JPH1090717A - Active matrix type liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents
Active matrix type liquid crystal display device and its manufactureInfo
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- JPH1090717A JPH1090717A JP23873796A JP23873796A JPH1090717A JP H1090717 A JPH1090717 A JP H1090717A JP 23873796 A JP23873796 A JP 23873796A JP 23873796 A JP23873796 A JP 23873796A JP H1090717 A JPH1090717 A JP H1090717A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータ、テレ
ビなどのディスプレイに利用され、能動素子として薄膜
トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する）などのスイッ
チング素子を有するアクティブマトリクス型液晶表示装
置およびその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device which is used for a display such as a computer and a television and has a switching element such as a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as an active element and a method of manufacturing the same. It is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示素子等を用いた卓上パー
ソナル用情報端末機器およびアミューズメント機器など
が開発されている。これらの装置に用いられている液晶
表示素子は、高画質化および大型化の要望から、能動素
子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置が主流となっている。2. Description of the Related Art In recent years, desktop personal information terminal devices and amusement devices using liquid crystal display elements and the like have been developed. The active matrix type liquid crystal display device having a thin film transistor (TFT) as an active element is mainly used as a liquid crystal display element used in these devices because of a demand for higher image quality and a larger size.
【０００３】さらに、低消費電力化に対する要望も強
く、開口率を高めて透過率をアップすることに凌ぎをけ
ずっている。開口率を高めるため、画素電極を開口部一
杯まで広くできるような構造が必要とされる。[0003] Furthermore, there is a strong demand for lower power consumption, which is far superior to increasing the aperture ratio to increase the transmittance. In order to increase the aperture ratio, a structure that allows the pixel electrode to be widened to the full aperture is required.
【０００４】例えば、アクティブマトリクス型液晶表示
装置の一例として、図７にＴＦＴを用いて形成した液晶
表示装置の一部であるアクティブマトリクス型液晶表示
装置の構成の一例を示す。For example, as an example of an active matrix type liquid crystal display device, FIG. 7 shows an example of a configuration of an active matrix type liquid crystal display device which is a part of a liquid crystal display device formed using TFTs.
【０００５】図７に示すように、アクティブマトリクス
状にスイッチング素子であるＴＦＴ２および補助容量１
が形成される。走査配線であるゲート配線３はＴＦＴ２
の走査電極であるゲート電極に接続され、そこへ入力さ
れる信号によってＴＦＴ２が駆動される。信号配線であ
るソース配線５はＴＦＴ２の信号電極であるソース電極
に接続され、ビデオ信号が入力される。ＴＦＴ２のドレ
イン電極には画素電極６および補助容量１の一方の端子
が接続される。各補助容量１のもう一方の端子は補助容
量配線４に接続され、液晶表示装置の構成とした場合、
対向基板上の対向電極と接続される。As shown in FIG. 7, a TFT 2 serving as a switching element and an auxiliary capacitor 1 are arranged in an active matrix.
Is formed. The gate wiring 3 which is a scanning wiring is a TFT 2
The TFT 2 is driven by a signal input thereto. A source wiring 5 serving as a signal wiring is connected to a source electrode serving as a signal electrode of the TFT 2, and a video signal is input. The pixel electrode 6 and one terminal of the auxiliary capacitance 1 are connected to the drain electrode of the TFT 2. The other terminal of each auxiliary capacitance 1 is connected to an auxiliary capacitance line 4 to provide a liquid crystal display device.
It is connected to a counter electrode on the counter substrate.
【０００６】図８に１画素分の平面図、図９にＴＦＴ２
および補助容量配線４のＡ−Ａ断面構造図を示す。ここ
では透明な絶縁性の基板１１の上に、陽極酸化可能な金
属にてゲート電極１２および補助容量配線４を形成す
る。ゲート電極１２および補助容量配線４を陽極酸化処
理し、陽極酸化膜２０を形成する。FIG. 8 is a plan view of one pixel, and FIG.
2 is a cross-sectional view of the storage capacitor line 4 taken along the line AA. Here, the gate electrode 12 and the auxiliary capacitance line 4 are formed on a transparent insulating substrate 11 with an anodizable metal. The gate electrode 12 and the auxiliary capacitance line 4 are anodized to form an anodized film 20.
【０００７】そして、ゲート絶縁膜１３、半導体層１
４、チャネル保護層１５、ソースおよびドレイン電極と
なるｎ+ −Ｓｉ層１６、ソース配線５となるＩＴＯから
なる透明導電膜２７と金属層１７を順次積層する。Then, the gate insulating film 13, the semiconductor layer 1
4, a channel protective layer 15, an n + -Si layer 16 serving as source and drain electrodes, a transparent conductive film 27 made of ITO serving as the source wiring 5, and a metal layer 17 are sequentially laminated.
【０００８】そして、その上に層間絶縁膜１８を形成
し、スパッタ等を用いて透明導電膜１９を成膜し、フォ
トリソ工程およびエッチング工程を経て、画素電極６を
形成する。画素電極６は層間絶縁膜１８を貫くコンタク
トホール７を介してＴＦＴ２のドレイン電極と接続され
る。この構造では、ゲート配線３およびソース配線５と
画素電極６との間には層間絶縁膜１８が形成されている
ため、ゲート配線３およびソース配線５に対して画素電
極６がオーバーラップされた構造となっている。Then, an interlayer insulating film 18 is formed thereon, a transparent conductive film 19 is formed by sputtering or the like, and a pixel electrode 6 is formed through a photolithography process and an etching process. The pixel electrode 6 is connected to the drain electrode of the TFT 2 via the contact hole 7 penetrating through the interlayer insulating film 18. In this structure, since the interlayer insulating film 18 is formed between the gate wiring 3 and the source wiring 5 and the pixel electrode 6, the pixel electrode 6 overlaps the gate wiring 3 and the source wiring 5. It has become.
【０００９】陽極酸化膜２０およびゲート絶縁膜１３を
介して、補助容量配線４とＩＴＯからなる透明導電膜２
７との間に補助容量１が形成される。An auxiliary capacitance wiring 4 and a transparent conductive film 2 made of ITO are interposed via an anodic oxide film 20 and a gate insulating film 13.
7, an auxiliary capacitance 1 is formed.
【００１０】次に、コンタクトホール７はテーパーをも
つため画素電極６と対向電極との電極間隔が異なるた
め、液晶の配向が乱れる。このコンタクトホール７で発
生する液晶の配向乱れを隠すために、ここでは、補助容
量配線４は遮光膜としても機能している。Next, since the contact hole 7 has a taper and the electrode interval between the pixel electrode 6 and the counter electrode is different, the alignment of the liquid crystal is disturbed. In order to hide the disorder of the alignment of the liquid crystal generated in the contact hole 7, the auxiliary capacitance wiring 4 also functions as a light shielding film here.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高開口
率化により画素電極面積を大きくする必要があるため、
補助容量面積を大きくとる必要がある。補助容量面積を
大きくすれば、ソース配線５の近くまでＩＴＯからなる
透明導電膜２７を広げる必要がある。そのため、ソース
配線５と透明導電膜２７との間隔が小さくなり、ソース
配線５と透明導電膜２７との間で短絡による不良が発生
しやすくなるという問題があった。However, since it is necessary to increase the pixel electrode area by increasing the aperture ratio,
It is necessary to increase the auxiliary capacitance area. If the area of the auxiliary capacitance is increased, it is necessary to extend the transparent conductive film 27 made of ITO to the vicinity of the source wiring 5. Therefore, the distance between the source wiring 5 and the transparent conductive film 27 is reduced, and there is a problem that a failure due to a short circuit between the source wiring 5 and the transparent conductive film 27 is likely to occur.
【００１２】また、補助容量配線４は遮光膜としても機
能しているので、補助容量面積である補助容量配線４も
大きくとる必要があるため、開口率が低下するという問
題があった。Further, since the auxiliary capacitance line 4 also functions as a light-shielding film, the auxiliary capacitance line 4, which is an auxiliary capacitance area, also needs to be large, so that there is a problem that the aperture ratio is reduced.
【００１３】また、上記で説明したように透過型の液晶
表示装置以外にも、反射型の液晶表示装置についても、
表示面積を大きくするため、配線と画素電極との重なり
を大きくした場合、同様に補助容量面積を大きくとる必
要がある。In addition to the transmission type liquid crystal display device as described above, a reflection type liquid crystal display device also includes:
When the overlap between the wiring and the pixel electrode is increased in order to increase the display area, it is necessary to similarly increase the auxiliary capacitance area.
【００１４】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、補助容量面積を広くせずに、補助容
量を大きくすることができるアクティブマトリクス型液
晶表示装置を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide an active matrix type liquid crystal display device which can increase the auxiliary capacitance without increasing the auxiliary capacitance area. .
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は、スイッチング
素子がマトリクス状に形成され、該スイッチング素子を
制御する走査配線およびスイッチング素子にデータ信号
を供給する信号配線がそれぞれ直交するように形成さ
れ、該スイッチング素子にて画素電極が制御されるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置において、前記走査電
極に陽極酸化膜が形成され、補助容量配線の上には前記
陽極酸化膜を介さず直接絶縁膜が形成されていることを
特徴とする。According to the present invention, a switching element is formed in a matrix, and a scanning line for controlling the switching element and a signal line for supplying a data signal to the switching element are formed to be orthogonal to each other. In an active matrix type liquid crystal display device in which a pixel electrode is controlled by the switching element, an anodic oxide film is formed on the scan electrode, and an insulating film is formed directly on the auxiliary capacitance wiring without interposing the anodic oxide film. It is characterized by having.
【００１６】また、本発明は、スイッチング素子がマト
リクス状に形成され、該スイッチング素子を制御する走
査配線およびスイッチング素子にデータ信号を供給する
信号配線がそれぞれ直交するように形成され、該スイッ
チング素子、走査配線、信号配線の上部に、層間絶縁膜
が形成され、画素電極が層間絶縁膜の上に形成され、層
間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して、スイッチン
グ素子のドレイン電極と画素電極との接続として用いら
れる導電膜が形成されているアクティブマトリクス型液
晶表示装置において、前記走査電極に陽極酸化膜が形成
され、補助容量配線の上には前記陽極酸化膜を介さず直
接絶縁膜が形成され、補助容量が前記絶縁膜を挟んで前
記導電膜と、前記補助容量配線との間で形成されること
を特徴とする。Further, according to the present invention, a switching element is formed in a matrix, and a scanning line for controlling the switching element and a signal line for supplying a data signal to the switching element are formed to be orthogonal to each other. An interlayer insulating film is formed above the scanning wiring and the signal wiring, a pixel electrode is formed on the interlayer insulating film, and a connection between the drain electrode of the switching element and the pixel electrode is made through a contact hole penetrating the interlayer insulating film. In an active matrix type liquid crystal display device in which a conductive film used as an active matrix type liquid crystal display device is formed, an anodic oxide film is formed on the scan electrode, and an insulating film is formed directly on the auxiliary capacitance line without the anodic oxide film, A storage capacitor is formed between the conductive film and the storage capacitor wiring with the insulating film interposed therebetween.
【００１７】また、本発明は、スイッチング素子がマト
リクス状に形成され、該スイッチング素子を制御する走
査配線およびスイッチング素子にデータ信号を供給する
信号配線がそれぞれ直交するように形成され、画素電極
がスイッチング素子のドレイン電極と接続されたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置において、前記走査電極
に陽極酸化膜が形成され、補助容量配線の上には前記陽
極酸化膜を介さず直接絶縁膜が形成され、補助容量が前
記絶縁膜を挟んで前記画素電極と、前記補助容量配線と
の間で形成されることを特徴とする。Further, according to the present invention, the switching elements are formed in a matrix, and a scanning line for controlling the switching elements and a signal line for supplying a data signal to the switching elements are formed to be orthogonal to each other, and the pixel electrodes are switched. In an active matrix type liquid crystal display device connected to a drain electrode of an element, an anodic oxide film is formed on the scan electrode, and an insulating film is formed directly on the auxiliary capacitance wiring without interposing the anodic oxide film. Is formed between the pixel electrode and the auxiliary capacitance line with the insulating film interposed therebetween.
【００１８】また、本発明は、スイッチング素子がマト
リクス状に形成され、該スイッチング素子を制御する走
査配線およびスイッチング素子にデータ信号を供給する
信号配線がそれぞれ直交するように形成され、該スイッ
チング素子にて画素電極が制御されるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の製造方法において、絶縁性基板の
上に走査電極および補助容量配線を陽極酸化可能な金属
により形成する工程と、前記補助容量配線の補助容量を
形成する部分のみを、ゴム系のレジストを用いて覆う工
程と、前記走査電極および前記補助容量配線を陽極酸化
する工程と、陽極酸化処理後、前記補助容量配線の補助
容量を形成する部分を覆っているゴム系のレジストを剥
離する工程と、前記陽極酸化膜および前記補助容量配線
の補助容量を形成する部分の上に、前記絶縁膜を形成す
ることを特徴とする。Further, according to the present invention, a switching element is formed in a matrix, and a scanning line for controlling the switching element and a signal line for supplying a data signal to the switching element are formed to be orthogonal to each other. Forming a scanning electrode and an auxiliary capacitance line on an insulating substrate with an anodizable metal on an insulating substrate; and forming an auxiliary capacitance of the auxiliary capacitance line on the insulating substrate. A step of covering only a portion to be formed with a rubber-based resist, a step of anodizing the scan electrode and the auxiliary capacitance line, and a step of covering the part of the auxiliary capacitance line where the auxiliary capacitance is to be formed after the anodizing treatment. Removing the rubber-based resist, and forming an auxiliary capacitance of the anodic oxide film and the auxiliary capacitance wiring On the portion that is characterized by forming the insulating film.
【００１９】以下、上記構成による作用を説明する。The operation of the above configuration will be described below.
【００２０】本発明であるゲート電極にのみ陽極酸化膜
を形成するアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ゲ
ート電極および補助容量配線に陽極酸化膜を形成する従
来例に対して、単位面積当たりの補助容量が大幅に向上
することができる。The active matrix type liquid crystal display device according to the present invention, in which an anodic oxide film is formed only on a gate electrode, is different from a conventional example in which an anodic oxide film is formed on a gate electrode and an auxiliary capacitance line, in comparison with an auxiliary capacitance per unit area. Can be greatly improved.
【００２１】従って、本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置では、単位面積当たりの補助容量が大幅に
向上するので、補助容量面積を大きくとる必要がなくな
る。Therefore, in the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, since the auxiliary capacitance per unit area is greatly improved, it is not necessary to increase the auxiliary capacitance area.
【００２２】また、補助容量面積を大きくとる必要がな
いので、ソース配線と導電膜との間隔が大きくでき、ソ
ース配線と導電膜との間で短絡による不良を減らすこと
ができる。Further, since it is not necessary to increase the area of the auxiliary capacitance, the distance between the source wiring and the conductive film can be increased, and defects due to short circuit between the source wiring and the conductive film can be reduced.
【００２３】また、補助容量配線は遮光膜としても機能
しているので、補助容量面積を大きくとる必要がないの
で、遮光膜としての面積も大きくする必要がなく、開口
率の向上に寄与できる。Further, since the auxiliary capacitance wiring also functions as a light-shielding film, it is not necessary to increase the area of the auxiliary capacitance. Therefore, it is not necessary to increase the area as the light-shielding film, which can contribute to an improvement in aperture ratio.
【００２４】また、ソース配線とゲート配線、補助容量
配線との交差部は陽極酸化処理が行われているため、リ
ークの発生も抑えられるため、良品率が良く、開口率の
高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現するこ
とができる。Also, since the intersections between the source wiring, the gate wiring, and the auxiliary capacitance wiring are anodized, the occurrence of leakage is suppressed, so that the active matrix type liquid crystal having a good non-defective rate and a high aperture ratio is obtained. A display device can be realized.
【００２５】[0025]
（実施形態１）本発明の実施形態１について説明する。
図１に、実施形態１におけるアクティブマトリクス型液
晶表示装置の１画素の平面構成、図２に実施形態１にお
けるアクティブマトリクス型液晶表示装置の１画素のＡ
−Ａ断面構成を示す。図３に、ゲート電極１２、補助容
量配線４の陽極酸化処理の工程を示す。(Embodiment 1) Embodiment 1 of the present invention will be described.
FIG. 1 shows a plan configuration of one pixel of the active matrix liquid crystal display device according to the first embodiment, and FIG. 2 shows A of one pixel of the active matrix liquid crystal display device according to the first embodiment.
4A shows a cross-sectional configuration. FIG. 3 shows a step of anodizing the gate electrode 12 and the auxiliary capacitance wiring 4.
【００２６】図３および図２により、実施形態１におけ
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製方法を説
明する。A method for manufacturing the active matrix type liquid crystal display device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.
【００２７】まず、図３（ａ）に示すように、透明な絶
縁性の基板１１上に走査配線であるゲート配線３および
走査電極であるゲート電極１２、ゲート配線３とほぼ平
行になるように補助容量配線４を形成する。ゲート配線
３、ゲート電極１２および補助容量配線４は陽極酸化可
能な金属、例えば、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ等の単層、あるいは上記の陽極酸化可能な金属以外の
金属層を下地層とし、その上に上記の陽極酸化可能な金
属層からなる多層構造である。実施形態１ではＴａまた
はＡｌを用いて厚さ３００ｎｍ程度に形成した。First, as shown in FIG. 3A, a gate wiring 3 serving as a scanning wiring, a gate electrode 12 serving as a scanning electrode, and a gate wiring 3 are formed on a transparent insulating substrate 11 so as to be substantially parallel to the gate wiring 3. An auxiliary capacitance line 4 is formed. The gate wiring 3, the gate electrode 12, and the auxiliary capacitance wiring 4 are made of an anodizable metal, for example, Ta, Al, Ti, Nb, Zr, H
A single layer such as f or a metal layer other than the above-described anodizable metal is used as a base layer, and has a multilayer structure including the above-described anodizable metal layer thereon. In the first embodiment, it is formed to a thickness of about 300 nm using Ta or Al.
【００２８】次に、図３（ｂ）に示すように、高い耐電
圧を有する高密度型のポリイソプレン系、または環化ポ
リブタジエン系を主成分とするゴム系のレジスト３０を
用いて、補助容量配線４の陽極酸化処理を行わないコン
タクトホール７の下にあたる部分をパターニングして覆
う。このとき同時に、ゲート配線３および補助容量配線
４の表示領域外の領域にて外部からの信号を入力する箇
所（端子部等）についても同様に覆ってもかまわない。Next, as shown in FIG. 3B, an auxiliary capacitor is formed by using a high-density type polyisoprene-based or cyclized polybutadiene-based rubber-based resist 30 having a high withstand voltage. A portion of the wiring 4 under the contact hole 7 where the anodic oxidation process is not performed is covered by patterning. At this time, at the same time, a portion (terminal portion or the like) for inputting an external signal in a region outside the display region of the gate line 3 and the auxiliary capacitance line 4 may be similarly covered.
【００２９】ここで、電解液によりゲート配線３、ゲー
ト電極１２、補助容量配線４を陽極酸化する。実施形態
１では、電解液には、電界質として働くクエン酸および
酒石酸、リン酸等を混入した水溶液、またはその水溶液
に電界集中を防ぐ働きをするエチレングリコールの混入
したものを用いた。Here, the gate wiring 3, the gate electrode 12, and the auxiliary capacitance wiring 4 are anodized with an electrolytic solution. In the first embodiment, as the electrolytic solution, an aqueous solution mixed with citric acid, tartaric acid, phosphoric acid, or the like that functions as an electrolyte, or a mixed solution of ethylene glycol that functions to prevent electric field concentration in the aqueous solution is used.
【００３０】次に、図３（ｃ）に示すように、陽極酸化
処理が終了すると、ゴム系のレジスト３０を剥離する。
陽極酸化処理を行うことにより、補助容量配線４の補助
容量を形成する部分のみに陽極酸化処理が施されず、そ
れ以外の補助容量配線４およびゲート電極１２に陽極酸
化膜２０が形成される。Next, as shown in FIG. 3C, when the anodizing treatment is completed, the rubber-based resist 30 is peeled off.
By performing the anodic oxidation process, the anodic oxidation process is not performed only on the portion of the auxiliary capacitance line 4 where the auxiliary capacitance is formed, and the anodic oxide film 20 is formed on the other auxiliary capacitance line 4 and the gate electrode 12.
【００３１】信号配線であるソース配線５とゲート配線
３、補助容量配線４との交差部は陽極酸化膜２０が形成
される。An anodic oxide film 20 is formed at the intersection of the source line 5, which is a signal line, the gate line 3, and the auxiliary capacitance line 4.
【００３２】次に、図３（ｄ）に示すように、陽極酸化
膜２０および補助容量配線４の上に、ゲート絶縁膜１３
を、例えばＳｉＮｘを用いて３００ｎｍの厚さに積層す
る。ゲート絶縁膜１３として、ＳｉＮｘ等の窒化物以外
にも、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、
Ｙ2 Ｏ3 等の酸化物も使用することができる。Next, as shown in FIG. 3D, the gate insulating film 13 is formed on the anodic oxide film 20 and the auxiliary capacitance wiring 4.
Is laminated to a thickness of 300 nm using, for example, SiNx. As the gate insulating film 13, besides nitride such as SiNx, SiO 2 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , TiO 2 ,
Oxides such as Y 2 O 3 can also be used.
【００３３】その後、図２に示すように、半導体層１４
をＣＶＤにより真性アモーファスＳｉ半導体を５０ｎｍ
形成した。次に、チャネル保護層１５をＳｉ3 Ｎ4 を用
いて３００ｎｍ形成した。次に、ソース・ドレイン電極
となるｎ+ にドープされたアモーファスＳｉにてｎ+ −
Ｓｉ層１６を５０ｎｍ形成した。Thereafter, as shown in FIG.
Of intrinsic amorphous silicon semiconductor by CVD
Formed. Next, a channel protection layer 15 was formed to a thickness of 300 nm using Si 3 N 4 . Next, n + -doped amorphous silicon which becomes the source / drain electrodes is doped with n + -.
An Si layer 16 was formed to a thickness of 50 nm.
【００３４】ソース配線５を構成するＩＴＯからなる透
明導電膜２７を１００ｎｍ形成し、さらにその上に金属
層１７をＴａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｃｕ等の単層または、多層金属および
合金で形成する。実施形態１ではＴａを用いて３００ｎ
ｍ程度の膜厚で形成し、パターニングした。実施形態１
では、ソース配線５は金属層１７とＩＴＯからなる透明
導電膜２７との２層構造とした。この構成にすることに
より、ソース配線５を構成する金属層１７の一部に膜の
欠損があったとしても、透明導電膜２７によって電気的
に接続されるため、ソース配線５の断線不良を少なくす
ることができる。A transparent conductive film 27 made of ITO for forming the source wiring 5 is formed to a thickness of 100 nm, and a metal layer 17 is further formed thereon by Ta, Al, Ti, Ni, Mo, W, Nb, Z
It is formed of a single layer of r, Hf, Cr, Cu, or the like, or a multilayer metal and alloy. In the first embodiment, 300 n using Ta is used.
It was formed with a thickness of about m and patterned. Embodiment 1
Thus, the source wiring 5 has a two-layer structure of the metal layer 17 and the transparent conductive film 27 made of ITO. With this configuration, even if a part of the metal layer 17 forming the source wiring 5 has a film defect, the metal wiring 17 is electrically connected by the transparent conductive film 27, so that the disconnection failure of the source wiring 5 is reduced. can do.
【００３５】ＩＴＯからなる透明導電膜２７を補助容量
配線４まで延ばし、ゲート絶縁膜１３を挟んで補助容量
配線４との間に補助容量１（Ｃｓ）を形成すると同時
に、画素電極６との接続として用いた。The transparent conductive film 27 made of ITO is extended to the auxiliary capacitance line 4, and the auxiliary capacitance 1 (Cs) is formed between the transparent conductive film 27 and the auxiliary capacitance line 4 with the gate insulating film 13 interposed therebetween. Used as
【００３６】なお、実施形態１では、補助容量１（Ｃ
ｓ）の形成を、ＩＴＯからなる透明導電膜２７と補助容
量配線４でしているが、補助容量配線４は遮光膜として
も機能しているので、透明導電膜２７は透明でなくても
よく、ＩＴＯ以外の導電膜でもよい。In the first embodiment, the auxiliary capacitance 1 (C
Although s) is formed using the transparent conductive film 27 made of ITO and the auxiliary capacitance line 4, the transparent conductive film 27 may not be transparent because the auxiliary capacitance line 4 also functions as a light shielding film. Alternatively, a conductive film other than ITO may be used.
【００３７】さらに、層間絶縁膜１８として感光性のア
クリル樹脂をスピン塗布法によって３μｍの膜厚で形成
した。続いてこの樹脂に対して所望のパターンに従って
露光し、アルカリ性の溶液によって処理した。これによ
って露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエ
ッチングされ、層間絶縁膜１８を貫通するコンタクトホ
ール７を形成する。Further, a photosensitive acrylic resin having a thickness of 3 μm was formed as the interlayer insulating film 18 by spin coating. Subsequently, the resin was exposed to light according to a desired pattern and treated with an alkaline solution. As a result, only the exposed portions are etched by the alkaline solution to form contact holes 7 penetrating through interlayer insulating film 18.
【００３８】また、実施形態１で用いた樹脂は塗布前で
は着色しているが、これは上記パターニング後に全面に
露光処理を施すことによって透明化することができる。
このような透明化の処理は化学的にも行うことが可能で
あり、それを用いても良いことは言うまでもない。Although the resin used in the first embodiment is colored before coating, it can be made transparent by subjecting the entire surface to an exposure treatment after the above patterning.
Such a process of making transparent can be performed chemically, and it goes without saying that it may be used.
【００３９】次に、画素電極６となる透明導電膜１９
を、ＩＴＯを用いて５０〜５００ｎｍの膜厚で形成し
た。Next, the transparent conductive film 19 serving as the pixel electrode 6
Was formed in a thickness of 50 to 500 nm using ITO.
【００４０】上記の製造方法により、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置が作製できる。By the above manufacturing method, an active matrix type liquid crystal display device can be manufactured.
【００４１】ゲート電極および補助容量配線に陽極酸化
膜を形成する従来例に対して、本発明であるゲート電極
にのみ陽極酸化膜を形成するアクティブマトリクス型液
晶表示装置での補助容量向上の効果を図６に示す。図６
では、本発明および従来例ともゲート絶縁膜１３はＳｉ
Ｎｘを用いて３００ｎｍの膜厚で形成している。図６は
本発明と従来例との相対比較を表しており、従来例のデ
ータは１００％のラインである。In contrast to the conventional example in which an anodic oxide film is formed on the gate electrode and the auxiliary capacitance wiring, the effect of improving the auxiliary capacitance in the active matrix type liquid crystal display device in which the anodic oxide film is formed only on the gate electrode according to the present invention is shown. As shown in FIG. FIG.
In both the present invention and the conventional example, the gate insulating film 13 is made of Si.
It is formed with a thickness of 300 nm using Nx. FIG. 6 shows a relative comparison between the present invention and the conventional example, and the data of the conventional example is a 100% line.
【００４２】例えば、ゲート電極としてＴａを用いる
と、その陽極酸化膜はＴａ2 Ｏ5 であり、その陽極酸化
膜が３００ｎｍの場合、単位面積当たりの補助容量に関
して、従来例を１００％とすると、本発明では単位面積
当たりの補助容量は１３２％となり、単位面積当たりの
補助容量が大幅に向上することがわかる。For example, when Ta is used as the gate electrode, the anodic oxide film is Ta 2 O 5 , and when the anodic oxide film is 300 nm, the storage capacity per unit area is 100% in the conventional example. In the present invention, the auxiliary capacitance per unit area is 132%, which indicates that the auxiliary capacitance per unit area is greatly improved.
【００４３】また、ゲート電極としてＡｌを用いると、
その陽極酸化膜はＡｌ2 Ｏ3 であり、その陽極酸化膜が
３００ｎｍの場合、単位面積当たりの補助容量に関し
て、従来例を１００％とすると、本発明では単位面積当
たりの補助容量は１６２％となり、単位面積当たりの補
助容量が大幅に向上することがわかる。When Al is used as the gate electrode,
When the anodic oxide film is Al 2 O 3 and the anodic oxide film is 300 nm, the auxiliary capacity per unit area is 162% in the present invention, assuming that the conventional example is 100% with respect to the auxiliary capacity per unit area. It can be seen that the auxiliary capacitance per unit area is greatly improved.
【００４４】従って、本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置では、補助容量配線４においてドレイン電
極と画素電極との接続として用いられる透明導電膜２７
の面積を広げることなく、画素電極の電位変動が許容範
囲内にすることが可能になり、高開口率化技術により画
素電極面積が大きくなったとしても、補助容量面積を大
きくとる必要がなくなる。Therefore, in the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, the transparent conductive film 27 used as the connection between the drain electrode and the pixel electrode in the auxiliary capacitance line 4 is used.
It is possible to make the potential variation of the pixel electrode within an allowable range without increasing the area of the pixel electrode, and it is not necessary to increase the area of the auxiliary capacitance even if the pixel electrode area is increased by the high aperture ratio technology.
【００４５】また、補助容量面積を大きくとる必要がな
いので、ソース配線５と透明導電膜２７との間隔が大き
くでき、ソース配線５と透明導電膜２７との間で短絡に
よる不良を減らすことができる。Further, since it is not necessary to increase the area of the auxiliary capacitance, the distance between the source wiring 5 and the transparent conductive film 27 can be increased, and the failure due to short circuit between the source wiring 5 and the transparent conductive film 27 can be reduced. it can.
【００４６】また、補助容量配線４は遮光膜としても機
能しているので、補助容量面積を大きくとる必要がない
ので、遮光膜としての面積も大きくする必要がなく、開
口率の向上に寄与できる。Further, since the auxiliary capacitance wiring 4 also functions as a light-shielding film, it is not necessary to increase the area of the auxiliary capacitance. Therefore, it is not necessary to increase the area as the light-shielding film, which can contribute to an improvement in aperture ratio. .
【００４７】また、ソース配線とゲート配線、補助容量
配線との交差部は陽極酸化処理が行われているため、リ
ークの発生も抑えられるため、良品率良く開口率の高い
アクティブマトリクス型液晶表示装置を実現することが
できる。Also, since the intersections of the source wiring, the gate wiring, and the auxiliary capacitance wiring are subjected to anodic oxidation treatment, the occurrence of leakage is suppressed, so that the active matrix type liquid crystal display device has a good product ratio and a high aperture ratio. Can be realized.
【００４８】また、本発明は、Ｃｓ Ｏｎ Ｇａｔｅ構
造の液晶表示装置でも実現することができる。The present invention can also be realized in a liquid crystal display device having a Cs On Gate structure.
【００４９】（実施形態２）別の実施形態として、層間
絶縁膜１８をもたない構造のアクティブマトリクス型液
晶表示装置である実施形態２について説明する。(Embodiment 2) As another embodiment, Embodiment 2 which is an active matrix type liquid crystal display device having a structure having no interlayer insulating film 18 will be described.
【００５０】図４に、実施形態２におけるアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の１画素の平面構成、図５に実
施形態２におけるアクティブマトリクス型液晶表示装置
の１画素のＡ−Ａ断面構成を示す。図３に、ゲート電極
１２、補助容量配線４の陽極酸化処理の工程を示す。FIG. 4 shows a plan configuration of one pixel of the active matrix liquid crystal display device according to the second embodiment, and FIG. 5 shows a cross-sectional configuration along line AA of one pixel of the active matrix liquid crystal display device according to the second embodiment. FIG. 3 shows a step of anodizing the gate electrode 12 and the auxiliary capacitance wiring 4.
【００５１】図３および図５により、実施形態２におけ
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製方法を説
明する。A method for manufacturing the active matrix type liquid crystal display device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.
【００５２】まず、図３（ａ）に示すように、透明な絶
縁性の基板１１上に走査配線であるゲート配線３および
走査電極であるゲート電極１２、ゲート配線３とほぼ平
行になるように補助容量配線４を形成する。ゲート配線
３、ゲート電極１２および補助容量配線４は陽極酸化可
能な金属、例えば、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ等の単層、あるいは上記の陽極酸化可能な金属以外の
金属層を下地層とし、その上に上記の陽極酸化可能な金
属層からなる多層構造である。実施形態２ではＴａまた
はＡｌを用いて厚さ３００ｎｍ程度に形成した。First, as shown in FIG. 3A, a gate wiring 3 serving as a scanning wiring and a gate electrode 12 serving as a scanning electrode are formed on a transparent insulating substrate 11 so as to be substantially parallel to the gate wiring 3. An auxiliary capacitance line 4 is formed. The gate wiring 3, the gate electrode 12, and the auxiliary capacitance wiring 4 are made of an anodizable metal, for example, Ta, Al, Ti, Nb, Zr, H
A single layer such as f or a metal layer other than the above-described anodizable metal is used as a base layer, and has a multilayer structure including the above-described anodizable metal layer thereon. In the second embodiment, it is formed to a thickness of about 300 nm using Ta or Al.
【００５３】次に、図３（ｂ）に示すように、高い耐電
圧を有する高密度型のポリイソプレン系、または環化ポ
リブタジエン系を主成分とするゴム系のレジスト３０を
用いて、補助容量配線４の陽極酸化処理を行わない部分
をパターニングして覆う。このとき同時に、ゲート配線
３、補助容量配線４の表示領域外の領域にて外部からの
信号を入力する箇所（端子部等）についても同様に覆っ
てもかまわない。Next, as shown in FIG. 3 (b), a high-density type polyisoprene-based or cyclized polybutadiene-based rubber-based resist 30 having a high withstand voltage is used to form an auxiliary capacitor. A portion of the wiring 4 where the anodic oxidation process is not performed is covered by patterning. At this time, at the same time, a portion (terminal portion or the like) for inputting an external signal in a region outside the display region of the gate line 3 and the auxiliary capacitance line 4 may be similarly covered.
【００５４】ここで、電解液によりゲート配線３、ゲー
ト電極１２、補助容量配線４を陽極酸化する。実施形態
２では、電解液には、電界質として働くクエン酸および
酒石酸、リン酸等を混入した水溶液、またはその水溶液
に電界集中を防ぐ働きをするエチレングリコールの混入
したものを用いた。Here, the gate wiring 3, the gate electrode 12, and the auxiliary capacitance wiring 4 are anodized by the electrolytic solution. In the second embodiment, an aqueous solution mixed with citric acid, tartaric acid, phosphoric acid, or the like serving as an electrolyte, or a mixed solution of ethylene glycol serving to prevent electric field concentration in the aqueous solution is used as the electrolyte.
【００５５】次に、図３（ｃ）に示すように、陽極酸化
処理が終了すると、ゴム系のレジスト３０を剥離する。
陽極酸化処理を行うことにより、補助容量配線４の補助
容量を形成する部分のみが陽極酸化処理が施されずに、
それ以外の補助容量配線４およびゲート電極１２に陽極
酸化膜２０が形成される。Next, as shown in FIG. 3C, when the anodic oxidation treatment is completed, the rubber-based resist 30 is peeled off.
By performing the anodic oxidation treatment, only the portion of the auxiliary capacitance wiring 4 where the auxiliary capacitance is formed is not subjected to the anodic oxidation treatment,
An anodic oxide film 20 is formed on the other auxiliary capacitance wires 4 and the gate electrode 12.
【００５６】信号配線であるソース配線５とゲート配線
３、補助容量配線４との交差部は陽極酸化膜２０が形成
される。An anodic oxide film 20 is formed at the intersection of the source line 5, which is a signal line, the gate line 3, and the auxiliary capacitance line 4.
【００５７】次に、図３（ｄ）に示すように、陽極酸化
膜２０および補助容量配線４の上に、ゲート絶縁膜１３
を、例えばＳｉＮｘを用いて３００ｎｍの厚さに積層す
る。ゲート絶縁膜１３として、ＳｉＮｘ等の窒化物以外
にも、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、
Ｙ2 Ｏ3 等の酸化物も使用することができる。Next, as shown in FIG. 3D, the gate insulating film 13 is formed on the anodic oxide film 20 and the auxiliary capacitance wiring 4.
Is laminated to a thickness of 300 nm using, for example, SiNx. As the gate insulating film 13, besides nitride such as SiNx, SiO 2 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , TiO 2 ,
Oxides such as Y 2 O 3 can also be used.
【００５８】その後、図５に示すように、半導体層１４
をＣＶＤにより真性アモーファスＳｉ半導体を５０ｎｍ
形成した。次に、チャネル保護層１５をＳｉ3 Ｎ4 を用
いて３００ｎｍ形成した。次に、ソース・ドレイン電極
となるｎ+ にドープされたアモーファスＳｉにてｎ+ −
Ｓｉ層１６を５０ｎｍ形成した。Thereafter, as shown in FIG.
Of intrinsic amorphous silicon semiconductor by CVD
Formed. Next, a channel protection layer 15 was formed to a thickness of 300 nm using Si 3 N 4 . Next, n + -doped amorphous silicon which becomes the source / drain electrodes is doped with n + -.
An Si layer 16 was formed to a thickness of 50 nm.
【００５９】ソース配線５および画素電極６を構成する
ＩＴＯからなる透明導電膜２７を１００ｎｍ形成し、さ
らにその上に金属層１７をＴａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｃｕ等の単層また
は、多層金属および合金で形成する。実施形態２ではＴ
ａを用いて３００ｎｍ程度の膜厚で形成し、パターニン
グする。実施形態２ではソース配線５は金属層１７とＩ
ＴＯからなる透明導電膜２７との２層構造とした。この
構成にすることにより、ソース配線５を構成する金属層
１７の一部に膜の欠損があったとしても、透明導電膜２
７によって電気的に接続されるため、ソース配線５の断
線不良を少なくすることができる。A transparent conductive film 27 made of ITO for forming the source line 5 and the pixel electrode 6 is formed to a thickness of 100 nm, and a metal layer 17 is further formed thereon with Ta, Al, Ti, Ni, M
It is formed of a single layer of o, W, Nb, Zr, Hf, Cr, Cu, or the like, or a multilayer metal and alloy. In the second embodiment, T
It is formed to a thickness of about 300 nm using a, and is patterned. In the second embodiment, the source wiring 5 is formed of the metal layer 17 and the I
It has a two-layer structure with a transparent conductive film 27 made of TO. With this configuration, even if a part of the metal layer 17 forming the source wiring 5 has a film defect, the transparent conductive film 2
7, the disconnection of the source line 5 can be reduced.
【００６０】この画素電極６であるＩＴＯからなる透明
導電膜２７とゲート絶縁膜１３を介して補助容量配線４
との間に補助容量１（Ｃｓ）を形成する。The auxiliary capacitance line 4 is interposed between the transparent conductive film 27 made of ITO, which is the pixel electrode 6, and the gate insulating film 13.
To form an auxiliary capacitance 1 (Cs).
【００６１】上記の製造方法により、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置が作製できる。According to the above manufacturing method, an active matrix type liquid crystal display device can be manufactured.
【００６２】ゲート電極および補助容量配線に陽極酸化
膜を形成する従来例に対して、本発明であるゲート電極
にのみ陽極酸化膜を形成するアクティブマトリクス型液
晶表示装置での補助容量向上の効果を図６に示す。図６
では、本発明および従来例ともゲート絶縁膜１３はＳｉ
Ｎｘを用いて３００ｎｍの膜厚で形成している。図６は
本発明と従来例との相対比較を表しており、従来例のデ
ータは１００％のラインである。Compared with the conventional example in which an anodic oxide film is formed on the gate electrode and the auxiliary capacitance wiring, the effect of improving the auxiliary capacitance in the active matrix type liquid crystal display device in which the anodic oxide film is formed only on the gate electrode according to the present invention. As shown in FIG. FIG.
In both the present invention and the conventional example, the gate insulating film 13 is made of Si.
It is formed with a thickness of 300 nm using Nx. FIG. 6 shows a relative comparison between the present invention and the conventional example, and the data of the conventional example is a 100% line.
【００６３】例えば、ゲート電極としてＴａを用いる
と、その陽極酸化膜はＴａ2 Ｏ5 であり、その陽極酸化
膜が３００ｎｍの場合、単位面積当たりの補助容量に関
して、従来例を１００％とすると、本発明では単位面積
当たりの補助容量は１３２％となり、単位面積当たりの
補助容量が大幅に向上することがわかる。For example, when Ta is used as the gate electrode, the anodic oxide film is Ta 2 O 5 , and when the anodic oxide film is 300 nm, the storage capacity per unit area is 100% in the conventional example. In the present invention, the auxiliary capacitance per unit area is 132%, which indicates that the auxiliary capacitance per unit area is greatly improved.
【００６４】また、ゲート電極としてＡｌを用いると、
その陽極酸化膜はＡｌ2 Ｏ3 であり、その陽極酸化膜が
３００ｎｍの場合、単位面積当たりの補助容量に関し
て、従来例を１００％とすると、本発明では単位面積当
たりの補助容量は１６２％となり、単位面積当たりの補
助容量が大幅に向上することがわかる。When Al is used as the gate electrode,
When the anodic oxide film is Al 2 O 3 and the anodic oxide film is 300 nm, the auxiliary capacity per unit area is 162% in the present invention, assuming that the conventional example is 100% with respect to the auxiliary capacity per unit area. It can be seen that the auxiliary capacitance per unit area is greatly improved.
【００６５】従って、本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置では、単位面積当たりの補助容量が大幅に
向上するので、補助容量面積を大きくとる必要がなくな
る。Therefore, in the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, since the auxiliary capacitance per unit area is greatly improved, it is not necessary to increase the auxiliary capacitance area.
【００６６】また、補助容量面積を大きくとる必要がな
いので、ソース配線５と透明導電膜２７との間隔が大き
くでき、ソース配線５と透明導電膜２７との間で短絡に
よる不良を減らすことができる。Further, since it is not necessary to increase the area of the auxiliary capacitance, the distance between the source wiring 5 and the transparent conductive film 27 can be increased, and the occurrence of short circuit between the source wiring 5 and the transparent conductive film 27 can be reduced. it can.
【００６７】また、補助容量配線４は遮光膜としても機
能しているので、補助容量面積を大きくとる必要がない
ので、遮光膜としての面積も大きくする必要がなく、開
口率の向上に寄与できる。Further, since the auxiliary capacitance wiring 4 also functions as a light shielding film, it is not necessary to increase the area of the auxiliary capacitance, so that it is not necessary to increase the area as the light shielding film, which can contribute to the improvement of the aperture ratio. .
【００６８】また、ソース配線とゲート配線、補助容量
配線との交差部は陽極酸化処理が行われているため、リ
ークの発生も抑えられるため、良品率良く開口率の高い
アクティブマトリクス型液晶表示装置を実現することが
できる。Also, since the intersections of the source wiring, the gate wiring, and the auxiliary capacitance wiring are subjected to anodic oxidation treatment, the occurrence of leakage is suppressed, so that the active matrix type liquid crystal display device has a good product ratio and a high aperture ratio. Can be realized.
【００６９】また、本発明は、Ｃｓ Ｏｎ Ｇａｔｅ構
造の液晶表示装置でも実現することができる。The present invention can also be realized with a liquid crystal display device having a Cs On Gate structure.
【００７０】[0070]
【発明の効果】本発明であるゲート電極にのみ陽極酸化
膜を形成するアクティブマトリクス型液晶表示装置は、
ゲート電極および補助容量配線に陽極酸化膜を形成する
従来例に対して、単位面積当たりの補助容量を大幅に向
上することができる。According to the present invention, an active matrix type liquid crystal display device in which an anodic oxide film is formed only on a gate electrode is provided.
Compared with the conventional example in which an anodic oxide film is formed on the gate electrode and the auxiliary capacitance wiring, the auxiliary capacitance per unit area can be greatly improved.
【００７１】従って、本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置では、単位面積当たりの補助容量が大幅に
向上するので、補助容量面積を大きくとる必要がなくな
る。Therefore, in the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, since the auxiliary capacitance per unit area is greatly improved, it is not necessary to increase the auxiliary capacitance area.
【００７２】また、補助容量面積を大きくとる必要がな
いので、ソース配線と導電膜との間隔が大きくでき、ソ
ース配線と導電膜との間で短絡による不良を減らすこと
ができる。Further, since it is not necessary to increase the area of the auxiliary capacitance, the distance between the source wiring and the conductive film can be increased, and defects due to short circuit between the source wiring and the conductive film can be reduced.
【００７３】また、補助容量配線は遮光膜としても機能
しているので、補助容量面積を大きくとる必要がないの
で、遮光膜としての面積も大きくする必要がなく、開口
率の向上に寄与できる。Further, since the auxiliary capacitance wiring also functions as a light-shielding film, it is not necessary to increase the area of the auxiliary capacitance. Therefore, it is not necessary to increase the area as the light-shielding film, which can contribute to an improvement in aperture ratio.
【００７４】また、ソース配線とゲート配線、補助容量
配線との交差部は陽極酸化処理が行われているため、リ
ークの発生も抑えられるため、良品率が良く、開口率の
高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現するこ
とができる。Also, since the intersections of the source wiring, the gate wiring, and the auxiliary capacitance wiring are subjected to anodic oxidation treatment, the occurrence of leakage is suppressed, so that the active matrix type liquid crystal having a good non-defective rate and a high aperture ratio is obtained. A display device can be realized.
【図１】実施形態１のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の１画素の平面構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a planar configuration of one pixel of an active matrix liquid crystal display device according to a first embodiment.
【図２】実施形態１のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の１画素のＡ−Ａ断面構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a cross-sectional configuration along line AA of one pixel of the active matrix liquid crystal display device according to the first embodiment.
【図３】ゲート電極１２、補助容量配線４の陽極酸化処
理の工程を示す図である。FIG. 3 is a view showing a step of anodizing the gate electrode 12 and the auxiliary capacitance wiring 4;
【図４】実施形態２のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の１画素の平面構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a planar configuration of one pixel of an active matrix liquid crystal display device according to a second embodiment.
【図５】実施形態２のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の１画素のＡ−Ａ断面構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a cross-sectional configuration along line AA of one pixel of an active matrix liquid crystal display device according to a second embodiment.
【図６】補助容量の増加量と陽極酸化膜の膜厚との関係
を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the relationship between the amount of increase in the auxiliary capacitance and the thickness of the anodic oxide film.
【図７】ＴＦＴを用いて形成したアクティブマトリクス
型液晶表示装置の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of an active matrix liquid crystal display device formed using TFTs.
【図８】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
１画素の平面構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a planar configuration of one pixel of a conventional active matrix type liquid crystal display device.
【図９】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
１画素のＡ−Ａ断面構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a cross-sectional configuration along line AA of one pixel of a conventional active matrix liquid crystal display device.
１ 補助容量 ２ ＴＦＴ ３ ゲート配線 ４ 補助容量配線 ５ ソース配線 ６ 画素電極 ７ コンタクトホール １１ 基板 １２ ゲート電極 １３ ゲート絶縁膜 １４ 半導体層 １５ チャネル保護層 １６ ｎ+ −Ｓｉ層 １７ 金属層 １８ 層間絶縁膜 １９ ２７ 透明導電膜 ２０ 陽極酸化膜 ３０ ゴム系のレジストDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Auxiliary capacitance 2 TFT 3 Gate wiring 4 Auxiliary capacitance wiring 5 Source wiring 6 Pixel electrode 7 Contact hole 11 Substrate 12 Gate electrode 13 Gate insulating film 14 Semiconductor layer 15 Channel protective layer 16 n + -Si layer 17 Metal layer 18 Interlayer insulating film 19 27 Transparent conductive film 20 Anodized film 30 Rubber-based resist
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Mikio Katayama Inventor Sharp Corporation 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka
Claims (4)
され、該スイッチング素子を制御する走査配線およびス
イッチング素子にデータ信号を供給する信号配線がそれ
ぞれ直交するように形成され、該スイッチング素子にて
画素電極が制御されるアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、 前記走査電極に陽極酸化膜が形成され、 補助容量配線の上には前記陽極酸化膜を介さず直接絶縁
膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。A switching element is formed in a matrix, and a scanning line for controlling the switching element and a signal line for supplying a data signal to the switching element are formed so as to be orthogonal to each other, and a pixel electrode is formed by the switching element. In the active matrix type liquid crystal display device to be controlled, an anodic oxide film is formed on the scan electrode, and an insulating film is formed directly on the auxiliary capacitance line without the intermediary of the anodic oxide film. Matrix type liquid crystal display device.
され、該スイッチング素子を制御する走査配線およびス
イッチング素子にデータ信号を供給する信号配線がそれ
ぞれ直交するように形成され、該スイッチング素子、走
査配線、信号配線の上部に、層間絶縁膜が形成され、画
素電極が層間絶縁膜の上に形成され、層間絶縁膜を貫く
コンタクトホールを介して、スイッチング素子のドレイ
ン電極と画素電極との接続として用いられる導電膜が形
成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、 前記走査電極に陽極酸化膜が形成され、 補助容量配線の上には前記陽極酸化膜を介さず直接絶縁
膜が形成され、 補助容量が前記絶縁膜を挟んで前記導電膜と、前記補助
容量配線との間で形成されることを特徴とする請求項１
に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。2. A switching element is formed in a matrix, and a scanning line for controlling the switching element and a signal line for supplying a data signal to the switching element are formed so as to be orthogonal to each other. An interlayer insulating film is formed on the wiring, a pixel electrode is formed on the interlayer insulating film, and a conductive hole used as a connection between the drain electrode of the switching element and the pixel electrode through a contact hole penetrating the interlayer insulating film. In the active matrix type liquid crystal display device having a film formed thereon, an anodic oxide film is formed on the scan electrode, and an insulating film is formed directly on the auxiliary capacitance wiring without the intermediary of the anodic oxide film. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the conductive film is formed between the conductive film and the auxiliary capacitance line with an insulating film interposed therebetween.
4. The active matrix type liquid crystal display device according to item 1.
され、該スイッチング素子を制御する走査配線およびス
イッチング素子にデータ信号を供給する信号配線がそれ
ぞれ直交するように形成され、画素電極がスイッチング
素子のドレイン電極と接続されたアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、 前記走査電極に陽極酸化膜が形成され、 補助容量配線の上には前記陽極酸化膜を介さず直接絶縁
膜が形成され、 補助容量が前記絶縁膜を挟んで前記画素電極と、前記補
助容量配線との間で形成されることを特徴とする請求項
１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。3. A switching element is formed in a matrix, and a scanning line for controlling the switching element and a signal line for supplying a data signal to the switching element are formed to be orthogonal to each other, and the pixel electrode is a drain electrode of the switching element. An anodic oxide film is formed on the scan electrode, and an insulating film is formed directly on the auxiliary capacitance wiring without the anodic oxide film therebetween, and the auxiliary capacitance is formed by the insulating film. 2. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix type liquid crystal display device is formed between the pixel electrode and the auxiliary capacitance line with the pixel electrode interposed therebetween.
され、該スイッチング素子を制御する走査配線およびス
イッチング素子にデータ信号を供給する信号配線がそれ
ぞれ直交するように形成され、該スイッチング素子にて
画素電極が制御されるアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法において、 絶縁性基板の上に走査電極および補助容量配線を陽極酸
化可能な金属により形成する工程と、 前記補助容量配線の補助容量を形成する部分のみを、ゴ
ム系のレジストを用いて覆う工程と、 前記走査電極および前記補助容量配線を陽極酸化する工
程と、 陽極酸化処理後、前記補助容量配線の補助容量を形成す
る部分を覆っているゴム系のレジストを剥離する工程
と、 前記陽極酸化膜および前記補助容量配線の補助容量を形
成する部分の上に、前記絶縁膜を形成することを特徴と
するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。4. A switching element is formed in a matrix, and a scanning line for controlling the switching element and a signal line for supplying a data signal to the switching element are formed to be orthogonal to each other, and a pixel electrode is formed by the switching element. In a method for manufacturing a controlled active matrix liquid crystal display device, a step of forming a scan electrode and an auxiliary capacitance line from an anodizable metal on an insulating substrate; and forming only an auxiliary capacitance of the auxiliary capacitance line Using a rubber-based resist, anodizing the scan electrode and the auxiliary capacitance line, and a rubber-based portion covering the auxiliary capacitance line forming part of the auxiliary capacitance line after the anodic oxidation treatment. Stripping the resist, and forming the auxiliary capacitance of the anodic oxide film and the auxiliary capacitance wiring The method of an active matrix type liquid crystal display device characterized by forming the insulating film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23873796A JP3547063B2 (en) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | Method for manufacturing active matrix type liquid crystal display device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090717A true JPH1090717A (en) | 1998-04-10 |
| JP3547063B2 JP3547063B2 (en) | 2004-07-28 |
Family
ID=17034514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23873796A Expired - Fee Related JP3547063B2 (en) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | Method for manufacturing active matrix type liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3547063B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100303069B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-10-29 | 구본준, 론 위라하디락사 | LCD device and the same method |
| KR100333179B1 (en) * | 1998-06-30 | 2002-08-24 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | Thin film transistor liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| KR100382955B1 (en) * | 2000-10-10 | 2003-05-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Method for fabricating the array substrate for Liquid crystal display device and the same |
| JP2004295082A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Boe Hydis Technology Co Ltd | Method for manufacturing transflective type thin-film transistor liquid crystal display device |
| KR100672623B1 (en) * | 2000-08-30 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Method For Fabricating Liquid Crystal Display Device |
-
1996
- 1996-09-10 JP JP23873796A patent/JP3547063B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP4559064B2 (en) * | 2003-03-27 | 2010-10-06 | ハイディス テクノロジー カンパニー リミテッド | Method of manufacturing reflection / transmission composite type thin film transistor liquid crystal display device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3547063B2 (en) | 2004-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040204 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040409 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040409 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080423 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423 Year of fee payment: 8 |
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