JPH11109322A - プラズマアドレス液晶表示装置および誘電体の製造方法 - Google Patents
プラズマアドレス液晶表示装置および誘電体の製造方法Info
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- JPH11109322A JPH11109322A JP27170497A JP27170497A JPH11109322A JP H11109322 A JPH11109322 A JP H11109322A JP 27170497 A JP27170497 A JP 27170497A JP 27170497 A JP27170497 A JP 27170497A JP H11109322 A JPH11109322 A JP H11109322A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 開口率を低下させることなく、充分な強度を
有する誘電体層を備えたＰＡＬＣおよび、その誘電体層
の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のプラズマアドレス液晶表示装置
は、第１の面と、第１の面に対向する第２の面と、第１
の面と第２の面との間に導体４２とを有し、基板２３と
複数の隔壁２４と第２の面と共に空間領域２６を形成す
る誘電体２５を備えている。空間領域２６が形成される
誘電体２５の第２の面に、導電性を有する第１領域４１
が形成される。第１領域４１が、第１の面と第２の面と
の間の導体４２と電気的に接続される。第１の面と第２
の面との間の導体４２が複数の隔壁２４のうちの１つの
上に位置する。
有する誘電体層を備えたＰＡＬＣおよび、その誘電体層
の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のプラズマアドレス液晶表示装置
は、第１の面と、第１の面に対向する第２の面と、第１
の面と第２の面との間に導体４２とを有し、基板２３と
複数の隔壁２４と第２の面と共に空間領域２６を形成す
る誘電体２５を備えている。空間領域２６が形成される
誘電体２５の第２の面に、導電性を有する第１領域４１
が形成される。第１領域４１が、第１の面と第２の面と
の間の導体４２と電気的に接続される。第１の面と第２
の面との間の導体４２が複数の隔壁２４のうちの１つの
上に位置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】フラット表示装置の構造およ
び、その製造方法に関し、特にプラズマアドレス液晶表
示装置の構造、その製造方法に関する。
び、その製造方法に関し、特にプラズマアドレス液晶表
示装置の構造、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマアドレス液晶表示装置
（ＰＡＬＣ）の構成を、図１８を用いて説明する。以
下、プラズマアドレス液晶表示装置を基本的にはＰＡＬ
Ｃと称する。
（ＰＡＬＣ）の構成を、図１８を用いて説明する。以
下、プラズマアドレス液晶表示装置を基本的にはＰＡＬ
Ｃと称する。
【０００３】図１８に示されるＰＡＬＣは、アノード電
極１２１と、カソード電極１２２と、プラズマ基板１２
３と、隔壁１２４と、誘電体層１２５と、液晶１３２
と、信号電極１３４と、基板１３６と、導電体１４２と
を備えている。
極１２１と、カソード電極１２２と、プラズマ基板１２
３と、隔壁１２４と、誘電体層１２５と、液晶１３２
と、信号電極１３４と、基板１３６と、導電体１４２と
を備えている。
【０００４】プラズマ基板側に設置されたバックライト
（図示されず）の光が、液晶の調光作用を受けることに
より、情報などがＰＡＬＣに表示される。このため、バ
ックライトと液晶との間に介在する誘電体層は、可視光
を良く透過しなければならない。また、プラズマ走査方
向のクロストーク等の問題を防止するために、誘起され
るプラズマチャネル行間は絶縁されていなければならな
い。それらの条件を満足する材質としてはガラスが最適
であった。
（図示されず）の光が、液晶の調光作用を受けることに
より、情報などがＰＡＬＣに表示される。このため、バ
ックライトと液晶との間に介在する誘電体層は、可視光
を良く透過しなければならない。また、プラズマ走査方
向のクロストーク等の問題を防止するために、誘起され
るプラズマチャネル行間は絶縁されていなければならな
い。それらの条件を満足する材質としてはガラスが最適
であった。
【０００５】特開平４−３１３７８８号公報は、図１８
に示されるＰＡＬＣを開示している。
に示されるＰＡＬＣを開示している。
【０００６】特開平４−３１３７８８号公報に示される
ＰＡＬＣは、画素と対応するように、導電体１４２を誘
電体層１２５に埋め込み、液晶１３２と接する、誘電体
層１２５の面に画素単位に透明電極のパターンを形成す
る。
ＰＡＬＣは、画素と対応するように、導電体１４２を誘
電体層１２５に埋め込み、液晶１３２と接する、誘電体
層１２５の面に画素単位に透明電極のパターンを形成す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】特開平４−３１３７８
８号公報に示されるＰＡＬＣには、下記１〜４に示す問
題点がある。
８号公報に示されるＰＡＬＣには、下記１〜４に示す問
題点がある。
【０００８】１．仮想電極の面安定性 プラズマ放電の時のプラズマ室内の電荷分布は、空間的
に不均一である。このため、誘電体層１２５の下面（室
内側）表面の電荷分布は不均一になる。同様に仮想電極
の電荷分布も面的に不安定になる。
に不均一である。このため、誘電体層１２５の下面（室
内側）表面の電荷分布は不均一になる。同様に仮想電極
の電荷分布も面的に不安定になる。
【０００９】２．開口率 誘電体層１２５に埋め込まれる導電体１４２の位置が、
画素に対応しているため、導電体１４２の断面積の分だ
け、画素の開口率が低下する。
画素に対応しているため、導電体１４２の断面積の分だ
け、画素の開口率が低下する。
【００１０】３．液晶に印加される電圧 液晶１３２に印加される電圧ＶLCは、プラズマ側の誘電
体層１２５を介して、アノード電極１２１とカラーフィ
ルタ部側の信号電極１３４との間に印加される電圧であ
る。液晶にかかる電圧ＶLCを容量結合モデルで表すと、
以下のようになる。
体層１２５を介して、アノード電極１２１とカラーフィ
ルタ部側の信号電極１３４との間に印加される電圧であ
る。液晶にかかる電圧ＶLCを容量結合モデルで表すと、
以下のようになる。
【００１１】 ＶLC＝Ｖ・εG・ｄLC／（εG・ｄLC＋εLC・ｄG） ただし、信号電圧をＶとし、液晶の誘電率をεLCとし、
厚みをｄLCとし、誘電体層の誘電率をεGとし、厚みを
ｄGとする。
厚みをｄLCとし、誘電体層の誘電率をεGとし、厚みを
ｄGとする。
【００１２】一般的な液晶の誘電率εLC＝６．７、その
液晶の厚みｄLC＝６μｍ、一般的な薄板ガラスの誘電率
εG＝５．８、その薄板ガラスの厚みｄG＝５０μｍを上
式に代入すると、液晶に印加される電圧ＶLC＝０．０９
４Ｖとなる。
液晶の厚みｄLC＝６μｍ、一般的な薄板ガラスの誘電率
εG＝５．８、その薄板ガラスの厚みｄG＝５０μｍを上
式に代入すると、液晶に印加される電圧ＶLC＝０．０９
４Ｖとなる。
【００１３】しかしながら、液晶に印加される電圧によ
って液晶の誘電率が変化するため、液晶に印加される電
圧ＶLCは０．０９４Ｖとはならない。
って液晶の誘電率が変化するため、液晶に印加される電
圧ＶLCは０．０９４Ｖとはならない。
【００１４】４．データドライバ 通常、液晶を駆動するためには、約５Ｖの電圧が必要で
ある。上記３に示されるモデルでは、信号電極に印加さ
れるデータ電圧として、５３Ｖの電圧が必要になる。こ
のため、ドライバの消費電力が大きくなる。また、その
ようなドライバを製造するためには、耐圧の高い半導体
プロセスが必要になる。
ある。上記３に示されるモデルでは、信号電極に印加さ
れるデータ電圧として、５３Ｖの電圧が必要になる。こ
のため、ドライバの消費電力が大きくなる。また、その
ようなドライバを製造するためには、耐圧の高い半導体
プロセスが必要になる。
【００１５】本発明は、上記問題点を鑑み、開口率を低
下させることなく、充分な強度を有する誘電体層を備え
たＰＡＬＣおよび、その誘電体層の製造方法を提供する
ことにある。
下させることなく、充分な強度を有する誘電体層を備え
たＰＡＬＣおよび、その誘電体層の製造方法を提供する
ことにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマアドレ
ス液晶表示装置は、基板と、前記基板の上に形成される
複数のアノード電極および複数のカソード電極と、前記
複数のカソード電極のうちの１つを隣接するカソード電
極と隔離するために、前記基板の上に形成される複数の
隔壁と、第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面
と、前記第１の面と前記第２の面との間の導体とを有
し、前記基板と前記複数の隔壁と前記第２の面と共に空
間領域を形成する誘電体と、を備え、前記空間領域が形
成される前記誘電体の前記第２の面に、導電性を有する
第１領域が形成され、前記第１領域が、前記第１の面と
前記第２の面との間の前記導体と電気的に接続され、前
記第１の面と前記第２の面との間の前記導体が前記複数
の隔壁のうちの１つの上に位置し、そのことにより上記
目的を達成する。
ス液晶表示装置は、基板と、前記基板の上に形成される
複数のアノード電極および複数のカソード電極と、前記
複数のカソード電極のうちの１つを隣接するカソード電
極と隔離するために、前記基板の上に形成される複数の
隔壁と、第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面
と、前記第１の面と前記第２の面との間の導体とを有
し、前記基板と前記複数の隔壁と前記第２の面と共に空
間領域を形成する誘電体と、を備え、前記空間領域が形
成される前記誘電体の前記第２の面に、導電性を有する
第１領域が形成され、前記第１領域が、前記第１の面と
前記第２の面との間の前記導体と電気的に接続され、前
記第１の面と前記第２の面との間の前記導体が前記複数
の隔壁のうちの１つの上に位置し、そのことにより上記
目的を達成する。
【００１７】前記誘電体の前記第１の面に、導電性を有
する第２領域が形成され、前記第２領域が前記導体と電
気的に接続されてもよい。
する第２領域が形成され、前記第２領域が前記導体と電
気的に接続されてもよい。
【００１８】本発明の他のプラズマアドレス液晶表示装
置は、基板と、前記基板の上に形成される複数のアノー
ド電極および複数のカソード電極と、前記複数のカソー
ド電極のうちの１つを隣接するカソード電極と隔離する
ために、前記基板の上に形成される複数の隔壁と、第１
の面と、前記第１の面に対向する第２の面と、前記第１
の面と前記第２の面との間の導体とを有し、前記基板と
前記複数の隔壁と前記第２の面と共に空間領域を形成す
る誘電体と、を備え、前記誘電体の前記第１の面に、導
電性を有する第１領域が形成され、前記第１領域が、前
記第１の面と前記第２の面との間の前記導体と電気的に
接続され、前記複数の隔壁の少なくとも１つが切り欠け
部を有し、前記第１の面と前記第２の面との間の前記導
体が前記切り欠け部の上に位置し、そのことにより上記
目的を達成する。
置は、基板と、前記基板の上に形成される複数のアノー
ド電極および複数のカソード電極と、前記複数のカソー
ド電極のうちの１つを隣接するカソード電極と隔離する
ために、前記基板の上に形成される複数の隔壁と、第１
の面と、前記第１の面に対向する第２の面と、前記第１
の面と前記第２の面との間の導体とを有し、前記基板と
前記複数の隔壁と前記第２の面と共に空間領域を形成す
る誘電体と、を備え、前記誘電体の前記第１の面に、導
電性を有する第１領域が形成され、前記第１領域が、前
記第１の面と前記第２の面との間の前記導体と電気的に
接続され、前記複数の隔壁の少なくとも１つが切り欠け
部を有し、前記第１の面と前記第２の面との間の前記導
体が前記切り欠け部の上に位置し、そのことにより上記
目的を達成する。
【００１９】前記切り欠け部は、前記複数の隔壁の所定
の部分をマスクし、サンドブラストにより削られてもよ
い。
の部分をマスクし、サンドブラストにより削られてもよ
い。
【００２０】前記プラズマアドレス液晶表示装置および
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置が、カ
ラーフィルタ基板と液晶層をさらに備え、前記液晶層が
前記誘電体と前記カラーフィルタ基板に挟まれてもよ
い。
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置が、カ
ラーフィルタ基板と液晶層をさらに備え、前記液晶層が
前記誘電体と前記カラーフィルタ基板に挟まれてもよ
い。
【００２１】前記プラズマアドレス液晶表示装置および
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置が、第
１および第２の偏光板をさらに備え、前記カラーフィル
タ基板および前記基板が前記第１および第２の偏光板に
より挟まれてもよい。
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置が、第
１および第２の偏光板をさらに備え、前記カラーフィル
タ基板および前記基板が前記第１および第２の偏光板に
より挟まれてもよい。
【００２２】前記プラズマアドレス液晶表示装置および
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置が、前
記第１の偏光板と前記カラーフィルタ基板の間、また
は、前記第２の偏光板と前記基板の間に位相差板が設置
されてもよい。
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置が、前
記第１の偏光板と前記カラーフィルタ基板の間、また
は、前記第２の偏光板と前記基板の間に位相差板が設置
されてもよい。
【００２３】前記プラズマアドレス液晶表示装置および
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置が、バ
ックライトをさらに備えてもよい。
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置が、バ
ックライトをさらに備えてもよい。
【００２４】前記プラズマアドレス液晶表示装置および
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置の誘電
体が、ガラス板をその溶融温度以上に熱する工程と、規
則的に並べられた複数の金属線を前記ガラス板の厚み方
向に貫通させる工程と、前記複数の金属線を切断する工
程と、前記ガラス板の表面を平滑にするために、前記ガ
ラス板の表面を研磨する工程とを包含する方法により製
造されてもよい。
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置の誘電
体が、ガラス板をその溶融温度以上に熱する工程と、規
則的に並べられた複数の金属線を前記ガラス板の厚み方
向に貫通させる工程と、前記複数の金属線を切断する工
程と、前記ガラス板の表面を平滑にするために、前記ガ
ラス板の表面を研磨する工程とを包含する方法により製
造されてもよい。
【００２５】前記プラズマアドレス液晶表示装置および
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置の誘電
体が、複数の金属粒子を規則的に並べる工程と、前記複
数の金属粒子間隙にガラス粉を充填する工程と、前記ガ
ラス粉をその溶融温度以上に熱し、圧力をかける工程と
を包含する方法により製造されてもよい。
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置の誘電
体が、複数の金属粒子を規則的に並べる工程と、前記複
数の金属粒子間隙にガラス粉を充填する工程と、前記ガ
ラス粉をその溶融温度以上に熱し、圧力をかける工程と
を包含する方法により製造されてもよい。
【００２６】前記プラズマアドレス液晶表示装置および
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置の誘電
体が、ガラス板をその溶融温度以上に熱する工程と、複
数の金属粒子を前記ガラス板にライン状に規則的に打ち
込む工程とを包含する方法により製造されてもよい。
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置の誘電
体が、ガラス板をその溶融温度以上に熱する工程と、複
数の金属粒子を前記ガラス板にライン状に規則的に打ち
込む工程とを包含する方法により製造されてもよい。
【００２７】前記プラズマアドレス液晶表示装置および
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置の誘電
体が、ガラス板をその溶融温度以上に熱する工程と、ラ
イン状の金属電極をガラス板の第１の面に設置する工程
と、ライン状の電極を、前記ガラス板の前記第１の面と
は対向する第２の面に設置する工程と、前記ガラス板の
厚み方向に前記金属のマイグレーションを起こさせるた
めに、前記金属電極にプラスの高電圧を印加する工程と
を包含する方法により製造されてもよい。
／または前記他のプラズマアドレス液晶表示装置の誘電
体が、ガラス板をその溶融温度以上に熱する工程と、ラ
イン状の金属電極をガラス板の第１の面に設置する工程
と、ライン状の電極を、前記ガラス板の前記第１の面と
は対向する第２の面に設置する工程と、前記ガラス板の
厚み方向に前記金属のマイグレーションを起こさせるた
めに、前記金属電極にプラスの高電圧を印加する工程と
を包含する方法により製造されてもよい。
【００２８】以下に作用を説明する。
【００２９】厚み方向に導電性を有し、それと直角方向
に導電性を有する領域と絶縁性を有する領域が規則的に
並んだ構造の板状または棒状の誘電体で、導電部は抵抗
値が低くなければならない。導電部の材料として通常透
光性のない金属材料が選ばれる。この導電部が隔壁に対
応するように位置され、画素に対応する透明電極に接続
される。つまり、この導電部が非開口部に配置される。
このため、開口率が低下しない。なお、誘電体として、
異方性導電性ガラスを使うことができる。プラズマアド
レス液晶表示装置が、反射型である場合は、画素部の電
極は、透明でなくともよい。
に導電性を有する領域と絶縁性を有する領域が規則的に
並んだ構造の板状または棒状の誘電体で、導電部は抵抗
値が低くなければならない。導電部の材料として通常透
光性のない金属材料が選ばれる。この導電部が隔壁に対
応するように位置され、画素に対応する透明電極に接続
される。つまり、この導電部が非開口部に配置される。
このため、開口率が低下しない。なお、誘電体として、
異方性導電性ガラスを使うことができる。プラズマアド
レス液晶表示装置が、反射型である場合は、画素部の電
極は、透明でなくともよい。
【００３０】誘電体の厚み方向の導電部をプラズマ室内
に露出するために隔壁の対応する部分に切り欠きが形成
されてもよい。
に露出するために隔壁の対応する部分に切り欠きが形成
されてもよい。
【００３１】さらに、厚み方向に導電性を有し、その方
向と直角な方向に導電性を有する領域と絶縁性を有する
領域を規則的に配置した構造の板状または棒状の誘電体
であり、その誘電体の両面に電極が導電性を有する領域
と対応してパターン化することもできる。このため、仮
想電極の電荷分布が均一になり、画素に対応する液晶に
面的に均一なデータ電圧が印加される。ＰＡＬＣの輝度
の不均一な分布が無くなり、コントラストが十分にでる
ようになる。
向と直角な方向に導電性を有する領域と絶縁性を有する
領域を規則的に配置した構造の板状または棒状の誘電体
であり、その誘電体の両面に電極が導電性を有する領域
と対応してパターン化することもできる。このため、仮
想電極の電荷分布が均一になり、画素に対応する液晶に
面的に均一なデータ電圧が印加される。ＰＡＬＣの輝度
の不均一な分布が無くなり、コントラストが十分にでる
ようになる。
【００３２】
【発明の実施の形態】図面を用いて本発明を説明する。
【００３３】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
実施形態におけるＰＡＬＣ１０の断面を示す図である。
ＰＡＬＣ１０は、プラズマスイッチ部２０とカラーフィ
ルタ部３０とを有する。図２は、図１のＰＡＬＣ１０の
プラズマスイッチ部２０の断面を示す図であり、図３
は、図２のプラズマスイッチ部２０の一部を上から見た
図である。プラズマスイッチ部２０は、アノード電極２
１と、カソード電極２２と、プラズマ基板２３と、隔壁
２４と、誘電体基板２５とを備えている。
実施形態におけるＰＡＬＣ１０の断面を示す図である。
ＰＡＬＣ１０は、プラズマスイッチ部２０とカラーフィ
ルタ部３０とを有する。図２は、図１のＰＡＬＣ１０の
プラズマスイッチ部２０の断面を示す図であり、図３
は、図２のプラズマスイッチ部２０の一部を上から見た
図である。プラズマスイッチ部２０は、アノード電極２
１と、カソード電極２２と、プラズマ基板２３と、隔壁
２４と、誘電体基板２５とを備えている。
【００３４】プラズマ基板２３の上には、アノード電極
２１およカソード電極２２がストライプ状に配置され
る。アノード電極２１の上には、隔壁２４が配置され
る。カソード電極２２は、隔壁２４によって、隣接する
カソード電極２２と隔離される。誘電体基板２５、プラ
ズマ基板２３および隔壁２４によって囲まれる領域に、
プラズマ発生領域２６が形成される。プラズマ発生領域
２６は、真空にされた後、希ガスが充填される。プラズ
マ発生領域２６で、プラズマ放電をさせるためである。
プラズマ基板２３は、プラズマ発生領域の空気を真空に
するための排気用の穴を少なくとも１つ有する。なお、
プラズマスイッチ部２０は、偏光板２７と、面発光する
バックライト２８をさらに備えていてもよい。
２１およカソード電極２２がストライプ状に配置され
る。アノード電極２１の上には、隔壁２４が配置され
る。カソード電極２２は、隔壁２４によって、隣接する
カソード電極２２と隔離される。誘電体基板２５、プラ
ズマ基板２３および隔壁２４によって囲まれる領域に、
プラズマ発生領域２６が形成される。プラズマ発生領域
２６は、真空にされた後、希ガスが充填される。プラズ
マ発生領域２６で、プラズマ放電をさせるためである。
プラズマ基板２３は、プラズマ発生領域の空気を真空に
するための排気用の穴を少なくとも１つ有する。なお、
プラズマスイッチ部２０は、偏光板２７と、面発光する
バックライト２８をさらに備えていてもよい。
【００３５】以下に、誘電体基板２５の構成を説明す
る。
る。
【００３６】誘電体基板２５は、第１の面と第１の面に
対向する第２の面とを有している。誘電体基板２５を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体４２が形成される。導体４２は、各画素に対応す
る。
対向する第２の面とを有している。誘電体基板２５を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体４２が形成される。導体４２は、各画素に対応す
る。
【００３７】誘電体基板２５の第２の面には透明な電極
４１が形成される。電極４１は、第２の面にＩＴＯを蒸
着させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第２の面に形成される。第２の面に形成された電極
４１は、各画素に対応する。第２の面に形成された電極
４１は、導体４２と電気的に接続されている。なお、後
述するように、誘電体基板４０の第１の面の上には配向
膜が形成される。
４１が形成される。電極４１は、第２の面にＩＴＯを蒸
着させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第２の面に形成される。第２の面に形成された電極
４１は、各画素に対応する。第２の面に形成された電極
４１は、導体４２と電気的に接続されている。なお、後
述するように、誘電体基板４０の第１の面の上には配向
膜が形成される。
【００３８】本実施形態では、プラズマ基板２３はガラ
ス基板であり、その厚みは、約２ｍｍである。また、誘
電体基板２５は、ガラス基板である。誘電体基板２５
は、異方性導電性ガラスであることが好ましい。
ス基板であり、その厚みは、約２ｍｍである。また、誘
電体基板２５は、ガラス基板である。誘電体基板２５
は、異方性導電性ガラスであることが好ましい。
【００３９】カラーフィルタ部３０は、液晶３２と、信
号電極３４と、カラーフィルタ３５と、基板３６と、偏
光板３７とを備えている。
号電極３４と、カラーフィルタ３５と、基板３６と、偏
光板３７とを備えている。
【００４０】基板３６の上には、ブラックマトリックス
（図示されず）とカラーフィルタ３５が配置される。カ
ラーフィルタ３５の上には、信号電極３４が配置され
る。信号電極３４はＩＴＯからできている。液晶３２
は、信号電極３４とプラズマスイッチ部２０の誘電体基
板２５との間に、充填されている。
（図示されず）とカラーフィルタ３５が配置される。カ
ラーフィルタ３５の上には、信号電極３４が配置され
る。信号電極３４はＩＴＯからできている。液晶３２
は、信号電極３４とプラズマスイッチ部２０の誘電体基
板２５との間に、充填されている。
【００４１】以下に、プラズマスイッチ部２０の製造方
法を説明する。
法を説明する。
【００４２】プラズマ基板２３の上には、アノード電極
２１およびカソード電極２２が形成される。アノード電
極２１およびカソード電極２２は、プラズマ基板２３に
Ｎｉペーストを塗布し、その後、塗布されたものを焼成
することにより、形成される。Ｎｉペーストを塗布する
方法として、スクリーン印刷が用いられてもよい。
２１およびカソード電極２２が形成される。アノード電
極２１およびカソード電極２２は、プラズマ基板２３に
Ｎｉペーストを塗布し、その後、塗布されたものを焼成
することにより、形成される。Ｎｉペーストを塗布する
方法として、スクリーン印刷が用いられてもよい。
【００４３】隔壁２４は、アノード電極上に、ガラスペ
ーストを数回スクリーン印刷し、それを焼成することに
より、形成される。隔壁２４の高さは、約２００μｍで
ある。
ーストを数回スクリーン印刷し、それを焼成することに
より、形成される。隔壁２４の高さは、約２００μｍで
ある。
【００４４】形成された隔壁２の高さを均一にするため
に、隔壁２４が研磨される。
に、隔壁２４が研磨される。
【００４５】隔壁２４と誘電体基板２５とを接続するた
めに、ガラスフリットが誘電体基板２５の周辺部に線状
に塗布される。誘電体基板２５の遮光部分となる導体４
２が、隔壁２４の上に位置するように、隔壁２４と誘電
体基板２５とが接続される。接続されたものは焼成さ
れ、排気口から、空気が１０-6Ｔｏｒｒ程度に排気さ
れ、数１０Ｔｏｒｒまで希ガスが封入される。その後、
排気口が閉じられる。
めに、ガラスフリットが誘電体基板２５の周辺部に線状
に塗布される。誘電体基板２５の遮光部分となる導体４
２が、隔壁２４の上に位置するように、隔壁２４と誘電
体基板２５とが接続される。接続されたものは焼成さ
れ、排気口から、空気が１０-6Ｔｏｒｒ程度に排気さ
れ、数１０Ｔｏｒｒまで希ガスが封入される。その後、
排気口が閉じられる。
【００４６】以下に、カラーフィルタ部３０の製造方法
を説明する。
を説明する。
【００４７】基板３６の上には、ブラックマトリックス
（図示されず）とカラーフィルタ３５が形成され、さら
に、カラーフィルタ３５の上には、 ＲＧＢ各画素に対
応するストライプ状の信号電極３４が形成される。信号
電極３４が形成される方向は、プラズマスイッチ部２０
とカラーフィルタ部３０とが組み合わされたときに、隔
壁２４が形成される方向とほぼ直交する方向である。
（図示されず）とカラーフィルタ３５が形成され、さら
に、カラーフィルタ３５の上には、 ＲＧＢ各画素に対
応するストライプ状の信号電極３４が形成される。信号
電極３４が形成される方向は、プラズマスイッチ部２０
とカラーフィルタ部３０とが組み合わされたときに、隔
壁２４が形成される方向とほぼ直交する方向である。
【００４８】信号電極３４とプラズマスイッチ部２０の
誘電体基板２５とには、配向膜が塗布され、配向膜が焼
成される。その後、焼成された配向膜がラビングされ
る。液晶を注入する際に空気を排気するための穴が基板
３６に少なくとも２つ開けられる。液晶を注入するため
の穴は、ＣＦ基板の非表示部分となる部分に開けられ
る。それぞれのラビング方向が直交するように、プラズ
マスイッチ部２０とカラーフィルタ部３０が配置され、
カラーフィルタ部３０の信号電極３４とプラズマスイッ
チ部２０の誘電体基板２５との間が一定のギャップを維
持するように、スペーサが信号電極３４と誘電体基板２
５との間に配置される。その後、液晶３２が、信号電極
３４とプラズマスイッチ部２０の誘電体基板２５との間
に、充填される。その後、封止材料により、液晶３２が
封止され、液晶を再配向するために、液晶３２が加熱さ
れる。
誘電体基板２５とには、配向膜が塗布され、配向膜が焼
成される。その後、焼成された配向膜がラビングされ
る。液晶を注入する際に空気を排気するための穴が基板
３６に少なくとも２つ開けられる。液晶を注入するため
の穴は、ＣＦ基板の非表示部分となる部分に開けられ
る。それぞれのラビング方向が直交するように、プラズ
マスイッチ部２０とカラーフィルタ部３０が配置され、
カラーフィルタ部３０の信号電極３４とプラズマスイッ
チ部２０の誘電体基板２５との間が一定のギャップを維
持するように、スペーサが信号電極３４と誘電体基板２
５との間に配置される。その後、液晶３２が、信号電極
３４とプラズマスイッチ部２０の誘電体基板２５との間
に、充填される。その後、封止材料により、液晶３２が
封止され、液晶を再配向するために、液晶３２が加熱さ
れる。
【００４９】誘電体基板２５は、第１の面と第１の面に
対向する第２の面とを有している。第１の面の上には上
述した配向膜が形成され、第２の面には透明な電極４１
が形成される。第２の面にＩＴＯを蒸着させ、蒸着した
ＩＴＯをパターンニングすることにより、電極４１が第
２の面に形成される。第２の面に形成された電極４１
は、各画素に対応する。誘電体基板２５は、さらに導体
４２を有する。その導体４２は、第２の面に形成された
電極４１と電気的に接続されている。
対向する第２の面とを有している。第１の面の上には上
述した配向膜が形成され、第２の面には透明な電極４１
が形成される。第２の面にＩＴＯを蒸着させ、蒸着した
ＩＴＯをパターンニングすることにより、電極４１が第
２の面に形成される。第２の面に形成された電極４１
は、各画素に対応する。誘電体基板２５は、さらに導体
４２を有する。その導体４２は、第２の面に形成された
電極４１と電気的に接続されている。
【００５０】以下に、データ電圧と透過率について、第
１の実施形態のＰＡＬＣ１０とＰＡＬＣ−１００との比
較実験を行った。
１の実施形態のＰＡＬＣ１０とＰＡＬＣ−１００との比
較実験を行った。
【００５１】以下に、比較実験を行うために作成したＰ
ＡＬＣ−１００の構成を説明する。
ＡＬＣ−１００の構成を説明する。
【００５２】プラズマ基板は、一個所に排気用の穴が開
けられた厚み約２ｍｍの基板である。
けられた厚み約２ｍｍの基板である。
【００５３】アノード電極とカソード電極は、スクリー
ン印刷によって塗布され、その後、焼成される。そのよ
うな方法により、アノード電極とカソード電極はスライ
プ状に形成される。アノード電極上にガラスペーストが
数回スクリーン印刷され、その後焼成される。そのよう
な方法により、約２００μｍの高さの隔壁が形成され
る。隔壁の高さを均一するために、隔壁が研磨される。
５０μｍの厚みの薄板ガラスの周辺部にガラスフリット
が線状に塗布され、薄板ガラスが隔壁の上に貼り合され
る。その後、貼り合されたものが焼成され、排気口か
ら、空気が１０-6Ｔｏｒｒ程度に排気され、数１０Ｔｏ
ｒｒまで希ガスが封入され、その薄板ガラスに配向膜が
塗布され、焼成され、ラビングが行われる。
ン印刷によって塗布され、その後、焼成される。そのよ
うな方法により、アノード電極とカソード電極はスライ
プ状に形成される。アノード電極上にガラスペーストが
数回スクリーン印刷され、その後焼成される。そのよう
な方法により、約２００μｍの高さの隔壁が形成され
る。隔壁の高さを均一するために、隔壁が研磨される。
５０μｍの厚みの薄板ガラスの周辺部にガラスフリット
が線状に塗布され、薄板ガラスが隔壁の上に貼り合され
る。その後、貼り合されたものが焼成され、排気口か
ら、空気が１０-6Ｔｏｒｒ程度に排気され、数１０Ｔｏ
ｒｒまで希ガスが封入され、その薄板ガラスに配向膜が
塗布され、焼成され、ラビングが行われる。
【００５４】ＰＡＬＣ−１００のカラーフィルタ部の構
成は、第１の実施形態のカラーフィルタ部３０の構成と
同じであるため、説明を省略する。
成は、第１の実施形態のカラーフィルタ部３０の構成と
同じであるため、説明を省略する。
【００５５】第１の実施形態のＰＡＬＣ１０とＰＡＬＣ
−１００とについて、明るさの飽和電圧と閾値電圧を大
塚電子製の測定器ＬＣＤ−５１００を用いて、測定し
た。以下にその結果を示す。
−１００とについて、明るさの飽和電圧と閾値電圧を大
塚電子製の測定器ＬＣＤ−５１００を用いて、測定し
た。以下にその結果を示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】なお、ＰＡＬＣ−１００は、上記比較実験
を行うために、発明者が新たに設計し、新たに作成され
たものである。
を行うために、発明者が新たに設計し、新たに作成され
たものである。
【００５８】厚み方向にのみ導電性を有する誘電体基板
２５が液晶部分とプラズマが発生する部分の境界に用い
られることにより、液晶層の一端がグランド電位になる
ため、液晶層にデータ電圧が直接印加される。この結
果、液晶の駆動が数Ｖで行えるようになる。従って、第
１の実施形態のＰＡＬＣ１０は、 ＰＡＬＣ−１００に
比べて消費電力を小さくすることができる。このため、
信号電極３４に電圧を印加するドライバは、数Ｖの電圧
に耐えればよい。第１の実施形態では、耐圧の低いドラ
イバを用いることができる。そのようなドライバは、特
別な高耐圧半導体プロセスを必要としない。
２５が液晶部分とプラズマが発生する部分の境界に用い
られることにより、液晶層の一端がグランド電位になる
ため、液晶層にデータ電圧が直接印加される。この結
果、液晶の駆動が数Ｖで行えるようになる。従って、第
１の実施形態のＰＡＬＣ１０は、 ＰＡＬＣ−１００に
比べて消費電力を小さくすることができる。このため、
信号電極３４に電圧を印加するドライバは、数Ｖの電圧
に耐えればよい。第１の実施形態では、耐圧の低いドラ
イバを用いることができる。そのようなドライバは、特
別な高耐圧半導体プロセスを必要としない。
【００５９】誘電体基板２５が導体４２および電極４１
を有するため、誘電体基板２５を薄くする必要がない。
このため、誘電体基板２５がたわまないような、十分な
厚みを誘電体基板２５に持たすことができる。このた
め、セル厚、リターゼーションの設計値からのずれがな
くなる。さらに、誘電体基板２５のたわみに起因する液
晶の配向不良がなくなる。誘電体基板が有する導体が、
隔壁の上に位置するため、開口率が下がらない。
を有するため、誘電体基板２５を薄くする必要がない。
このため、誘電体基板２５がたわまないような、十分な
厚みを誘電体基板２５に持たすことができる。このた
め、セル厚、リターゼーションの設計値からのずれがな
くなる。さらに、誘電体基板２５のたわみに起因する液
晶の配向不良がなくなる。誘電体基板が有する導体が、
隔壁の上に位置するため、開口率が下がらない。
【００６０】（第２の実施形態）本発明の第２実施形態
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板５０の構成を除き、第１実施形態におけるＰ
ＡＬＣ１０の構成と同じである。
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板５０の構成を除き、第１実施形態におけるＰ
ＡＬＣ１０の構成と同じである。
【００６１】以下に、誘電体基板５０の構成を説明す
る。図４は第２実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマス
イッチ部２０の断面を示す図であり、図５は図４の誘電
体基板５０の一部を上から見た図である。第１実施形態
の構成と同じ構成には、同じ参照番号を付け、その説明
を省略する。
る。図４は第２実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマス
イッチ部２０の断面を示す図であり、図５は図４の誘電
体基板５０の一部を上から見た図である。第１実施形態
の構成と同じ構成には、同じ参照番号を付け、その説明
を省略する。
【００６２】誘電体基板５０は、第１の面と第１の面に
対向する第２の面とを有している。誘電体基板５０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体５２が形成される。導体５２の形状は棒状であり、
導体５２は画素に対応するように、カソード方向に点在
する。
対向する第２の面とを有している。誘電体基板５０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体５２が形成される。導体５２の形状は棒状であり、
導体５２は画素に対応するように、カソード方向に点在
する。
【００６３】誘電体基板５０の第２の面には透明な電極
５１が形成される。電極５１は、第２の面にＩＴＯを蒸
着させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第２の面に形成される。第２の面に形成された電極
５１は、各画素に対応する。第２の面に形成された電極
５１は、導体５２と電気的に接続されている。なお、第
１の実施形態と同様に、誘電体基板５０の第１の面の上
には配向膜が形成される。
５１が形成される。電極５１は、第２の面にＩＴＯを蒸
着させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第２の面に形成される。第２の面に形成された電極
５１は、各画素に対応する。第２の面に形成された電極
５１は、導体５２と電気的に接続されている。なお、第
１の実施形態と同様に、誘電体基板５０の第１の面の上
には配向膜が形成される。
【００６４】第２の実施形態は、上述した構成により、
第１の実施形態と同様の効果を有する。
第１の実施形態と同様の効果を有する。
【００６５】（第３の実施形態）本発明の第３実施形態
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板６０の構成を除き、第１実施形態におけるＰ
ＡＬＣ１０の構成と同じである。
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板６０の構成を除き、第１実施形態におけるＰ
ＡＬＣ１０の構成と同じである。
【００６６】以下に、誘電体基板６０の構成を説明す
る。図６は第３実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマス
イッチ部２０の断面を示す図であり、図７は図６の誘電
体基板６０の一部を上から見た図である。第１実施形態
の構成と同じ構成には、同じ参照番号を付け、その説明
を省略する。
る。図６は第３実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマス
イッチ部２０の断面を示す図であり、図７は図６の誘電
体基板６０の一部を上から見た図である。第１実施形態
の構成と同じ構成には、同じ参照番号を付け、その説明
を省略する。
【００６７】誘電体基板６０は、第１の面と第１の面に
対向する第２の面とを有している。誘電体基板６０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体６２が形成される。導体６２は、各画素に対応す
る。
対向する第２の面とを有している。誘電体基板６０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体６２が形成される。導体６２は、各画素に対応す
る。
【００６８】誘電体基板６０の第１の面および第２の面
には透明な電極６３および６１が形成される。電極６３
および６１は、第１の面および第２の面にＩＴＯを蒸着
させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第１の面および第２の面に形成される。第１の面お
よび第２の面に形成された電極６３および６１は、各画
素に対応する。第１の面に形成された電極６３は、第２
の面に形成された電極６１と導体６２を介して電気的に
接続されている。なお、第１の実施形態と同様に、電極
６３を有する誘電体基板６０の上には配向膜が形成され
る。また、上記パターンニングは、フォトリソグラフに
よって行われてもよい。
には透明な電極６３および６１が形成される。電極６３
および６１は、第１の面および第２の面にＩＴＯを蒸着
させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第１の面および第２の面に形成される。第１の面お
よび第２の面に形成された電極６３および６１は、各画
素に対応する。第１の面に形成された電極６３は、第２
の面に形成された電極６１と導体６２を介して電気的に
接続されている。なお、第１の実施形態と同様に、電極
６３を有する誘電体基板６０の上には配向膜が形成され
る。また、上記パターンニングは、フォトリソグラフに
よって行われてもよい。
【００６９】第３の実施形態は、上述した構成により、
第１の実施形態と同様の効果を有する。
第１の実施形態と同様の効果を有する。
【００７０】（第４の実施形態）本発明の第４実施形態
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板７０の構成を除き、第１実施形態におけるＰ
ＡＬＣ１０の構成と同じである。
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板７０の構成を除き、第１実施形態におけるＰ
ＡＬＣ１０の構成と同じである。
【００７１】以下に、誘電体基板７０の構成を説明す
る。図８は第４実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマス
イッチ部２０の断面を示す図であり、図９は図８の誘電
体基板７０の一部を上から見た図である。第１実施形態
の構成と同じ構成には、同じ参照番号を付け、その説明
を省略する。
る。図８は第４実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマス
イッチ部２０の断面を示す図であり、図９は図８の誘電
体基板７０の一部を上から見た図である。第１実施形態
の構成と同じ構成には、同じ参照番号を付け、その説明
を省略する。
【００７２】誘電体基板７０は、第１の面と第１の面に
対向する第２の面とを有している。誘電体基板７０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体７２が形成される。導体７２の形状は棒状であり、
導体７２は画素に対応するように、カソード方向に点在
する。
対向する第２の面とを有している。誘電体基板７０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体７２が形成される。導体７２の形状は棒状であり、
導体７２は画素に対応するように、カソード方向に点在
する。
【００７３】誘電体基板７０の第１の面および第２の面
には透明な電極７３および７１が形成される。電極７３
および７１は、第１の面および第２の面にＩＴＯを蒸着
させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第１の面および第２の面に形成される。第１の面お
よび第２の面に形成された電極７３および７１は、各画
素に対応する。第１の面に形成された電極７３は、第２
の面に形成された電極７１と導体７２を介して電気的に
接続されている。なお、第１の実施形態と同様に、電極
７３を有する誘電体基板７０の上には配向膜が形成され
る。また、上記パターンニングは、フォトリソグラフに
よって行われてもよい。
には透明な電極７３および７１が形成される。電極７３
および７１は、第１の面および第２の面にＩＴＯを蒸着
させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第１の面および第２の面に形成される。第１の面お
よび第２の面に形成された電極７３および７１は、各画
素に対応する。第１の面に形成された電極７３は、第２
の面に形成された電極７１と導体７２を介して電気的に
接続されている。なお、第１の実施形態と同様に、電極
７３を有する誘電体基板７０の上には配向膜が形成され
る。また、上記パターンニングは、フォトリソグラフに
よって行われてもよい。
【００７４】第４の実施形態は、上述した構成により、
第１の実施形態と同様の効果を有する。
第１の実施形態と同様の効果を有する。
【００７５】（第５の実施形態）本発明の第５実施形態
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板８０および隔壁８４の構成を除き、第１実施
形態におけるＰＡＬＣ１０の構成と同じである。
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板８０および隔壁８４の構成を除き、第１実施
形態におけるＰＡＬＣ１０の構成と同じである。
【００７６】以下に、誘電体基板８０および隔壁８４の
構成を説明する。図１０は第５実施形態におけるＰＡＬ
Ｃのプラズマスイッチ部２０の断面を示す図であり、図
１１は図１０の誘電体基板８０の一部を上から見た図で
ある。第１実施形態の構成と同じ構成には、同じ参照番
号を付け、その説明を省略する。
構成を説明する。図１０は第５実施形態におけるＰＡＬ
Ｃのプラズマスイッチ部２０の断面を示す図であり、図
１１は図１０の誘電体基板８０の一部を上から見た図で
ある。第１実施形態の構成と同じ構成には、同じ参照番
号を付け、その説明を省略する。
【００７７】誘電体基板８０は、第１の面と第１の面に
対向する第２の面とを有している。誘電体基板８０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体８２が形成される。導体８２は、各画素に対応す
る。
対向する第２の面とを有している。誘電体基板８０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体８２が形成される。導体８２は、各画素に対応す
る。
【００７８】誘電体基板８０の第１の面には透明な電極
８３が形成される。電極８３は、第１の面にＩＴＯを蒸
着させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第１の面に形成される。第１の面に形成された電極
８３は、各画素に対応する。第１の面に形成された電極
８３は、導体８２と電気的に接続されている。
８３が形成される。電極８３は、第１の面にＩＴＯを蒸
着させ、蒸着したＩＴＯをパターンニングすることによ
り、第１の面に形成される。第１の面に形成された電極
８３は、各画素に対応する。第１の面に形成された電極
８３は、導体８２と電気的に接続されている。
【００７９】第１の実施形態と同様に、プラズマ基板２
３の上には、アノード電極２１およカソード電極２２が
ストライプ状に配置される。アノード電極２１の上に
は、隔壁８４が配置される。カソード電極２２は、隔壁
２４によって、隣接するカソード電極２２と隔離され
る。プラズマ基板２３の上のａ部分とｂ部分がマスキン
グされ、その後、サンドブラストによって切り欠き部が
形成される。誘電体基板８０の導体８２が切り欠き部の
上に配置されるように、誘電体基板８０が隔壁８４に接
続され、プラズマ発生領域２６が形成される。プラズマ
発生領域２６が真空にされた後、希ガスが充填される。
誘電体基板８０の導体８２が切り欠き部の上に配置され
るため、誘電体基板８０の第２の面に、電極を設ける必
要がない。なお、第１の実施形態と同様に、電極８３を
有する誘電体基板８０の第１の面の上には配向膜が形成
される。
３の上には、アノード電極２１およカソード電極２２が
ストライプ状に配置される。アノード電極２１の上に
は、隔壁８４が配置される。カソード電極２２は、隔壁
２４によって、隣接するカソード電極２２と隔離され
る。プラズマ基板２３の上のａ部分とｂ部分がマスキン
グされ、その後、サンドブラストによって切り欠き部が
形成される。誘電体基板８０の導体８２が切り欠き部の
上に配置されるように、誘電体基板８０が隔壁８４に接
続され、プラズマ発生領域２６が形成される。プラズマ
発生領域２６が真空にされた後、希ガスが充填される。
誘電体基板８０の導体８２が切り欠き部の上に配置され
るため、誘電体基板８０の第２の面に、電極を設ける必
要がない。なお、第１の実施形態と同様に、電極８３を
有する誘電体基板８０の第１の面の上には配向膜が形成
される。
【００８０】第５の実施形態は、上述した構成により、
第１の実施形態と同様の効果を有する。
第１の実施形態と同様の効果を有する。
【００８１】（第６の実施形態）本発明の第６実施形態
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板９０の構成を除き、第５実施形態におけるＰ
ＡＬＣ１０の構成と同じである。
におけるＰＡＬＣの構成は、プラズマスイッチ部２０の
誘電体基板９０の構成を除き、第５実施形態におけるＰ
ＡＬＣ１０の構成と同じである。
【００８２】以下に、誘電体基板９０の構成を説明す
る。図１２は第６実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマ
スイッチ部２０の断面を示す図であり、図１３は図１２
の誘電体基板９０の一部を上から見た図である。第５実
施形態の構成と同じ構成には、同じ参照番号を付け、そ
の説明を省略する。
る。図１２は第６実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマ
スイッチ部２０の断面を示す図であり、図１３は図１２
の誘電体基板９０の一部を上から見た図である。第５実
施形態の構成と同じ構成には、同じ参照番号を付け、そ
の説明を省略する。
【００８３】誘電体基板９０は、第１の面と第１の面に
対向する第２の面とを有している。誘電体基板９０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体９２が形成される。導体９２の形状は棒状であり、
導体９２は画素に対応するように、カソード方向に点在
する。
対向する第２の面とを有している。誘電体基板９０を貫
通するように、第１の面と第２の面との間に金属などの
導体９２が形成される。導体９２の形状は棒状であり、
導体９２は画素に対応するように、カソード方向に点在
する。
【００８４】誘電体基板９０の第１の面には透明な電極
９３が形成される。電極９３は、第５の実施形態の電極
８３と同様の方法で形成され、電極９３は導体９２と電
気的に接続される。
９３が形成される。電極９３は、第５の実施形態の電極
８３と同様の方法で形成され、電極９３は導体９２と電
気的に接続される。
【００８５】第６の実施形態は、上述した構成により、
第５の実施形態と同様の効果を有する。
第５の実施形態と同様の効果を有する。
【００８６】（第７の実施形態）以下に、誘電体基板５
０、７０および９０の製造方法の一例を図１４を用いて
説明する。
０、７０および９０の製造方法の一例を図１４を用いて
説明する。
【００８７】図１４（ａ）は、金属線と誘電体を示す図
である。プラズマスイッチ部２０が形成されたときに、
少なくとも１つの金属線が１つの隔壁と対応するよう
に、複数の金属線が隔壁と同じ間隔で配置され、適当な
治具で固定される。誘電体が、溶融状態になるように加
熱され、固定された複数の金属線が加熱された誘電体に
貫通するように、複数の金属線および／または誘電体を
移動させる。その後、図１４（ｂ）に示すように、誘電
体からはみ出している金属線がカットされる。誘電体の
両面を平坦にするために、誘電体の両面が表面研磨さ
れ、誘電体基板が生成される。図１４（ｃ）は、生成さ
れた誘電体基板を上から見た図である。
である。プラズマスイッチ部２０が形成されたときに、
少なくとも１つの金属線が１つの隔壁と対応するよう
に、複数の金属線が隔壁と同じ間隔で配置され、適当な
治具で固定される。誘電体が、溶融状態になるように加
熱され、固定された複数の金属線が加熱された誘電体に
貫通するように、複数の金属線および／または誘電体を
移動させる。その後、図１４（ｂ）に示すように、誘電
体からはみ出している金属線がカットされる。誘電体の
両面を平坦にするために、誘電体の両面が表面研磨さ
れ、誘電体基板が生成される。図１４（ｃ）は、生成さ
れた誘電体基板を上から見た図である。
【００８８】（第８の実施形態）以下に、誘電体基板２
５、５０、６０、７０、８０および９０の製造方法の一
例を図１５を用いて説明する。
５、５０、６０、７０、８０および９０の製造方法の一
例を図１５を用いて説明する。
【００８９】図１５は、金属粒子を有する誘電体を示す
図である。プラズマスイッチ部２０が形成されたとき
に、少なくとも１つの金属粒子が１つの隔壁と対応する
ように、複数の金属粒子が隔壁と同じ間隔で配置され、
固定される。金属粒子と金属粒子との間には、ガラス粉
が充填される。金属粒子とガラス粉を高温状態で加圧
し、所望の厚みの誘電体基板が生成される。
図である。プラズマスイッチ部２０が形成されたとき
に、少なくとも１つの金属粒子が１つの隔壁と対応する
ように、複数の金属粒子が隔壁と同じ間隔で配置され、
固定される。金属粒子と金属粒子との間には、ガラス粉
が充填される。金属粒子とガラス粉を高温状態で加圧
し、所望の厚みの誘電体基板が生成される。
【００９０】（第９の実施形態）以下に、誘電体基板５
０、７０および９０の製造方法の一例を図１６を用いて
説明する。
０、７０および９０の製造方法の一例を図１６を用いて
説明する。
【００９１】図１６（ａ）は、マスクと誘電体を示す図
である。マスクには、画素サイズよりも十分小さな穴が
規則的に配列されている。エッチングなどにより、その
マスクは生成される。マスクと誘電体の位置を合わせ
る。なお、誘電体は溶融状態に加熱されている。金属粒
子が筒から発射され、マスクの穴を通過した金属粒子が
誘電体に打ち込まれ、誘電体基板が生成される。図１６
（ｂ）は生成された誘電体の断面図であり、基板図１６
（ｃ）は生成された誘電体基板を上から見た図である。
である。マスクには、画素サイズよりも十分小さな穴が
規則的に配列されている。エッチングなどにより、その
マスクは生成される。マスクと誘電体の位置を合わせ
る。なお、誘電体は溶融状態に加熱されている。金属粒
子が筒から発射され、マスクの穴を通過した金属粒子が
誘電体に打ち込まれ、誘電体基板が生成される。図１６
（ｂ）は生成された誘電体の断面図であり、基板図１６
（ｃ）は生成された誘電体基板を上から見た図である。
【００９２】（第１０の実施形態）以下に、誘電体基板
２５、６０および８０の製造方法の一例を図１７を用い
て説明する。
２５、６０および８０の製造方法の一例を図１７を用い
て説明する。
【００９３】図１７（ａ）は金属電極とカーボンなどの
電極で挟まれた溶融状態の誘電体を示す図であり、図１
７（ｂ）は生成された誘電体基板を上から見た図であ
る。金属電極にはプラスの高電圧が印加され、カーボン
電極にはマイナスの高電圧が印加される。プラス側の金
属電極から金属イオンがマイナス電極に引かれて移動
し、誘電体は厚み方向の導電性を有する。上述した方法
により、誘電体基板が生成される。
電極で挟まれた溶融状態の誘電体を示す図であり、図１
７（ｂ）は生成された誘電体基板を上から見た図であ
る。金属電極にはプラスの高電圧が印加され、カーボン
電極にはマイナスの高電圧が印加される。プラス側の金
属電極から金属イオンがマイナス電極に引かれて移動
し、誘電体は厚み方向の導電性を有する。上述した方法
により、誘電体基板が生成される。
【００９４】
【発明の効果】本発明のプラズマアドレス液晶表示装置
は、第１の面と、第１の面に対向する第２の面と、第１
の面と第２の面との間の導体とを有し、基板と複数の隔
壁と第２の面と共に空間領域を形成する誘電体を備えて
いる。空間領域が形成される誘電体の第２の面に、導電
性を有する第１領域が形成される。第１領域が、第１の
面と第２の面との間の導体と電気的に接続される。第１
の面と第２の面との間の導体が複数の隔壁のうちの１つ
の上に位置する。
は、第１の面と、第１の面に対向する第２の面と、第１
の面と第２の面との間の導体とを有し、基板と複数の隔
壁と第２の面と共に空間領域を形成する誘電体を備えて
いる。空間領域が形成される誘電体の第２の面に、導電
性を有する第１領域が形成される。第１領域が、第１の
面と第２の面との間の導体と電気的に接続される。第１
の面と第２の面との間の導体が複数の隔壁のうちの１つ
の上に位置する。
【００９５】このことにより、本発明のプラズマアドレ
ス液晶表示装置は、開口率を低下させることなく、充分
な強度を有する誘電体を有することができる。
ス液晶表示装置は、開口率を低下させることなく、充分
な強度を有する誘電体を有することができる。
【００９６】本発明の他のプラズマアドレス液晶表示装
置は、第１の面と、第１の面に対向する第２の面と、第
１の面と第２の面との間の導体とを有し、基板と複数の
隔壁と第２の面と共に空間領域を形成する誘電体を備え
ている。誘電体の第１の面に、導電性を有する第１領域
が形成される。第１領域が、第１の面と第２の面との間
の導体と電気的に接続される。複数の隔壁の少なくとも
１つが切り欠け部を有し、第１の面と第２の面との間の
導体が切り欠け部の上に位置する。
置は、第１の面と、第１の面に対向する第２の面と、第
１の面と第２の面との間の導体とを有し、基板と複数の
隔壁と第２の面と共に空間領域を形成する誘電体を備え
ている。誘電体の第１の面に、導電性を有する第１領域
が形成される。第１領域が、第１の面と第２の面との間
の導体と電気的に接続される。複数の隔壁の少なくとも
１つが切り欠け部を有し、第１の面と第２の面との間の
導体が切り欠け部の上に位置する。
【００９７】このことにより、本発明の他のプラズマア
ドレス液晶表示装置は、開口率を低下させることなく、
充分な強度を有する誘電体を有することができる。
ドレス液晶表示装置は、開口率を低下させることなく、
充分な強度を有する誘電体を有することができる。
【図１】本発明の第１実施形態におけるＰＡＬＣ１０の
断面を示す図である。
断面を示す図である。
【図２】図１のＰＡＬＣ１０のプラズマスイッチ部２０
の断面を示す図である。
の断面を示す図である。
【図３】図２のプラズマスイッチ部２０の一部を上から
見た図である。
見た図である。
【図４】第２実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマスイ
ッチ部２０の断面を示す図である。
ッチ部２０の断面を示す図である。
【図５】図４の誘電体基板５０の一部を上から見た図で
ある。
ある。
【図６】第３実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマスイ
ッチ部２０の断面を示す図である。
ッチ部２０の断面を示す図である。
【図７】図６の誘電体基板６０の一部を上から見た図で
ある。
ある。
【図８】第４実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマスイ
ッチ部２０の断面を示す図である。
ッチ部２０の断面を示す図である。
【図９】図８の誘電体基板７０の一部を上から見た図で
ある。
ある。
【図１０】第５実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマス
イッチ部２０の断面を示す図である。
イッチ部２０の断面を示す図である。
【図１１】図１０の誘電体基板８０の一部を上から見た
図である。
図である。
【図１２】第６実施形態におけるＰＡＬＣのプラズマス
イッチ部２０の断面を示す図である。
イッチ部２０の断面を示す図である。
【図１３】図１２の誘電体基板９０の一部を上から見た
図である。
図である。
【図１４】（ａ）は金属線と誘電体を示す図であり、
（ｂ）は誘電体からはみ出している金属線を示す図であ
り、（ｃ）は生成された誘電体基板を上から見た図であ
る。
（ｂ）は誘電体からはみ出している金属線を示す図であ
り、（ｃ）は生成された誘電体基板を上から見た図であ
る。
【図１５】金属粒子を有する誘電体を示す図である。
【図１６】（ａ）はマスクと誘電体を示す図であり、
（ｂ）は生成された誘電体の断面図であり、（ｃ）は生
成された誘電体基板を上から見た図である。
（ｂ）は生成された誘電体の断面図であり、（ｃ）は生
成された誘電体基板を上から見た図である。
【図１７】（ａ）は金属電極とカーボンなどの電極で挟
まれた溶融状態の誘電体を示す図であり、（ｂ）は生成
された誘電体基板を上から見た図である。
まれた溶融状態の誘電体を示す図であり、（ｂ）は生成
された誘電体基板を上から見た図である。
【図１８】従来のＰＡＬＣの構成を示す図である。
１０ ＰＡＬＣ ２０ プラズマスイッチ部 ２１ アノード電極 ２２ カソード電極 ２３ プラズマ基板 ２４ 隔壁 ２５ 誘電体基板 ２６ プラズマ発生領域 ２７ 偏光板 ２８ バックライト ３０ カラーフィルタ部 ３２ 液晶 ３４ 信号電極 ３５ カラーフィルタ ３６ 基板 ３７ 偏光板 ４１ 電極 ４２ 導体
Claims (12)
- 【請求項１】 基板と、 該基板の上に形成される複数のアノード電極および複数
のカソード電極と、 該複数のカソード電極のうちの１つを隣接するカソード
電極と隔離するために、該基板の上に形成される複数の
隔壁と、 第１の面と、該第１の面に対向する第２の面と、該第１
の面と該第２の面との間の導体とを有し、該基板と該複
数の隔壁と該第２の面と共に空間領域を形成する誘電体
と、を備え、 該空間領域が形成される該誘電体の該第２の面に、導電
性を有する第１領域が形成され、 該第１領域が、該第１の面と該第２の面との間の該導体
と電気的に接続され、 該第１の面と該第２の面との間の該導体が該複数の隔壁
のうちの１つの上に位置するプラズマアドレス液晶表示
装置。 - 【請求項２】 該誘電体の該第１の面に、導電性を有す
る第２領域が形成され、該第２領域が前記導体と電気的
に接続される請求項１に記載のプラズマアドレス液晶表
示装置。 - 【請求項３】 基板と、 該基板の上に形成される複数のアノード電極および複数
のカソード電極と、 該複数のカソード電極のうちの１つを隣接するカソード
電極と隔離するために、該基板の上に形成される複数の
隔壁と、 第１の面と、該第１の面に対向する第２の面と、該第１
の面と該第２の面との間の導体とを有し、該基板と該複
数の隔壁と該第２の面と共に空間領域を形成する誘電体
と、を備え、 該誘電体の該第１の面に、導電性を有する第１領域が形
成され、 該第１領域が、該第１の面と該第２の面との間の該導体
と電気的に接続され、 該複数の隔壁の少なくとも１つが切り欠け部を有し、 該第１の面と該第２の面との間の該導体が該切り欠け部
の上に位置するプラズマアドレス液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記切り欠け部は、前記複数の隔壁の所
定の部分をマスクし、サンドブラストにより削られる請
求項３に記載のプラズマアドレス液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記プラズマアドレス液晶表示装置が、
カラーフィルタ基板と液晶層をさらに備え、 該液晶層が前記誘電体と該カラーフィルタ基板に挟まれ
る請求項１〜４のうちの１つに記載のプラズマアドレス
液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記プラズマアドレス液晶表示装置が、
第１および第２の偏光板をさらに備え、 前記カラーフィルタ基板および前記基板が該第１および
第２の偏光板により挟まれる請求項５に記載のプラズマ
アドレス液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記第１の偏光板と前記カラーフィルタ
基板の間、または前記第２の偏光板と前記基板の間に位
相差板が設置される請求項６に記載のプラズマアドレス
液晶表示装置。。 - 【請求項８】 バックライトをさらに備えた請求項１〜
４のうちの１つに記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 ガラス板をその溶融温度以上に熱する工
程と、 規則的に並べられた複数の金属線を該ガラス板の厚み方
向に貫通させる工程と、 該複数の金属線を切断する工程と、 該ガラス板の表面を平滑にするために、該ガラス板の表
面を研磨する工程と、 を包含する誘電体の製造方法。 - 【請求項１０】 複数の金属粒子を規則的に並べる工程
と、 該複数の金属粒子間隙にガラス粉を充填する工程と、 該ガラス粉をその溶融温度以上に熱し、圧力をかける工
程と、 を包含する誘電体の製造方法。 - 【請求項１１】 ガラス板をその溶融温度以上に熱する
工程と、 複数の金属粒子を該ガラス板にライン状に規則的に打ち
込む工程と、 を包含する誘電体の製造方法。 - 【請求項１２】 ガラス板をその溶融温度以上に熱する
工程と、 ライン状の金属電極をガラス板の第１の面に設置する工
程と、 ライン状の電極を、該ガラス板の該第１の面とは対向す
る第２の面に設置する工程と、 該ガラス板の厚み方向に該金属のマイグレーションを起
こさせるために、該金属電極にプラスの高電圧を印加す
る工程と、 を包含する誘電体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27170497A JP3439638B2 (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | プラズマアドレス液晶表示装置 |
| US09/121,904 US6226056B1 (en) | 1997-07-28 | 1998-07-24 | Plasma addressed liquid crystal display device having conductor through dielectric sheet attached to conductive layer centrally located in discharge channel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27170497A JP3439638B2 (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | プラズマアドレス液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11109322A true JPH11109322A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3439638B2 JP3439638B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=17503691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27170497A Expired - Fee Related JP3439638B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-10-03 | プラズマアドレス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3439638B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010028632A (ko) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | 구자홍 | 플라즈마 어드레스 액정 표시소자 및 그 구동방법 |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP27170497A patent/JP3439638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010028632A (ko) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | 구자홍 | 플라즈마 어드레스 액정 표시소자 및 그 구동방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3439638B2 (ja) | 2003-08-25 |
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