KR100236709B1 - 반도체제조장치의페디스탈(pedestal) - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 에칭설비의 챔버 내에 설치되어 웨이퍼를 하부에서 받쳐 지지하는 페디스탈에 관한 것이다.

본 발명에 따른 반도체 제조장치의 페디스탈은, 반도체 제조장치의 챔버 내에 설치되어 웨이퍼가 놓여지는 것으로 중앙에 냉각가스 공급통로가 형성되고, 상기 냉각가스 공급통로로부터 반경 방향으로 복수개의 냉각가스 흐름홈이 상면에 형성된 반도체 제조장치의 페디스탈에 있어서, 상기 냉각가스 흐름홈이 형성된 상면이 가장자리 부분으로부터 냉각가스 공급통로로 갈수록 점점 낮아지도록 형성된 것이다.

따라서 본 발명에 의하면 웨이퍼의 중앙부분과 가장자리가 균일하게 냉각됨으로써 에칭공정이 안정되어 에칭비율 및 균일도에 영향주지 않는 것이고, 이로써, 수율 및 품질이 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체 제조장치의 페디스탈{Pedestal of semiconductor manufacturing apparatus}

본 발명은 반도체 제조장치의 페디스탈(pedestal)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에칭설비의 챔버 내에 설치되어 웨이퍼를 하부에서 받쳐 지지하는 반도체 제조장치의 페디스탈에 관한 것이다.

일반적으로 에칭설비의 챔버 내에는 웨이퍼를 받쳐 지지하기 위한 페디스탈이 설치되어 있고, 이 페디스탈에는 에칭공정 중 웨이퍼 상의 포토 레지스트층이 고열에 의해 타는 것을 방지하기 위해 헬륨가스가 공급되도록 구성되어 있다.

도1 및 도2는 상기한 바와 같은 종래의 페디스탈을 나타내는 것으로서, 페디스탈(1)은 웨이퍼(2)와 동일한 크기와 형상으로 된 받침부(3)가 구비되어 웨이퍼(2)가 상면에 놓여지도록 구성되어 있고, 이 받침부(3)의 중앙에는 웨이퍼(2)의 저면으로 냉각가스를 공급하여 웨이퍼(2)를 냉각시키기 위한 냉각가스 공급통로(4)가 형성되어 있으며, 상기 냉각가스 공급통로(4)로부터 반경 방향으로 복수개의 냉각가스 흐름홈(5)이 형성되어 냉각가스가 웨이퍼(2)의 가장자리 부분까지 공급되도록 하고 있다.

따라서 웨이퍼(2)의 에칭공정 중 냉각가스 공급원(도시 안됨)으로부터 냉각가스 공급통로(4)를 통해 냉각가스가 공급되면 페디스탈(1)의 중앙부분으로부터 냉각가스 흐름홈(5)을 따라 냉각가스가 공급되어 웨이퍼(2)의 저면 전체를 냉각시키게 되고, 이로써 에칭공정 중 웨이퍼(2) 위의 포토 레지스트 층이 타는 것이 방지된다.

그러나 종래에는 냉각가스가 웨이퍼(2)의 중앙부분으로부터 공급되어 가장자리 부분으로 공급되어지고, 페디스탈(1)의 상면이 평평한 구조로 되어 있기 때문에 웨이퍼(2)의 중앙부분이 가장 빠르게 냉각되어진다. 따라서 웨이퍼(2)의 중앙부분과 가장자리 부분과의 냉각 온도차이가 발생하게 되고, 이 냉각 온도차이에 의해 에칭공정시 웨이퍼의 에칭비율 및 균일도에 큰 영향을 미치게 되었으며, 이로인해 수율 및 품질이 저하되는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 에칭공정 중 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일하게 냉각되도록 함으로써 에칭비율 및 균일도를 일정하게 유지하여 수율 및 품질을 향상시킬 수 있는 반도체 제조장치를 제공함에 그 목적이 있다.

도1은 종래의 페디스탈에 웨이퍼가 놓인 상태를 나타내는 정면도이다.

도2는 종래의 페디스탈을 나타내는 사시도이다.

도3은 본 발명에 따른 페디스탈에 웨이퍼가 놓인 상태를 나타내는 정면도이다.

도4는 본 발명에 따른 페디스탈을 나타내는 사시도이다.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※

1, 11 : 페디스탈(pedestal) 2, 12 : 웨이퍼

3, 13 : 받침부 4, 14 : 냉각가스 공급통로

5, 15 : 냉각가스 흐름홈

상기 목적은 반도체 제조장치의 챔버 내에 설치되어 웨이퍼가 놓여지는 것으로 중앙에 냉각가스 공급통로가 형성되고, 상기 냉각가스 공급통로로부터 반경 방향으로 복수개의 냉각가스 흐름홈이 상면에 형성된 반도체 제조장치의 페디스탈에 있어서, 상기 냉각가스 흐름홈이 형성된 상면이 가장자리 부분으로부터 냉각가스 공급통로로 갈수록 점점 낮아지도록 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 페디스탈에 의해 달성될 수 있다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도3 및 도4는 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 페디스탈을 나타내는 것으로서, 페디스탈(11)은 예를 들면 에칭설비 등의 챔버 내에 설치되어 공정을 수행하기 위한 웨이퍼(12)를 받쳐 지지하도록 구성되어 있다.

이러한 페디스탈(11)은 웨이퍼(12)를 받쳐 지지하기 위한 받침부(13)가 구비되어 있고, 또한 에칭 공정시 웨이퍼(12)의 저면을 냉각시키기 위한 수단이 구비되어 있다. 즉, 받침부(13)의 중앙에 냉각가스 공급원(도시 안됨)과 연결되어 웨이퍼(12)의 저면으로 냉각가스를 공급하기 위한 냉각가스 공급통로(14)가 형성되어 있고, 이 받침부(13)의 상면에는 상기 냉각가스 공급통로(14)로부터 반경 방향으로 복수개의 냉각가스 흐름홈(15)이 형성되어 있다.

따라서 냉각가스 공급통로(14)를 통해 웨이퍼(12)의 저면으로 공급된 냉각가스는 냉각가스 흐름홈(15)을 따라 웨이퍼(12)의 가장자리 부분으로 흘러 웨이퍼(12) 저면 전체를 냉각시키게 되고, 이로써 에칭 공정시 웨이퍼 상에 포토 레지스트층이 타는 것을 방지할 수 있다.

이 때 상기 냉각가스 흐름홈(15)이 형성된 받침부(13)의 상면은 냉각가스 흐름홈(15)의 가장자리 부분에서 냉각가스 공급통로(14) 쪽으로 갈수록 점점 낮아지도록 경사지게 형성하여 웨이퍼(12)의 저면과 받침부(13) 사이의 틈새가 냉각가스 공급통로(14) 쪽으로 갈수록 점점 넓어지도록 구성되어 있다.

이러한 구성의 페디스탈(11)은 냉각가스 공급원으로부터 냉각가스가 공급되어 냉각가스 공급통로(14)를 통해 웨이퍼(12)의 저면 중앙부분으로 공급되면, 웨이퍼(12)의 중앙부분이 웨이퍼(12)의 가장자리 부분보다 틈새가 넓기 때문에 그 만큼 냉각속도가 늦어지게 되고, 중앙부위가 냉각되는 동안 냉각가스가 냉각가스 흐름홈(15)을 통해 웨이퍼(12)의 가장자리 부분에 도달하여 가장자리 부분을 냉각시키므로 웨이퍼(12)는 전체적으로 균일하게 냉각되어진다.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 페디스탈에 의하면 웨이퍼가 균일하게 냉각됨으로써 에칭공정이 안정되어 에칭비율 및 균일도에 영향주지 않는 것이고, 이로써 수율 및 품질이 향상되는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (1)

1. (정정)반도체 제조장치의 챔버 내에 설치되어 웨이퍼가 놓여지는 것으로 중앙에 냉각가스 공급통로가 형성되고, 상기 냉각가스 공급통로로부터 반경 방향으로 복수개의 냉각가스 흐름홈이 상면에 형성된 반도체 제조장치의 페디스탈에 있어서,

   상기 냉각가스 흐름홈이 형성된 상면이 가장자리 부분으로부터 냉각가스 공급통로로 갈수록 점점 낮아지도록 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 페디스탈.