JPH1094510A

JPH1094510A - 食器洗浄器

Info

Publication number: JPH1094510A
Application number: JP8271740A
Authority: JP
Inventors: Masakazu Kogo; 雅一古後
Original assignee: Toto Ltd
Current assignee: Toto Ltd
Priority date: 1996-09-21
Filing date: 1996-09-21
Publication date: 1998-04-14

Abstract

(57)【要約】【課題】洗浄槽や扉の清浄性、防曇性さらには抗菌性
に優れた食器洗浄器を提供する。【解決手段】本発明の食器洗浄器１は、食器３１を入
れる洗浄槽１０と、扉２５と、洗浄水を噴射する手段２
と、を備える。洗浄槽１０内面に光半導体含有層が形成
されているとともに、洗浄槽１０内には、該光半導体含
有層に紫外線を照射する紫外線ランプ２１が設けられて
いる。また、ガラス製の扉２５の内面及び外面に光半導
体含有層が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、食器を洗浄するた
めの食器洗浄器に関する。特には、洗浄槽や扉の清浄
性、防曇性さらには抗菌性に優れた食器洗浄器に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】食器洗浄器は、食器を入れる洗浄槽と、
この洗浄槽に食器を出し入れする扉と、洗浄槽内の食器
に洗浄水を噴射する手段と、を備える。さらに食器を乾
燥させるための送風手段を備えるものが多い。その洗浄
槽や扉は、ステンレス鋼板や合成樹脂製あるいはガラス
製のものが多い。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記食器洗浄器の洗浄
槽の表面は、汚れが落ち易いことが求められる。また、
扉にガラス等の透明部材がはめ込まれているものでは、
このガラスが曇らず、洗浄槽内を見易いことが求められ
る。さらに、洗浄槽表面で雑菌が繁殖しないような抗菌
性があればより好ましいことである。本発明は、洗浄槽
や扉の清浄性、防曇性さらには抗菌性に優れた食器洗浄
器を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１態様の食器洗浄器は、食器を入れる洗
浄槽と、この洗浄槽に食器を出し入れする扉と、洗浄槽
内の食器に洗浄水を噴射する手段と、を備える食器洗浄
器であって；洗浄槽内面に光半導体含有層が形成され
ているとともに、洗浄槽内には、該光半導体含有層に
紫外線を照射する紫外線ランプが設けられていることを
特徴とする。

【０００５】光半導体含有層は、該光半導体の光励起に
応じて、詳しくは後述するように、高度の親水性や抗菌
性を発揮する。表面が高度の親水性を呈すると、その表
面には汚れが付きにくい、あるいは、汚れが落ち易いと
いう特性が生まれる。さらに、部材表面に細い水滴が生
じず水は薄い水膜となって広がるため、部材が曇らない
という防曇性も発揮する。

【０００６】本発明の第２態様の食器洗浄器は、食器を
入れる洗浄槽と、この洗浄槽に食器を出し入れする扉
と、洗浄槽内の食器に洗浄水を噴射する手段と、を備え
る食器洗浄器であって；扉が透明部材を含み、該透
明部材の内面及び／又は外面に光半導体含有層が形成さ
れていることを特徴とする。この態様の食器洗浄器にお
いても、上述と同様に、透明部材の防曇性及び清浄性が
得られる。なお、この態様においては、光半導体の光励
起用の光源は、室内照明によることもできる。

【０００７】光半導体含有層と親水性との関係について
説明する。本発明者らは、ＰＣＴ／ＪＰ９６／００７３
３号において、以下の知見について記載した。すなわ
ち、基材表面に光半導体含有層を形成すると、光半導体
の光励起に応じて前記層表面が、水との接触角に換算し
て１０°以下という高度の親水性を呈することを見出
し、さらにそれによりガラス、レンズ、鏡等の透明部材
の防曇・視界確保性向上、物品表面の水洗浄性・降雨洗
浄性向上等の効果が得られることを見出した。

【０００８】この現象は以下に示す機構により進行する
と考えられる。すなわち、光半導体の価電子帯上端と伝
導帯下端とのエネルギーギャップ以上のエネルギーを有
する光が光半導体に照射されると、光半導体の価電子帯
中の電子が励起されて伝導電子と正孔が生成し、そのい
ずれか又は双方の作用により、おそらく表面に極性が付
与され、水や水酸基等の極性成分が集められる。そして
伝導電子と正孔のいずれか又は双方と、上記極性成分と
の協調的な作用により、表面と前記表面に化学的に吸着
した汚染物質との化学結合を切断するとともに、表面に
化学吸着水が吸着し、さらに物理吸着水層がその上に形
成されるのである。また、一旦部材表面が高度に親水化
されたならば、部材を暗所に保持しても、表面の親水性
はある程度の期間持続する。

【０００９】

【発明の実施の形態】親水性とは、表面に水を滴下した
ときになじみやすい性質をいい、一般的に水濡れ角が９
０°未満の状態をいう。本発明における高度な親水性と
は、表面が水を滴下したときに非常になじみやすく、水
滴を形成せずにむしろ水膜化してしまう性質をいい、よ
り具体的には、水濡れ角（水との接触角）が１０°以
下、好ましくは５°以下となる状態をいう。

【００１０】光半導体とは、その結晶の伝導電子帯と価
電子帯との間のエネルギーギャップよりも大きなエネル
ギー（すなわち短い波長）の光（励起光）を照射したと
きに、価電子帯中の電子の励起（光励起）が生じて、伝
導電子と正孔を生成しうる物質をいい、例えば、アナタ
ーゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、酸化錫、酸化
亜鉛、三酸化二ビスマス、三酸化タングステン、酸化第
二鉄、チタン酸ストロンチウム等が好適に利用できる。

【００１１】光半導体の光励起に用いる光源としては、
蛍光灯、白熱電灯、メタルハライドランプ、水銀ランプ
のような室内照明、太陽、それらの光源からの光を低損
失のファイバーで誘導した光源等が好適に利用できる。

【００１２】光半導体含有層には、シリカ、固体超強
酸、シリコーンのうちの１種以上が含有されていること
が望ましい。シリカ、固体超強酸が含有されていると、
より低い励起光照度で高度の親水性を呈しやすく、かつ
その状態をかなり長期にわたり維持できる。シリコーン
が含有されていても、光半導体の光励起によりシリコー
ン中のシリコン原子に結合する有機基の少なくとも一部
が水酸基に置換される。そして一旦水酸基に置換される
と、シリカ添加の場合と同様に低い励起光照度で高度の
親水性を呈しやすく、かつその状態をかなり長期にわた
り維持できる。

【００１３】ここで超強酸とは、ハメットの酸度関数Ｈ
ｏ≦−１１．９３なる固体酸化物を構成要素に含む強酸
をいい、具体的には、硫酸担持Ａｌ₂ Ｏ₃ 、硫酸担持Ｔ
ｉＯ₂ 、硫酸担持ＺｒＯ₂ 、硫酸担持Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、硫酸
担持ＳｉＯ₂ 、硫酸担持ＨｆＯ₂ 、ＴｉＯ₂ ／ＷＯ₃ 、
ＷＯ₃ ／ＳｎＯ₂ 、ＷＯ₃ ／ＺｒＯ₂ 、ＷＯ₃ ／Ｆｅ₂
Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ ・Ａｌ₂ Ｏ₃ 等が好適に利用できる。

【００１４】また、シリコーンとしては、ポリオルガノ
シロキサンなら全般的に利用できるが、例えば、メチル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチ
ルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、
エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラ
ン、エチルトリプロポキシシラン、エチルトリブトキシ
シラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエ
トキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、フェニ
ルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジ
メチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラ
ン、ジメチルジブトキシシラン、ジエチルジメトキシシ
ラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキ
シシラン、ジエチルジブトキシシラン、フェニルメチル
ジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、
フェニルメチルジプロポキシシラン、フェニルメチルジ
ブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、及びそれらの加水分解物、加水分解後部分縮
重合したもの、それらの混合物等を前駆体として、必要
に応じて加水分解し、脱水縮重合したもの等が好適に利
用できる。

【００１５】光半導体含有層の膜厚は、０．４μm 以下
にするのが好ましい。そうすれば、光の乱反射による白
濁を防止することができ、光半導体含有層は実質的に透
明となる。さらに、光半導体含有層の膜厚を、０．２μ
m 以下にすると一層好ましい。そうすれば、光の干渉に
よる層の発色を防止することができる。また、光半導体
含有層は薄ければ薄いほどその透明度は向上する。さら
に、膜厚を薄くすれば、層の耐摩耗性が向上する。上記
表面層の表面に、さらにシリカ、アルミナ、シリコー
ン、固体超強酸等の親水化可能な耐摩耗性又は耐食性の
保護層や他の機能膜を設けてもよい。

【００１６】上記光半導体含有層には、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚ
ｎのような金属を添加することができる。前記金属を添
加した層は、暗所においても表面に付着した細菌を死滅
させることができる。さらに、この層は、黴、藻、苔の
ような微生物の成長を抑制する。したがって、微生物起
因による汚れ付着が抑制される。光半導体含有層にＡ
ｇ、Ｃｕ、又はＺｎをドーピングするためには、光半導
体粒子の懸濁液にこれらの金属の可溶性塩を添加し、得
られた溶液を用いて光半導体性コーティングを形成する
ことができる。あるいは、光半導体性コーティングを形
成後、これらの金属の可溶性塩を塗布し、光照射により
光還元析出させてもよい。

【００１７】上記光半導体含有層には、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒのような白金族金属を添加するこ
とができる。前記金属を添加した層は、光半導体の光半
導体作用による酸化反応活性を増強させることができ、
表面に付着した汚れの分解除去や、屋内空気の脱臭浄化
作用、屋外空気中に含有される汚染物質の分解浄化作用
等が向上する。添加方法は上述の光還元析出や可溶性塩
の添加によることができる。

【００１８】本発明の食器洗浄器の洗浄槽等の基体を構
成する材料は、金属材料；鉄、ステンレス、アルミニウム合金、チタン
合金、ＦＲＰ；ガラス繊維強化、炭素繊維強化、ポリアミド繊
維強化、エポキシ系、不飽和ポリエステル系、プラスチックス；ポリプロピレン、ウレタン、ＡＢＳ、
ナイロン、ポリカーボネート、塗装材；ポリエチレン、ガラス等を含む。

【００１９】ここで上記食器洗浄器の洗浄槽等が、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｏの少なくとも１種を含有する金属材料か
らなる基体の場合は、上記光半導体含有層が、該基体表
面に、上記金属の原子の拡散を防止する層を介して形成
される。

【００２０】本発明者らの実験によれば、光半導体を含
有する表面層にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅが添加されると、光半
導体の光励起による親水化作用が著しく低下してしまう
ことが判明した。そこでＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ原子の表面層
への拡散を防止する層を設けることにより、光半導体を
含有する表面層はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ原子の影響を受けな
くなり、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ原子の少なくとも１種を含有
する基材上に固定した場合においても、光半導体の光励
起による親水化作用が充分に発揮され、したがって物品
表面の水洗浄性・降雨洗浄性向上等の効果が充分に発揮
されるようになる。

【００２１】Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ原子の少なくとも１種を
含有する基材とは、例えばステンレス基材、炭素鋼、鋳
鉄、鋳物、強磁性材料等をさす。Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅの拡
散を防止する層は、例えば、下地の色を意匠上活用した
い場合には、シリカ、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、
水ガラスなどのケイ酸化合物等の透明な材料が好適に利
用できる。

【００２２】またＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの拡散を防止する層
に、着色性の材料を用い、この層により意匠性を持たせ
てもよい。その場合には、釉薬；Ａｇ、ＰｔなどのＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅ以外の着色金属；等の材料が好適に利用
できる。Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅの拡散を防止する層の膜厚
は、０．０２μm 以上であるのが好ましい。そうすれ
ば、基材から表面層へのＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの拡散を有効
に防止できる。

【００２３】次に、表面層の形成方法について説明す
る。まず、表面層が光半導体のみからなる場合の製法に
ついて、光半導体がアナターゼ型酸化チタンの場合を例
にとり説明する。この場合の方法は、大別して３つの方
法がある。１つの方法はゾル塗布焼成法であり、他の方
法は有機チタネート法であり、他の方法は電子ビーム蒸
着法である。（１）ゾル塗布焼成法アナターゼ型酸化チタンゾルを、基材表面に、スプレー
コーティング法、ディップコーティング法、フローコー
ティング法、スピンコーティング法、ロールコーティン
グ法等の方法で塗布し、焼成する。

【００２４】（２）有機チタネート法チタンアルコキシド（テトラエトキシチタン、テトラメ
トキシチタン、テトラプロポキシチタン、テトラブトキ
シチタン等）、チタンアセテート、チタンキレート等の
有機チタネートに加水分解抑制剤（塩酸、エチルアミン
等）を添加し、アルコール（エタノール、プロパノー
ル、ブタノール等）などの非水溶媒で希釈した後、部分
的に加水分解を進行させながら又は完全に加水分解を進
行させた後、混合物をスプレーコーティング法、ディッ
プコーティング法、フローコーティング法、スピンコー
ティング法、ロールコーティング法等の方法で塗布し、
乾燥させる。乾燥により、有機チタネートの加水分解が
完遂して水酸化チタンが生成し、水酸化チタンの脱水縮
重合により無定型酸化チタンの層が基材表面に形成され
る。その後、アナターゼの結晶化温度以上の温度で焼成
して、無定型酸化チタンをアナターゼ型酸化チタンに相
転移させる。

【００２５】（３）電子ビーム蒸着法酸化チタンのターゲットに電子ビームを照射することに
より、基材表面に無定型酸化チタンの層を形成する。そ
の後、アナターゼの結晶化温度以上の温度で焼成して、
無定型酸化チタンをアナターゼ型酸化チタンに相転移さ
せる。

【００２６】次に、表面層が光半導体とシリカからなる
場合について、光半導体がアナターゼ型酸化チタンの場
合を例にとり説明する。この場合の方法は、例えば、以
下の３つの方法がある。１つの方法はゾル塗布焼成法で
あり、他の方法は有機チタネート法であり、他の方法は
４官能性シラン法である。（１）ゾル塗布焼成法アナターゼ型酸化チタンゾルとシリカゾルとの混合液
を、基材表面にスプレーコーティング法、ディップコー
ティング法、フローコーティング法、スピンコーティン
グ法、ロールコーティング法等の方法で塗布し、焼成す
る。

【００２７】（２）有機チタネート法チタンアルコキシド（テトラエトキシチタン、テトラメ
トキシチタン、テトラプロポキシチタン、テトラブトキ
シチタン等）、チタンアセテート、チタンキレート等の
有機チタネートに加水分解抑制剤（塩酸、エチルアミン
等）とシリカゾルを添加し、アルコール（エタノール、
プロパノール、ブタノール等）などの非水溶媒で希釈し
た後、部分的に加水分解を進行させながら又は完全に加
水分解を進行させた後、混合物をスプレーコーティング
法、ディップコーティング法、フローコーティング法、
スピンコーティング法、ロールコーティング法等の方法
で塗布し、乾燥させる。乾燥により、有機チタネートの
加水分解が完遂して水酸化チタンが生成し、水酸化チタ
ンの脱水縮重合により無定型酸化チタンの層が基材表面
に形成される。その後、アナターゼの結晶化温度以上の
温度で焼成して、無定型酸化チタンをアナターゼ型酸化
チタンに相転移させる。

【００２８】（３）４官能性シラン法テトラアルコキシシラン（テトラエトキシシラン、テト
ラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラメ
トキシシラン等）とアナターゼ型酸化チタンゾルとの混
合物を基材の表面にスプレーコーティング法、ディップ
コーティング法、フローコーティング法、スピンコーテ
ィング法、ロールコーティング法等の方法で塗布し、必
要に応じて加水分解させてシラノールを形成した後、加
熱等の方法でシラノールを脱水縮重合に付す。

【００２９】次に、表面層が光半導体と固体酸からなる
場合について、光半導体がアナターゼ型酸化チタン、固
体酸がＴｉＯ₂ ／ＷＯ₃ の場合を例にとり説明する。こ
の場合の方法は、タングステン酸のアンモニア溶解液と
アナターゼ型酸化チタンゾルとを混合し、必要に応じて
希釈液（水、エタノール等）で希釈した混合物を基材の
表面にスプレーコーティング法、ディップコーティング
法、フローコーティング法、スピンコーティング法、ロ
ールコーティング法等の方法で塗布し、焼成する。

【００３０】次に、表面層が光半導体とシリコーンから
なる場合について、光半導体がアナターゼ型酸化チタン
の場合を例にとり説明する。この場合の方法は、未硬化
の若しくは部分的に硬化したシリコーン又はシリコーン
の前駆体からなる塗料とアナターゼ型酸化チタンゾルと
を混合し、シリコーンの前駆体を必要に応じて加水分解
させた後、混合物を基材の表面にスプレーコーティング
法、ディップコーティング法、フローコーティング法、
スピンコーティング法、ロールコーティング法等の方法
で塗布し、加熱等の方法でシリコーンの前駆体の加水分
解物を脱水縮重合に付して、アナターゼ型酸化チタン粒
子とシリコーンからなる表面層を形成する。形成された
表面層は、紫外線を含む光の照射によりアナターゼ型酸
化チタンが光励起されることにより、シリコーン分子中
のケイ素原子に結合した有機基の少なくとも一部を水酸
基に置換され、さらにその上に物理吸着水層が形成され
て、高度の親水性を呈する。ここでシリコーンの前駆体
には前述の物質を用いることができる。

【００３１】上記光半導体含有層を透明部材の表面に形
成する場合には、該光半導体含有層は、基材と比較して
屈折率があまり高くないのが好ましい。好ましくは光半
導体含有層の屈折率は２以下であるのがよい。そうすれ
ば、基材と光半導体含有層との界面、及び光半導体含有
層と空気との界面における光の反射を抑制できる。光半
導体含有層の屈折率を２以下にするには、光半導体に２
以下の屈折率を有する物質を用いるか、あるいは光半導
体が屈折率２以上の場合には、屈折率２以下の他の物質
を光半導体含有層に添加する。２以下の屈折率を有する
光半導体としては、酸化錫（屈折率１．９）等が利用で
きる。２以上の屈折率を有する光半導体には、アナター
ゼ型酸化チタン（屈折率２．５）やルチル型酸化チタン
（屈折率２．７）があるが、この場合には屈折率２以下
の他の物質、例えば、炭酸カルシウム（屈折率１．
６）、水酸化カルシウム（屈折率１．６）、炭酸マグネ
シウム（屈折率１．５）、炭酸ストロンチウム（屈折率
１．５）、ドロマイト（屈折率１．７）、フッ化カルシ
ウム（屈折率１．４）、フッ化マグネシウム（屈折率
１．４）、シリカ（屈折率１．５）、アルミナ（屈折率
１．６）、ケイ砂（屈折率１．６）、モンモリロナイト
（屈折率１．５）、カオリン（屈折率１．６）、セリサ
イト（屈折率１．６）、ゼオライト（屈折率１．５）、
酸化錫（屈折率１．９）等を光半導体含有層に添加すれ
ばよい。

【００３２】基材がナトリウムのようなアルカリ網目修
飾イオンを含むガラス（ソーダライムガラス、並板ガラ
ス等）の場合には、基材と光半導体含有層との間にシリ
カ等の中間層を形成してもよい。そうすれば、焼成中に
アルカリ網目修飾イオンが基材から光半導体含有層へ拡
散するのが防止され、光半導体機能がよりよく発揮され
る。

【００３３】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
本発明の１実施例に係る食器洗浄器の全体構造を示す図
である。（Ａ）は外観を示す斜視図であり、（Ｂ）は内
部構造を示す断面図である。図１（Ａ）に示されている
ように、食器洗浄器１は四角い箱状をしており、その前
面にはガラス製の扉２５が設けられている。この扉２５
は、後述する手法によりその内外面に光半導体含有層が
形成されている。

【００３４】食器洗浄器１内には、洗浄槽１０と、洗浄
手段２と、乾燥手段３が設けられている。洗浄槽１０の
内面には、後述する手法により光半導体含有層が形成さ
れている。洗浄槽１０の上部には、紫外線ランプ２１が
取り付けられており、洗浄槽１０内及び扉２５の裏面に
紫外線を照射する。紫外線照射は、食器洗浄器を使用し
ておらず、かつ扉２５が閉じているときに所定時間行
う。

【００３５】浄手段２は、洗浄槽１０内の上下に設けら
れる洗浄ノズル１１と、ポンプ１２と、洗浄ノズル１１
とポンプ１２とを接続する配管１３とを備えており、ポ
ンプ１２により洗浄水を洗浄ノズル１１に圧送し、洗浄
ノズル１１から洗浄水を噴出し、洗浄槽１０内の網かご
１４に収容された食器３１類を洗浄することができる。
また、洗浄の際に発生する排水は、洗浄槽１０の底面に
形成される排水部６から排水することができる。乾燥手
段３は、洗浄槽１０の一側面を二重にして形成されるダ
クト１５と、洗浄槽１０の内部下端側に位置するようダ
クト１５に形成される送風口１６と、送風口１６に接続
される送風機１７と、洗浄槽１０上端部に形成される排
気口１８とを備えており、送風機１７により湿風をダク
ト１５に送風し、送風口１６から湿風を吹き出し、湿っ
た空気を排気口１８から排出し、洗浄後の食器１類を乾
燥することができる。また、乾燥の際に発生する排水
は、洗浄槽１０の底面に形成される排水部６から排水す
ることができる。

【００３６】ステンレス板への光半導体含有層の形成エタノールの溶媒８６重量部に、テトラエトキシシラン
（和光純薬）６重量部と純水６重量部とテトラエトキシ
シランの加水分解抑制剤として３６％塩酸２重量部を加
えて混合し、シリカコーティング溶液を調製した。この
溶液をフローコーティング法により１０cm四角のステン
レス板の表面に塗布し、８０℃の温度で乾燥させた。乾
燥に伴い、テトラエトキシシランは加水分解を受けてま
ずシラノールになり、続いてシラノールの脱水縮重合に
より、無定型シリカの薄膜がステンレス板の表面に形成
された。

【００３７】次に、テトラエトキシチタン（Ｍｅｒｃ
ｋ）１重量部とエタノール９重量部との混合物に加水分
解抑制剤として３６％塩酸０．１重量部添加して酸化チ
タンコーティング溶液を調製し、この溶液を上記無定型
シリカの薄膜に乾燥空気中でフローコーティング法によ
り塗布した。塗布量は酸化チタンに換算して４５μg/cm
² とした。テトラエトキシチタンの加水分解速度は極め
て早いので、塗布の段階でテトラエトキシチタンの一部
は加水分解され、水酸化チタンが生成し始めた。

【００３８】次に、このステンレス板を１〜１０分間約
１５０℃の温度に保持することにより、テトラエトキシ
チタンの加水分解を完了させるとともに、生成した水酸
化チタンを脱水縮重合に付し、無定型酸化チタンがコー
ティングされたステンレス板を得た。この試料を５００
℃の温度で焼成して、無定型酸化チタンをアナターゼ型
酸化チタンに結晶化させて、光半導体含有層を有する試
料を得た。

【００３９】この試料と、比較のためステンレス板につ
いて、以下の２つの評価を行った。（１）紫外線照射時の表面親水性回復性能の評価試料表面にオレイン酸を塗布し、中性洗剤（ママレモ
ン）でこすり、水道水及び蒸留水で濯いだ後、乾燥器に
より５０℃で３０分乾燥させることにより、表面を故意
に汚染させ、その後、ＢＬＢ蛍光灯を０．５mW/cm²で５
時間照射して試料表面の水との接触角の変化を調べた。
その結果、ステンレス板では、汚染後及びＢＬＢ蛍光灯
照射後の水との接触角は共に７０°と変化が認められな
かったのに対し、光半導体含有層を形成した試料では、
汚染後５０°であった水との接触角は、ＢＬＢ蛍光灯照
射後にはほぼ０°まで高度に親水化された。

【００４０】（２）オレイン酸の水浸漬洗浄効果（１）の試験で使用した試料表面に、オレイン酸を塗布
し、試料表面を水平姿勢に保持しながら、試料を水槽に
満たした水の中に浸漬した。その結果。ステンレス板で
は、オレイン酸は試料の表面に付着したままであり、水
中で軽く指でこすっても油が試料上で延びるだけであっ
たのに対し、光半導体含有層を形成した試料では、オレ
イン酸は丸まって油滴状になり、水中で軽く指でこする
程度で、試料表面から釈放されて浮上した。

【００４１】ガラス板への光半導体含有層の形成テトラエトキシシラン（和光純薬）０．６９ｇとアナタ
ーゼ型酸化チタンゾル（日産化学、ＴＡ−１５、平均粒
径１０nm）１．０７ｇとエタノール２９．８８ｇと、純
水０．３６ｇを混合し、コーティング液を調製した。こ
のコーティング液をフローコーティング法により、１０
cm角のガラス基材上に塗布した。このガラス板を約２０
分間約１５０℃の温度に保持することにより、テトラエ
トキシシランを加水分解と脱水縮重合に付し、アナター
ゼ型酸化チタン粒子が無定型シリカで結着されたコーテ
ィングをガラス板表面に形成した。このコーティング中
の酸化チタンとシリカとの重量比は１であった。

【００４２】このガラス板を数日間暗所に放置した後、
紫外線光源（三共電気、ブラックライトブルー（ＢＬ
Ｂ）蛍光灯）を用いて試料の表面に０．５mW/cm²の紫外
線照度で約１時間紫外線を照射し、＃１試料を得た。比
較のため、１０cm角のガラス板を数日間暗所に放置した
＃２試料も準備した。

【００４３】まず、＃１試料と＃２試料に水滴を滴下
し、滴下後の様子の観察及び水との接触角の測定を行っ
た。ここで水との接触角は接触角測定器（協和界面科
学、ＣＡ−Ｘ１５０）を用い、滴下後３０秒後の水との
接触角で評価した。その結果＃１試料はマイクロシリン
ジから試料表面に水滴を滴下されると、水滴が一様に水
膜状に試料表面を拡がる様子が観察された。また３０秒
後の水との接触角は約０°まで高度に親水化されてい
た。それに対し、＃２試料ではマイクロシリンジから試
料表面に水滴を滴下されると、水滴は表面になじんでい
くものの、一様に水膜状になるまでには至らなかった。
また３０秒後の水との接触角は３０°であった。

【００４４】次に、＃１試料と＃２試料に息を吹きかけ
曇り発生の有無を調べた。その結果＃２試料では曇りが
生じたのに対し、＃１試料では曇りは生じなかった。さ
らに、＃１試料を、その後２日間暗所に放置し、＃３試
料を得た。そして＃３試料について、同様に水との接触
角を接触角測定器により測定した。その結果、＃３試料
にマイクロシリンジから試料表面に水滴を滴下される
と、＃１試料と同様に、水滴が一様に水膜状に試料表面
を拡がる様子が観察された。また水との接触角は約３°
に維持された。次に＃３試料について息を吹きかけた後
の曇り発生の有無を観察した。その結果、曇りは観察さ
れなかった。

【００４５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の第１態様の食器洗浄器は、洗浄槽内面に光半導体含有
層が形成されているため、洗浄槽の清浄性や抗菌性に優
れる。また、本発明の第２態様の食器洗浄器は、扉の透
明部材に光半導体含有層が形成されているため、透明部
材が曇りにくく洗浄槽内がよく見える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例に係る食器洗浄器の全体構造
を示す図である。（Ａ）は外観を示す斜視図であり、
（Ｂ）は内部構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１食器洗浄器２洗浄手段３乾燥手段６排水部１０洗浄槽１１洗浄ノズル１２ポンプ１３配管１４網かご１５ダクト１６送風口１７送風機１８排気口２１紫外線ラン
プ２５扉３１食器

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【手続補正書】

【提出日】平成８年１０月３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】食器を入れる洗浄槽と、この洗浄槽に食
器を出し入れする扉と、洗浄槽内の食器に洗浄水を噴射
する手段と、を備える食器洗浄器であって；洗浄槽内面
に光半導体含有層が形成されているとともに、洗浄槽内には、光半導体含有層に紫外線を照射する紫外
線ランプが設けられていることを特徴とする食器洗浄
器。
【請求項２】食器を入れる洗浄槽と、この洗浄槽に食
器を出し入れする扉と、洗浄槽内の食器に洗浄水を噴射
する手段と、を備える食器洗浄器であって；扉が透明部
材を含み、該透明部材の内面及び／又は外面に光半導体含有層が形
成されていることを特徴とする食器洗浄器。
【請求項３】上記光半導体含有層の表面が高度の親水
性を示すことを特徴とする請求項１又は２記載の食器洗
浄器。
【請求項４】上記光半導体含有層が、さらに、シリ
カ、固体超強酸、シリコーンのうちの少なくとも１種を
含有することを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記
載の食器洗浄器。
【請求項５】上記親水性の程度が水との接触角に換算
して１０°以下であることを特徴とする請求項１〜４い
ずれか１項記載の食器洗浄器。
【請求項６】上記親水性の程度が水との接触角に換算
して５°以下であることを特徴とする請求項１〜４いず
れか１項記載の食器洗浄器。
【請求項７】上記食器洗浄器の洗浄槽が、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏの少なくとも１種を含有する金属材料からなる
基体を有し、上記光半導体含有層が、該基体表面に、上記金属の原子
の拡散を防止する層を介して形成されていることを特徴
とする請求項１〜６いずれか１項記載の食器洗浄器。
【請求項８】上記光半導体含有層がＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ
の１種以上を含むことを特徴とする請求項１〜７いずれ
か１項記載の食器洗浄器。