KR100226686B1 - Crt 보호 장치 - Google Patents

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KR100226686B1 KR1019960017250A KR19960017250A KR100226686B1 KR 100226686 B1 KR100226686 B1 KR 100226686B1 KR 1019960017250 A KR1019960017250 A KR 1019960017250A KR 19960017250 A KR19960017250 A KR 19960017250A KR 100226686 B1 KR100226686 B1 KR 100226686B1
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Abstract

CRT 보호장치는 -DC 전압을 CRT의 제어그리드에 공급하는 고압 발생부(10)와, 정상 동작시 제 1 레벨의 뮤트신호를 출력하다가, 전원 오프시나 모드 변환시 제 1 레벨과는 역레벨인 제 2 레벨의 뮤트신호를 출력하는 마이콤(20), 마이콤(20)로부터 제 1 레벨의 뮤트신호를 입력받으면 고압 발생부(10)로부터 출력된 -DC 전압을 강하시켜 제어그리드에 공급하고, 제 2 레벨의 뮤트신호를 입력받으면 -DC 전압을 그대로 제어그리드에 공급하는 뮤트신호 처리부(30), 마이콤(20)으로부터 제 1 레벨의 뮤트신호를 입력받으면 일정전압을 충전하고, 제 2 레벨의 뮤트신호를 입력받으면 -DC 전압을 방전하여 제어그리드에 공급하는 스포트 킬러 회로(40)로 구성되어 있어, 모니터의 전원 오프시나 모드 변환시 CRT의 제어 그리드에 공급하는 -DC 전압을 정상 동작시보다 극대화함으로써 CRT를 보호한다는 데 그 효과가 있다.

Description

CRT 보호 장치(An apparatus for protecting a CRT)
제1도는 일반적인 CRT 보호 장치를 도시한 블록도,
제2도는 일반적인 CRT 보호 장치의 일실시예를 도시한 회로도,
제3도는 본 발명에 따른 CRT 보호 장치에 대한 블록도,
제4도는 본 발명에 따른 CRT 보호 장치의 일실시예를 도시한 회로도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 고압 발생기 20 : 마이콤
30 : 뮤트 신호 처리부 40: 스포트 킬러 회로
31 : 제 1 스위칭부 32 : 전압 강하부
41 : 제 2 스위칭부 42 : 충전부
본 발명은 CRT의 보호 장치에 관한 것으로, 특히 전원 오프시나 혹은 모드 변환시 뮤트 기능이 요구되었을 때, 캐소드로부터 형광막으로 방출되는 전자를 현저하게 억제하여 스포트를 약화시키는 CRT 보호 장치에 관한 것이다.
일반적으로 모니터의 전원 오프시나 혹은 모드 변환시 각 모니터 회로에 필요한 전압(정격 전압)을 일시에 공급하게 되면 각 모니터 회로에 이상을 초래하게 되므로, 전원 오프시나 혹은 모드 변환 초기에는 각 모니터 회로가 워밍업을 한 후 정상 동작을 할 수 있도록 정격 전압 보다 낮은 준비 전압을 공급한 다음에, 정격 전압을 공급할 필요가 있다. 이것을 뮤트 기능이라 하며, 상기 뮤트 기능을 수행하는 뮤트 신호는 마이콤으로부터 출력된다.
상기 뮤트 신호는 정상 동작시 로우 레벨을 유지하다가, 전원 오프시나 혹은 모드 변환시 잠시동아 하이 레벨로 천이되는데, 이 순간 CRT에 공급되어 제어 그리드 신호를 승압시킴으로써 캐소드로부터 형광막으로 방출되는 전자량을 억제시킨다.
일반적으로 스포트(spot)란 CRT의 형광막에 전자 빔이 충돌하면서 생기는 작은 빛의 점으로써, 모니터의 전원을 온시키면 전자총의 캐소드(음극)가 충분히 가열되어 전자를 방출하게 되고, 이렇게 방출된 전자는 형광막에 부딪치게 됨으로써 스포트가 발생하게 된다.
CRT 상에 화면이 나타나게 하려면 형광막에 상기 스포트 하나가 나타나게 하고, 이 스포트를 좌우 상하로 편향시켜서 라스터를 만듬과 동시에 영상 신호로서 스포트의 밝기를 변화시켜야만 한다.
이러한 스포트는 FBT(Flyback Transformer)로부터 CRT에 공급되는 제어 그리드 전류에 의해 조절할 수 있는데, 상기 제어 그리드 전류는 CRT의 캐소드에서 발산되는 전자의 양을 제어하여 휘도 변조(밝기 변조)를 컨트롤한다.
이때 제어 그리드에 음(-) 전압을 크게 공급할수록 상기 캐소드의 전자 방출을 억제하는 힘이 커지기 때문에 형광막에 충돌하는 전자량이 감소되어 스포트를 약화시킴으로써 화면이 어두어진다.
제 1 도는 일반적인 CRT 보호 장치의 블록도이고, 제 2 도는 그 일실시예를 도시한 회로도이다. 이러한 CRT 보호 장치는, FBT로부터 발생된 음(-)의 AC 전압을 다이오드(D1)에서 음(-)의 DC 전압으로 정류한 후 커패시터(C1)에서 평활하여 CRT의 제어 그리드(G1)에 공급하는 고압 발생부(10), 정상 동작시 로우 레벨의 뮤트 신호와 하이 레벨의 서스펜드 신호를 출력하다가, 전원 오프시나 모드 변환시 잠시동안 하이 레벨의 뮤트 신호를 출력하고, 전원 오프시 로우 레벨의 서스펜드 신호를 출력하는 마이콤(20), 상기 마이콤(20)으로부터 로우 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 상기 고압 발생부(10)로부터 출력된 음(-)의 DC 전압을 강하시켜 CRT의 제어 그리드(G1)에 공급하고, 하이 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 상기 음(-)의 DC 전압을 그대로 CRT의 상기 제어 그리드(G1) 에 공급하는 뮤트 신호 처리부(30), 및 상기 마이콤(20)으로부터 로우 레벨의 서스펜드 신호를 입력받으면 일정 전압을 충전하고, 하이 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 음(-) 전압을 방전하여 CRT의 상기 제어 그리드(G1)에 공급하는 스포트 킬러 회로(40)로 구성되어 있다.
여기서, 상기 뮤트 신호 처리부(30)는 베이스단이 저항(R1)을 통해 상기 마이콤(20)로부터 뮤트 신호를 입력받고, 에미터단이 저항(R2)를 통해 전원 전압(Vcc1 : 예컨데 5V)을 공급받고, 콜렉터단이 저항(R9)를 통해 고압발생부(10)의 출력단에 연결되어 있는 PNP형 제 1 트랜지스터(Q1)와, 베이스단이 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 콜렉터단에 연결되고, 에미터단이 다이오드(D2)의 캐소드단을 통해 상기 CRT의 제어 그리드(G1)에 연결되고, 콜렉터단이 상기 다이오드(D1)의 애노드단을 통해 상기 고압 발생부(10)의 출력단에 연결되어 있는 PNP형 제 2 트랜지스터(Q2), 및 한쪽끝이 상기 고압 발생부(10)의 출력단과 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 콜렉터단 사이에 병렬로 연결되고, 다른 한쪽끝은 상기 CRT의 제어 그리드(G1)와 상기 다이오드(D2)의 애노드단 사이에 병렬로 연결되어 있는 전압 감쇄 부하(R3+R4)로 구성되어 있다.
또한 상기 스포트 킬러 회로(40)는, 베이스단이 저항(R5)를 통해 상기 마이콤(10)로부터 서스펜드 신호를 입력받고, 콜렉터단이 저항(R6)를 통해 전원 전압(Vcc2 : 예컨데 24V)을 공급받고, 에미터단이 접지되어 있는 NPN형 제 3 트랜지스터(Q3)와, 베이스단이 상기 저항(R6)와 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜렉터단 사이에 병렬로 연결되고, 에미터단이 저항(R7)을 통해 전원 전압(Vcc3 : 예컨데 200V)을 공급받는 동시에 접지되어 있는 NPN형 제 4 트랜지스터(Q4)와, 베이스단이 상기 제 4 트랜지스터(Q4)의 콜렉터단에 연결되고, 콜렉터단이 상기 전원 전압(Vcc3)과 저항(R7) 사이에 병렬로 연결되어 있는 NPN형 제 5 트랜지스터(Q5) ; 한쪽 끝이 상기 제 5 트랜지스터(Q5)의 에미터단에 연결되고, 다른 한쪽 끝은 저항(R8)을 통해 상기 CRT의 제어 그리드(G1)와 상기 다이오드(D2)의 애노드단 사이에 병렬로 연결되어 있는 커패시터(C2), 및 애노드단이 상기 저항(R8)과 커패시터(C2) 사이에 병렬로 연결되고, 캐소드단이 접지되어 있는 다이오드(D3)로 구성되어 있다.
제 2 도를 참조하여 상기 일반적인 CRT 보호 회로에서의 뮤트 기능 수행시 동작을 살펴보면, 우선 모니터에 전원이 공급되어 FBT로부터 음(-)의 AC 전압이 출력되어, 다이오드(D1)를 통해 음(-)의 DC 전압으로 정류되고, 정류된 - DC 전압(통상 -80V)은 커패시터(C1)에서 평활된다.
정상 동작시 즉, 뮤트 신호가 로우 레벨일 때 상기 뮤트 신호가 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스에 입력되어 상기 제 1 트랜지스터(Q1)가 턴온됨에 따라 상기 제 2 트랜지스터(Q2)가 턴오프되기 때문에, 상기 고압 발생부(10)로부터 공급되는 - 80V의 DC 전압은 전압 감쇄 부하 (R3+R4)를 통해 전압이 -60V 정도로 강하되어 CRT의 제어 그리드(G1)에 공급된다.
그러나, 전원 오프시나 혹은 모드 변환시 뮤트 신호가 하이 레벨로 천이되면 상기 뮤트 신호가 제 1 트랜지스트(Q1)의 베이스에 입력되어 상기 제 1 트랜지스터(Q1)가 턴오프됨에 따라 상기 제 2 트랜지스터(Q2)가 턴온되기 때문에, 상기 고압 발생부(10)로부터 공급되는 -80V의 DC 전압이 상기 제 2 트랜지스터(Q2)를 통해 그대로 CRT의 제어 그리드(G1)에 공급된다.
따라서 전원 오프시나 혹은 모드 변환시 마이콤(20)로부터 하이 레벨의 뮤트 신호가 출력되면, 상기 CRT에 입력되는 제어 그리드 전압이 -60V에서 -80V로 커지기 때문에 그만큼 전자 방출을 억제하여 화면이 전체적으로 어두어지게 된다.
특히, 모니터의 전원을 오프할 경우, CRT의 가열된 캐소드가 아직 식지 않은 채, 수상관의 내부 도전막과 외부 도전막 사이에 작용되는 정전용량에 의해서 고압으로 충전된 전하가 오랫동안 남아 있기 때문에, 캐소드에서 나오는 약간의 전자를 흡수하여 스포트를 발생하게 된다.
그러나 전원 오프로 인해 편향 회로가 동작을 멈추었기 때문에, 상기 방출된 전자는 편향되지 않고 CRT의 중심부로 발사되어 형광막에 부딪혀 스포트가 강하게 발생하게 된다.
따라서 전원 오프시에는 뮤트 기능만을 이용하여 제어 그리드의 음(-)전압을 조정하는 것만으로는 그 효과를 크게 볼수 없기 때문에, 일반적으로 스포트 킬러 회로(40)를 추가적으로 사용하여 제어 그리드(G1)에 공급하는 음(-)전압을 더욱 더 크게 함으로써 스포트를 약화시킨다.
제 2 도를 참조하여 스포트 킬러 회로(40)의 동작을 살펴보면, 정상 동작시 상기 스포트 킬러 회로(40)에 입력되는 서스펜드 신호는 하이 레벨을 유지하고 있으므로, 제 3 트랜지스터(Q3)의 베이스단에 하이 레벨 신호가 인가되어 상기 제 3 트랜지스터(Q3)가 턴온된다.
상기 제 3 트랜지스터(Q3)가 턴온됨에 따라 상기 전원 전압(Vcc2)이 모두 상기 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜렉터단에 인가되어 에미터단을 통해 접지로 흐르게 되므로, 상기 제 4 트랜지스터(Q4)의 베이스단으로는 흐르지 못하게 되어, 상기 제 4 트랜지스터 (Q4)는 턴오프 된다.
제 4 트랜지스터(Q4)가 턴오프됨으로써 상기 제 5 트랜지스터(Q5)의 베이스단에 저항(R7)을 통해 하이 레벨 신호가 인가되고, 이에 따라 상기 제 5 트랜지스터(Q5)가 턴온되어 전원 전압(Vcc3)이 콜렉터단을 통해 에미터단으로 흐른다.
상기 커패시터(C2)는 한쪽이 상기 제 5 트랜지스터(Q5)의 에미터단과 연결되어 있고, 다른 한쪽이 다이오드(D3)의 애노드단을 통해 접지되어 있으므로, 상기 제 5 트랜지스터(Q5)의 에미터단에 인가된 전압이 커패시터(C2)에 공급되어 커패시터(C2)를 충전시킨다.
그러다가 전원을 오프하게 되면 서스펜드 신호가 로우 레벨로 천이되므로, 상기 제 3 트랜지스터(Q3)의 베이스단에 로우 레벨 신호가 인가되어 턴오프됨에 따라, 상기 전원 전압(Vcc2)이 상기 제 3 트랜지스터(Q3)로 흐르지 못하고, 상기 제 4 트랜지트서(Q4)의 베이스단으로 인가되어, 상기 제 4 트랜지스터(Q4)는 턴온된다.
제 4 트랜지스터 (Q4)가 턴온됨으로써 상기 제 5 트랜지스터(Q5)의 베이스단에 저항(R7)을 통해 로우 레벨 신호가 인가되고, 이에 따라 상기 제 5 트랜지스터(Q5)가 턴오프되어, 그 순간 상기 커패시터(C2)에 충전되어 있던 전압이 다이오드(D2)에 의하여 역전위되어, 순간적으로 저항(R8)에 의해 방전된다.
이에 따라 상기 커패시터(C2)로부터 음(-) 전압이 방전되어 상기 CRT의 제어 그리드(G1)에 공급되면, 상기 제어 그리드의 음(-)전압이 커져 스포트를 약화시킬 수 있다.
즉, 정상 동작시 상기 마이콤(20)에서 로우 레벨의 뮤트 신호를 출력함과 동시에 하이 레벨의 서스펜드 신호를 출력하고, 전원 오프시에는 하이 레벨의 뮤트 신호를 출력하는 동시에 로우 레벨의 서스펜드 신호를 출력하도록 되어 있어, 전원 오프시 제어 그리드에 인가되는 음(-)전압을 크게 승압시켜 형광막에 부딪치는 전자의 량을 현저하게 감소시키고 있다.
그러나 모니터의 모드 변환시에는 스포트 킬러 회로(40)에 입력되는 서스펜드 신호가 하이레벨을 유지하고 있기 때문에, 전원 오프시와는 달리 모드 변환시에는 스포트 킬러 회로(40)의 동작 효과를 얻을 수 없다.
따라서 종래의 CRT 보호 장치는 모드 변환시 고압 발생부(10)로부터 공급되는 제어 그리드 전압이 최대 -80V 밖에 되지 않아 전원 오프시와는 달리 그다지 뮤트 효과를 크게 볼 수 없다는 데 문제점이 있었다.
이에 따라 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 종래의 스포트 킬러 회로를 이용하여 전원 오프시는 물론 모드 변환시에도 제어 그리드에 인가되는 음(-) 전압을 크게 승압시켜 CRT의 캐소드로부터 방출된 전자를 억제함으로써 형광막에 부딪치는 전자의 량을 현저하게 감소시키는 CRT 보호 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 CRT 보호 장치는, FBT로부터 발생된 -AC 전압을 -DC 전압으로 정류하여 CRT의 제어 그리드에 공급하는 고압 발생부와 ; 정상 동작시 제 1 레벨의 뮤트 신호를 출력하다가, 전원 오프시나 혹은 모드 변환시 잠시 동안 상기 제 1 레벨과 역레벨인 제 2 레벨의 뮤트 신호를 출력하는 마이콤 ; 상기 마이콤로부터 제 1 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 상기 고압 발생부로부터 출력된 음(-) 전압을 강하시켜 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하고, 제 2 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 상기 음(-) 전압을 그대로 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하는 뮤트 신호 처리부 ; 및 상기 마이콤로부터 제 1 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 일정 전압을 충전하고, 제 2 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 음(-) 전압을 방전하여 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하는 스포트 킬러 회로로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 뮤트 신호 처리부는, 상기 고압 발생부와 CRT의 제어 그리드 사이에 병렬로 연결되어 있어, 상기 마이콤로부터 제 1 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 스위칭 온되는 제 1 스위칭부와 ; 상기 제 1 스위칭부가 온됨에 따라 상기 고압 발생부의 출력 신호를 전압 강하시켜 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하는 전압 강하부로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 스포트 킬러 회로는, 상기 마이콤으로부터 제 1 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 스위칭 온되어 전원 전압을 공급받는 제 2 스위칭부와 ; 상기 제 2 스위칭부가 온됨에 따라 공급받은 전원전압을 충전하였다가, 상기 제 2 스위칭부가 오프되면 음(-) 전압을 방전하여 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하는 충전부로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명의 장치는 전원 오프시나 혹으 모드 변환시, 마이콤으로부터 하이 레벨의 뮤트 신호를 입력받아 정상 동작시보다 음(-) 전압을 승압시켜 CRT의 제어 그리드에 공급함으로써 스포트를 현저하게 약화시키도록 된 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
제 3 도는 본 발명에 따른 CRT 보호 장치를 도시한 블록도로서, 본 발명의 장치는 고압 발생부(10), 마이콤(20), 뮤트 신호 처리부(30)와, 스포트 킬러 회로(40)로 구성되어 있다.
여기서 뮤트 신호 처리부(30)는 제 1 스위칭부(31)와 전압 강하부(32)로 구성되어 있으며, 상기 스포트 킬러 회로(40)는 제 2 스위칭부(41)와 충전부(42)로 구성되어 있다.
제 4 도는 본 발명에 따른 CRT 보호 장치의 일실시예를 도시한 회로도로서, 상기 제 1 스위칭부(31)는, 베이스단이 저항 (R1)을 통해 상기 마이콤(20)로부터 뮤트 신호를 입력받고, 에미터단이 저항(R2)를 통해 전원 전압(Vcc1)을 인가받는 PNP형 제 1 트랜지스터(Q1)와, 베이스단이 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 콜렉터단에 연결되고, 에미터단이 다이오드(D2)의 캐소드단을 통해 상기 CRT의 제어 그리드에 연결되고, 콜렉터단이 상기 고압 발생부(10)의 출력단에 연결되어 있는 PNP형 제 2 트랜지스터(Q2)로 구성되어 있으며, 상기 전압 강하부(32)는, 한쪽끝이 상기 고압 발생부(10)의 출력단과 제 2 트랜지스터(Q2)의 콜렉터단 사이에 병렬로 연결되고, 다른 한쪽끝은 상기 CRT의 제어 그리드와 상기 다이오드(D2)의 애노드단 사이에 병렬로 연결되어 있는 전압 감쇄부하(R3+R4)로 구성되어 있다.
또한 상기 제 2 스위칭부(41)는, 베이스단이 저항(R5)를 통해 마이콤(20)으로부터 뮤트 신호를 입력받고, 콜렉터단이 저항(R6)을 통해 전원 전압(Vcc2)을 공급받고, 에미터단이 접지되어 있는 NPN형 제 3 트랜지스터(Q3)와, 베이스단이 상기 저항(R6)과 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜렉터단 사이에 병렬로 연결되고, 콜렉터단이 상기 전원 전압(Vcc2)을 공급받고, 에미터단이 다이오드(D3)의 애노드단을 통해 상기 베이스단과 연결되어 있는 NPN형 제 4 트랜지스터(Q4)로 구성되어 있으며, 상기 충전부(42)는, 한쪽 끝은 상기 제 4 트랜지스터(Q4)의 에미터단과 상기 다이오드(D3)의 애노드단 사이에 병렬로 연결되고 다른 한쪽끝은 저항(R7)을 통해 상기 CRT의 제어 그리드에 연결되어 있는 커패시터(C2)와, 애노드단이 상기 커패시터(C2)와 저항(R7) 사이에 병렬로 연결되고 캐소드단이 접지되어 있는 다이오드(D4)로 구성되어 있다.
이어서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 동작 및 효과를 자세히 설명하기로 한다.
제 4 도를 참조하여 본 발명의 장치를 살펴보면, 먼저 정상 동작시, 마이콤(20)에서 출력되는 뮤트 신호가 제 1 레벨(예컨데, 본실시예에서는 로우 레벨)을 유지하므로, 상기 제 1 레벨의 뮤트 신호가 저항 (R1)를 통해 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스단에 입력되어, 전원 전압(Vcc1 : 예컨데 5V)이 저항(R2)를 통해 제 1 트랜지스터(Q1)의 에미터단으로 인가되어 콜렉터단으로 흐른다.
이때 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스단이 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 콜렉터단에 연결되어 있어, 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스단에 하이 레벨 신호가 인가되므로 제 2 트랜지스터(Q2)가 턴오프된다.
이때 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 에미터단은 다이오드(D2)의 캐소드단을 통해 제어 그리드에 연결되어 있고, 콜렉터단은 다이오드(D1)의 애노드단을 통해 FBT와 연결되어 있다.
또한 상기 다이오드(D1)와 제 2 트랜지스터(Q2)의 콜렉터단 사이에는 각각 커패시터(C1)와 저항(R3)이 각각 병렬로 연결되어 있다.
상기 커패시터(C1)의 다른 한쪽끝은 접지되어 있으며, 상기 저항(R3)의 다른 한쪽끝은 상기 다이오드(D2)의 애노드단과 제어 그리드 사이에 병렬로 연결되어 있다.
또한 상기 다이오드(D2)의 애노드단과 제어 그리드 사이에는 또 다른 저항(R4)가 병렬로 연결되어 접지되어 있다.
따라서 상기 제 2 트랜지스터(Q2)가 턴오프되어 있으므로, 다이오드(D1)를 통해 정류된 -80V의 DC 전압은 커패시터(C1)에 의해 리플이 제거된 상기 전압 강하부(32)로 흘러 저항(R3,R4)에 의해 드라이브되어 즉,(-80V) 전압이 CRT의 제어 그리드에 공급된다.
이때 상기 제어 그리드에 공급되는 전압이 약 -60V 정도의 전압이 되도록 저항값(R3,R4)을 조정한다.
한편 정상 동작시 스포트 킬러 회로(40)의 동작을 살펴보면, 상기 제 1 레벨(로우 레벨)의 뮤트 신호는 상기 저항(R5)을 통해 제 3 트랜지스터(Q3)의 베이스단에 입력되어, 제 3 트랜지스터(Q3)를 턴오프시킨다.
상기 제 3 트랜지스터(Q3)가 턴오프됨에 따라 저항(R6)에서 전압 감쇄된 전원 전압(Vcc2 : 예컨데 200V)이 모두 제 4 트랜지스터(Q4)의 베이스단에 인가되어 상기 제 4 트랜지스터(Q4)를 턴온시켜, 커패시터(C2)에 일정 전압이 충전된다.
즉, 상기 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜렉터단에는 저항(R6)를 통해 전원 전압(Vcc2)과 연결되어 있고, 에미터단은 접지되어 있다. 또한 제 4 트랜지스터(Q4)의 베이스단은 상기 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜렉터단에 연결되어 있고, 콜렉터단은 전원 전압(Vcc2)에 연결되어 있다.
이에 따라 상기 제 3 트랜지스터(Q3)가 턴오프됨에 따라 전압 공급원(Vcc2)으로부터 흐른 전류가 제 3 트랜지스터(Q3)로 흐르지 않고 제 4 트랜지스터(Q4)의 베이스단에 공급되어 제 4 트랜지스터(Q4)가 턴온된다.
이때 상기 제 4 트랜지스터(Q4)의 에미터단에 커패시터(C2)가 연결되고, 상기 커패시터(C2)의 다른 한쪽끝에는 저항(R7)를 통해 제어 그리드에 연결된다. 또한 상기 커패시터(C2)와 저항(R7) 사이에는 다이오드(D4)의 애노드단이 병렬로 연결되어 있고, 다이오드(D4)의 캐소드단은 접지되어 있다.
따라서 커패시터(C2)에는 전원 전압(Vcc2)에 제 4 트랜지스터(Q4)의 VBE전압을 뺀 값 만큼이 충전된다.
그러다가 모드 변환을 하게 되면 뮤트 신호는 순간적으로 몇 초 동안제 1 레벨과는 역레벨인 제 2 레벨(예컨데, 본 실시예에서는 하이 레벨)을 유지하게 되어, 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스단에 제 2 레벨 신호가 인가되어 제 1 트랜지스터(Q1)가 턴오프되고, 이에따라 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스단에 로우 레벨 신호가 인가됨에 따라 제 2 트랜지스터(Q2)가 턴온된다.
이에 따라 상기 고압 발생부(10)로부터 공급된 -80V의 DC 전압이 상기 전압 감쇄 부하(R3,R4)로 흐르지 않고 모두 제 2 트랜지스터(Q2)의 콜렉터단에 인가되어 에미터단을 통해 다이오드(D2)를 거쳐 CRT의 제어 그리드에 공급된다.
CRT의 제어 그리드에 -80V의 DC 전압이 공급됨에 따라 캐소드에서 방출되는 전자량을 정상 동작시(뮤트 신호가 로우 레벨이었을 때 -60V정도 였음)보다 억제함에 따라 스포트가 약화되어 화면이 어두어진다.
한편 모드 변환시 뮤트 신호가 제 2 레벨신호(하이 레벨)일 경우 스포트 킬러 회로(40)의 동작을 살펴보면, 상기 제 3 트랜지스터(Q3)의 베이스단에 제 2 레벨 신호가 인가되어 상기 제 3 트랜지스터(Q3)가 턴온됨에 따라 상기 전원 전압(Vcc2)이 모두 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜렉터단으로 흘러 에미터단을 통해 접지로 흐른다.
이에 따라 상기 제 4 트랜지스터(Q4)의 베이스단에는 구동 전압이 공급되지 않아 제 4 트랜지스터(Q4)는 턴오프되고, 그 순간 커패시터(C2)에 충전되어 있던 전압이 다이오드(D4)에 의하여 역전위되어, 순간적으로 저항(R7)를 통해 방전된다.
즉, 상기 커패시터(C2)로 부터 음(-) 전압이 방전되어 상기 CRT의 제어 그리드에 공급되면, 상기 제어 그리드의 음(-)전압이 커져 스포트를 약화시킬 수 있다.
이때 다이오드(D2,D3)는 순간 동작에 의한 제 2 트랜지스터(Q2)와 제 3 트랜지스터(Q3)의 손상을 방지하기 위한 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은, 모니터의 전원 오프시나 혹은 모드 변환시 캐소드에서 방출되는 전자를 억제하는 CRT의 제어 그리드의 음(-) 전압을 정상 동작시보다 극대화하여 형광막에 충돌하는 전자량이 감소하도록 함으로써 CRT를 보호한다는 데 그 효과가 있다.

Claims (3)

  1. FBT로부터 발생된 음(-)의 AC 전압을 음(-)의 DC 전압으로 정류하여 CRT의 제어 그리드에 공급하는 고압 발생부(10) ; 정상 동작시 제 1 레벨의 뮤트 신호를 출력하다가, 전원 오프시나 혹음 모드 변환시 일시적으로 상기 제 1 레벨과는 역레벨인 제 2 레벨의 뮤트 신호를 출력하는 마이콤(20) ; 상기 마이콤(20)으로부터 제 1 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 상기 고압 발생부(10)로부터 출력된 음(-)의 DC 전압을 강하시켜 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하고, 제 2 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 상기 음(-)의 DC 전압을 그대로 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하는 뮤트 신호 처리부(30) ; 및 상기 마이콤(20)로부터 제 1 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 일정 전압을 충전하고, 제 2 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 음(-)의 DC 전압을 방전하여 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하는 스포트 킬러 회로(40)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 CRT 보호 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 뮤트 신호 처리부(30)는, 상기 고압 발생부(10)와 CRT의 제어 그리드 사이에 병렬로 연결되어 있어, 상기 마이콤(20)로부터 제 1 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 스위칭 온되고, 제 2 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 스위칭 오프되는 제 1 스위칭부(31) ; 및 상기 제 1 스위칭부(31)가 스위칭 온됨에 따라 상기 고압 발생부(10)의 출력 신호를 전압 강하시켜 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하고, 상기 제 1 스위칭부(31)가 스위칭 오프됨에 따라 상기 고압 발생부(10)의 출력 신호를 그대로 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하는 전압 강하부(32)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 CRT 보호 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스포트 킬러 회로(40)는, 상기 마이콤(20)로부터 제 1 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 스위칭 온되어 전원 전압을 공급받고, 제 2 레벨의 뮤트 신호를 입력받으면 스위칭 오프되는제 2 스위칭부(41) ; 및 상기 제 2 스위칭부(41)가 스위침 온됨에 따라 공급받은 전원전압을 충전하였다가, 상기 제 2 스위칭부(41)가 스위칭 오프되면 충전된 음(-) 전압을 방전하여 상기 CRT의 제어 그리드에 공급하는 충전부(42)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 CRT 보호 장치.
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