JPH1098257A - 半田バンプ形成基板の製造方法 - Google Patents
半田バンプ形成基板の製造方法Info
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- JPH1098257A JPH1098257A JP8271877A JP27187796A JPH1098257A JP H1098257 A JPH1098257 A JP H1098257A JP 8271877 A JP8271877 A JP 8271877A JP 27187796 A JP27187796 A JP 27187796A JP H1098257 A JPH1098257 A JP H1098257A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】金属基板上に樹脂層を形成し、レーザー光
を用いて該樹脂層の所定の位置に該樹脂層の貫通孔を形
成し、次いでその貫通孔に半田層を形成した後、樹脂層
を剥離することを特徴とする半田バンプ形成基板の製造
方法。 【効果】本発明により、均一な径および体積を持つ半田
バンプを、高確率で簡易に形成することができる半田バ
ンプ形成基板を提供することが可能となった。
を用いて該樹脂層の所定の位置に該樹脂層の貫通孔を形
成し、次いでその貫通孔に半田層を形成した後、樹脂層
を剥離することを特徴とする半田バンプ形成基板の製造
方法。 【効果】本発明により、均一な径および体積を持つ半田
バンプを、高確率で簡易に形成することができる半田バ
ンプ形成基板を提供することが可能となった。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半田バンプ形成基板
の製造方法に関する。半田バンプ形成基板は、半導体素
子等の接続端子を半田接続して実装するための複数個の
パッドが形成された基板上の各パッドに半田バンプを形
成するために用いられる。
の製造方法に関する。半田バンプ形成基板は、半導体素
子等の接続端子を半田接続して実装するための複数個の
パッドが形成された基板上の各パッドに半田バンプを形
成するために用いられる。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子のフリップチップ実装
などで必要な半田バンプの形成方法としては、マスクを
用いて蒸着により半田バンプを形成する方法、ガラスエ
ポキシ等の基板上に銅箔を積層し、その上に感光性樹脂
を塗布した後、露光して、樹脂に貫通孔を形成し、銅を
電極として電解めっきにより半田バンプを形成した後、
先に塗布してある樹脂、銅を順に取り除く方法、等が提
案されてきた。しかしながら、前者は非常に精密なマス
クを必要とするため、コストがかかり経済的に好ましく
なく、後者には、半田バンプを形成した後に銅箔と感光
性樹脂の二層を取り除く際に、感光性樹脂の剥離不良
や、残存した銅箔によるショートが起こりやすいこと、
また電解めっきにより半田層を形成しているため、基板
上で電流の粗密が生じ、電極に近い部分と遠い部分の各
半田バンプにおける半田量が均一にならないこと、とい
った問題点がある。
などで必要な半田バンプの形成方法としては、マスクを
用いて蒸着により半田バンプを形成する方法、ガラスエ
ポキシ等の基板上に銅箔を積層し、その上に感光性樹脂
を塗布した後、露光して、樹脂に貫通孔を形成し、銅を
電極として電解めっきにより半田バンプを形成した後、
先に塗布してある樹脂、銅を順に取り除く方法、等が提
案されてきた。しかしながら、前者は非常に精密なマス
クを必要とするため、コストがかかり経済的に好ましく
なく、後者には、半田バンプを形成した後に銅箔と感光
性樹脂の二層を取り除く際に、感光性樹脂の剥離不良
や、残存した銅箔によるショートが起こりやすいこと、
また電解めっきにより半田層を形成しているため、基板
上で電流の粗密が生じ、電極に近い部分と遠い部分の各
半田バンプにおける半田量が均一にならないこと、とい
った問題点がある。
【０００３】この他にも、プリプレグ上に半田層を形成
した後、感光性樹脂を塗布し、露光、エッチングにより
プリプレグ上の所定の位置に半田層を形成して仮配置板
を作製した後、仮配置板から基板に半田層を転写して半
田バンプを形成する方法等があるが、この方法では、仮
配置板となるプリプレグ上にごみが付着して基板上への
半田層の転写を妨げること、エッチングによりプリプレ
グ上に半田層を形成するため、各半田層の径が不均一に
なりやすいこと、プリプレグ本来の持つ、もしくは半田
層を転写する基板のサイズに合わせてプリプレグを切断
したことに起因する反りが半田層の転写を妨げること、
といった問題点がある。
した後、感光性樹脂を塗布し、露光、エッチングにより
プリプレグ上の所定の位置に半田層を形成して仮配置板
を作製した後、仮配置板から基板に半田層を転写して半
田バンプを形成する方法等があるが、この方法では、仮
配置板となるプリプレグ上にごみが付着して基板上への
半田層の転写を妨げること、エッチングによりプリプレ
グ上に半田層を形成するため、各半田層の径が不均一に
なりやすいこと、プリプレグ本来の持つ、もしくは半田
層を転写する基板のサイズに合わせてプリプレグを切断
したことに起因する反りが半田層の転写を妨げること、
といった問題点がある。
【０００４】そこで、均一な半田バンプを形成するた
め、打ち抜きにより半田層を仮配置板に供給してから基
板に転写する半田バンプ形成方法が、特開平６−６９６
４０号公報に開示されている。しかしながら、この方法
にも、打ち抜きの際に手間がかかりかなりの時間を要す
る、という問題があり、工業的に好ましい方法とはいえ
ない。
め、打ち抜きにより半田層を仮配置板に供給してから基
板に転写する半田バンプ形成方法が、特開平６−６９６
４０号公報に開示されている。しかしながら、この方法
にも、打ち抜きの際に手間がかかりかなりの時間を要す
る、という問題があり、工業的に好ましい方法とはいえ
ない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、均一な径および体積を持つ半田バンプを、高確率で
簡易に形成することのできる半田バンプ形成基板の製造
方法を提供することにある。
は、均一な径および体積を持つ半田バンプを、高確率で
簡易に形成することのできる半田バンプ形成基板の製造
方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記状況
に鑑み鋭意検討を行った結果、半田バンプ形成基板の基
板としてニッケル系の金属基板を使用することにより、
半田層を電解めっきにより基板上に積層する際に電流が
均一に伝わること、基板上の半田層を転写する際に熱が
均一に伝わること、基板に付着するごみや基板の反りが
問題とならなくなること、また、エッチングや打ち抜き
に代えてレーザー光を用いて樹脂層に半田層を配置する
ための貫通孔を形成することにより、半田層の径を簡易
に均一にすることができることを見いだした。本発明は
かかる発見に基づき、さらに研究を進めた結果、完成す
るに至ったものである。
に鑑み鋭意検討を行った結果、半田バンプ形成基板の基
板としてニッケル系の金属基板を使用することにより、
半田層を電解めっきにより基板上に積層する際に電流が
均一に伝わること、基板上の半田層を転写する際に熱が
均一に伝わること、基板に付着するごみや基板の反りが
問題とならなくなること、また、エッチングや打ち抜き
に代えてレーザー光を用いて樹脂層に半田層を配置する
ための貫通孔を形成することにより、半田層の径を簡易
に均一にすることができることを見いだした。本発明は
かかる発見に基づき、さらに研究を進めた結果、完成す
るに至ったものである。
【０００７】即ち、本発明の要旨は、（１） 金属基板
上に樹脂層を形成し、レーザー光を用いて該樹脂層の所
定の位置に該樹脂層の貫通孔を形成し、次いでその貫通
孔に半田層を形成した後、樹脂を剥離することを特徴と
する半田バンプ形成基板の製造方法、並びに（２） 金
属基板が、鉄、ニッケル、銅、およびクロムよりなる群
から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴と
する前記（１）記載の製造方法、に関する。
上に樹脂層を形成し、レーザー光を用いて該樹脂層の所
定の位置に該樹脂層の貫通孔を形成し、次いでその貫通
孔に半田層を形成した後、樹脂を剥離することを特徴と
する半田バンプ形成基板の製造方法、並びに（２） 金
属基板が、鉄、ニッケル、銅、およびクロムよりなる群
から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴と
する前記（１）記載の製造方法、に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の製造方法は、次の各工程からなる。 （１）金属基板上への樹脂層の形成工程 （２）レーザー光による樹脂層の貫通孔の形成工程 （３）貫通孔への半田層の形成工程 （４）樹脂の剥離工程
本発明の製造方法は、次の各工程からなる。 （１）金属基板上への樹脂層の形成工程 （２）レーザー光による樹脂層の貫通孔の形成工程 （３）貫通孔への半田層の形成工程 （４）樹脂の剥離工程
【０００９】本発明で使用される金属基板としては、従
来より公知である各種合金が用いられ、特に鉄、ニッケ
ル、銅、およびクロムよりなる群から選ばれる少なくと
も一種の金属であることが好ましく、なかでも半田ぬれ
性の悪いニッケルまたはニッケルを含む合金等が特に好
適に用いられる。なお、アルミニウムは半田をもろくす
る傾向があるため、合金にアルミニウムを用いる場合
は、アルミニウムの量を半田に影響を及ぼさない程度に
調整することが好ましい。金属基板を用いることによ
り、銅めっき基板等を用いる場合と比較して、電解めっ
きによって基板上に半田層を形成する際に電流が均一に
伝達し、その結果、均一な体積の半田層を形成すること
が可能になる。また、半田バンプ形成基板からパッケー
ジ基板へ半田層を転写する際に、半田層を溶融するため
の熱量を比較的容易に伝達することができる。さらに、
プリプレグを用いた場合のように、ゴミや基板の反りが
問題とならなくなる。金属基板の厚さは２０〜５０μ
ｍ、好ましくは２５〜３５μｍである。この範囲の厚さ
であれば、基板の打抜き加工がし易く、電流密度の均一
性が期待でき、半田を溶解することができる熱量の伝達
を容易に行うことができる。
来より公知である各種合金が用いられ、特に鉄、ニッケ
ル、銅、およびクロムよりなる群から選ばれる少なくと
も一種の金属であることが好ましく、なかでも半田ぬれ
性の悪いニッケルまたはニッケルを含む合金等が特に好
適に用いられる。なお、アルミニウムは半田をもろくす
る傾向があるため、合金にアルミニウムを用いる場合
は、アルミニウムの量を半田に影響を及ぼさない程度に
調整することが好ましい。金属基板を用いることによ
り、銅めっき基板等を用いる場合と比較して、電解めっ
きによって基板上に半田層を形成する際に電流が均一に
伝達し、その結果、均一な体積の半田層を形成すること
が可能になる。また、半田バンプ形成基板からパッケー
ジ基板へ半田層を転写する際に、半田層を溶融するため
の熱量を比較的容易に伝達することができる。さらに、
プリプレグを用いた場合のように、ゴミや基板の反りが
問題とならなくなる。金属基板の厚さは２０〜５０μ
ｍ、好ましくは２５〜３５μｍである。この範囲の厚さ
であれば、基板の打抜き加工がし易く、電流密度の均一
性が期待でき、半田を溶解することができる熱量の伝達
を容易に行うことができる。
【００１０】以下、各工程について説明する。 （１）金属基板上への樹脂層の形成工程 金属基板上に樹脂層を形成する工程である。使用される
樹脂としては、エポキシ樹脂、相互侵入網目構造高分子
（ＩＰＮ）、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、あるいはこれらのエポキシ樹脂のエポキシ基に
アクリル酸を反応させてアクリル基を導入したエポキシ
アクリレート等が挙げられる。本発明において使用され
る樹脂には、感光性は特に要求されないが、熱硬化性樹
脂では加熱冷却を必要とするため硬化するのに時間がか
かるのに対し、感光性樹脂は露光するだけで硬化するこ
とができること等を考慮すると感光性樹脂を好適に使用
することができる。
樹脂としては、エポキシ樹脂、相互侵入網目構造高分子
（ＩＰＮ）、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、あるいはこれらのエポキシ樹脂のエポキシ基に
アクリル酸を反応させてアクリル基を導入したエポキシ
アクリレート等が挙げられる。本発明において使用され
る樹脂には、感光性は特に要求されないが、熱硬化性樹
脂では加熱冷却を必要とするため硬化するのに時間がか
かるのに対し、感光性樹脂は露光するだけで硬化するこ
とができること等を考慮すると感光性樹脂を好適に使用
することができる。
【００１１】相互侵入網目構造高分子（ＩＰＮ）とは、
複数の樹脂によるポリマーアロイであり、代表的な系と
しては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミ
ドトリアジン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂の
骨格にポリエーテルスルフォン、ポリエステル樹脂等の
熱可塑性樹脂の分枝鎖を絡ませた構造がある。具体的に
は、エポキシ樹脂とポリエーテルスルフォンとの混合樹
脂等が挙げられる。
複数の樹脂によるポリマーアロイであり、代表的な系と
しては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミ
ドトリアジン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂の
骨格にポリエーテルスルフォン、ポリエステル樹脂等の
熱可塑性樹脂の分枝鎖を絡ませた構造がある。具体的に
は、エポキシ樹脂とポリエーテルスルフォンとの混合樹
脂等が挙げられる。
【００１２】ポリイミド樹脂は、耐熱性、耐塩基性に優
れている。感光化したものは高価であるが、本発明にお
いては感光化させなくてもよいので、感光化していない
安価なものも使用することができる。
れている。感光化したものは高価であるが、本発明にお
いては感光化させなくてもよいので、感光化していない
安価なものも使用することができる。
【００１３】（２）レーザー光による樹脂層の貫通孔の
形成工程 レーザー光を用いて、樹脂層の所定の位置に該樹脂層の
貫通孔を形成する工程である。使用されるレーザー装置
は、特に限定されるものではない。例えば、エキシマレ
ーザー ＭＥＸ−２４−Ｍ（ミツビシ製、波長：ＫｒＦ
２４８ｎｍ、ＸｅＣｌ ３０８ｎｍ、ＡｒＦ１９３ｎ
ｍ）、エキシマレーザー ＧＳ ５００（住友重機製、
波長：ＫｒＦ ２４８ｎｍ、ＸｅＣｌ ３０８ｎｍ、Ａ
ｒＦ１９３ｎｍ）等が挙げられる。本発明においては、
レーザー光を用いることにより、形成される半田バンプ
の径を均一にすることができる。
形成工程 レーザー光を用いて、樹脂層の所定の位置に該樹脂層の
貫通孔を形成する工程である。使用されるレーザー装置
は、特に限定されるものではない。例えば、エキシマレ
ーザー ＭＥＸ−２４−Ｍ（ミツビシ製、波長：ＫｒＦ
２４８ｎｍ、ＸｅＣｌ ３０８ｎｍ、ＡｒＦ１９３ｎ
ｍ）、エキシマレーザー ＧＳ ５００（住友重機製、
波長：ＫｒＦ ２４８ｎｍ、ＸｅＣｌ ３０８ｎｍ、Ａ
ｒＦ１９３ｎｍ）等が挙げられる。本発明においては、
レーザー光を用いることにより、形成される半田バンプ
の径を均一にすることができる。
【００１４】（３）貫通孔への半田層の形成工程 レーザー光で貫通孔を形成した部分に半田層を形成する
工程である。半田層の形成には、金属基板を電極とした
電解めっき、あるいは無電解めっき等が用いられる。本
発明で用いられる半田は錫鉛半田だけでなく、金錫半
田、インジウム系半田、錫系半田、金シリコン半田、金
ゲルマニウム半田等でもよい。
工程である。半田層の形成には、金属基板を電極とした
電解めっき、あるいは無電解めっき等が用いられる。本
発明で用いられる半田は錫鉛半田だけでなく、金錫半
田、インジウム系半田、錫系半田、金シリコン半田、金
ゲルマニウム半田等でもよい。
【００１５】（４）樹脂の剥離工程 樹脂層を剥離する工程であり、これにより所定の位置に
半田層が形成された本発明の半田バンプ形成基板が得ら
れる。剥離は、ジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）、トリエチレングリコールジメチルエーテ
ル（ＤＭＴＧ）等のグリコールエーテル系の溶媒や塩化
メチレン等の溶剤をふきつけたり、これらの溶剤に基板
を浸漬する方法により行う。このようにして得られた半
田バンプ形成基板は、半導体素子等の接続端子を半田接
続して実装するための複数個のパッドが形成された基板
上の各パッドに半田バンプを形成するために使用され
る。
半田層が形成された本発明の半田バンプ形成基板が得ら
れる。剥離は、ジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）、トリエチレングリコールジメチルエーテ
ル（ＤＭＴＧ）等のグリコールエーテル系の溶媒や塩化
メチレン等の溶剤をふきつけたり、これらの溶剤に基板
を浸漬する方法により行う。このようにして得られた半
田バンプ形成基板は、半導体素子等の接続端子を半田接
続して実装するための複数個のパッドが形成された基板
上の各パッドに半田バンプを形成するために使用され
る。
【００１６】本発明の半田バンプ形成基板を用いて、パ
ッケージ基板における各パッド上に半田を供給する方法
について説明する。まず、フラックスをイソプロピルア
ルコール等に溶解させたフラックス溶液をスプレーで吹
きつけるか、フラックス溶液をバブリングしてフラック
スを付着させることにより、フラックスをパッケージ基
板上に塗布する。フラックスは、転写後の溶融時に半田
および電極の酸化層を除去する働きを兼ねることができ
るが、厚すぎると半田層が流れ出し、ブリッジや１つの
電極に半田が集まる不良が起きやすく、一方、薄すぎる
と溶融時の還元作用が不足し、バンプ形状が悪くなる。
従って、塗布するフラックスの量としては０．０５〜
０．２ｍｇ／ｍｍ2 が好ましく、０．０８〜０．１ｍｇ
／ｍｍ2 がより好ましい。
ッケージ基板における各パッド上に半田を供給する方法
について説明する。まず、フラックスをイソプロピルア
ルコール等に溶解させたフラックス溶液をスプレーで吹
きつけるか、フラックス溶液をバブリングしてフラック
スを付着させることにより、フラックスをパッケージ基
板上に塗布する。フラックスは、転写後の溶融時に半田
および電極の酸化層を除去する働きを兼ねることができ
るが、厚すぎると半田層が流れ出し、ブリッジや１つの
電極に半田が集まる不良が起きやすく、一方、薄すぎる
と溶融時の還元作用が不足し、バンプ形状が悪くなる。
従って、塗布するフラックスの量としては０．０５〜
０．２ｍｇ／ｍｍ2 が好ましく、０．０８〜０．１ｍｇ
／ｍｍ2 がより好ましい。
【００１７】続いて、フラックスを塗布したパッケージ
基板上に、基板上のパッドと半田バンプ形成基板の半田
層の位置が一致するように位置合わせしながら半田バン
プ形成基板を載置する。このとき、パッケージ基板のパ
ッドと半田バンプ形成基板の半田層とは相互に対向した
状態で重ね合わせられている。窒素雰囲気下で荷重をか
け加熱することにより転写を行う。荷重の程度は、１バ
ンプあたり４ｍｇ以下であれば、特に限定されることは
なく、例えば、１４３０バンプあたり１．７ｇ（１バン
プあたり１．２ｍｇ）程度の荷重をかけて、パッケージ
基板を加熱する。その際の温度は、用いられる金属基板
の種類によっても異なるが、窒素雰囲気下で通常２２０
℃以上、好ましくは２２５〜２３５℃程度である。
基板上に、基板上のパッドと半田バンプ形成基板の半田
層の位置が一致するように位置合わせしながら半田バン
プ形成基板を載置する。このとき、パッケージ基板のパ
ッドと半田バンプ形成基板の半田層とは相互に対向した
状態で重ね合わせられている。窒素雰囲気下で荷重をか
け加熱することにより転写を行う。荷重の程度は、１バ
ンプあたり４ｍｇ以下であれば、特に限定されることは
なく、例えば、１４３０バンプあたり１．７ｇ（１バン
プあたり１．２ｍｇ）程度の荷重をかけて、パッケージ
基板を加熱する。その際の温度は、用いられる金属基板
の種類によっても異なるが、窒素雰囲気下で通常２２０
℃以上、好ましくは２２５〜２３５℃程度である。
【００１８】半田バンプ形成基板をパッケージ基板から
剥離すると、半田層は半田バンプ形成基板から離れ、パ
ッケージ基板上のパッドに転写される。この後、パッケ
ージ基板を２１０℃程度に加熱して半田層を溶融し、球
面状の半田バンプを形成する。
剥離すると、半田層は半田バンプ形成基板から離れ、パ
ッケージ基板上のパッドに転写される。この後、パッケ
ージ基板を２１０℃程度に加熱して半田層を溶融し、球
面状の半田バンプを形成する。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により図面を参照しつつ本発明
をさらに詳しく説明するが、本発明はかかる実施例によ
りなんら限定されるものではない。なお、図１は本発明
の半田バンプ形成基板の製造方法を示す概略図であり、
図２は、本発明の半田バンプ形成基板を用いる半田バン
プ形成方法を示す概略図である。
をさらに詳しく説明するが、本発明はかかる実施例によ
りなんら限定されるものではない。なお、図１は本発明
の半田バンプ形成基板の製造方法を示す概略図であり、
図２は、本発明の半田バンプ形成基板を用いる半田バン
プ形成方法を示す概略図である。
【００２０】実施例１ （１）鉄とニッケルの合金からなる厚さ３０μｍの金属
基板１上にエポキシ樹脂を、印刷法により塗布し、７０
℃で３０分間乾燥後、１５０℃で５時間乾燥して、厚さ
４０μｍの樹脂層２を形成した。 （２）ＭＥＸ−２４Ｍ（三菱電気（株）製）を用いてレ
ーザー光により樹脂層２の所定の位置に該樹脂層の貫通
孔を形成した。
基板１上にエポキシ樹脂を、印刷法により塗布し、７０
℃で３０分間乾燥後、１５０℃で５時間乾燥して、厚さ
４０μｍの樹脂層２を形成した。 （２）ＭＥＸ−２４Ｍ（三菱電気（株）製）を用いてレ
ーザー光により樹脂層２の所定の位置に該樹脂層の貫通
孔を形成した。
【００２１】（３）金属基板１を陰極とし、陽極をスズ
６０％、鉛４０％の合金として、下記の組成を有する電
解半田めっき浴中で、電解半田めっきにより、レーザー
光を用いて貫通孔を形成した部分に半田層３を形成し
た。めっき浴の温度は２５℃、めっき浸漬時間は２０分
間であった。 ホウフッ化スズ ：５２ｇ／リットル ホウフッ化鉛 ：３０ｇ／リットル ホウフッ化水素酸 ：１００ｇ／リットル 酸ペプトン ：５ｇ／リットル 陽極組成 ：スズ６０％、鉛４０％の合金 陰極電流密度 ：３Ａ／ｄｍ2 （４）トリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭ
ＴＧ）をスプレーで吹きつけることによって、樹脂層２
を剥離することにより、半田バンプ形成基板４を得た。
６０％、鉛４０％の合金として、下記の組成を有する電
解半田めっき浴中で、電解半田めっきにより、レーザー
光を用いて貫通孔を形成した部分に半田層３を形成し
た。めっき浴の温度は２５℃、めっき浸漬時間は２０分
間であった。 ホウフッ化スズ ：５２ｇ／リットル ホウフッ化鉛 ：３０ｇ／リットル ホウフッ化水素酸 ：１００ｇ／リットル 酸ペプトン ：５ｇ／リットル 陽極組成 ：スズ６０％、鉛４０％の合金 陰極電流密度 ：３Ａ／ｄｍ2 （４）トリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭ
ＴＧ）をスプレーで吹きつけることによって、樹脂層２
を剥離することにより、半田バンプ形成基板４を得た。
【００２２】（５）パッケージ基板５におけるフリップ
チップ実装用パッド６上にスプレー方式のフラクサー
（九州松下電気（株）製）を用いて、２００×３００ｍ
ｍ2 の面積に量が均一になるように６ｇの半田フラック
ス７を塗布形成した。なお、パッケージ基板５は、絶縁
基材８を有し、その絶縁基材８上面にはフリップチップ
を実装するためのフリップチップ実装用パッド６が形成
されているとともに、その下面にはＬＧＡ（LAND GRID
ARRAY ）ランド９が形成されている。このフリップチッ
プ実装用パッド６は、内層パターン１０と接続されたバ
イアホールから構成されている。また、このパッケージ
基板５は、フルアディティブ法により製造されたもので
あり、パッケージ基板５にはその上面に無電解めっき処
理時に必要なめっきレジスト層１１が、まためっきレジ
スト層１１上にはソルダーレジスト層１２が形成されて
いる。
チップ実装用パッド６上にスプレー方式のフラクサー
（九州松下電気（株）製）を用いて、２００×３００ｍ
ｍ2 の面積に量が均一になるように６ｇの半田フラック
ス７を塗布形成した。なお、パッケージ基板５は、絶縁
基材８を有し、その絶縁基材８上面にはフリップチップ
を実装するためのフリップチップ実装用パッド６が形成
されているとともに、その下面にはＬＧＡ（LAND GRID
ARRAY ）ランド９が形成されている。このフリップチッ
プ実装用パッド６は、内層パターン１０と接続されたバ
イアホールから構成されている。また、このパッケージ
基板５は、フルアディティブ法により製造されたもので
あり、パッケージ基板５にはその上面に無電解めっき処
理時に必要なめっきレジスト層１１が、まためっきレジ
スト層１１上にはソルダーレジスト層１２が形成されて
いる。
【００２３】（６）パッケージ基板５のフリップチップ
実装用パッド６と半田層３の位置が一致するように位置
合わせしながら、前記（３）で得られた半田バンプ形成
基板４をパッケージ基板５上に載置した。 （７）さらに、１バンプあたり１．２ｍｇの荷重をかけ
るため、１４３０バンプに対して１．７ｇのガラス製の
重し１３を半田バンプ形成基板４の上面に重しを載置
し、窒素雰囲気下でパッケージ基板５を２３０℃に加熱
した。
実装用パッド６と半田層３の位置が一致するように位置
合わせしながら、前記（３）で得られた半田バンプ形成
基板４をパッケージ基板５上に載置した。 （７）さらに、１バンプあたり１．２ｍｇの荷重をかけ
るため、１４３０バンプに対して１．７ｇのガラス製の
重し１３を半田バンプ形成基板４の上面に重しを載置
し、窒素雰囲気下でパッケージ基板５を２３０℃に加熱
した。
【００２４】（８）半田バンプ形成基板４をパッケージ
基板５から剥離すると、半田層３は半田バンプ形成基板
４から離れ、フリップチップ実装用パッド６上に転写さ
れた。 （９）パッケージ基板５を２１０℃に加熱して半田層３
を溶融し、球面形状の半田バンプ１４を形成した。得ら
れた半田バンプの径および体積は均一で良好なものであ
った。
基板５から剥離すると、半田層３は半田バンプ形成基板
４から離れ、フリップチップ実装用パッド６上に転写さ
れた。 （９）パッケージ基板５を２１０℃に加熱して半田層３
を溶融し、球面形状の半田バンプ１４を形成した。得ら
れた半田バンプの径および体積は均一で良好なものであ
った。
【００２５】実施例２ 実施例１の（３）の工程において電解半田めっきの代わ
りに無電解半田めっきを行ったこと以外は、実施例１と
同様にして行った。なお、無電解半田めっきには下記の
組成を有する無電解半田めっき浴を使用し、めっき浴の
温度は５０℃、めっき浸漬時間は１時間であった。 チオ尿素 ：１．３モル／リットル ホウフッ化スズ ：０．３モル／リットル ホウ酸 ：０．３モル／リットル 酢酸鉛 ：０．０４モル／リットル 塩化第一スズ ：０．１モル／リットル ペプトン ：２ｇ／リットル アルキルナフタリンスルフォン酸ナトリウム（ネオカー
ルＢＸコンク、明成化学工業（株）製）：０．２ｇ／リ
ットル ポリオキシエチレンアルキルエーテル（ニッコールＢ
型、日本サーファクタント工業（株）製）：１モル／リ
ットル ｐＨ ：０．６３ 得られた半田バンプの径および体積は均一で良好なもの
であった。
りに無電解半田めっきを行ったこと以外は、実施例１と
同様にして行った。なお、無電解半田めっきには下記の
組成を有する無電解半田めっき浴を使用し、めっき浴の
温度は５０℃、めっき浸漬時間は１時間であった。 チオ尿素 ：１．３モル／リットル ホウフッ化スズ ：０．３モル／リットル ホウ酸 ：０．３モル／リットル 酢酸鉛 ：０．０４モル／リットル 塩化第一スズ ：０．１モル／リットル ペプトン ：２ｇ／リットル アルキルナフタリンスルフォン酸ナトリウム（ネオカー
ルＢＸコンク、明成化学工業（株）製）：０．２ｇ／リ
ットル ポリオキシエチレンアルキルエーテル（ニッコールＢ
型、日本サーファクタント工業（株）製）：１モル／リ
ットル ｐＨ ：０．６３ 得られた半田バンプの径および体積は均一で良好なもの
であった。
【００２６】
【発明の効果】本発明により、均一な径および体積を持
つ半田バンプを、高確率で簡易に形成することができる
半田バンプ形成基板を提供することが可能となった。
つ半田バンプを、高確率で簡易に形成することができる
半田バンプ形成基板を提供することが可能となった。
【図１】図１は、本発明の半田バンプ形成基板の製造方
法を示す概略図であり、実施例１に対応するものであ
る。
法を示す概略図であり、実施例１に対応するものであ
る。
【図２】図２は、本発明の半田バンプ形成基板を用いる
半田バンプ形成方法を示す概略図であり、実施例１に対
応するものである。
半田バンプ形成方法を示す概略図であり、実施例１に対
応するものである。
１ 金属基板 ２ 樹脂層 ３ 半田層 ４ 半田バンプ形成基板 ５ パッケージ基板 ６ フリップチップ実装用パッド ７ 半田フラックス ８ 絶縁基材 ９ ＬＧＡ（LAND GRID ARRAY ）ランド １０ 内層パターン １１ めっきレジスト層 １２ ソルダーレジスト層 １３ 重し １４ 半田バンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 金属基板上に樹脂層を形成し、レーザー
光を用いて該樹脂層の所定の位置に該樹脂層の貫通孔を
形成し、次いでその貫通孔に半田層を形成した後、樹脂
層を剥離することを特徴とする半田バンプ形成基板の製
造方法。 - 【請求項２】 金属基板が、鉄、ニッケル、銅、および
クロムよりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属で
あることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8271877A JPH1098257A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 半田バンプ形成基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8271877A JPH1098257A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 半田バンプ形成基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098257A true JPH1098257A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17506154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8271877A Pending JPH1098257A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 半田バンプ形成基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1098257A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6375064B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-04-23 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of forming projecting electrodes and method of manufacturing semiconductor device provided with projecting electrodes |
| US6432807B1 (en) | 1999-06-10 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Method of forming solder bumps on a semiconductor device using bump transfer plate |
| US6677229B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-01-13 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Solder bump transfer sheet, method for producing the same, and methods for fabricating semiconductor device and printed board |
| JP2006114735A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Harima Chem Inc | 樹脂マスク層の除去方法およびはんだバンプ付き基板の製造方法 |
| JP2007005471A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 回路基板装置 |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP8271877A patent/JPH1098257A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6375064B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-04-23 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of forming projecting electrodes and method of manufacturing semiconductor device provided with projecting electrodes |
| US6432807B1 (en) | 1999-06-10 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Method of forming solder bumps on a semiconductor device using bump transfer plate |
| US6677229B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-01-13 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Solder bump transfer sheet, method for producing the same, and methods for fabricating semiconductor device and printed board |
| US6943102B2 (en) | 2000-10-20 | 2005-09-13 | Neomax Co., Ltd. | Solder bump transfer sheet, method for producing the same, and methods for fabricating semiconductor device and printed board |
| JP2006114735A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Harima Chem Inc | 樹脂マスク層の除去方法およびはんだバンプ付き基板の製造方法 |
| KR101143071B1 (ko) | 2004-10-15 | 2012-05-08 | 하리마 카세이 가부시키가이샤 | 수지 마스크 층의 제거 방법 및 납땜 범프 기판의 제조 방법 |
| JP2007005471A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 回路基板装置 |
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