JPH108288A - めっき用原版とそれを用いた金属薄膜の形成方法、及びめっき用原版の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 工程が短かく、生産性が有利で、歩留りの向
上が見込まれる、めっきによる多段形状の金属薄膜の形
成方法と、これに用いられるめっき用原版を提供する。
同時に、該原版の製造方法を提供する。 【解決手段】 めっきにより、多段形状の金属薄膜を形
成するための原版であって、導電性基板と、導電性基板
の表面部に形成された凹部に埋め込まれ、導電性基板の
面にその露出面を揃えた絶縁性材料による絶縁部と、絶
縁部の表面部に形成された凹部に埋め込まれて絶縁部に
より導電性基板から電気的に絶縁され、導電性基板の面
にその露出面を揃えた導電性材料からなる電気的に孤立
した導電部とを有し、孤立した導電部と隣接する導電性
基板の表面の絶縁部の幅が、原版を陰極としてめっきを
行った際に、めっきを開始してから、導電性基板の表面
に析出されるめっき部が導電性基板の表面に沿う方向に
も成長して、絶縁部を乗り越え、隣接する導電部まで達
し、導電部と導電性基板とが電気的に接続するまでの時
間を、調整できるように設けてある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，めっきに関するもの
で、特に、めっきにより多段形状の金属薄膜を形成する
ための原版、めっきにより多段形状の金属薄膜を形成す
る方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、めっきにより多段形状の金属薄膜
を形成する場合は、レジスト製版後にめっき行う工程
を、段数に応じた数だけ繰り返して行う方法が採られて
いた。この方法の１例を図６に基づいて簡単に説明して
おく。先ず、導電性基板６１０上にネガレジスト層６２
０を形成し、これの所定領域のみを電離放射線６３０に
より露光描画し、露光描画された部分のみを硬化させた
（図６（ａ））後、現像処理、乾燥等を経て、所定の絵
柄をもつレジスト層６２０からなるレジストパターン６
２０Ａのみを導電性基板６１０上に残す。（図６
（ｂ）） 次いで、導電性基板６１０を陰極として、電気めっきを
行い、導電性基板の露出した面にめっき層６４１を形成
する。（図６（ｃ）） この後、レジストパターン６２０Ａを剥離して（図６
（ｄ））、再度レジスト層６２０を塗布し（６
（ｅ））、これの所定領域のみを電離放射線６３０によ
り露光描画し、露光描画された部分のみを硬化させた
（図６（ｆ））後、現像処理、乾燥等を経て、所望の絵
柄をもつレジスト層６２０からなるレジストパターン６
２０Ｂのみを導電性基板６１０上直接ないし第一のめっ
き層６４１を介してに残す。（図６（ｇ）） 次いで、再度、導電性基板６１０を陰極として、電気め
っきを行い、導電性基板６１０の露出した面に第二のめ
っき層６４２を形成する。（図６（ｈ）） この後、レジストパターン６２０Ｂを剥離することによ
り、導電性基板６１０の上にめっきにより形成された金
属にからなる厚肉部６５０、薄肉部６６０およびめっき
が施されない部分６７０を形成することができる。（図
６（ｉ）） 厚肉部６５０は第一のめっき層６４１と第二のめっき層
６４２から形成され、薄肉部６６０は第一のめっき層６
４１のみで形成されている。このようにして、２回のレ
ジスト製版と２回の電気めっきにより、めっきが施され
ない部分６７０を含めて、厚肉部６５０、薄肉部６６０
の３状態を導電性基板６１０上に形成することができ
る。即ち、図６に示す例の場合は、めっきが施されない
部分６７０を含めて、３段形状の金属薄膜が形成され
る。さらに、図６に示す例に、引続き製版、電気めっき
を繰り返すことにより、更に多段の金属薄膜が形成でき
る。従来はこのようにして、多段形状の金属薄膜を形成
していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、図６に
示す従来のめっきによる多段形状の金属薄膜の形成方法
の場合は、レジスト製版後にめっき行う工程を、段数に
応じた数だけ繰り返すため、工程が長く生産性に劣り、
歩留りが低くなるという問題があった。本発明は、この
ような状況のもと、工程が短かく、生産性が有利で、歩
留りの向上が見込まれる、めっきによる多段形状の金属
薄膜の形成方法を提供しようとするものである。同時
に、これに用いられるめっき用原版と該原版の製造方法
を提供しようとするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明のめっき用原板
は、めっきにより、多段形状の金属薄膜を形成するため
の原版であって、導電性基板と、導電性基板の表面部に
形成された凹部に埋め込まれ、導電性基板の面にその露
出面を揃えた絶縁性材料による絶縁部と、絶縁部の表面
部に形成された凹部に埋め込まれて絶縁部により導電性
基板から電気的に絶縁され、導電性基板の面にその露出
面を揃えた導電性材料からなる電気的に孤立した導電部
とを有し、孤立した導電部と隣接する導電性基板の表面
の絶縁部の幅が、原版を陰極としてめっきを行った際
に、めっきを開始してから、導電性基板の表面に析出さ
れるめっき部が導電性基板の表面に沿う方向にも成長し
て、絶縁部を乗り越え、隣接する導電部まで達し、導電
部と導電性基板とが電気的に接続するまでの時間を、調
整できるように設けてあることを特徴とするものであ
る。本発明のめっきによる金属薄膜の形成方法は、導電
性基板と、導電性基板の表面部に形成された凹部に埋め
込まれ、導電性基板の面にその露出面を揃えた絶縁性材
料による絶縁部と、絶縁部の表面部に形成された凹部に
埋め込まれて絶縁部により導電性基板から電気的に絶縁
され、導電性基板の面にその露出面を揃えた導電性材料
からなる電気的に孤立した導電部とを有する原版を用
い、原版を陰極として、めっきにより、原版の表面に多
段形状の金属薄膜を形成するもので、孤立した導電部と
隣接する導電性基板の表面との間の絶縁部の幅を調整す
ることにより、めっきにより、前記導電性基板の一面側
の導電性基板の露出した表面にめっき部を析出させると
ともに、導電性基板の表面に析出されるめっき部が導電
性基板の表面に沿う方向にも成長して、絶縁部を乗り越
え、隣接する導電部まで達し、導電部と導電性基板とが
電気的に接続し、導電部上に導電性基板上とは異なる膜
厚の金属膜を生じるようにしたことを特徴とするもので
ある。本発明のめっき用原版の製造方法は、めっきによ
り、多段形状の金属薄膜を形成するための原版の製造方
法であって、少なくとも順に、（Ａ）導電性基板の一面
に第一のレジストを塗布し、製版により、導電性基板が
露出する第一のレジスト開口部を設ける工程と、（Ｂ）
第一のレジストを耐腐蝕性マスクとして、該第一のレジ
スト開口部より、導電性基板をエッチングして凹部を作
製する工程と、（Ｃ）該凹部に絶縁性材料を充填する工
程と、（Ｄ）第一のレジストを剥離する工程と、（Ｅ）
該絶縁材料および導電性基板を覆うように、導電性基板
の一面に第二のレジストを塗布し、製版により、絶縁性
材料を設けた領域内に絶縁材料を露出する第二のレジス
トの開口部を設ける工程と、（Ｆ）第二のレジストを耐
腐蝕性マスクとして、該第二のレジスト開口部より、絶
縁性材料をエッチングして凹部を作製する工程と、
（Ｇ）導電性基板の第二のレジスト側全面に、導電性の
金属薄膜を形成する工程と、（Ｈ）第二のレジストを剥
離するとともに、第二のレジスト上に形成された導電性
の金属薄膜を除去する工程とを有することを特徴とする
ものである。上記、本発明はめっきが等方的に成長する
ことを利用したものである。

【０００５】

【作用】本発明のめっき用原版は、上記のように構成す
ることにより、工程が短かく、生産性が有利で、歩留り
の向上が見込まれる、めっきによる多段形状の金属薄膜
の形成方法に用いられるめっき用原版の提供を可能とす
るものである。詳しくは、導電性基板と、導電性基板の
表面部に形成された凹部に埋め込まれ、導電性基板の面
にその露出面を揃えた絶縁性材料による絶縁部と、絶縁
部の表面部に形成された凹部に埋め込まれて絶縁部によ
り導電性基板から電気的に絶縁され、導電性基板の面に
その露出面を揃えた導電性材料からなる電気的に孤立し
た導電部とを有し、孤立した導電部と隣接する導電性基
板の表面の絶縁部の幅が、原版を陰極としてめっきを行
った際に、めっきを開始してから、導電性基板の表面に
析出されるめっき部が導電性基板の表面に沿う方向にも
成長して、絶縁部を乗り越え、隣接する導電部まで達
し、導電部と導電性基板とが電気的に接続するまでの時
間を、調整できるように設けてあることによりこれを達
成している。本発明のめっきによる金属薄膜の形成方法
は、上記のように構成することにより、工程が短かく、
生産性が有利で、歩留りの向上が見込まれる、めっきに
よる多段形状の金属薄膜の形成方法の提供を可能とする
ものである。本発明のめっき用原版の製造方法は、本発
明のめっき用原版の製造を比較的簡単にできる方法の提
供を可能としている。

【０００６】

【実施例】本発明のめっき用原版の施例を図にもとづい
て説明する。図１（ａ）は、本実施例のめっき用原版を
示した断面図であり、図１（ｂ）はその平面図であり、
図２は該原版を陰極としてめっきした場合の多段形状の
金属薄膜の形成状態を示した断面図で、図３は本実施例
の原版を用いてめっきした場合に多段状に金属薄膜が形
成される原理を説明するための図である。尚、図１
（ａ）、図２はそれぞれ、図１（ｂ）におけるＡ１−Ａ
２に相当する位置における断面を示したものであり、図
３は図２における点線部における金属薄膜の形成工程を
簡略化して示したものである。図１、図２において、１
００は原版、１１０は導電性基板、１２０、は絶縁部、
１３０は導電部、１４は金属薄膜（めっき部）、１４
１、１４２、１４３はめっき部である。本実施例の原版
１００は、これを陰極としてめっきした場合、原版１０
０上に、めっきにより多段状の金属薄膜を形成するため
のめっき用原版である。図１に示すように、絶縁部１２
０は、導電性基板１１０の一面側の凹部に埋め込まれて
設けられており、絶縁部１２０領域理内に設けられた導
電部１３０および導電性基板１１０は、それぞれ互い
に、絶縁部１２０により電気的に絶縁された状態になっ
ている。そして、絶縁部１２０、及び導電部１３０は導
電性基板１１０の前記一面にその露出面を揃えている。

【０００７】本実施例においては、導電性基板１１０と
してはステンレス（ＳＵＳ３０４）材を用い、絶縁部１
２０としては二酸化ケイ 素（ＳｉＯ₂ ）を、導電部１
３０としては白金を用いたが、材質は、特にこれに限定
はされない。

【０００８】本実施例の原版１００を陰極として、電気
めっきを行って金属薄膜１４０を形成した図が図２であ
るが、その厚さは、それぞれの、図１に示す導電部１３
０と導電性基板１１０との間隔に対応している。図２に
示すように、図１に示す導電部１３０と導電性基板１１
０との間隔が大きい箇所程薄くなり、結果として、導電
性基板上の厚肉のめっき部１４１と、各導電部１３０と
導電性基板１１０との間隔に対応した厚さのめっき部１
４２、１４３を有する多段状の金属薄膜１４０が形成さ
れている。

【０００９】図３に基づいて、図１の原版１００を用い
てめっきを行った場合、図２に示すように金属薄膜１４
０が多段に形成される理由を簡単に説明する。図３
（ａ）に示すように、導電性基板１１０の一面に、その
露出する面が前記導電性基板１１０の一面にほぼ一致す
るように埋め込まれ形成された絶縁性材料からなる絶縁
部１２０と、絶縁部１２０領域内に導電性基板１１０と
電気的に孤立し、その露出する面が前記導電性基板１１
０の一面にほぼ一致するように形成され導電部１３０と
を有する原版１００について、これを陰極として電気め
っきを施した場合について説明する。図３（ａ）に示す
導電性基板を用いてめっきを開始すると、先ず、導電性
基板１１０の露出している面にめっきが析出し、成長す
るが、図３（ｂ）に示すように、めっきのは基板面に垂
直な方向だけでなく、基板面にそった方向にも成長す
る。更に、めっきを続けると、図３（ｃ）に示すよう
に、基板面にそっためっきの成長はさらに進み、さらに
めっきを続けると、図３（ｄ）に示すように、導電部１
３０の絶縁部１２０から露出した面に到達する。基板面
にそっためっきの成長が導電部１３０に到達すると、導
電部１３０は導電性基板１１０と電気的に連結した状態
となり、導電部１３０の絶縁部１２０から露出した面全
体にめっきの成長が始まり、面全体ではほぼ同じ成長と
なるため、導電部１３０上へのめっきは、めっきの経過
時間によらずほぼ平坦となる。（図３（ｅ）） 尚、各めっき液に露出した導電性部位はほぼ同じ電流密
度であるから、導電部１３０が導電性基板１１０とが電
気的に連結された後は、ほぼ導電性基板１１０、導電部
１３０においても、めっきの基板に垂直な方向の成長速
度は同じである。一方導電性基板１１０上の基板面に垂
直方向のめっきの成長は、同様に時間の経過とともに面
全体でほぼ同じであることより、基板面全体でほぼ平坦
となる。したがって、導電性基板１１０上のめっきの厚
さは、めっきを開始してから、導電部１３０と導電性基
板１１０とが電気的に連結するまでの時間Ｔ１の間に、
めっきされた分の厚さだけ導電部１３０の上のめっきの
厚さより厚くなる。この結果、図３（ｅ）に示すよう
に、導電性基板１１０上の厚肉のめっき部１４１と導電
部１３０上への薄肉のめっき部１４３とが形成され、金
属薄膜１４０は段状となる。上記のように導電部１３０
の導電性基板１１０の面に垂直方向のめっきの成長は、
導電部１３０が導電性基板１１０に電気的に連結した時
点で始まるため、めっきを開始してから導電部１３０が
導電性基板１１０に電気的に連結する時間Ｔ１を変える
ことにより、導電基板１１０上に形成されるめっきの厚
さと所定の差の厚さを持つめっき部を形成することが可
能である。即ち、上記時間Ｔ１が異なる導電部１３０を
同時に導電性基板１１０上に設けることにより、多段と
することも可能となるのである。この時間Ｔ１はめっき
の基板面にそった方向のめっき成長の早さと導電部１３
０と導電性基板１１０の表面に介在する絶縁部１２０の
幅Ｗによるが、めっき成長の早さをあらかじめ求めてお
けば時間Ｔ１は幅Ｗを調整することにより調整でき、実
際にはこの幅Ｗの調整により、結果として導電部１３０
のめっき膜厚を調整する。簡単には幅Ｗが大きいほど導
電部のめっき厚は薄くなる。

【００１０】次に、本実施例の原版の変形例を挙げ、説
明する。図４（ａ）は変形例の原版で、図４（ｂ）は該
原版を陰極としてめっきした場合の多段形状の金属薄膜
の形成状態を示した断面図である。図４に示す、原版４
００は、導電性基板４１０の１つの凹部４１１にその露
出する面を導電性基板４１０の一面に揃えた状態で埋め
込まれた絶縁層４２０内に第一の導電部４３０Ａ、第二
の導電部４３０Ｂを、その露出面を導電性基板の一面に
揃えて埋め込んだものである。原版４００を陰極として
めっきを行った際には、先ず導電性基板４１０上にめっ
きが析出し、めっき部は、導電性基板４１０の表面に沿
う方向にも成長し、めっきを続けることにより、絶縁部
４２０を乗り越えて導電部４３０Ａに達し、導電性基板
４１０と導電部４３０Ａとが電気的に結線し、導電部４
３０Ａ上全面に一様にめっきが析出しはじめる。更にめ
っきを続けると、導電部４３０Ａ上のめっき部は導電部
４３０Ａの露出面に沿う方向にも成長し、絶縁部４２０
を乗り越え導電部４３０Ｂに達し、導電部４３０Ｂも絶
縁性基板４１０と導電部４３０Ａとめっき部を介して電
気的に結線され、導電部４３０Ａ上全面に一様にめっき
が析出しはじめる。このようにして、更に所定時間めっ
きを続け、終了した状態が図４（ｂ）に示すものであ
り、導電性基板４１０の表面上には厚肉のめっき部４４
１を有し、導電部４３０Ａ、４３０Ｂ表面上には、これ
より順次薄いめっき部４４２、４４３を有する、段状の
金属薄膜４４０が形成される。

【００１１】次に、本発明のめっき用原版の製造方法の
実施例を挙げる。本実施例は、上記実施例のめっき用原
版を作製した方法で、図５は本実施例のめっき用原版の
製造方法の要部を示した断面図である。図５中、５００
は原版、５１０は導電性基板、５１１は凹部、５２０、
５２０Ａはレジスト層、５４０は二酸化ケイ素（ＳｉＯ
₂ ）、５４１は凹部、５６０は白金である。先ず、研磨
されたステンレス（ＳＵＳ３０４）板からなる導電性基
板５１０上にポジ型レジスト（ヘキスト社製 ＡＺ−４
４０３）を回転塗布法により均一に塗布し、加熱乾燥処
理を施し、厚さ１５μｍ程度のレジスト層５２０を形成
した。（図５（ａ）） 加熱乾燥処理はホットプレートを用い９０°Ｃで５分間
程度行った。次に、レジスト層５２０を、光学露光装置
の電離放射線よって、所定の領域のみ露光描画した後、
専用のアルカリ現像液で常温、２分間ディップ現像し、
純水流水でリンスを行い、レジスト層５２０を所望の絵
柄（パターン）に形成した後、レジスト層５２０と基板
との密着性の向上のため加熱処理をホットプレートで１
２０°Ｃ、２分間行った。（図５（ｂ）） 尚、露光は、ｇ線の積算露光量１５０ｍＪ／ｃｍ² で行
った。次に、レジスト層５２０をマスクとして、ドライ
エッチング法を用いて導電性基板５１０に凹部５１１を
形成した。（図５（ｃ）） ドライエッチング条件は、キセノンガスを用いて行っ
た。尚、この形成は塩化鉄を用いたウエットエッチング
法でも問題はない。次に、レジスト層５２０の開口部、
即ち、露出した凹部５１１上を含め、レジスト層５２０
上全体に二酸化ケイ素膜５４０をスパッタ形成した（図
５（ｄ））後、レジスト層５２０を剥離するとともにレ
ジスト層５２０上の二酸化ケイ素膜５４０を除去し、凹
部５１１に二酸化ケイ素膜５４０を充填した状態に形成
した。（図５（ｅ）） 即ち、凹部５１１への二酸化ケイ素膜５４０の充填形成
はリフト法により行った。二酸化ケイ素のスパッタは、
金属ケイ素をターゲットとして、酸素とアルゴンの混合
ガスを用いた。レジスト層５２０の剥離は専用の剥離液
を用いて行った。更に、再度ポジ型レジスト（キスト社
製 ＡＺ−６３１８）を用回転塗布法により均一に塗布
し、加熱処理を施し、厚さ３μｍ程度のレジスト層５２
０Ａを形成した。（図５（ｆ）） 処理は前述のレジスト層５２０の塗布とほぼ同様にして
行った。次いで、アライメントが可能な光学的露光装置
を用い、所定の領域に電離放射線５３０による露光描画
を行った後、現像、リンスを行い、レジスト層５２０Ａ
を所望の絵柄（パターン）に形成した後、レジスト層５
２０Ａと導電性基板５１０ないし二酸化ケイ素膜５４０
との密着性の向上のため加熱処理を、前述のレジスト層
５２０と同様、ホットプレートで１２０°Ｃ、２分間行
った。（図５（ｇ）） これにより、露光描画された二酸化ケイ素膜５４０領域
内の所定の領域のみレジスト層５２０Ａが除去され、こ
の部分のみ二酸化ケイ素膜５４０が露出する。次に、エ
ッチングガスとして４フッ化炭素を用いた反応性イオン
エッチングにより、レジスト層５２０Ａをマスクとして
二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）膜５４０をエッチングし凹部
５４１を形成した。（図５（ｈ）） エッチング時間は二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）膜５４０を
貫通しないように注意する。次いで、電子ビームを用い
た真空蒸着法により、レジスト層５２０Ａの開口部５２
１Ａ上、即ち凹部５４１を含め、レジスト層５２０Ａ上
に白金膜５６０をスパッタ形成した（図５（ｉ））後、
レジスト層５２０Ａを剥離するとともにレジスト層５２
０Ａ上の白金膜５６０を除去し、凹部５４１に白金膜５
６０を充填した状態に形成した。（図５（ｊ）） 即ち、凹部５４１への白金膜４６０の充填形成はリフト
法により行った。このようにして、原版５００が作製さ
れるが、めっき面の平滑度が得られなかった場合には、
めっき面側のラッピング研磨処理を行う。この際、完全
な鏡面状態にするとめっきが脱落するので、Ｒａ（ＪＩ
Ｓ規格 Ｂ０６０１、平均粗さ）で数μｍ程度の粗さは
必要である。

【００１２】次に、本発明のめっきによる金属薄膜の形
成方法の実施例を更に具体的に説明する。本実施例は、
図１に示す実施例の原版１００を用いて、原版１００上
に、硫酸銅電解めっきにて銅めっきからなる金属薄膜１
４０を図２に示すように多段に形成したものであるが、
めっき浴組成としては、硫酸銅水和物２２０ｇ／ｌ、硫
酸６０ｇ／ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／ｌ、光沢材を適量
加えた組成のものを使用し、原版１００を陰極として硫
酸銅電解めっきにて多段形状の金属薄膜を成膜した。め
っき条件は、液温度２５〜２８°Ｃ、陰極電流密度１〜
２Ａ／ｄｍ² で行った。各導電部１３０における銅めっ
きの成長は前述した図３に示すようにして行われ、結果
として、図２に示すように、めっき厚の厚い導電性基板
１１０上の厚肉のめっき部１４１、図３に示すＷに対応
した厚さのめっき部４１２、１４３からなる金属薄膜１
４０を形成した。尚、所望の厚さのめっき厚を得るに
は、めっき時間は、めっき面積、電流密度等により適当
に変えることが必要である。原版１００上への銅めっき
からなる金属薄膜１４０の形成を、以下、図３を用いて
簡単に説明する。上記めっき浴にて、原版１００（図３
（ａ））を陰極として、硫酸銅電解めっきを開始する
と、導電性基板１１０の露出面に析出する銅めっき部
（金属薄膜）１４０は等方的に成長するため、絶縁部１
２０上を導電性基板１１０の露出面側から導電性基板１
１０の面に沿う方向にも銅めっき部（金属薄膜）１４０
は、図３（ｂ）の状態から図３（ｃ）の状態へと次第に
大きく成長した。更に硫酸銅電解めっきを続けることに
より、絶縁部１２０上を導電性基板１１０の露出面に沿
い成長した銅めっき部１４０は孤立した導電部１３０ま
で到達し、導電部１３０と導電性基板１１０とは電気的
に接続された。（図３（ｄ）） この後、導電部１３０全面にも、導電性基板１１０と同
様均一に露出面に垂直な方向にめっき部が成長し、導電
性基板１１０上には厚い銅めっき部１４１をもち、導電
部１３０上には薄い銅めっき部１４３をもつ段状の銅め
っき部（金属薄膜）１４０を原版１００上に得た。（図
３（ｅ）） 図３は、導電部１３０と絶縁部の組みを簡単の為、１つ
を示したものであるが、図１に示すように、原版には、
図３（ａ）に示すＷの幅が異なる、導電部１３０と絶縁
部の組みを２組み有するもので、いずれの組みについて
も図３に示すようにした、各Ｗの幅に対応した厚さの銅
めっき部を各導電膜１３０上にそれぞれ得ることがで
き、結果として図２に示す金属薄膜１４０を得ることが
できた。

【００１３】

【効果】本発明は、上記のように、工程が短かく、生産
性が有利で、歩留りの向上が見込まれる、めっきによる
多段形状の金属薄膜の形成方法の提供を可能とし、同時
にこれに用いられるめっき用原版と該原版の製造方法の
提供を可能とするものである。即ち、本発明は、図５に
示す従来の工程ように、レジスト製版プロセスと電気め
っき等による金属薄膜の成膜を組みとする工程を段数に
応じた分繰り返す必要がなく、１回のめっき工程のみで
多段の金属薄膜を形成できるものとしており、工程が短
く、生産性にも優れ、歩留りの向上が見込まれるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のめっき用原版の断面図

【図２】実施例のめっき用原版を用いて形成した多段状
の金属薄膜を示した図

【図３】金属薄膜が多段に形成できる理由を説明するた
めの図

【図４】変形例のめっき用原版の断面図

【図５】実施例のめっき用原版の製造方法の工程図

【図６】従来の多段状の金属薄膜の形成方法の工程図

【符号の説明】

１００ めっき原版 １１０ 導電性基板 １２０ 絶縁部 １３０ 孤立した導電部 １４０ 金属薄膜（めっき
部） １４１、１４２、１４３ めっき部 ４００ 原版 ４１０ 導電性基板 ４２０ 絶縁部 ４３０Ａ、４３０Ｂ 導電部 ４４０ 金属薄膜（めっき
層） ４４１、４４２、４４３ めっき部 ５００ 原版 ５１０ 導電性基板 ５１１ 凹部 ５２０、５２０Ａ レジスト層 ５４０ 二酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ₂ ） ５４１ 凹部 ５６０ 白金 ６１０ 導電性基板 ６２０ レジスト層 ６２０Ａ、６２０Ｂ レジストパターン ６３０ 電離放射線 ６４０、 金属薄膜（めっき
層） ６４１ 第一のめっき層 ６４２ 第二のめっき層 ６５０ 厚肉部 ６６０ 薄肉部 ６７０ めっきが施されな
い部分

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 めっきにより、多段形状の金属薄膜を形
   成するための原版であって、導電性基板と、導電性基板
   の表面部に形成された凹部に埋め込まれ、導電性基板の
   面にその露出面を揃えた絶縁性材料による絶縁部と、絶
   縁部の表面部に形成された凹部に埋め込まれて絶縁部に
   より導電性基板から電気的に絶縁され、導電性基板の面
   にその露出面を揃えた導電性材料からなる電気的に孤立
   した導電部とを有し、孤立した導電部と隣接する導電性
   基板の表面の絶縁部の幅が、原版を陰極としてめっきを
   行った際に、めっきを開始してから、導電性基板の表面
   に析出されるめっき部が導電性基板の表面に沿う方向に
   も成長して、絶縁部を乗り越え、隣接する導電部まで達
   し、導電部と導電性基板とが電気的に接続するまでの時
   間を、調整できるように設けてあることを特徴とするめ
   っき用原板。
2. 【請求項２】 導電性基板と、導電性基板の表面部に形
   成された凹部に埋め込まれ、導電性基板の面にその露出
   面を揃えた絶縁性材料による絶縁部と、絶縁部の表面部
   に形成された凹部に埋め込まれて絶縁部により導電性基
   板から電気的に絶縁され、導電性基板の面にその露出面
   を揃えた導電性材料からなる電気的に孤立した導電部と
   を有する原版を用い、原版を陰極として、めっきによ
   り、原版の表面に多段形状の金属薄膜を形成するもの
   で、孤立した導電部と隣接する導電性基板の表面との間
   の絶縁部の幅を調整することにより、めっきにより、前
   記導電性基板の一面側の導電性基板の露出した表面にめ
   っき部を析出させるとともに、導電性基板の表面に析出
   されるめっき部が導電性基板の表面に沿う方向にも成長
   して、絶縁部を乗り越え、隣接する導電部まで達し、導
   電部と導電性基板とが電気的に接続し、導電部上に導電
   性基板上とは異なる膜厚の金属膜を生じるようにしたこ
   とを特徴とするめっきによる金属薄膜の形成方法。
3. 【請求項３】 めっきにより、多段形状の金属薄膜を形
   成するための原版の製造方法であって、少なくとも順
   に、（Ａ）導電性基板の一面に第一のレジストを塗布
   し、製版により、導電性基板が露出する第一のレジスト
   開口部を設ける工程と、（Ｂ）第一のレジストを耐腐蝕
   性マスクとして、該第一のレジスト開口部より、導電性
   基板をエッチングして凹部を作製する工程と、（Ｃ）該
   凹部に絶縁性材料を充填する工程と、（Ｄ）第一のレジ
   ストを剥離する工程と、（Ｅ）該絶縁材料および導電性
   基板を覆うように、導電性基板の一面に第二のレジスト
   を塗布し、製版により、絶縁性材料を設けた領域内に絶
   縁材料を露出する第二のレジストの開口部を設ける工程
   と、（Ｆ）第二のレジストを耐腐蝕性マスクとして、該
   第二のレジスト開口部より、絶縁性材料をエッチングし
   て凹部を作製する工程と、（Ｇ）導電性基板の第二のレ
   ジスト側全面に、導電性の金属薄膜を形成する工程と、
   （Ｈ）第二のレジストを剥離するとともに、第二のレジ
   スト上に形成された導電性の金属薄膜を除去する工程と
   を有することを特徴とするめっき用原版の製造方法。