JPH1094271A - 高圧パルス発生回路 - Google Patents

高圧パルス発生回路

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JPH1094271A
JPH1094271A JP9232326A JP23232697A JPH1094271A JP H1094271 A JPH1094271 A JP H1094271A JP 9232326 A JP9232326 A JP 9232326A JP 23232697 A JP23232697 A JP 23232697A JP H1094271 A JPH1094271 A JP H1094271A
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power source
voltage pulse
terminal
high voltage
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JP9232326A
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Roger Hitchcock
エヌ ヒッチコック ロジャー
Michael Marziale
ジェイ マージエイル マイケル
Lance Thompson
ダブリュー トムプソン ランス
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Siemens Medical Systems Inc
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    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 クライストロンなどに電力供給するために改
善され、従来技術の高圧電力システムほどスペースを必
要とせず、従来技術の高圧電力システムよりも大幅に軽
量な高圧電力システムを提供することである。 【解決手段】 上記課題は、正の端子及び負の端子を有
するＤＣ電力源を有し、１次巻線及び２次巻線を有する
フライバックトランスを有し、この１次巻線はＤＣ電力
源に接続するための第１及び第２の端子を有し、この１
次巻線を流れる電流を示す信号を発生する手段を有し、
この信号は電流の振幅を示し、制御信号に応答してＤＣ
電力源をフライバックトランスの１次巻線に結合し、か
つ予め設定された電流レベルがこの１次巻線に流れたこ
とを示す信号に応答してＤＣ電力源を１次巻線から減結
合するための固体スイッチング回路を有することによっ
て解決される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高圧パルス発生回
路、例えば放射線治療装置の高圧パルス発生回路に関す
るものであり、さらに詳しく言えば、電力供給器、特に
線形加速器などに電力を供給するのに使用されるコンパ
クトな電力供給器に関する。
【０００２】
【従来の技術】放射線照射装置は一般的に公知であり、
例えば患者の治療のための放射線療法装置として使用さ
れている。放射線療法装置は一般的にガントリを有し、
このガントリは療法学的治療のコースにおいて回転の水
平軸の周りを旋回する。線形加速器は、治療のための高
エネルギ放射線ビームを発生するためにガントリに設置
される。この高エネルギ放射線ビームは電子又はフォト
ン（Ｘ線）ビームであればよい。治療中には、この放射
線ビームはガントリ回転に等心に横たわる患者の１つの
領域に向けられる。
【０００３】この装置では、放射線は、電子ビームをタ
ーゲットに当ててＸ線を発生させることによって発生さ
れる。この電子ビームは、典型的には、クライストロン
に基づく電力供給器によって電力供給される線形加速器
で発生される。このクライストロンに基づく電力供給器
は１０〜３０キロワットの範囲の電力出力を有する。図
１は、医療用線形加速器のブロック図であり、主要コン
ポーネント及び補助システムを示している。電力供給器
１０はＤＣ電力を変調器１２に供給する。変調器１２は
パルス形成回路網及び水素サイラトロンとして公知のス
イッチ管を有している。サイラトロンは熱陰極を有する
低圧ガス装置である。時間が経つにつれて、この陰極は
自らを消耗する。よって、サイラトロンは固有の磨耗メ
カニズム（wear out mechanism）を有する。変調器１２
からの高圧パルスは、持続時間数マイクロ秒のフラット
トップのＤＣパルスである。これらのパルスはマグネト
ロン又はクライストロン１４及び同時に電子銃１６へ供
給される。マグネトロン又はクライストロン１４で発生
されるパルス状のマイクロ波は加速管２０に導波システ
ム２２を介して注入される。適当な瞬間に、電子銃１６
によって発生された電子も加速管２０の中へパルス注入
される。高エネルギ電子は加速管２０から直径ほぼ３ｍ
ｍのビームの形で飛び出す。これらの電子は治療ヘッド
２４に直線ビームとして、又は治療ヘッド２６に湾曲ビ
ームとして照射される。もしこれらの電子が治療ヘッド
２６へ送出されたならば、これらの電子は加速管２０と
ターゲットとの間の適切な角度（例えば２７０度）を通
って例えば湾曲マグネット２８によって湾曲される。
【０００４】線形加速器に対する従来技術の電力供給器
は大きくて重い装置であり、医療治療システムのコスト
及びサイズを大きく増大させる。１つの典型的な従来技
術のシステムは高圧トランス/整流器システムを利用し
て２１キロボルトのＤＣ電力源を通常の三相２０８ボル
ト電力源から発生させる。この高圧ＤＣ源はそれから１
５キロボルトのパルスを発生するのに使用される。この
１５キロボルトのパルスは高圧パルストランスを介して
所要の１５０キロボルトのパルスに変換される。高圧ト
ランス/整流器構成体は典型的には重量５００ポンドで
あり、８立方フィートを占める。結局、この電力供給器
は線形加速器とは別個のキャビネットの中に収容されな
ければならない。加速器システムを収容するのに必要な
床スペースを増大させるに加えて、この付加的なキャビ
ネットは、この線形加速器にクライストロン出力を結合
させる特別の電力伝送線を必要とする。これはさらにこ
のシステムのコスト及び複雑さを増大させる。最終的
に、このシステムの全重量は輸送コストを増大させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、クラ
イストロンなどに電力供給するための改善された高圧電
力システムを提供すること、従来技術の高圧電力システ
ムほどスペースを必要としない高圧電力システムを提供
すること、さらに従来技術の高圧電力システムよりも大
幅に軽量な高圧電力システムを提供することである。こ
の本発明の課題及び他の本発明の課題は以下の本発明の
詳細な記述及び添付図面から当業者とっては明白にな
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、正の端子及
び負の端子を有するＤＣ電力源を有し、１次巻線及び２
次巻線を有するフライバックトランスを有し、この１次
巻線はＤＣ電力源に接続するための第１及び第２の端子
を有し、この１次巻線を流れる電流を示す信号を発生す
る手段を有し、この信号はこの電流の振幅を示し、制御
信号に応答してＤＣ電力源をフライバックトランスの１
次巻線に結合し、かつ予め設定された電流レベルがこの
１次巻線に流れたことを示す信号に応答してＤＣ電力源
を１次巻線から減結合するための固体スイッチング回路
を有することによって解決される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明はクライストロンなどに電
力供給するための高圧パルス発生回路である。１つの実
施形態では、本発明は放射線治療装置において使用され
る。高圧パルス発生回路はＤＣ電力源、フライバックト
ランス、センサ及び固体スイッチング回路を含む。ＤＣ
電力源は正及び負の端子を有する。フライバックトラン
スは１次巻線及び２次巻線を有する。このフライバック
トランスの１次巻線はＤＣ電力源に接続するための第１
及び第２の端子を有する。センサはこの１次巻線を流れ
る電流の振幅を示す信号を発生する。固体スイッチング
回路はＤＣ電力源をフライバックトランスの１次巻線に
結合する。この１次巻線は、制御信号に応答してこの電
力源に結合され、かつこの１次巻線で所定の電流レベル
が検出される場合にはこの電力源から減結合される。
【０００８】
【実施例】図２を参照すれば、本発明が従来技術に対し
てどのように利点を得るのかが比較的容易に理解でき
る。この図２はクライストロンに電力供給するための典
型的な電力システム５０のブロック図である。電力シス
テム５０は２０８ボルトの３相電力を、ほぼ５マイクロ
秒の持続時間の１５キロボルト、１２００アンペアのパ
ルスに変換する。これらのパルスはパルストランス８５
によって１５０キロボルトに高められる。このパルスト
ランス８５の出力はクライストロンを駆動する。１５キ
ロボルトのパルスは２１キロボルトＤＣ源によって電力
供給されるパルス発生回路によって発生される。この２
１キロボルトＤＣ源は典型的には高圧トランス及び整流
器の構成体６０である。上述したようにこのＤＣ電力供
給器は典型的には８立方フィートを占め、ほぼ５００ポ
ンドの重量である。
【０００９】高圧パルス発生回路は、典型的にはパルス
形成回路網７６を共振によってチャージするインダクタ
７２から成る。クライストロンに供給される最終パルス
振幅は、高圧チャージスイッチ７１が閉成される時間の
長さを制御することによって調整される。このシステム
は、抵抗器７３を流れる電流及びパルス形成回路網７６
の電圧を測定してこのスイッチを開くタイミングを決定
する。パルス形成回路網への接続はこの図では省略され
ている。制御器７４は電流及び電圧測定を利用してこの
スイッチの閉成持続時間を制御する。注意すべきこと
は、図２に図示されたインダクタの構成によって得られ
る、最終パルス振幅の調整範囲は限定されるということ
である。というのも、この最終パルスのエネルギのほん
の一部のみがインダクタ７２に蓄積されるからである。
また次のことも注意すべきである。すなわち、２０８ボ
ルト電力を２１キロボルトＤＣ源に変換することは、高
電力レベルで作動しなければならない相当多数の高圧コ
ンポーネントを必要とすることも注意すべきである。こ
の高電力レベルは、高圧絶縁を必要とし、さらに安全性
の問題を提起する。
【００１０】図３は本発明の高圧電力システム１００の
ブロック図である。本発明はパルス形成回路網１７６に
電力供給するためにフライバックトランス１２０を利用
する。フライバックトランス１２０は、３００ボルトＤ
Ｃ電力供給器１０２から電力供給される。これは従来技
術で使用される２１キロボルトＤＣ電力供給器に対して
意義深い低減である。固体スイッチ１１０は、フライバ
ックトランス１２０からの出力電圧の制御に使用され
る。制御器１２２は、１２１で図示されているように、
フライバックトランス１２０の１次巻線に流れる電流を
センシングする。この電流が所望のレベルに到達した場
合、スイッチ１１０は開かれ、フライバックトランス１
２０に蓄積されているエネルギがパルス形成回路網１７
６に供給される。パルス形成回路網１７６がチャージさ
れた後で、高圧スイッチ１７５が閉成されパルス形成回
路網１７６をディスチャージし、これによりパルス形成
回路網１７６に蓄積されたエネルギをパルストランス１
８５の１次巻線に供給する。パルス形成回路網１７６及
びパルストランス１８５の作動は実質的には図２に図示
された典型的なクライストロン電力システムに関して上
で述べたのと同じである。
【００１１】注意すべきはフライバックトランス１２０
は、後でクライストロンパルスに供給されるエネルギを
１００％蓄積することである。従って、本発明はクライ
ストロンに供給される出力パルス振幅に関してより広い
制御範囲を提供する。パルス振幅制御も本発明によって
簡略化される。パルス振幅は、フライバックトランス１
２０の１次巻線でセンシングされる所定の電流に応答し
てスイッチ１００を開くことによって制御される。スイ
ッチ１００は２１キロボルトで作動しなくてはならない
図２のスイッチ７１に比べてほんの３００ボルトで作動
する。従って、信頼性及び安全性の改善に加えて重要な
コストの節約が達成される。
【００１２】さらに、フライバックトランス１２０は低
電圧電力源によって駆動されるので、高圧電力供給器に
つきまとう問題が回避される。電力供給器１０２は、ほ
ぼ１/４立方フィートのスペースを必要とし、ほぼ５ポ
ンド（これは８００ポンドの重量低減である）の重量で
ある。さらに、このより低い作動電圧は安全性及び信頼
性を増大させる。
【００１３】図３に図示されているベーシックなフライ
バックトランス構成はしばらく低電力システムで使用さ
れていた。しかし、高電力出力用のこのような電力供給
器の実用的な実施はこれまではあり得なかった。特にス
イッチ１１０の実用的な実施例は欠けていた。従来技術
で使用される真空４極管は固有の磨耗メカニズム（カソ
ード）を含んでいる。よって、固体による構成はいっそ
う望ましい。本発明では、スイッチ１１０は一組の絶縁
ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）として実施
される。
【００１４】図４は、本発明の電力スイッチ２００の概
略図である。電力スイッチ２００は２１０及び２２０で
示されている２つのスイッチング回路を利用する。各ス
イッチング回路はＩＧＢＴ２１１及び分路ダイオード２
１２を有する。スイッチング回路２１０及び２２０は商
業的に有効である。スイッチング回路２１０及び２２０
は、ＤＣ電力供給器をフライバックトランス１２０の１
次巻線に接続する。スイッチング回路２１０及び２２０
がフライバックトランス１２０の１次巻線を遮断する場
合、逆電位がこの１次巻線に発生する。短絡ダイオード
２３１及び２３２は、この電位がスイッチング回路２１
０及び２２０各々にダメージを与えるのを阻止する。短
絡ダイオード２３１及び２３２はこのエネルギをＤＣ電
力供給器に再供給し、このエネルギはこのＤＣ電力供給
器の中のフィルタキャパシタに蓄積される。結果的に、
この電力は次のパルスに使用するために回収される。
【００１５】本発明の有利な実施形態では、高圧スイッ
チ１７５（図３参照）は高圧半導体制御整流器（ＳＣ
Ｒ）スタック（つまり多数のＳＣＲを直列接続したも
の）として実施される。従来技術のシステムでは、類似
のスイッチは典型的には気体ガスサイラトロンによって
実施されている。この気体ガスサイラトロンは本発明で
使用されるＳＣＲスタックよりも信頼性が低く、よりコ
スト高である。本発明の高圧スイッチの有利な実施形態
は図５において３００で示されている。スイッチ３００
は直列接続された多数のＳＣＲスタック段から構成され
ている。第１の段、第２の段及び最後の段はそれぞれ３
１０、３２０及び３４０で示されている。各段は抵抗器
及びキャパシタに並列接続されたＳＣＲを含んでおり、
この抵抗器及びキャパシタはＳＣＲのアノードとカソー
ドとの間に接続されている。例えば、段３１０は、ＳＣ
Ｒ３１１、キャパシタ３１２及び抵抗器３１３を含んで
いる。複数のこのキャパシタ及び抵抗器は直列に接続さ
れ分圧器回路網を形成する。この分圧器は、ＳＣＲが導
通していない場合に、各ＳＣＲに同じ電圧が供給される
ことを保証する。この分圧器がないと、 ＳＣＲスタッ
クが導通していない場合に、非導通状態のＳＣＲのイン
ピーダンスの差違によって、異なる電位が各ＳＣＲに現
れることになりかねない。この結果、ＳＣＲのうちの１
つがそのブレークダウン電圧を越えた電位差にさらされ
かねない。
【００１６】スタックは、各段のインダクタ３１６を通
る信号を結合することによりトリガされる。これらのイ
ンダクタはパルストランス３５０の第２の段である。こ
の信号はパルストランス３５０の１次巻線３５１に供給
される。各段は抵抗器及びツェナーダイオードを含み、
このツェナーダイオードは各段のＳＣＲのゲートとカソ
ードとの間のトリガ電圧が各段に対して同じであること
を保証する。第１の段のこの抵抗器及びツェナーダイオ
ードはそれぞれ３１４及び３１５で示されている。
【００１７】パルス形成回路網では、インダクタの構成
が改善される。特に、インダクタンスはこのシステムが
動作している間に調整できるようになっている。図６
は、有利な実施形態におけるこのパルス形成回路網のブ
ロック図である。パルス形成回路４００はインダクタ４
１０〜４１６を有する。通常、パルス形成回路網ではク
リップがインダクタに配置され、手動でインダクタンス
を変えるためにシステムを停止しなければならない。イ
ンダクタンスはパルス形成回路網によって供給される波
形を精密に整えるために変えられる。システムのこの停
止及び波形の再検査は、典型的には所望の波形が得られ
るまで繰り返し行われる。特別な熟練者でもこの波形を
精密に整えるのにほぼ１時間かかる。これに対して、本
発明の構成はアルミニウムスラグ４２０〜４２６を使用
し、このアルミニウムスラグ４２０〜４２６はインダク
タ４１０〜４１６の内部に配置される。アルミニウムス
ラグ４２０〜４２６の各々をシステムの動作中に上下に
移動させ、インダクタンスを変化させて波形を精密に整
えることができる。アルミニウムスラグ４２０〜４２６
は手動又は自動で動かすことができる。この改善された
構成によって、波形を精密に整えることがほぼ３分で済
む。
【図面の簡単な説明】
【図１】主要コンポーネント及び補助システムを示して
いる医療用線形加速器のブロック図である。
【図２】線形加速器を駆動するためのクライストロンを
作動する典型的な従来技術の電力供給システムのブロッ
ク図である。
【図３】本発明の高圧電力システムの１つの実施形態の
ブロック図である。
【図４】本発明の電力スイッチの概略的な回路図であ
る。
【図５】本発明の高圧スイッチの概略的な回路図であ
る。
【図６】有利な実施形態におけるパルス形成回路網のブ
ロック図である。
【符号の説明】
１０ 電力供給器 １２ 変調器 １４ マグネトロン又はクライストロン １６ 電子銃 ２０ 加速管 ２２ 導波システム ２４ 治療ヘッド（直線ビーム） ２６ 治療ヘッド（湾曲ビーム） ２８ 湾曲マグネット ５０ 電力システム ６０ 高圧電力供給器 ７１ 高圧チャージスイッチ ７２ インダクタ ７３ 抵抗器 ７４ 制御器 ７５ スイッチ ７６ パルス形成回路網 ８５ パルストランス １０２ ＤＣ電力供給器 １１０ 固体スイッチ １２０ 固体スイッチ １２２ 制御器 １７５ 高圧スイッチ １７６ パルス形成回路網 １８５ パルストランス ２００ 電力スイッチ ２１０ スイッチング回路 ２１１ ＩＧＢＴ ２１２ 分路ダイオード ２２０ スイッチング回路 ２３１ 短絡ダイオード ２３２ 短絡ダイオード ３００ 高圧スイッチ ３１０ スタック第１段 ３１１ ＳＣＲ ３１２キャパシタ ３１３ 抵抗器 ３１４ 抵抗器 ３１５ ツェナーダイオード ３２０ スタック第２段 ３４０ スタック第３段 ３５０ パルストランス ３５１ パルストランスの１次巻線 ４００ パルス形成回路網 ４１０〜４１６ インダクタ ４２０〜４２６ アルミニウムスラグ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル ジェイ マージエイル アメリカ合衆国 カリフォルニア エル ソブランテ セント アンドリューズ ド ライヴ 988 (72)発明者 ランス ダブリュー トムプソン アメリカ合衆国 カリフォルニア サン リエンドロ チャペル アヴェニュー 1366

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高圧パルス発生回路において、 正の端子及び負の端子を有するＤＣ電力源を有し、 １次巻線及び２次巻線を有するフライバックトランスを
    有し、前記１次巻線は前記ＤＣ電力源に接続するための
    第１及び第２の端子を有し、 前記１次巻線を流れる電流を示す信号を発生する手段を
    有し、前記信号は前記電流の振幅を示し、 制御信号に応答して前記ＤＣ電力源を前記フライバック
    トランスの１次巻線に結合し、かつ予め設定された電流
    レベルが前記１次巻線に流れたことを示す前記信号に応
    答して前記ＤＣ電力源を前記１次巻線から減結合するた
    めの固体スイッチング回路を有することを特徴とする高
    圧パルス発生回路。
  2. 【請求項２】 前記固体スイッチング回路は第１のＩＧ
    ＢＴ及び第２のＩＧＢＴを有し、 前記第１のＩＧＢＴが導電状態にある場合には、前記第
    １のＩＧＢＴは前記１次巻線の前記第１の端子を前記Ｄ
    Ｃ電力源の前記正の端子に結合し、 前記第２のＩＧＢＴが導電状態にある場合には、前記第
    ２のＩＧＢＴは前記１次巻線の前記第２の端子を前記Ｄ
    Ｃ電力源の前記負の端子に結合する、請求項１記載の高
    圧パルス発生回路。
  3. 【請求項３】 前記固体スイッチング回路はさらに第１
    及び第２のダイオードを有し、該第１及び第２のダイオ
    ードは前記１次巻線の前記第１及び第２の端子を前記Ｄ
    Ｃ電力源の前記正の端子及び前記負の端子に結合する、
    請求項１記載の高圧パルス発生回路。
  4. 【請求項４】 前記２次巻線に結合されるパルス形成回
    路網と、 短絡信号に応答して前記パルス形成回路網を短絡するた
    めの高圧スイッチとを有する、請求項１記載の高圧パル
    ス発生回路。
  5. 【請求項５】 前記高圧スイッチは複数のＳＣＲ段を有
    し、 該ＳＣＲ段の各々はＳＣＲ、抵抗器及び制御信号発生器
    を有し、 前記ＳＣＲはアノード、カソード及びゲートを有し、 前記ＳＣＲは、前記ゲートと前記カソードとの間に電位
    を発生させる制御信号が存在する場合には、電流を前記
    アノードから前記カソードへ導通させ、 前記制御信号は前記制御信号発生器によって発生され、 前記抵抗器は前記アノードと前記カソードとの間に接続
    されており、 前記ＳＣＲ段は、前記ＳＣＲが直列に接続されるように
    接続されている、請求項４記載の高圧パルス発生回路。
  6. 【請求項６】 前記ＳＣＲ段の各々の前記制御信号発生
    器はパルストランスの２次巻線を含み、該２次巻線の各
    々は共通の１次巻線に結合されている、請求項５記載の
    高圧パルス発生回路。
  7. 【請求項７】 前記ＤＣ電力源は２５０ボルトより大き
    くかつ１０キロボルトよりも小さい、請求項１記載の高
    圧パルス発生回路。
  8. 【請求項８】 前記１次巻線を流れる電流を示す信号を
    発生するための前記手段はセンサである、請求項１記載
    の高圧パルス発生回路。
  9. 【請求項９】 前記２次巻線に結合されるパルス形成回
    路網を有し、 該パルス形成回路網はスラグを有するインダクタを有
    し、前記スラグは前記パルス形成回路網のインダクタン
    スを変化させることができる、請求項１記載の高圧パル
    ス発生回路。
  10. 【請求項１０】 放射線治療装置の高圧パルス発生回路
    であって、 可変放射線出力を有する放射線ビームを発生することが
    できる放射線源を有し、 正の端子及び負の端子を有するＤＣ電力源を有し、 １次巻線及び２次巻線を有するフライバックトランスを
    有し、前記１次巻線は前記ＤＣ電力源に接続するための
    第１及び第２の端子を有し、 前記１次巻線を流れる電流を示す信号を発生する手段を
    有し、前記信号は前記電流の振幅を示す、放射線治療装
    置の高圧パルス発生回路において、 前記ＤＣ電力源、前記フライバックトランス及び信号を
    発生する前記手段は、前記放射線源に電力を供給し前記
    放射線ビームを発生させることを特徴とする、放射線治
    療装置の高圧パルス発生回路。
  11. 【請求項１１】 制御信号に応答して前記ＤＣ電力源を
    前記フライバックトランスの前記１次巻線に結合し、か
    つ予め設定された電流レベルが前記１次巻線に流れたこ
    とを示す前記信号に応答して前記ＤＣ電力源を前記１次
    巻線から減結合するための固体スイッチング回路を有す
    る、請求項１０記載の放射線治療装置の高圧パルス発生
    回路。
  12. 【請求項１２】 前記固体スイッチング回路は第１のＩ
    ＧＢＴ及び第２のＩＧＢＴを有し、 前記第１のＩＧＢＴが導電状態にある場合には、前記第
    １のＩＧＢＴは前記１次巻線の前記第１の端子を前記Ｄ
    Ｃ電力源の前記正の端子に結合し、 前記第２のＩＧＢＴが導電状態にある場合には、前記第
    ２のＩＧＢＴは前記１次巻線の前記第２の端子を前記Ｄ
    Ｃ電力源の前記負の端子に結合する、請求項１１記載の
    放射線治療装置の高圧パルス発生回路。
  13. 【請求項１３】 前記固体スイッチング回路はさらに第
    １及び第２のダイオードを有し、該第１及び第２のダイ
    オードは前記１次巻線の前記第１及び第２の端子を前記
    ＤＣ電力源の前記正の端子及び前記負の端子に結合す
    る、請求項１１記載の放射線治療装置の高圧パルス発生
    回路。
  14. 【請求項１４】 前記２次巻線の前記第１及び第２の端
    子に結合されるパルス形成回路網と、 短絡信号に応答して前記パルス形成回路網を短絡するた
    めの高圧スイッチとを有する、請求項１０記載の放射線
    治療装置の高圧パルス発生回路。
  15. 【請求項１５】 前記高圧スイッチは複数のＳＣＲ段を
    有し、 該ＳＣＲ段の各々はＳＣＲ、抵抗器及び制御信号発生器
    を有し、 前記ＳＣＲはアノード、カソード及びゲートを有し、 前記ＳＣＲは、前記ゲートと前記カソードとの間に電位
    を発生させる制御信号が存在する場合には、電流を前記
    アノードから前記カソードへ導通させ、 前記制御信号は前記制御信号発生器によって発生され、 前記抵抗器は前記アノードとカソードとの間に接続され
    ており、 前記ＳＣＲ段は、前記ＳＣＲが直列に接続されるように
    接続されている、請求項１４記載の放射線治療装置の高
    圧パルス発生回路。
  16. 【請求項１６】 前記ＳＣＲ段の各々の前記制御信号発
    生器はパルストランスの２次巻線を含み、該２次巻線の
    各々は共通の１次巻線に結合されている、請求項１５記
    載の放射線治療装置の高圧パルス発生回路。
  17. 【請求項１７】 前記２次巻線の端子はパルス形成回路
    網であり、 該パルス形成回路網はスラグを有するインダクタを有
    し、前記スラグは前記パルス形成回路網のインダクタン
    スを変化させることができる、請求項１０記載の放射線
    治療装置の高圧パルス発生回路。
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