JPH11111211A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPH11111211A JPH11111211A JP9274184A JP27418497A JPH11111211A JP H11111211 A JPH11111211 A JP H11111211A JP 9274184 A JP9274184 A JP 9274184A JP 27418497 A JP27418497 A JP 27418497A JP H11111211 A JPH11111211 A JP H11111211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic pole
- electrons
- sample
- inner magnetic
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２次電子の検出効率を高めると共に、反射電
子に基づく信号も検出できる走査電子顕微鏡を実現す
る。 【解決手段】 内側磁極８の開口１１付近には、検出器
１２の前面に印加された電圧に基づく電界が形成されて
いる。この電界により試料４から発生し対物レンズ３内
を上方に向かってきた２次電子は、検出器１２方向に曲
げられ、そして、２次電子検出器１２に入射して検出さ
れる。また、試料４への一次電子ビームの照射によって
発生した反射電子は、エネルギーが高いため、２次電子
検出器１２からの電界には捕捉されず、内側磁極８の内
側に向かって衝突する。この内側磁極８の内面には２次
電子発生効率の高い物質の膜１５が設けられており、反
射電子はこの膜１５に衝突して２次電子を発生させる。
この結果、反射電子に基づく多量の２次電子が発生し、
この２次電子は２次電子検出器１２の電界に拘束され、
２次電子検出器１２に向かって検出される。
子に基づく信号も検出できる走査電子顕微鏡を実現す
る。 【解決手段】 内側磁極８の開口１１付近には、検出器
１２の前面に印加された電圧に基づく電界が形成されて
いる。この電界により試料４から発生し対物レンズ３内
を上方に向かってきた２次電子は、検出器１２方向に曲
げられ、そして、２次電子検出器１２に入射して検出さ
れる。また、試料４への一次電子ビームの照射によって
発生した反射電子は、エネルギーが高いため、２次電子
検出器１２からの電界には捕捉されず、内側磁極８の内
側に向かって衝突する。この内側磁極８の内面には２次
電子発生効率の高い物質の膜１５が設けられており、反
射電子はこの膜１５に衝突して２次電子を発生させる。
この結果、反射電子に基づく多量の２次電子が発生し、
この２次電子は２次電子検出器１２の電界に拘束され、
２次電子検出器１２に向かって検出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料上に対物レン
ズの磁界が漏れるような対物レンズにより電子ビームを
集束し、試料から発生した２次電子を検出するようにし
た走査電子顕微鏡などの電子ビーム装置に関する。
ズの磁界が漏れるような対物レンズにより電子ビームを
集束し、試料から発生した２次電子を検出するようにし
た走査電子顕微鏡などの電子ビーム装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、走査電子顕微鏡においては、内側
の磁極と外側の磁極の下端面の下方に単一のレンズ磁場
を形成する対物レンズが用いられている。この場合、試
料はこのレンズ磁場の中に置くことにより、高分解能の
２次電子像の観察が可能となる。
の磁極と外側の磁極の下端面の下方に単一のレンズ磁場
を形成する対物レンズが用いられている。この場合、試
料はこのレンズ磁場の中に置くことにより、高分解能の
２次電子像の観察が可能となる。
【０００３】このような走査電子顕微鏡の一例を図１に
示す。図中１は電子銃である。電子銃１から発生した電
子ビームＥＢは、集束レンズ２と対物レンズ３によって
試料４上に細く集束される。また、電子ビームＥＢは、
偏向コイル５，６によって偏向され、試料４上の電子ビ
ームの照射位置は走査される。なお、図示していない
が、偏向コイル５，６には走査信号発生回路から２次元
走査信号が供給される。
示す。図中１は電子銃である。電子銃１から発生した電
子ビームＥＢは、集束レンズ２と対物レンズ３によって
試料４上に細く集束される。また、電子ビームＥＢは、
偏向コイル５，６によって偏向され、試料４上の電子ビ
ームの照射位置は走査される。なお、図示していない
が、偏向コイル５，６には走査信号発生回路から２次元
走査信号が供給される。
【０００４】対物レンズ３は、ヨーク７、内側磁極８、
外側磁極９、コイル１０より構成されており、内側磁極
８の下端面に近い位置に開口１１が穿たれている。内側
磁極８の開口１１部分の外側に、外側磁極９に２次電子
検出器１２が取り付けられている。
外側磁極９、コイル１０より構成されており、内側磁極
８の下端面に近い位置に開口１１が穿たれている。内側
磁極８の開口１１部分の外側に、外側磁極９に２次電子
検出器１２が取り付けられている。
【０００５】２次電子検出器１２はシンチレータと光電
子増倍管とを組み合わせた構造を有しており、円形状の
シンチレータの周囲部分にはリング状の電極が設けら
れ、その電極には２次電子を引き寄せる正の電圧が印加
される。この電圧値は数ｋＶから数１０ｋＶの範囲から
選択される。２次電子検出器１２の検出信号は、増幅器
１３によって増幅された後、電子ビームＥＢの走査と同
期した陰極線管１４に供給される。このような構成の動
作は次の通りである。
子増倍管とを組み合わせた構造を有しており、円形状の
シンチレータの周囲部分にはリング状の電極が設けら
れ、その電極には２次電子を引き寄せる正の電圧が印加
される。この電圧値は数ｋＶから数１０ｋＶの範囲から
選択される。２次電子検出器１２の検出信号は、増幅器
１３によって増幅された後、電子ビームＥＢの走査と同
期した陰極線管１４に供給される。このような構成の動
作は次の通りである。
【０００６】上記した構成で、２次電子像を観察する場
合、図示していない走査信号発生回路から所定の走査信
号が偏向コイル５，６に供給され、試料４上の任意の２
次元領域が電子ビームＥＢによってラスター走査され
る。
合、図示していない走査信号発生回路から所定の走査信
号が偏向コイル５，６に供給され、試料４上の任意の２
次元領域が電子ビームＥＢによってラスター走査され
る。
【０００７】ここで、対物レンズ３は内側磁極８と外側
磁極９の下端面より下方に単一のレンズ磁場が形成され
るように構成されており、このレンズ磁場の中に試料４
が配置されている。試料４への電子ビームの照射によっ
て発生した２次電子は、レンズ磁場により拘束されて上
方に向かう。
磁極９の下端面より下方に単一のレンズ磁場が形成され
るように構成されており、このレンズ磁場の中に試料４
が配置されている。試料４への電子ビームの照射によっ
て発生した２次電子は、レンズ磁場により拘束されて上
方に向かう。
【０００８】また、内側磁極８の開口１１付近には、検
出器１２の前面に印加された電圧に基づく電界が形成さ
れている。この電界により試料４から発生し対物レンズ
３内を上方に向かってきた２次電子は、検出器１２方向
に曲げられ、そして、２次電子検出器１２に入射して検
出される。
出器１２の前面に印加された電圧に基づく電界が形成さ
れている。この電界により試料４から発生し対物レンズ
３内を上方に向かってきた２次電子は、検出器１２方向
に曲げられ、そして、２次電子検出器１２に入射して検
出される。
【０００９】その検出信号は、増幅器１３を介して偏向
コイル５，６への走査信号と同期した陰極線管１４に供
給され、陰極線管１４には試料の任意の領域の２次電子
像が表示される。
コイル５，６への走査信号と同期した陰極線管１４に供
給され、陰極線管１４には試料の任意の領域の２次電子
像が表示される。
【００１０】さて、２次電子が通過する開口１１と２次
電子検出器１２の位置が対物レンズ３の下方にあるた
め、検出器が対物レンズ上方にある場合に比べ、内側磁
極８の下端面付近の検出器１２による電界は強いため、
２次電子は検出器１２方向に効率良く曲げられ、より多
くの２次電子が開口を通って検出器１２によって捕獲で
き、結果として高画質の２次電子像を得ることができ
る。
電子検出器１２の位置が対物レンズ３の下方にあるた
め、検出器が対物レンズ上方にある場合に比べ、内側磁
極８の下端面付近の検出器１２による電界は強いため、
２次電子は検出器１２方向に効率良く曲げられ、より多
くの２次電子が開口を通って検出器１２によって捕獲で
き、結果として高画質の２次電子像を得ることができ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】さて、上記した構成で
は、２次電子については高い検出効率が考慮されている
が、試料からの反射電子については考慮されていない。
その理由は、高分解能、高画質の２次電子像を得るため
には、反射電子信号は雑音となるので、反射電子を捕獲
する効率を上げる必要がないためである。
は、２次電子については高い検出効率が考慮されている
が、試料からの反射電子については考慮されていない。
その理由は、高分解能、高画質の２次電子像を得るため
には、反射電子信号は雑音となるので、反射電子を捕獲
する効率を上げる必要がないためである。
【００１２】この結果、上記構成では、エネルギーの高
い反射電子はほとんど２次電子検出器１２には検出され
ず、陰極線管１４上に表示される像は、反射電子の信号
が含まれていないものとなる。
い反射電子はほとんど２次電子検出器１２には検出され
ず、陰極線管１４上に表示される像は、反射電子の信号
が含まれていないものとなる。
【００１３】しかしながら、周知のように反射電子信号
は試料の凹凸の情報を多く含んでおり、一般の走査電子
顕微鏡（例えば、対物レンズの下部に２次電子検出器が
配置されている）では、２次電子検出器に反射電子も検
出されているため、試料の凹凸が強調された像となって
いる。
は試料の凹凸の情報を多く含んでおり、一般の走査電子
顕微鏡（例えば、対物レンズの下部に２次電子検出器が
配置されている）では、２次電子検出器に反射電子も検
出されているため、試料の凹凸が強調された像となって
いる。
【００１４】このように、図１に示した走査電子顕微鏡
で得られる２次電子像は、極端に試料の凹凸の情報がな
くなった画像となり、従来からの走査電子顕微鏡で得ら
れる２次電子像とはかなり異なった画像となっている。
で得られる２次電子像は、極端に試料の凹凸の情報がな
くなった画像となり、従来からの走査電子顕微鏡で得ら
れる２次電子像とはかなり異なった画像となっている。
【００１５】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、２次電子の検出効率を高めると共
に、反射電子に基づく信号も検出できる走査電子顕微鏡
を実現するにある。
もので、その目的は、２次電子の検出効率を高めると共
に、反射電子に基づく信号も検出できる走査電子顕微鏡
を実現するにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく走査
電子顕微鏡は、内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端
面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物
レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集
束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上
の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設
け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出
する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡にお
いて、内側磁極の内側に、２次電子発生効率の高い面を
設けたことを特徴としている。
電子顕微鏡は、内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端
面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物
レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集
束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上
の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設
け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出
する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡にお
いて、内側磁極の内側に、２次電子発生効率の高い面を
設けたことを特徴としている。
【００１７】第１の発明では、内側磁極の内側に、２次
電子発生効率の高い面を設け、反射電子をこの面に衝突
させ、２次電子を発生させて検出する。第２の発明で
は、第１の発明において、内側磁極の内面の少なくとも
一部を２次電子発生効率の高い面とした。
電子発生効率の高い面を設け、反射電子をこの面に衝突
させ、２次電子を発生させて検出する。第２の発明で
は、第１の発明において、内側磁極の内面の少なくとも
一部を２次電子発生効率の高い面とした。
【００１８】第３の発明では、第１および第２の発明に
おいて、２次電子発生効率の高い面を、重金属で形成し
た。第４の発明に基づく走査電子顕微鏡は、内側磁極と
外側磁極を有し、磁極の下端面より下方の試料面に漏れ
るレンズ磁場を形成する対物レンズを備え、この対物レ
ンズによって電子ビームを集束して試料に照射すると共
に、内側磁極の下端面より上の位置で該内側磁極に２次
電子を通過させる開口を設け、内側磁極の外側に該開口
を通過した２次電子を検出する検出器を設けるように構
成した走査電子顕微鏡において、内側磁極の内面の少な
くとも一部を２次電子発生効率の高い面とすると共に、
２次電子発生効率の高い面の内側にメッシュ状電極を設
け、メッシュ状電極に任意にマイナス電圧を印加できる
ように構成したことを特徴としている。
おいて、２次電子発生効率の高い面を、重金属で形成し
た。第４の発明に基づく走査電子顕微鏡は、内側磁極と
外側磁極を有し、磁極の下端面より下方の試料面に漏れ
るレンズ磁場を形成する対物レンズを備え、この対物レ
ンズによって電子ビームを集束して試料に照射すると共
に、内側磁極の下端面より上の位置で該内側磁極に２次
電子を通過させる開口を設け、内側磁極の外側に該開口
を通過した２次電子を検出する検出器を設けるように構
成した走査電子顕微鏡において、内側磁極の内面の少な
くとも一部を２次電子発生効率の高い面とすると共に、
２次電子発生効率の高い面の内側にメッシュ状電極を設
け、メッシュ状電極に任意にマイナス電圧を印加できる
ように構成したことを特徴としている。
【００１９】第４の発明では、内側磁極の内側に、２次
電子発生効率の高い面を設け、反射電子をこの面に衝突
させ、２次電子を発生させて検出すると共に、２次電子
発生効率の高い面の内側にメッシュ状電極を設け、メッ
シュ状電極に任意にマイナス電圧を印加できるように構
成し、反射電子成分を含んだ２次電子信号と、ほとんど
が試料からの２次電子信号の２種の信号を選択的に得
る。
電子発生効率の高い面を設け、反射電子をこの面に衝突
させ、２次電子を発生させて検出すると共に、２次電子
発生効率の高い面の内側にメッシュ状電極を設け、メッ
シュ状電極に任意にマイナス電圧を印加できるように構
成し、反射電子成分を含んだ２次電子信号と、ほとんど
が試料からの２次電子信号の２種の信号を選択的に得
る。
【００２０】
【実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形
態を詳細に説明する。図２は本発明に基づく走査電子顕
微鏡の要部を示しており、図１の装置と同一ないしは類
似の構成要素には同一番号を付し、その詳細な説明は省
略する。
態を詳細に説明する。図２は本発明に基づく走査電子顕
微鏡の要部を示しており、図１の装置と同一ないしは類
似の構成要素には同一番号を付し、その詳細な説明は省
略する。
【００２１】図２において、対物レンズ３は、図１と同
様にヨーク７、内側磁極８、外側磁極９、コイル１０よ
り構成されており、内側磁極８の下端面に近い位置に開
口１１が穿たれている。内側磁極８の開口１１部分の外
側に、外側磁極９に２次電子検出器１２が取り付けられ
ている。
様にヨーク７、内側磁極８、外側磁極９、コイル１０よ
り構成されており、内側磁極８の下端面に近い位置に開
口１１が穿たれている。内側磁極８の開口１１部分の外
側に、外側磁極９に２次電子検出器１２が取り付けられ
ている。
【００２２】内側磁極８の内面には、２次電子の発生効
率の高い物質、例えば、金などの重い元素で形成された
膜１５が設けられている。この膜１５は、メッキ、蒸着
あるいは貼り付けなどで形成されている。このような構
成の動作を次に説明する。
率の高い物質、例えば、金などの重い元素で形成された
膜１５が設けられている。この膜１５は、メッキ、蒸着
あるいは貼り付けなどで形成されている。このような構
成の動作を次に説明する。
【００２３】対物レンズ３は内側磁極８と外側磁極９の
下端面より下方に単一のレンズ磁場が形成されるように
構成されており、このレンズ磁場の中に試料４が配置さ
れている。試料４への電子ビームの照射によって発生し
た２次電子は、レンズ磁場により拘束されて上方に向か
う。
下端面より下方に単一のレンズ磁場が形成されるように
構成されており、このレンズ磁場の中に試料４が配置さ
れている。試料４への電子ビームの照射によって発生し
た２次電子は、レンズ磁場により拘束されて上方に向か
う。
【００２４】また、内側磁極８の開口１１付近には、検
出器１２の前面に印加された電圧に基づく電界が形成さ
れている。この電界により試料４から発生し対物レンズ
３内を上方に向かってきた２次電子は、検出器１２方向
に曲げられ、そして、２次電子検出器１２に入射して検
出される。検出器１２の出力信号は、図示していない陰
極線管に供給され、陰極線管に２次電子像が表示され
る。
出器１２の前面に印加された電圧に基づく電界が形成さ
れている。この電界により試料４から発生し対物レンズ
３内を上方に向かってきた２次電子は、検出器１２方向
に曲げられ、そして、２次電子検出器１２に入射して検
出される。検出器１２の出力信号は、図示していない陰
極線管に供給され、陰極線管に２次電子像が表示され
る。
【００２５】さて、試料４への一次電子ビームの照射に
よって２次電子以外に反射電子ｒｅも発生する。反射電
子ｒｅはエネルギーが高いため、２次電子検出器１２か
らの電界には捕捉されず、内側磁極８の内側に向かって
衝突する。
よって２次電子以外に反射電子ｒｅも発生する。反射電
子ｒｅはエネルギーが高いため、２次電子検出器１２か
らの電界には捕捉されず、内側磁極８の内側に向かって
衝突する。
【００２６】この内側磁極８の内面には２次電子発生効
率の高い物質の膜１５が設けられており、反射電子ｒｅ
はこの膜１５に衝突して２次電子ｓｅを発生させる。こ
の結果、反射電子に基づく多量の２次電子ｓｅが発生
し、この２次電子ｓｅは２次電子検出器１２の電界に拘
束され、２次電子検出器１２に向かって検出される。
率の高い物質の膜１５が設けられており、反射電子ｒｅ
はこの膜１５に衝突して２次電子ｓｅを発生させる。こ
の結果、反射電子に基づく多量の２次電子ｓｅが発生
し、この２次電子ｓｅは２次電子検出器１２の電界に拘
束され、２次電子検出器１２に向かって検出される。
【００２７】この結果、２次電子検出器１２の検出信号
に基づいて陰極線管に表示される像は、試料４からの２
次電子にプラスして、試料４からの反射電子ｒｅに起因
した２次電子ｓｅに基づいており、凹凸情報が適度に含
まれた一般の走査電子顕微鏡（例えば、対物レンズと試
料との間に２次電子検出器が配置され、反射電子も検出
するタイプ）で得られる２次電子像と同等の像が得られ
る。
に基づいて陰極線管に表示される像は、試料４からの２
次電子にプラスして、試料４からの反射電子ｒｅに起因
した２次電子ｓｅに基づいており、凹凸情報が適度に含
まれた一般の走査電子顕微鏡（例えば、対物レンズと試
料との間に２次電子検出器が配置され、反射電子も検出
するタイプ）で得られる２次電子像と同等の像が得られ
る。
【００２８】図３は本発明の他の実施の形態を示してお
り、図２の構成と同一部分には同一番号が付されてい
る。この実施の形態では、２次電子検出効率の高い物質
で形成された膜１５の内側に、膜１５に接近してメッシ
ュ状電極１６が設けられている。このメッシュ状電極１
６には、電源１７から適宜マイナスの電圧が印加される
ように構成されている。
り、図２の構成と同一部分には同一番号が付されてい
る。この実施の形態では、２次電子検出効率の高い物質
で形成された膜１５の内側に、膜１５に接近してメッシ
ュ状電極１６が設けられている。このメッシュ状電極１
６には、電源１７から適宜マイナスの電圧が印加される
ように構成されている。
【００２９】このような構成において、電源１７からメ
ッシュ状電極１６への電圧の印加を停止している場合に
は、図２の構成と同様に、２次電子検出器１２には試料
からの２次電子に加えて、膜１５への反射電子の衝突に
よって発生した２次電子が入射し検出される。
ッシュ状電極１６への電圧の印加を停止している場合に
は、図２の構成と同様に、２次電子検出器１２には試料
からの２次電子に加えて、膜１５への反射電子の衝突に
よって発生した２次電子が入射し検出される。
【００３０】ここで、電源１７からメッシュ状電極１６
にマイナスの電圧を印加すると、膜１５への反射電子の
衝突によって発生した２次電子は、メッシュ状電極１６
によってその内側に向かうことができず、２次電子検出
器１２には、試料４から直接発生した２次電子のみが入
射することになる。
にマイナスの電圧を印加すると、膜１５への反射電子の
衝突によって発生した２次電子は、メッシュ状電極１６
によってその内側に向かうことができず、２次電子検出
器１２には、試料４から直接発生した２次電子のみが入
射することになる。
【００３１】このように、図３の構成では、メッシュ状
電極１６への電圧の印加を停止したり、マイナスの電圧
を印加したりすることにより、任意に、凹凸情報が適度
に含まれた一般の走査電子顕微鏡で得られる２次電子像
と同種の像を得たり、試料４からの２次電子のみの高分
解能で高画質の像を得たりすることができる。
電極１６への電圧の印加を停止したり、マイナスの電圧
を印加したりすることにより、任意に、凹凸情報が適度
に含まれた一般の走査電子顕微鏡で得られる２次電子像
と同種の像を得たり、試料４からの２次電子のみの高分
解能で高画質の像を得たりすることができる。
【００３２】以上本発明の実施の形態を説明したが、本
発明は、図２，図３に示した形態に限定されない。例え
ば、２次電子発生効率の高い膜１５を内側磁極８の内面
全面に設けたが、内側磁極の内面の一部に膜を設けるよ
うにしても良い。また、２次電子発生効率の高い面を有
した部材を、対物レンズ内部に磁極とは独立に設けても
良い。
発明は、図２，図３に示した形態に限定されない。例え
ば、２次電子発生効率の高い膜１５を内側磁極８の内面
全面に設けたが、内側磁極の内面の一部に膜を設けるよ
うにしても良い。また、２次電子発生効率の高い面を有
した部材を、対物レンズ内部に磁極とは独立に設けても
良い。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明では、
内側磁極の内側に、２次電子発生効率の高い面を設け、
反射電子をこの面に衝突させ、２次電子を発生させて検
出するように構成したので、一般の走査電子顕微鏡像と
同種の試料の凹凸情報を含んだ像を観察することができ
る。
内側磁極の内側に、２次電子発生効率の高い面を設け、
反射電子をこの面に衝突させ、２次電子を発生させて検
出するように構成したので、一般の走査電子顕微鏡像と
同種の試料の凹凸情報を含んだ像を観察することができ
る。
【００３４】第２の発明では、第１の発明において、内
側磁極の内面の少なくとも一部を２次電子発生効率の高
い面としたので、第１の発明と同様に、一般の走査電子
顕微鏡像と同種の試料の凹凸情報を含んだ像を観察する
ことができる。
側磁極の内面の少なくとも一部を２次電子発生効率の高
い面としたので、第１の発明と同様に、一般の走査電子
顕微鏡像と同種の試料の凹凸情報を含んだ像を観察する
ことができる。
【００３５】第３の発明では、第１および第２の発明に
おいて、２次電子発生効率の高い面を、重金属で形成し
たので、第１および第２の発明と同様に、一般の走査電
子顕微鏡像と同種の試料の凹凸情報を含んだ像を観察す
ることができる。
おいて、２次電子発生効率の高い面を、重金属で形成し
たので、第１および第２の発明と同様に、一般の走査電
子顕微鏡像と同種の試料の凹凸情報を含んだ像を観察す
ることができる。
【００３６】第４の発明では、内側磁極の内側に、２次
電子発生効率の高い面を設け、反射電子をこの面に衝突
させ、２次電子を発生させて検出すると共に、２次電子
発生効率の高い面の内側にメッシュ状電極を設け、メッ
シュ状電極に任意にマイナス電圧を印加できるように構
成したので、反射電子成分を含んだ２次電子信号と、ほ
とんどが試料からの２次電子信号の２種の信号を選択的
に得ることができ、一般の走査電子顕微鏡像と同種の試
料の凹凸情報を含んだ像と、試料からの２次電子に基づ
く高分解能で高画質の像とを任意に選択的に観察するこ
とができる。
電子発生効率の高い面を設け、反射電子をこの面に衝突
させ、２次電子を発生させて検出すると共に、２次電子
発生効率の高い面の内側にメッシュ状電極を設け、メッ
シュ状電極に任意にマイナス電圧を印加できるように構
成したので、反射電子成分を含んだ２次電子信号と、ほ
とんどが試料からの２次電子信号の２種の信号を選択的
に得ることができ、一般の走査電子顕微鏡像と同種の試
料の凹凸情報を含んだ像と、試料からの２次電子に基づ
く高分解能で高画質の像とを任意に選択的に観察するこ
とができる。
【図１】従来の走査電子顕微鏡を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態である走査電子顕微鏡の
要部を示す図である。
要部を示す図である。
【図３】本発明の他の実施の形態である走査電子顕微鏡
の要部を示す図である。
の要部を示す図である。
１ 電子銃 ２ 集束レンズ ３ 対物レンズ ４ 試料 ５，６ 偏向コイル ７ ヨーク ８ 内側磁極 ９ 外側磁極 １０ コイル １１ 開口 １２ ２次電子検出器 １３ 増幅器 １４ 陰極線管 １５ 膜 １６ メッシュ状電極 １７ 電源
Claims (4)
- 【請求項１】 内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端
面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物
レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集
束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上
の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設
け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出
する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡にお
いて、内側磁極の内側に、２次電子発生効率の高い面を
設けたことを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 【請求項２】 内側磁極の内面の少なくとも一部が２次
電子発生効率の高い面とされている請求項１記載の走査
電子顕微鏡。 - 【請求項３】 ２次電子発生効率の高い面は、重金属で
形成されている請求項１および２記載の走査電子顕微
鏡。 - 【請求項４】 内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端
面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物
レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集
束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上
の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設
け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出
する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡にお
いて、内側磁極の内面の少なくとも一部を２次電子発生
効率の高い面とすると共に、２次電子発生効率の高い面
の内側にメッシュ状電極を設け、メッシュ状電極に任意
にマイナス電圧を印加できるように構成した走査電子顕
微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274184A JPH11111211A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274184A JPH11111211A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111211A true JPH11111211A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17538217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9274184A Pending JPH11111211A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111211A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083563A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 走査型電子顕微鏡 |
| US6710340B2 (en) | 2001-04-25 | 2004-03-23 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope and method of detecting electrons therein |
| JP2014041734A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 複合荷電粒子線装置 |
| EP4117013A1 (en) * | 2021-07-08 | 2023-01-11 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope and objective lens |
-
1997
- 1997-10-07 JP JP9274184A patent/JPH11111211A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083563A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 走査型電子顕微鏡 |
| US6710340B2 (en) | 2001-04-25 | 2004-03-23 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope and method of detecting electrons therein |
| JP2014041734A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 複合荷電粒子線装置 |
| EP4117013A1 (en) * | 2021-07-08 | 2023-01-11 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope and objective lens |
| JP2023009854A (ja) * | 2021-07-08 | 2023-01-20 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡および対物レンズ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3081393B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| US6501077B1 (en) | Scanning electron microscope | |
| JP4732917B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡及び欠陥検出装置 | |
| JP2010055756A (ja) | 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置 | |
| JP2001511304A (ja) | 改善された２次電子検出のための磁界を用いた環境制御型ｓｅｍ | |
| US6025593A (en) | Scanning electron microscope | |
| JPH11111211A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP2012169091A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| JP2002324510A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP3432091B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH08138611A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPH0935679A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP2003151484A (ja) | 走査型荷電粒子ビーム装置 | |
| JP3244620B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP2010182596A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JP2001057172A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH09219170A (ja) | 走査型電子顕微鏡の２次電子検出装置 | |
| JPH0773841A (ja) | 走査電子顕微鏡と二次電子検出系 | |
| JPH06181041A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPS63274049A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| JP3101141B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
| JP2000156192A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP2009009949A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| JP3858370B2 (ja) | 検査装置 | |
| JPH07240168A (ja) | 走査電子顕微鏡 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030506 |