JPH1094483A

JPH1094483A - ポット

Info

Publication number: JPH1094483A
Application number: JP27176696A
Authority: JP
Inventors: Masakazu Kogo; 雅一古後
Original assignee: Toto Ltd
Current assignee: Toto Ltd
Priority date: 1996-09-21
Filing date: 1996-09-21
Publication date: 1998-04-14

Abstract

(57)【要約】【課題】水切れがよく洗浄しやすいポットを提供す
る。【解決手段】本発明のポット（電気湯沸かしポットの
容器４１）の内面には、光半導体含有層が形成されてお
り、紫外線ランプ３９からの紫外線照射に対応して内面
が高度の親水性を呈する。そのため、内面についた水は
薄い膜となって水の流れがきわめて良好となり、水切れ
がよくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ヤカンやジャー、
魔法瓶、電気湯沸しポット等のポットに関する。特に
は、水切れがよく洗浄しやすいポットに関する。

【０００２】

【従来の技術】ポットの液体収容凹部は、一般に底が深
い。この凹部を形成するポットの本体（容器ともいう）
は、アルミニウムやステンレス等の金属、あるいはガラ
ス、プラスチック等でできている。その表面は、一部ア
ルマイト処理や樹脂コーティングが行われているが、大
部分は地肌のままである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ポットの中の水を取り
替える際やポット内を洗浄する際に、ポットの水切れが
悪いことが、経験により理解できる。特に深底の電気湯
沸しポットなどは、中に手を入れにくいのと、本体が重
くて倒したり手に持ったりしにくいため、水替えや洗浄
時に不便が多い。本発明は、水切れがよく洗浄しやすい
ポットを提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のポットは、液体を収容する凹部を有し、該
凹部の内面に光半導体含有層が形成されており、該光半
導体の光励起に対応して光半導体含有層表面が高度の親
水性を呈することを特徴とする。

【０００５】詳しくは後述するメカニズムにより、光半
導体含有層中の光半導体が光励起されると該層表面は高
度の親水性を呈する。そうなると、該表面についた水は
薄い膜となり、該表面上における水の流れはきわめて良
好となり、水切れがよくなる。また、表面が十分に親水
性であれば、疎水性の汚れ（油脂、カーボンブラック、
煤煙等）は、水の存在下ではポット表面に付着しない。
また、水が存在しない時に付着した汚れについても、水
を流せば汚れが落ちる。一方、親水性の汚れ（泥汚れ、
塵芥等）はポット表面に付着するが、水を流せば汚れが
落ちる。

【０００６】光半導体含有層と親水性との関係について
説明する。本発明者らは、ＰＣＴ／ＪＰ９６／００７３
３号において、以下の知見について記述した。すなわ
ち、基材表面に光半導体含有層を形成すると、光半導体
の光励起に応じて前記層表面が、水との接触角に換算し
て１０°以下という高度の親水性を呈することを見出
し、さらにそれによりガラス、レンズ、鏡等の透明部材
の防曇・視界確保性向上、物品表面の水洗浄性・降雨洗
浄性向上等の効果が得られることを見出した。

【０００７】この現象は以下に示す機構により進行する
と考えられる。すなわち、光半導体の価電子帯上端と伝
導帯下端とのエネルギーギャップ以上のエネルギーを有
する光が光半導体に照射されると、光半導体の価電子帯
中の電子が励起されて伝導電子と正孔が生成し、そのい
ずれか又は双方の作用により、おそらく表面に極性が付
与され、水や水酸基等の極性成分が集められる。そして
伝導電子と正孔のいずれか又は双方と、上記極性成分と
の協調的な作用により、表面と前記表面に化学的に吸着
した汚染物質との化学結合を切断するとともに、表面に
化学吸着水が吸着し、さらに物理吸着水層がその上に形
成されるのである。また、一旦部材表面が高度に親水化
されたならば、部材を暗所に保持しても、表面の親水性
はある程度の期間持続する。

【０００８】

【発明の実施の形態】親水性とは、表面に水を滴下した
ときになじみやすい性質をいい、一般的に水濡れ角が９
０°未満の状態をいう。本発明における高度な親水性と
は、表面が水を滴下したときに非常になじみやすく、水
滴を形成せずにむしろ水膜化してしまう性質をいい、よ
り具体的には、水濡れ角（水との接触角）が１０°以
下、好ましくは５°以下となる状態をいう。

【０００９】光半導体とは、その結晶の伝導電子帯と価
電子帯との間のエネルギーギャップよりも大きなエネル
ギー（すなわち短い波長）の光（励起光）を照射したと
きに、価電子帯中の電子の励起（光励起）が生じて、伝
導電子と正孔を生成しうる物質をいい、例えば、アナタ
ーゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、酸化錫、酸化
亜鉛、三酸化二ビスマス、三酸化タングステン、酸化第
二鉄、チタン酸ストロンチウム等が好適に利用できる。

【００１０】光半導体の光励起に用いる光源としては、
蛍光灯、白熱電灯、メタルハライドランプ、水銀ランプ
のような室内照明、太陽、それらの光源からの光を低損
失のファイバーで誘導した光源等が好適に利用できる。

【００１１】光半導体含有層には、シリカ、固体超強
酸、シリコーンのうちの１種以上が含有されていること
が望ましい。シリカ、固体超強酸が含有されていると、
より低い励起光照度で高度の親水性を呈しやすく、かつ
その状態をかなり長期にわたり維持できる。シリコーン
が含有されていても、光半導体の光励起によりシリコー
ン中のシリコン原子に結合する有機基の少なくとも一部
が水酸基に置換される。そして一旦水酸基に置換される
と、シリカ添加の場合と同様に低い励起光照度で高度の
親水性を呈しやすく、かつその状態をかなり長期にわた
り維持できる。

【００１２】ここで超強酸とは、ハメットの酸度関数Ｈ
ｏ≦−１１．９３なる固体酸化物を構成要素に含む強酸
をいい、具体的には、硫酸担持Ａｌ₂ Ｏ₃ 、硫酸担持Ｔ
ｉＯ₂ 、硫酸担持ＺｒＯ₂ 、硫酸担持Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、硫酸
担持ＳｉＯ₂ 、硫酸担持ＨｆＯ₂ 、ＴｉＯ₂ ／ＷＯ₃ 、
ＷＯ₃ ／ＳｎＯ₂ 、ＷＯ₃ ／ＺｒＯ₂ 、ＷＯ₃ ／Ｆｅ₂
Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ ・Ａｌ₂ Ｏ₃ 等が好適に利用できる。

【００１３】また、シリコーンとしては、ポリオルガノ
シロキサンなら全般的に利用できるが、例えば、メチル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチ
ルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、
エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラ
ン、エチルトリプロポキシシラン、エチルトリブトキシ
シラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエ
トキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、フェニ
ルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジ
メチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラ
ン、ジメチルジブトキシシラン、ジエチルジメトキシシ
ラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキ
シシラン、ジエチルジブトキシシラン、フェニルメチル
ジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、
フェニルメチルジプロポキシシラン、フェニルメチルジ
ブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、及びそれらの加水分解物、加水分解後部分縮
重合したもの、それらの混合物等を前駆体として、必要
に応じて加水分解し、脱水縮重合したもの等が好適に利
用できる。

【００１４】光半導体含有層の膜厚は、０．４μm 以下
にするのが好ましい。そうすれば、光の乱反射による白
濁を防止することができ、光半導体含有層は実質的に透
明となる。さらに、光半導体含有層の膜厚を、０．２μ
m 以下にすると一層好ましい。そうすれば、光の干渉に
よる層の発色を防止することができる。また、光半導体
含有層は薄ければ薄いほどその透明度は向上する。さら
に、膜厚を薄くすれば、層の耐摩耗性が向上する。上記
表面層の表面に、さらにシリカ、アルミナ、シリコー
ン、固体超強酸等の親水化可能な耐摩耗性又は耐食性の
保護層や他の機能膜を設けてもよい。

【００１５】上記光半導体含有層には、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚ
ｎのような金属を添加することができる。前記金属を添
加した層は、暗所においても表面に付着した細菌を死滅
させることができる。さらに、この層は、黴、藻、苔の
ような微生物の成長を抑制する。したがって、微生物起
因による汚れ付着が抑制される。光半導体含有層にＡ
ｇ、Ｃｕ、又はＺｎをドーピングするためには、光半導
体粒子の懸濁液にこれらの金属の可溶性塩を添加し、得
られた溶液を用いて光半導体性コーティングを形成する
ことができる。あるいは、光半導体性コーティングを形
成後、これらの金属の可溶性塩を塗布し、光照射により
光還元析出させてもよい。

【００１６】上記光半導体含有層には、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒのような白金族金属を添加するこ
とができる。前記金属を添加した層は、光半導体の光半
導体作用による酸化反応活性を増強させることができ、
該層表面に付着した汚れの分解除去や屋内空気の脱臭浄
化作用等が向上する。添加方法は上述の光還元析出や可
溶性塩の添加によることができる。

【００１７】本発明のポットの基体を構成する材料は、金属材料；鉄、ステンレス、アルミニウム合金、チタン
合金、ＦＲＰ；ガラス繊維強化、炭素繊維強化、ポリアミド繊
維強化、エポキシ系、不飽和ポリエステル系、プラスチックス；ポリプロピレン、ウレタン、ＡＢＳ、
ナイロン、アクリル、ポリカーボネート、塗装材；ポリエチレンガラス、等を含む。

【００１８】ここで上記ポットが、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの
少なくとも１種を含有する金属材料からなる基体を有す
る場合は、上記光半導体含有層が、該基体表面に、上記
金属の原子の拡散を防止する層を介して形成される。

【００１９】本発明者らの実験によれば、光半導体を含
有する表面層にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅが添加されると、光半
導体の光励起による親水化作用が著しく低下してしまう
ことが判明した。そこでＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ原子の表面層
への拡散を防止する層を設けることにより、光半導体を
含有する表面層はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ原子の影響を受けな
くなり、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ原子の少なくとも１種を含有
する基材上に固定した場合においても、光半導体の光励
起による親水化作用が充分に発揮され、したがって物品
表面の水洗浄性・降雨洗浄性向上等の効果が充分に発揮
されるようになる。

【００２０】Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ原子の少なくとも１種を
含有する基材とは、例えばステンレス基材、炭素鋼、鋳
鉄、鋳物、強磁性材料等をさす。Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅの拡
散を防止する層は、例えば、下地の色を意匠上活用した
い場合には、シリカ、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、
水ガラスなどのケイ酸化合物等の透明な材料が好適に利
用できる。

【００２１】またＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの拡散を防止する層
に、着色性の材料を用い、この層により意匠性を持たせ
てもよい。その場合には、釉薬；Ａｇ、ＰｔなどのＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅ以外の着色金属；等の材料が好適に利用
できる。Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅの拡散を防止する層の膜厚
は、０．０２μm 以上であるのが好ましい。そうすれ
ば、基材から表面層へのＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの拡散を有効
に防止できる。

【００２２】次に、表面層の形成方法について説明す
る。まず、表面層が光半導体のみからなる場合の製法に
ついて、光半導体がアナターゼ型酸化チタンの場合を例
にとり説明する。この場合の方法は、大別して３つの方
法がある。１つの方法はゾル塗布焼成法であり、他の方
法は有機チタネート法であり、他の方法は電子ビーム蒸
着法である。（１）ゾル塗布焼成法アナターゼ型酸化チタンゾルを、基材表面に、スプレー
コーティング法、ディップコーティング法、フローコー
ティング法、スピンコーティング法、ロールコーティン
グ法等の方法で塗布し、焼成する。

【００２３】（２）有機チタネート法チタンアルコキシド（テトラエトキシチタン、テトラメ
トキシチタン、テトラプロポキシチタン、テトラブトキ
シチタン等）、チタンアセテート、チタンキレート等の
有機チタネートに加水分解抑制剤（塩酸、エチルアミン
等）を添加し、アルコール（エタノール、プロパノー
ル、ブタノール等）などの非水溶媒で希釈した後、部分
的に加水分解を進行させながら又は完全に加水分解を進
行させた後、混合物をスプレーコーティング法、ディッ
プコーティング法、フローコーティング法、スピンコー
ティング法、ロールコーティング法等の方法で塗布し、
乾燥させる。乾燥により、有機チタネートの加水分解が
完遂して水酸化チタンが生成し、水酸化チタンの脱水縮
重合により無定型酸化チタンの層が基材表面に形成され
る。その後、アナターゼの結晶化温度以上の温度で焼成
して、無定型酸化チタンをアナターゼ型酸化チタンに相
転移させる。

【００２４】（３）電子ビーム蒸着法酸化チタンのターゲットに電子ビームを照射することに
より、基材表面に無定型酸化チタンの層を形成する。そ
の後、アナターゼの結晶化温度以上の温度で焼成して、
無定型酸化チタンをアナターゼ型酸化チタンに相転移さ
せる。

【００２５】次に、表面層が光半導体とシリカからなる
場合について、光半導体がアナターゼ型酸化チタンの場
合を例にとり説明する。この場合の方法は、例えば、以
下の３つの方法がある。１つの方法はゾル塗布焼成法で
あり、他の方法は有機チタネート法であり、他の方法は
４官能性シラン法である。（１）ゾル塗布焼成法アナターゼ型酸化チタンゾルとシリカゾルとの混合液
を、基材表面にスプレーコーティング法、ディップコー
ティング法、フローコーティング法、スピンコーティン
グ法、ロールコーティング法等の方法で塗布し、焼成す
る。

【００２６】（２）有機チタネート法チタンアルコキシド（テトラエトキシチタン、テトラメ
トキシチタン、テトラプロポキシチタン、テトラブトキ
シチタン等）、チタンアセテート、チタンキレート等の
有機チタネートに加水分解抑制剤（塩酸、エチルアミン
等）とシリカゾルを添加し、アルコール（エタノール、
プロパノール、ブタノール等）などの非水溶媒で希釈し
た後、部分的に加水分解を進行させながら又は完全に加
水分解を進行させた後、混合物をスプレーコーティング
法、ディップコーティング法、フローコーティング法、
スピンコーティング法、ロールコーティング法等の方法
で塗布し、乾燥させる。乾燥により、有機チタネートの
加水分解が完遂して水酸化チタンが生成し、水酸化チタ
ンの脱水縮重合により無定型酸化チタンの層が基材表面
に形成される。その後、アナターゼの結晶化温度以上の
温度で焼成して、無定型酸化チタンをアナターゼ型酸化
チタンに相転移させる。

【００２７】（３）４官能性シラン法テトラアルコキシシラン（テトラエトキシシラン、テト
ラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラメ
トキシシラン等）とアナターゼ型酸化チタンゾルとの混
合物を基材の表面にスプレーコーティング法、ディップ
コーティング法、フローコーティング法、スピンコーテ
ィング法、ロールコーティング法等の方法で塗布し、必
要に応じて加水分解させてシラノールを形成した後、加
熱等の方法でシラノールを脱水縮重合に付す。

【００２８】次に、表面層が光半導体と固体酸からなる
場合について、光半導体がアナターゼ型酸化チタン、固
体酸がＴｉＯ₂ ／ＷＯ₃ の場合を例にとり説明する。こ
の場合の方法は、タングステン酸のアンモニア溶解液と
アナターゼ型酸化チタンゾルとを混合し、必要に応じて
希釈液（水、エタノール等）で希釈した混合物を基材の
表面にスプレーコーティング法、ディップコーティング
法、フローコーティング法、スピンコーティング法、ロ
ールコーティング法等の方法で塗布し、焼成する。

【００２９】次に、表面層が光半導体とシリコーンから
なる場合について、光半導体がアナターゼ型酸化チタン
の場合を例にとり説明する。この場合の方法は、未硬化
の若しくは部分的に硬化したシリコーン又はシリコーン
の前駆体からなる塗料とアナターゼ型酸化チタンゾルと
を混合し、シリコーンの前駆体を必要に応じて加水分解
させた後、混合物を基材の表面にスプレーコーティング
法、ディップコーティング法、フローコーティング法、
スピンコーティング法、ロールコーティング法等の方法
で塗布し、加熱等の方法でシリコーンの前駆体の加水分
解物を脱水縮重合に付して、アナターゼ型酸化チタン粒
子とシリコーンからなる表面層を形成する。形成された
表面層は、紫外線を含む光の照射によりアナターゼ型酸
化チタンが光励起されることにより、シリコーン分子中
のケイ素原子に結合した有機基の少なくとも一部を水酸
基に置換され、さらにその上に物理吸着水層が形成され
て、高度の親水性を呈する。ここでシリコーンの前駆体
には前述の物質を用いることができる。

【００３０】上記光半導体含有層を透明部材の表面に形
成する場合には、該光半導体含有層は、基材と比較して
屈折率があまり高くないのが好ましい。好ましくは光半
導体含有層の屈折率は２以下であるのがよい。そうすれ
ば、基材と光半導体含有層との界面、及び光半導体含有
層と空気との界面における光の反射を抑制できる。光半
導体含有層の屈折率を２以下にするには、光半導体に２
以下の屈折率を有する物質を用いるか、あるいは光半導
体が屈折率２以上の場合には、屈折率２以下の他の物質
を光半導体含有層に添加する。２以下の屈折率を有する
光半導体としては、酸化錫（屈折率１．９）等が利用で
きる。２以上の屈折率を有する光半導体には、アナター
ゼ型酸化チタン（屈折率２．５）やルチル型酸化チタン
（屈折率２．７）があるが、この場合には屈折率２以下
の他の物質、例えば、炭酸カルシウム（屈折率１．
６）、水酸化カルシウム（屈折率１．６）、炭酸マグネ
シウム（屈折率１．５）、炭酸ストロンチウム（屈折率
１．５）、ドロマイト（屈折率１．７）、フッ化カルシ
ウム（屈折率１．４）、フッ化マグネシウム（屈折率
１．４）、シリカ（屈折率１．５）、アルミナ（屈折率
１．６）、ケイ砂（屈折率１．６）、モンモリロナイト
（屈折率１．５）、カオリン（屈折率１．６）、セリサ
イト（屈折率１．６）、ゼオライト（屈折率１．５）、
酸化錫（屈折率１．９）等を光半導体含有層に添加すれ
ばよい。

【００３１】基材がナトリウムのようなアルカリ網目修
飾イオンを含むガラス（ソーダライムガラス、並板ガラ
ス等）の場合には、基材と光半導体含有層との間にシリ
カ等の中間層を形成してもよい。そうすれば、焼成中に
アルカリ網目修飾イオンが基材から光半導体含有層へ拡
散するのが防止され、光半導体機能がよりよく発揮され
る。

【００３２】以下、本発明の実施例を説明する。図１
は、本発明の１実施例に係る電気湯沸しポットの内部構
造を示す断面図である。図中において、４０は本体、４
１は本体４０内に配された上面開口の容器、４２は容器
４１の開口部を覆う蓋体、４３は容器内の液体を加熱す
る発熱体である。この容器４１の内面に、後述する手法
により光半導体含有層が形成されている。３９は容器４
１内の天井に取り付けられている紫外線ランプであっ
て、容器４１の内面に紫外線を照射する。紫外線照射
は、蓋を閉じている時に所定時間行う。

【００３３】４４は容器４１内の液体を器体外へ導出す
る手段であるところの電動式のポンプで、吸込口４５よ
り液体を吸い込み、ポンプ４４の吐出口４６と、器体外
への導出口４７とを連通する水管４８を介して液体を器
体外へ導出するものである。

【００３４】蓋体４２周辺の構成は、図に示すように、
本体４１に設けられたヒンジ部４９に蓋体４２が弧回動
自在に取り付けられている。蓋体４２にはその閉位置で
本体に係止するためのロック部材５０が略水平方向に摺
動自在に配されており、付勢手段であるところの、スプ
リング５１によって前方に付勢されている。本体４０に
は、ロック部材５０に相対する位置に、嵌合用の凹部５
２が形成されており、両者の嵌合により蓋体４２は本体
４０に、その閉位置で係止される。５３は、蓋体４２に
回動自在に配され、外的操作によりロック部材５０をス
プリング５１の付勢力に抗して摺動させるためのロック
解除部材である。

【００３５】５６は、蓋体４２に取り付けられたシール
部材で、容器４１のフランジ部５７に密着して容器４１
内の液体が、器体外に漏れるのを防止している。５８
は、容器４１内の蒸気を器体外に排出するための蒸気通
路である。

【００３６】上記電気湯沸しポットの容器内面につい
て、以下の手法により光半導体含有層を形成する。ステンレス板を基体とする容器エタノールの溶媒８６重量部に、テトラエトキシシラン
（和光純薬）６重量部と純水６重量部とテトラエトキシ
シランの加水分解抑制剤として３６％塩酸２重量部を加
えて混合し、シリカコーティング溶液を調製した。この
溶液をフローコーティング法により１０cm四角のステン
レス板の表面に塗布し、８０℃の温度で乾燥させた。乾
燥に伴い、テトラエトキシシランは加水分解を受けてま
ずシラノールになり、続いてシラノールの脱水縮重合に
より、無定型シリカの薄膜がステンレス板の表面に形成
された。

【００３７】次に、テトラエトキシチタン（Ｍｅｒｃ
ｋ）１重量部とエタノール９重量部との混合物に加水分
解抑制剤として３６％塩酸０．１重量部添加して酸化チ
タンコーティング溶液を調製し、この溶液を上記無定型
シリカの薄膜に乾燥空気中でフローコーティング法によ
り塗布した。塗布量は酸化チタンに換算して４５μg/cm
² とした。テトラエトキシチタンの加水分解速度は極め
て早いので、塗布の段階でテトラエトキシチタンの一部
は加水分解され、水酸化チタンが生成し始めた。

【００３８】次に、このステンレス板を１〜１０分間約
１５０℃の温度に保持することにより、テトラエトキシ
チタンの加水分解を完了させるとともに、生成した水酸
化チタンを脱水縮重合に付し、無定型酸化チタンがコー
ティングされたステンレス板を得た。この試料を５００
℃の温度で焼成して、無定型酸化チタンをアナターゼ型
酸化チタンに結晶化させて、光半導体含有層を有する試
料を得た。

【００３９】この試料と、比較のため無処理のステンレ
ス板について、以下の３つの評価を行った。（１）紫外線照射時の表面親水性回復性能の評価試料表面にオレイン酸を塗布し、中性洗剤（ママレモ
ン）でこすり、水道水及び蒸留水で濯いだ後、乾燥器に
より５０℃で３０分乾燥させることにより、表面を故意
に汚染させ、その後、ＢＬＢ蛍光灯を０．５mW/cm²で５
時間照射して試料表面の水との接触角の変化を調べた。
その結果、無処理のステンレス板では、汚染後及びＢＬ
Ｂ蛍光灯照射後の水との接触角は共に７０°と変化が認
められなかったのに対し、光半導体含有層を形成した試
料では、汚染後５０°であった水との接触角は、ＢＬＢ
蛍光灯照射後にはほぼ０°まで高度に親水化された。

【００４０】（２）オレイン酸の水浸漬洗浄効果（１）の試験で使用した試料表面に、オレイン酸を塗布
し、試料表面を水平姿勢に保持しながら、試料を水槽に
満たした水の中に浸漬した。その結果。ステンレス板で
は、オレイン酸は試料の表面に付着したままであり、水
中で軽く指でこすっても油が試料上で延びるだけであっ
たのに対し、光半導体含有層を形成した試料では、オレ
イン酸は丸まって油滴状になり、水中で軽く指でこする
程度で、試料表面から釈放されて浮上した。

【００４１】（３）疎水性汚れの洗浄効果次に、疎水性カーボンブラック１重量部、親水性カーボ
ンブラック１重量部からなる粉体混合物を１．０５ｇ／
リッターの濃度で水に懸濁させたスラリーを調製した。
４５°に傾斜させた上記試料及び無処理のステンレス板
に上記スラリー１５０mlを流下させて１５分間乾燥さ
せ、次いで蒸留水１５０mlを流下させて１５分間乾燥さ
せ、このサイクルを２５回反復した。試験前後の色差変
化を、色差計（東京電色）を用いて計測した。色差は日
本工業規格（ＪＩＳ）Ｈ０２０１に従い、ΔＥ＊表示を
用いた。その結果、ステンレス板では色差変化２０と大
きかったのに対し、上記試料では色差変化は０．６に止
まった。

【００４２】ガラス板への光半導体含有層の形成テトラエトキシシラン（和光純薬）０．６９ｇとアナタ
ーゼ型酸化チタンゾル（日産化学、ＴＡ−１５、平均粒
径１０nm）１．０７ｇとエタノール２９．８８ｇと、純
水０．３６ｇを混合し、コーティング液を調製した。こ
のコーティング液をフローコーティング法により、１０
cm角のガラス基材上に塗布した。このガラス板を約２０
分間約１５０℃の温度に保持することにより、テトラエ
トキシシランを加水分解と脱水縮重合に付し、アナター
ゼ型酸化チタン粒子が無定型シリカで結着されたコーテ
ィングをガラス板表面に形成した。このコーティング中
の酸化チタンとシリカとの重量比は１であった。

【００４３】このガラス板を数日間暗所に放置した後、
紫外線光源（三共電気、ブラックライトブルー（ＢＬ
Ｂ）蛍光灯）を用いて試料の表面に０．５mW/cm²の紫外
線照度で約１時間紫外線を照射し、＃１試料を得た。比
較のため、１０cm角のガラス板を数日間暗所に放置した
＃２試料も準備した。

【００４４】まず、＃１試料と＃２試料に水滴を滴下
し、滴下後の様子の観察及び水との接触角の測定を行っ
た。ここで水との接触角は接触角測定器（協和界面科
学、ＣＡ−Ｘ１５０）を用い、滴下後３０秒後の水との
接触角で評価した。その結果＃１試料はマイクロシリン
ジから試料表面に水滴を滴下されると、水滴が一様に水
膜状に試料表面を拡がる様子が観察された。また３０秒
後の水との接触角は約０°まで高度に親水化されてい
た。それに対し、＃２試料ではマイクロシリンジから試
料表面に水滴を滴下されると、水滴は表面になじんでい
くものの、一様に水膜状になるまでには至らなかった。
また３０秒後の水との接触角は３０°であった。

【００４５】次に、＃１試料と＃２試料に息を吹きかけ
曇り発生の有無を調べた。その結果＃２試料では曇りが
生じたのに対し、＃１試料では曇りは生じなかった。さ
らに、＃１試料を、その後２日間暗所に放置し、＃３試
料を得た。そして＃３試料について、同様に水との接触
角を接触角測定器により測定した。その結果、＃３試料
にマイクロシリンジから試料表面に水滴を滴下される
と、＃１試料と同様に、水滴が一様に水膜状に試料表面
を拡がる様子が観察された。また水との接触角は約３°
に維持された。次に＃３試料について息を吹きかけた後
の曇り発生の有無を観察した。その結果、曇りは観察さ
れなかった。

【００４６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のポットは、内面が高度に親水性であるため、水切れが
よくかつ洗浄が容易である。特に、重くて底の深い電気
湯沸しポットの場合は、水の取替えや洗浄がきわめて楽
になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例に係る電気湯沸しポットの内
部構造を示す断面図である。

【符号の説明】

３９紫外線ランプ４０本体４１容器４２蓋体４３発熱体４４電動式のポ
ンプ４５吸込口４６吐出口４７導出口４８水管４９ヒンジ部５０ロック部材５１スプリング５２凹部５３ロック解除部材５６シール部材５７フランジ部５８蒸気通路

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【手続補正書】

【提出日】平成８年１０月３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液体を収容する凹部を有し、該凹部の内
面に光半導体含有層が形成されており、該光半導体の光
励起に対応して光半導体含有層表面が高度の親水性を呈
することを特徴とするポット。
【請求項２】さらに該凹部内面に該光半導体を励起す
る光を照射するランプを有することを特徴とする請求項
１記載のポット。
【請求項３】上記ポットが電気湯沸しポットである請
求項１又は２記載のポット。
【請求項４】上記光半導体含有層が、さらに、シリ
カ、固体超強酸、シリコーンのうちの少なくとも１種を
含有することを特徴とする請求項１、２又は３記載のポ
ット。
【請求項５】上記親水性の程度が水との接触角に換算
して１０°以下であることを特徴とする請求項１〜４い
ずれか１項記載のポット。
【請求項６】上記親水性の程度が水との接触角に換算
して５°以下であることを特徴とする請求項いずれか１
項記載のポット。
【請求項７】上記ポットが、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの少な
くとも１種を含有する金属材料からなる基体を有し、上記光半導体含有層が、該基体表面に、上記金属の原子
の拡散を防止する層を介して形成されていることを特徴
とする請求項１〜６いずれか１項記載のポット。