JPH1083149A - 自発光表示装置 - Google Patents
自発光表示装置Info
- Publication number
- JPH1083149A JPH1083149A JP16162997A JP16162997A JPH1083149A JP H1083149 A JPH1083149 A JP H1083149A JP 16162997 A JP16162997 A JP 16162997A JP 16162997 A JP16162997 A JP 16162997A JP H1083149 A JPH1083149 A JP H1083149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- display device
- self
- luminous display
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光強度のみを唯一のパラメータとすること
ができ、より広い色再現性を有し、かつ経時変化のない
発光強度を得ることができる自発光表示装置を提供す
る。 【解決手段】 青（Ｂ），緑（Ｇ）および赤（Ｒ）の発
光源を備えている。各発光源のスペクトルはそれぞれ前
駆デルタ（δ）関数と見做せる程に半値幅が狭く（３０
ｎｍ以下）、互いに実質的に重複しない。有限ピーク値
と極めて細い有限幅のスペクタルの光源を用いるため、
各発光源におけるスペクトルの形状変化は、波長空間で
は抑止され強度変化のみと見做せる。従って、各発光源
毎に強度を変えるだけで補正することが可能であり、色
再現性が向上すると共に、色の経時的な変化がなくな
る。
ができ、より広い色再現性を有し、かつ経時変化のない
発光強度を得ることができる自発光表示装置を提供す
る。 【解決手段】 青（Ｂ），緑（Ｇ）および赤（Ｒ）の発
光源を備えている。各発光源のスペクトルはそれぞれ前
駆デルタ（δ）関数と見做せる程に半値幅が狭く（３０
ｎｍ以下）、互いに実質的に重複しない。有限ピーク値
と極めて細い有限幅のスペクタルの光源を用いるため、
各発光源におけるスペクトルの形状変化は、波長空間で
は抑止され強度変化のみと見做せる。従って、各発光源
毎に強度を変えるだけで補正することが可能であり、色
再現性が向上すると共に、色の経時的な変化がなくな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体レー
ザや発光ダイオードからなる複数の発光源を有し自ら発
光する自発光表示装置に関する。
ザや発光ダイオードからなる複数の発光源を有し自ら発
光する自発光表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、表示装置（ディスプレイ）として
は、据え置き型のブラウン管すなわちＣＲＴ (Cathode
Ray Tube) 装置や、携帯用や薄型化の要求を満たすため
のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）がある。フラ
ットパネルディスプレイとしては、例えば液晶ディスプ
レイ (ＬＣＤ; Liquid Crystal Display) がある。これ
ら表示装置において、ＬＣＤが自ら発光せず、外部より
の光（バックライト）を受けて表示するのに対して、Ｃ
ＲＴは、蛍光体が自ら発光する自発光表示装置である。
は、据え置き型のブラウン管すなわちＣＲＴ (Cathode
Ray Tube) 装置や、携帯用や薄型化の要求を満たすため
のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）がある。フラ
ットパネルディスプレイとしては、例えば液晶ディスプ
レイ (ＬＣＤ; Liquid Crystal Display) がある。これ
ら表示装置において、ＬＣＤが自ら発光せず、外部より
の光（バックライト）を受けて表示するのに対して、Ｃ
ＲＴは、蛍光体が自ら発光する自発光表示装置である。
【０００３】ところで、音声の分野においてはノイズの
除去されたディジタル音源は確立されて久しいが、表示
装置においては確立されておらず、ノイズのない明瞭な
色の再現、すなわちディジタル再現の要求が高まってい
る。
除去されたディジタル音源は確立されて久しいが、表示
装置においては確立されておらず、ノイズのない明瞭な
色の再現、すなわちディジタル再現の要求が高まってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
自発光表示装置では、ディジタル再現性を良くすること
は困難であった。この点について以下に説明する。
自発光表示装置では、ディジタル再現性を良くすること
は困難であった。この点について以下に説明する。
【０００５】図１２は、ＮＴＳＣ（National Televisio
n System Committee) 方式で示したＣＲＴにより再現可
能な領域を表すものである。この図からも明らかなよう
に蛍光体によるＣＲＴでは、図に一点鎖線で示した三角
形（ＣＲＴ）の内部しか再現できないのが現状である。
ここで、三角形（ＣＲＴ）がかなり中心によっているの
は、蛍光体のスペクトルが幅広いため色純度が悪く白に
近づくためである。また、幅が広いのは、蛍光体ではわ
ずかにエネルギーの異なる遷移順位が多数あり遷移エネ
ルギーに分布があるためであるが、この遷移順位分布が
経時変化などにより変わってしまい、色の再現性が劣化
してしまう。また、この広いスペクトル幅のため色の純
度が劣化し、かつ再現範囲が狭まるという問題がある。
なお、実線で示した三角形（ＬＥＤ）は後述の本発明に
よる再現可能な領域を表している。
n System Committee) 方式で示したＣＲＴにより再現可
能な領域を表すものである。この図からも明らかなよう
に蛍光体によるＣＲＴでは、図に一点鎖線で示した三角
形（ＣＲＴ）の内部しか再現できないのが現状である。
ここで、三角形（ＣＲＴ）がかなり中心によっているの
は、蛍光体のスペクトルが幅広いため色純度が悪く白に
近づくためである。また、幅が広いのは、蛍光体ではわ
ずかにエネルギーの異なる遷移順位が多数あり遷移エネ
ルギーに分布があるためであるが、この遷移順位分布が
経時変化などにより変わってしまい、色の再現性が劣化
してしまう。また、この広いスペクトル幅のため色の純
度が劣化し、かつ再現範囲が狭まるという問題がある。
なお、実線で示した三角形（ＬＥＤ）は後述の本発明に
よる再現可能な領域を表している。
【０００６】図１３は従来のＣＲＴの赤（Ｒ），緑
（Ｇ）および青（Ｂ）の発光源における発光波長（λ）
と発光強度との関係を表すものであり、この場合、これ
ら発光源を用いた自発光表示装置による表示強度（Ｆ
NTSC）は次式で表すことができる。
（Ｇ）および青（Ｂ）の発光源における発光波長（λ）
と発光強度との関係を表すものであり、この場合、これ
ら発光源を用いた自発光表示装置による表示強度（Ｆ
NTSC）は次式で表すことができる。
【０００７】
【数１】
【０００８】これらＲＧＢ発光源の発光強度は、それぞ
れ光源の劣化によってスペクトルが実線に示した状態か
ら破線で示した状態に変化する。この図からも明らかな
ようにスペクトル形状の幅が広く、またその変化が一律
でないため、表示強度（ＦNTSC）を補正することが困難
であり、これにより上述のように色の再現性が劣化して
しまうという問題があった。
れ光源の劣化によってスペクトルが実線に示した状態か
ら破線で示した状態に変化する。この図からも明らかな
ようにスペクトル形状の幅が広く、またその変化が一律
でないため、表示強度（ＦNTSC）を補正することが困難
であり、これにより上述のように色の再現性が劣化して
しまうという問題があった。
【０００９】なお、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を用い
たフラットパネル表示装置においても、カラーフィルタ
の透過スペクトルには有限強度を得るために幅があり、
このため、上述のＣＲＴの場合と同じく、図１２に一点
鎖線で示した三角形（ＬＣＤ）の内部しか再現できず再
現性が悪いという問題があった。逆に、色純度を上げる
べく、透過スペクトル帯域の狭いフィルタを用いると、
透過光強度が著しく低下するという問題があった。
たフラットパネル表示装置においても、カラーフィルタ
の透過スペクトルには有限強度を得るために幅があり、
このため、上述のＣＲＴの場合と同じく、図１２に一点
鎖線で示した三角形（ＬＣＤ）の内部しか再現できず再
現性が悪いという問題があった。逆に、色純度を上げる
べく、透過スペクトル帯域の狭いフィルタを用いると、
透過光強度が著しく低下するという問題があった。
【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、発光強度のみを唯一のパラメータと
することができ、より広い色再現性を有し、かつ経時変
化のない発光強度を得ることができる自発光表示装置を
提供することにある。
ので、その目的は、発光強度のみを唯一のパラメータと
することができ、より広い色再現性を有し、かつ経時変
化のない発光強度を得ることができる自発光表示装置を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る自発光表示
装置は、それぞれ互いに実質的に重複しないスペクトル
を有する複数の発光源を備えたものである。
装置は、それぞれ互いに実質的に重複しないスペクトル
を有する複数の発光源を備えたものである。
【００１２】複数の発光源は、具体的には、それぞれ半
値幅３０ｎｍ以下の前駆デルタ関数状スペクトルを持つ
赤，緑および青の半導体発光素子（ＬＥＤ，ＬＤ）、ま
たは、それぞれ包絡関数の半値幅が３０ｎｍ以下のスペ
クトルを有する赤，緑および青の半導体レーザ（ＬＤ）
が用いられる。より具体的には、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体あるいはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる少なく
とも第１導電型のクラッド層、活性層および第２導電型
のクラッド層を含む半導体レーザ（ＬＤ）や発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）が用いられる。
値幅３０ｎｍ以下の前駆デルタ関数状スペクトルを持つ
赤，緑および青の半導体発光素子（ＬＥＤ，ＬＤ）、ま
たは、それぞれ包絡関数の半値幅が３０ｎｍ以下のスペ
クトルを有する赤，緑および青の半導体レーザ（ＬＤ）
が用いられる。より具体的には、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体あるいはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる少なく
とも第１導電型のクラッド層、活性層および第２導電型
のクラッド層を含む半導体レーザ（ＬＤ）や発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）が用いられる。
【００１３】本発明に係る自発光表示装置は、互いに実
質的に重複しないスペクトルを有する複数の光源、すな
わち、極めて細い有限幅の発光源を用いているため、ス
ペクトルの形状変化は波長空間では抑止され、強度変化
のみと見做せるので、強度のみをパラメータとした補正
が可能になる。
質的に重複しないスペクトルを有する複数の光源、すな
わち、極めて細い有限幅の発光源を用いているため、ス
ペクトルの形状変化は波長空間では抑止され、強度変化
のみと見做せるので、強度のみをパラメータとした補正
が可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】〔第１の実施の形態〕図２は本発明の第１
の実施の形態に係る自発光表示装置の発光部２００の概
略構成を表すものである。なお、この自発光表示装置は
直視型表示装置あるいは投影型表示装置の光源部のいず
れでもよい。発光部２００は多数のサブユニット２０１
により構成されている。図３は１のサブユニット２０１
の具体的構成例を表すもので、例えば赤（Ｒ），緑
（Ｇ）および青（Ｂ）の３原色の発光源２０２ａ〜２０
２ｃを備えたものである。図４（ａ）〜（ｄ）はサブユ
ニット２０１の他の構成例を表すもので、同図（ａ）に
示した赤（Ｒ）と他の色の発光源（／Ｒ）との組み合わ
せ、同図（ｂ）に示した青（Ｂ）と他の色の発光源（／
Ｂ）との組み合わせ、同図（ｃ）に示した緑（Ｇ）と他
の色の発光源（／Ｇ）との組み合わせ、同図（ｄ）に示
した任意の色（Ｘ）とその他の色の発光源（／Ｘ）の組
み合わせのいずれの態様でもよい。また、４色以上の発
光源の組み合わせによりサブユニット２０１を構成して
もよい。更に、同図（ｅ）に示したようにエネルギーの
最も小さい赤（Ｒ）を奥側に、エネルギーの高い青
（Ｂ）を表面側に積層（スタック）した集積形の態様で
もよい。このような構成であれば、精細度を３倍向上さ
せることができる。
の実施の形態に係る自発光表示装置の発光部２００の概
略構成を表すものである。なお、この自発光表示装置は
直視型表示装置あるいは投影型表示装置の光源部のいず
れでもよい。発光部２００は多数のサブユニット２０１
により構成されている。図３は１のサブユニット２０１
の具体的構成例を表すもので、例えば赤（Ｒ），緑
（Ｇ）および青（Ｂ）の３原色の発光源２０２ａ〜２０
２ｃを備えたものである。図４（ａ）〜（ｄ）はサブユ
ニット２０１の他の構成例を表すもので、同図（ａ）に
示した赤（Ｒ）と他の色の発光源（／Ｒ）との組み合わ
せ、同図（ｂ）に示した青（Ｂ）と他の色の発光源（／
Ｂ）との組み合わせ、同図（ｃ）に示した緑（Ｇ）と他
の色の発光源（／Ｇ）との組み合わせ、同図（ｄ）に示
した任意の色（Ｘ）とその他の色の発光源（／Ｘ）の組
み合わせのいずれの態様でもよい。また、４色以上の発
光源の組み合わせによりサブユニット２０１を構成して
もよい。更に、同図（ｅ）に示したようにエネルギーの
最も小さい赤（Ｒ）を奥側に、エネルギーの高い青
（Ｂ）を表面側に積層（スタック）した集積形の態様で
もよい。このような構成であれば、精細度を３倍向上さ
せることができる。
【００１６】図５は上述の３つの発光源２０２ａ〜２０
２ｃそれぞれのスペクトルを表すものである。これら発
光源２０２ａ〜２０２ｃの各スペクトルは、それぞれ次
式の前駆デルタ（δ）関数と見做せる程の半値幅が狭く
（３０ｎｍ以下）、互いに実質的に重複しない程度とな
っている。
２ｃそれぞれのスペクトルを表すものである。これら発
光源２０２ａ〜２０２ｃの各スペクトルは、それぞれ次
式の前駆デルタ（δ）関数と見做せる程の半値幅が狭く
（３０ｎｍ以下）、互いに実質的に重複しない程度とな
っている。
【００１７】
【数２】
【００１８】このような前駆デルタ関数状のスペクトル
を有する（すなわち、有限ピーク値と極めて細い有限幅
を持つ）発光源２０２ａ〜２０２ｃでは、そのスペクト
ルの形状変化は、波長空間では抑止され、強度変化のみ
と見做せる。
を有する（すなわち、有限ピーク値と極めて細い有限幅
を持つ）発光源２０２ａ〜２０２ｃでは、そのスペクト
ルの形状変化は、波長空間では抑止され、強度変化のみ
と見做せる。
【００１９】従って、本実施の形態による自発光表示装
置では、３つの発光源２０２ａ〜２０２ｃによる表示強
度（ＦDD）を次式に示したように互いに独立なユニット
の和としてベクトル表示することが可能である。すなわ
ち、スペクトル形状の変化は原理的に非常に小さく、全
ての発光源２０２ａ〜２０２ｃにおいて、それぞれ強度
を変えるだけで補正することが可能であり、このため色
の再現性が著しく向上すると共に経時的な変化がなくな
る。
置では、３つの発光源２０２ａ〜２０２ｃによる表示強
度（ＦDD）を次式に示したように互いに独立なユニット
の和としてベクトル表示することが可能である。すなわ
ち、スペクトル形状の変化は原理的に非常に小さく、全
ての発光源２０２ａ〜２０２ｃにおいて、それぞれ強度
を変えるだけで補正することが可能であり、このため色
の再現性が著しく向上すると共に経時的な変化がなくな
る。
【００２０】
【数３】
【００２１】このように本実施の形態による自発光表示
装置では、３つのパラメータ（ＲＧＢの３色の強度）の
みで、色度図上の各点を点状の優れた精度で再現でき、
ノイズのない明瞭な表示、すなわちディジタル的に色の
再現を行うことができる。
装置では、３つのパラメータ（ＲＧＢの３色の強度）の
みで、色度図上の各点を点状の優れた精度で再現でき、
ノイズのない明瞭な表示、すなわちディジタル的に色の
再現を行うことができる。
【００２２】また、本実施の形態に用いる３つの発光源
２０２ａ〜２０２ｃはそれぞれ前駆デルタ関数状のスペ
クトルを有しているため、図１２に示した色度座標の外
縁上に存在する。従って、理論上許される最大色の再現
範囲（図の三角形（ＬＥＤ））を得ることができる。な
お、ここでは、赤色の発光源２０２ａとしてＡｌＧａＡ
ｓ系の化合物半導体、緑色の発光源２０２ｂとしてＺｎ
ＣｄＭｇＳｅ系の化合物半導体、青色の発光源２０２ｃ
としてＧａＩｎＮ系の化合物半導体により形成された発
光ダイオード（ＬＥＤ）をそれぞれ示している。
２０２ａ〜２０２ｃはそれぞれ前駆デルタ関数状のスペ
クトルを有しているため、図１２に示した色度座標の外
縁上に存在する。従って、理論上許される最大色の再現
範囲（図の三角形（ＬＥＤ））を得ることができる。な
お、ここでは、赤色の発光源２０２ａとしてＡｌＧａＡ
ｓ系の化合物半導体、緑色の発光源２０２ｂとしてＺｎ
ＣｄＭｇＳｅ系の化合物半導体、青色の発光源２０２ｃ
としてＧａＩｎＮ系の化合物半導体により形成された発
光ダイオード（ＬＥＤ）をそれぞれ示している。
【００２３】以下に発光源２０２ａ，２０２ｂ，２０２
ｃについての具体的な構造について説明する。
ｃについての具体的な構造について説明する。
【００２４】図１は図３のＡ−Ａ’線に沿った断面構造
に対応するもので、発光源２０２ｂ，２０２ｃの一例と
して、ＩｎＰ（インジウム・燐）基板上にＺｎＣｄＭｇ
Ｓｅ系のクラッド層およびＺｎＣｄＭｇＳｅ系の活性層
を含む面発光型の緑ないし青色の発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）の構成を表すものである。
に対応するもので、発光源２０２ｂ，２０２ｃの一例と
して、ＩｎＰ（インジウム・燐）基板上にＺｎＣｄＭｇ
Ｓｅ系のクラッド層およびＺｎＣｄＭｇＳｅ系の活性層
を含む面発光型の緑ないし青色の発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）の構成を表すものである。
【００２５】すなわち、この発光ダイオード１０は、例
えばｎ型のＩｎＰにより構成された基板１１の上に、７
００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物としてＣｌ（塩
素）を添加してなるＺｎＣｄＳｅ層１２ａおよび同じく
ｎ型不純物としてＣｌを添加してなるＺｎx1Ｃｄy1Ｍｇ
1-x1-y1 Ｓｅ（０≦ｘ1 ，ｙ1 ≦１）層１２ｂよりなる
ｎ型クラッド層１２、１００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ
型不純物としてＣｌを添加したＺｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ（０≦ｘ2 ，ｙ2 ≦１）よりなるｎ型ガイ
ド層１３、厚さ例えば６〜１２ｎｍの単一または多重量
子井戸構造とされたＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ1-x3-y3 Ｓｅ（０
≦ｘ3 ，ｙ3 ≦１）よりなる活性層１４、１００ｎｍ程
度の厚さの例えばｐ型不純物としてＮ（窒素）を添加し
たＺｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ（０≦ｘ2 ，ｙ2 ≦
１）よりなるｐ型ガイド層１５、５００ｎｍ程度の厚さ
の例えばｐ型不純物としてＮを添加したＺｎx1Ｃｄy1Ｍ
ｇ1-x1-y1Ｓｅ（０≦ｘ1 ，ｙ1 ≦１）からなるｐ型ク
ラッド層１６を順次成長させたものである。なお、ｎ型
クラッド層１２およびｐ型クラッド層１６は、それぞれ
光を発生する機能を有する活性層１４よりも抵抗率が低
く、活性層１４に光およびキャリヤを閉じ込める機能を
有するものである。より狭い範囲の半値幅のスペクトル
を得るためには、活性層１４の不純物濃度は低い方、例
えば１０18〜１０19／ｃｍ3 以下が望ましい。
えばｎ型のＩｎＰにより構成された基板１１の上に、７
００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物としてＣｌ（塩
素）を添加してなるＺｎＣｄＳｅ層１２ａおよび同じく
ｎ型不純物としてＣｌを添加してなるＺｎx1Ｃｄy1Ｍｇ
1-x1-y1 Ｓｅ（０≦ｘ1 ，ｙ1 ≦１）層１２ｂよりなる
ｎ型クラッド層１２、１００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ
型不純物としてＣｌを添加したＺｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ（０≦ｘ2 ，ｙ2 ≦１）よりなるｎ型ガイ
ド層１３、厚さ例えば６〜１２ｎｍの単一または多重量
子井戸構造とされたＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ1-x3-y3 Ｓｅ（０
≦ｘ3 ，ｙ3 ≦１）よりなる活性層１４、１００ｎｍ程
度の厚さの例えばｐ型不純物としてＮ（窒素）を添加し
たＺｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ（０≦ｘ2 ，ｙ2 ≦
１）よりなるｐ型ガイド層１５、５００ｎｍ程度の厚さ
の例えばｐ型不純物としてＮを添加したＺｎx1Ｃｄy1Ｍ
ｇ1-x1-y1Ｓｅ（０≦ｘ1 ，ｙ1 ≦１）からなるｐ型ク
ラッド層１６を順次成長させたものである。なお、ｎ型
クラッド層１２およびｐ型クラッド層１６は、それぞれ
光を発生する機能を有する活性層１４よりも抵抗率が低
く、活性層１４に光およびキャリヤを閉じ込める機能を
有するものである。より狭い範囲の半値幅のスペクトル
を得るためには、活性層１４の不純物濃度は低い方、例
えば１０18〜１０19／ｃｍ3 以下が望ましい。
【００２６】更に、ｐ型クラッド層１６上には、厚さ例
えば５００ｎｍ程度のｐ型不純物としてＮを添加したＺ
ｎＣｄＭｇＳｅよりなる第１の半導体層１７、厚さ１０
０ｎｍ程度のＺｎＣｄＳｅよりなる第２の半導体層１
８、ＺｎＳｅとＣｄｓｅとが交互に積層された超格子半
導体層１９、Ｎを添加したＺｎx Ｃｄ1-x Ｓｅ（０≦ｘ
≦１）よりなるコンタクト層２０が順次成長されてい
る。これら第１の半導体層１７，第２の半導体層１８，
超格子半導体層１９およびコンタクト層２０は、ｐ側電
極と良好なオーミック接触をとるためのものである。更
に、コンタクト層２０の上にはポリイミド樹脂等の絶縁
層２１が形成され、この絶縁層２１に電流通路領域とな
る開口部２１ａが形成されている。絶縁層２１を含むコ
ンタクト層２０上にＰｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）
およびＡｕ（金）の積層膜からなる格子状のｐ側電極２
２が発光面２３を囲むように形成されている。一方、基
板１１の裏面側にはＩｎ（インジウム）等からなるｎ側
電極２４が形成されている。
えば５００ｎｍ程度のｐ型不純物としてＮを添加したＺ
ｎＣｄＭｇＳｅよりなる第１の半導体層１７、厚さ１０
０ｎｍ程度のＺｎＣｄＳｅよりなる第２の半導体層１
８、ＺｎＳｅとＣｄｓｅとが交互に積層された超格子半
導体層１９、Ｎを添加したＺｎx Ｃｄ1-x Ｓｅ（０≦ｘ
≦１）よりなるコンタクト層２０が順次成長されてい
る。これら第１の半導体層１７，第２の半導体層１８，
超格子半導体層１９およびコンタクト層２０は、ｐ側電
極と良好なオーミック接触をとるためのものである。更
に、コンタクト層２０の上にはポリイミド樹脂等の絶縁
層２１が形成され、この絶縁層２１に電流通路領域とな
る開口部２１ａが形成されている。絶縁層２１を含むコ
ンタクト層２０上にＰｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）
およびＡｕ（金）の積層膜からなる格子状のｐ側電極２
２が発光面２３を囲むように形成されている。一方、基
板１１の裏面側にはＩｎ（インジウム）等からなるｎ側
電極２４が形成されている。
【００２７】この発光ダイオード１０は、例えば次のよ
うな工程により製造することができる。
うな工程により製造することができる。
【００２８】すなわち、ＭＢＥ（Molecular Beam Epita
xy; 分子線エピタキシー）法またはＭＯＣＶＤ（Metal
Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属気相成
長）法により、ｎ型ＩｎＰにより構成された基板１１の
上に、７００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物として
Ｃｌを添加してなるＺｎＣｄＳｅ層１２ａおよび同じく
ｎ型不純物としてＣｌを添加してなるＺｎx1Ｃｄy1Ｍｇ
1-x1-y1 Ｓｅ層１２ｂよりなるｎ型クラッド層１２、１
００ｎｍ程度の厚さのｎ型不純物としてＣｌを添加した
Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅよりなるｎ型ガイド層１
３、厚さ例えば６〜１２ｎｍの単一または多重量子井戸
構造とされたＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ1-x3-y3Ｓｅよりなる活
性層１４、１００ｎｍ程度の厚さのｐ型不純物としてＮ
を添加したＺｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅよりなるｐ型
ガイド層１５、５００ｎｍ程度の厚さの例えばｐ型不純
物としてＮを添加したＺｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅか
らなるｎ型クラッド層１６を順次成長させる。なお、エ
ピタキシャル成長層にｎ型不純物（Ｃｌ）を添加（ドー
プ）する場合には、ＩＩ族元素およびＶＩ族元素の各粒
子線に加え、Ｃｌの粒子線を照射する。また、エピタキ
シャル成長層にｐ型不純物（Ｎ）を添加する場合には、
ＩＩ族元素およびＶＩ族元素の各粒子線に加え、磁界と
マイクロ波を同時に印加することによりプラズマ化した
Ｎの粒子線を照射する。
xy; 分子線エピタキシー）法またはＭＯＣＶＤ（Metal
Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属気相成
長）法により、ｎ型ＩｎＰにより構成された基板１１の
上に、７００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物として
Ｃｌを添加してなるＺｎＣｄＳｅ層１２ａおよび同じく
ｎ型不純物としてＣｌを添加してなるＺｎx1Ｃｄy1Ｍｇ
1-x1-y1 Ｓｅ層１２ｂよりなるｎ型クラッド層１２、１
００ｎｍ程度の厚さのｎ型不純物としてＣｌを添加した
Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅよりなるｎ型ガイド層１
３、厚さ例えば６〜１２ｎｍの単一または多重量子井戸
構造とされたＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ1-x3-y3Ｓｅよりなる活
性層１４、１００ｎｍ程度の厚さのｐ型不純物としてＮ
を添加したＺｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅよりなるｐ型
ガイド層１５、５００ｎｍ程度の厚さの例えばｐ型不純
物としてＮを添加したＺｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅか
らなるｎ型クラッド層１６を順次成長させる。なお、エ
ピタキシャル成長層にｎ型不純物（Ｃｌ）を添加（ドー
プ）する場合には、ＩＩ族元素およびＶＩ族元素の各粒
子線に加え、Ｃｌの粒子線を照射する。また、エピタキ
シャル成長層にｐ型不純物（Ｎ）を添加する場合には、
ＩＩ族元素およびＶＩ族元素の各粒子線に加え、磁界と
マイクロ波を同時に印加することによりプラズマ化した
Ｎの粒子線を照射する。
【００２９】続いて、更に、ｐ型クラッド層１６上に、
ｐ側電極と良好なオーミックコンタクトをとるための各
層、すなわち、厚さ例えば５００ｎｍ程度のｐ型不純物
としてＮを添加したＺｎＣｄＭｇＳｅよりなる第１の半
導体層１７、厚さ１００ｎｍ程度のＺｎＣｄＳｅよりな
る第２の半導体層１８、ＺｎＳｅとＣｄＳｅとが交互に
積層された超格子半導体層１９、Ｎを添加したＺｎx Ｃ
ｄ1-x Ｓｅよりなるコンタクト層２０を順次成長させ
る。
ｐ側電極と良好なオーミックコンタクトをとるための各
層、すなわち、厚さ例えば５００ｎｍ程度のｐ型不純物
としてＮを添加したＺｎＣｄＭｇＳｅよりなる第１の半
導体層１７、厚さ１００ｎｍ程度のＺｎＣｄＳｅよりな
る第２の半導体層１８、ＺｎＳｅとＣｄＳｅとが交互に
積層された超格子半導体層１９、Ｎを添加したＺｎx Ｃ
ｄ1-x Ｓｅよりなるコンタクト層２０を順次成長させ
る。
【００３０】そして、コンタクト層２０の上にポリイミ
ド等の絶縁層２１を被着形成してフォトリソグラフィ等
の適用により電流通路部分、例えば図１の紙面に垂直に
延長するパターンに開口部２１ａを形成したのち、全面
的にコンタクト層２０側からＰｄ，Ｐｔ，Ａｕを順次ス
パッタリング法等により積層して格子状のｐ側電極２２
を形成し、リフトオフ法により発光面２３を形成する。
一方、基板１１の裏面側にもＩｎ等のｎ側電極２４を被
着形成して発光ダイオード１０を得る。
ド等の絶縁層２１を被着形成してフォトリソグラフィ等
の適用により電流通路部分、例えば図１の紙面に垂直に
延長するパターンに開口部２１ａを形成したのち、全面
的にコンタクト層２０側からＰｄ，Ｐｔ，Ａｕを順次ス
パッタリング法等により積層して格子状のｐ側電極２２
を形成し、リフトオフ法により発光面２３を形成する。
一方、基板１１の裏面側にもＩｎ等のｎ側電極２４を被
着形成して発光ダイオード１０を得る。
【００３１】この発光ダイオード１０では、ｐ側電極２
２とｎ側電極２４との間に所定の電圧が印加されると、
ｐ側電極２２からコンタクト層２０に電流が注入され
る。コンタクト層２０に注入された電流は、超格子半導
体層１９、第２の半導体層１８、第１の半導体層１７、
ｐ型クラッド層１６およびガイド層１５を通過して活性
層１４に注入される。活性層１４では電子−正孔再結合
による発光が起こり、これが発光面２３から基板１１の
主面に対して垂直な方向に面状に外部に取り出される。
２とｎ側電極２４との間に所定の電圧が印加されると、
ｐ側電極２２からコンタクト層２０に電流が注入され
る。コンタクト層２０に注入された電流は、超格子半導
体層１９、第２の半導体層１８、第１の半導体層１７、
ｐ型クラッド層１６およびガイド層１５を通過して活性
層１４に注入される。活性層１４では電子−正孔再結合
による発光が起こり、これが発光面２３から基板１１の
主面に対して垂直な方向に面状に外部に取り出される。
【００３２】なお、第２の半導体層１８はコンタクト層
２０に注入された電流を拡散させて活性層１４の広い領
域に電流を注入させる機能を有するもので、上述したよ
うにＺｎＣｄＳｅ層により構成した場合、その厚みは吸
収を抑えるべく薄い（本実施の形態では１００ｎｍ）こ
とが望ましく、この場合、同じく電流拡散層として機能
する第１の半導体層（ＺｎＣｄＭｇＳｅ層）１７を厚く
（本実施の形態では５００ｎｍ）する必要がある。この
ような構成とすることにより、ホールが活性層１４の発
光面中央部まで十分到達し、均一な発光を得ることが容
易となる。
２０に注入された電流を拡散させて活性層１４の広い領
域に電流を注入させる機能を有するもので、上述したよ
うにＺｎＣｄＳｅ層により構成した場合、その厚みは吸
収を抑えるべく薄い（本実施の形態では１００ｎｍ）こ
とが望ましく、この場合、同じく電流拡散層として機能
する第１の半導体層（ＺｎＣｄＭｇＳｅ層）１７を厚く
（本実施の形態では５００ｎｍ）する必要がある。この
ような構成とすることにより、ホールが活性層１４の発
光面中央部まで十分到達し、均一な発光を得ることが容
易となる。
【００３３】このような作用によって、本実施の形態に
よる発光ダイオード１０では、図５に示したような緑な
いし青色の前駆デルタ関数状のスペクトルを得ることが
できる。例えば、青色の場合の活性層としてはＺｎ0.4
Ｃｄ0.4 Ｍｇ0.2 Ｓｅが用いられ、活性層が量子井戸構
造で構成される場合には、更にバリア層としてＺｎ0.35
Ｃｄ0.35Ｍｇ0.3 Ｓｅが用いられる。あるいは青色の他
の活性層の例としてＺｎＳｅが用いられ、活性層が量子
井戸構造で構成される場合には、更にバリア層としてＺ
ｎＳＳｅが用いられる。また、緑色の活性層としては、
Ｚｎ0.45Ｃｄ0.45Ｍｇ0.1 Ｓｅが用いられ、活性層が量
子井戸構造で構成される場合には、更にバリア層として
Ｚｎ0.35Ｃｄ0.35Ｍｇ0.3 Ｓｅが用いられる。あるいは
緑色の他の活性層の例としてＺｎ0.65Ｃｄ0.35Ｓｅが用
いられ、活性層が量子井戸構造で構成される場合には、
更にバリア層としてＺｎＳＳｅが用いられる。なお、第
１の実施の形態では本発明を発光ダイオードとして説明
したが、半導体レーザとして構成することも可能であ
る。
よる発光ダイオード１０では、図５に示したような緑な
いし青色の前駆デルタ関数状のスペクトルを得ることが
できる。例えば、青色の場合の活性層としてはＺｎ0.4
Ｃｄ0.4 Ｍｇ0.2 Ｓｅが用いられ、活性層が量子井戸構
造で構成される場合には、更にバリア層としてＺｎ0.35
Ｃｄ0.35Ｍｇ0.3 Ｓｅが用いられる。あるいは青色の他
の活性層の例としてＺｎＳｅが用いられ、活性層が量子
井戸構造で構成される場合には、更にバリア層としてＺ
ｎＳＳｅが用いられる。また、緑色の活性層としては、
Ｚｎ0.45Ｃｄ0.45Ｍｇ0.1 Ｓｅが用いられ、活性層が量
子井戸構造で構成される場合には、更にバリア層として
Ｚｎ0.35Ｃｄ0.35Ｍｇ0.3 Ｓｅが用いられる。あるいは
緑色の他の活性層の例としてＺｎ0.65Ｃｄ0.35Ｓｅが用
いられ、活性層が量子井戸構造で構成される場合には、
更にバリア層としてＺｎＳＳｅが用いられる。なお、第
１の実施の形態では本発明を発光ダイオードとして説明
したが、半導体レーザとして構成することも可能であ
る。
【００３４】図６は上記ＺｎＣｄＭｇＳｅ系化合物半導
体により形成された発光ダイオード１０による発光スペ
クトル（青色）を、他のＺｎＣｄＴｅ系およびＩｎＧａ
Ｎ系化合物半導体により形成された発光ダイオードの発
光スペクトルと比較して表すものである。この図からも
明らかなように、本発明による発光ダイオード１０は半
値幅３０ｎｍ以下の前駆デルタ関数状スペクトルを持
ち、有限ピーク値と、極めて細い有限幅を持つため、前
述のようにスペクトル形状が変化した場合でも強度変化
のみと見做すことができる。
体により形成された発光ダイオード１０による発光スペ
クトル（青色）を、他のＺｎＣｄＴｅ系およびＩｎＧａ
Ｎ系化合物半導体により形成された発光ダイオードの発
光スペクトルと比較して表すものである。この図からも
明らかなように、本発明による発光ダイオード１０は半
値幅３０ｎｍ以下の前駆デルタ関数状スペクトルを持
ち、有限ピーク値と、極めて細い有限幅を持つため、前
述のようにスペクトル形状が変化した場合でも強度変化
のみと見做すことができる。
【００３５】〔第２の実施の形態〕図７は本発明の第２
の実施の形態に係る発光ダイオード３０の構成を表すも
のである。この発光ダイオード３０は、第１の実施の形
態における基板１１とｎ型クラッド層１２との間にＺｎ
x Ｃｄ1-x-y Ｍｇy Ｓｅ（０≦ｘ，ｙ≦１）層およびＺ
ｎp Ｃｄ1-p-q Ｍｇq Ｓｅ（０≦ｐ，ｑ≦１）層を積層
してなるＺｎx Ｃｄ1-x-y Ｍｇy Ｓｅ／Ｚｎp Ｃｄ
1-p-q Ｍｇq Ｓｅ超格子層によるブラッグリフレクタ層
２５を挿入した構造となっている。このブラッグリフレ
クタ層２５は他の層と同様にＭＢＥ等により形成するこ
とができる。なお、第１の実施の形態と同一構成部分に
ついては同一符号を付してその説明は省略する。
の実施の形態に係る発光ダイオード３０の構成を表すも
のである。この発光ダイオード３０は、第１の実施の形
態における基板１１とｎ型クラッド層１２との間にＺｎ
x Ｃｄ1-x-y Ｍｇy Ｓｅ（０≦ｘ，ｙ≦１）層およびＺ
ｎp Ｃｄ1-p-q Ｍｇq Ｓｅ（０≦ｐ，ｑ≦１）層を積層
してなるＺｎx Ｃｄ1-x-y Ｍｇy Ｓｅ／Ｚｎp Ｃｄ
1-p-q Ｍｇq Ｓｅ超格子層によるブラッグリフレクタ層
２５を挿入した構造となっている。このブラッグリフレ
クタ層２５は他の層と同様にＭＢＥ等により形成するこ
とができる。なお、第１の実施の形態と同一構成部分に
ついては同一符号を付してその説明は省略する。
【００３６】本実施の形態では、ブラッグリフレクタ層
２５では、反射率が最大となるよう各層の厚さは発光波
長の１／４に設定する。また、より高い反射率を得るた
め各層の繰り返し数は多くすることが好ましい。
２５では、反射率が最大となるよう各層の厚さは発光波
長の１／４に設定する。また、より高い反射率を得るた
め各層の繰り返し数は多くすることが好ましい。
【００３７】なお、このようにブラッグリフレクタ層２
５を挿入した構成では、電圧降下が大きくなる虞れがあ
るが、ヘテロ界面を組成傾斜すること、不純物を高濃度
に添加（ドープ）すること、或いはデルタドープによる
マイクロキャパシタを設けること等の方法によって、実
際の動作において電圧降下を抑制し発光効率の劣化や素
子の劣化を抑制することができ、寿命の長期化を図るこ
とが可能である。
５を挿入した構成では、電圧降下が大きくなる虞れがあ
るが、ヘテロ界面を組成傾斜すること、不純物を高濃度
に添加（ドープ）すること、或いはデルタドープによる
マイクロキャパシタを設けること等の方法によって、実
際の動作において電圧降下を抑制し発光効率の劣化や素
子の劣化を抑制することができ、寿命の長期化を図るこ
とが可能である。
【００３８】本実施の形態による発光ダイオード３０で
も、第１の実施の形態と同様に、緑ないし青色の前駆デ
ルタ関数状のスペクトルを得ることができる。よって、
自発光表示装置の劣化を抑制し、寿命の長期化を図るこ
とができると共に広い色再現性を得ることができる。な
お、本実施の形態に係る発光ダイオード３０が図４
（ｆ）に示したスタック構造の利得導波型である場合に
は、その発光スペクトルは図１１に示したようになる
が、この場合、破線で示した包絡関数の半値幅が３０ｎ
ｍ以下であればよい。
も、第１の実施の形態と同様に、緑ないし青色の前駆デ
ルタ関数状のスペクトルを得ることができる。よって、
自発光表示装置の劣化を抑制し、寿命の長期化を図るこ
とができると共に広い色再現性を得ることができる。な
お、本実施の形態に係る発光ダイオード３０が図４
（ｆ）に示したスタック構造の利得導波型である場合に
は、その発光スペクトルは図１１に示したようになる
が、この場合、破線で示した包絡関数の半値幅が３０ｎ
ｍ以下であればよい。
【００３９】以上、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構
成された緑ないし青色の半導体発光素子（ＬＥＤ，Ｌ
Ｄ）の構造について説明したが、他の化合物半導体、例
えばＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体により構成されたもの
でもよい。なお、第２の実施の形態では本発明を発光ダ
イオードとして説明したが、半導体レーザとして構成す
ることも可能である。
成された緑ないし青色の半導体発光素子（ＬＥＤ，Ｌ
Ｄ）の構造について説明したが、他の化合物半導体、例
えばＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体により構成されたもの
でもよい。なお、第２の実施の形態では本発明を発光ダ
イオードとして説明したが、半導体レーザとして構成す
ることも可能である。
【００４０】〔第３の実施の形態〕図８は本発明の第３
の実施の形態に係るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により形
成され半導体レーザ６０の構成を表すものである。
の実施の形態に係るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により形
成され半導体レーザ６０の構成を表すものである。
【００４１】この半導体レーザ６０は、例えばｎ型のＳ
ｉＣ（炭化珪素）により構成された基板６１の上に、１
０〜２００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物としてＣ
ｌを添加したＧａＮまたはＡｌＮ層からなるバッファ層
６２、１００〜５００ｎｍ程度の厚さの同じくｎ型不純
物としてＣｌを添加してなるＧａＮ層６３、３０〜５０
ｎｍ程度の厚さのＧａp Ｉｎq Ｎ（０≦ｐ，ｑ≦Ｉ）層
およびＡｌr ´Ｇａp´Ｉｎq ´Ｎ（０≦ｐ´，ｑ´，
ｒ´≦１）層を繰り返し積層してなる超格子構造のブラ
ッグリフレクタ層６４、１μｍ程度の厚さの例えばｎ型
不純物としてＳｉを添加したＡｌx1Ｇａy1Ｉｎ1-x1-y1
Ｎ（０≦ｘ1 ，ｙ1 ≦１）よりなるｎ型クラッド層６
５、１００〜２００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物
としてＳｉを添加したＡｌx2Ｇａy2Ｉｎ1-x2-y2 Ｎ（０
≦ｘ2 ，ｙ2 ≦１）よりなるｎ型のガイド層６６、厚さ
例えば２〜２０ｎｍの単一または多重量子井戸構造のＡ
ｌx3Ｇａy3Ｉｎ1-x3-y3 Ｎ（０≦ｘ3 ，ｙ3 ≦１）より
なる活性層６７、１００〜２００ｎｍ程度の厚さの例え
ばｐ型不純物としてＭｇを添加したＡｌx2Ｇａy2Ｉｎ
1-x2-y2 Ｎ（０≦ｘ2 ，ｙ2 ≦１）よりなるｐ型ガイド
層６８、１μｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物としてＮ
を添加したＡｌx1Ｇａy1Ｉｎ1-x1-y1 Ｎ（０≦ｘ1 ，ｙ
1 ≦１）よりなるｐ型クラッド層６９を順次成長させた
ものである。より狭い範囲の半値幅のスペクトルを得る
ためには、活性層６７の不純物濃度は低い方、例えば１
０18〜１０19／ｃｍ3 以下が望ましい。
ｉＣ（炭化珪素）により構成された基板６１の上に、１
０〜２００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物としてＣ
ｌを添加したＧａＮまたはＡｌＮ層からなるバッファ層
６２、１００〜５００ｎｍ程度の厚さの同じくｎ型不純
物としてＣｌを添加してなるＧａＮ層６３、３０〜５０
ｎｍ程度の厚さのＧａp Ｉｎq Ｎ（０≦ｐ，ｑ≦Ｉ）層
およびＡｌr ´Ｇａp´Ｉｎq ´Ｎ（０≦ｐ´，ｑ´，
ｒ´≦１）層を繰り返し積層してなる超格子構造のブラ
ッグリフレクタ層６４、１μｍ程度の厚さの例えばｎ型
不純物としてＳｉを添加したＡｌx1Ｇａy1Ｉｎ1-x1-y1
Ｎ（０≦ｘ1 ，ｙ1 ≦１）よりなるｎ型クラッド層６
５、１００〜２００ｎｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物
としてＳｉを添加したＡｌx2Ｇａy2Ｉｎ1-x2-y2 Ｎ（０
≦ｘ2 ，ｙ2 ≦１）よりなるｎ型のガイド層６６、厚さ
例えば２〜２０ｎｍの単一または多重量子井戸構造のＡ
ｌx3Ｇａy3Ｉｎ1-x3-y3 Ｎ（０≦ｘ3 ，ｙ3 ≦１）より
なる活性層６７、１００〜２００ｎｍ程度の厚さの例え
ばｐ型不純物としてＭｇを添加したＡｌx2Ｇａy2Ｉｎ
1-x2-y2 Ｎ（０≦ｘ2 ，ｙ2 ≦１）よりなるｐ型ガイド
層６８、１μｍ程度の厚さの例えばｎ型不純物としてＮ
を添加したＡｌx1Ｇａy1Ｉｎ1-x1-y1 Ｎ（０≦ｘ1 ，ｙ
1 ≦１）よりなるｐ型クラッド層６９を順次成長させた
ものである。より狭い範囲の半値幅のスペクトルを得る
ためには、活性層６７の不純物濃度は低い方、例えば１
０18〜１０19／ｃｍ3 以下が望ましい。
【００４２】更に、ｐ型クラッド層６９を上には、厚さ
例えば５００ｎｍ程度のｐ型不純物としてＭｇを添加し
たＧａＮ層７０、および厚さ例えば０〜５０ｎｍ程度の
ｐ型不純物としてＭｇを添加したＧａ1-x Ｉｎx Ｎ（０
≦ｘ≦１）層７１が順次成長されている。これらＧａＮ
層７０あるいはＧａ1-x Ｉｎx Ｎ層７１は、ｐ側電極と
良好なオーミック接触をとるためのものである。更に、
Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ層７１の上にはポリイミド樹脂等の絶
縁層７２が形成され、この絶縁層７２に電流通路領域と
なる開口部７２ａが形成されている。絶縁層７２を含む
ＧａＮまたはＧａ1-x Ｉｎx Ｎ層７１上にＮｉ（ニッケ
ル）およびＡｕ（金）の積層膜からなるｐ側電極７３が
発光面７４を囲むように形成されている。一方、基板６
１の裏面側にはＴｉ（チタン）およびアルミニウム（Ａ
ｌ）等からなるｎ側電極７５が形成されている。なお，
この半導体レーザ６０も、化合物の組成が変わるのみで
第１の実施の形態の半導体発光素子と同様に、ＭＢＥ法
等およびフォトリソグラフィ技術を用いて製造すること
ができる。
例えば５００ｎｍ程度のｐ型不純物としてＭｇを添加し
たＧａＮ層７０、および厚さ例えば０〜５０ｎｍ程度の
ｐ型不純物としてＭｇを添加したＧａ1-x Ｉｎx Ｎ（０
≦ｘ≦１）層７１が順次成長されている。これらＧａＮ
層７０あるいはＧａ1-x Ｉｎx Ｎ層７１は、ｐ側電極と
良好なオーミック接触をとるためのものである。更に、
Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ層７１の上にはポリイミド樹脂等の絶
縁層７２が形成され、この絶縁層７２に電流通路領域と
なる開口部７２ａが形成されている。絶縁層７２を含む
ＧａＮまたはＧａ1-x Ｉｎx Ｎ層７１上にＮｉ（ニッケ
ル）およびＡｕ（金）の積層膜からなるｐ側電極７３が
発光面７４を囲むように形成されている。一方、基板６
１の裏面側にはＴｉ（チタン）およびアルミニウム（Ａ
ｌ）等からなるｎ側電極７５が形成されている。なお，
この半導体レーザ６０も、化合物の組成が変わるのみで
第１の実施の形態の半導体発光素子と同様に、ＭＢＥ法
等およびフォトリソグラフィ技術を用いて製造すること
ができる。
【００４３】本実施の形態による半導体レーザ６０にお
いても、第１の実施の形態と同様に、緑ないし青色のス
ペクトルを得ることができる。例えば、活性層６７をＧ
ａ0.2 Ｉｎ0.8 Ｎ、ガイド層６６，６８をＧａＮ、クラ
ッド層６５，６９をＡｌ0.1Ｇａ0.9 Ｎによりそれぞれ
構成することにより青色の波長帯となり、また、活性層
６７をＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎ，ガイド層６６，６８をＧａ
Ｎ、クラッド層６５，６９をＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎにより
それぞれ構成することにより緑色の波長帯となる。よっ
て、本実施の形態においても、自発光表示装置の劣化を
抑制し、より寿命の長期化を図ることができると共に広
い色再現性を得ることができる。なお、第３の実施の形
態では本発明を半導体レーザとして説明したが、発光ダ
イオードとして構成することも可能である。
いても、第１の実施の形態と同様に、緑ないし青色のス
ペクトルを得ることができる。例えば、活性層６７をＧ
ａ0.2 Ｉｎ0.8 Ｎ、ガイド層６６，６８をＧａＮ、クラ
ッド層６５，６９をＡｌ0.1Ｇａ0.9 Ｎによりそれぞれ
構成することにより青色の波長帯となり、また、活性層
６７をＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎ，ガイド層６６，６８をＧａ
Ｎ、クラッド層６５，６９をＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎにより
それぞれ構成することにより緑色の波長帯となる。よっ
て、本実施の形態においても、自発光表示装置の劣化を
抑制し、より寿命の長期化を図ることができると共に広
い色再現性を得ることができる。なお、第３の実施の形
態では本発明を半導体レーザとして説明したが、発光ダ
イオードとして構成することも可能である。
【００４４】以上、緑ないし青色の発光を行う半導体発
光素子の構造について説明したが、次に赤色の発光を行
う半導体発光素子の構造について説明する。
光素子の構造について説明したが、次に赤色の発光を行
う半導体発光素子の構造について説明する。
【００４５】〔第４の実施の形態〕図９は本発明の第４
の実施の形態に係るＩＩーＶＩ族化合物半導体からなる
発光ダイオード９０の構成を表すものである。この発光
ダイオード９０は、例えばｎ型のＩｎＡｓにより構成さ
れた基板９１の上に、ｎ型不純物として例えばＣｌを添
加してなるｎ−ＭｇＳｅx1Ｔｅ1-x1（０≦ｘ1 ≦１）、
例えばｎ−ＭｇＳｅ0.66Ｔｅ0.34（ｘ1 ＝０．６６）に
より構成されたｎ型クラッド層９２、ＣｄＳｅよりなる
活性層９３、ｐ型不純物として例えばＮを添加してなる
ｐ−ＭｇＳｅx1Ｔｅ1-x1（０≦ｘ1 ≦１）、例えばｐ−
ＭｇＳｅ0.66Ｔｅ0.34（ｘ1 ＝０．６６）により構成さ
れたｐ型クラッド層９４を順次成長させたものである。
ｎ型クラッド層９２およびｐ型クラッド層９４は、それ
ぞれ光を発生する機能を有する活性層９３よりも抵抗率
が低く、活性層９３に光およびキャリヤを閉じ込める機
能を有するものである。なお、活性層９３の不純物濃度
は低い方、例えば１０18〜１０19／ｃｍ3 以下が好まし
い。更に、ｐ型クラッド層９４上にはポリイミド樹脂等
の絶縁層９５が形成され、この絶縁層９５に電流通路領
域となる開口部９５ａが形成されている。絶縁層９５を
含むｐ型クラッド層９４上にＰｄ（パラジウム）、Ｐｔ
（白金）およびＡｕ（金）の積層膜からなる格子状のｐ
側電極９６が発光面を囲むように形成されている。一
方、基板９１の裏面側にはＩｎ（インジウム）等からな
るｎ側電極９７が形成されている。なお、この発光ダイ
オード９０も、化合物の組成が変わるのみで第１の実施
の形態の半導体発光素子と同様に、ＭＢＥ法等およびフ
ォトリソグラフィ技術を用いて製造することができる。
なお、第４の実施の形態では本発明を発光ダイオードと
して説明したが、半導体レーザとして構成することも可
能である。
の実施の形態に係るＩＩーＶＩ族化合物半導体からなる
発光ダイオード９０の構成を表すものである。この発光
ダイオード９０は、例えばｎ型のＩｎＡｓにより構成さ
れた基板９１の上に、ｎ型不純物として例えばＣｌを添
加してなるｎ−ＭｇＳｅx1Ｔｅ1-x1（０≦ｘ1 ≦１）、
例えばｎ−ＭｇＳｅ0.66Ｔｅ0.34（ｘ1 ＝０．６６）に
より構成されたｎ型クラッド層９２、ＣｄＳｅよりなる
活性層９３、ｐ型不純物として例えばＮを添加してなる
ｐ−ＭｇＳｅx1Ｔｅ1-x1（０≦ｘ1 ≦１）、例えばｐ−
ＭｇＳｅ0.66Ｔｅ0.34（ｘ1 ＝０．６６）により構成さ
れたｐ型クラッド層９４を順次成長させたものである。
ｎ型クラッド層９２およびｐ型クラッド層９４は、それ
ぞれ光を発生する機能を有する活性層９３よりも抵抗率
が低く、活性層９３に光およびキャリヤを閉じ込める機
能を有するものである。なお、活性層９３の不純物濃度
は低い方、例えば１０18〜１０19／ｃｍ3 以下が好まし
い。更に、ｐ型クラッド層９４上にはポリイミド樹脂等
の絶縁層９５が形成され、この絶縁層９５に電流通路領
域となる開口部９５ａが形成されている。絶縁層９５を
含むｐ型クラッド層９４上にＰｄ（パラジウム）、Ｐｔ
（白金）およびＡｕ（金）の積層膜からなる格子状のｐ
側電極９６が発光面を囲むように形成されている。一
方、基板９１の裏面側にはＩｎ（インジウム）等からな
るｎ側電極９７が形成されている。なお、この発光ダイ
オード９０も、化合物の組成が変わるのみで第１の実施
の形態の半導体発光素子と同様に、ＭＢＥ法等およびフ
ォトリソグラフィ技術を用いて製造することができる。
なお、第４の実施の形態では本発明を発光ダイオードと
して説明したが、半導体レーザとして構成することも可
能である。
【００４６】〔第５の実施の形態〕図１０は本発明の第
５の実施の形態に係るＩＩＩーＶ族化合物半導体からな
る発光ダイオード１００の構成を表すものである。この
発光ダイオード１００は、例えばｎ型のＧａＡｓにより
構成された基板１０１の上に、ｎ型不純物として例えば
Ｃｌを添加してなるｎ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ（０≦ｘ1
≦１）、例えばｎ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓ（ｘ1 ＝０．
４２）により構成されたｎ型クラッド層１０２、ＡｌY1
Ｇａ1-Y1Ａｓ（０≦ｙ1 ≦１）、例えばＡｌ0.35Ｇａ
0.65Ａｓ（ｙ1＝０．３５）からなる活性層１０３、ｐ
型不純物として例えばＮを添加してなるｐ−Ａｌx1Ｇａ
1-x1Ａｓ（０≦ｘ1 ≦１）、例えばｐ−Ａｌ0.42Ｇａ
0.58Ａｓ（ｘ1 ＝０．４２）により構成されたｐ型クラ
ッド層１０４、および例えばｐ型のＧａＡｓにより構成
されたｐ型キャップ層１０５を順次成長させたものであ
る。ｎ型クラッド層１０２およびｐ型クラッド層１０４
は、上記実施の形態と同様にそれぞれ光を発生する機能
を有する活性層１０３よりも抵抗率が低く、活性層１０
３に光およびキャリヤを閉じ込める機能を有するもので
ある。なお、活性層１０３の不純物濃度は低い方、例え
ば１０18〜１０19／ｃｍ3 以下が好ましい。更に、ｐ型
キャップ層１０５上にはポリイミド樹脂等の絶縁層１０
６が形成され、この絶縁層１０６に電流通路領域となる
開口部１０６ａが形成されている。絶縁層１０６を含む
ｐ型キャップ層１０５上にＰｄ（パラジウム）、Ｐｔ
（白金）およびＡｕ（金）の積層膜からなる格子状のｐ
側電極１０７が発光面を囲むように形成されている。一
方、基板１０１の裏面側にはＩｎ（インジウム）等から
なるｎ側電極１０８が形成されている。なお、この発光
ダイオード１００も、化合物の組成が変わるのみで第１
の実施の形態の半導体発光素子と同様に、ＭＢＥ法等お
よびフォトリソグラフィ技術を用いて製造することがで
きる。なお、第４の実施の形態では本発明を発光ダイオ
ードとして説明したが、半導体レーザとして構成するこ
とも可能である。
５の実施の形態に係るＩＩＩーＶ族化合物半導体からな
る発光ダイオード１００の構成を表すものである。この
発光ダイオード１００は、例えばｎ型のＧａＡｓにより
構成された基板１０１の上に、ｎ型不純物として例えば
Ｃｌを添加してなるｎ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ（０≦ｘ1
≦１）、例えばｎ−Ａｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓ（ｘ1 ＝０．
４２）により構成されたｎ型クラッド層１０２、ＡｌY1
Ｇａ1-Y1Ａｓ（０≦ｙ1 ≦１）、例えばＡｌ0.35Ｇａ
0.65Ａｓ（ｙ1＝０．３５）からなる活性層１０３、ｐ
型不純物として例えばＮを添加してなるｐ−Ａｌx1Ｇａ
1-x1Ａｓ（０≦ｘ1 ≦１）、例えばｐ−Ａｌ0.42Ｇａ
0.58Ａｓ（ｘ1 ＝０．４２）により構成されたｐ型クラ
ッド層１０４、および例えばｐ型のＧａＡｓにより構成
されたｐ型キャップ層１０５を順次成長させたものであ
る。ｎ型クラッド層１０２およびｐ型クラッド層１０４
は、上記実施の形態と同様にそれぞれ光を発生する機能
を有する活性層１０３よりも抵抗率が低く、活性層１０
３に光およびキャリヤを閉じ込める機能を有するもので
ある。なお、活性層１０３の不純物濃度は低い方、例え
ば１０18〜１０19／ｃｍ3 以下が好ましい。更に、ｐ型
キャップ層１０５上にはポリイミド樹脂等の絶縁層１０
６が形成され、この絶縁層１０６に電流通路領域となる
開口部１０６ａが形成されている。絶縁層１０６を含む
ｐ型キャップ層１０５上にＰｄ（パラジウム）、Ｐｔ
（白金）およびＡｕ（金）の積層膜からなる格子状のｐ
側電極１０７が発光面を囲むように形成されている。一
方、基板１０１の裏面側にはＩｎ（インジウム）等から
なるｎ側電極１０８が形成されている。なお、この発光
ダイオード１００も、化合物の組成が変わるのみで第１
の実施の形態の半導体発光素子と同様に、ＭＢＥ法等お
よびフォトリソグラフィ技術を用いて製造することがで
きる。なお、第４の実施の形態では本発明を発光ダイオ
ードとして説明したが、半導体レーザとして構成するこ
とも可能である。
【００４７】これら第４および第５の実施の形態による
発光ダイオード９０，１００においては、前駆デルタ関
数状の赤色のスペクトルを得ることができる。従って、
自発光表示装置に用いた場合、その劣化を抑制し、より
寿命の長期化を図ることができると共に広い色再現性を
得ることができる。
発光ダイオード９０，１００においては、前駆デルタ関
数状の赤色のスペクトルを得ることができる。従って、
自発光表示装置に用いた場合、その劣化を抑制し、より
寿命の長期化を図ることができると共に広い色再現性を
得ることができる。
【００４８】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、その均等の範囲で種々変形可能である。例えば、上
記半導体発光素子を構成する各層の組成等は上記実施の
形態と異なる組成とすることもできる。すなわち、上記
実施の形態において示したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発
光素子は、ＩＩ族元素としてＺｎ（亜鉛），Ｈｇ（水
銀），Ｃｄ（カドミウム），Ｍｇ（マグネシウム），Ｂ
ｅ（ベリリウム）からなる群のうち１種類以上の元素、
また、ＶＩ族元素としてＳ（硫黄），Ｓｅ（セレン）か
らなる群のうち１種類以上の元素を用いた各種の結晶構
造とすることができる。なお，ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体により活性層を形成する場合には、Ｔｅ（テルル）が
入っているとクラスターを作り易いため、Ｔｅは活性層
中に含めない方が望ましい。
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、その均等の範囲で種々変形可能である。例えば、上
記半導体発光素子を構成する各層の組成等は上記実施の
形態と異なる組成とすることもできる。すなわち、上記
実施の形態において示したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発
光素子は、ＩＩ族元素としてＺｎ（亜鉛），Ｈｇ（水
銀），Ｃｄ（カドミウム），Ｍｇ（マグネシウム），Ｂ
ｅ（ベリリウム）からなる群のうち１種類以上の元素、
また、ＶＩ族元素としてＳ（硫黄），Ｓｅ（セレン）か
らなる群のうち１種類以上の元素を用いた各種の結晶構
造とすることができる。なお，ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体により活性層を形成する場合には、Ｔｅ（テルル）が
入っているとクラスターを作り易いため、Ｔｅは活性層
中に含めない方が望ましい。
【００４９】また、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子
についても、ＩＩＩ族元素としてＡｌ（アルミニウ
ム），Ｇａ（ガリウム），Ｉｎ（インジウム）からなる
群のうち１種類以上の元素、またＶ族元素としてＮ（窒
素），Ａｓ（砒素）からなる群のうち１種類以上の元素
を用いた各種の結晶構造とすることができる。
についても、ＩＩＩ族元素としてＡｌ（アルミニウ
ム），Ｇａ（ガリウム），Ｉｎ（インジウム）からなる
群のうち１種類以上の元素、またＶ族元素としてＮ（窒
素），Ａｓ（砒素）からなる群のうち１種類以上の元素
を用いた各種の結晶構造とすることができる。
【００５０】また、上記実施の形態においては、主に面
発光型の半導体発光素子について説明したが、端面発光
型のものでもよいことはいうまでもない。
発光型の半導体発光素子について説明したが、端面発光
型のものでもよいことはいうまでもない。
【００５１】更に、半導体レーザとしては、上記実施の
形態においては、構造的に活性層の一部にのみ電流を注
入する利得導波型のものについて説明したが、活性層の
幅方向に積極的に屈折率の差を設けた屈折率導波型にも
適用できるものである。
形態においては、構造的に活性層の一部にのみ電流を注
入する利得導波型のものについて説明したが、活性層の
幅方向に積極的に屈折率の差を設けた屈折率導波型にも
適用できるものである。
【００５２】加えて、本発明の自発光表示装置を構成す
る各発光源のスペクトル半値幅（および包絡関数の半値
幅）は、色度図上の再現範囲を若干犠牲にすれば、３０
ｎｍ以上であってもよい。
る各発光源のスペクトル半値幅（および包絡関数の半値
幅）は、色度図上の再現範囲を若干犠牲にすれば、３０
ｎｍ以上であってもよい。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る自発光
表示装置によれば、互いに実質的に重複しない程度のス
ペクトルを有する複数の発光源を備えるようにしたの
で、発光強度のみが唯一のパラメータとなり、強度のみ
を補正すれば良いので、色質劣化がなく色再現性のよい
ディジタル的な表示装置を実現できる。また、スペクト
ル半値幅が小さいので、色度図上の各点を点状の優れた
精度で再現でき、色度図上の再現範囲も最大の表示装置
を実現できるという効果を奏する。
表示装置によれば、互いに実質的に重複しない程度のス
ペクトルを有する複数の発光源を備えるようにしたの
で、発光強度のみが唯一のパラメータとなり、強度のみ
を補正すれば良いので、色質劣化がなく色再現性のよい
ディジタル的な表示装置を実現できる。また、スペクト
ル半値幅が小さいので、色度図上の各点を点状の優れた
精度で再現でき、色度図上の再現範囲も最大の表示装置
を実現できるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る自発光表示装
置に用いる発光ダイオードの構成を表す断面図である。
置に用いる発光ダイオードの構成を表す断面図である。
【図２】本発明の自発光表示装置の外観構成を表す斜視
図である。
図である。
【図３】図２の自発光表示装置の一部を構成するサブユ
ニットを表す平面図である。
ニットを表す平面図である。
【図４】他のサブユニットの構成を表す平面図である。
【図５】本発明に用いる前駆デルタ関数と見なせるＲＧ
Ｂ光源の発光スペクトルを表す特性図である。
Ｂ光源の発光スペクトルを表す特性図である。
【図６】本発明による発光ダイオードの発光スペクトル
と他の発光ダイオードのスペクトル特性を比較して表す
特性図である。
と他の発光ダイオードのスペクトル特性を比較して表す
特性図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る発光ダイオー
ドの構成を表す断面図である。
ドの構成を表す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ
の構成を表す断面図である。
の構成を表す断面図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態に係る発光ダイオー
ドの構成を表す断面図である。
ドの構成を表す断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態に係る発光ダイオ
ードの構成を表す断面図である。
ードの構成を表す断面図である。
【図１１】利得導波型半導体レーザの発光スペクトルを
表す特性図である。
表す特性図である。
【図１２】ＣＲＴ，ＬＣＤおよびＬＥＤの発光特性を比
較して説明するための色度座標図である。
較して説明するための色度座標図である。
【図１３】従来のＲＧＢ光源の発光スペクトルを表す特
性図である。
性図である。
１０…発光ダイオード，１１…基板（ＩｎＰ）、１２…
ｎ型クラッド層、１３…ｎ型ガイド層、１４…活性層、
１５…ｐ型ガイド層、１６…ｐ型クラッド層，１７…第
１の半導体層、１８…第２の半導体層、１９…超格子半
導体層、２０…コンタクト層、２１…絶縁層、２２…ｐ
側電極、２３…発光面、２４…ｎ側電極、２００…発光
部、２０１…サブユニット、２０２ａ〜２０２ｃ…発光
源
ｎ型クラッド層、１３…ｎ型ガイド層、１４…活性層、
１５…ｐ型ガイド層、１６…ｐ型クラッド層，１７…第
１の半導体層、１８…第２の半導体層、１９…超格子半
導体層、２０…コンタクト層、２１…絶縁層、２２…ｐ
側電極、２３…発光面、２４…ｎ側電極、２００…発光
部、２０１…サブユニット、２０２ａ〜２０２ｃ…発光
源
Claims (18)
- 【請求項１】 それぞれ互いに実質的に重複しない程度
のスペクトルを有する複数の発光源を備えたことを特徴
とする自発光表示装置。 - 【請求項２】 それぞれ半値幅３０ｎｍ以下の前駆デル
タ関数状スペクトルを有する赤，緑および青の複数の発
光源を備えたことを特徴とする請求項１記載の自発光表
示装置。 - 【請求項３】 それぞれ半値幅が３０ｎｍ以下のスペク
トルを有する赤，緑および青の複数の発光源を備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の自発光表示装置。 - 【請求項４】 前記赤，緑および青の発光源のうち少な
くとも１つの発光源は発光ダイオードであることを特徴
とする請求項３記載の自発光表示装置。 - 【請求項５】 前記赤，緑および青の発光源のうち少な
くとも１つの発光源は面発光型発光ダイオードであるこ
とを特徴とする請求項３記載の自発光表示装置。 - 【請求項６】 前記発光ダイオードは、基板上に、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体により形成された少なくとも第１
導電型のクラッド層、活性層および第２導電型のクラッ
ド層を含むことを特徴とする請求項４記載の自発光表示
装置。 - 【請求項７】 前記活性層は、Ｔｅを除くＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体により形成されたことを特徴とする請求項
６記載の自発光表示装置。 - 【請求項８】 前記発光ダイオードは、基板上に、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体により形成された少なくとも第１
導電型のクラッド層、活性層および第２導電型のクラッ
ド層を含むことを特徴とする請求項４記載の自発光表示
装置。 - 【請求項９】 前記赤，緑および青の発光源のうち少な
くとも１つの発光源は半導体レーザであることを特徴と
する請求項３記載の自発光表示装置。 - 【請求項１０】 前記赤，緑および青の発光源のうち少
なくとも１つの発光源は面発光型半導体レーザであるこ
とを特徴とする請求項３記載の自発光表示装置。 - 【請求項１１】 前記半導体レーザは、基板上に、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体により形成された少なくとも第１
導電型のクラッド層、活性層および第２導電型のクラッ
ド層を含むことを特徴とする請求項９記載の自発光表示
装置。 - 【請求項１２】 前記活性層は、Ｔｅを除くＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体より形成されたことを特徴とする請求項
１１記載の自発光表示装置。 - 【請求項１３】 前記半導体レーザは、基板上に、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体により形成された少なくとも第１
導電型のクラッド層、活性層および第２導電型のクラッ
ド層を含むことを特徴とする請求項９記載の自発光表示
装置。 - 【請求項１４】 それぞれ包絡関数の半値幅が３０ｎｍ
以下のスペクトルを有する赤，緑または青の発光を行う
半導体レーザを少なくとも１つ有することを特徴とする
請求項１記載の自発光表示装置。 - 【請求項１５】 前記半導体レーザは面発光型の半導体
レーザであることを特徴とする請求項１４記載の自発光
表示装置。 - 【請求項１６】 前記半導体レーザは、基板上に、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体により形成された少なくとも第１
導電型のクラッド層、活性層および第２導電型のクラッ
ド層を含むことを特徴とする請求項１４記載の自発光表
示装置。 - 【請求項１７】 前記活性層は、Ｔｅを除くＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体より形成されたことを特徴とする請求項
１６記載の自発光表示装置。 - 【請求項１８】 前記半導体レーザは、基板上に、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体により形成された少なくとも第１
導電型のクラッド層、活性層および第２導電型のクラッ
ド層を含むことを特徴とする請求項１４記載の自発光表
示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16162997A JPH1083149A (ja) | 1996-06-18 | 1997-06-18 | 自発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-177496 | 1996-06-18 | ||
| JP17749696 | 1996-06-18 | ||
| JP16162997A JPH1083149A (ja) | 1996-06-18 | 1997-06-18 | 自発光表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083149A true JPH1083149A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=26487693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16162997A Withdrawn JPH1083149A (ja) | 1996-06-18 | 1997-06-18 | 自発光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1083149A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085745A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2003271077A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2007531263A (ja) * | 2004-03-25 | 2007-11-01 | ポステック・ファウンデーション | 低消費電力ディスプレー素子用の光量子リングレーザー |
| JP2008503090A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-01-31 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ＩｎＰ基板上のＩＩ−ＶＩ／ＩＩＩ−Ｖ層状構造 |
| JP2013118331A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP16162997A patent/JPH1083149A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085745A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2003271077A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| US7250636B2 (en) | 2002-03-18 | 2007-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus and method for producing the same |
| US7309880B2 (en) | 2002-03-18 | 2007-12-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus and method for producing the same |
| JP2007531263A (ja) * | 2004-03-25 | 2007-11-01 | ポステック・ファウンデーション | 低消費電力ディスプレー素子用の光量子リングレーザー |
| JP2008503090A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-01-31 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ＩｎＰ基板上のＩＩ−ＶＩ／ＩＩＩ−Ｖ層状構造 |
| KR101227293B1 (ko) | 2004-06-18 | 2013-01-29 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | ＩｎＰ 기판 상의 Ⅱ－Ⅵ／Ⅲ－Ⅴ 층 구조물 |
| JP2013118331A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100486803B1 (ko) | 자발광표시장치 | |
| US10020639B2 (en) | Laser diode assembly | |
| US7554127B2 (en) | Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same | |
| US7683378B2 (en) | Light emitting diode and method for fabricating same | |
| US20110045623A1 (en) | Method of manufacturing a light-emitting diode | |
| US10756960B2 (en) | Light-emitting device | |
| JP2007123731A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光装置 | |
| JP2004031770A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH0832180A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2000174346A (ja) | 発光装置 | |
| JP2000349397A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2002217456A (ja) | 半導体発光素子 | |
| CN111834390B (zh) | 一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法 | |
| JPH1083149A (ja) | 自発光表示装置 | |
| JPH07263752A (ja) | 半導体カラー発光素子 | |
| JP2002344015A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH11233815A (ja) | 半導体発光ダイオード | |
| US6008507A (en) | Photoelectric semiconductor device having a GaAsP substrate | |
| JPH1146038A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP4980041B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US20050040406A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPH10173230A (ja) | 発光素子 | |
| JP2011159771A (ja) | 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子の製造方法、および電子装置 | |
| JPH11243227A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2003218386A (ja) | 発光ダイオード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031216 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050407 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050624 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050809 |