JPH1074751A - 有機絶縁膜材料およびその製造方法 - Google Patents
有機絶縁膜材料およびその製造方法Info
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- JPH1074751A JPH1074751A JP22989396A JP22989396A JPH1074751A JP H1074751 A JPH1074751 A JP H1074751A JP 22989396 A JP22989396 A JP 22989396A JP 22989396 A JP22989396 A JP 22989396A JP H1074751 A JPH1074751 A JP H1074751A
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Abstract
から成る有機絶縁膜材料でありかつより高い耐熱性を有
する有機絶縁膜材料及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 下記の(1)式で示される構造単位と、
下記の(10)式で示される構造単位とから実質的に構
成される線状構造を有する有機ポリマである。この有機
絶縁膜材料は反応器に、2,2’−ビナフトールと、パ
ーフロロビフェニルと、炭酸カリウムとを入れ、さらに
N,N−ジメチルアセトアミドを加え、窒素雰囲気下、
80℃で24時間攪拌して重合反応させ、その後、反応
溶液を希塩酸に投入して沈殿を生成させ、得られた沈殿
をろ紙を用いてろ別し、洗液が中性になるまで水で洗浄
し、さらにメタノールで洗浄した後、真空乾燥器内で8
0℃で24時間乾燥させることにより製造した。 【化12】
Description
半導体装置製造時に用いる有機絶縁膜材料に関する。
にはそれを構成するトランジスタの微細化によって達成
される。しかし、今後さらに、素子が高密度に集積され
配線間隔が縮小すると、配線を伝搬する信号の遅延や隣
接配線間でのクロストークが顕著になる。そして、これ
らがLSIの高性能化を妨げる重大な要因となることが
予想される。
するための対策の一つとして、配線間を埋める絶縁膜の
誘電率を下げることが検討されている。そして、多くの
有機ポリマがシリコン酸化膜に比べかなり低い誘電率を
有するため、有機ポリマを絶縁膜材料(有機絶縁膜材
料)として用いて絶縁膜(有機絶縁膜)を形成した場
合、配線遅延やクロストークの低減効果が大きいと見ら
れている。
butene(BCBとして呼称される))から成る有機絶縁
膜材料がダウ・ケミカル(株)からCYCLOTENE
(商品名)として販売されている。この材料は、等方性
比誘電率が2.7(1MHz)であり、350℃以上の
ガラス転移温度を有し、良好な埋め込み特性を示す(文
献1:「1995 Dielectrics for VLSI/ULSI Multilevel
Inerconnection Conference(DUMIC 95),1995,pp.269-27
5. 」参照)。
料をLSIプロセスへ適用する場合には、若干の問題が
ある。すなわち、この材料はケイ素原子を含む有機ケイ
素ポリマから成るものであるため、有機絶縁膜の加工方
法であるO2 −RIE(反応性イオンエッチング)を適
用する場合、膜中のケイ素が酸化ケイ素となる。そし
て、これがエッチング残渣となる。またこの材料は35
0℃で熱分解するため、プロセス温度をこれ以下に下げ
ることが必要とされる。このため、配線工程などのよう
に400℃程度の温度を必要とするプロセスには、この
材料を使用できない。
有機ポリマから成る有機絶縁膜材料でありかつより高い
耐熱性を有する有機絶縁膜材料の出現が望まれていた。
有機絶縁膜材料の出現が望まれていた。
発明者は、以下に示す〜の公知事実に基づいて、有
機絶縁膜材料として用いることのできる有機ポリマの設
計を行った。
の耐熱性を上げることができる。
有するポリマに比べて耐熱性の点で劣るものが多いが、
線状構造を有するポリマであっても主鎖の運動を抑止す
る構造とすることにより、耐熱性を上げることができ
る。
リマの比誘電率を下げることができる。
れた、この発明の第1の有機絶縁膜材料によれば、複数
のベンゼン環を含みかつ任意の2つのベンゼン環に1つ
ずつ酸素が直接結合しているビスフェノール型構造単位
と、1または複数のベンゼン環を含みそれと前記酸素と
が直接結合して前記ビスフェノール型構造単位間を連結
しているアリール型構造単位とから構成される線状構造
を有する有機ポリマから成ることを特徴とする。ただ
し、ベンゼン環は全部または一部が縮合ベンゼン環であ
る場合も含む。縮合ベンゼン環とは、ナフタレン環、ア
ントラセン環、ピレン環などの複数の6員環から構成さ
れる縮合環のことである。なお、前記ビスフェノール型
構造単位は、有機絶縁膜材料中に2種類以上のものが存
在している場合であっても良い。同様に、前記アリール
型構造単位は、有機絶縁膜材料中に2種類以上のものが
存在している場合であっても良い。
料によれば、各構造単位中にベンゼン環(縮合ベンゼン
環の場合、ベンゼン環および縮合ベンゼン環の両方の場
合もある。)を導入してある。このため、この発明の有
機絶縁膜材料の耐熱性は高くなる。
好適実施例では、ビスフェノール型構造単位を、酸素が
直接結合しているベンゼン環同士(縮合ベンゼン環同士
の場合、ベンゼン環と縮合ベンゼン環との場合もあ
る。)が1本の単結合で結合している構造単位とした
り、酸素が直接結合しているベンゼン環同士(縮合ベン
ゼン環同士の場合、ベンゼン環と縮合ベンゼン環との場
合もある。)が多環式の脂環式化合物を介して結合して
いる構造単位としたりするのが良い。
結合しているベンゼン環同士が1本の単結合で結合して
いる構造単位とする場合、ビスフェノール型構造単位に
着目すると、2つの酸素間においてポリマの主鎖は2つ
のベンゼン環(2つの縮合ベンゼン環の場合、ベンゼン
環と縮合ベンゼン環との場合もある。)で構成され、主
鎖中にsp3 混成軌道をもつ炭素原子は導入されていな
い。このため、熱による主鎖の横ゆれ運動や変角運動な
どが抑止され、耐熱性が高くなる。このようなビスフェ
ノール型構造単位として、例えば下記の(1)式で示さ
れる2,2’−ビ−1−ナフトール(ここで示した化学
名は、酸素に水素が結合しているとき、すなわち芳香環
にヒドロキシル基が直接結合しているときの芳香族化合
物としての名称である。以下の(2)式〜(8)式にお
いて同じである。)、下記の(2)式で示される2,
2’−ビフェノール、下記の(3)式で示される4,
4’−ビフェノールを挙げることができる。すなわち、
2個の1価フェノール((1)式の場合には2個の1価
ナフトール)を有し、ベンゼン環同士((1)式の場合
にはナフタレン環同士)が1本の単結合で結合している
芳香族化合物に相当する。
が直接結合しているベンゼン環同士が多環式の脂環式化
合物を介して結合している構造単位とする場合、ビスフ
ェノール型構造単位に着目すると、2つの酸素間におい
てポリマの主鎖は2つのベンゼン環(2つの縮合ベンゼ
ン環の場合、ベンゼン環と縮合ベンゼン環との場合もあ
る。)とこの2つのベンゼン環を結合する多環式の脂環
式化合物とで構成される。この主鎖中に導入されている
多環式の脂環式化合物は堅固であるため、熱による主鎖
の横ゆれ運動や変角運動などが抑止され、耐熱性が高く
なる。このようなビスフェノール型構造単位として、例
えば下記の(4)式で示される1,3−アダマンチリデ
ンビスフェノール、下記の(5)式で示される2,5−
ノルボルニリデンビスフェノールを挙げることができ
る。すなわち、2個の1価フェノールを有し、ベンゼン
環同士が多環式の脂環式化合物を介して結合している芳
香族化合物に相当する。ここで、1,3−アダマンチリ
デンビスフェノール中の脂環式化合物は4環式であり、
2,5−ノルボルニリデンビスフェノール中の脂環式化
合物は3環式である。
よれば、1または複数のベンゼン環を含みかつ任意の1
つのベンゼン環に2つの酸素が直接結合しているビスフ
ェノール型構造単位と、1または複数のベンゼン環を含
みそれと前記酸素とが直接結合して前記ビスフェノール
型構造単位間を連結しているアリール型構造単位とから
構成される線状構造を有する有機ポリマから成ることを
特徴とする。ただし、ベンゼン環は全部または一部が縮
合ベンゼン環である場合も含む。なお、前記ビスフェノ
ール型構造単位は、有機絶縁膜材料中に2種類以上のも
のが存在している場合であっても良い。同様に、前記ア
リール型構造単位は、有機絶縁膜材料中に2種類以上の
ものが存在している場合であっても良い。
料によれば、各構造単位中にベンゼン環(縮合ベンゼン
環の場合、ベンゼン環および縮合ベンゼン環の両方の場
合もある。)を導入してある。このため、この発明の有
機絶縁膜材料の耐熱性は高くなる。また、ビスフェノー
ル型構造単位に着目すると、2つの酸素間においてポリ
マの主鎖は1つのベンゼン環(縮合ベンゼン環の場合も
ある。)で構成され、主鎖中にsp3 混成軌道をもつ炭
素原子は導入されていない。このため、熱による主鎖の
横ゆれ運動や変角運動などが抑止され、耐熱性が高くな
る。また、ビスフェノール型構造単位に着目すると、2
つの酸素間においてポリマの主鎖は1つのベンゼン環
(縮合ベンゼン環の場合もある。)で構成され、主鎖中
に単結合は導入されていない。このため、2つの酸素間
において主鎖の回転が起こらず、熱による主鎖の運動が
抑止され、耐熱性が高くなる。この発明でいうビスフェ
ノール型構造単位として、例えば下記の(6)式で示さ
れる1,5−ジヒドロキシナフタレン、下記の(7)式
で示される2,6−ジヒドロキシナフタレンを挙げるこ
とができる。すなわち、2価ナフトールに相当する。な
お、(6)式および(7)式に示すポリフェノール型構
造単位は、いずれもナフタレン環を有するものである
が、ベンゼン環(ここでは縮合ベンゼンを含まない。)
やアントラセン環を有するものであってもこの発明でい
うビスフェノール型構造単位として用いることができ
る。
好適実施例では、ビスフェノール型構造単位を、任意の
1または複数のベンゼン環(全部または一部が縮合ベン
ゼン環の場合も含む。)にフッ素が直接結合している構
造単位とするのが良い。このようなビスフェノール型構
造単位により有機絶縁膜材料を構成した場合、有機絶縁
膜材料中にフッ素が導入されるため、有機絶縁膜材料の
比誘電率は小さくなる。このようなビスフェノール型構
造単位として、例えば下記の(8)式で示される2,
3,5,6−テトラフロロ−1,4−ヒドロキノンを挙
げることができる。すなわち、フッ素置換された2価フ
ェノールに相当する。なお、(8)式に示すポリフェノ
ール型構造単位は、ベンゼン環を有するものであるが、
ナフタレン環やアントラセン環を有するものであっても
この発明でいうビスフェノール型構造単位として用いる
ことができる。
縁膜材料の好適実施例では、アリール型構造単位を、任
意の1または複数のベンゼン環(全部または一部が縮合
ベンゼン環の場合も含む。)にフッ素が直接結合してい
る構造単位とするのが良い。このようなアリール型構造
単位により有機絶縁膜材料を構成した場合、有機絶縁膜
材料中にフッ素が導入されるため、有機絶縁膜材料の比
誘電率は小さくなる。このようなアリール型構造単位と
して、例えば下記の(9)式で示される1,4−パーフ
ロロフェニレン(ここで示した化学名は、有機ポリマ中
でのフッ化アリール型構造単位としての名称である。以
下の(10)式〜(14)式において同じである。)、
下記の(10)式で示される4,4’−パーフロロビフ
ェニレン、下記の(11)式で示される1,5−パーフ
ロロナフタニレン、下記の(12)式で示される2,6
−パーフロロナフタニレン、下記の(13)式で示され
る1,6−パーフロロナフタニレン、下記の(14)式
で示される1−トリフロロメチル−2,4−トリフロロ
フェニレンを挙げることができる。
縁膜材料の分子量は、使用目的に応じて任意好適なもの
とすれば良い。ただし、この発明の有機絶縁膜材料から
成る有機絶縁膜を形成する場合、塗布法を用いるため、
塗布液の調製のし易さおよび形成される有機絶縁膜の厚
さを考慮して、分子量の上限は2000000とするの
が良い。さらに、有機絶縁膜の耐熱性を考慮して、分子
量の下限は10000とするのが良い。分子量が100
00〜2000000の範囲の場合、塗布液を調製する
ための溶剤に対する有機絶縁膜材料の溶解度が十分大き
く、従って1μm程度の厚さの有機絶縁膜を形成するこ
とが可能となる。さらに分子量が上述の範囲の場合、ガ
ラス転移点が200℃〜350℃と高いため、プロセス
温度の下限を400℃以上に保つことが可能となる。
製造方法によれば、複数のベンゼン環を含みかつ任意の
2つのベンゼン環に1つずつヒドロキシル基が直接結合
している芳香族化合物から成る第1のモノマーと、1ま
たは複数のベンゼン環を含む芳香族ハロゲン化合物であ
ってかつ任意の1または複数のベンゼン環に当該芳香族
ハロゲン化合物全体として2つ以上のハロゲンが直接結
合している芳香族ハロゲン化合物から成る第2のモノマ
ーとを、塩基性触媒の存在下で重合させることを特徴と
する。ただし、ベンゼン環は全部または一部が縮合ベン
ゼン環である場合も含む。
製造方法によれば、1または複数のベンゼン環を含みか
つ任意の1つのベンゼン環に2つのヒドロキシル基が直
接結合している芳香族化合物から成る第1のモノマー
と、1または複数のベンゼン環を含む芳香族ハロゲン化
合物であってかつ任意の1または複数のベンゼン環に当
該芳香族ハロゲン化合物全体として2つ以上のハロゲン
が直接結合している芳香族ハロゲン化合物から成る第2
のモノマーとを、塩基性触媒の存在下で重合させること
を特徴とする。ただし、ベンゼン環は全部または一部が
縮合ベンゼン環である場合も含む。
の有機絶縁膜材料を製造する場合、塩基性触媒の作用に
より反応溶液中でフェノキシドイオンとして存在してい
る第1のモノマーが、第2のモノマー中のハロゲンと置
換する。このような置換反応が第1のモノマー中の2箇
所で起こり、それぞれの位置で第2のモノマーと結合す
ることから、線状構造のポリマーが形成される。
て、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム塩または有機
塩基が挙げられる。
れぞれ説明する。しかしながら、以下の説明中で挙げる
使用材料およびその量、処理温度、処理時間、膜厚など
の数値的条件、並びに処理方法はこれら発明の範囲内の
一例に過ぎないことを理解されたい。
れるビスフェノール型構造単位と、下記の(10)式で
示されるアリール型構造単位とから構成される線状構造
を有する有機ポリマである。この有機ポリマーは主鎖が
ベンゼン環、ナフタレン環および酸素から構成されるポ
リ(アリールエーテル)である。
で製造した。先ず、攪拌機、冷却管、温度計を装着した
反応器に、第1のモノマーとしての2,2’−ビナフト
ール28.6g(0.10mol)と、第2のモノマー
としてのパーフロロビフェニル33.4g(0.10m
ol)と、塩基性触媒としての炭酸カリウム30.4g
(0.22mol)とを入れ、さらに溶媒としてのN,
N−ジメチルアセトアミドを200ml加えて、第1及
び第2のモノマー並びに塩基性触媒を溶解させた。そし
てこの反応器内を十分窒素置換した後、反応溶液を速や
かに80℃に加熱し、窒素雰囲気下で24時間攪拌して
重合反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却した
後、反応溶液を希塩酸に投入して沈殿を生成させた。こ
のようにして得られた沈殿をろ紙を用いてろ別した後、
洗液が中性になるまでこの沈殿を水で洗浄した。水で洗
浄したこの沈殿を最後にメタノールで洗浄し、風乾後、
真空乾燥器内で80℃で24時間乾燥させることによ
り、有機絶縁膜材料として、55gのポリマを得た。
均分子量は65000であった。ただし、重量平均分子
量はゲルパーミエーションクロマトグラフィにより測定
した(以下に示す各実施例においても、本実施例と同様
の方法で重量平均分子量を測定した。)。
0℃であった。ただし、ガラス転移温度は示差走査熱量
分析により求めた(以下に示す各実施例においても、本
実施例と同様の方法でガラス転移温度を求めた。)。
温度範囲における重量減少は0%(測定限界以下)であ
った。ただし、重量減少は熱重量示差熱分析により測定
した(以下に示す各実施例においても、本実施例と同様
の方法で重量減少を測定めた。)。
あった。ただし、このポリマの比誘電率は以下に示す方
法で求めた(以下に示す各実施例においても、本実施例
と同様の方法で比誘電率を求めた。)。すなわち、先
ず、このポリマ5.0gを酢酸2−メトキシエチル50
mlに溶解し、0.2μmメンブレンフィルタでろ過し
て塗布液を調製した。その後、この塗布液をシリコン基
板(抵抗率10μΩcm以下)上にスピンコートし、ホ
ットプレート上で200℃で30分間、次いで窒素雰囲
気下で360℃で1時間ベーキングを行い、厚さ0.5
0μmのこのポリマからなる膜を形成した。その後、こ
の膜の上に適当なサイズの孔(例えば、直径0.14m
m〜8.0mmの複数のサイズ)を有するステンシルマ
スクを介して、真空蒸着法によりアルミニウムを堆積さ
せた。そして、シリコン基板上に得られた金属/絶縁膜
/半導体の構造を用いて高周波(1MHz)で電気容量
測定を行い、比誘電率を求めた。
料は400℃〜500℃の温度範囲において熱分解せ
ず、耐熱性において従来材料よりも150℃以上も向上
している。従って配線間の接続孔を金属で埋め込むよう
な400℃程度の温度を必要とするプロセスにも十分に
耐え得るので、LSI用の有機絶縁膜材料として使用で
きる。また、比誘電率も2.7と小さく、この材料を用
いて絶縁膜(有機絶縁膜)を形成した場合、より一層の
信号伝搬遅延の低減効果が期待できる。従って誘電率の
低い有機絶縁膜を用いた高速LSIの開発が容易にな
る。
ンコートし、360℃で1時間ベーキングを行うことに
より作製した厚さ0.5μmのこのポリマからなる膜を
測定試料としてIR測定(IR測定には測定装置として
Biolzd社製のFTS−60(型番)を用いた。)
を行った(以下に示す各実施例においても、本実施例と
同様の方法でIR測定を行った。)。このポリマのIR
チャート中には、1610cm-1にナフタレン環のC−
C結合の伸縮振動によるブロードなピークが観察され
た。このナフタレン環のC−C結合の伸縮振動によるピ
ークは第1のモノマーに由来するピークである。また、
1500cm-1および1488cm-1にC−F結合の伸
縮振動によるピークが観察された。このC−F結合の伸
縮振動によるピークは第2のモノマーに由来するピーク
である。また、1260cm-1にC−O結合の伸縮振動
によるピークが観察された。このC−O結合の伸縮振動
によるピークは第1のモノマーと第2のモノマーとが結
合して形成されるエーテル結合に由来するピークであ
る。なお、その他のピークは、他のピークと重なってい
たり、またピーク自身が小さかったりするために、観察
できなかった。
ノマーに由来のピーク、第2のモノマーに由来のピー
ク、さらに第1のモノマーと第2のモノマーとが結合し
て形成されるエーテル結合に由来のピークが観察され
た。このことから、上述の方法で製造したポリマは、上
記の(1)式で示されるポリフェノール型構造単位と、
上記の(10)式で示されるアリール型構造単位とから
構成される有機ポリマであると考えられる。また、反応
条件を考慮すると、この有機ポリマは線状構造を有して
いると考えられる。
れるビスフェノール型構造単位と、下記の(10)式で
示されるアリール型構造単位とから構成される線状構造
を有する有機ポリマである。この有機ポリマーは主鎖が
ベンゼン環および酸素から構成されるポリ(アリールエ
ーテル)である。
ノマーとして2,2’−ビフェノールを用いた点を除い
て、第1実施例の場合と同様な方法を用いて製造した。
すなわち、攪拌機、冷却管、温度計を装着した反応器
に、第1のモノマーとしての2,2’−ビフェノール1
8.6g(0.10mol)と、第2のモノマーとして
のパーフロロビフェニル33.4g(0.10mol)
と、塩基性触媒としての炭酸カリウム30.4g(0.
22mol)とを入れ、さらに溶媒としてのN,N−ジ
メチルアセトアミドを400ml加えて、第1及び第2
のモノマー並びに塩基性触媒を溶解させた。そしてこの
反応器内を十分窒素置換した後、反応溶液を速やかに8
0℃に加熱し、窒素雰囲気下で3時間攪拌して重合反応
させた。その後、第1実施例と同じ作業を行うことによ
り、有機絶縁膜材料として、41gのポリマを得た。
均分子量は74000であった。また、このポリマのガ
ラス転移温度は230℃であった。また、このポリマの
400℃〜500℃の温度範囲における重量減少は0%
(測定限界以下)であった。また、このポリマの比誘電
率は2.65であった。
料は400℃〜500℃の温度範囲において熱分解せ
ず、耐熱性において従来材料よりも150℃以上も向上
している。従って配線間の接続孔を金属で埋め込むよう
な400℃程度の温度を必要とするプロセスにも十分に
耐え得るので、LSI用の有機絶縁膜材料として使用で
きる。また、比誘電率も2.65と小さく、この材料を
用いて絶縁膜(有機絶縁膜)を形成した場合、より一層
の信号伝搬遅延の低減効果が期待できる。従って誘電率
の低い有機絶縁膜を用いた高速LSIの開発が容易にな
る。
は、1605cm-1にベンゼン環のC−C結合の伸縮振
動によるピークが観察された。このベンゼン環のC−C
結合の伸縮振動によるピークは第1および第2のモノマ
ーの両方のモノマーに由来するピークである。また、1
500cm-1および1488cm-1にC−F結合の伸縮
振動によるピークが観察された。このC−F結合の伸縮
振動によるピークは第2のモノマーに由来するピークで
ある。また、1260cm-1にC−O結合の伸縮振動に
よるピークが観察された。このC−O結合の伸縮振動に
よるピークは第1のモノマーと第2のモノマーとが結合
して形成されるエーテル結合に由来するピークである。
また、850cm-1にベンゼン環のC−H結合の面外変
角振動によるピークが観察された。このベンゼン環のC
−H結合の面外変角振動によるピークは第1のモノマー
に由来するピークである。なお、その他のピークは、他
のピークと重なっていたり、またピーク自身が小さかっ
たりするために、観察できなかった。
ノマーに由来のピーク、第2のモノマーに由来のピー
ク、さらに第1のモノマーと第2のモノマーとが結合し
て形成されるエーテル結合に由来のピークが観察され
た。このことから、上述の方法で製造したポリマは、上
記の(2)式で示されるポリフェノール型構造単位と、
上記の(10)式で示されるアリール型構造単位とから
構成される有機ポリマであると考えられる。また、反応
条件を考慮すると、この有機ポリマは線状構造を有して
いると考えられる。
れるビスフェノール型構造単位と、下記の(10)式で
示されるアリール型構造単位とから構成される線状構造
を有する有機ポリマである。この有機ポリマーは主鎖が
ベンゼン環、環多環式の脂環式化合物および酸素から構
成されるポリ(アリールエーテル)である。
ノマーとして1,3−アダマンチリデンビスフェノール
を用いた点を除いて、第1実施例の場合と同様な方法を
用いて製造した。すなわち、攪拌機、冷却管、温度計を
装着した反応器に、第1のモノマーとしての1,3−ア
ダマンチリデンビスフェノール32.0g(0.10m
ol)と、第2のモノマーとしてのパーフロロビフェニ
ル33.4g(0.10mol)と、塩基性触媒として
の炭酸カリウム30.4g(0.22mol)とを入
れ、さらに溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミド
を400ml加えて、第1及び第2のモノマー並びに塩
基性触媒を溶解させた。そしてこの反応器内を十分窒素
置換した後、反応溶液を速やかに80℃に加熱し、窒素
雰囲気下で4.5時間攪拌して重合反応させた。その
後、第1実施例と同じ作業を行うことにより、有機絶縁
膜材料として、53gのポリマを得た。
均分子量は36000であった。また、このポリマのガ
ラス転移温度は280℃であった。また、このポリマの
400℃〜500℃の温度範囲における重量減少は0%
(測定限界以下)であった。また、このポリマの比誘電
率は2.50であった。
料は400℃〜500℃の温度範囲において熱分解せ
ず、耐熱性において従来材料よりも150℃以上も向上
している。従って配線間の接続孔を金属で埋め込むよう
な400℃程度の温度を必要とするプロセスにも十分に
耐え得るので、LSI用の有機絶縁膜材料として使用で
きる。また、比誘電率も2.50と小さく、この材料を
用いて絶縁膜(有機絶縁膜)を形成した場合、より一層
の信号伝搬遅延の低減効果が期待できる。従って誘電率
の低い有機絶縁膜を用いた高速LSIの開発が容易にな
る。
は、2920cm-1にメチレンのC−H結合の伸縮振動
が観察された。このメチレンのC−H結合の伸縮振動に
よるピークは第1のモノマーに由来するピークである。
また、1600cm-1にベンゼン環のC−C結合の伸縮
振動によるピークが観察された。このベンゼン環のC−
C結合の伸縮振動によるピークは第1および第2のモノ
マーの両方のモノマーに由来するピークである。また、
1500cm-1および1488cm-1にC−F結合の伸
縮振動によるピークが観察された。このC−F結合の伸
縮振動によるピークは第2のモノマーに由来するピーク
である。また、1260cm-1にC−O結合の伸縮振動
によるピークが観察された。このC−O結合の伸縮振動
によるピークは第1のモノマーと第2のモノマーとが結
合して形成されるエーテル結合に由来するピークであ
る。また、840cm-1にベンゼン環のC−H結合の面
外変角振動によるピークが観察された。このベンゼン環
のC−H結合の面外変角振動によるピークは第1のモノ
マーに由来するピークである。なお、その他のピーク
は、他のピークと重なっていたり、またピーク自身が小
さかったりするために、観察できなかった。
ノマーに由来のピーク、第2のモノマーに由来のピー
ク、さらに第1のモノマーと第2のモノマーとが結合し
て形成されるエーテル結合に由来のピークが観察され
た。このことから、上述の方法で製造したポリマは、上
記の(4)式で示されるポリフェノール型構造単位と、
上記の(10)式で示されるアリール型構造単位とから
構成される有機ポリマであると考えられる。また、反応
条件を考慮すると、この有機ポリマは線状構造を有して
いると考えられる。
れるビスフェノール型構造単位と、下記の(10)式で
示されるアリール型構造単位とから構成される線状構造
を有する有機ポリマである。この有機ポリマーは、主鎖
がベンゼン環、ナフタレン環および酸素から構成される
ポリ(アリールエーテル)である。
ノマーとして1,5−ジヒドロキシナフタレンを用いた
点を除いて、第1実施例の場合と同様な方法を用いて製
造した。すなわち、攪拌機、冷却管、温度計を装着した
反応器に、第1のモノマーとしての1,5−ジヒドロキ
シナフタレン16.0g(0.10mol)と、第2の
モノマーとしてのパーフロロビフェニル33.4g
(0.10mol)と、塩基性触媒としての炭酸カリウ
ム30.4g(0.22mol)とを入れ、さらに溶媒
としてのN,N−ジメチルアセトアミドを400ml加
えて、第1及び第2のモノマー並びに塩基性触媒を溶解
させた。そしてこの反応器内を十分窒素置換した後、反
応溶液を速やかに100℃に加熱し、窒素雰囲気下で3
時間攪拌して重合反応させた。その後、第1実施例と同
じ作業を行うことにより、有機絶縁膜材料として、28
gのポリマを得た。
均分子量は11000であった。また、このポリマのガ
ラス転移温度は210℃であった。また、このポリマの
400℃〜500℃の温度範囲における重量減少は0%
(測定限界以下)であった。また、このポリマの比誘電
率は2.75であった。
料は400℃〜500℃の温度範囲において熱分解せ
ず、耐熱性において従来材料よりも150℃以上も向上
している。従って配線間の接続孔を金属で埋め込むよう
な400℃程度の温度を必要とするプロセスにも十分に
耐え得るので、LSI用の有機絶縁膜材料として使用で
きる。また、比誘電率も2.75と小さく、この材料を
用いて絶縁膜(有機絶縁膜)を形成した場合、より一層
の信号伝搬遅延の低減効果が期待できる。従って誘電率
の低い有機絶縁膜を用いた高速LSIの開発が容易にな
る。
は、1620cm-1にナフタレン環のC−C結合の伸縮
振動によるブロードなピークが観察された。このベンゼ
ン環のC−C結合の伸縮振動によるピークは第1のモノ
マーに由来するピークである。また、1500cm-1お
よび1488cm-1にC−F結合の伸縮振動によるピー
クが観察された。このC−F結合の伸縮振動によるピー
クは第2のモノマーに由来するピークである。また、1
260cm-1にC−O結合の伸縮振動によるピークが観
察された。このC−O結合の伸縮振動によるピークは第
1のモノマーと第2のモノマーとが結合して形成される
エーテル結合に由来するピークである。なお、その他の
ピークは、他のピークと重なっていたり、またピーク自
身が小さかったりするために、観察できなかった。
ノマーに由来のピーク、第2のモノマーに由来のピー
ク、さらに第1のモノマーと第2のモノマーとが結合し
て形成されるエーテル結合に由来のピークが観察され
た。このことから、上述の方法で製造したポリマは、上
記の(6)式で示されるポリフェノール型構造単位と、
上記の(10)式で示されるアリール型構造単位とから
構成される有機ポリマであると考えられる。また、反応
条件を考慮すると、この有機ポリマは線状構造を有して
いると考えられる。
れるビスフェノール型構造単位と、下記の(10)式で
示されるアリール型構造単位とから構成される線状構造
を有する有機ポリマである。この有機ポリマーは主鎖が
ベンゼン環、ナフタレン環および酸素から構成されるポ
リ(アリールエーテル)である。
ノマーとして2,6−ジヒドロキシナフタレンを用いた
点を除いて、第1実施例の場合と同様な方法を用いて製
造した。すなわち、攪拌機、冷却管、温度計を装着した
反応器に、第1のモノマーとしての2,6−ジヒドロキ
シナフタレン16.0g(0.10mol)と、第2の
モノマーとしてのパーフロロビフェニル33.4g
(0.10mol)と、塩基性触媒としての炭酸カリウ
ム30.4g(0.22mol)とを入れ、さらに溶媒
としてのN,N−ジメチルアセトアミドを400ml加
えて、第1及び第2のモノマー並びに塩基性触媒を溶解
させた。そしてこの反応器内を十分窒素置換した後、反
応溶液を速やかに100℃に加熱し、窒素雰囲気下で3
時間攪拌して重合反応させた。その後、第1実施例と同
じ作業を行うことにより、有機絶縁膜材料として、32
gのポリマを得た。
均分子量は43000であった。また、このポリマのガ
ラス転移温度は230℃であった。また、このポリマの
400℃〜500℃の温度範囲における重量減少は0%
(測定限界以下)であった。また、このポリマの比誘電
率は2.95であった。
料は400℃〜500℃の温度範囲において熱分解せ
ず、耐熱性において従来材料よりも150℃以上も向上
している。従って配線間の接続孔を金属で埋め込むよう
な400℃程度の温度を必要とするプロセスにも十分に
耐え得るので、LSI用の有機絶縁膜材料として使用で
きる。
は、1615cm-1にナフタレン環のC−C結合の伸縮
振動によるブロードなピークが観察された。このベンゼ
ン環のC−C結合の伸縮振動によるピークは第1のモノ
マーに由来するピークである。また、1500cm-1お
よび1488cm-1にC−F結合の伸縮振動によるピー
クが観察された。このC−F結合の伸縮振動によるピー
クは第2のモノマーに由来するピークである。また、1
260cm-1にC−O結合の伸縮振動によるピークが観
察された。このC−O結合の伸縮振動によるピークは第
1のモノマーと第2のモノマーとが結合して形成される
エーテル結合に由来するピークである。なお、その他の
ピークは、他のピークと重なっていたり、またピーク自
身が小さかったりするために、観察できなかった。
ノマーに由来のピーク、第2のモノマーに由来のピー
ク、さらに第1のモノマーと第2のモノマーとが結合し
て形成されるエーテル結合に由来のピークが観察され
た。このことから、上述の方法で製造したポリマは、上
記の(7)式で示されるポリフェノール型構造単位と、
上記の(10)式で示されるアリール型構造単位とから
構成される有機ポリマであると考えられる。また、反応
条件を考慮すると、この有機ポリマは線状構造を有して
いると考えられる。
れるビスフェノール型構造単位と、下記の(10)式で
示されるアリール型構造単位とから構成される線状構造
を有する有機ポリマである。この有機ポリマーは主鎖が
ベンゼン環および酸素から構成されるポリ(アリールエ
ーテル)である。
ノマーとして2,3,5,6−テトラフロロ−1,4−
ヒドロキノンを用いた点を除いて、第1実施例の場合と
同様な方法を用いて製造した。すなわち、攪拌機、冷却
管、温度計を装着した反応器に、第1のモノマーとして
の2,3,5,6−テトラフロロ−1,4−ヒドロキノ
ン18.2g(0.10mol)と、第2のモノマーと
してのパーフロロビフェニル33.4g(0.10mo
l)と、塩基性触媒としての炭酸カリウム30.4g
(0.22mol)とを入れ、さらに溶媒としてのN,
N−ジメチルアセトアミドを400ml加えて、第1及
び第2のモノマー並びに塩基性触媒を溶解させた。そし
てこの反応器内を十分窒素置換した後、反応溶液を速や
かに80℃に加熱し、窒素雰囲気下で3時間攪拌して重
合反応させた。その後、第1実施例と同じ作業を行うこ
とにより、有機絶縁膜材料として、38gのポリマを得
た。
均分子量は43000であった。また、このポリマのガ
ラス転移温度は230℃であった。また、このポリマの
400℃〜500℃の温度範囲における重量減少は0%
(測定限界以下)であった。また、このポリマの比誘電
率は2.45であった。
料は400℃〜500℃の温度範囲において熱分解せ
ず、耐熱性において従来材料よりも150℃以上も向上
している。従って配線間の接続孔を金属で埋め込むよう
な400℃程度の温度を必要とするプロセスにも十分に
耐え得るので、LSI用の有機絶縁膜材料として使用で
きる。また、比誘電率も2.45と小さく、この材料を
用いて絶縁膜(有機絶縁膜)を形成した場合、より一層
の信号伝搬遅延の低減効果が期待できる。従って誘電率
の低い有機絶縁膜を用いた高速LSIの開発が容易にな
る。
は、1500cm-1および1487cm-1にC−F結合
の伸縮振動によるピークが観察された。このC−F結合
の伸縮振動によるピークは第1および第2のモノマーの
両方のモノマーに由来するピークである。また、125
5cm-1にC−O結合の伸縮振動によるピークが観察さ
れた。このC−O結合の伸縮振動によるピークは第1の
モノマーと第2のモノマーとが結合して形成されるエー
テル結合に由来するピークである。なお、その他のピー
クは、他のピークと重なっていたり、またピーク自身が
小さかったりするために、観察できなかった。
ノマーに由来のピーク、第2のモノマーに由来のピー
ク、さらに第1のモノマーと第2のモノマーとが結合し
て形成されるエーテル結合に由来のピークが観察され
た。このことから、上述の方法で製造したポリマは、上
記の(8)式で示されるポリフェノール型構造単位と、
上記の(10)式で示されるアリール型構造単位とから
構成される有機ポリマであると考えられる。また、反応
条件を考慮すると、この有機ポリマは線状構造を有して
いると考えられる。
るために、その成膜方法として、回転塗布法、浸漬法、
吹き付け法、プレス法などを用いることができる。
て、Cu、Al、Wなどの配線金属や、酸化膜などが設
けられている基板などを用いることができる。
発明の第1の有機絶縁膜材料は、2つのベンゼン環(2
つの縮合ベンゼン環の場合、ベンゼン環と縮合ベンゼン
環との場合もある。)に1つずつ酸素が直接結合してい
るビスフェノール型構造単位とアリール型構造単位とか
ら構成される有機ポリマである。すなわち、この発明の
第1の有機絶縁膜材料の各構造単位中にはベンゼン環
(縮合ベンゼン環の場合、ベンゼン環および縮合ベンゼ
ン環の両方の場合もある。)が導入されている。このた
め、この発明の有機絶縁膜材料は、高い耐熱性を有して
いる。
は、ビスフェノール型構造単位を、酸素が直接結合して
いるベンゼン環同士(縮合ベンゼン環同士の場合、ベン
ゼン環と縮合ベンゼン環との場合もある。)が1本の単
結合で結合している構造単位とした場合や、酸素が直接
結合しているベンゼン環同士(縮合ベンゼン環同士の場
合、ベンゼン環と縮合ベンゼン環との場合もある。)が
多環式の脂環式化合物を介して結合している構造単位と
した場合には、主鎖の運動が抑止され、耐熱性がさらに
高くなる。
は、1つのベンゼン環(縮合ベンゼン環の場合もあ
る。)に2つの酸素が直接結合しているビスフェノール
型構造単位とアリール型構造単位とから構成される有機
ポリマである。すなわち、この発明の第2の有機絶縁膜
材料の各構造単位中にはベンゼン環(縮合ベンゼン環の
場合、ベンゼンン環および縮合ベンゼン環の両方の場合
もある。)が導入されている。このため、この発明の有
機絶縁膜材料は、高い耐熱性を有している。また、ビス
フェノール型構造単位に着目すると、2つの酸素間にお
いてポリマの主鎖は1つのベンゼン環(縮合ベンゼン環
の場合もある。)で構成され、主鎖中にsp3混成軌道
をもつ炭素原子は導入されていないため、熱による主鎖
の横ゆれ運動や変角運動などが抑止される。このため、
この発明の有機絶縁膜材料は、高い耐熱性を有してい
る。また、ビスフェノール型構造単位に着目すると、2
つの酸素間においてポリマの主鎖は1つのベンゼン環
(縮合ベンゼン環の場合もある。)で構成され、主鎖中
に単結合は導入されていないため、2つの酸素間におい
て主鎖の回転が起こらず、熱による主鎖の運動が抑止さ
れる。このため、この発明の有機絶縁膜材料は、耐熱性
が高くなる。
は、ビスフェノール型構造単位を、任意の1または複数
のベンゼン環(全部または一部が縮合ベンゼン環の場合
も含む。)にフッ素が直接結合している構造単位とした
場合、有機絶縁膜材料中にフッ素が導入されるため、有
機絶縁膜材料の比誘電率は小さくなる。
縁膜材料では、アリール型構造単位を、任意の1または
複数のベンゼン環(全部または一部が縮合ベンゼン環の
場合も含む。)にフッ素が直接結合している構造単位と
した場合、有機絶縁膜材料中にフッ素が導入されるた
め、有機絶縁膜材料の比誘電率は小さくなる。
は、複数のベンゼン環(全部または一部が縮合ベンゼン
環である場合も含む。)を含みかつ任意の2つのベンゼ
ン環に1つずつヒドロキシル基が直接結合している芳香
族化合物から成る第1のモノマーと、1または複数のベ
ンゼン環(全部または一部が縮合ベンゼン環である場合
も含む。)を含む芳香族ハロゲン化合物であってかつ任
意の1または複数のベンゼン環に当該芳香族ハロゲン化
合物全体として2つ以上のハロゲンが直接結合している
芳香族ハロゲン化合物から成る第2のモノマーとを、塩
基性触媒の存在下で重合させることにより容易に製造す
ることができる。
は、1または複数のベンゼン環(全部または一部が縮合
ベンゼン環である場合も含む。)を含みかつ任意の1つ
のベンゼン環に2つのヒドロキシル基が直接結合してい
る芳香族化合物から成る第1のモノマーと、1または複
数のベンゼン環(全部または一部が縮合ベンゼン環であ
る場合も含む。)を含む芳香族ハロゲン化合物であって
かつ任意の1または複数のベンゼン環に当該芳香族ハロ
ゲン化合物全体として2つ以上のハロゲンが直接結合し
ている芳香族ハロゲン化合物から成る第2のモノマーと
を、塩基性触媒の存在下で重合させることにより容易に
製造することができる。
Claims (8)
- 【請求項1】 複数のベンゼン環を含みかつ任意の2つ
のベンゼン環に1つずつ酸素が直接結合しているビスフ
ェノール型構造単位と、 1または複数のベンゼン環を含みそれと前記酸素とが直
接結合して前記ビスフェノール型構造単位間を連結して
いるアリール型構造単位とから構成される線状構造を有
する有機ポリマから成ることを特徴とする有機絶縁膜材
料(ただし、ベンゼン環は全部または一部が縮合ベンゼ
ン環である場合も含む。)。 - 【請求項2】 請求項1に記載の有機絶縁膜材料におい
て、前記ビスフェノール型構造単位を、前記酸素が直接
結合しているベンゼン環同士が1本の単結合で結合して
いる構造単位としたことを特徴とする有機絶縁膜材料。 - 【請求項3】 請求項1に記載の有機絶縁膜材料におい
て、前記ビスフェノール型構造単位を、前記酸素が直接
結合しているベンゼン環同士が多環式の脂環式化合物を
介して結合している構造単位としたことを特徴とする有
機絶縁膜材料。 - 【請求項4】 1または複数のベンゼン環を含みかつ任
意の1つのベンゼン環に2つの酸素が直接結合している
ビスフェノール型構造単位と、 1または複数のベンゼン環を含みそれと前記酸素とが直
接結合して前記ビスフェノール型構造単位間を連結して
いるアリール型構造単位とから構成される線状構造を有
する有機ポリマから成ることを特徴とする有機絶縁膜材
料(ただし、ベンゼン環は全部または一部が縮合ベンゼ
ン環である場合も含む。)。 - 【請求項5】 請求項4に記載の有機絶縁膜材料におい
て、前記ビスフェノール型構造単位を、任意の1または
複数のベンゼン環にフッ素が直接結合している構造単位
としたことを特徴とする有機絶縁膜材料。 - 【請求項6】 請求項1または4に記載の有機絶縁膜材
料において、前記アリール型構造単位を、任意の1また
は複数のベンゼン環にフッ素が直接結合している構造単
位としたことを特徴とする有機絶縁膜材料。 - 【請求項7】 請求項1に記載の有機絶縁膜材料を製造
するに当たり、複数のベンゼン環を含みかつ任意の2つ
のベンゼン環に1つずつヒドロキシル基が直接結合して
いる芳香族化合物から成る第1のモノマーと、 1または複数のベンゼン環を含む芳香族ハロゲン化合物
であってかつ任意の1または複数のベンゼン環に当該芳
香族ハロゲン化合物全体として2つ以上のハロゲンが直
接結合している芳香族ハロゲン化合物から成る第2のモ
ノマーとを、 塩基性触媒の存在下で重合させることを特徴とする有機
絶縁膜材料の製造方法(ただし、ベンゼン環は全部また
は一部が縮合ベンゼン環である場合も含む。)。 - 【請求項8】 請求項4に記載の有機絶縁膜材料を製造
するに当たり、1または複数のベンゼン環を含みかつ任
意の1つのベンゼン環に2つのヒドロキシル基が直接結
合している芳香族化合物から成る第1のモノマーと、 1または複数のベンゼン環を含む芳香族ハロゲン化合物
であってかつ任意の1または複数のベンゼン環に当該芳
香族ハロゲン化合物全体として2つ以上のハロゲンが直
接結合している芳香族ハロゲン化合物から成る第2のモ
ノマーとを、 塩基性触媒の存在下で重合させることを特徴とする有機
絶縁膜材料の製造方法(ただし、ベンゼン環は全部また
は一部が縮合ベンゼン環である場合も含む。)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22989396A JP3195248B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 有機絶縁膜材料およびその製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22989396A JP3195248B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 有機絶縁膜材料およびその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1074751A true JPH1074751A (ja) | 1998-03-17 |
JP3195248B2 JP3195248B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=16899381
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP22989396A Expired - Fee Related JP3195248B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 有機絶縁膜材料およびその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113809246A (zh) * | 2020-06-15 | 2021-12-17 | Tcl科技集团股份有限公司 | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP22989396A patent/JP3195248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN113809246A (zh) * | 2020-06-15 | 2021-12-17 | Tcl科技集团股份有限公司 | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 |
CN113809246B (zh) * | 2020-06-15 | 2024-06-11 | Tcl科技集团股份有限公司 | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 |
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