JPH1075379A - Ｃｒｔ保護回路 - Google Patents
Ｃｒｔ保護回路Info
- Publication number
- JPH1075379A JPH1075379A JP9128442A JP12844297A JPH1075379A JP H1075379 A JPH1075379 A JP H1075379A JP 9128442 A JP9128442 A JP 9128442A JP 12844297 A JP12844297 A JP 12844297A JP H1075379 A JPH1075379 A JP H1075379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- high voltage
- signal
- resistor
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 28
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000009528 severe injury Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G1/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with cathode-ray tube indicators; General aspects or details, e.g. selection emphasis on particular characters, dashed line or dotted line generation; Preprocessing of data
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/16—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by deflecting electron beam in cathode-ray tube, e.g. scanning corrections
- H04N3/24—Blanking circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/16—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by deflecting electron beam in cathode-ray tube, e.g. scanning corrections
- H04N3/20—Prevention of damage to cathode-ray tubes in the event of failure of scanning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 モードの切換えの時にスポットを取り除くこ
とができるＣＲＴ保護回路を提供する。 【解決手段】 本発明のＣＲＴ保護回路は、外部から供
給された水平及び垂直同期信号によってミュット信号を
発生するマイクロプロセッサー；フライバックトランス
フォーマーの作動に応じて高圧を発生する高圧発生部；
ミュット信号によってスイッチングされ、高圧発生部の
出力電圧をグリッド端子に供給する第１スイッチング
部；第１スイッチング部のスイッチング状態に応じて高
圧発生部の出力電圧を分配し、分配電圧をグリッド端子
に供給してスポットの明るさを調整するための高電圧降
下部；ミュット信号によってスイッチングされ、外部か
らの供給電源を出力する第２スイッチング部；及び第２
スイッチング部の出力電圧を充電／放電し、放電電圧の
逆の電位をグリッド端子に供給してスポットを取り除く
ための充電部；からなるため、モードの切換えの時、ス
ポットを取り除いてＣＲＴを保護することができる。
とができるＣＲＴ保護回路を提供する。 【解決手段】 本発明のＣＲＴ保護回路は、外部から供
給された水平及び垂直同期信号によってミュット信号を
発生するマイクロプロセッサー；フライバックトランス
フォーマーの作動に応じて高圧を発生する高圧発生部；
ミュット信号によってスイッチングされ、高圧発生部の
出力電圧をグリッド端子に供給する第１スイッチング
部；第１スイッチング部のスイッチング状態に応じて高
圧発生部の出力電圧を分配し、分配電圧をグリッド端子
に供給してスポットの明るさを調整するための高電圧降
下部；ミュット信号によってスイッチングされ、外部か
らの供給電源を出力する第２スイッチング部；及び第２
スイッチング部の出力電圧を充電／放電し、放電電圧の
逆の電位をグリッド端子に供給してスポットを取り除く
ための充電部；からなるため、モードの切換えの時、ス
ポットを取り除いてＣＲＴを保護することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はモニターに関し、特
に、電源オフの時またはモード切換えの時に、ミュット
信号によってスポットを取り除くためのＣＲＴ保護回路
に関する。
に、電源オフの時またはモード切換えの時に、ミュット
信号によってスポットを取り除くためのＣＲＴ保護回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的なモニターの電源スイッチがオン
になると、電子銃のカソードが加熱され、この加熱され
たカソードから電子ビームが放出されるが、放出された
電子ビームは蛍光膜に衝突してスポットを発生する。
になると、電子銃のカソードが加熱され、この加熱され
たカソードから電子ビームが放出されるが、放出された
電子ビームは蛍光膜に衝突してスポットを発生する。
【０００３】このようなスポットは偏向信号に応じて左
右に偏向してラスターを形成し、スポットの明るさを変
化させて画面を構成する。
右に偏向してラスターを形成し、スポットの明るさを変
化させて画面を構成する。
【０００４】即ち、フライバックトランスフォーマーに
流れる電流の量に応じてカソードから発散される電子の
量が調節され、調節された電子の量に応じてスポットの
明るさが決定され、グリッド端子に供給される負電圧が
大きければ大きいほどカソードから放出される電子量は
小さくなって、スポットの明るさが落ちて、画面が暗く
なる。
流れる電流の量に応じてカソードから発散される電子の
量が調節され、調節された電子の量に応じてスポットの
明るさが決定され、グリッド端子に供給される負電圧が
大きければ大きいほどカソードから放出される電子量は
小さくなって、スポットの明るさが落ちて、画面が暗く
なる。
【０００５】一方、モニターの電源スイッチのオフ時、
またはモード切換えの初期にはミュッティング動作が実
行される。上記ミュッティング動作は、それぞれの回路
（例えば、水平偏向回路、垂直偏向回路、ビデオプロセ
ッサー、ヒーターなど）を正常的に動作させるための電
圧より低電圧を供給するものであって、このようなミュ
ッティング動作の実行のためのミュット信号は水平及び
垂直同期信号の入力によってマイクロプロセッサーから
発生する。
またはモード切換えの初期にはミュッティング動作が実
行される。上記ミュッティング動作は、それぞれの回路
（例えば、水平偏向回路、垂直偏向回路、ビデオプロセ
ッサー、ヒーターなど）を正常的に動作させるための電
圧より低電圧を供給するものであって、このようなミュ
ッティング動作の実行のためのミュット信号は水平及び
垂直同期信号の入力によってマイクロプロセッサーから
発生する。
【０００６】即ち、マイクロプロセッサーからは、それ
ぞれの回路の正常動作時には低電位レベル（例えば、０
Ｖ程度）のミュット信号が出力され、電源オフの時また
はモード切換えの時には所定時間の間高電位レベル（例
えば、５Ｖのミュット信号）が出力されるが、このよう
な高電位レベルのミュット信号はグリッド端子の電圧を
低くする。従って、カソードから蛍光膜に放出される電
子量が減少してスポットを弱化させ、画面が暗くなる。
ぞれの回路の正常動作時には低電位レベル（例えば、０
Ｖ程度）のミュット信号が出力され、電源オフの時また
はモード切換えの時には所定時間の間高電位レベル（例
えば、５Ｖのミュット信号）が出力されるが、このよう
な高電位レベルのミュット信号はグリッド端子の電圧を
低くする。従って、カソードから蛍光膜に放出される電
子量が減少してスポットを弱化させ、画面が暗くなる。
【０００７】一般的にモニターには、電源スイッチのオ
ン／オフの時と、モードの切換えの時に発生するスポッ
トからＣＲＴを保護するためのＣＲＴ保護回路が備えら
れており、このＣＲＴ保護回路はスポットキラー回路と
ミュッティング回路とを含む。
ン／オフの時と、モードの切換えの時に発生するスポッ
トからＣＲＴを保護するためのＣＲＴ保護回路が備えら
れており、このＣＲＴ保護回路はスポットキラー回路と
ミュッティング回路とを含む。
【０００８】このような従来のＣＲＴ保護回路は、図１
及び図２に示す通りである。
及び図２に示す通りである。
【０００９】図１において、１０はフライバックトラン
スフォーマーの作動によって高圧を発生し、発生した高
圧をＣＲＴのグリッド端子（Ｇ１）に供給する高圧発生
部で、２０は外部より供給された水平同期信号（Ｈｓ）
及び垂直同期信号（Ｖｓ）に応じてスポットの明るさを
制御するためのミュット信号（ＯＵＴ１）とスポットを
取り除くためのサスペンド信号（ＯＵＴ２）とを出力す
るマイクロプロセッサーである。
スフォーマーの作動によって高圧を発生し、発生した高
圧をＣＲＴのグリッド端子（Ｇ１）に供給する高圧発生
部で、２０は外部より供給された水平同期信号（Ｈｓ）
及び垂直同期信号（Ｖｓ）に応じてスポットの明るさを
制御するためのミュット信号（ＯＵＴ１）とスポットを
取り除くためのサスペンド信号（ＯＵＴ２）とを出力す
るマイクロプロセッサーである。
【００１０】３０はミュット信号（ＯＵＴ１）に応じて
グリッド端子（Ｇ１）の入力電圧の大きさを制御してス
ポットの明るさを制御するためのミュット信号処理部
で、４０はサスペンド信号（ＯＵＴ２）に応じてグリッ
ド端子（Ｇ１）の入力電圧を制御してスポットを取り除
くスポットキラー部である。
グリッド端子（Ｇ１）の入力電圧の大きさを制御してス
ポットの明るさを制御するためのミュット信号処理部
で、４０はサスペンド信号（ＯＵＴ２）に応じてグリッ
ド端子（Ｇ１）の入力電圧を制御してスポットを取り除
くスポットキラー部である。
【００１１】以下、図２を参照しながらＣＲＴ保護回路
の構成を詳しく説明する。
の構成を詳しく説明する。
【００１２】高圧発生部１０はフライバックトランスフ
ォーマー（ＦＢＴ）の出力電圧をバイアスさせるダイオ
ード１１と、ダイオード１１の出力電圧を平滑化するキ
ャパシター１２とを含む。
ォーマー（ＦＢＴ）の出力電圧をバイアスさせるダイオ
ード１１と、ダイオード１１の出力電圧を平滑化するキ
ャパシター１２とを含む。
【００１３】また、ミュット信号処理部３０の構成をよ
り詳しく説明すれば、次のようである。抵抗３１を通し
て供給されたミュッティング信号（ＯＵＴ１）に応じて
スイッチングされるトランジスター３２のエミッター側
にはトランジスター３１の出力電流量を制御する抵抗３
３が連結され、抵抗３３の他側は電源（Ｖｃｃ１、５Ｖ
程度）の入力端子と連結される。トランジスター３２の
コレクター側にはトランジスター３２のスイッチング状
態によってスイッチングされるトランジスター３４のベ
ース側が連結され、トランジスター３４のエミッター側
とグリッド端子（Ｇ１）との間にはグリッド端子（Ｇ
１）の入力電圧がトランジスター３４のエミッター側に
供給されることを防止するためのダイオード３５が連結
される。トランジスター３４のコレクター側は高圧発生
部１０のキャパシター１２の出力側と連結される。トラ
ンジスター３４のコレクター側とグリッド端子（Ｇ１）
との間にはトランジスター３４のスイッチング状態に応
じて高圧発生部１０のキャパシター１２の出力電圧を分
配し、分配された電圧をグリッド端子（Ｇ１）に供給す
る抵抗３６、３７が並列に連結される。
り詳しく説明すれば、次のようである。抵抗３１を通し
て供給されたミュッティング信号（ＯＵＴ１）に応じて
スイッチングされるトランジスター３２のエミッター側
にはトランジスター３１の出力電流量を制御する抵抗３
３が連結され、抵抗３３の他側は電源（Ｖｃｃ１、５Ｖ
程度）の入力端子と連結される。トランジスター３２の
コレクター側にはトランジスター３２のスイッチング状
態によってスイッチングされるトランジスター３４のベ
ース側が連結され、トランジスター３４のエミッター側
とグリッド端子（Ｇ１）との間にはグリッド端子（Ｇ
１）の入力電圧がトランジスター３４のエミッター側に
供給されることを防止するためのダイオード３５が連結
される。トランジスター３４のコレクター側は高圧発生
部１０のキャパシター１２の出力側と連結される。トラ
ンジスター３４のコレクター側とグリッド端子（Ｇ１）
との間にはトランジスター３４のスイッチング状態に応
じて高圧発生部１０のキャパシター１２の出力電圧を分
配し、分配された電圧をグリッド端子（Ｇ１）に供給す
る抵抗３６、３７が並列に連結される。
【００１４】一方、スポットキラー部４０の構成をより
詳しく説明すれば、次のようである。抵抗４１を通して
供給されたサスペンド信号（ＯＵＴ２）によってスイッ
チングされるトランジスター４２のコレクター側にはト
ランジスター４２の出力電流を制御する抵抗４３が連結
される。抵抗４３の他側は電源（Ｖｃｃ２、約２４Ｖ）
の入力端子と連結される。
詳しく説明すれば、次のようである。抵抗４１を通して
供給されたサスペンド信号（ＯＵＴ２）によってスイッ
チングされるトランジスター４２のコレクター側にはト
ランジスター４２の出力電流を制御する抵抗４３が連結
される。抵抗４３の他側は電源（Ｖｃｃ２、約２４Ｖ）
の入力端子と連結される。
【００１５】トランジスター４２のコレクター側にはト
ランジスター４２のスイッチング状態に応じてスイッチ
ングされるトランジスター４４のベース側が連結され、
トランジスター４３のコレクター側にはトランジスター
４４のスイッチング状態に応じてスイッチングされるＲ
トランジスター４５のベース側が連結される。トランジ
スター４３のエミッター側とトランジスター４４のコレ
クター側との間にはトランジスター４４、４５の出力電
流を制御する抵抗４６が連結され、抵抗４６の一側には
電源（Ｖｃｃ３、約２００Ｖ）の入力端子が連結され
る。トランジスター４６のエミッター側にはトランジス
ター４６のスイッチング状態に応じて電源（Ｖｃｃ３）
を充電／放電するキャパシター４７が連結され、キャパ
シター４７の出力側にはキャパシター４７の出力電圧が
接地に供給されることを防止するためのダイオード４８
のアノードが連結される。キャパシター４８の出力側に
はキャパシター４７の出力電圧をバイアスさせグリッド
端子（Ｇ１）に供給する抵抗４９が連結される。また、
トランジスター４２のエミッター側、抵抗４６の他側及
びダイオード４８のカソードは接地される。
ランジスター４２のスイッチング状態に応じてスイッチ
ングされるトランジスター４４のベース側が連結され、
トランジスター４３のコレクター側にはトランジスター
４４のスイッチング状態に応じてスイッチングされるＲ
トランジスター４５のベース側が連結される。トランジ
スター４３のエミッター側とトランジスター４４のコレ
クター側との間にはトランジスター４４、４５の出力電
流を制御する抵抗４６が連結され、抵抗４６の一側には
電源（Ｖｃｃ３、約２００Ｖ）の入力端子が連結され
る。トランジスター４６のエミッター側にはトランジス
ター４６のスイッチング状態に応じて電源（Ｖｃｃ３）
を充電／放電するキャパシター４７が連結され、キャパ
シター４７の出力側にはキャパシター４７の出力電圧が
接地に供給されることを防止するためのダイオード４８
のアノードが連結される。キャパシター４８の出力側に
はキャパシター４７の出力電圧をバイアスさせグリッド
端子（Ｇ１）に供給する抵抗４９が連結される。また、
トランジスター４２のエミッター側、抵抗４６の他側及
びダイオード４８のカソードは接地される。
【００１６】このような従来のＣＲＴ保護回路の作用及
び効果は、次のようである。
び効果は、次のようである。
【００１７】高圧トランスフォーマー（ＦＢＴ）の高圧
は、高圧発生部１０のダイオード１１に供給されて整流
され、整流された高圧はキャパシター１２に供給され、
キャパシター１２は整形された高圧を平滑化する。ここ
で、平滑化された高圧は約−８０Ｖ程度である。
は、高圧発生部１０のダイオード１１に供給されて整流
され、整流された高圧はキャパシター１２に供給され、
キャパシター１２は整形された高圧を平滑化する。ここ
で、平滑化された高圧は約−８０Ｖ程度である。
【００１８】モニターが正常モードである時、マイクロ
プロセッサー２０では抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ
１）を出力し、抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）は
抵抗３１を介してトランジスター３２に供給される。ト
ランジスター３２はターンオン状態にスイッチングさ
れ、高レベルのスイッチング信号を出力する。
プロセッサー２０では抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ
１）を出力し、抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）は
抵抗３１を介してトランジスター３２に供給される。ト
ランジスター３２はターンオン状態にスイッチングさ
れ、高レベルのスイッチング信号を出力する。
【００１９】高電位レベルのスイッチング信号はトラン
ジスター３３に供給され、トランジスター３３はターン
オフ状態にスイッチングされる。これにより、キャパシ
ター１２の出力電圧は抵抗３６、３７に供給され、抵抗
３６、３７はキャパシター１２の出力電圧を分配し、分
配電圧はグリッド端子（Ｇ１）に供給される。ここで、
分配電圧は約−６０Ｖ程度である。
ジスター３３に供給され、トランジスター３３はターン
オフ状態にスイッチングされる。これにより、キャパシ
ター１２の出力電圧は抵抗３６、３７に供給され、抵抗
３６、３７はキャパシター１２の出力電圧を分配し、分
配電圧はグリッド端子（Ｇ１）に供給される。ここで、
分配電圧は約−６０Ｖ程度である。
【００２０】しかし、電源スイッチがターンオフになっ
たり、モードが切換えられたりする時、ミュット信号
（ＯＵＴ１）は高レベルに遷移され、高レベルのミュッ
ト信号（ＯＵＴ１）は抵抗３１を介してトランジスター
３２に供給される。トランジスター３２はターンオフ状
態にスイッチングされ抵レベルのスイッチング信号を出
力する。
たり、モードが切換えられたりする時、ミュット信号
（ＯＵＴ１）は高レベルに遷移され、高レベルのミュッ
ト信号（ＯＵＴ１）は抵抗３１を介してトランジスター
３２に供給される。トランジスター３２はターンオフ状
態にスイッチングされ抵レベルのスイッチング信号を出
力する。
【００２１】抵電位レベルのスイッチング信号はトラン
ジスター３３に供給され、トランジスター３３はターン
オン状態にスイッチングされる。これにより、キャパシ
ター１２の出力電圧はトランジスター３４とダイオード
３５を介してグリッド端子（Ｇ１）に供給され、グリッ
ド端子（Ｇ１）の供給電圧は約−８０Ｖ程度で、グリッ
ド端子（Ｇ１）の供給電圧はキャパシター１２の出力電
圧と殆ど同一である。
ジスター３３に供給され、トランジスター３３はターン
オン状態にスイッチングされる。これにより、キャパシ
ター１２の出力電圧はトランジスター３４とダイオード
３５を介してグリッド端子（Ｇ１）に供給され、グリッ
ド端子（Ｇ１）の供給電圧は約−８０Ｖ程度で、グリッ
ド端子（Ｇ１）の供給電圧はキャパシター１２の出力電
圧と殆ど同一である。
【００２２】即ち、電源スイッチがターンオフになった
り、モードが切換えられたりする時、マイクロプロセッ
サー２０のミュット信号（ＯＵＴ１）に応じて、グリッ
ド端子（Ｇ１）の高圧が−６０Ｖから−８０Ｖと低くな
り、画面が暗くなる。
り、モードが切換えられたりする時、マイクロプロセッ
サー２０のミュット信号（ＯＵＴ１）に応じて、グリッ
ド端子（Ｇ１）の高圧が−６０Ｖから−８０Ｖと低くな
り、画面が暗くなる。
【００２３】特に、電源スイッチがターンオフになり、
ＣＲＴの加熱されたカソードが完全に冷めていない時
は、ＣＲＴの内部導電膜と外部導電膜との間に静電容量
が残っていて、残っている静電容量によってカソードか
ら放出された電子が蛍光膜と衝突し続けてスポットを発
生する。
ＣＲＴの加熱されたカソードが完全に冷めていない時
は、ＣＲＴの内部導電膜と外部導電膜との間に静電容量
が残っていて、残っている静電容量によってカソードか
ら放出された電子が蛍光膜と衝突し続けてスポットを発
生する。
【００２４】しかし、偏向回路は作動しなくなるため、
蛍光膜に放出された電子は蛍光膜の中心部へ継続的に発
射され、発射された電子によって蛍光膜の中心部が酷い
損傷を受ける。このように、ミュット動作は蛍光膜の損
傷を低減することができないため、スポットキラー回路
４０がさらにＣＲＴに連結され、スポットキラー回路４
０の作動はグリッド端子（Ｇ１）の高圧を低めて、低く
なった高圧によってスポットは弱化する。
蛍光膜に放出された電子は蛍光膜の中心部へ継続的に発
射され、発射された電子によって蛍光膜の中心部が酷い
損傷を受ける。このように、ミュット動作は蛍光膜の損
傷を低減することができないため、スポットキラー回路
４０がさらにＣＲＴに連結され、スポットキラー回路４
０の作動はグリッド端子（Ｇ１）の高圧を低めて、低く
なった高圧によってスポットは弱化する。
【００２５】即ち、モニターが正常モードの時、マイク
ロプロセッサー２０では高レベルのサスペンド信号（Ｏ
ＵＴ２）を出力し、高レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ
２）は抵抗４１を介してトランジスター４２に供給さ
れ、トランジスター４２はターンオン状態にスイッチン
グされ、電源（Ｖｃｃ２）は抵抗４３を介してトランジ
スター４２のエミッター側に供給される。こうして、ト
ランジスター４２からは抵レベルのスイッチング信号を
出力する。
ロプロセッサー２０では高レベルのサスペンド信号（Ｏ
ＵＴ２）を出力し、高レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ
２）は抵抗４１を介してトランジスター４２に供給さ
れ、トランジスター４２はターンオン状態にスイッチン
グされ、電源（Ｖｃｃ２）は抵抗４３を介してトランジ
スター４２のエミッター側に供給される。こうして、ト
ランジスター４２からは抵レベルのスイッチング信号を
出力する。
【００２６】抵レベルのスイッチング信号はトランジス
ター４４に供給され、トランジスター４４はターンオフ
状態にスイッチングされ、高レベルのスイッチング信号
を出力する。高レベルのスイッチング信号はトランジス
ター４５に供給され、トランジスター４５はターンオン
状態にスイッチングされる。従って、電源（Ｖｃｃ３）
はトランジスター４５を介してキャパシター４７に供給
され、キャパシター４７は電源（Ｖｃｃ３）を充電す
る。
ター４４に供給され、トランジスター４４はターンオフ
状態にスイッチングされ、高レベルのスイッチング信号
を出力する。高レベルのスイッチング信号はトランジス
ター４５に供給され、トランジスター４５はターンオン
状態にスイッチングされる。従って、電源（Ｖｃｃ３）
はトランジスター４５を介してキャパシター４７に供給
され、キャパシター４７は電源（Ｖｃｃ３）を充電す
る。
【００２７】電源スイッチがターンオフ状態にスイッチ
ングされれば、サスペンド信号（ＯＵＴ２）は抵レベル
に遷移され、抵レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ２）は
抵抗４１を介してトランジスター４２に供給され、トラ
ンジスター４２はターンオフ状態にスイッチングされ、
電源（Ｖｃｃ２）は抵抗４３を介してトランジスター４
４のベース側に供給される。従って、トランジスター４
２では高レベルのスイッチング信号を出力する。
ングされれば、サスペンド信号（ＯＵＴ２）は抵レベル
に遷移され、抵レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ２）は
抵抗４１を介してトランジスター４２に供給され、トラ
ンジスター４２はターンオフ状態にスイッチングされ、
電源（Ｖｃｃ２）は抵抗４３を介してトランジスター４
４のベース側に供給される。従って、トランジスター４
２では高レベルのスイッチング信号を出力する。
【００２８】高レベルのスイッチング信号はトランジス
ター４４に供給され、トランジスター４４はターンオン
状態にスイッチングされ、抵レベルのスイッチング信号
を出力する。抵レベルのスイッチング信号はトランジス
ター４５に供給され、トランジスター４５はターンオフ
状態にスイッチングされる。従って、電源（Ｖｃｃ３）
は抵抗４６を介して接地される。ここで、キャパシター
４７の充電電圧はダイオード４８に供給され逆の電位に
反転され、反転されたキャパシター４７の充電電圧は抵
抗４９を介してグリッド端子（Ｇ１）に供給される。こ
れにより、グリッド端子（Ｇ１）の電位が低くなり、ス
ポットは弱化する。
ター４４に供給され、トランジスター４４はターンオン
状態にスイッチングされ、抵レベルのスイッチング信号
を出力する。抵レベルのスイッチング信号はトランジス
ター４５に供給され、トランジスター４５はターンオフ
状態にスイッチングされる。従って、電源（Ｖｃｃ３）
は抵抗４６を介して接地される。ここで、キャパシター
４７の充電電圧はダイオード４８に供給され逆の電位に
反転され、反転されたキャパシター４７の充電電圧は抵
抗４９を介してグリッド端子（Ｇ１）に供給される。こ
れにより、グリッド端子（Ｇ１）の電位が低くなり、ス
ポットは弱化する。
【００２９】即ち、正常モードの時は、マイクロプロセ
ッサー２０から抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）と
高レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ２）が出力され、電
源スイッチがターンオフ状態にスイッチングされる時
は、マイクロプロセッサー２０から高レベルのミュット
信号（ＯＵＴ１）と抵レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ
２）が出力されるので、グリッド端子（Ｇ１）の電位が
低くなってスポットが完全に弱化する。
ッサー２０から抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）と
高レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ２）が出力され、電
源スイッチがターンオフ状態にスイッチングされる時
は、マイクロプロセッサー２０から高レベルのミュット
信号（ＯＵＴ１）と抵レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ
２）が出力されるので、グリッド端子（Ｇ１）の電位が
低くなってスポットが完全に弱化する。
【００３０】しかし、モードの切換えの時は、マイクロ
プロセッサー２０から高レベルのミュット信号（ＯＵＴ
１）と高レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ２）が出力さ
れるので、グリッド端子（Ｇ１）の電位は−８０Ｖとな
るが、このようなグリッド端子（Ｇ１）の電位によって
スポットの完全な弱化が不可能であるという問題点があ
った。
プロセッサー２０から高レベルのミュット信号（ＯＵＴ
１）と高レベルのサスペンド信号（ＯＵＴ２）が出力さ
れるので、グリッド端子（Ｇ１）の電位は−８０Ｖとな
るが、このようなグリッド端子（Ｇ１）の電位によって
スポットの完全な弱化が不可能であるという問題点があ
った。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、モードの切換えの時にスポットを取り除くことがで
きるＣＲＴ保護回路を提供することにある。
は、モードの切換えの時にスポットを取り除くことがで
きるＣＲＴ保護回路を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の実施例によるＣＲＴ保護回路は、外部より
供給された水平及び垂直同期信号に応じてミュット信号
を発生するマイクロプロセッサー；フライバックトラン
スフォーマーの作動によって高圧を発生する高圧発生
部；ミュット信号に応じてスイッチングされ、高圧発生
部の高電圧をグリッド端子に供給する第１スイッチング
部；第１スイッチング部のスイッチング状態によってグ
リッド端子の入力電圧を分配し、分配電圧をグリッド端
子に供給してスポットの明るさを調整するための高電圧
降下部；ミュット信号に応じてスイッチングされ、外部
からの供給電源を出力する第２スイッチング部；及び第
２スイッチング部の出力電源を充電／放電させ、放電電
圧の逆電位をグリッド端子に供給してスポットを取り除
くための充電部；からなることを特徴とする。
に、本発明の実施例によるＣＲＴ保護回路は、外部より
供給された水平及び垂直同期信号に応じてミュット信号
を発生するマイクロプロセッサー；フライバックトラン
スフォーマーの作動によって高圧を発生する高圧発生
部；ミュット信号に応じてスイッチングされ、高圧発生
部の高電圧をグリッド端子に供給する第１スイッチング
部；第１スイッチング部のスイッチング状態によってグ
リッド端子の入力電圧を分配し、分配電圧をグリッド端
子に供給してスポットの明るさを調整するための高電圧
降下部；ミュット信号に応じてスイッチングされ、外部
からの供給電源を出力する第２スイッチング部；及び第
２スイッチング部の出力電源を充電／放電させ、放電電
圧の逆電位をグリッド端子に供給してスポットを取り除
くための充電部；からなることを特徴とする。
【００３３】本発明の望ましい具現例によれば、モード
の切換えの時、マイクロプロセッサーから高レベルのミ
ュット信号を出力し、高レベルのミュット信号は第１ス
イッチング部及び第２スイッチング部に供給される。第
１スイッチング部は高レベルのミュット信号に応じてス
イッチングされ高圧発生部の高電圧をグリッド端子に供
給する。これにより、スポットの明るさが暗くなる。一
方、第２スイッチング部は高レベルのミュット信号に応
じてスイッチングされ外部からの供給電源を充電部に供
給し、充電部は電源を充電／放電し、放電電圧は逆の電
位に整形される。整形された逆電位はグリッド端子に供
給される。従って、グリッド端子の電位が低くなってス
ポットが取り除かれるので、ＣＲＴを保護することがで
きる。
の切換えの時、マイクロプロセッサーから高レベルのミ
ュット信号を出力し、高レベルのミュット信号は第１ス
イッチング部及び第２スイッチング部に供給される。第
１スイッチング部は高レベルのミュット信号に応じてス
イッチングされ高圧発生部の高電圧をグリッド端子に供
給する。これにより、スポットの明るさが暗くなる。一
方、第２スイッチング部は高レベルのミュット信号に応
じてスイッチングされ外部からの供給電源を充電部に供
給し、充電部は電源を充電／放電し、放電電圧は逆の電
位に整形される。整形された逆電位はグリッド端子に供
給される。従って、グリッド端子の電位が低くなってス
ポットが取り除かれるので、ＣＲＴを保護することがで
きる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明をより詳しく説明する。
本発明をより詳しく説明する。
【００３５】図３は、本発明によるＣＲＴ保護回路を示
している。同図において、１００はフライバックトラン
スフォーマーの作動によって高圧を発生し、発生した高
圧をＣＲＴのグリッド端子（Ｇ１）に供給する高圧発生
部で、２００は外部から供給された水平同期信号（Ｈ
ｓ）及び垂直同期信号（Ｖｓ）に応じてスポットを取り
除くためのミュット信号（ＯＵＴ１）を出力するマイク
ロプロセッサーである。
している。同図において、１００はフライバックトラン
スフォーマーの作動によって高圧を発生し、発生した高
圧をＣＲＴのグリッド端子（Ｇ１）に供給する高圧発生
部で、２００は外部から供給された水平同期信号（Ｈ
ｓ）及び垂直同期信号（Ｖｓ）に応じてスポットを取り
除くためのミュット信号（ＯＵＴ１）を出力するマイク
ロプロセッサーである。
【００３６】３００はミュット信号（ＯＵＴ１）を受け
てグリッド端子（Ｇ１）の入力電圧の大きさを制御して
スポットの明るさを制御するためのミュット信号処理部
で、４００はミュット信号（ＯＵＴ１）を受けてグリッ
ド端子（Ｇ１）の入力電圧を制御してスポットを取り除
くスポットキラー部である。
てグリッド端子（Ｇ１）の入力電圧の大きさを制御して
スポットの明るさを制御するためのミュット信号処理部
で、４００はミュット信号（ＯＵＴ１）を受けてグリッ
ド端子（Ｇ１）の入力電圧を制御してスポットを取り除
くスポットキラー部である。
【００３７】ここで、ミュット信号処理部３００はミュ
ット信号（ＯＵＴ１）に応じてスイッチングする第１ス
イッチング部３１０と、第１スイッチング部３１０のス
イッチング状態に応じてグリッド端子（Ｇ１）の高圧を
制御する高電圧降下部３２０とを含む。
ット信号（ＯＵＴ１）に応じてスイッチングする第１ス
イッチング部３１０と、第１スイッチング部３１０のス
イッチング状態に応じてグリッド端子（Ｇ１）の高圧を
制御する高電圧降下部３２０とを含む。
【００３８】また、スポットキラー部４００はミュット
信号（ＯＵＴ１）に応じてスイッチングする第２スイッ
チング部４１０と、第２スイッチング部４１０のスイッ
チング状態に応じて外部からの供給電源（Ｖｃｃ３）を
充電／放電し、放電された電源（Ｖｃｃ３）の逆電位
（−Ｖｃｃ３）をグリッド端子（Ｇ１）に供給する充電
部４２０とからなっている。
信号（ＯＵＴ１）に応じてスイッチングする第２スイッ
チング部４１０と、第２スイッチング部４１０のスイッ
チング状態に応じて外部からの供給電源（Ｖｃｃ３）を
充電／放電し、放電された電源（Ｖｃｃ３）の逆電位
（−Ｖｃｃ３）をグリッド端子（Ｇ１）に供給する充電
部４２０とからなっている。
【００３９】図４は、図３のＣＲＴ保護回路の構成を詳
細に示す図である。図４において、高圧発生部１００は
フライバックトランスフォーマー（ＦＢＴ）の出力電圧
をバイアスさせるダイオード１０１と、ダイオード１０
１の出力電圧を平滑化するキャパシター１０２とを含
む。
細に示す図である。図４において、高圧発生部１００は
フライバックトランスフォーマー（ＦＢＴ）の出力電圧
をバイアスさせるダイオード１０１と、ダイオード１０
１の出力電圧を平滑化するキャパシター１０２とを含
む。
【００４０】第１スイッチング部３１０はミュット信号
（ＯＵＴ１）をバイアスさせる抵抗３１１と、抵抗３１
１の出力信号に応じてスイッチングされ外部からの供給
電源（Ｖｃｃ１、約５Ｖ程度）をコレクター側に供給す
るトランジスター３１２と、トランジスター３１２の出
力電流を制御する抵抗３１３と、トランジスター３１２
のスイッチング状態に応じてスイッチングするトランジ
スター３１４と、グリッド端子（Ｇ１）とトランジスタ
ー３１４のエミッター側との間に連結され、トランジス
ター３１４を保護するためのダイオード３１５とからな
っている。
（ＯＵＴ１）をバイアスさせる抵抗３１１と、抵抗３１
１の出力信号に応じてスイッチングされ外部からの供給
電源（Ｖｃｃ１、約５Ｖ程度）をコレクター側に供給す
るトランジスター３１２と、トランジスター３１２の出
力電流を制御する抵抗３１３と、トランジスター３１２
のスイッチング状態に応じてスイッチングするトランジ
スター３１４と、グリッド端子（Ｇ１）とトランジスタ
ー３１４のエミッター側との間に連結され、トランジス
ター３１４を保護するためのダイオード３１５とからな
っている。
【００４１】また、高電圧降下部３２０は相互並列に連
結され、トランジスター３１４のスイッチング状態に応
じてグリッド端子（Ｇ１）の電位を分配してグリッド端
子（Ｇ１）の電位を低くする抵抗３２１、３２２からな
る。
結され、トランジスター３１４のスイッチング状態に応
じてグリッド端子（Ｇ１）の電位を分配してグリッド端
子（Ｇ１）の電位を低くする抵抗３２１、３２２からな
る。
【００４２】第２スイッチング部４１０はミュット信号
（ＯＵＴ１）をバイアスさせる抵抗４１１と、抵抗４１
１の出力信号に応じてスイッチングされ外部からの供給
電源（Ｖｃｃ２、約２００Ｖ程度）をエミッター側に供
給するトランジスター４１２と、トランジスター４１２
の出力電流量を決定する抵抗４１３と、トランジスター
４１２のスイッチング状態に応じてスイッチングされる
トランジスター４１４と、トランジスター４１４のエミ
ッター側とベース側との間に連結されトランジスター４
１２を保護するためのダイオード４１５とからなってい
る。
（ＯＵＴ１）をバイアスさせる抵抗４１１と、抵抗４１
１の出力信号に応じてスイッチングされ外部からの供給
電源（Ｖｃｃ２、約２００Ｖ程度）をエミッター側に供
給するトランジスター４１２と、トランジスター４１２
の出力電流量を決定する抵抗４１３と、トランジスター
４１２のスイッチング状態に応じてスイッチングされる
トランジスター４１４と、トランジスター４１４のエミ
ッター側とベース側との間に連結されトランジスター４
１２を保護するためのダイオード４１５とからなってい
る。
【００４３】充電部４２０は、トランジスター４１４の
スイッチング状態に応じて電源（Ｖｃｃ２）を充電／放
電するキャパシター４２１と、キャパシター４２１の放
電電圧を逆の電位に整形するダイオード４２２と、ダイ
オード４２２の出力電圧をグリッド端子（Ｇ１）に供給
する抵抗４２３とを含む。
スイッチング状態に応じて電源（Ｖｃｃ２）を充電／放
電するキャパシター４２１と、キャパシター４２１の放
電電圧を逆の電位に整形するダイオード４２２と、ダイ
オード４２２の出力電圧をグリッド端子（Ｇ１）に供給
する抵抗４２３とを含む。
【００４４】第１スイッチング部３１０の構成をより詳
しく説明すれば、次の通りである。即ち、ミュッティン
グ信号（ＯＵＴ１）をバイアスする抵抗３１１の出力側
にはトランジスター３１２のベース側が連結され、トラ
ンジスター３１２のエミッター側には抵抗３１３の一側
が連結され、抵抗３１３の他側には電源（Ｖｃｃ１）が
連結される。
しく説明すれば、次の通りである。即ち、ミュッティン
グ信号（ＯＵＴ１）をバイアスする抵抗３１１の出力側
にはトランジスター３１２のベース側が連結され、トラ
ンジスター３１２のエミッター側には抵抗３１３の一側
が連結され、抵抗３１３の他側には電源（Ｖｃｃ１）が
連結される。
【００４５】トランジスター３１２のコレクター側には
トランジスター３１２のスイッチング状態に応じてスイ
ッチングされるトランジスター３１４のベース側が連結
され、トランジスター３１４のエミッター側にはダイオ
ード３１５のカソード側が連結される。ここでのトラン
ジスター３１２、３１４は、一例としてＰＮＰ型のトラ
ンジスターを備えている。
トランジスター３１２のスイッチング状態に応じてスイ
ッチングされるトランジスター３１４のベース側が連結
され、トランジスター３１４のエミッター側にはダイオ
ード３１５のカソード側が連結される。ここでのトラン
ジスター３１２、３１４は、一例としてＰＮＰ型のトラ
ンジスターを備えている。
【００４６】ダイオード３１５のアノード側はグリッド
端子（Ｇ１）と連結され、トランジスター３１４のコレ
クター側は高圧発生部１００の出力側と接続される。
端子（Ｇ１）と連結され、トランジスター３１４のコレ
クター側は高圧発生部１００の出力側と接続される。
【００４７】一方、第２スイッチング部４１０の構成を
より詳しく説明する。
より詳しく説明する。
【００４８】即ち、ミュット信号（ＯＵＴ１）をバイア
スさせる抵抗４１１の出力側はトランジスター４１２の
ベース側と連結され、トランジスター４１２のコレクタ
ー側は抵抗４１３の出力側と接続される。抵抗４１３の
入力側は電源（Ｖｃｃ２）と接続され、トランジスター
４１２のコレクター側はトランジスター４１４のベース
側と連結される。トランジスター４１２のエミッター側
は接地される。
スさせる抵抗４１１の出力側はトランジスター４１２の
ベース側と連結され、トランジスター４１２のコレクタ
ー側は抵抗４１３の出力側と接続される。抵抗４１３の
入力側は電源（Ｖｃｃ２）と接続され、トランジスター
４１２のコレクター側はトランジスター４１４のベース
側と連結される。トランジスター４１２のエミッター側
は接地される。
【００４９】トランジスター４１４のエミッター側はダ
イオード４１５のアノードと連結される。ダイオード４
１５のカソードはトランジスター４１４のベース側と接
続され、トランジスター４１４のコレクター側は電源
（Ｖｃｃ２）と接続される。
イオード４１５のアノードと連結される。ダイオード４
１５のカソードはトランジスター４１４のベース側と接
続され、トランジスター４１４のコレクター側は電源
（Ｖｃｃ２）と接続される。
【００５０】上述した本発明のＣＲＴ保護回路の作用及
び効果は、次のようである。
び効果は、次のようである。
【００５１】モニターの正常動作の時、マイクロプロセ
ッサー２００は抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）を
発生し、抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）は抵抗３
１１を介してトランジスター３１２に供給される。トラ
ンジスター３１２は抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ
１）に応じてターンオン状態にスイッチングされる。即
ち、電源（Ｖｃｃ１）は抵抗３１３を介してトランジス
ター３１２のコレクター側に供給されるので、トランジ
スター３１２からは高レベルのスイッチング信号を出力
し、高レベルのスイッチング信号はトランジスター３１
４に供給される。
ッサー２００は抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）を
発生し、抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）は抵抗３
１１を介してトランジスター３１２に供給される。トラ
ンジスター３１２は抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ
１）に応じてターンオン状態にスイッチングされる。即
ち、電源（Ｖｃｃ１）は抵抗３１３を介してトランジス
ター３１２のコレクター側に供給されるので、トランジ
スター３１２からは高レベルのスイッチング信号を出力
し、高レベルのスイッチング信号はトランジスター３１
４に供給される。
【００５２】トランジスター３１４は高レベルのスイッ
チング信号に応じてターンオフ状態にスイッチングさ
れ、高圧発生部１００の高電圧は高電圧降下部３２０の
抵抗３２１、３２２に供給される。抵抗３２１、３２２
は高電圧を分配し、分配された高電圧はグリッド端子
（Ｇ１）に供給される。即ち、高圧発生部１００の高電
圧は−８０Ｖ程度で、グリッド端子（Ｇ１）の電位は約
−６０Ｖ程度である。
チング信号に応じてターンオフ状態にスイッチングさ
れ、高圧発生部１００の高電圧は高電圧降下部３２０の
抵抗３２１、３２２に供給される。抵抗３２１、３２２
は高電圧を分配し、分配された高電圧はグリッド端子
（Ｇ１）に供給される。即ち、高圧発生部１００の高電
圧は−８０Ｖ程度で、グリッド端子（Ｇ１）の電位は約
−６０Ｖ程度である。
【００５３】一方、抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ
１）は第２スイッチング部４１０の抵抗４１１を介して
トランジスター４１２のベース側に供給され、トランジ
スター４１２は抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）に
応じてターンオフ状態にスイッチングされる。
１）は第２スイッチング部４１０の抵抗４１１を介して
トランジスター４１２のベース側に供給され、トランジ
スター４１２は抵レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）に
応じてターンオフ状態にスイッチングされる。
【００５４】即ち、電源（Ｖｃｃ２）が抵抗４１３を介
してトランジスター４１４のベース側に供給され、トラ
ンジスター４１２からは高レベルのスイッチング信号を
出力し、高レベルのスイッチング信号はトランジスター
４１４のベース側に供給される。トランジスター４１４
は高レベルのスイッチング信号に応じてターンオン状態
にスイッチングされる。即ち、電源（Ｖｃｃ２）はトラ
ンジスター４１４のエミッター側に供給され、トランジ
スター４１４の出力電圧は充電部４２０のキャパシター
４２１に供給され、キャパシター４２１はトランジスタ
ー４１４の出力電圧を充電する。ここで、キャパシター
４２１の充電電圧は約２００Ｖ程度である。
してトランジスター４１４のベース側に供給され、トラ
ンジスター４１２からは高レベルのスイッチング信号を
出力し、高レベルのスイッチング信号はトランジスター
４１４のベース側に供給される。トランジスター４１４
は高レベルのスイッチング信号に応じてターンオン状態
にスイッチングされる。即ち、電源（Ｖｃｃ２）はトラ
ンジスター４１４のエミッター側に供給され、トランジ
スター４１４の出力電圧は充電部４２０のキャパシター
４２１に供給され、キャパシター４２１はトランジスタ
ー４１４の出力電圧を充電する。ここで、キャパシター
４２１の充電電圧は約２００Ｖ程度である。
【００５５】しかし、モニターのモードが切換えられれ
ば、、マイクロプロセッサー２００では高レベルのミュ
ット信号（ＯＵＴ１）を出力し、高レベルのミュット信
号（ＯＵＴ１）は抵抗３１１を介してトランジスター３
１２に供給される。トランジスター３１２は高レベルの
ミュット信号（ＯＵＴ１）に応じてターンオフ状態にス
イッチングされ抵レベルのスイッチング信号を出力し、
抵レベルのスイッチング信号はトランジスター３１４に
供給される。即ち、電源（Ｖｃｃ１）は抵抗３１３を通
してトランジスター３１２のコレクター側に供給される
ことができない。
ば、、マイクロプロセッサー２００では高レベルのミュ
ット信号（ＯＵＴ１）を出力し、高レベルのミュット信
号（ＯＵＴ１）は抵抗３１１を介してトランジスター３
１２に供給される。トランジスター３１２は高レベルの
ミュット信号（ＯＵＴ１）に応じてターンオフ状態にス
イッチングされ抵レベルのスイッチング信号を出力し、
抵レベルのスイッチング信号はトランジスター３１４に
供給される。即ち、電源（Ｖｃｃ１）は抵抗３１３を通
してトランジスター３１２のコレクター側に供給される
ことができない。
【００５６】トランジスター３１４は抵レベルのスイッ
チング信号に応じてターンオン状態にスイッチングされ
る。即ち、高圧発生部１００の高電圧はトランジスター
３１４を通してダイオード３１５に供給され、ダイオー
ド３１５は高電圧をグリッド端子（Ｇ１）に供給する。
ここで、高圧発生部１００の高電圧は−８０Ｖ程度で、
グリッド端子（Ｇ１）に供給される電位も−８０Ｖ程度
である。
チング信号に応じてターンオン状態にスイッチングされ
る。即ち、高圧発生部１００の高電圧はトランジスター
３１４を通してダイオード３１５に供給され、ダイオー
ド３１５は高電圧をグリッド端子（Ｇ１）に供給する。
ここで、高圧発生部１００の高電圧は−８０Ｖ程度で、
グリッド端子（Ｇ１）に供給される電位も−８０Ｖ程度
である。
【００５７】一方、高レベルのミュット信号（ＯＵＴ
１）は第２スイッチング部４１０の抵抗４１１を通して
トランジスター４１２のベース側に供給され、トランジ
スター４１２は高レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）に
応じてターンオン状態にスイッチングされ、抵レベルの
スイッチング信号を出力する。
１）は第２スイッチング部４１０の抵抗４１１を通して
トランジスター４１２のベース側に供給され、トランジ
スター４１２は高レベルのミュット信号（ＯＵＴ１）に
応じてターンオン状態にスイッチングされ、抵レベルの
スイッチング信号を出力する。
【００５８】従って、電源（Ｖｃｃ２）は抵抗４１３を
介してトランジスター４１２のエミッター側に供給され
る。抵レベルのスイッチング信号に応じてトランジスタ
ー４１４はターンオフ状態にスイッチングされる。これ
により、キャパシター４２１は放電し、キャパシター４
２１の放電電圧はダイオード４２２に供給され、ダイオ
ード４２２はキャパシター４２１の放電電圧を逆の電位
に整形する。ダイオード４２２の出力電圧は抵抗４２３
を介してグリッド端子（Ｇ１）に供給される。即ち、ダ
イオード３１５より供給された高圧発生部１００の高電
圧とダイオード４２２の出力電圧とが重ね合せられ、こ
の重ね合せ電圧はグリッド端子（Ｇ１）に供給される。
介してトランジスター４１２のエミッター側に供給され
る。抵レベルのスイッチング信号に応じてトランジスタ
ー４１４はターンオフ状態にスイッチングされる。これ
により、キャパシター４２１は放電し、キャパシター４
２１の放電電圧はダイオード４２２に供給され、ダイオ
ード４２２はキャパシター４２１の放電電圧を逆の電位
に整形する。ダイオード４２２の出力電圧は抵抗４２３
を介してグリッド端子（Ｇ１）に供給される。即ち、ダ
イオード３１５より供給された高圧発生部１００の高電
圧とダイオード４２２の出力電圧とが重ね合せられ、こ
の重ね合せ電圧はグリッド端子（Ｇ１）に供給される。
【００５９】ここで、高圧発生部１００の高電圧は約−
８０Ｖ程度で、ダイオード４２２の出力電圧は約−２０
０Ｖ程度であるので、グリッド端子（Ｇ１）の電位は約
−２００Ｖ程度である。
８０Ｖ程度で、ダイオード４２２の出力電圧は約−２０
０Ｖ程度であるので、グリッド端子（Ｇ１）の電位は約
−２００Ｖ程度である。
【００６０】
【発明の効果】本発明のＣＲＴ保護回路によれば、モー
ドの切換えの時、高レベルのミュット信号に応じてグリ
ッド端子の電位を低くすることにより、スポットを取り
除くことができ、かつマイクロプロセッサーの出力ポー
トを１つに低減することができ、しかも、外部からの供
給電源の数を減らせることができる。
ドの切換えの時、高レベルのミュット信号に応じてグリ
ッド端子の電位を低くすることにより、スポットを取り
除くことができ、かつマイクロプロセッサーの出力ポー
トを１つに低減することができ、しかも、外部からの供
給電源の数を減らせることができる。
【００６１】以上、本発明を望ましい実施例に基づいて
具体的に説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で変更及び改
良が可能なことは勿論である。例えば、本発明の実施例
ではモニターの場合を例に挙げて説明したが、一般のテ
レビなどの全ての映像信号処理システムにも適用するこ
とができる。
具体的に説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で変更及び改
良が可能なことは勿論である。例えば、本発明の実施例
ではモニターの場合を例に挙げて説明したが、一般のテ
レビなどの全ての映像信号処理システムにも適用するこ
とができる。
【図１】従来のＣＲＴ保護回路の構成を示すブロック図
である。
である。
【図２】図１におけるＣＲＴ保護回路の構成を詳細に示
す図である。
す図である。
【図３】本発明によるＣＲＴ保護回路の構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】図３におけるＣＲＴ保護回路の構成を詳細に示
す図である。
す図である。
１００ 高圧発生部 ２００ マイクロプロセッサー ３００ ミュット信号処理部 ３１０ 第１スイッチング部 ３２０ 高電圧降下部 ４００ スポットキラー部 ４１０ 第２スイッチング部 ４２０ 充電部
Claims (13)
- 【請求項１】 外部より供給された水平及び垂直同期信
号に応じてスポットの除去のためのミュット信号を発生
するマイクロプロセッサー；フライバックトランスフォ
ーマーの作動によって高圧を発生する高圧発生手段；上
記マイクロプロセッサーのミュット信号に応じて上記高
圧発生手段の出力電圧を制御してスポットの明るさを調
整するためのミュット信号処理手段；及び上記マイクロ
プロセッサーのミュット信号に応じて外部からの供給電
源をＣＲＴのグリッド端子に供給してスポットを取り除
くためのスポットキラー手段；からなることを特徴とす
るＣＲＴ保護回路。 - 【請求項２】 上記高圧発生手段は、上記フライバック
トランスフォーマーの出力電圧をバイアスさせるダイオ
ードと、上記ダイオードの出力電圧を平滑化するキャパ
シターとを含むことを特徴とする請求項１記載のＣＲＴ
保護回路。 - 【請求項３】 上記ミュット信号処理手段は、上記ミュ
ット信号に応じてスイッチングされ、上記高圧発生手段
の出力電圧を上記グリッド端子に供給する第１スイッチ
ング手段と、上記第１スイッチング手段のスイッチング
状態によって上記高圧発生手段の出力電圧を分配し、分
配電圧を上記グリッド端子に供給する高電圧降下手段と
を含むことを特徴とする請求項１記載のＣＲＴ保護回
路。 - 【請求項４】 上記スポットキラー手段は、上記ミュッ
ト信号に応じてスイッチングされ、外部からの供給電源
を出力する第２スイッチング手段と、上記第２スイッチ
ング手段の出力電源を充電／放電し、放電された電源の
逆電位を上記グリッド端子に供給する充電手段とを含む
ことを特徴とする請求項１記載のＣＲＴ保護回路。 - 【請求項５】 上記第１スイッチング手段は、上記ミュ
ット信号をバイアスさせる第１抵抗と、上記第１抵抗の
出力信号に応じて外部からの供給電源をコレクター側に
供給する第１トランジスターと、上記第１トランジスタ
ーのコレクター側に連結され、上記第１トランジスター
の出力電流を制御する第２抵抗と、上記第１トランジス
ターのスイッチング状態に応じて上記高圧発生手段の出
力電圧を上記グリッド端子に供給する第２トランジスタ
ーとからなることを特徴とする請求項３記載のＣＲＴ保
護回路。 - 【請求項６】 上記第２トランジスターのエミッター側
とグリッド端子との間に連結され、第２トランジスター
を保護するためのダイオードをさらに含むことを特徴と
する請求項５記載のＣＲＴ保護回路。 - 【請求項７】 上記高電圧降下手段は、上記高圧発生手
段の出力側に連結される第３抵抗と、上記第３抵抗の出
力側と上記グリッド端子との間に連結される第４抵抗と
を含めて、上記高圧発生手段の高電圧を分配することを
特徴とする請求項５記載のＣＲＴ保護回路。 - 【請求項８】 上記第２スイッチング手段は、上記ミュ
ット信号をバイアスさせる第５抵抗と、上記第５抵抗の
出力信号に応じてスイッチングされ、外部からの供給電
源をエミッター側に供給する第３トランジスターと、上
記第３トランジスターの出力電流量を決定する第６抵抗
と、上記第３トランジスターのスイッチング状態に応じ
てスイッチングされ、電源を上記充電手段に供給する第
４トランジスターとを含むことを特徴とする請求項４記
載のＣＲＴ保護回路。 - 【請求項９】 上記第４トランジスターのエミッター側
とベース側との間に連結され、第４トランジスターを保
護するための第２ダイオードをさらに含むことを特徴と
する請求項８記載のＣＲＴ保護回路。 - 【請求項１０】 上記充電手段は、上記第４トランジス
ターのスイッチング状態に応じて電源を充電／放電する
第１キャパシターと、第１キャパシターの放電電圧を逆
の電位に整形する第３ダイオードと、上記第３ダイオー
ドの出力電圧を上記グリッド端子に供給する第７抵抗と
を含むことを特徴とする請求項８記載のＣＲＴ保護回
路。 - 【請求項１１】 外部からの供給電源は約２００Ｖ以上
であることを特徴とする請求項１記載のＣＲＴ保護回
路。 - 【請求項１２】 上記マイクロプロセッサーは、上記水
平及び垂直同期信号が入力されない時、高レベルのミュ
ット信号を発生することを特徴とする請求項１記載のＣ
ＲＴ保護回路。 - 【請求項１３】 外部より供給された水平及び垂直同期
信号及び電源感知信号に応じてミュット信号を発生する
マイクロプロセッサー；フライバックトランスフォーマ
ーの作動によって高圧を発生する高圧発生手段；上記ミ
ュット信号に応じてスイッチングされ、高圧発生手段の
高電圧をグリッド端子に供給する第１スイッチング手
段；上記第１スイッチング手段のスイッチング状態によ
って上記高圧発生手段の出力電圧を分配し、分配電圧を
グリッド端子に供給してスポットの明るさを調整するた
めの高電圧降下手段；上記ミュット信号に応じてスイッ
チングされ、外部からの供給電源を出力する第２スイッ
チング手段；及び上記第２スイッチング手段の出力電源
を充電／放電させ、放電電圧の逆電位を上記グリッド端
子に供給してスポットを取り除くための充電手段；から
なることを特徴とするＣＲＴ保護回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR17250/96 | 1996-05-21 | ||
| KR1019960017250A KR100226686B1 (ko) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | Crt 보호 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075379A true JPH1075379A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=19459363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9128442A Withdrawn JPH1075379A (ja) | 1996-05-21 | 1997-05-19 | Ｃｒｔ保護回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5903111A (ja) |
| JP (1) | JPH1075379A (ja) |
| KR (1) | KR100226686B1 (ja) |
| GB (1) | GB2313531A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021174255A (ja) * | 2020-04-24 | 2021-11-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 安全スイッチ及びスイッチシステム |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990076141A (ko) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | 윤종용 | 아이아이씨 제어방식에 따른 비디오 뮤트장치 |
| JP3059693U (ja) * | 1998-12-08 | 1999-07-13 | 船井電機株式会社 | ブラウン管放電装置 |
| US6211908B1 (en) * | 1999-05-27 | 2001-04-03 | Thomson Multimedia Licensing S.A. | Television apparatus with supplementary kinescope blanking and spot burn protection circuitry |
| KR100406572B1 (ko) | 2001-05-04 | 2003-11-20 | 삼성전자주식회사 | Ｃｄｔ전자총용 전원공급장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5184225A (en) * | 1991-07-03 | 1993-02-02 | Thomson Consumer Electronics, S.A. | Television receiver with spot burn protection and after-glow suppression |
| KR100241400B1 (ko) * | 1994-12-29 | 2000-02-01 | 전주범 | 음극선관의 스폿 제거회로 |
-
1996
- 1996-05-21 KR KR1019960017250A patent/KR100226686B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-05-19 JP JP9128442A patent/JPH1075379A/ja not_active Withdrawn
- 1997-05-21 US US08/861,320 patent/US5903111A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-21 GB GB9710482A patent/GB2313531A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021174255A (ja) * | 2020-04-24 | 2021-11-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 安全スイッチ及びスイッチシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5903111A (en) | 1999-05-11 |
| KR970077033A (ko) | 1997-12-12 |
| GB2313531A (en) | 1997-11-26 |
| GB9710482D0 (en) | 1997-07-16 |
| KR100226686B1 (ko) | 1999-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4045742A (en) | High voltage shutdown circuit responsive to excessive beam current and high voltage | |
| US5130615A (en) | Television apparatus having kinescope spot burn protection circuit with extended grid cut-off time constant | |
| JPH1075379A (ja) | Ｃｒｔ保護回路 | |
| JPH04229771A (ja) | ビデオ表示装置 | |
| US4737853A (en) | Suppression circuit for video | |
| US5714843A (en) | CRT spot killer circuit responsive to loss of vertical synchronizing signal | |
| US20020163310A1 (en) | Power supplying apparatus for electron gun in CDT | |
| KR0173267B1 (ko) | 모니터의 휘도 조정회로 | |
| KR19980058697A (ko) | 스포트 제거회로 | |
| KR200165107Y1 (ko) | 스포트 킬러 회로 | |
| KR0119284B1 (ko) | 모드 절환시 고압 출력 방지회로 | |
| KR200148415Y1 (ko) | 음극선관의 휘도 자동 제어장치 | |
| KR0123935Y1 (ko) | 모니터의 스포트 킬러회로 | |
| KR970004899Y1 (ko) | 음극선관 고압방전회로 | |
| KR19980047486U (ko) | 멀티싱크 모니터에 있어서 g1 전압 뮤팅회로 | |
| KR100702699B1 (ko) | 수직 블랭킹 및 스포트 제거 결합 회로 | |
| KR0143255B1 (ko) | 모니터의 스포트 킬러회로 | |
| KR100351814B1 (ko) | 모니터의 전압변화 방지회로 | |
| KR0123937Y1 (ko) | 모니터의 초기화면 안정화회로 | |
| KR20000037908A (ko) | 스폿 킬러 회로 | |
| KR20020061405A (ko) | Ｃｄｔ전자총의 전원공급회로 및 전원공급방법 | |
| KR19990041683U (ko) | 영상표시장치의 스폿 제거 회로 | |
| KR19980079107A (ko) | 다중 모드 모니터의 수평 출력 트랜지스터 보호 회로 | |
| KR100651860B1 (ko) | 편향회로 및 그 구동방법 | |
| KR100466325B1 (ko) | 불안정한 화면상태 제거장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |