JPH1076755A - 追記型光ディスクおよび光記録媒体 - Google Patents
追記型光ディスクおよび光記録媒体Info
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- JPH1076755A JPH1076755A JP8274809A JP27480996A JPH1076755A JP H1076755 A JPH1076755 A JP H1076755A JP 8274809 A JP8274809 A JP 8274809A JP 27480996 A JP27480996 A JP 27480996A JP H1076755 A JPH1076755 A JP H1076755A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 広領域の波長の光を吸収できかつ短波長の光
によって記録して高密度で高容量の光ディスクを形成す
るのに適し、しかも使用する染料を取り替えたり製造プ
ロセスを再設計する必要がない追記型光ディスク用およ
び光記録媒体用の材料を提供する。 【解決手段】 追記型光ディスクには少なくとも基板１
０、反応層２０および反射層３０が含まれる。反応層２
０は基板１０上に形成され、反射層３０は反応層２０上
に形成される。反応層２０は１００Åを超える厚さをも
ち、かつ金属接触誘発型結晶化半導体から作られ、記録
前は高反射率を持ちかつ記録後は低反射率を持つ。反射
層３０はＡｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｎの少
なくとも１つからなりかつ１００Åを超える厚さを持っ
ている。
によって記録して高密度で高容量の光ディスクを形成す
るのに適し、しかも使用する染料を取り替えたり製造プ
ロセスを再設計する必要がない追記型光ディスク用およ
び光記録媒体用の材料を提供する。 【解決手段】 追記型光ディスクには少なくとも基板１
０、反応層２０および反射層３０が含まれる。反応層２
０は基板１０上に形成され、反射層３０は反応層２０上
に形成される。反応層２０は１００Åを超える厚さをも
ち、かつ金属接触誘発型結晶化半導体から作られ、記録
前は高反射率を持ちかつ記録後は低反射率を持つ。反射
層３０はＡｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｎの少
なくとも１つからなりかつ１００Åを超える厚さを持っ
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスクに関し、
更に詳しくは追記型光ディスクおよび光記録媒体に関す
る。
更に詳しくは追記型光ディスクおよび光記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に言って、追記型光ディスクはオ
ーディオＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの形で電子出版物およ
びマルチメデアデータを記録するために使用できる。こ
の光ディスクの便利さと用途の広さから追記型光ディス
クに対する需要は益々増えてきている。
ーディオＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの形で電子出版物およ
びマルチメデアデータを記録するために使用できる。こ
の光ディスクの便利さと用途の広さから追記型光ディス
クに対する需要は益々増えてきている。
【０００３】図１を参照すると、代表的な追記型光ディ
スクの構造は、基板１０、反応層２０、反射層３０およ
び保護層４０を含み、この構造では、信号を記録するた
めの主要部は反応層２０および反射層３０である。光デ
ィスクが信号を読み取ると、反応層２０の厚さのよう
な、様々な光学特性によって、反応層２０に照射される
レーザー光線は反射層３０で反射した後は識別可能な別
の信号を発する。
スクの構造は、基板１０、反応層２０、反射層３０およ
び保護層４０を含み、この構造では、信号を記録するた
めの主要部は反応層２０および反射層３０である。光デ
ィスクが信号を読み取ると、反応層２０の厚さのよう
な、様々な光学特性によって、反応層２０に照射される
レーザー光線は反射層３０で反射した後は識別可能な別
の信号を発する。
【０００４】現在、追記型光ディスクの反応層２０は大
抵、有機染料から作られている。反応層２０は光ディス
クを記録する一方で、レーザー光線によって照射される
と照射された部分に熱反応が起こり、光学特性は照射さ
れない部分とは別のもとになるので、光ディスクが変調
される。
抵、有機染料から作られている。反応層２０は光ディス
クを記録する一方で、レーザー光線によって照射される
と照射された部分に熱反応が起こり、光学特性は照射さ
れない部分とは別のもとになるので、光ディスクが変調
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録媒
体として有機染料を使用すると、次の諸点を欠点として
持つことになる。
体として有機染料を使用すると、次の諸点を欠点として
持つことになる。
【０００６】１．有機染料は、その材料の性質から、熱
伝導が良くなくて、変化点（即ち、加熱される間に起こ
る溶解のような変化点）が低い。従って、有機染料は極
めて感度がよく、低パワーのレーザーに反応する。この
ようにして有機染料は光が照射されると簡単に劣化す
る。従って、光ディスクの信頼性を制御することが難し
い。
伝導が良くなくて、変化点（即ち、加熱される間に起こ
る溶解のような変化点）が低い。従って、有機染料は極
めて感度がよく、低パワーのレーザーに反応する。この
ようにして有機染料は光が照射されると簡単に劣化す
る。従って、光ディスクの信頼性を制御することが難し
い。
【０００７】２．更に、有機染料材料の特性から、この
染料が吸収できる波長の領域が狭いので、光ディスクは
短波長のレーザー光線では使用できない。従って、レー
ザーの短波長に適合する別の有機染料を使用しなければ
ならず、製造プロセスを再設計しなければならない。こ
れは費用と時間の無駄使いになる。逆に、無機材料は広
範囲の波長を吸収できる。従って、レーザー光線の波長
を変化させても製造プロセスを変える必要はないので、
研究時間と初期費用は極めて少なくて済む。
染料が吸収できる波長の領域が狭いので、光ディスクは
短波長のレーザー光線では使用できない。従って、レー
ザーの短波長に適合する別の有機染料を使用しなければ
ならず、製造プロセスを再設計しなければならない。こ
れは費用と時間の無駄使いになる。逆に、無機材料は広
範囲の波長を吸収できる。従って、レーザー光線の波長
を変化させても製造プロセスを変える必要はないので、
研究時間と初期費用は極めて少なくて済む。
【０００８】３．有機染料は、環境汚染の原因となるこ
とがある有機溶剤を使用しなければならない。例えば、
有機染料、シアニン（Ｃｙａｎｉｎｅ）は一般的にセロ
ソルブまたはクロルヒドリンを使用する。これらの有機
溶剤は環境を汚染する。従って、有機染料の使用量を減
らすか、或いは全く使用しないことが光ディスク加工に
とっては重大なことである。
とがある有機溶剤を使用しなければならない。例えば、
有機染料、シアニン（Ｃｙａｎｉｎｅ）は一般的にセロ
ソルブまたはクロルヒドリンを使用する。これらの有機
溶剤は環境を汚染する。従って、有機染料の使用量を減
らすか、或いは全く使用しないことが光ディスク加工に
とっては重大なことである。
【０００９】４．有機染料は狭い領域の波長しか吸収で
きないので、反応層２０の変化は明瞭でなく、光ディス
クの信号の識別は難しい。従って、識別プロセスを向上
させて光ディスクに受け入れ可能なトラッキング信号を
付与するためには、光ディスクの基板上のピットを深く
して信号を識別しやすくしなければならない。しかしな
がら、基板上のピットを深くすると基板の射出成形が難
しくなり、しかも製造プロセスの複雑さが増すことにな
る。
きないので、反応層２０の変化は明瞭でなく、光ディス
クの信号の識別は難しい。従って、識別プロセスを向上
させて光ディスクに受け入れ可能なトラッキング信号を
付与するためには、光ディスクの基板上のピットを深く
して信号を識別しやすくしなければならない。しかしな
がら、基板上のピットを深くすると基板の射出成形が難
しくなり、しかも製造プロセスの複雑さが増すことにな
る。
【００１０】従来の技術、即ち日本国特開平６−１７１
２３６号は、反射層としてＡｕまたはＡｌを使用しかつ
反応層としてＧｅを使用して、製造プロセス中にこの２
つの層が加熱される間に互いに拡散して光ディスク上の
反射率を変化させることを開示している。Ｇｅの反射率
が加熱前は小さく加熱後は大きくなるため、この反応層
の光特性は変わり、その結果、反応層２０の光学特性が
変化する。この技術により反射率を７０％まで高めるこ
とができるが、今日、市場に出ているＣＤの変調プロセ
スに適合するものではない。即ち、オーディオＣＤまた
はＣＤ−ＲＯＭのような広く普及している光ディスクの
変調プロセスは、記録のための加熱によって反射率を高
から低へ変化させることを含んでいて、これは前記の従
来の技術とは逆である。
２３６号は、反射層としてＡｕまたはＡｌを使用しかつ
反応層としてＧｅを使用して、製造プロセス中にこの２
つの層が加熱される間に互いに拡散して光ディスク上の
反射率を変化させることを開示している。Ｇｅの反射率
が加熱前は小さく加熱後は大きくなるため、この反応層
の光特性は変わり、その結果、反応層２０の光学特性が
変化する。この技術により反射率を７０％まで高めるこ
とができるが、今日、市場に出ているＣＤの変調プロセ
スに適合するものではない。即ち、オーディオＣＤまた
はＣＤ−ＲＯＭのような広く普及している光ディスクの
変調プロセスは、記録のための加熱によって反射率を高
から低へ変化させることを含んでいて、これは前記の従
来の技術とは逆である。
【００１１】米国特許第５，２３８，７２２号および第
４，８９９，１６８号のような他の従来技術は、反応層
として光学感度を持つ硫化物を使用し、かつ反射層とし
てＡｕまたはＡｌを使用している。この様な技術では、
硫化物の吸収特性は加熱によって変化する。この様な技
術による反射率の変化は、広く普及している光ディスク
の変調プロセスと適合する。しかしながら、硫化物には
有機染料と同じような欠点がある。硫化物は狭い領域の
レーザー光線しか吸収することができないので信頼性を
制御することが難しい。しかも硫化物は毒物なので環境
汚染を引き起こす可能性がある。
４，８９９，１６８号のような他の従来技術は、反応層
として光学感度を持つ硫化物を使用し、かつ反射層とし
てＡｕまたはＡｌを使用している。この様な技術では、
硫化物の吸収特性は加熱によって変化する。この様な技
術による反射率の変化は、広く普及している光ディスク
の変調プロセスと適合する。しかしながら、硫化物には
有機染料と同じような欠点がある。硫化物は狭い領域の
レーザー光線しか吸収することができないので信頼性を
制御することが難しい。しかも硫化物は毒物なので環境
汚染を引き起こす可能性がある。
【００１２】従って、本発明の１つの目的は、広領域の
波長の光を吸収できかつ短波長の光によって記録して高
密度で高容量の光ディスクを形成するのに適し、しかも
使用する染料を取り替えたり製造プロセスを再設計する
必要がない追記型光ディスク用および光記録媒体用の材
料を提供することである。
波長の光を吸収できかつ短波長の光によって記録して高
密度で高容量の光ディスクを形成するのに適し、しかも
使用する染料を取り替えたり製造プロセスを再設計する
必要がない追記型光ディスク用および光記録媒体用の材
料を提供することである。
【００１３】本発明のもう１つの目的は、有機染料およ
び溶剤を使用する必要がないので環境汚染をしない、追
記型光ディスク用および光記録媒体用に一般的な材料を
提供することである。
び溶剤を使用する必要がないので環境汚染をしない、追
記型光ディスク用および光記録媒体用に一般的な材料を
提供することである。
【００１４】本発明の更なる目的は、広い領域にわたる
光を吸収することができ、しかも光ディスクの信号識別
性能を高めることができるので光ディスクのトラッキン
グおよび製造が容易である、追記型光ディスク用および
光記録媒体用の材料を提供することである。
光を吸収することができ、しかも光ディスクの信号識別
性能を高めることができるので光ディスクのトラッキン
グおよび製造が容易である、追記型光ディスク用および
光記録媒体用の材料を提供することである。
【００１５】本発明の別の目的は、低い光学感度を持つ
無機材料であり、この材料から作られる光ディスクは劣
化し難く、従って信頼性が高い、追記型光ディスク用お
よび光記録媒体用の材料を提供することである。
無機材料であり、この材料から作られる光ディスクは劣
化し難く、従って信頼性が高い、追記型光ディスク用お
よび光記録媒体用の材料を提供することである。
【００１６】本発明の尚もう１つの目的は、広く普及し
ている光ディスクの変調と適合性がある、即ち光ディス
クが未記録状態での反射率はより高く、反対に光ディス
クが記録された状態での反射率はより低い、追記型光デ
ィスク用および光記録媒体用の材料を提供することであ
る。
ている光ディスクの変調と適合性がある、即ち光ディス
クが未記録状態での反射率はより高く、反対に光ディス
クが記録された状態での反射率はより低い、追記型光デ
ィスク用および光記録媒体用の材料を提供することであ
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明の追記型光ディスクは、少なくとも基板、
反応層および反射層を含み、この場合、この反応層はＳ
ｉから作られて１００Åを超える厚さがあり、基板上に
形成される。この反射層もまた、１００Åを超える厚さ
があり、反応層上に形成される。Ｓｉから作られる反応
層と、Ａｕ、Ａｕ合金、ＡｌもしくはＡｌ合金等のよう
な光を反射できる金属類または合金から作られた反射層
とによって形成される界面で拡散と偏析は起こるので、
光ディスクの或る個所の反射率を下げることにより変調
が達成できる。反応前の反射率は７０％を超えることが
可能であるが、反応後は３０％未満である。従って、Ｓ
ｉを反応層として使用して、もはや有機染料は使用しな
いので広領域の照射を吸収できる。本発明の材料は、短
波長ビームによって高密度でかつ高容量の光ディスクを
作るのに適している。従って、本発明は、製造プロセス
の再設計および使用する染料の変更の必要はなく、有機
染料および溶剤を使用しなくて済むので環境汚染を少な
くすることができる。
めに、本発明の追記型光ディスクは、少なくとも基板、
反応層および反射層を含み、この場合、この反応層はＳ
ｉから作られて１００Åを超える厚さがあり、基板上に
形成される。この反射層もまた、１００Åを超える厚さ
があり、反応層上に形成される。Ｓｉから作られる反応
層と、Ａｕ、Ａｕ合金、ＡｌもしくはＡｌ合金等のよう
な光を反射できる金属類または合金から作られた反射層
とによって形成される界面で拡散と偏析は起こるので、
光ディスクの或る個所の反射率を下げることにより変調
が達成できる。反応前の反射率は７０％を超えることが
可能であるが、反応後は３０％未満である。従って、Ｓ
ｉを反応層として使用して、もはや有機染料は使用しな
いので広領域の照射を吸収できる。本発明の材料は、短
波長ビームによって高密度でかつ高容量の光ディスクを
作るのに適している。従って、本発明は、製造プロセス
の再設計および使用する染料の変更の必要はなく、有機
染料および溶剤を使用しなくて済むので環境汚染を少な
くすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明では、Ｓｉから作られる反
応層と、Ａｕ、Ａｕ合金、ＡｌもしくはＡｌ合金等のよ
うな金属類または合金から作られて光を反射できる反射
層とによって形成される界面において拡散および偏析が
起こるので、本発明は、光ディスクの或る個所の反射率
を下げることによって変調を達成できる。反応層が金属
接触誘起型結晶化（ＭＣＩＣ）材料、即ち金属と接触す
る間に結晶化する半導体からなっているからである。詳
しい説明については、１９８２年に表面科学（Ｓｕｒｆ
ａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ）から発行されたＧ．リレイ
（Ｇ．Ｌｅｌａｙ）の論文、およびＡ．ヒラキ（Ａ．Ｈ
ｉｒａｋｉ）著の「半導体工学」（“Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”）の題名の書籍を
参照されたい。大ざっぱに言って、もし半導体が２．５
ｅＶ未満のバンドギャップエネルギーを持つか或いは比
較的大きい誘電率を持つ場合、この半導体はＡｕまたは
Ａｌのような金属と接触すると、界面において結晶化し
やすい。例えば、スパッタリングされたＳｉ膜は普通、
無定形構造物である。このスパッタリングされたＳｉ層
を結晶化させるためには基板の温度を６００℃まで高め
る必要がある。しかし、もしＳｉ膜がＡｌ膜で被覆され
ていれば、Ｓｉ膜は、Ａｌ膜との界面において約１８０
ないし２００℃で結晶化する。同じことがＡｕ、Ｃｕ、
Ｎｉ等についても当てはまる。反応層用にはＳｉ、Ｇ
ｅ、ＩｎＳｂ、ＧａＡｓ、ＩｎＰまたはＧａＰが選ば
れ、一方、反射層はＡｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａもし
くはＳｎのような金属類もしくは合金か前記金属を少な
くとも１つ含む合金から作られる。
応層と、Ａｕ、Ａｕ合金、ＡｌもしくはＡｌ合金等のよ
うな金属類または合金から作られて光を反射できる反射
層とによって形成される界面において拡散および偏析が
起こるので、本発明は、光ディスクの或る個所の反射率
を下げることによって変調を達成できる。反応層が金属
接触誘起型結晶化（ＭＣＩＣ）材料、即ち金属と接触す
る間に結晶化する半導体からなっているからである。詳
しい説明については、１９８２年に表面科学（Ｓｕｒｆ
ａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ）から発行されたＧ．リレイ
（Ｇ．Ｌｅｌａｙ）の論文、およびＡ．ヒラキ（Ａ．Ｈ
ｉｒａｋｉ）著の「半導体工学」（“Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”）の題名の書籍を
参照されたい。大ざっぱに言って、もし半導体が２．５
ｅＶ未満のバンドギャップエネルギーを持つか或いは比
較的大きい誘電率を持つ場合、この半導体はＡｕまたは
Ａｌのような金属と接触すると、界面において結晶化し
やすい。例えば、スパッタリングされたＳｉ膜は普通、
無定形構造物である。このスパッタリングされたＳｉ層
を結晶化させるためには基板の温度を６００℃まで高め
る必要がある。しかし、もしＳｉ膜がＡｌ膜で被覆され
ていれば、Ｓｉ膜は、Ａｌ膜との界面において約１８０
ないし２００℃で結晶化する。同じことがＡｕ、Ｃｕ、
Ｎｉ等についても当てはまる。反応層用にはＳｉ、Ｇ
ｅ、ＩｎＳｂ、ＧａＡｓ、ＩｎＰまたはＧａＰが選ば
れ、一方、反射層はＡｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａもし
くはＳｎのような金属類もしくは合金か前記金属を少な
くとも１つ含む合金から作られる。
【００１９】図１において、反応層２０と反射層３０と
の位置は、反射層として何の材料を使用するかによって
入れ替え可能である。本発明の製造方法には、光ディス
ク用の基板を提供すること；スパッタリングによって金
属または合金を被覆して反射層を形成することおよびＳ
ｉを被覆して反応層を形成すること；次にスピンオン法
（ｓｐｉｎ−ｏｎ）により保護層を形成することが含ま
れる。反射層も反応層も１００Åを超える厚さである。
保護層は３ないし１０μｍの厚さである。使用する材料
の特性により、反応温度は余り高くする必要はなく、通
常は２００℃未満である。適用する波長領域は５０００
Åを超えることが好ましく、適当な反射変調によるが５
５００Åを超えれば最良である。
の位置は、反射層として何の材料を使用するかによって
入れ替え可能である。本発明の製造方法には、光ディス
ク用の基板を提供すること；スパッタリングによって金
属または合金を被覆して反射層を形成することおよびＳ
ｉを被覆して反応層を形成すること；次にスピンオン法
（ｓｐｉｎ−ｏｎ）により保護層を形成することが含ま
れる。反射層も反応層も１００Åを超える厚さである。
保護層は３ないし１０μｍの厚さである。使用する材料
の特性により、反応温度は余り高くする必要はなく、通
常は２００℃未満である。適用する波長領域は５０００
Åを超えることが好ましく、適当な反射変調によるが５
５００Åを超えれば最良である。
【００２０】後記の２つの好ましい実施態様で本発明を
詳細に説明する： （実態の形態１）図１において、本発明の光ディスク
は、基板１０と、この基板１０上に形成された反応層２
０と、この反応層２０上に形成された反射層３０と、反
射層３０上に形成された保護層４０とを含む。このディ
スクでは、反応層２０は、１ｋＷの電力で８分間印加す
ることにより基板上にＳｉを被覆して１００Åを超える
厚さの層を形成することにより作られる。反射層３０は
ＡｕまたはＡｌとＳｉまたはＴｂとの合金であり、その
層ではＡｕは０．６ｋＷの電力で被覆され、Ｓｉは１ｋ
Ｗの電力で２分間スパッタリングを用いて被覆されて１
００Åを超える厚さのＡｕとＳｉの合金が生成される。
約３ないし１０μｍの厚さの層にするために、保護層４
０は、２０００ｒｐｍでスピンオン法で被覆される。反
射層３０の好ましい厚さは約１０００Åであり、そして
反応層２０の好ましい厚さは約６００ないし８００Åで
ある。
詳細に説明する： （実態の形態１）図１において、本発明の光ディスク
は、基板１０と、この基板１０上に形成された反応層２
０と、この反応層２０上に形成された反射層３０と、反
射層３０上に形成された保護層４０とを含む。このディ
スクでは、反応層２０は、１ｋＷの電力で８分間印加す
ることにより基板上にＳｉを被覆して１００Åを超える
厚さの層を形成することにより作られる。反射層３０は
ＡｕまたはＡｌとＳｉまたはＴｂとの合金であり、その
層ではＡｕは０．６ｋＷの電力で被覆され、Ｓｉは１ｋ
Ｗの電力で２分間スパッタリングを用いて被覆されて１
００Åを超える厚さのＡｕとＳｉの合金が生成される。
約３ないし１０μｍの厚さの層にするために、保護層４
０は、２０００ｒｐｍでスピンオン法で被覆される。反
射層３０の好ましい厚さは約１０００Åであり、そして
反応層２０の好ましい厚さは約６００ないし８００Åで
ある。
【００２１】反応点周りの反射率の変化に関する静的試
験を透明なガラス板で実施する。記録光の波長と反射率
との関係を図２に示している。その図では曲線Ａは反応
前の反射率を、曲線Ｂは反応後の反射率を表している。
７８０ｎｍの波長では反射率は反応前では７２．５％で
あるが、反応後では１１．３％である。図２と同じ条件
下で行った動的試験の結果を図３に示してあるが、その
図では搬送波対雑音比（ＣＮＲ、これは光ディスク上に
記録された信号の質を評価するのに使われる）と、記録
に使用されるレーザー光線のパワーとの関係を表してい
る。記録条件は次の通りである。光ディスクの半径は４
４ｍｍ、光ディスクの回転速度は１０ｒｐｓ、記録され
る記録トラックは７２０ｋＨｚの半周期である。前記の
条件によると、９ｍＷで約４７ｄＢ、１２ｍＷで約５３
ｄＢの信号品質を得ることができるが、この品質は有機
溶剤中に溶かしたシアニンのような有機染料を用いて作
った光ディスクの４７〜５０ｄＢに近い。
験を透明なガラス板で実施する。記録光の波長と反射率
との関係を図２に示している。その図では曲線Ａは反応
前の反射率を、曲線Ｂは反応後の反射率を表している。
７８０ｎｍの波長では反射率は反応前では７２．５％で
あるが、反応後では１１．３％である。図２と同じ条件
下で行った動的試験の結果を図３に示してあるが、その
図では搬送波対雑音比（ＣＮＲ、これは光ディスク上に
記録された信号の質を評価するのに使われる）と、記録
に使用されるレーザー光線のパワーとの関係を表してい
る。記録条件は次の通りである。光ディスクの半径は４
４ｍｍ、光ディスクの回転速度は１０ｒｐｓ、記録され
る記録トラックは７２０ｋＨｚの半周期である。前記の
条件によると、９ｍＷで約４７ｄＢ、１２ｍＷで約５３
ｄＢの信号品質を得ることができるが、この品質は有機
溶剤中に溶かしたシアニンのような有機染料を用いて作
った光ディスクの４７〜５０ｄＢに近い。
【００２２】（実施の形態２）反応層２０と反射層３０
との位置を入れ替えて本発明の別の好ましい実施態様に
よる光ディスクを形成することができる。即ち、この光
ディスクは、基板１０と、この基板１０上に形成された
反射層３０と、この反射層３０上に形成された反応層２
０と、反応層２０上に形成された保護層４０とを含む。
更に、この実施態様では、反射層３０の好ましい厚さは
約７００ないし１０００Åであり、反応層２０の好まし
い厚さは約４００ないし８００Åである。
との位置を入れ替えて本発明の別の好ましい実施態様に
よる光ディスクを形成することができる。即ち、この光
ディスクは、基板１０と、この基板１０上に形成された
反射層３０と、この反射層３０上に形成された反応層２
０と、反応層２０上に形成された保護層４０とを含む。
更に、この実施態様では、反射層３０の好ましい厚さは
約７００ないし１０００Åであり、反応層２０の好まし
い厚さは約４００ないし８００Åである。
【００２３】反応点周りの反射率の変化に関する静的試
験を透明なガラス板で実施する。記録光の波長と反射率
との関係を図４に示している。その図では曲線Ａ’は反
応前の反射率を、曲線Ｂ’は反応後の反射率を表してい
る。７８０ｎｍの波長では、反射率は反応前では６５．
９％であるが、反応後では２７％である。図４と同じ条
件下で行った動的試験の結果を図５に示してあるが、そ
の図では搬送波対雑音比と、記録に使用されるレーザー
光線のパワーとの関係を表している。記録条件は次の通
りである。光ディスクの半径は４４ｍｍ、光ディスクの
回転速度は１０ｒｐｓ、記録される記録トラックは７２
０ｋＨｚの半周期である。前記の条件によると、１７ｍ
Ｗで約５１ｄＢの信号品質を得ることができる。
験を透明なガラス板で実施する。記録光の波長と反射率
との関係を図４に示している。その図では曲線Ａ’は反
応前の反射率を、曲線Ｂ’は反応後の反射率を表してい
る。７８０ｎｍの波長では、反射率は反応前では６５．
９％であるが、反応後では２７％である。図４と同じ条
件下で行った動的試験の結果を図５に示してあるが、そ
の図では搬送波対雑音比と、記録に使用されるレーザー
光線のパワーとの関係を表している。記録条件は次の通
りである。光ディスクの半径は４４ｍｍ、光ディスクの
回転速度は１０ｒｐｓ、記録される記録トラックは７２
０ｋＨｚの半周期である。前記の条件によると、１７ｍ
Ｗで約５１ｄＢの信号品質を得ることができる。
【００２４】本発明は、追記型光ディスクに限定される
ことなく、他の加熱型記録デバイスまたは光カードもし
くは光ディスクのような広く周知の光記録媒体に適用す
るために各種の変更および変態が当業者には可能であ
る。
ことなく、他の加熱型記録デバイスまたは光カードもし
くは光ディスクのような広く周知の光記録媒体に適用す
るために各種の変更および変態が当業者には可能であ
る。
【００２５】従って、本発明によって次の諸効果が示さ
れる。 １．本発明の材料は、広範囲にわたる照射を吸収でき、
従来の技術で使用される有機染料または硫化物とは異な
る。このことは、短波長の光で記録することにより高密
度でかつ高容量の光ディスクを形成するのに適していて
しかも使用している染料を変更する必要がなく、製造プ
ロセスを再設計する必要もない。
れる。 １．本発明の材料は、広範囲にわたる照射を吸収でき、
従来の技術で使用される有機染料または硫化物とは異な
る。このことは、短波長の光で記録することにより高密
度でかつ高容量の光ディスクを形成するのに適していて
しかも使用している染料を変更する必要がなく、製造プ
ロセスを再設計する必要もない。
【００２６】２．本発明では薄膜合金を使用するため、
薄膜の熱伝導率を小さくして熱効率を上げることがで
き、しかも偏析反応の速度を速くできるので高温やハイ
パワーのレーザー光線を必要とすることなく光ディスク
の記録が実施できる。
薄膜の熱伝導率を小さくして熱効率を上げることがで
き、しかも偏析反応の速度を速くできるので高温やハイ
パワーのレーザー光線を必要とすることなく光ディスク
の記録が実施できる。
【００２７】３．本発明は、従来の技術で使用される有
機材料よりも安価な、しかも有機材料のような環境汚染
の原因とならない無機材料を使用する。
機材料よりも安価な、しかも有機材料のような環境汚染
の原因とならない無機材料を使用する。
【００２８】４．本発明で使用される無機材料は光学感
度が低いので、前記材料から作られる光ディスクは安定
していて劣化し難い。このことにより信頼性が保証され
る。
度が低いので、前記材料から作られる光ディスクは安定
していて劣化し難い。このことにより信頼性が保証され
る。
【００２９】５．本発明で使用される材料は広く普及し
ている光ディスクの変調プロセスと適合性がある。すな
わち、光ディスクの記録個所の反射率が未記録個所の反
射率よりも小さいことである。
ている光ディスクの変調プロセスと適合性がある。すな
わち、光ディスクの記録個所の反射率が未記録個所の反
射率よりも小さいことである。
【００３０】本発明を好ましい実施態様と関連して詳細
に図示および説明してきたが、反応層または反射層と保
護層との間に他の膜を挿入して機能を高めるなどの様
に、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、各種の変
更および変形を実施できることが当業者には容易に理解
されるであろう。特許請求の範囲は、開示された実施態
様、前述の特許請求の範囲の代替事項およびそれと等価
の全ての事項を包含すると解釈されねばならない。
に図示および説明してきたが、反応層または反射層と保
護層との間に他の膜を挿入して機能を高めるなどの様
に、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、各種の変
更および変形を実施できることが当業者には容易に理解
されるであろう。特許請求の範囲は、開示された実施態
様、前述の特許請求の範囲の代替事項およびそれと等価
の全ての事項を包含すると解釈されねばならない。
【００３１】以下の詳細な説明は、例示として提供する
のであって、本発明をここに説明する実施態様にのみ限
定するつもりではなく、付図と関連して理解されると最
良であろう。
のであって、本発明をここに説明する実施態様にのみ限
定するつもりではなく、付図と関連して理解されると最
良であろう。
【図１】 光ディスクの構造を模式的に図示する断面図
である。
である。
【図２】 本発明に依る第１の好ましい実施態様の反応
点の近傍における反射率と波長との関係を示すグラフで
ある。
点の近傍における反射率と波長との関係を示すグラフで
ある。
【図３】 本発明に依る第１の好ましい実施態様の光デ
ィスクの動的試験を示すグラフである。
ィスクの動的試験を示すグラフである。
【図４】 本発明に依る第２の好ましい実施態様の反応
点の近傍における反射率と波長との関係を示すグラフで
ある。
点の近傍における反射率と波長との関係を示すグラフで
ある。
【図５】 本発明に依る第２の好ましい実施態様の光デ
ィスクの動的試験を示すグラフである。
ィスクの動的試験を示すグラフである。
１０ 基板 ２０ 反応層 ３０ 反射層 ４０ 保護層
Claims (22)
- 【請求項１】 基板、反応層、および反射層から成る追
記型光ディスクにおいて、前記反応層は１００Åを超え
る厚さを持ちかつ金属接触誘発型結晶化半導体から作ら
れ、記録前は高反射率を持ちかつ記録後は低反射率を持
ち、前記反射層はＡｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａおよび
Ｓｎの少なくとも１つから成りかつ１００Åを超える厚
さを持つことを特徴とする追記型光ディスク。 - 【請求項２】 金属接触誘発型結晶化半導体が、Ｓｉ、
Ｇｅ、ＩｎＳｂ、ＧａＡｓ、ＩｎＰおよびＧａＰの１つ
から成ることを特徴とする請求項１に記載の追記型光デ
ィスク。 - 【請求項３】 前記反応層がＳｉから作られかつ前記基
板上に形成され、前記反射層がＡｕ合金から作られかつ
前記反応層上に形成されることを特徴とする請求項１に
記載の追記型光ディスク。 - 【請求項４】 前記反射層が、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｉ
ｎ、ＧａおよびＳｎの少なくとも１つの合金から成るこ
とを特徴とする請求項１に記載の追記型光ディスク。 - 【請求項５】 前記反射層がＡｕおよびＳｉの合金であ
ることを特徴とする請求項３に記載の追記型光ディス
ク。 - 【請求項６】 前記反射層が約１０００Åの厚さを持つ
ことを特徴とする請求項５に記載の追記型光ディスク。 - 【請求項７】 前記反応層が約６００Åないし８００Å
の厚さを持つことを特徴とする請求項３に記載の追記型
光ディスク。 - 【請求項８】 前記保護層が前記反射層上に形成されか
つ約３ないし１０μｍの厚さを持つことを特徴とする請
求項３に記載の追記型光ディスク。 - 【請求項９】 前記反射層がＡｌ合金から作られかつ前
記基板上に形成され、前記反応層がＳｉから作られかつ
前記反応層上に形成されることを特徴とする請求項１に
記載の追記型光ディスク。 - 【請求項１０】 前記反応層が約４００Åないし８００
Åの厚さを持つことを特徴とする請求項９に記載の追記
型光ディスク。 - 【請求項１１】 前記反射層がＡｌおよびＴｂの合金か
ら成ることを特徴とする請求項９に記載の追記型光ディ
スク。 - 【請求項１２】 前記反射層が約７００Åないし１００
０Åの厚さを持つことを特徴とする請求項１１に記載の
追記型光ディスク。 - 【請求項１３】 前記保護層が前記反応層上に形成され
かつ約３ないし１０μｍの厚さを持つことを特徴とする
請求項９に記載の追記型光ディスク。 - 【請求項１４】 追記型光ディスクを記録するために使
用される光の波長領域が少なくとも可視光線の波長領域
よりも広いことを特徴とする請求項３に記載の追記型光
ディスク。 - 【請求項１５】 追記型光ディスクを記録するために使
用される光の波長領域が３５００Åを超えることを特徴
とする請求項３に記載の追記型光ディスク。 - 【請求項１６】 Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＳｂ、ＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰおよびＧａＰの少なくとも１つから作られた基板
と、記録前は高反射率を持ち、かつ記録後は低反射率を
持つ反応層と、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳ
ｎの少なくとも１つから作られる反射層とから成ること
を特徴とする光記録媒体。 - 【請求項１７】 前記反応層が１００Åを超える厚さを
持ちかつ前記反射層が１００Åを超える厚さを持つこと
を特徴とする請求項１６に記載の光記録媒体。 - 【請求項１８】 前記反応層がＳｉから作られかつ前記
基板上に形成され、前記反射層がＡｕ合金から作られか
つ前記反応層上に形成されることを特徴とする請求項１
６に記載の光記録媒体。 - 【請求項１９】 前記反射層が約１０００Åの厚さを持
ちかつ前記反応層が約６００Åないし８００Åの厚さを
持つことを特徴とする請求項１６に記載の光記録媒体。 - 【請求項２０】 前記保護層が前記反射層上に形成され
かつ約３ないし１０μｍの厚さを持つことを特徴とする
請求項１６に記載の光記録媒体。 - 【請求項２１】 前記反射層が、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｉ
ｎ、ＧａおよびＳｎの少なくとも１つの合金から成るこ
とを特徴とする請求項１６に記載の光記録媒体。 - 【請求項２２】 前記反射層がＡｌ合金から作られかつ
前記基板上に形成され、前記反応層がＳｉから作られか
つ前記反応層上に形成されることを特徴とする請求項１
６に記載の光記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW85109195 | 1996-07-25 | ||
| TW85109195 | 1996-07-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1076755A true JPH1076755A (ja) | 1998-03-24 |
| JP3026327B2 JP3026327B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=21625352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8274809A Expired - Fee Related JP3026327B2 (ja) | 1996-07-25 | 1996-10-17 | 追記型光ディスクおよび光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3026327B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003101750A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
| US6996055B2 (en) | 2002-04-30 | 2006-02-07 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for optically recording data in the same |
| US7141289B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-11-28 | Tdk Corporation | Optical information recording medium |
| US7157128B2 (en) | 2003-07-23 | 2007-01-02 | Tdk Corporation | Optical information recording medium |
| US7231649B2 (en) | 2002-05-31 | 2007-06-12 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for optically recording data in the same |
| US7321481B2 (en) | 2002-07-04 | 2008-01-22 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
-
1996
- 1996-10-17 JP JP8274809A patent/JP3026327B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996055B2 (en) | 2002-04-30 | 2006-02-07 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for optically recording data in the same |
| US7231649B2 (en) | 2002-05-31 | 2007-06-12 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for optically recording data in the same |
| WO2003101750A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
| US7524612B2 (en) | 2002-06-03 | 2009-04-28 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
| US7321481B2 (en) | 2002-07-04 | 2008-01-22 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US7157128B2 (en) | 2003-07-23 | 2007-01-02 | Tdk Corporation | Optical information recording medium |
| US7141289B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-11-28 | Tdk Corporation | Optical information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3026327B2 (ja) | 2000-03-27 |
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