JPH1090194A

JPH1090194A - 外観検査方法及びその装置

Info

Publication number: JPH1090194A
Application number: JP9207547A
Authority: JP
Inventors: Chiya Kiyasu; 千弥喜安; Takanori Ninomiya; 隆典二宮
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-08-01
Filing date: 1997-08-01
Publication date: 1998-04-10
Anticipated expiration: 2015-10-16
Also published as: JP3099778B2

Abstract

(57)【要約】【課題】実際に存在する欠陥と一対一に対応させて欠陥
を検出することが可能な、外観検査法法及びその装置を
提供する。【解決手段】製造工程において順次製造される検査対象
物の外観を検査対象物ごとに順次撮像し、この順次撮像
して得た画像上で検査対象物上の欠陥を検出し、この検
出した欠陥の中から実在欠陥を抽出し、この抽出した実
在欠陥の種類、数又は分布のうち少なくとも一つの順次
製造される検査対象物ごとの変化に基づいて製造工程の
状態を判定する外観検査方法及び装置とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は製品の製造工程に
おける外観検査方法およびその装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】製品の製造工程において、製造の歩留ま
りや製品の品質を維持、向上させるためには、製造工程
の状態を常時良好に保つことが必要である。そして、製
造工程に何らの異常が発生したときには、それをいち早
く発見し、原因を究明して、適切な対策を講じなければ
ならない。このため、情報処理学会論文誌第27巻第５号
第541〜551頁「知識ベースに基づく半導体プロセス診断
方式」に示されるように、製造工程における異常を検出
することが行われている。

【０００３】このような製造工程における異常を検出す
る方法、装置としては、外観検査方法、装置がある。す
なわち、製造工程に何らかの異常が起これば、対象物上
の欠陥または異常付着（以下、単に欠陥という）の発生
状態によって外見に変化が発生するから、外観検査を行
うことにより、製造工程の異常を診断することができ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この外観検査
方法、装置においては、検出された欠陥（以下、検出欠
陥という）と実際に存在する欠陥（以下、実在欠陥とい
う）とが一対一で対応しないことがあるから、製造工程
における異常を正確に判断することができず、異常原因
を確実に除去することができないので、製造の歩留まり
や製品の品質を維持、向上させることができないことが
ある。

【０００５】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、製造工程における異常を正確に判断する
ことができ、異常原因を確実に除去することができる外
観検査方法及びその装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明では、外観検査方法を、製造工程において順
次製造される検査対象物の外観を検査対象物ごとに順次
撮像し、この順次撮像して得た画像上で検査対象物上の
欠陥を検出し、この検出した欠陥の中から実在欠陥を抽
出し、この抽出した実在欠陥の種類、数又は分布のうち
少なくとも一つの順次製造される検査対象物ごとの変化
に基づいて製造工程の状態を判定する方法とした。

【０００７】また、本発明では、外観検査方法を、製造
工程において順次製造される検査対象物の外観を検査対
象物ごとに順次撮像し、この順次撮像して得た画像上で
検査対象物上の欠陥を検出し、この検出した欠陥の中か
ら実在欠陥を抽出し、製造工程における抽出した実在欠
陥の種類、数又は分布のうち少なくとも一つを求め、こ
の求めた結果に基づく製造工程に関する情報を画面上に
表示する方法とした。

【０００８】更に、本発明では、外観検査装置を、製造
工程において順次製造される検査対象物の外観を検査対
象物ごとに撮像して得た画像情報から検査対象物上の欠
陥を検出する欠陥検出手段と、この欠陥検出手段で検出
した検査対象物ごとの欠陥に関する情報を記憶する欠陥
情報記憶手段と、この欠陥情報記憶手段に記憶された検
査対象物ごとの欠陥に関する情報から検査対象物ごとに
存在する欠陥が別個の実在欠陥であるか同じ実在欠陥で
あるかを判定する実在欠陥判定手段と、この実在欠陥判
定手段によって判定された検査対象物ごとの実在欠陥に
関する情報を記憶する実在欠陥記憶手段と、この実在欠
陥記憶手段に記憶された実在欠陥の種類、数又は分布の
うち少なくとも一つの順次製造される検査対象物ごとの
変化に基づいて製造工程の状態を判定する判定手段とを
備えて構成した。

【０００９】更に、本発明では、外観検査装置を、製造
工程において順次製造される検査対象物の外観を検査対
象物ごとに撮像して得た画像情報から検査対象物上の欠
陥を検出する欠陥検出手段と、この欠陥検出手段で検出
された検査対象物ごとの欠陥に関する情報から検査対象
物ごとに存在する欠陥が別個の実在欠陥であるか同じ実
在欠陥であるかを判定する実在欠陥判定手段と、この実
在欠陥判定手段で判定された実在欠陥の種類、数又は分
布のうち少なくとも一つの順次製造される検査対象物ご
との変化に基づいて製造工程の状態を判定する判定手段
と、実在欠陥判定手段又は判定手段の判定の結果を表示
する表示手段とを備えて構成した。

【００１０】外観検査方法及びその装置を、上記したよ
うな方法及び構成としたことにより、製造工程における
異常を正確に判断することができ、異常原因を確実に除
去することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、この発明に係る外観検査
方法を実施するための装置、すなわちこの発明に係る外
観検査装置を示すブロック図である。図において、１は
対象物上の欠陥の位置、種類等を検出する欠陥検出手
段、２は欠陥検出手段１によって検出された検出欠陥の
位置、種類等を記憶する検出欠陥記憶手段、３は検出欠
陥の位置から検出欠陥相互間の距離を求め、その距離が
あらかじめ定められたしきい値Ｄ以下のときには、単一
の実在欠陥が別個に検出されたものであると判定する実
在欠陥抽出手段、４は検出欠陥の種類から実在欠陥の種
類を推定する実在欠陥種類推定ルールおよびしきい値Ｄ
を記憶する実在欠陥推定知識ベースで、実在欠陥種類推
定ルールはif・thenルールすなわちif（条件）、then
（結論）の形式で記憶されている。５は実在欠陥推定知
識ベース４の実在欠陥種類推定ルールに基づいて検出欠
陥の種類から実在欠陥の種類を判定する欠陥種類推定手
段、６は実在欠陥の位置、種類等を記憶する実在欠陥記
憶手段で、検出欠陥記憶手段２、実在欠陥記憶手段６は
半導体メモリ、ディスク装置などからなる。７は実在欠
陥の数の時間的変動を表す特徴パラメータおよび実在欠
陥の平面的分布状態を表す特徴パラメータを求める特徴
パラメータ算出手段、９は特徴パラメータと製造工程に
おける異常の有無とを関係づける異常判定ルールを記憶
する異常判定知識ベースで、異常判定ルールはif・then
ルールとして記憶されている。８は異常判定知識ベース
９の異常判定ルールに基づいて特徴パラメータから異常
を判定する異常判定手段、１１は特徴パラメータと異常
原因との因果関係を示す異常原因推定ルールを記憶する
異常原因推定知識ベースで、異常原因推定ルールはif・
thenルールとして記憶されている。１０は異常原因推定
知識ベース１１の異常原因推定ルールに基づいて特徴パ
ラメータから異常原因を推定する異常原因推定手段、１
２は異常発生の有無とその程度、異常原因として可能性
のある項目等を表示する結果表示手段である。

【００１２】図２は図１に示した外観検査装置によって
製造工程において外観検査すべきセラミック基板の一部
を示す断面図である。図において、１３はセラミック
板、１４はセラミック板１３に形成された回路パターン
で、回路パターン１４はタングステン、モリブデン等か
らなる。１５は回路パターン１４を接続するスルーホー
ル、１６はＩＣチップ等の電子部品、１７ははんだ付部
である。

【００１３】図３は図２に示したセラミック基板を製造
する方法の一部の説明図である。このセラミック基板の
製造方法においては、まずセラミック材料のシートすな
わちグリーンシート１８を所定の大きさに切断する。つ
ぎに、グリーンシート１８にポンチ等による穴あけ加工
によりスルーホール用穴を設ける。つぎに、スクリーン
印刷によりスルーホール用穴内に導体ペーストを充填す
る。つぎに、図１に示した外観検査装置によりスルーホ
ール１５部の導体ペーストの充填状態の検査を行う。

【００１４】図４は導体ペーストの充填の欠陥の種類を
示す図である。図に示すように、欠陥の種類としては、
にじみ、ペースト飛散またはごみ、不足、スルーホール
なし等があり、このような欠陥が発生したときには、グ
リーンシート１８を積層してセラミック基板を形成した
ときに、断線、ショートなどが発生する可能性がある。

【００１５】図５は図１に示した外観検査装置の欠陥検
査手段１における欠陥判定基準を示す図である。欠陥検
出手段１においては、グリーンシート１８を上方および
斜め上方から撮像し、導体ペーストの面積、周囲長を計
測し、図５に示す基準により欠陥の数、座標、種類等を
検出する。この場合、欠陥検出手段１は正方形の区画を
単位として欠陥を検出し、また１つの区画において複数
の欠陥判定基準に該当するときには、別個の欠陥として
検出する。また、欠陥の種類は次のようにして検出す
る。すなわち、斜め上方から撮像した場合の導体ペース
トの面積をＳ_aとし、基準値をＳ₀としたとき、Ｓ_a＜Ｓ₀
であれば、不足と判断し、上方から撮像した場合の導体
ペーストの面積をＳ_bとし、基準値をＳ₁としたとき、Ｓ
_b＜Ｓ₁であれば、スルーホールなしと判断し、基準値を
Ｓ₂としたとき、Ｓ_b＞Ｓ₂であれば、にじみと判断し、
上方から撮像した場合の導体ペーストの周囲長をＬ、基
準値をＴｈとしたとき、Ｓ_b／Ｌ²＜Ｔｈであるとき、飛
散と判断し、基準値をＳ₃としたとき、Ｓ_b＜Ｓ₃であれ
ば、孤立点と判断する。なお、このような欠陥検出手段
は特願昭63−251758号明細書に示されている。

【００１６】図６（ａ）は実在欠陥を示す図、図６
（ｂ）は図６（ａ）に示した欠陥を欠陥検出手段により
検査した結果を示す図である。図に示すように、小形ご
み１９の場合には、実在欠陥の数と欠陥検出手段１が検
出した検出欠陥の数とは一致するが、大形ごみ２０の場
合には、実在欠陥の数と欠陥検出手段１が検出した検出
欠陥の数とは一致しない。そこで、製造工程のおける異
常を正確に判断するために、実在欠陥抽出手段３によっ
て実在欠陥を抽出する。

【００１７】図７は実在欠陥抽出手段３におけるアルゴ
リズムを示す流れ図である。すなわち、実在欠陥抽出手
段３においては、ｎ個の検出欠陥Ｐ_r（ｒ＝１〜ｎ）を
実在欠陥Ｑ_s（ｓ＝１〜ｍ）に対応させることにより、
実在欠陥を抽出するためには、次のようにする。まず、
検出欠陥Ｐ_rを実在欠陥Ｑ_sに対応づける関数ｆ（ｒ）＝
ｓを考え、まだ特定の実在欠陥と対応づけられておら
ず、ｆ（ｉ）＝０である検出欠陥Ｐ_iについて、それが
新たな実在欠陥Ｑ_Mに対応すると考え、ｆ（ｉ）＝Ｍと
する。つぎに、検出欠陥Ｐ_iと検出欠陥Ｐ_j（ｊ＝１〜
ｎ、ｆ（ｊ）＝０）との距離をｄ_ijを順次調べ、ｄ_ij＜
Ｄであれば、検出欠陥Ｐ_jも検出欠陥Ｐ_iと同一の実在欠
陥Ｑ_Mに対応すると判断し、ｆ（ｊ）＝Ｍとする。つぎ
に、検出欠陥Ｐ_jとその他の検出欠陥Ｐ_k（ｋ＝１〜ｎ、
ｆ（ｋ）＝０）との距離ｄ_ijを調べ、ｄ_ij＜Ｄとなる検
出欠陥を抽出する。このような処理を再帰的に行う。

【００１８】たとえば、図８に示すように、ｄ₁₂＜Ｄ、
ｄ₂₃＜Ｄ、ｄ₂₄＜Ｄ、ｄ₅₆＜Ｄ、ｄ ₆₇＜Ｄ、ｄ₄₇＞Ｄで
あるとすると、実在欠陥抽出手段３においては、検出欠
陥Ｐ₁、Ｐ₂、Ｐ₃、Ｐ₄が実在欠陥Ｑ₁に属し、検出欠陥
Ｐ₅、Ｐ₆、Ｐ₇が実在欠陥Ｑ₂に属すると推定する。

【００１９】図９は実在欠陥推定知識ベース４に記憶さ
れた実在欠陥種類推定ルールを示す図である。この実在
欠陥種類推定ルールはたとえば「にじみ、飛散、孤立点
の３種類の検出欠陥が同時に検出された実在欠陥は、実
際にはごみまたはペーストの付着である」というもので
ある。

【００２０】図１０は特徴パラメータ算出手段７で実在
欠陥の数の時間的変動を表わす特徴パラメータを算出す
る場合の説明図である。図１０（ａ）に示すように、各
グリーンシート１８に発生する実際欠陥は一般に、常に
あるレベルで繰り返し発生する定常的な欠陥と、突発的
な要因で発生する欠陥とに分けられる。そして、前者は
製造工程の定常的な状態を表し、後者は製造工程の突発
的なトラブルを表すものと考えられる。そこで、図１０
（ｂ）、図１０（ｃ）に示すように、実在欠陥を定常的
に発生している欠陥すなわち定常欠陥と突発した欠陥す
なわち突発欠陥とに分離する。すなわち、検査時刻ｔ＝
１，２，……，ｎに対して欠陥数ｇ（ｔ）が与えられた
とき、次式で表されるメジアン（中央値）ｈ（ｔ）を求
める。

【００２１】h（ｔ)＝Ｍｅｄｉａｎ(ｇ(ｔ−１)，ｇ
(ｔ),ｇ(ｔ＋１)) ｔ＝２，３，……，ｎ−１つぎに、メジアンｈ（ｔ）の最小２乗近似直線１１を求
める。つぎに、最小２乗近似直線１₁を基準とした欠陥
数ｇ（ｔ）のばらつきすなわち標準偏差σを求め、最小
２乗近似直線１₁から上方に３σ離れた直線１₂を引く。
そして、欠陥数ｇ（ｔ）が直線１₂から突出したときに
は、その時刻において突発欠陥が発生したものと判定す
る。このようにして、実在欠陥を定常欠陥と突発欠陥と
に分離したのち、最小２乗近似直線１₁の傾きすなわち
欠陥数増加率ｂを求め、これを定常欠陥の数の時間的変
動を表す特徴パラメータをする。

【００２２】また、特徴パラメータ算出手段７では、実
在欠陥の平面的分布状態を表す特徴パラメータとして、
グリーンシート１８に発生した実際欠陥の数をＮ、実際
欠陥の座標を（ｘ_i，ｙ_i）としたとき、次式で表される
欠陥分布の重心

【００２３】分散（σ_× ²，σ_y ²）を算出する。

【００２４】

【数１】

【００２５】また、特徴パラメータ算出手段７では、実
在欠陥の平面的分布状態を表す特徴パラメータとして、
グリーンシート１８を正方形に分割した各区画内での欠
陥の密度である局所密度を算出する。この場合、欠陥が
局所的に集中して発生している場合には、特定の区画の
局所密度が大きな値を示す。

【００２６】図１１は異常判定知識ベース９に記憶され
た異常判定ルールを示す図である。ここで、異常度Ｘ１
等は０から１までの値をとる数であり、１に近づくほど
異常の程度が大きことを示す。

【００２７】そして、異常判定手段８においては、たと
えば図１１に示すルール１の条件とルール２の条件とが
満たされたと判断したとき、欠陥が偏在し、その異常度
はＸ₁であり、しかも欠陥が局在し、その異常度はＸ₂で
あると判定する。そして、次式で表される総合異常度Ｘ
を求める。

【００２８】Ｘ＝Ｘ₁＋Ｘ₂−Ｘ₁・Ｘ₂ 図１２は異常原因推定知識ベース１１に記憶された異常
原因推定ルールを示す図である。ここで、確信度Ｙ₁等
は異常原因の可能性の程度を表す数であり、−１（完全
否定）から＋１（完全肯定）までの値をとる。

【００２９】そして、異常原因推定手段１０において
は、特徴パラメータに基づいて各異常原因推定ルールの
条件を満たすか否かを判断し、条件を満たすと判断した
ときには、そのルールの異常原因とその確信度Ｙ₁等と
が求められる。そして、複数のルールが成立して、同時
に同一の異常原因が求められたとき、たとえば図１２に
示すルール１の条件とルール２の条件とが満たされたと
判断したときには、次式によって総合確信度Ｙを求め
る。

【００３０】

【数２】

【００３１】また、複数の異常原因が得られたときに
は、確信度Ｙ₁等が最大のものを最も可能性が高い原因
であるとする。

【００３２】つぎに、図１に示した外観検査装置の動作
すなわちこの発明に係る外観検査方法について説明す
る。まず、欠陥検出手段１によって各グリーンシート１
８の導体ペーストの充填の欠陥の数、座標、種類等を検
出する。つぎに、検出欠陥の数、座標、種類等を検出欠
陥記憶手段２に記憶する。つぎに、一定枚数のグリーン
シート１８についての検出欠陥の数、座標、種類等が検
出欠陥記憶手段２に記憶されたとき、たとえば１つの製
造ロットの欠陥の検査が終了したときには、実在欠陥抽
出手段３により検出欠陥相互間の距離から実在欠陥を抽
出する。つぎに、欠陥種類推定手段５により実在欠陥種
類推定ルールに基づいて検出欠陥の種類から実在欠陥の
種類を推定する。つぎに、実在欠陥の位置、種類等を実
在欠陥記憶手段６に記憶する。つぎに、特徴パラメータ
算出手段７により実在欠陥の位置、種類等から実在欠陥
の数の時間的変動を表す特徴パラメータおよび実在欠陥
の平面的分布状態を表す特徴パラメータを求める。つぎ
に、異常判定手段８により異常判定ルールに基づいて特
徴パラメータから異常を判定する。つぎに、異常原因推
定手段１０により異常原因推定ルールに基づいて特徴パ
ラメータから異常原因を推定する。つぎに、結果表示手
段１２に異常発生の有無とその程度、異常原因として可
能性のある項目等を表示する。

【００３３】このような外観検査方法、外観検査装置に
おいては、実在欠陥を抽出するから、セラミック基板の
製造工程における異常、異常原因を正確に判断すること
ができるので、異常原因を確実に除去することができる
ため、製造の歩留まりやセラミック基板の品質を確実に
維持、向上させることができる。また、実在欠陥推定知
識ベース４の実在欠陥種類推定ルール、異常判定知識ベ
ース９の異常判定ルール、異常原因推定知識ベース１１
の異常原因推定ルールはif・thenルールとして記憶され
ているから、知識の内容が人間に近く、自然で理解しや
すく、また知識の独立性が高く、追加、変更が容易であ
る。

【００３４】図１３はこの発明に係る他の外観検査方法
を実施するための装置すなわちこの発明に係る他の外観
検査装置を示すブロック図である。図において、２１ａ
は実在欠陥推定知識ベース４ａ、４ｂ等を切り換える知
識ベース選択手段、２１ｂは異常判定知識ベース９ａ、
９ｂ等を切り換える知識ベース選択手段、２１ｃは異常
原因推定知識ベース１１ａ、１１ｂ等を切り換える知識
ベース選択手段である。

【００３５】この外観検査装置においては、検査条件が
異なる対象ごとに適宜知識ベース選択手段２１ａ〜２１
ｃによって実在欠陥推定知識ベース４ａ、４ｂ等、異常
判定知識ベース９ａ、９ｂ等、異常原因推定知識ベース
１１ａ、１１ｂ等を切り換えることができる。このた
め、検査条件が変化する場合でも、必要な知識ベースを
あらかじめ用意しておけば、検査を連続して行うことが
できる。

【００３６】つぎに、この発明に係る異常原因除去方法
について説明する。まず、上述の外観検査方法により結
果表示手段１２に異常発生の有無とその程度、異常原因
として可能性のある項目等を表示する。つぎに、その異
常発生の有無とその程度、異常原因として可能性のある
項目等に基づいて、セラミック基板の製造工程中におけ
る異常原因を除去する。

【００３７】この異常原因除去方法においては、実在欠
陥を抽出するから、セラミック基板の製造工程における
異常、異常原因を正確に判断することができるので、異
常原因を確実に除去することができるため、製造の歩留
まりやセラミック基板の品質を確実に維持、向上させる
ことができる。

【００３８】なお、上述実施例においては、セラミック
基板の製造工程の場合の外観検査について説明したが、
他の製品の製造工程の場合の外観検査にもこの発明を適
用できることは明らかである。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る外
観検査方法及びその装置、異常原因除去方法において
は、製造工程における異常を正確に判断することがで
き、異常原因を確実に除去することができるから、製造
の歩留まりや製品の品質を確実に維持、向上させること
ができる。このように、この発明の効果は顕著である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る外観検査方法を実施するための
装置すなわちこの発明に係る外観検査装置を示すブロッ
ク図。

【図２】図１に示した外観検査装置によって製造工程に
おいて外観検査すべきセラミック基板の一部を示す断面
図。

【図３】図２に示したセラミック基板を製造する方法の
一部の説明図。

【図４】導体ペーストの充填の欠陥の種類を示す図。

【図５】図１に示した外観検査装置の欠陥検出手段にお
ける欠陥判定基準を示す図。

【図６】（ａ）は実在欠陥を示す図、（ｂ）は（ａ）に
示した欠陥を欠陥検出手段により検査した結果を示す
図。

【図７】実在欠陥抽出手段におけるアルゴリズムを示す
流れ図。

【図８】検出欠陥の距離関係を示す。

【図９】実在欠陥推定知識ベースに記憶された実在欠陥
種類推定ルールを示す図。

【図１０】特徴パラメータ算出手段で実在欠陥の数の時
間的変動を表す特徴パラメータを算出する場合の説明
図。

【図１１】異常判定知識ベースに記憶された異常判定ル
ールを示す図。

【図１２】異常原因推定知識ベースに記憶された異常原
因推定ルールを示す図。

【図１３】この発明に係る他の外観検査方法を実施する
ための装置すなわちこの発明に係る他の外観検査装置を
示すブロック図。

【符号の説明】

１…欠陥検出手段、２…検出欠陥記憶手段、３…
実在欠陥抽出手段、４…実在欠陥推定知識ベース、５…
欠陥種類推定手段、６…実在欠陥記憶手段、７…特
徴パラメータ算出手段、８…異常判定手段、９…異
常判定知識ベース、１０…異常原因推定手段、１１
…異常原因推定知識ベース。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】製造工程において順次製造される検査対象
物の外観を該検査対象物ごとに順次撮像し、該順次撮像
して得た画像上で前記検査対象物上の欠陥を検出し、該
検出した欠陥の中から実在欠陥を抽出し、該抽出した実
在欠陥の種類、数又は分布のうち少なくとも一つの前記
順次製造される検査対象物ごとの変化に基づいて前記製
造工程の状態を判定することを特徴とする外観検査方
法。
【請求項２】前記実在欠陥を抽出することを、前記順次
撮像して得た画像上で検出した前記検査対象物上のそれ
ぞれの欠陥の位置情報を抽出し、該抽出したそれぞれの
欠陥の位置情報に基づいて該それぞれの欠陥の距離を求
め、該求めた距離を予め設定した値と比較し、該比較し
た結果から前記求めた距離が前記予め設定した値よりも
小さいときには前記それぞれの欠陥は単一の実在欠陥が
個別に検出されたものであると判定して行うことを特徴
とする請求項１記載の外観検査方法。
【請求項３】製造工程において順次製造される検査対象
物の外観を該検査対象物ごとに順次撮像し、該順次撮像
して得た画像上で前記検査対象物上の欠陥を検出し、該
検出した欠陥の中から実在欠陥を抽出し、前記製造工程
における前記抽出した実在欠陥の種類、数又は分布のう
ち少なくとも一つを求め、該求めた結果に基づく前記製
造工程に関する情報を画面上に表示することを特徴とす
る外観検査方法。
【請求項４】製造工程において順次製造される検査対象
物の外観を該検査対象物ごとに撮像して得た画像情報か
ら前記検査対象物上の欠陥を検出する欠陥検出手段と、該欠陥検出手段で検出した前記検査対象物ごとの欠陥に
関する情報を記憶する欠陥情報記憶手段と、該欠陥情報記憶手段に記憶された前記検査対象物ごとの
欠陥に関する情報から前記検査対象物ごとに存在する欠
陥が別個の実在欠陥であるか同じ実在欠陥であるかを判
定する実在欠陥判定手段と、該実在欠陥判定手段によって判定された前記検査対象物
ごとの実在欠陥に関する情報を記憶する実在欠陥記憶手
段と、該実在欠陥記憶手段に記憶された前記実在欠陥の種類、
数又は分布のうち少なくとも一つの前記順次製造される
検査対象物ごとの変化に基づいて前記製造工程の状態を
判定する判定手段とを備えたことを特徴とする外観検査
装置。
【請求項５】前記実在欠陥判定手段で実在欠陥を抽出す
ることを、前記欠陥情報記憶手段に記憶された前記欠陥
に関する情報からそれぞれの欠陥の位置情報を抽出し、
該抽出したそれぞれの欠陥の位置情報に基づいて前記そ
れぞれの欠陥が別個の実在欠陥であるか同じ実在欠陥で
あるかを判定して行うことを特徴とする請求項４記載の
外観検査装置。
【請求項６】製造工程において順次製造される検査対象
物の外観を該検査対象物ごとに撮像して得た画像情報か
ら前記検査対象物上の欠陥を検出する欠陥検出手段と、該欠陥検出手段で検出された前記検査対象物ごとの欠陥
に関する情報から前記検査対象物ごとに存在する欠陥が
別個の実在欠陥であるか同じ実在欠陥であるかを判定す
る実在欠陥判定手段と、該実在欠陥判定手段で判定された前記実在欠陥の種類、
数又は分布のうち少なくとも一つの前記順次製造される
検査対象物ごとの変化に基づいて前記製造工程の状態を
判定する判定手段と、前記実在欠陥判定手段又は前記判定手段の判定の結果を
表示する表示手段とを備えたことを特徴とする外観検査
装置。