる。

【００５９】従って、続いて実施される端子形成工程及
び樹脂充填工程では、良品である半導体チップ１２に対
してのみ各工程の処理が実施されることとなり、製造効
率及びするープットの向上を図ることができる。また、
端子形成工程以降は、半導体チップ１２はチップトレー
３６に装着された状態で各工程が実施されるため、個々
の半導体チップ１２に分離してもその後の取り扱いが面
倒となるようなことはない。また、チップトレー３６に
装着した状態での出荷も可能である。

【００６０】更に、図４（Ｄ）に示される状態、即ち半
固化樹脂２０Ｂが形成された状態の半導体チップ１２を
製品として出荷することも可能である。この構成とされ
た半導体装置は、半固化状態の半固化樹脂２０Ｂが設け
られた状態で出荷されるため、樹脂膜２０を形成するた
めの半固化樹脂２０Ｂに対する加熱処理は、半導体装置
を実装基板に実装する際印加される熱により実施され
る。

【００６１】即ち、半導体装置を実装基板に実装する際
印加される熱により半固化樹脂２０Ｂは加熱溶融し、こ
の溶融した半固化樹脂２０Ｂは電極部１４及スタッドバ
ンプ１６の形成位置に流動し回路形成面２６（電極部１
４及びスタッドバンプ１６の一部を含む）を封止し樹脂
膜２０を形成する。これにより、樹脂膜２０は、半導体
チップ１２の回路形成面２６を保護した状態となる。

【００６２】また、実装時に印加される熱を利用して半
固化樹脂２０Ｂを溶融するため、実装処理と同時に樹脂
充填処理を行なうことができ、半導体装置の製造と製造
を含めた効率を向上させることができる。次に、本発明
の第３実施例である半導体装置１０の製造方法について
説明する。図５は、本発明の第３実施例である半導体装
置１０の製造方法を製造手順に沿って説明するための図
である。尚、図５において、図３に示した構成と同一構
成については、同一符号を付してその説明を省略する。

【００６３】本実施例に係る半導体装置１０の製造方法
は、スクリーン印刷工程を実施する前に、ウェーハ３０
に対しスクライビング工程を実施し、個々の半導体チッ
プ１２に分離しておくことを特徴とするものである。従
って、スクリーン印刷工程以降の各工程において、半導
体チップ１２はチップトレー３６に装着した状態で取り
扱われる。従って、スクリーン印刷工程を実施する前に
スクライビング工程を実施しても、その後の工程処理が
面倒となるようなことはない。

【００６４】上記のように、本実施例に係る半導体装置
の製造方法では、スクリーン印刷工程を実施する前にス
クライビング工程を実施するため、不良半導体チップを
樹脂を配設する前の時点（即ち、スクリーン印刷工程
前）で認識し除去することができる。これにより、正常
な半導体チップ１２に対してのみスクリーン印刷工程以
降の処理を行なうことができるため、不良半導体装置に
液状樹脂２０Ａが印刷されることを防止でき、材料歩留
りの向上を図ることができる。

【００６５】尚、スクリーン印刷工程以降の各工程で実
施される処理は、半導体チップ１２がチップトレー３６
に装着されていることを除き前記した第１実施例に係る
製造方法と同様であるため、その説明は省略する。続い
て、スクリーン印刷工程の各実施例について、図６乃至
図８を用いて説明する。尚、図６乃至図８において、図
３に示した構成と対応する構成については、同一符号を
付してその説明を省略する。

【００６６】図６は、一般に行なわれている１本のスキ
ージ３４のみを用いてスクリーン印刷を行なう時に発生
する問題点を説明するための図である。同図に示される
ように、１本のスキージ３４のみを用い、１回だけスキ
ージ３４を走査させててスクリーン印刷を行なう方法で
は、印刷される液状樹脂２０Ａの粘度が低いと、マスク
３２の開口内に装填される液状樹脂２０Ａの厚さにバラ
ツキが発生したり、またスキージ３４とマスク３２との
当接位置で液状樹脂２０Ａにローリング現状が発生す
る。

【００６７】このように、印刷される液状樹脂２０Ａの
厚さにバラツキが発生すると、各半導体チップ１２毎に
樹脂膜２０の厚さが異なり、製造される半導体装置１０
の信頼性が低下する。また、液状樹脂２０Ａにローリン
グ現状が発生すると、液状樹脂２０Ａ内にボイド４０が
発生し、加熱処理を実施する際にこのボイド４０が膨張
し、樹脂膜２０に亀裂が発生する等して半導体チップ１
２を確実に保護することができなくなってしまう。本発
明者の実験では、このボイド４０は、特に印刷された液
状樹脂２０Ａの表面近傍に多発する。

【００６８】図７及び図８は、上記の問題点を解決する
ためのスクリーン印刷方法を示している。図７に示すス
クリーン印刷方法は、スキージ３４に加えてローラ４２
を設け、このローラ４２をスキージ３４の配設位置に対
し走査方向前方に配設したことを特徴とするものであ
る。この方法では、スキージ３４がマスク３２上を走査
する前にローラ４２がマスク３２上を走査し、このロー
ラ４２により液状樹脂２０Ａはマスク３２の開口部内に
押圧された状態で充填される。この状態において、マス
ク３２に充填された液状樹脂２０Ａの上面にはある程度
のバラツキがあり、またボイド４０が発生している。

【００６９】しかるに、ローラ４２の走査後にスキージ
３４がマスク３２に充填された液状樹脂２０Ａをかき取
るため、液状樹脂２０Ａの上面を平坦化することがで
き、半導体チップ１２に形成される樹脂膜２０の均一化
を図ることができる。また、液状樹脂２０Ａの表面近傍
にボイド４０が発生したとしても、このボイド４０はス
キージ３４によりかき取られる。これにより、スクリー
ン印刷工程後に実施される加熱処理において、樹脂膜２
０に亀裂等が発生することを防止することができ、半導
体装置１０の信頼性を向上させることができる。

【００７０】また、図８に示すスクリーン印刷方法は、
スキージ３４に加えて更にもう１本のスキージ４４を設
けたことを特徴とするものである。このスキージ４４
は、スキージ３４の配設位置に対し走査方向前方に配設
されている。この方法では、スキージ３４がマスク３２
上を走査する前にスキージ４４がマスク３２上を走査す
るため、図７を用いて説明したスクリーン印刷方法と同
様に、液状樹脂２０Ａの上面を平坦化することができ半
導体チップ１２に形成される樹脂膜２０の均一化を図る
ことができると共に、樹脂膜２０にボイド４０に起因し
て亀裂等が発生することを防止することができ、半導体
装置１０の信頼性を向上させることができる。

【００７１】続いて、スクリーン印刷工程で用いるマス
ク３２の実施例について、図９乃至図１１を用いて説明
する。尚、図９乃至図１１において、図３に示した構成
と対応する構成については、同一符号を付してその説明
を省略する。図９は、一般なマスク３２を用いてスクリ
ーン印刷を行なう時に発生する問題点を説明するための
図である。図９（Ａ）に示されるように、スクリーン印
刷を行なう場合、マスク３２には開口部２１が形成され
ており、一般的には開口部２１はマスク３２を貫通する
孔とされていた。

【００７２】しかるに、この構成のマスク３２では、ス
クリーン印刷を行ないマスク３２をウェーハ３０から取
り外した際、図９（Ｂ）に示すように、液状樹脂２０Ａ
の一部がマスク３２の開口部２１近傍に回り込んで付着
する現象が発生する（これを付着樹脂４６という）。こ
のように、マスク３２に付着樹脂４６が付着すると、次
回のスクリーン印刷時に付着樹脂４６がウェーハ３０に
付着し、適正な液状樹脂２０Ａの印刷処理ができなくな
ってしまう。また、これを防止するには、マスク３２に
付着した液状樹脂２０Ａを洗浄する処理が必要となり、
半導体装置１０の製造工程が複雑化してしまう。

【００７３】図１０及び図１１は、上記の問題点を解決
するためのマスク３２Ａ，３２Ｂを示している。図１０
に示すマスク３２Ａは、マスク３２Ａの開口部２１近傍
でウェーハ３０と対向する位置に、段差部４８を形成し
たことを特徴とするものである。このように、段差部４
８を形成することにより、ウェーハ３０と対向する開口
部２１の面積を広くすることができ、印刷時にマスク３
２に回り込もうとする液状樹脂２０Ａを段差部４８に逃
がすことができる（図１０（Ｂ）に示す）。

【００７４】よって、次回のスクリーン印刷時に段差部
４８内の液状樹脂２０Ａが直接ウェーハ３０と接触し付
着することを防止でき、よって適正な液状樹脂２０Ａの
印刷処理を行なうことが可能となる。また、マスク３２
に付着した液状樹脂２０Ａに対する洗浄処理の頻度を長
くすることができ、洗浄処理の回数低減を図ることがで
きる。

【００７５】一方、図１１に示すマスク３２Ｂは、マス
ク３２Ａの開口部２１近傍でウェーハ３０と対向する位
置に段差部を形成すると共に、この段差部に弾性部材５
０を配設したことを特徴とするものである。この弾性部
材５０は、液状樹脂２０Ａが付着し難くかつ弾性変形可
能な、例えばシリコーンゴムにより形成されている。こ
のように、マスク３２Ａの開口部２１近傍に弾性部材５
０を設けることにより、スキージ３４により印圧が印加
された際、マスク３２Ａと共に弾性部材５０は図１１
（Ａ）に示されるように湾曲形成し、弾性部材５０はウ
ェーハ３０に密着した状態となる。

【００７６】従って、ウェーハ３０とマスク３２Ａとの
間に間隙は存在しない状態となり、よって液状樹脂２０
Ａがマスク３２に回り込むことを防止することができ
る。更に、上記したように弾性部材５０は、液状樹脂２
０Ａが付着し難い材質に選定されている。従って、液状
樹脂２０Ａが弾性部材５０に付着することはなく、既定
量の液状樹脂２０Ａをウェーハ３０に確実に印刷するこ
とができる。

【００７７】続いて、スクリーン印刷工程において、マ
スク３２に加え緩衝フィルム５２を用いた実施例につい
て、図１２を用いて説明する。尚、図１２において、図
３に示した構成と対応する構成については、同一符号を
付してその説明を省略する。上記した各実施例における
スクリーン印刷工程では、ウェーハ３０上に直接マスク
３２を装着してスクリーン印刷を行なう構成としてい
た。この構成では、スキージ３４を走査させる際に印圧
が直接的にウェーハ３０に印加され、回路形成面２６に
ダメージを与えるおそれがある。また、ウェーハ３０上
に直接マスク３２を装着する構成では、ウェーハ３０と
マスク３２との間に間隙が発生し（電極部１４の突出等
に起因する）、印刷時に液状樹脂２０Ａがマスク３２の
裏側に回り込むおそれがある。

【００７８】上記の問題点を解決するため、本実施例で
は図１２（Ａ）に示されるように、先ずウェーハ３０上
に緩衝フィルム５２を装着する。この緩衝フィルム５２
は弾性を有した樹脂フィルムであり、マスク３２に形成
された印刷パターンと略同一のパターンが形成されてい
る。従って、ウェーハ３０上に緩衝フィルム５２を装着
することにより、スクライブラインＳＬ及び電極部１４
は緩衝フィルム５２に覆われた状態となる。

【００７９】緩衝フィルム５２の装着が終了すると、続
いて図１２（Ｂ）に示すように、緩衝フィルム５２が装
着されたウェーハ３０上にマスク３２が装着される。こ
の状態におて、緩衝フィルム５２とマスク３２は重ね合
わされた状態となる。続いて、図１２（Ｃ）に示すよう
に、スキージ３４を用いて液状樹脂２０Ａをウェーハ３
０上にスクリーン印刷する。この際、緩衝フィルム５２
は弾性を有しているため、スキージ３２の走査により印
加される印圧を弾性変形することにより吸収し、ウェー
ハ３０に印加されることを防止することができる。よっ
て、スクリーン印刷時にウェーハ３０にダメージ（損
傷）が発生することを防止することができる。

【００８０】また、スキージ３２の走査により印加され
る印圧により、スクリーン印刷時に緩衝フィルム５２は
ウェーハ３０に密着した状態となる。即ち、マスク３２
とウェーハ３０との間に形成される間隙が緩衝フィルム
５２により埋められた状態となる。これにより、印刷時
に液状樹脂２０Ａがマスク３２の裏側に回り込むことを
防止でき、図１２（Ｄ）に示されるように、マスク３２
をウェーハ３０から取り外した状態において、液状樹脂
２０Ａがマスク３２に付着することを確実に防止するこ
とができる。

【００８１】続いて、端子形成工程において電極部１４
上に形成される外部接続端子の実施例について、図１３
乃至図１６を用いて説明する。図１３に示す半導体装置
１０は、前記した各実施例と同様に、電極１４上にスタ
ッドバンプ１６を形成し、これを外部接続端子として用
いたものである。前記したように、電極部１４の材質と
してアルミニウムを用いると共に、スタッドバンプ１６
の材質として金（Ａｕ）を用いることにより、スタッド
バンプ１６を電極１４上に直接形成することができる。

【００８２】また、図１４に示す半導体装置１０Ａは、
半田ボール５４を外部接続端子として用いたものであ
る。この半田ボール５４は、たとえば転写法等を用いて
電極１４に接合される。しかるに、電極部１４の材質が
アルミニウムである場合、半田ボール５４を直接電極部
１４に接合することが困難であるため、バリアメタル６
１を電極部１４上に形成する必要がある。

【００８３】また、図１５に示す半導体装置１０Ｂは、
金（Ａｕ）ボール５６を外部接続端子として用いたもの
である。この構成では、電極部１４の材質がアルミニウ
ムであっても、直接金ボール５６を電極部１４に接合す
ることができ、バリアメタルを必要とすることはない。
更に、図１６に示す半導体装置１０Ｃは、ＴＡＢテープ
６０を外部接続端子として用いたものである。半導体チ
ップ１２は、電極１４に形成されたバンプ５８を介して
ＴＡＢテープ６０に接合されている。上記したように、
外部接続端子は種々の構造のものを適用することが可能
である。

【００８４】

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、スクリーン印刷法を用いることにより、印
刷する樹脂の膜厚は、マスクの厚さによりコントロール
することができ、また印刷される樹脂の膜厚を均一とす
ることができ、また複数の半導体チップに対して樹脂を
一括的に配設することができるため、所望する膜厚を有
した樹脂を低コストでかつ効率良く形成することが可能
となる。

【００８５】また、請求項２記載の発明によれば、樹脂
充填工程を実施する前に不良半導体チップを除去するこ
とができるため、正常な半導体チップに対してのみ樹脂
充填工程を実施することができため、製造効率の向上を
図ることができる。また、請求項３及び請求項５記載の
発明によれば、緩衝フィルムによりスクリーン印刷工程
の実施時において半導体チップに印加される印圧を軽減
することができ、よって半導体チップにスクリーン印刷
に起因してダメージ（損傷）が発生することを防止する
ことができる。

【００８６】また、請求項４記載の発明に係る半導体装
置の製造方法によれば、正常な半導体チップに対しての
み樹脂の配設を行なうことができるため、材料歩留りの
向上を図ることができると共に、製造効率の向上を図る
ことができる。また、請求項６記載の発明によれば、半
導体チップの回路形成面に配設される樹脂を、外部接続
端子のみを露出させた状態で回路形成面の全面に形成し
たことにより、この樹脂により半導体チップの回路形成
面の保護を図ることができる。

【００８７】特に、外部からの影響を受けやすい回路形
成面の中央部分における樹脂の膜厚が厚いため、例え
ば、ストレス，水分，α線，汚染等の影響が半導体チッ
プに及ぶことを確実に防止することができる。また、回
路形成面の外周部分の外部接続端子形成部分における樹
脂の膜厚は薄いため、外部接続端子を樹脂から確実に露
出させることができ、実装性を向上させることができ
る。

【００８８】更に、請求項７記載の発明によれば、実装
時に印加される熱を利用して半固化状態の樹脂を溶融す
るため、実装処理と同時に樹脂充填処理を行なうことが
でき、半導体装置の製造効率を向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体装置を示す図で
ある。

【図２】本発明の一実施例である半導体装置の実装状態
を示す図である。

【図３】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である。

【図４】本発明の第２実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である。

【図５】本発明の第３実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である。

【図６】スクリーン印刷工程を説明するための図である
（その１）。

【図７】スクリーン印刷工程を説明するための図である
（その２）。

【図８】スクリーン印刷工程を説明するための図である
（その３）。

【図９】スクリーン印刷工程で用いるマスクの構成を説
明するための図である（その１）。

【図１０】スクリーン印刷工程で用いるマスクの構成を
説明するための図である（その１）。

【図１１】スクリーン印刷工程で用いるマスクの構成を
説明するための図である（その１）。

【図１２】緩衝フィルムを用いたスクリーン印刷工程を
説明するための図である。

【図１３】外部接続端子としてスタッドバンプを用いた
半導体装置を示す図である。

【図１４】外部接続端子として半田ボールを用いた半導
体装置を示す図である。

【図１５】外部接続端子として金ボールを用いた半導体
装置を示す図である。

【図１６】外部接続端子としてＴＡＢを用いた半導体装
置を示す図である。

【符号の説明】

１０，１０Ａ〜１０Ｃ 半導体装置 １２ 半導体チップ １４ 電極部 １６ スタッドバンプ １８ カバー膜 ２０ 樹脂膜 ２０Ａ 液状樹脂 ２０Ｂ 半固化樹脂 ２２ 実装基板 ２６ 回路形成面 ３０ ウェーハ ３２，３２Ａ，３２Ｂ マスク ３４，４４ スキージ ３６ チップトレー ４０ ボイド ４２ ローラ ４８ 段差部 ５０ 弾性部材 ５２ 緩衝フィルム ５４ 半田ボール ５６ 金ボール ６０ ＴＡＢテープ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 光孝 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 浜野 寿夫 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 関 正明 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 藤沢 哲也 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 脇 政樹 鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地 株式 会社九州富士通エレクトロニクス内 (72)発明者 林田 勝大 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スクライブラインにより画成されると共
   に夫々電極部を有する複数の半導体チップが形成された
   ウェーハ上に、前記スクライブライン及び電極部を除き
   前記半導体チップを保護する樹脂を一括してスクリーン
   印刷法を用いて印刷するスクリーン印刷工程と、 予備加熱を行なうことにより、前記スクリーン印刷工程
   で印刷された前記樹脂を半固化し、前記樹脂の印刷形状
   を維持させる予備加熱工程と、 前記予備加熱工程の終了後、前記半導体チップの電極部
   上に外部接続端子を形成する端子形成工程と、 前記予備加熱工程において半固化した前記樹脂を加熱し
   溶融することにより、少なくとも前記半導体チップ上に
   樹脂充填を行なう樹脂充填工程と、 前記ウェーハを前記スクライブライン位置においてスク
   ライビングすることにより、個々の半導体チップに分離
   するスクライビング工程とを有することを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記スクライビング工程を、前記予後加熱工程を実施し
   た後で、前記樹脂充填工程を実施する前に実施すること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
   造方法において、 前記スクリーン印刷工程で用いるマスクを前記ウェーハ
   に配設する前に、前記マスクに形成されたマスクパター
   ンに対応したパターンを有すると共に弾性を有した緩衝
   フィルムを前記ウェーハ上に配設することを特徴とする
   半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 スクライブラインにより画成されると共
   に夫々電極部を有する複数の半導体チップが形成された
   ウェーハを、前記スクライブライン位置においてスクラ
   イビングすることにより、前記半導体チップを分離する
   スクライビング工程と前記スクライビング工程で分離さ
   れた複数の半導体チップをチップトレーに装着すること
   により位置決めし、該位置決めされた前記半導体チップ
   上に、前記電極部を除き前記半導体チップを保護する樹
   脂を一括してスクリーン印刷法を用いて印刷するスクリ
   ーン印刷工程と、 予備加熱を行なうことにより、前記スクリーン印刷工程
   で印刷された前記樹脂を半固化し、前記樹脂の印刷形状
   を維持させる予備加熱工程と、 前記予備加熱工程の終了後、前記半導体チップの電極部
   上に外部接続端子を形成する端子形成工程と、 前記予備加熱工程において半固化した前記樹脂を加熱し
   溶融することにより、少なくとも前記半導体チップ上に
   樹脂充填を行なう樹脂充填工程とを有することを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記スクリーン印刷工程で用いるマスクを前記半導体チ
   ップに配設する前に、前記マスクに形成されたマスクパ
   ターンに対応したパターンを有すると共に弾性を有した
   緩衝フィルムを前記半導体チップ上に配設することを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 回路形成面に設けられた電極部部に外部
   接続端子が形成された半導体チップと、 前記回路形成面に配設されており、前記半導体チップを
   保護する膜状の樹脂とを具備する半導体装置において、 前記樹脂を、前記外部接続端子のみを露出させた状態で
   前記回路形成面の全面に形成すると共に、 前記回路形成面の中央部分における前記樹脂の膜厚（ｔ
   １）を、前記回路形成面の外周部分における前記樹脂の
   膜厚（ｔ２）に比べて厚くなるよう（ｔ１＞ｔ２）構成
   したことを特徴とする半導体装置。
7. 【請求項７】 回路形成面に設けられた電極部部に外部
   接続端子が形成された半導体チップと、 前記回路形成面に配設されており、前記半導体チップを
   保護する膜状の樹脂とを具備する半導体装置において、 前記樹脂を半固化状態とすると共に、前記回路形成面の
   前記電極部を除く位置に配設したことを特徴とする半導
   体装置。
8. 【請求項８】 請求項６または７記載の半導体装置にお
   いて、 前記外部接続端子を、スタッドバンプ，半田ボール，金
   ボール，或いはＴＡＢ(Tape Automated Bonding)の内、
   いずれか一つにより構成したことを特徴とする半導体装
   置。