JP2001057172A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
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- JP2001057172A JP2001057172A JP11231225A JP23122599A JP2001057172A JP 2001057172 A JP2001057172 A JP 2001057172A JP 11231225 A JP11231225 A JP 11231225A JP 23122599 A JP23122599 A JP 23122599A JP 2001057172 A JP2001057172 A JP 2001057172A
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- secondary electrons
- magnetic pole
- objective lens
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セミインレンズ型対物レンズを用いて高い検
出効率で試料からの二次発生電子を検出することが可能
な走査電子顕微鏡を実現する。 【解決手段】 試料２に照射される電子ビームＥＢの加
速電圧は、４ｋＶとされており、試料２には電源１１よ
り−３ｋＶの電圧が印加されていることから、電子ビー
ムＥＢは試料の直前で減速され、１ｋＶのエネルギーで
試料２に照射される。試料２への電子ビームの照射によ
って発生した２次電子等の二次発生電子１４は、レンズ
磁場により拘束されて螺旋状に上方に向かう。そのとき
の２次電子１４のエネルギーは、全て試料２への印加電
圧以上となる。上昇した２次電子１４は、対物レンズ１
の磁場が小さくなったところから直線運動し、第１の反
射筒１２あるいは第２の反射筒１３に衝突し、反射筒１
２，１３から多量の２次電子１５を発生させる。内側磁
極６の開口９付近には、検出器１０の前面に印加された
電圧に基づく電界が形成されている。この電界により第
１と第２の反射筒１２，１３から発生した２次電子１５
は、検出器１０方向に向かい検出される。
出効率で試料からの二次発生電子を検出することが可能
な走査電子顕微鏡を実現する。 【解決手段】 試料２に照射される電子ビームＥＢの加
速電圧は、４ｋＶとされており、試料２には電源１１よ
り−３ｋＶの電圧が印加されていることから、電子ビー
ムＥＢは試料の直前で減速され、１ｋＶのエネルギーで
試料２に照射される。試料２への電子ビームの照射によ
って発生した２次電子等の二次発生電子１４は、レンズ
磁場により拘束されて螺旋状に上方に向かう。そのとき
の２次電子１４のエネルギーは、全て試料２への印加電
圧以上となる。上昇した２次電子１４は、対物レンズ１
の磁場が小さくなったところから直線運動し、第１の反
射筒１２あるいは第２の反射筒１３に衝突し、反射筒１
２，１３から多量の２次電子１５を発生させる。内側磁
極６の開口９付近には、検出器１０の前面に印加された
電圧に基づく電界が形成されている。この電界により第
１と第２の反射筒１２，１３から発生した２次電子１５
は、検出器１０方向に向かい検出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料上に対物レン
ズの磁界が漏れるような対物レンズにより電子ビームを
集束し、試料から発生した２次電子等を検出するように
した走査電子顕微鏡に関する。
ズの磁界が漏れるような対物レンズにより電子ビームを
集束し、試料から発生した２次電子等を検出するように
した走査電子顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡において、対物レンズの
形状は装置の分解能を決める重要な要因を占めている。
したがって、分解能を向上させるためには、対物レンズ
の収差係数を小さくしなければならない。そこで、試料
上の磁界を強くしたインレンズ型、あるいは、セミイン
レンズ型の対物レンズを採用することにより、収差係数
を例えば３ｍｍ以下としている。
形状は装置の分解能を決める重要な要因を占めている。
したがって、分解能を向上させるためには、対物レンズ
の収差係数を小さくしなければならない。そこで、試料
上の磁界を強くしたインレンズ型、あるいは、セミイン
レンズ型の対物レンズを採用することにより、収差係数
を例えば３ｍｍ以下としている。
【０００３】上記セミインレンズ型の対物レンズでは、
内側の磁極と外側の磁極の下端面の下方に単一のレンズ
磁場を形成するようにしている。この場合、試料はこの
レンズ磁場の中に置かれ、高分解能の２次電子像の観察
が可能となる。
内側の磁極と外側の磁極の下端面の下方に単一のレンズ
磁場を形成するようにしている。この場合、試料はこの
レンズ磁場の中に置かれ、高分解能の２次電子像の観察
が可能となる。
【０００４】更に、対物レンズの収差の影響を小さくす
るため、一次電子ビームのエネルギーを高くして対物レ
ンズ領域に導入し、試料直前で電子ビームを減速する方
法が実用化されている。この方法はリターディング法と
呼ばれており、低加速電圧において分解能を更に向上さ
せる効果を有する。
るため、一次電子ビームのエネルギーを高くして対物レ
ンズ領域に導入し、試料直前で電子ビームを減速する方
法が実用化されている。この方法はリターディング法と
呼ばれており、低加速電圧において分解能を更に向上さ
せる効果を有する。
【０００５】上記リターディング法において、２次電子
や反射電子の二次発生電子を検出する方式としては、対
物レンズおよび偏向コイル上方に配置された、電子ビー
ム通過口を有したシンチレータ又はマイクロチャンネル
プレートを使用する方式である。また、他の方式では、
電子ビーム通過口を有した反射板によって反射された２
次電子を検出するようにしている。
や反射電子の二次発生電子を検出する方式としては、対
物レンズおよび偏向コイル上方に配置された、電子ビー
ム通過口を有したシンチレータ又はマイクロチャンネル
プレートを使用する方式である。また、他の方式では、
電子ビーム通過口を有した反射板によって反射された２
次電子を検出するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したシンチレータ
を用いて２次電子を検出する場合、シンチレータを十分
に発光させるためには、２次電子を１０ｋＶ近傍のエネ
ルギーまで高めることが必要になる。また、２次電子を
偏向コイルの上方で検出する場合、二次発生電子のエネ
ルギーを同様に高くしないと、偏向コイルによって偏向
されてしまい、検出効率が低下してしまう。
を用いて２次電子を検出する場合、シンチレータを十分
に発光させるためには、２次電子を１０ｋＶ近傍のエネ
ルギーまで高めることが必要になる。また、２次電子を
偏向コイルの上方で検出する場合、二次発生電子のエネ
ルギーを同様に高くしないと、偏向コイルによって偏向
されてしまい、検出効率が低下してしまう。
【０００７】また、リターディング法を採用した場合、
二次発生電子のエネルギーは、ほぼ減速電圧と同等のエ
ネルギーを有して上昇するので、対物レンズ内でその二
次発生電子を検出することは比較的困難である。更に、
対物レンズと偏向コイルとの間で光軸近傍にシンチレー
タ又はマイクロチャンネルプレートや反射板を配置する
と、特に低倍像観察における電子ビームの偏向に支障を
来たす。すなわち、電子ビームを大きく偏向するとマイ
クロチャンネルプレートや反射板の電子通過口に電子ビ
ームが衝突してカットされ、低倍像観察ができなくな
る。
二次発生電子のエネルギーは、ほぼ減速電圧と同等のエ
ネルギーを有して上昇するので、対物レンズ内でその二
次発生電子を検出することは比較的困難である。更に、
対物レンズと偏向コイルとの間で光軸近傍にシンチレー
タ又はマイクロチャンネルプレートや反射板を配置する
と、特に低倍像観察における電子ビームの偏向に支障を
来たす。すなわち、電子ビームを大きく偏向するとマイ
クロチャンネルプレートや反射板の電子通過口に電子ビ
ームが衝突してカットされ、低倍像観察ができなくな
る。
【０００８】更にまた、リターディング法を使用する場
合、通常は対物レンズ下面近傍に減速電極を配置する場
合が多い。その理由は、試料に直接上記のような高電圧
（１０ｋＶ）を印加する場合、試料ステージの絶縁対策
等、高電圧設計が非常に困難となるためである。
合、通常は対物レンズ下面近傍に減速電極を配置する場
合が多い。その理由は、試料に直接上記のような高電圧
（１０ｋＶ）を印加する場合、試料ステージの絶縁対策
等、高電圧設計が非常に困難となるためである。
【０００９】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、セミインレンズ型対物レンズを用
いて高い検出効率で試料からの二次発生電子を検出する
ことが可能な走査電子顕微鏡を実現するにある。
もので、その目的は、セミインレンズ型対物レンズを用
いて高い検出効率で試料からの二次発生電子を検出する
ことが可能な走査電子顕微鏡を実現するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく走査
電子顕微鏡は、内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端
面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物
レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集
束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上
の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設
け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出
する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡にお
いて、試料に負の電圧を印加して試料面近傍に電子ビー
ムの減速電界を形成するように構成すると共に、対物レ
ンズ内に円筒状部材を設け、この円筒状部材の内側に、
２次電子発生効率の高い面を設けたことを特徴としてい
る。
電子顕微鏡は、内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端
面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物
レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集
束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上
の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設
け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出
する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡にお
いて、試料に負の電圧を印加して試料面近傍に電子ビー
ムの減速電界を形成するように構成すると共に、対物レ
ンズ内に円筒状部材を設け、この円筒状部材の内側に、
２次電子発生効率の高い面を設けたことを特徴としてい
る。
【００１１】第１の発明では、試料に負の電圧を印加し
て試料面近傍に電子ビームの減速電界を形成し、対物レ
ンズの収差係数の影響を小さくすると共に、対物レンズ
内に円筒状部材を設け、この円筒状部材の内側に、２次
電子発生効率の高い面を設け、試料からの二次発生電子
をこの面に衝突させ、この面からの２次電子を発生させ
て検出する。
て試料面近傍に電子ビームの減速電界を形成し、対物レ
ンズの収差係数の影響を小さくすると共に、対物レンズ
内に円筒状部材を設け、この円筒状部材の内側に、２次
電子発生効率の高い面を設け、試料からの二次発生電子
をこの面に衝突させ、この面からの２次電子を発生させ
て検出する。
【００１２】第２の発明では、第１の発明において、円
筒状部材の２次電子発生効率の高い面を、重い元素材料
で形成した。第３の発明では、第１の発明において、試
料に−３ｋＶ以下の電圧を印加した。
筒状部材の２次電子発生効率の高い面を、重い元素材料
で形成した。第３の発明では、第１の発明において、試
料に−３ｋＶ以下の電圧を印加した。
【００１３】第４の発明では、第１の発明において、円
筒状部材に負の電圧を印加した。
筒状部材に負の電圧を印加した。
【００１４】
【実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形
態を詳細に説明する。図１は本発明に基づく走査電子顕
微鏡の要部を示しており、図示していない電子銃から発
生した電子ビームＥＢは、集束レンズ（図示せず）と対
物レンズ１によって試料２上に細く集束される。
態を詳細に説明する。図１は本発明に基づく走査電子顕
微鏡の要部を示しており、図示していない電子銃から発
生した電子ビームＥＢは、集束レンズ（図示せず）と対
物レンズ１によって試料２上に細く集束される。
【００１５】また、電子ビームＥＢは、偏向コイル３，
４によって偏向され、試料２上の電子ビームの照射位置
は走査される。なお、図示していないが、偏向コイル
３，４には走査信号発生回路から２次元走査信号が供給
される。
４によって偏向され、試料２上の電子ビームの照射位置
は走査される。なお、図示していないが、偏向コイル
３，４には走査信号発生回路から２次元走査信号が供給
される。
【００１６】対物レンズ１は、ヨーク５、内側磁極６、
外側磁極７、コイル８より構成されており、内側磁極８
の下端面に近い位置に開口９が穿たれている。この開口
は、対物レンズの構造を軸対称とするために、２か所あ
るいは４か所設けられている。内側磁極６の開口９部分
の外側に、外側磁極７に対して２次電子検出器１０が取
り付けられている。
外側磁極７、コイル８より構成されており、内側磁極８
の下端面に近い位置に開口９が穿たれている。この開口
は、対物レンズの構造を軸対称とするために、２か所あ
るいは４か所設けられている。内側磁極６の開口９部分
の外側に、外側磁極７に対して２次電子検出器１０が取
り付けられている。
【００１７】２次電子検出器１０はシンチレータと光電
子増倍管とを組み合わせた構造を有しており、円形状の
シンチレータの周囲部分にはリング状の電極が設けら
れ、その電極には２次電子を引き寄せる正の電圧が印加
される。この電圧値は１０ｋＶ程度に設定されている。
２次電子検出器１０の検出信号は、図示していないが、
増幅器によって増幅された後、電子ビームＥＢの走査と
同期した陰極線管に供給される。
子増倍管とを組み合わせた構造を有しており、円形状の
シンチレータの周囲部分にはリング状の電極が設けら
れ、その電極には２次電子を引き寄せる正の電圧が印加
される。この電圧値は１０ｋＶ程度に設定されている。
２次電子検出器１０の検出信号は、図示していないが、
増幅器によって増幅された後、電子ビームＥＢの走査と
同期した陰極線管に供給される。
【００１８】試料２には電源１１が接続されており、電
源１１から試料２には電子ビームＥＢを減速させるため
の負の電圧が印加されている。対物レンズ１の内部に
は、円筒状の第１の反射筒１２と第２の反射筒１３とが
配置されている。第１と第２の反射筒１２，１３の内側
には、２次電子の発生効率が良好な材料、例えば重い元
素材料がコーティングされている。このような構成の動
作は次の通りである。
源１１から試料２には電子ビームＥＢを減速させるため
の負の電圧が印加されている。対物レンズ１の内部に
は、円筒状の第１の反射筒１２と第２の反射筒１３とが
配置されている。第１と第２の反射筒１２，１３の内側
には、２次電子の発生効率が良好な材料、例えば重い元
素材料がコーティングされている。このような構成の動
作は次の通りである。
【００１９】２次電子像を観察する場合、図示していな
い走査信号発生回路から所定の走査信号が偏向コイル
３，４に供給され、試料２上の任意の２次元領域が電子
ビームＥＢによってラスター走査される。
い走査信号発生回路から所定の走査信号が偏向コイル
３，４に供給され、試料２上の任意の２次元領域が電子
ビームＥＢによってラスター走査される。
【００２０】この試料２に照射される電子ビームＥＢの
加速電圧は、例えば４ｋＶとされており、比較的高いエ
ネルギーで対物レンズ１内部に導入される。試料２には
電源１１より例えば−３ｋＶの電圧が印加されているこ
とから、電子ビームＥＢは試料の直前で減速され、１ｋ
Ｖのエネルギーで試料２に照射される。
加速電圧は、例えば４ｋＶとされており、比較的高いエ
ネルギーで対物レンズ１内部に導入される。試料２には
電源１１より例えば−３ｋＶの電圧が印加されているこ
とから、電子ビームＥＢは試料の直前で減速され、１ｋ
Ｖのエネルギーで試料２に照射される。
【００２１】ここで、対物レンズ１は内側磁極６と外側
磁極７の下端面より下方に単一のレンズ磁場が形成され
るように構成されており、このレンズ磁場の中に試料２
が配置されている。試料２への電子ビームの照射によっ
て発生した２次電子等の二次発生電子１４は、レンズ磁
場により拘束されて螺旋状に上方に向かう。
磁極７の下端面より下方に単一のレンズ磁場が形成され
るように構成されており、このレンズ磁場の中に試料２
が配置されている。試料２への電子ビームの照射によっ
て発生した２次電子等の二次発生電子１４は、レンズ磁
場により拘束されて螺旋状に上方に向かう。
【００２２】そのときの２次電子１４のエネルギーは、
全て試料２への印加電圧以上となる。上昇した２次電子
１４は、対物レンズ１の磁場が小さくなったところから
直線運動し、第１の反射筒１２あるいは第２の反射筒１
３に衝突し、反射筒１２，１３から多量の２次電子１５
を発生させる。
全て試料２への印加電圧以上となる。上昇した２次電子
１４は、対物レンズ１の磁場が小さくなったところから
直線運動し、第１の反射筒１２あるいは第２の反射筒１
３に衝突し、反射筒１２，１３から多量の２次電子１５
を発生させる。
【００２３】ところで、内側磁極６の開口９付近には、
検出器１０の前面に印加された電圧に基づく電界が形成
されている。この電界により第１と第２の反射筒１２，
１３から発生した２次電子１５は、検出器１０方向に向
かい、そして、２次電子検出器１０のシナチレータに衝
突して発光させる。この発光はフォトマルチプライアー
によって検出される。
検出器１０の前面に印加された電圧に基づく電界が形成
されている。この電界により第１と第２の反射筒１２，
１３から発生した２次電子１５は、検出器１０方向に向
かい、そして、２次電子検出器１０のシナチレータに衝
突して発光させる。この発光はフォトマルチプライアー
によって検出される。
【００２４】フォトマルチプライアーの検出信号は、図
示していない増幅器を介して偏向コイル３，４への走査
信号と同期した陰極線管に供給され、陰極線管には試料
２の任意の領域の２次電子像が表示される。
示していない増幅器を介して偏向コイル３，４への走査
信号と同期した陰極線管に供給され、陰極線管には試料
２の任意の領域の２次電子像が表示される。
【００２５】なお、内側磁極３に穿たれた開口９付近に
は磁界が形成され、この磁界は２次電子に対して集束作
用を有することになる。そのため、開口９を通って２次
電子検出器１０に向かう２次電子は、集束されより効率
良く検出器に捕獲されることになる。
は磁界が形成され、この磁界は２次電子に対して集束作
用を有することになる。そのため、開口９を通って２次
電子検出器１０に向かう２次電子は、集束されより効率
良く検出器に捕獲されることになる。
【００２６】このように、図１の構成により、対物レン
ズ１の収差係数の影響を小さくした状態で二次発生電子
の検出効率を高くすることができるが、留意すべき点は
反射筒１２，１３の内径である。この内径が小さいと低
倍率像の観察時に電子ビームＥＢを大きく偏向した場
合、電子ビームが反射筒に衝突してしまう。そのため、
反射筒１２，１３の内径は、電子ビームＥＢの偏向範囲
に応じて決める必要がある。
ズ１の収差係数の影響を小さくした状態で二次発生電子
の検出効率を高くすることができるが、留意すべき点は
反射筒１２，１３の内径である。この内径が小さいと低
倍率像の観察時に電子ビームＥＢを大きく偏向した場
合、電子ビームが反射筒に衝突してしまう。そのため、
反射筒１２，１３の内径は、電子ビームＥＢの偏向範囲
に応じて決める必要がある。
【００２７】また、試料２への印加電圧は低い方が望ま
しい。その理由は試料ステージの高電圧絶縁の構造上の
配慮もあるが、それ以上に反射筒１２，１３に衝突する
２次電子のエネルギーを反射筒内面における２次電子発
生効率が高い状態とするためである。このような点を考
慮すると、試料２への印加電圧は−３ｋＶ以下が望まし
い。
しい。その理由は試料ステージの高電圧絶縁の構造上の
配慮もあるが、それ以上に反射筒１２，１３に衝突する
２次電子のエネルギーを反射筒内面における２次電子発
生効率が高い状態とするためである。このような点を考
慮すると、試料２への印加電圧は−３ｋＶ以下が望まし
い。
【００２８】以上本発明の実施の形態を説明したが、本
発明は、図１に示した形態に限定されない。例えば、反
射筒の内側に２次電子発生効率の高い材料をコーティン
グするようにしたが、反射筒自体を２次電子発生効率の
高い材料で形成しても良い。また、反射筒を第１と第２
の反射筒に分離したが、単一の反射筒とし、その反射筒
の２次電子検出器部分に開口を設けるようにしても良
い。更に、反射筒の２次電子発生効率をより一層アップ
させるため、反射筒に負の電圧を印加するように構成し
ても良い。
発明は、図１に示した形態に限定されない。例えば、反
射筒の内側に２次電子発生効率の高い材料をコーティン
グするようにしたが、反射筒自体を２次電子発生効率の
高い材料で形成しても良い。また、反射筒を第１と第２
の反射筒に分離したが、単一の反射筒とし、その反射筒
の２次電子検出器部分に開口を設けるようにしても良
い。更に、反射筒の２次電子発生効率をより一層アップ
させるため、反射筒に負の電圧を印加するように構成し
ても良い。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明では、
セミインレンズ型の対物レンズを用いた走査電子顕微鏡
において、試料に負の電圧を印加して試料面近傍に電子
ビームの減速電界を形成し、対物レンズの収差係数の影
響を小さくすると共に、対物レンズ内に円筒状部材を設
け、この円筒状部材の内側に、２次電子発生効率の高い
面を設け、試料からの二次発生電子をこの面に衝突さ
せ、この面からの２次電子を発生させて検出するように
したので、効率良く試料からの二次発生電子の検出を行
うことができる。
セミインレンズ型の対物レンズを用いた走査電子顕微鏡
において、試料に負の電圧を印加して試料面近傍に電子
ビームの減速電界を形成し、対物レンズの収差係数の影
響を小さくすると共に、対物レンズ内に円筒状部材を設
け、この円筒状部材の内側に、２次電子発生効率の高い
面を設け、試料からの二次発生電子をこの面に衝突さ
せ、この面からの２次電子を発生させて検出するように
したので、効率良く試料からの二次発生電子の検出を行
うことができる。
【００３０】また、対物レンズ内部や対物レンズ下面近
傍に減速電極を配置しないので、対物レンズの先端をコ
ニカルに形成することができ、より対物レンズの収差係
数の影響を小さくすることに効果が得られる。更に、円
筒状部材を配置したので、電子ビームの光軸近傍にシン
チレータやＭＣＰなどの２次電子検出器を配置する必要
がなく、低倍率像の観察時の電子ビームの大偏向時に電
子ビームがカットされることは防止できる。
傍に減速電極を配置しないので、対物レンズの先端をコ
ニカルに形成することができ、より対物レンズの収差係
数の影響を小さくすることに効果が得られる。更に、円
筒状部材を配置したので、電子ビームの光軸近傍にシン
チレータやＭＣＰなどの２次電子検出器を配置する必要
がなく、低倍率像の観察時の電子ビームの大偏向時に電
子ビームがカットされることは防止できる。
【００３１】第２の発明では、第１の発明において、円
筒状部材の２次電子発生効率の高い面を、重い元素材料
で形成したので、第１の発明と同様の効果が達成され
る。第３の発明では、第１の発明において、試料に−３
ｋＶ以下の電圧を印加したので、第１の発明と同様な効
果が得られると共に、円筒状部材における２次電子発生
効率のより高いエネルギーの電子を、試料から発生させ
ることができる。
筒状部材の２次電子発生効率の高い面を、重い元素材料
で形成したので、第１の発明と同様の効果が達成され
る。第３の発明では、第１の発明において、試料に−３
ｋＶ以下の電圧を印加したので、第１の発明と同様な効
果が得られると共に、円筒状部材における２次電子発生
効率のより高いエネルギーの電子を、試料から発生させ
ることができる。
【００３２】第４の発明では、第１の発明において、円
筒状部材に負の電圧を印加するように構成したので、円
筒状部材からの２次電子発生効率をより高めることがで
きる。
筒状部材に負の電圧を印加するように構成したので、円
筒状部材からの２次電子発生効率をより高めることがで
きる。
【図１】本発明の一実施の形態である走査電子顕微鏡の
要部を示す図である。
要部を示す図である。
１ 対物レンズ ２ 試料 ３，４ 偏向コイル ５ ヨーク ６ 内側磁極 ７ 外側磁極 ８ コイル ９ 開口 １０ ２次電子検出器 １１ 電源 １２，１３ 反射筒
Claims (4)
- 【請求項１】 内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端
面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物
レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集
束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上
の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設
け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出
する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡にお
いて、試料に負の電圧を印加して試料面近傍に電子ビー
ムの減速電界を形成するように構成すると共に、対物レ
ンズ内に円筒状部材を設け、この円筒状部材の内側に、
２次電子発生効率の高い面を設けたことを特徴とする走
査電子顕微鏡。 - 【請求項２】 ２次電子発生効率の高い面は、重い元素
材料で形成されている請求項１記載の走査電子顕微鏡。 - 【請求項３】 試料には−３ｋＶ以下の電圧が印加され
ている請求項１記載の走査電子顕微鏡。 - 【請求項４】 円筒状部材には負の電圧が印加されてい
る請求項１記載の走査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11231225A JP2001057172A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11231225A JP2001057172A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001057172A true JP2001057172A (ja) | 2001-02-27 |
Family
ID=16920291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11231225A Pending JP2001057172A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001057172A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005149733A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| JP2007059111A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| JP2008107335A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-05-08 | Horiba Ltd | カソードルミネッセンス測定装置及び電子顕微鏡 |
| JP2011249273A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| DE112021002456T5 (de) | 2020-09-25 | 2023-03-02 | Hitachi High-Tech Corporation | Elektronenmikroskop |
-
1999
- 1999-08-18 JP JP11231225A patent/JP2001057172A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005149733A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| JP2007059111A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| JP4721821B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2011-07-13 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡における信号検出方法 |
| JP2008107335A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-05-08 | Horiba Ltd | カソードルミネッセンス測定装置及び電子顕微鏡 |
| JP2011249273A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| DE112021002456T5 (de) | 2020-09-25 | 2023-03-02 | Hitachi High-Tech Corporation | Elektronenmikroskop |
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| Date | Code | Title | Description |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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