JPH1092915A - 半導体製造装置のペデスタル - Google Patents
半導体製造装置のペデスタルInfo
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- JPH1092915A JPH1092915A JP10967097A JP10967097A JPH1092915A JP H1092915 A JPH1092915 A JP H1092915A JP 10967097 A JP10967097 A JP 10967097A JP 10967097 A JP10967097 A JP 10967097A JP H1092915 A JPH1092915 A JP H1092915A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 57
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- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract 3
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング設備のチャンバー内に設置され
て、工程のためのウェーハが置かれるようになったペデ
スタルに関する。 【解決手段】 本発明の構成は、半導体製造装置のチャ
ンバー内に設置されてウェーハが置かれるもので、中央
に冷却ガスの供給通路が形成され、前記冷却ガスの供給
通路から半径方向に、複数個の冷却ガスの流れ溝が上面
に形成された、半導体製造装置のペデスタルにおいて、
内部に冷却空間部を形成し、この冷却空間部に冷却ガス
が供給されるようにして、ペデスタル自体を冷却させる
ようにしたものである。従って、ウェーハが全体にかけ
て均一に冷却されることによって、エッチング工程が均
一及び安定化されて、エッチング比率及び均一度が維持
されることによって、収率及び品質が向上される効果が
ある。
て、工程のためのウェーハが置かれるようになったペデ
スタルに関する。 【解決手段】 本発明の構成は、半導体製造装置のチャ
ンバー内に設置されてウェーハが置かれるもので、中央
に冷却ガスの供給通路が形成され、前記冷却ガスの供給
通路から半径方向に、複数個の冷却ガスの流れ溝が上面
に形成された、半導体製造装置のペデスタルにおいて、
内部に冷却空間部を形成し、この冷却空間部に冷却ガス
が供給されるようにして、ペデスタル自体を冷却させる
ようにしたものである。従って、ウェーハが全体にかけ
て均一に冷却されることによって、エッチング工程が均
一及び安定化されて、エッチング比率及び均一度が維持
されることによって、収率及び品質が向上される効果が
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
ペデスタル(Pedestal)に関するもので、より詳細にはエ
ッチング設備のチャンバー内に設置されるものであっ
て、工程のためのウェーハが置かれるようになっている
ペデスタルに関する。
ペデスタル(Pedestal)に関するもので、より詳細にはエ
ッチング設備のチャンバー内に設置されるものであっ
て、工程のためのウェーハが置かれるようになっている
ペデスタルに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的にペデスタルは、エッチング設備
のチャンバー内に設置され、工程のためのウェーハが上
面に置かれるようになる。ペデスタルには、ウェーハの
底面を冷却させるヘリウムガスが供給される。ヘリウム
ガスはウェーハの底面を冷却させて、エッチング工程途
中で、ウェーハ上のフォトレジスト層が、チャンバー内
の高熱によって焼くことを防止し均一なエッチング工程
が行われるようにする役割をする。
のチャンバー内に設置され、工程のためのウェーハが上
面に置かれるようになる。ペデスタルには、ウェーハの
底面を冷却させるヘリウムガスが供給される。ヘリウム
ガスはウェーハの底面を冷却させて、エッチング工程途
中で、ウェーハ上のフォトレジスト層が、チャンバー内
の高熱によって焼くことを防止し均一なエッチング工程
が行われるようにする役割をする。
【０００３】図２は従来のペデスタルを示した断面構造
図である。ペデスタル１は、ウェーハ２の底面が上面に
接して置かれる台部３が備えられ、台部３の中央にはウ
ェーハ２の底面に冷却ガスを供給して冷却させるため
の、冷却ガスの供給通路４が貫通されている。また、前
記冷却ガスの供給通路４から半径方向に複数個の冷却ガ
スの流れ溝５が台部３の上面に形成されて冷却ガスがウ
ェーハ２の底面中央部から縁部に供給されるようになっ
ている。
図である。ペデスタル１は、ウェーハ２の底面が上面に
接して置かれる台部３が備えられ、台部３の中央にはウ
ェーハ２の底面に冷却ガスを供給して冷却させるため
の、冷却ガスの供給通路４が貫通されている。また、前
記冷却ガスの供給通路４から半径方向に複数個の冷却ガ
スの流れ溝５が台部３の上面に形成されて冷却ガスがウ
ェーハ２の底面中央部から縁部に供給されるようになっ
ている。
【０００４】従ってウェーハ２のエッチング工程中、冷
却ガス供給源（図示せず。）から冷却ガスの供給通路４
へ冷却ガスが供給されると、ペデスタル１の中央部から
冷却ガスの流れ溝５に沿って冷却ガスが供給されて、ウ
ェーハ２の底面全体を冷却させるようになる。これによ
って、エッチング工程の途中でウェーハ２上のフォトレ
ジスト層が焼かれることが防止され、均一なエッチング
工程が遂行される。
却ガス供給源（図示せず。）から冷却ガスの供給通路４
へ冷却ガスが供給されると、ペデスタル１の中央部から
冷却ガスの流れ溝５に沿って冷却ガスが供給されて、ウ
ェーハ２の底面全体を冷却させるようになる。これによ
って、エッチング工程の途中でウェーハ２上のフォトレ
ジスト層が焼かれることが防止され、均一なエッチング
工程が遂行される。
【０００５】しかし、従来は冷却ガスが、ウェーハ２の
中央部の冷却ガス供給通路４から供給されて、冷却ガス
の流れ溝５に沿ってウェーハ２の縁部に供給される。こ
れによって、冷却ガス供給通路４の中心から冷却されて
徐々に縁部側に冷却されるので、ウェーハ２の中央部位
が非常に速く冷却される。
中央部の冷却ガス供給通路４から供給されて、冷却ガス
の流れ溝５に沿ってウェーハ２の縁部に供給される。こ
れによって、冷却ガス供給通路４の中心から冷却されて
徐々に縁部側に冷却されるので、ウェーハ２の中央部位
が非常に速く冷却される。
【０００６】従って、ウェーハ２のエッチング工程中、
中央部と縁部との冷却温度差が発生される。この冷却温
度差によって、エッチング工程時に、ウェーハのエッチ
ング比率及び均一度に大きい影響を及ぼし、収率及び品
質を低下させることになる。このような現象は、ウェー
ハの直径が大口径化するほど、更に甚だしくなるという
問題点がある。
中央部と縁部との冷却温度差が発生される。この冷却温
度差によって、エッチング工程時に、ウェーハのエッチ
ング比率及び均一度に大きい影響を及ぼし、収率及び品
質を低下させることになる。このような現象は、ウェー
ハの直径が大口径化するほど、更に甚だしくなるという
問題点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、前記
のような従来の問題点を解決するためのもので、その目
的はエッチング工程中、ウェーハの全体にかけて均一に
冷却されるようにすることによってエッチング比率及び
均一度を一定に維持して収率及び品質を向上させること
ができる半導体製造装置のペデスタルを提供するにあ
る。
のような従来の問題点を解決するためのもので、その目
的はエッチング工程中、ウェーハの全体にかけて均一に
冷却されるようにすることによってエッチング比率及び
均一度を一定に維持して収率及び品質を向上させること
ができる半導体製造装置のペデスタルを提供するにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、半導体製
造装置のチャンバー内に設置されてウェーハが置かれる
もので、中央に冷却ガスの供給通路が形成され冷却ガス
の供給通路から半径方向に複数個の冷却ガスの流れ溝が
上面に形成された半導体製造装置のペデスタルにおい
て、内部に冷却空間部を形成し、この冷却空間部に冷却
ガスが供給されるようにして、ペデスタル自体を冷却さ
せるように構成されることを特徴とする半導体製造装置
のペデスタルによって達成されることができる。
造装置のチャンバー内に設置されてウェーハが置かれる
もので、中央に冷却ガスの供給通路が形成され冷却ガス
の供給通路から半径方向に複数個の冷却ガスの流れ溝が
上面に形成された半導体製造装置のペデスタルにおい
て、内部に冷却空間部を形成し、この冷却空間部に冷却
ガスが供給されるようにして、ペデスタル自体を冷却さ
せるように構成されることを特徴とする半導体製造装置
のペデスタルによって達成されることができる。
【０００９】この時、前記の冷却空間部は、冷却ガスの
供給通路と連結して冷却ガスの供給通路に流れる冷却ガ
スを利用することが好ましい。
供給通路と連結して冷却ガスの供給通路に流れる冷却ガ
スを利用することが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例
を、添付図面を参照して詳細に説明する。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】図１は、本発明による半導体製造装置のペ
デスタルを示したものである。ペデスタル１１は、例え
ばエッチング設備等のチャンバー内に設置されて、工程
を遂行するためのウェーハ１２を支えるようになってい
る。
デスタルを示したものである。ペデスタル１１は、例え
ばエッチング設備等のチャンバー内に設置されて、工程
を遂行するためのウェーハ１２を支えるようになってい
る。
【００１２】このようなペデスタル１１は、ウェーハ１
２を支持するための台部１３が備えられており、またエ
ッチング工程時に、フォトレジスト層が焼かれるのを防
止するために、ウェーハ１２の底面を冷却させる冷却手
段が備えられている。すなわち、冷却手段は、台部１３
の中央に冷却ガス供給源（図示されていない）と連結さ
れて、ウェーハ１２の底面に冷却ガスを供給するための
冷却ガスの供給通路１４ａ、１４ｂが形成され、台部１
３の上面には、前記冷却ガスの供給通路１４ａから半径
方向に、複数個の冷却ガスの流れ溝１５が形成されてで
きる。
２を支持するための台部１３が備えられており、またエ
ッチング工程時に、フォトレジスト層が焼かれるのを防
止するために、ウェーハ１２の底面を冷却させる冷却手
段が備えられている。すなわち、冷却手段は、台部１３
の中央に冷却ガス供給源（図示されていない）と連結さ
れて、ウェーハ１２の底面に冷却ガスを供給するための
冷却ガスの供給通路１４ａ、１４ｂが形成され、台部１
３の上面には、前記冷却ガスの供給通路１４ａから半径
方向に、複数個の冷却ガスの流れ溝１５が形成されてで
きる。
【００１３】従って、冷却ガスの供給通路１４ａ、１４
ｂを通じて、ウェーハ１２の底面に供給された冷却ガス
は、冷却ガスの流れ溝１５に沿って、ウェーハ１２の縁
部に流れて、ウェーハ１２の底面全体を冷却させるよう
になり、これによってエッチング工程時に、ウェーハ上
のフォトレジスト層が焼くのを防止することができる。
ｂを通じて、ウェーハ１２の底面に供給された冷却ガス
は、冷却ガスの流れ溝１５に沿って、ウェーハ１２の縁
部に流れて、ウェーハ１２の底面全体を冷却させるよう
になり、これによってエッチング工程時に、ウェーハ上
のフォトレジスト層が焼くのを防止することができる。
【００１４】また、本発明のペデスタル１１は、内部に
冷却空間部１６が形成されている。冷却空間部１６には
冷却ガスが供給されて、ペデスタル１１自体を冷却させ
ることによって、ウェーハ１２を均一に冷却させるよう
になる。冷却空間部１６は、できるだけ空間を大きく形
成して、ペデスタル１１の冷却効率を増大させるのが好
ましい。
冷却空間部１６が形成されている。冷却空間部１６には
冷却ガスが供給されて、ペデスタル１１自体を冷却させ
ることによって、ウェーハ１２を均一に冷却させるよう
になる。冷却空間部１６は、できるだけ空間を大きく形
成して、ペデスタル１１の冷却効率を増大させるのが好
ましい。
【００１５】前記のような冷却空間部１６に冷却ガスを
供給するために、別途の冷却ガス供給ラインを利用する
ことができる。本実施例では、既存の冷却ガス供給通路
１４ａ、１４ｂの上に、冷却空間部１６を形成して、冷
却ガスの供給通路１４ａ、１４ｂに流れる冷却ガスを利
用することができるようにした。
供給するために、別途の冷却ガス供給ラインを利用する
ことができる。本実施例では、既存の冷却ガス供給通路
１４ａ、１４ｂの上に、冷却空間部１６を形成して、冷
却ガスの供給通路１４ａ、１４ｂに流れる冷却ガスを利
用することができるようにした。
【００１６】すなわち、ペデスタル１１の中央部に貫通
された冷却ガスの供給通路１４ａ、１４ｂの中間に冷却
空間部１６を連結し、冷却ガスの供給通路１４ａ、１４
ｂに供給される冷却ガスが、冷却空間部１６を経由し
て、台部１３の上面に排出されることができるようにし
た。
された冷却ガスの供給通路１４ａ、１４ｂの中間に冷却
空間部１６を連結し、冷却ガスの供給通路１４ａ、１４
ｂに供給される冷却ガスが、冷却空間部１６を経由し
て、台部１３の上面に排出されることができるようにし
た。
【００１７】また、冷却空間部１６は、下部を開放させ
て、カバー１７で開閉することができるように構成す
る。これによって、ペデスタルの製造時に、機械加工(M
achineWork )またはモールド(Mold)で形成することが容
易になる。冷却空間部１６のカバー１７は円形に形成し
て、ネジ結合でペデスタル１１の冷却空間部１６に組立
てられるように構成する。
て、カバー１７で開閉することができるように構成す
る。これによって、ペデスタルの製造時に、機械加工(M
achineWork )またはモールド(Mold)で形成することが容
易になる。冷却空間部１６のカバー１７は円形に形成し
て、ネジ結合でペデスタル１１の冷却空間部１６に組立
てられるように構成する。
【００１８】この時、ペデスタル１１とカバー１７との
結合部の間には、機密を維持するための“０”リング１
８を介在し、工具を使用してカバー１７の組立及び分解
が容易になるように、カバー１７に組立溝１７ａを形成
する。また、冷却ガスと接触するペデスタル１１及びカ
バー１７との表面に、硬質陽極酸化処理(Hard Anodizin
g)処理して、この部分でパーティクルが生成されること
を防止することが好ましい。
結合部の間には、機密を維持するための“０”リング１
８を介在し、工具を使用してカバー１７の組立及び分解
が容易になるように、カバー１７に組立溝１７ａを形成
する。また、冷却ガスと接触するペデスタル１１及びカ
バー１７との表面に、硬質陽極酸化処理(Hard Anodizin
g)処理して、この部分でパーティクルが生成されること
を防止することが好ましい。
【００１９】このように、冷却空間部１６がペデスタル
１１の内部に構成されることによって、冷却ガスの供給
通路１４ｂに供給される冷却ガスが、冷却空間部１６に
供給されてしばらく留まって、ペデスタル１１自体を冷
却させる。これによって、ペデスタル１１の台部１１上
に置かれたウェーハ１２も、冷却されたペデスタル１１
と熱交換して冷却が行われる。
１１の内部に構成されることによって、冷却ガスの供給
通路１４ｂに供給される冷却ガスが、冷却空間部１６に
供給されてしばらく留まって、ペデスタル１１自体を冷
却させる。これによって、ペデスタル１１の台部１１上
に置かれたウェーハ１２も、冷却されたペデスタル１１
と熱交換して冷却が行われる。
【００２０】このようにウェーハ１２は、冷却ガスの供
給通路１４ａ、１４ｂを通じて排出されて、冷却ガスの
流れ溝１５に流れる冷却ガスによって冷却され、これと
同時に冷却空間部１６によって自体冷却されたペデスタ
ル１１と熱交換されて、二重に冷却される。従って、ウ
ェーハ１２の中央部と縁部との温度差が顕著に減少さ
れ、ウェーハ１２の全体にかけて、均一な冷却が行われ
て、安定的なエッチング工程が遂行される。
給通路１４ａ、１４ｂを通じて排出されて、冷却ガスの
流れ溝１５に流れる冷却ガスによって冷却され、これと
同時に冷却空間部１６によって自体冷却されたペデスタ
ル１１と熱交換されて、二重に冷却される。従って、ウ
ェーハ１２の中央部と縁部との温度差が顕著に減少さ
れ、ウェーハ１２の全体にかけて、均一な冷却が行われ
て、安定的なエッチング工程が遂行される。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明による半導体製造
装置のペデスタルによると、ウェーハが均一に冷却され
ることによって、エッチング工程が均一で安定的に行わ
れて、収率及び品質が向上されるもので、特に大口径化
されて行くウェーハを、均一に冷却させるに効果的であ
る。
装置のペデスタルによると、ウェーハが均一に冷却され
ることによって、エッチング工程が均一で安定的に行わ
れて、収率及び品質が向上されるもので、特に大口径化
されて行くウェーハを、均一に冷却させるに効果的であ
る。
【００２２】以上において本発明は、記載された具体例
に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲
内で、多様な変形及び修正が可能であることは、当業者
によって明らかなものであり、このような変形及び修正
が、添付された特許請求範囲に属することは当然なもの
である。
に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲
内で、多様な変形及び修正が可能であることは、当業者
によって明らかなものであり、このような変形及び修正
が、添付された特許請求範囲に属することは当然なもの
である。
【図１】本発明によるペデスタルを示した断面構造図で
ある。
ある。
【図２】従来のペデスタルを示した断面構造図である。
１、１１： ペデスタル(Pedestal) ２、１２： ウェーハ ３、１３： 台部 ４、１４ａ、１４ｂ： 冷却ガスの流れ通路 ５、１５： 冷却ガスの流れ溝 １６： 冷却空間部 １７： カバー １７ａ： 組立溝 １８： “０”リング
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体製造装置のチャンバー内に設置さ
れてウェーハが置かれるもので、中央に冷却ガスの供給
通路が形成され、冷却ガスの供給通路から半径方向に複
数個の冷却ガスの流れ溝が上面に形成された半導体製造
装置のペデスタルにおいて、 内部に冷却空間部を形成し、この冷却空間部に冷却ガス
が供給されるようにしてペデスタル自体を冷却させるよ
うに構成されることを特徴とする半導体製造装置のペデ
スタル。 - 【請求項２】 前記冷却空間部は、冷却ガスの供給通路
と連結して、冷却ガスの供給通路に流れる冷却ガスが供
給されるようにすることを特徴とする請求項１記載の半
導体製造装置のペデスタル。 - 【請求項３】 前記冷却空間部は、ペデスタルの内部に
形成することが容易になるように一部を開放し、この開
放された部分をカバーで分離することができるようにネ
ジ結合して構成されることを特徴とする請求項２記載の
半導体製造装置のペデスタル。 - 【請求項４】 前記カバーとペデスタル間に“０”リン
グを介在して、冷却空間部の機密を維持し、カバーには
組立及び分解のための組立溝を形成してできることを特
徴とする請求項３記載の半導体製造装置のペデスタル。 - 【請求項５】 前記冷却ガスが接触されるペデスタル及
びカバーの表面に、硬質陽極酸化処理(Hard Anodizing)
処理をしてなることを特徴とする請求項３記載の半導体
製造装置のペデスタル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960036586A KR19980016891A (ko) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 반도체 제조장치의 페디스탈 |
| KR1996-36586 | 1996-08-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092915A true JPH1092915A (ja) | 1998-04-10 |
| JP2837842B2 JP2837842B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=19471528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10967097A Expired - Fee Related JP2837842B2 (ja) | 1996-08-29 | 1997-04-25 | 半導体製造装置のペデスタル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2837842B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980016891A (ja) |
| TW (1) | TW358240B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101303005B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2013-09-03 | (재)한국나노기술원 | 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170935U (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-15 | ||
| JPH02135753A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 試料保持装置 |
-
1996
- 1996-08-29 KR KR1019960036586A patent/KR19980016891A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-04-08 TW TW086104409A patent/TW358240B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-25 JP JP10967097A patent/JP2837842B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170935U (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-15 | ||
| JPH02135753A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 試料保持装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2837842B2 (ja) | 1998-12-16 |
| TW358240B (en) | 1999-05-11 |
| KR19980016891A (ko) | 1998-06-05 |
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