JPH1074059A - プラズマディスプレイの駆動装置 - Google Patents
プラズマディスプレイの駆動装置Info
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- JPH1074059A JPH1074059A JP8229916A JP22991696A JPH1074059A JP H1074059 A JPH1074059 A JP H1074059A JP 8229916 A JP8229916 A JP 8229916A JP 22991696 A JP22991696 A JP 22991696A JP H1074059 A JPH1074059 A JP H1074059A
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- potential
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- Control Of Gas Discharge Display Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で安価なプラズマディスプレイ(PD)
の駆動装置を提供する。 【解決手段】 高電圧パルスPhを生成する高電圧パル
ス発生器62の出力信号は、電極駆動回路70の端子7
1,72に与えられる。ラッチ回路78の出力データD
1〜D64に応じて各NMOS80がオン/オフする。
NMOS80がオンすると、高電圧パルス発生器62の
出力信号の電位によってダイオード81または82が順
方向になり、出力端子76−1〜76−64には、高電
圧パルスPhの電位が印加される。オフしたNMOS8
0においては、ダイオード82が順方向になることはな
く、出力端子76−1〜76−64の電位が高電圧パル
ス発生器62の出力信号の電位よりも高い場合には、該
出力端子76−1〜76−64はハイインピーダンス状
態になってハイインピーダンス前の電位に保持される。
の駆動装置を提供する。 【解決手段】 高電圧パルスPhを生成する高電圧パル
ス発生器62の出力信号は、電極駆動回路70の端子7
1,72に与えられる。ラッチ回路78の出力データD
1〜D64に応じて各NMOS80がオン/オフする。
NMOS80がオンすると、高電圧パルス発生器62の
出力信号の電位によってダイオード81または82が順
方向になり、出力端子76−1〜76−64には、高電
圧パルスPhの電位が印加される。オフしたNMOS8
0においては、ダイオード82が順方向になることはな
く、出力端子76−1〜76−64の電位が高電圧パル
ス発生器62の出力信号の電位よりも高い場合には、該
出力端子76−1〜76−64はハイインピーダンス状
態になってハイインピーダンス前の電位に保持される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、無効電力を回収し
つつ、高電圧パルスを発生する高電圧パルス発生器を備
えたプラズマディスプレイ(以下、PDという)の駆動
装置に関するものである。
つつ、高電圧パルスを発生する高電圧パルス発生器を備
えたプラズマディスプレイ(以下、PDという)の駆動
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、次の文献等に記載されるものがある。 文献1;SID 87 DIGEST 、(1987)(米国)L.F.We
ber and M.B.Wood“Energy Recovery Sustain Circuit
for the AC Plasma Display ”P.92-95 文献2;特開平6−130914号公報 図2は、前記文献1に記載された従来の高電圧パルス発
生器の回路図である。この高電圧パルス発生器は、負荷
容量CL に比べて十分大きい容量値を有するコンデンサ
1を備えている。コンデンサ1の一方の電極は、接地電
位Vssに接続されている。コンデンサ1の他方の電極
には、該コンデンサ1から負荷容量CL を充電するため
のスイッチの役割を果たすPチャネル型MOSトランジ
スタ(以下、PMOSという)2及びダイオード3と、
該コンデンサ1から負荷容量CL を放電するためのスイ
ッチの役割を果たすダイオード4及びNチャネル型MO
Sトランジスタ(以下、NMOSという)5とが、ルー
プ状に接続されている。ダイオード3とダイオード4と
の接続ノードN1には、充放電時に負荷容量CL と共振
回路を構成して無効電力を回収するためのインダクタ6
の一方の電極が接続されている。インダクタ6の他方の
電極には、出力電圧を電源電位V0 に固定するためのP
MOS7と、出力電圧を接地電位Vssに固定するため
のNMOS8と、出力端子9とが接続されている。出力
端子9に接続される負荷容量CLは、プラズマディスプ
レイパネル(以下、PDPという)における電極の対向
容量や線間容量等の寄生容量である。駆動周波数をf0
とすると、通常ならばf0・CL ・V0 2 の電力が無駄
に消費される。ところが、この高電圧パルス発生器は、
負荷容量CL に起因した無効電力を回収するものであ
り、その動作を図3及び図4を参照しつつ説明する。
例えば、次の文献等に記載されるものがある。 文献1;SID 87 DIGEST 、(1987)(米国)L.F.We
ber and M.B.Wood“Energy Recovery Sustain Circuit
for the AC Plasma Display ”P.92-95 文献2;特開平6−130914号公報 図2は、前記文献1に記載された従来の高電圧パルス発
生器の回路図である。この高電圧パルス発生器は、負荷
容量CL に比べて十分大きい容量値を有するコンデンサ
1を備えている。コンデンサ1の一方の電極は、接地電
位Vssに接続されている。コンデンサ1の他方の電極
には、該コンデンサ1から負荷容量CL を充電するため
のスイッチの役割を果たすPチャネル型MOSトランジ
スタ(以下、PMOSという)2及びダイオード3と、
該コンデンサ1から負荷容量CL を放電するためのスイ
ッチの役割を果たすダイオード4及びNチャネル型MO
Sトランジスタ(以下、NMOSという)5とが、ルー
プ状に接続されている。ダイオード3とダイオード4と
の接続ノードN1には、充放電時に負荷容量CL と共振
回路を構成して無効電力を回収するためのインダクタ6
の一方の電極が接続されている。インダクタ6の他方の
電極には、出力電圧を電源電位V0 に固定するためのP
MOS7と、出力電圧を接地電位Vssに固定するため
のNMOS8と、出力端子9とが接続されている。出力
端子9に接続される負荷容量CLは、プラズマディスプ
レイパネル(以下、PDPという)における電極の対向
容量や線間容量等の寄生容量である。駆動周波数をf0
とすると、通常ならばf0・CL ・V0 2 の電力が無駄
に消費される。ところが、この高電圧パルス発生器は、
負荷容量CL に起因した無効電力を回収するものであ
り、その動作を図3及び図4を参照しつつ説明する。
【0003】図3は図2の共振回路の等価回路図、及び
図4は図2の動作波形図である。高電圧パルス発生器の
出力電圧を立上げる場合、図4に示すようにPMOS2
をオン状態にして、図3に示す等価回路を形成する。イ
ンダクタ6及び負荷容量CL は、共振回路を構成し、該
共振回路によって出力電圧が上昇する。このとき、PM
OS7をオン状態にすると、出力電圧がV0 に固定され
る。逆に出力電圧を立下げる場合、NMOS5をオン状
態にして図3の共振回路を形成する。この共振回路によ
って出力電圧が接地電位Vssに向かって立下がり、N
MOS8をオン状態にすることで、出力電圧がVssに
固定される。これらの一連の動作は、共振回路の動作で
あり、負荷容量CL を充電したエネルギーが再びコンデ
ンサ1に回収される。また、この動作によって、コンデ
ンサ1の電位は自動的にV0/2に固定される。この種
の高電圧パルス発生器を用い、複数の電極に別々のパル
スを加えるPDの駆動装置が、前記文献2に記載されて
いる。
図4は図2の動作波形図である。高電圧パルス発生器の
出力電圧を立上げる場合、図4に示すようにPMOS2
をオン状態にして、図3に示す等価回路を形成する。イ
ンダクタ6及び負荷容量CL は、共振回路を構成し、該
共振回路によって出力電圧が上昇する。このとき、PM
OS7をオン状態にすると、出力電圧がV0 に固定され
る。逆に出力電圧を立下げる場合、NMOS5をオン状
態にして図3の共振回路を形成する。この共振回路によ
って出力電圧が接地電位Vssに向かって立下がり、N
MOS8をオン状態にすることで、出力電圧がVssに
固定される。これらの一連の動作は、共振回路の動作で
あり、負荷容量CL を充電したエネルギーが再びコンデ
ンサ1に回収される。また、この動作によって、コンデ
ンサ1の電位は自動的にV0/2に固定される。この種
の高電圧パルス発生器を用い、複数の電極に別々のパル
スを加えるPDの駆動装置が、前記文献2に記載されて
いる。
【0004】図5は、前記文献2に記載された従来のP
Dの駆動装置を示す構成図である。このPDの駆動装置
は、クロック信号CK、データDA、及びラッチイネー
ブル信号LE等を出力するゲートアレイ11と、該ゲー
トアレイ11によってタイミング調整される高電圧パル
ス発生器12とを備えている。この高電圧パルス発生器
12は、図2のような回路で構成され、高電圧パルスP
hを出力して駆動集積回路(以下、ドライバICとい
う)20の高電圧電源端子21へ供給するようになって
いる。ドライバIC20は、例えば、64ビットのシフ
トレジスタ22と、該64ビットのシフトレジスタ22
の出力側に接続された64ビットのラッチ回路23とを
有している。ラッチ回路23の各ビットの出力側には、
64個のレベル変換器24がそれぞれ接続されている。
各レベル変換器24の出力側は、64個のPMOS25
のゲートにそれぞれ接続されている。各PMOS25の
ソースは、高電圧電源端子21に共通に接続され、該各
PMOS25のドレインは、64個のNMOS26のド
レインにそれぞれ接続される共に、64個の出力端子2
7−1〜27−64にそれぞれ接続されている。各NM
OS26のソースは、接地電位Vssに共通に接続され
ると共に、ゲートがラッチ回路23の64ビットの各出
力側に接続されいている。64個の出力端子27−1〜
27−64は、PDPの表示電極に接続されている。
Dの駆動装置を示す構成図である。このPDの駆動装置
は、クロック信号CK、データDA、及びラッチイネー
ブル信号LE等を出力するゲートアレイ11と、該ゲー
トアレイ11によってタイミング調整される高電圧パル
ス発生器12とを備えている。この高電圧パルス発生器
12は、図2のような回路で構成され、高電圧パルスP
hを出力して駆動集積回路(以下、ドライバICとい
う)20の高電圧電源端子21へ供給するようになって
いる。ドライバIC20は、例えば、64ビットのシフ
トレジスタ22と、該64ビットのシフトレジスタ22
の出力側に接続された64ビットのラッチ回路23とを
有している。ラッチ回路23の各ビットの出力側には、
64個のレベル変換器24がそれぞれ接続されている。
各レベル変換器24の出力側は、64個のPMOS25
のゲートにそれぞれ接続されている。各PMOS25の
ソースは、高電圧電源端子21に共通に接続され、該各
PMOS25のドレインは、64個のNMOS26のド
レインにそれぞれ接続される共に、64個の出力端子2
7−1〜27−64にそれぞれ接続されている。各NM
OS26のソースは、接地電位Vssに共通に接続され
ると共に、ゲートがラッチ回路23の64ビットの各出
力側に接続されいている。64個の出力端子27−1〜
27−64は、PDPの表示電極に接続されている。
【0005】図6は、図5のPDPの動作波形図であ
る。ゲートアレイ11からクロック信号CK及びデータ
DAが出力されると共に、このゲートアレイ11でタイ
ミング調整された高電圧パルスPhが、高電圧パルス発
生器12から出力される。高電圧パルスPhは、ドライ
バIC20の高電圧電源端子21に与えられる。ドライ
バIC20内のシフトレジスタ22には、点灯の有無に
対応する論理“1”または“0”のデータDAが、ゲー
トアレイ11から入力される。ラッチ回路23は、ゲー
トアレイ11からのラッチイネーブル信号LEが与えら
れると、シフトレジスタ22が出力するパラレルデータ
をラッチする。例えば、出力端子27−1に対応するラ
ッチ回路23のビット出力データが“1”になった場
合、この出力端子27−1に接続されたPMOS25が
オン状態になり、かつ、それに接続されたNMOS26
がオフ状態になる。よって、出力端子27−1には、高
電圧電源端子21に供給された高電圧パルスPhの電位
が現われる。逆に、出力端子27−2のように、対応す
るラッチ回路23のビット出力データが“0”になった
場合、該出力端子27−2に接続されたPMOS25が
オフ状態になり、かつ、それに接続されたNMOS26
がオン状態になる。よって、出力端子27−2は接地電
位Vssにクランプされる。
る。ゲートアレイ11からクロック信号CK及びデータ
DAが出力されると共に、このゲートアレイ11でタイ
ミング調整された高電圧パルスPhが、高電圧パルス発
生器12から出力される。高電圧パルスPhは、ドライ
バIC20の高電圧電源端子21に与えられる。ドライ
バIC20内のシフトレジスタ22には、点灯の有無に
対応する論理“1”または“0”のデータDAが、ゲー
トアレイ11から入力される。ラッチ回路23は、ゲー
トアレイ11からのラッチイネーブル信号LEが与えら
れると、シフトレジスタ22が出力するパラレルデータ
をラッチする。例えば、出力端子27−1に対応するラ
ッチ回路23のビット出力データが“1”になった場
合、この出力端子27−1に接続されたPMOS25が
オン状態になり、かつ、それに接続されたNMOS26
がオフ状態になる。よって、出力端子27−1には、高
電圧電源端子21に供給された高電圧パルスPhの電位
が現われる。逆に、出力端子27−2のように、対応す
るラッチ回路23のビット出力データが“0”になった
場合、該出力端子27−2に接続されたPMOS25が
オフ状態になり、かつ、それに接続されたNMOS26
がオン状態になる。よって、出力端子27−2は接地電
位Vssにクランプされる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高電圧パルス発生器を用いたPDの駆動装置では、次の
ような課題があった。ドライバIC20の各出力段に
は、一対のPMOS25及びNMOS26が設けられて
いる。これらPMOS25及びNMOS26は、高耐圧
にする必要があると共に大電流駆動を行うため、セル面
積を大きくしなければならない。そのため、複数の出力
端子27−1〜27−64を有するドライバIC20の
チップ構成面積が大きくなり、駆動装置全体が大型化す
ると共に、コスト高になっていた。本発明は、従来技術
が持っていた課題を解決し、小型で安価なPDの駆動装
置を提供するものである。
高電圧パルス発生器を用いたPDの駆動装置では、次の
ような課題があった。ドライバIC20の各出力段に
は、一対のPMOS25及びNMOS26が設けられて
いる。これらPMOS25及びNMOS26は、高耐圧
にする必要があると共に大電流駆動を行うため、セル面
積を大きくしなければならない。そのため、複数の出力
端子27−1〜27−64を有するドライバIC20の
チップ構成面積が大きくなり、駆動装置全体が大型化す
ると共に、コスト高になっていた。本発明は、従来技術
が持っていた課題を解決し、小型で安価なPDの駆動装
置を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの請求項1の発明は、所定のタイミン
グで高電圧パルスを出力信号に形成する高電圧パルス発
生器と、PDPの複数の電極にそれぞれ接続された複数
の出力端子を有し、該各出力端子に対応する複数の制御
信号に基いたタイミングで前記出力信号の電位を該各出
力端子に与え、該複数の電極をそれぞれ電圧駆動する電
極駆動回路とを、備えたPDの駆動装置において、前記
電極駆動回路を次のように構成している。即ち、前記電
極駆動回路は、前記出力信号を共通に入力する第1のパ
ルス入力端子及び第2のパルス入力端子と、前記第1の
パルス入力端子にアノードが接続されると共にカソード
が前記各出力端子にそれぞれ接続され、該アノードと該
カソード間が順方向電位になったとき前記出力信号の電
位を該各出力端子にそれぞれ与える複数の第1のダイオ
ードと、前記各出力端子にそれぞれ接続された第1電極
と第2電極と制御電極とを有し、該制御電極に与えられ
た前記各制御信号に選択されて該第1電極と該第2電極
の間がオンまたはオフする複数のトランジスタと、前記
各トランジスタの第2電極にアノードがそれぞれ接続さ
れると共にカソードが前記第2のパルス入力端子に接続
され、該アノードと該カソード間が順方向電位になった
ときに、前記各トランジスタを介して前記出力信号の電
位を前記各出力端子にそれぞれ与える複数の第2のダイ
オードとを、有する構成にしている。
に、本発明のうちの請求項1の発明は、所定のタイミン
グで高電圧パルスを出力信号に形成する高電圧パルス発
生器と、PDPの複数の電極にそれぞれ接続された複数
の出力端子を有し、該各出力端子に対応する複数の制御
信号に基いたタイミングで前記出力信号の電位を該各出
力端子に与え、該複数の電極をそれぞれ電圧駆動する電
極駆動回路とを、備えたPDの駆動装置において、前記
電極駆動回路を次のように構成している。即ち、前記電
極駆動回路は、前記出力信号を共通に入力する第1のパ
ルス入力端子及び第2のパルス入力端子と、前記第1の
パルス入力端子にアノードが接続されると共にカソード
が前記各出力端子にそれぞれ接続され、該アノードと該
カソード間が順方向電位になったとき前記出力信号の電
位を該各出力端子にそれぞれ与える複数の第1のダイオ
ードと、前記各出力端子にそれぞれ接続された第1電極
と第2電極と制御電極とを有し、該制御電極に与えられ
た前記各制御信号に選択されて該第1電極と該第2電極
の間がオンまたはオフする複数のトランジスタと、前記
各トランジスタの第2電極にアノードがそれぞれ接続さ
れると共にカソードが前記第2のパルス入力端子に接続
され、該アノードと該カソード間が順方向電位になった
ときに、前記各トランジスタを介して前記出力信号の電
位を前記各出力端子にそれぞれ与える複数の第2のダイ
オードとを、有する構成にしている。
【0008】請求項2の発明は、所定のタイミングで高
電圧パルスを出力信号に形成する高電圧パルス発生器
と、PDPの複数の電極にそれぞれ接続された複数の出
力端子を有し、該各出力端子に対応する複数の制御信号
に基いたタイミングで前記出力信号の電位を該各出力端
子に与え、該複数の電極をそれぞれ電圧駆動する電極駆
動回路とを、備えたPDの駆動装置において、前記電極
駆動回路を次のように構成している。即ち、前記電極駆
動回路は、請求項1における第1のパルス入力端子、第
2のパルス入力端子、複数の第1のダイオード及び複数
のトランジスタと、前記各トランジスタの第2電極が共
通にアノードに接続されると共にカソードが前記第2の
パルス入力端子に接続され、該アノードと該カソード間
が順方向電位になったときに、前記各トランジスタを介
して前記出力信号の電位を前記各出力端子にそれぞれ与
える第2のダイオードとを、有する構成にしている。
電圧パルスを出力信号に形成する高電圧パルス発生器
と、PDPの複数の電極にそれぞれ接続された複数の出
力端子を有し、該各出力端子に対応する複数の制御信号
に基いたタイミングで前記出力信号の電位を該各出力端
子に与え、該複数の電極をそれぞれ電圧駆動する電極駆
動回路とを、備えたPDの駆動装置において、前記電極
駆動回路を次のように構成している。即ち、前記電極駆
動回路は、請求項1における第1のパルス入力端子、第
2のパルス入力端子、複数の第1のダイオード及び複数
のトランジスタと、前記各トランジスタの第2電極が共
通にアノードに接続されると共にカソードが前記第2の
パルス入力端子に接続され、該アノードと該カソード間
が順方向電位になったときに、前記各トランジスタを介
して前記出力信号の電位を前記各出力端子にそれぞれ与
える第2のダイオードとを、有する構成にしている。
【0009】請求項3の発明は、請求項1または2にお
けるトランジスタをMOSトランジスタで構成してい
る。本発明は、以上のようにPDの駆動装置を構成した
ので、高電圧パルス発生器の出力信号には高電圧パルス
が形成され、該出力信号が電極駆動回路の第1及び第2
のパルス入力端子に与えられる。制御信号の選択によっ
て第1電極と第2電極の間がオン状態になったトランジ
スタは、導通状態になり、その第1電極に接続された出
力端子の電位が高電圧パルス発生器の出力信号の電位よ
りも高い場合には、第2のダイオードが順方向電位にな
る。逆に、出力端子の電位が高電圧パルス発生器の出力
信号の電位よりも低い場合には、第1のダイオードが順
方向電位になる。これら順方向になったダイオードを通
じて、高電圧パルスが出力端子に印加される。一方、制
御信号の選択によって第1電極と第2電極の間がオフ状
態になったトランジスタは、第2のダイオードと出力端
子の間を遮断する。このとき、出力端子の電位が高電圧
パルス発生器の出力信号の電位よりも高いと、該出力端
子はハイインピーダンス状態になってその電位がハイイ
ンピーダンス状態前の電位に保たれる。
けるトランジスタをMOSトランジスタで構成してい
る。本発明は、以上のようにPDの駆動装置を構成した
ので、高電圧パルス発生器の出力信号には高電圧パルス
が形成され、該出力信号が電極駆動回路の第1及び第2
のパルス入力端子に与えられる。制御信号の選択によっ
て第1電極と第2電極の間がオン状態になったトランジ
スタは、導通状態になり、その第1電極に接続された出
力端子の電位が高電圧パルス発生器の出力信号の電位よ
りも高い場合には、第2のダイオードが順方向電位にな
る。逆に、出力端子の電位が高電圧パルス発生器の出力
信号の電位よりも低い場合には、第1のダイオードが順
方向電位になる。これら順方向になったダイオードを通
じて、高電圧パルスが出力端子に印加される。一方、制
御信号の選択によって第1電極と第2電極の間がオフ状
態になったトランジスタは、第2のダイオードと出力端
子の間を遮断する。このとき、出力端子の電位が高電圧
パルス発生器の出力信号の電位よりも高いと、該出力端
子はハイインピーダンス状態になってその電位がハイイ
ンピーダンス状態前の電位に保たれる。
【0010】
【発明の実施の形態】図7は、本発明の実施形態を示す
PD装置の構成図である。このPD装置は、例えば、横
896×縦512ドットの表示を行うPDP30を有し
ている。PDP30には、互いに平行な512本の走査
電極31と、該走査電極31に対して直交する896本
の表示電極32と、該表示電極32に平行な448本の
補助表示電極33とが配置されている。各走査電極31
と各表示電極32との交差箇所には、放電によって表示
を行う表示セル34が形成されている。各走査電極31
と補助表示電極33との交差箇所には、放電によって表
示セル34の放電を補助する補助セル35がそれぞれ形
成されている。これら各表示セル34及び各補助セル3
5には、ヘリウムにキセノンを5%程度混合した放電ガ
スが封入されている。512本の走査電極31は、走査
電極駆動装置40に接続され、該走査電極駆動装置40
から、走査パルスPsc及びそれに続く複数の維持パルス
Psus からなる走査・維持パルス列Psが時間をずらし
て印加されるようになっている。448本の補助電極3
3は、補助電極駆動装置50に接続され、該補助電極駆
動装置50から補助パルスPaが共通に印加されるよう
になっている。896本の表示電極32には、各表示電
極32にパルスPdをそれぞれ印加する表示電極駆動装
置60が接続されている。
PD装置の構成図である。このPD装置は、例えば、横
896×縦512ドットの表示を行うPDP30を有し
ている。PDP30には、互いに平行な512本の走査
電極31と、該走査電極31に対して直交する896本
の表示電極32と、該表示電極32に平行な448本の
補助表示電極33とが配置されている。各走査電極31
と各表示電極32との交差箇所には、放電によって表示
を行う表示セル34が形成されている。各走査電極31
と補助表示電極33との交差箇所には、放電によって表
示セル34の放電を補助する補助セル35がそれぞれ形
成されている。これら各表示セル34及び各補助セル3
5には、ヘリウムにキセノンを5%程度混合した放電ガ
スが封入されている。512本の走査電極31は、走査
電極駆動装置40に接続され、該走査電極駆動装置40
から、走査パルスPsc及びそれに続く複数の維持パルス
Psus からなる走査・維持パルス列Psが時間をずらし
て印加されるようになっている。448本の補助電極3
3は、補助電極駆動装置50に接続され、該補助電極駆
動装置50から補助パルスPaが共通に印加されるよう
になっている。896本の表示電極32には、各表示電
極32にパルスPdをそれぞれ印加する表示電極駆動装
置60が接続されている。
【0011】図1は、図7中の表示電極駆動装置60の
一部を構成する本発明の実施形態のPDの駆動装置の概
略の構成図である。このPDの駆動装置で構成される表
示電極駆動装置60は、クロック信号CK、表示用デー
タDA、及びラッチイネーブル信号LE等を生成して出
力するゲートアレイ61と、図2と同様の構成の高電圧
パルス発生器62とを有している。ゲートアレイ61及
び高電圧パルス発生器62には、電極駆動回路70が接
続されている。電極駆動回路70は、例えば14個の同
一構成のドライバIC701〜7014で構成されてい
る。各ドライバIC70i (i=1,2,…,14)
は、896本の表示電極32のうちの64本をそれぞれ
電圧駆動する構成になっている。各ドライバIC70i
は、第1のパルス入力端子である高電圧高電位側端子7
1と、第2のパルス入力端子である高電圧低電位側端子
72と、クロック信号CKを入力するクロック端子73
と、データDAを入力するデータ端子74と、ラッチイ
ネーブル信号LEを入力するイネーブル端子75と、6
4個の出力端子76−1〜76−64とを、それぞれ有
している。高電圧パルス発生器62は、ゲートアレイ6
1でタイミング調整された表示用の高電圧パルスPhを
出力信号に形成する回路であり、この高電圧パルス発生
器62の出力信号が、各ドライバIC70i の高電圧高
電位側端子71と高電圧低電位側端子72とに、共通に
入力されるようになっている。
一部を構成する本発明の実施形態のPDの駆動装置の概
略の構成図である。このPDの駆動装置で構成される表
示電極駆動装置60は、クロック信号CK、表示用デー
タDA、及びラッチイネーブル信号LE等を生成して出
力するゲートアレイ61と、図2と同様の構成の高電圧
パルス発生器62とを有している。ゲートアレイ61及
び高電圧パルス発生器62には、電極駆動回路70が接
続されている。電極駆動回路70は、例えば14個の同
一構成のドライバIC701〜7014で構成されてい
る。各ドライバIC70i (i=1,2,…,14)
は、896本の表示電極32のうちの64本をそれぞれ
電圧駆動する構成になっている。各ドライバIC70i
は、第1のパルス入力端子である高電圧高電位側端子7
1と、第2のパルス入力端子である高電圧低電位側端子
72と、クロック信号CKを入力するクロック端子73
と、データDAを入力するデータ端子74と、ラッチイ
ネーブル信号LEを入力するイネーブル端子75と、6
4個の出力端子76−1〜76−64とを、それぞれ有
している。高電圧パルス発生器62は、ゲートアレイ6
1でタイミング調整された表示用の高電圧パルスPhを
出力信号に形成する回路であり、この高電圧パルス発生
器62の出力信号が、各ドライバIC70i の高電圧高
電位側端子71と高電圧低電位側端子72とに、共通に
入力されるようになっている。
【0012】各ドライバIC70i 内には、端子73,
74に接続された64ビットのシフトレジスタ77と、
このシフトレジスタ77の出力側と端子75とに接続さ
れた64ビットのラッチ回路78とが、それぞれ設けら
れている。シフトレジスタ77は、例えば64個の遅延
型フリップフロップが縦従接続されて構成され、クロッ
ク信号CKに同期してデータDAをシリアルに入力し、
パラレルにラッチ回路78に出力する機能を有してい
る。ラッチ回路78は、ラッチイネーブル信号LEに応
答して、シフトレジスタ77の出力データ群をラッチ
し、表示用のパラレルなデータD1〜D64を出力する
構成になっている。ラッチ回路78の出力側には、デー
タD1〜D64のレベルをそれぞれ変換する64個のレ
ベル変換器79が接続され、これらの各レベル変換器7
9の出力側に、64個のNMOS80のゲートがそれぞ
れ接続されている。各NMOS80のドレインは、出力
端子76−1〜76−64にそれぞれ接続される共に、
アノードが端子71に接続された64個の第1のダイオ
ード81のカソードにそれぞれ接続されている。各NM
OS80のソースは、64個の第2のダイオード82の
アノードにそれぞれ接続され、これらの各ダイオード8
2のカソードが、端子72に共通に接続されている。ド
ライバIC701 〜7014の出力端子76−1〜76−
64は、896本の表示電極32に接続されている。
74に接続された64ビットのシフトレジスタ77と、
このシフトレジスタ77の出力側と端子75とに接続さ
れた64ビットのラッチ回路78とが、それぞれ設けら
れている。シフトレジスタ77は、例えば64個の遅延
型フリップフロップが縦従接続されて構成され、クロッ
ク信号CKに同期してデータDAをシリアルに入力し、
パラレルにラッチ回路78に出力する機能を有してい
る。ラッチ回路78は、ラッチイネーブル信号LEに応
答して、シフトレジスタ77の出力データ群をラッチ
し、表示用のパラレルなデータD1〜D64を出力する
構成になっている。ラッチ回路78の出力側には、デー
タD1〜D64のレベルをそれぞれ変換する64個のレ
ベル変換器79が接続され、これらの各レベル変換器7
9の出力側に、64個のNMOS80のゲートがそれぞ
れ接続されている。各NMOS80のドレインは、出力
端子76−1〜76−64にそれぞれ接続される共に、
アノードが端子71に接続された64個の第1のダイオ
ード81のカソードにそれぞれ接続されている。各NM
OS80のソースは、64個の第2のダイオード82の
アノードにそれぞれ接続され、これらの各ダイオード8
2のカソードが、端子72に共通に接続されている。ド
ライバIC701 〜7014の出力端子76−1〜76−
64は、896本の表示電極32に接続されている。
【0013】図8は、図1の表示電極駆動装置60及び
図7のPD装置の動作波形図であり、この図8を参照し
つつ、図7のPD装置の全体の動作[I]と、図1の表
示電極駆動装置の動作[II]とを説明する。 [I] 図7のPD装置の全体の動作 補助電極駆動装置50は、周期が4μs、パルス幅が
1.5μs、及び波高値の電位がVsaの補助パルスPa
を出力して各補助電極33に共通に与える。走査電極駆
動装置40は、パルス幅が1.5μsで通常電位がVm
及びパルス電位が負の電位Vscn の書込みパルスPsc
と、該パルスPscから6μs遅れ、周期が4μsでパル
ス電位が負の電位Vkの256個の維持パルスPsus と
が形成されたパルス列Ps1を1番目の走査電極31に
与える。次に、走査電極駆動装置40は、パルス列Ps
1とは1周期の4μsずれた1個の書込みパルスPscと
256個の維持パルスPsus とが形成されたパルス列P
s2を2番目の走査電極31に与える。同様に、4μs
ずれた書込みパルスPscと256個の維持パルスPsus
とが形成されたパルス列Ps3、Ps4,…を順次3番
目以降の走査電極31に与える。
図7のPD装置の動作波形図であり、この図8を参照し
つつ、図7のPD装置の全体の動作[I]と、図1の表
示電極駆動装置の動作[II]とを説明する。 [I] 図7のPD装置の全体の動作 補助電極駆動装置50は、周期が4μs、パルス幅が
1.5μs、及び波高値の電位がVsaの補助パルスPa
を出力して各補助電極33に共通に与える。走査電極駆
動装置40は、パルス幅が1.5μsで通常電位がVm
及びパルス電位が負の電位Vscn の書込みパルスPsc
と、該パルスPscから6μs遅れ、周期が4μsでパル
ス電位が負の電位Vkの256個の維持パルスPsus と
が形成されたパルス列Ps1を1番目の走査電極31に
与える。次に、走査電極駆動装置40は、パルス列Ps
1とは1周期の4μsずれた1個の書込みパルスPscと
256個の維持パルスPsus とが形成されたパルス列P
s2を2番目の走査電極31に与える。同様に、4μs
ずれた書込みパルスPscと256個の維持パルスPsus
とが形成されたパルス列Ps3、Ps4,…を順次3番
目以降の走査電極31に与える。
【0014】PDP30内の補助セル35において、補
助電極33と走査電極31とに、補助パルスPaと書込
みパルスPscとが同時に印加されると、該走査電極31
と補助電極33の間の電位差がVsa+Vscn になる。こ
のとき、放電ガスの放電開始電圧VfがVsa+Vscn >
Vfであると、補助セル35で放電が開始する。時間が
ずれて単独に補助パルスPaと維持パルスPsus が与え
られた補助セル35では、走査電極31と補助電極33
の間の電圧が、Vsa+VmまたはVkになるが、これら
が放電維持電圧Vsus に対してVsa+Vm<Vsus また
はVk<Vsusであれば、放電しない。よって、書込み
パルスPscが加えられた時だけ、1番目の走査電極31
上の補助セル35、2番目の走査電極32上の補助セル
35、…、512番目の走査電極31上の補助セル35
に、補助放電が形成される。この補助放電により、放電
ガスの一部はイオンや励起原子状態になる。放電ガスの
イオンや励起原子は、補助放電の形成された補助セル3
5の近傍の表示セル34に拡散される。
助電極33と走査電極31とに、補助パルスPaと書込
みパルスPscとが同時に印加されると、該走査電極31
と補助電極33の間の電位差がVsa+Vscn になる。こ
のとき、放電ガスの放電開始電圧VfがVsa+Vscn >
Vfであると、補助セル35で放電が開始する。時間が
ずれて単独に補助パルスPaと維持パルスPsus が与え
られた補助セル35では、走査電極31と補助電極33
の間の電圧が、Vsa+VmまたはVkになるが、これら
が放電維持電圧Vsus に対してVsa+Vm<Vsus また
はVk<Vsusであれば、放電しない。よって、書込み
パルスPscが加えられた時だけ、1番目の走査電極31
上の補助セル35、2番目の走査電極32上の補助セル
35、…、512番目の走査電極31上の補助セル35
に、補助放電が形成される。この補助放電により、放電
ガスの一部はイオンや励起原子状態になる。放電ガスの
イオンや励起原子は、補助放電の形成された補助セル3
5の近傍の表示セル34に拡散される。
【0015】例えば、1番目の走査電極31上の各表示
セル34の表示電極32に、表示データに従って表示パ
ルスが選択的に印加され、走査電極31には書込みパル
スPscが印加される。表示セル34に対するデータが点
灯表示を示す“1”の場合、表示電極32に電位Vaが
印加され、走査電極31と表示電極32の間の電位差V
a+Vscn が放電開始電圧Vfに対して、Va+Vscn
>Vfであれば、電極31と電極32の間で、書込み放
電が形成される。放電ガスのイオンや励起原子の存在に
よって、短時間で書込み放電が開始し、書込みパルスP
scのパルス幅1.5μsで十分の書込み放電が行われ
る。表示セル34に対するデータが非表示の“0”の場
合、表示電極32に電位0が印加される。このときの走
査電極31と表示電極32の間の電位差はVscn になる
ので、Vscn <Vfに設定でき、表示セル34の走査電
極31と表示電極32の間では放電が形成されない。
セル34の表示電極32に、表示データに従って表示パ
ルスが選択的に印加され、走査電極31には書込みパル
スPscが印加される。表示セル34に対するデータが点
灯表示を示す“1”の場合、表示電極32に電位Vaが
印加され、走査電極31と表示電極32の間の電位差V
a+Vscn が放電開始電圧Vfに対して、Va+Vscn
>Vfであれば、電極31と電極32の間で、書込み放
電が形成される。放電ガスのイオンや励起原子の存在に
よって、短時間で書込み放電が開始し、書込みパルスP
scのパルス幅1.5μsで十分の書込み放電が行われ
る。表示セル34に対するデータが非表示の“0”の場
合、表示電極32に電位0が印加される。このときの走
査電極31と表示電極32の間の電位差はVscn になる
ので、Vscn <Vfに設定でき、表示セル34の走査電
極31と表示電極32の間では放電が形成されない。
【0016】続いて、走査電極31に維持パルスPsus
が印加される。このときには、すべての表示電極32に
は、電位Vaが印加される。よって、各表示セル34に
おける走査電極31と表示電極32の間の電位差はVa
+Vkになる。電位差Va+Vkを、放電最低維持電圧
<Va+Vk<放電開始電圧Vfとする。書込み放電を
した表示セル34には、書込み放電で発生した放電ガス
のイオンや励起原子が残留している。このイオンや励起
原子が十分残留しているうちに、電位差Va+Vkが印
加されると、放電開始電圧Vf以下でも再放電する。こ
れが維持放電であり、表示セル34は点灯する。維持パ
ルスPsus を256個印加すると、256回の維持放電
が発生する。表示セル34の表示輝度は維持放電の数に
比例するので、維持パルスPsus の数を制御すること
で、該表示セル34の表示輝度を変更することができ
る。一方、書込み放電が形成されなかった表示セル34
では、放電ガスのイオンや励起原子が十分にないので、
走査電極31に維持パルスPsus を印加しても維持放電
が発生せず、表示セル34は不灯のままである。以下同
様に、1走査周期4μsごとにずらして、順次2番目以
降の走査電極31に書込みパルスPscを印加することに
より、表示セル34に選択的に書込み放電を行うことが
できる。そして。順次維持パルスPsus を走査電極31
に与えることにより、選択的に維持放電をさせることが
できる。従って、PDP30において、表示データに対
応した表示が行われる。
が印加される。このときには、すべての表示電極32に
は、電位Vaが印加される。よって、各表示セル34に
おける走査電極31と表示電極32の間の電位差はVa
+Vkになる。電位差Va+Vkを、放電最低維持電圧
<Va+Vk<放電開始電圧Vfとする。書込み放電を
した表示セル34には、書込み放電で発生した放電ガス
のイオンや励起原子が残留している。このイオンや励起
原子が十分残留しているうちに、電位差Va+Vkが印
加されると、放電開始電圧Vf以下でも再放電する。こ
れが維持放電であり、表示セル34は点灯する。維持パ
ルスPsus を256個印加すると、256回の維持放電
が発生する。表示セル34の表示輝度は維持放電の数に
比例するので、維持パルスPsus の数を制御すること
で、該表示セル34の表示輝度を変更することができ
る。一方、書込み放電が形成されなかった表示セル34
では、放電ガスのイオンや励起原子が十分にないので、
走査電極31に維持パルスPsus を印加しても維持放電
が発生せず、表示セル34は不灯のままである。以下同
様に、1走査周期4μsごとにずらして、順次2番目以
降の走査電極31に書込みパルスPscを印加することに
より、表示セル34に選択的に書込み放電を行うことが
できる。そして。順次維持パルスPsus を走査電極31
に与えることにより、選択的に維持放電をさせることが
できる。従って、PDP30において、表示データに対
応した表示が行われる。
【0017】[II] 図1の表示電極駆動装置の動作 高電圧パルス発生器62は、ゲートアレイ61から指示
されたタイミングに基づき、高レベル側の電位がVa、
低レベル側の電位が0、及び周期が4μsの高電圧パル
スPhを出力信号に形成する。この高電圧パルス発生器
62の出力信号は、端子71,72に与えられる。一
方、点灯ドットの有無に対応した“1”または“0”の
データDAとクロック信号CKが、ゲートアレイ61か
らシフトレジスタ77へ出力され、該シフトレジスタ7
7がクロック信号CKに同期してデータDAを順次取り
込む。シフトレジスタ77の出力するパラレルなデータ
は、ラッチイネーブル信号LEによって、ラッチ回路7
8にパラレルにラッチされる。ラッチ回路78からラッ
チ出力データD1〜D64が出力される。各ラッチ出力
データD1〜D64は、各レベル変換器79によって極
性反転されると共にレベルがシフトされ、各NMOS8
0のゲートに与えられる。ラッチ出力データD1〜D6
4が“0”のとき、それらに対応する出力端子76−1
〜76−64に接続された各NMOS80は、オンして
導通状態になる。例えば、図8の出力端子76−1のよ
うに、選択されて対応するラッチ出力データD1が
“0”の端子では、それに接続された各NMOS80
は、オンして導通状態になる。
されたタイミングに基づき、高レベル側の電位がVa、
低レベル側の電位が0、及び周期が4μsの高電圧パル
スPhを出力信号に形成する。この高電圧パルス発生器
62の出力信号は、端子71,72に与えられる。一
方、点灯ドットの有無に対応した“1”または“0”の
データDAとクロック信号CKが、ゲートアレイ61か
らシフトレジスタ77へ出力され、該シフトレジスタ7
7がクロック信号CKに同期してデータDAを順次取り
込む。シフトレジスタ77の出力するパラレルなデータ
は、ラッチイネーブル信号LEによって、ラッチ回路7
8にパラレルにラッチされる。ラッチ回路78からラッ
チ出力データD1〜D64が出力される。各ラッチ出力
データD1〜D64は、各レベル変換器79によって極
性反転されると共にレベルがシフトされ、各NMOS8
0のゲートに与えられる。ラッチ出力データD1〜D6
4が“0”のとき、それらに対応する出力端子76−1
〜76−64に接続された各NMOS80は、オンして
導通状態になる。例えば、図8の出力端子76−1のよ
うに、選択されて対応するラッチ出力データD1が
“0”の端子では、それに接続された各NMOS80
は、オンして導通状態になる。
【0018】この状態で、端子71,72の電位よりも
出力端子76−1の電位が低いときには、出力端子76
−1に接続されたダイオード81が順方向、ダイオード
82が逆方向になるため、高電圧パルス発生器62の出
力信号の電位が高電圧パルスPhとして、端子71から
ダイオード81を介して出力端子76−1に出力され
る。逆に、端子71,72の電位よりも出力端子76−
1の電位が高いときには、ダイオード81が逆方向電
位、ダイオード82が順方向電位になるため、高電圧パ
ルス発生器62の出力信号の電位が高電圧パルスPhと
して、端子72からダイオード82を介して出力端子7
6−1に出力される。つまり、表示データが選択されて
“0”のとき、表示電極32に通常状態の電位がVa、
パルス電位が0のパルスPdが印加されることになる。
走査電極31に書込みパルスPscが与えられたとき、出
力端子76−1に接続された表示セル34には、高電圧
パルスPhに基づいた電位0が与えられているので、書
込み放電は形成されない。
出力端子76−1の電位が低いときには、出力端子76
−1に接続されたダイオード81が順方向、ダイオード
82が逆方向になるため、高電圧パルス発生器62の出
力信号の電位が高電圧パルスPhとして、端子71から
ダイオード81を介して出力端子76−1に出力され
る。逆に、端子71,72の電位よりも出力端子76−
1の電位が高いときには、ダイオード81が逆方向電
位、ダイオード82が順方向電位になるため、高電圧パ
ルス発生器62の出力信号の電位が高電圧パルスPhと
して、端子72からダイオード82を介して出力端子7
6−1に出力される。つまり、表示データが選択されて
“0”のとき、表示電極32に通常状態の電位がVa、
パルス電位が0のパルスPdが印加されることになる。
走査電極31に書込みパルスPscが与えられたとき、出
力端子76−1に接続された表示セル34には、高電圧
パルスPhに基づいた電位0が与えられているので、書
込み放電は形成されない。
【0019】図8のように、選択されて対応するラッチ
出力データが“1”の出力端子(例えば、76−2)で
は、それに接続された各NMOS80は、オフして非導
通状態になる。ここで、各端子71,72の電位よりも
出力端子76−2の電位が低いと、ダイオード81が順
方向電位、ダイオード82が逆方向電位になる。よっ
て、高電圧パルスPhは端子71からダイオード81を
通じて出力端子76−2に出力される。しかし、各端子
71,72の電位よりも出力端子76−2の電位が高い
と、ダイオード81が逆方向電位で非導通になり、NM
OS80が非導通状態なので、出力端子76−2は、ハ
イインピーダンス状態になる。出力端子76−2は表示
電極32に接続されているから、表示電極32と走査電
極31あるいは補助電極33との間の電極間寄生容量C
L の負荷が接続されていることになる。その電極間寄生
容量CL には、高電圧パルスPhによる電荷Q=Va・
CLが蓄積されているので、出力端子76−2の電位は
Vaが保たれる。この状態で走査電極31に書込みパル
スPscが印加されると、表示セル34で書込み放電が形
成される。書込み放電によって放電電流Iwが流れるの
で、電極間寄生容量CL に蓄積された電荷Qが減少し、
出力端子76−2の電位は降下する。
出力データが“1”の出力端子(例えば、76−2)で
は、それに接続された各NMOS80は、オフして非導
通状態になる。ここで、各端子71,72の電位よりも
出力端子76−2の電位が低いと、ダイオード81が順
方向電位、ダイオード82が逆方向電位になる。よっ
て、高電圧パルスPhは端子71からダイオード81を
通じて出力端子76−2に出力される。しかし、各端子
71,72の電位よりも出力端子76−2の電位が高い
と、ダイオード81が逆方向電位で非導通になり、NM
OS80が非導通状態なので、出力端子76−2は、ハ
イインピーダンス状態になる。出力端子76−2は表示
電極32に接続されているから、表示電極32と走査電
極31あるいは補助電極33との間の電極間寄生容量C
L の負荷が接続されていることになる。その電極間寄生
容量CL には、高電圧パルスPhによる電荷Q=Va・
CLが蓄積されているので、出力端子76−2の電位は
Vaが保たれる。この状態で走査電極31に書込みパル
スPscが印加されると、表示セル34で書込み放電が形
成される。書込み放電によって放電電流Iwが流れるの
で、電極間寄生容量CL に蓄積された電荷Qが減少し、
出力端子76−2の電位は降下する。
【0020】書込み放電時間をtwとすると、減少電荷
量ΔQはΔQ=Iw・twになる。また、その時の降下
電位をΔVとすると、ΔQ=ΔV・CL である。1表示
セル34当たりの表示電極32と補助電極33との間の
電極間寄生容量をCas=0.1pF、表示電極32と走
査電極31との間の電極間寄生容量をCak=0.01p
Fとすると、1本の表示電極32の電極間寄生容量CL
は、CL =512(Cas+Cak)=56pFになる。書
込み放電電流Iwを0.1mA、書込み放電時間twを
tw=1.5μsとすると、降下電位ΔVは、 ΔV=Iw・tw/CL =2.7V になる。この電位ΔVは、例えば高電圧パルスPhのV
a=50Vに対して十分小さな値であり、書込み放電を
確実に行える。維持放電時には、高電圧パルス発生器6
2のタイミングを調整して高電圧パルスPhの電位を高
レベル側に保つことで、ダイオード81を順方向電位に
保つことができるので、表示データに係わらず出力端子
76−1〜76−64から各表示電極32に電位Vaを
印加することができる。このとき、走査電極31に維持
パルスPsus を加えることで、書込み放電をした表示セ
ル34は維持放電を行い、書込み放電をしない表示セル
34では維持放電を行わない。
量ΔQはΔQ=Iw・twになる。また、その時の降下
電位をΔVとすると、ΔQ=ΔV・CL である。1表示
セル34当たりの表示電極32と補助電極33との間の
電極間寄生容量をCas=0.1pF、表示電極32と走
査電極31との間の電極間寄生容量をCak=0.01p
Fとすると、1本の表示電極32の電極間寄生容量CL
は、CL =512(Cas+Cak)=56pFになる。書
込み放電電流Iwを0.1mA、書込み放電時間twを
tw=1.5μsとすると、降下電位ΔVは、 ΔV=Iw・tw/CL =2.7V になる。この電位ΔVは、例えば高電圧パルスPhのV
a=50Vに対して十分小さな値であり、書込み放電を
確実に行える。維持放電時には、高電圧パルス発生器6
2のタイミングを調整して高電圧パルスPhの電位を高
レベル側に保つことで、ダイオード81を順方向電位に
保つことができるので、表示データに係わらず出力端子
76−1〜76−64から各表示電極32に電位Vaを
印加することができる。このとき、走査電極31に維持
パルスPsus を加えることで、書込み放電をした表示セ
ル34は維持放電を行い、書込み放電をしない表示セル
34では維持放電を行わない。
【0021】このような[I][II]で説明した動作に
より、各駆動装置40,50,60を用いて、表示デー
タに従って各表示セル34に選択的に書込み放電とそれ
に続く維持放電が形成され、PDP30上に表示セル3
4の点灯と非点灯を選択できる。以上のように、本実施
形態では、次のような効果がある。容量性負荷の無効電
力を回収できる高電圧パルス発生器を利用した従来の図
5のドライバIC20では、出力段をセルサイズの大き
いPMOS25とNMOS26とで構成している。これ
に対し、本実施形態では、そのPMOS25とNMOS
26を有した出力段に対応する回路を、1個のNMOS
81とセルサイズの小さい2個のダイオード81,82
で構成している。よって、ドライバIC70i を小型化
でき、コストを低減できる。
より、各駆動装置40,50,60を用いて、表示デー
タに従って各表示セル34に選択的に書込み放電とそれ
に続く維持放電が形成され、PDP30上に表示セル3
4の点灯と非点灯を選択できる。以上のように、本実施
形態では、次のような効果がある。容量性負荷の無効電
力を回収できる高電圧パルス発生器を利用した従来の図
5のドライバIC20では、出力段をセルサイズの大き
いPMOS25とNMOS26とで構成している。これ
に対し、本実施形態では、そのPMOS25とNMOS
26を有した出力段に対応する回路を、1個のNMOS
81とセルサイズの小さい2個のダイオード81,82
で構成している。よって、ドライバIC70i を小型化
でき、コストを低減できる。
【0022】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
ず種々の変形が可能である。その変形例としては、例え
ば次のようなものがある。 (1) 図1の表示電極駆動装置では、各NMOS80
と端子72との間に、複数のダイオード82を挿入して
構成しているが、これらは、各NMOS80のソースが
アノードに接続され、カソードが端子72に接続された
1個のダイオードで構成することもできる。このように
することで、上記実施形態の安価なPD装置を実現でき
る。 (2) 図1の表示電極駆動装置は、図示以外の構成に
変更することが可能である。例えば、ダイオード82の
アノードと出力端子76−1〜76−64の間をオン、
オフするトランジスタをNMOS80で構成している
が、レベル変換器79がラッチ出力データD1〜D64
の極性を反転しない構成にすれば、PMOSで構成する
ことも可能である。また、NMOS80に変えて、バイ
ポーラトランジスタで構成することも可能である。 (3) 上記実施形態では、表示電極駆動装置60に本
発明を適用した例を説明しているが、各電極31,3
2,33の電圧駆動方法によっては、図7の他の電極駆
動装置40,50に適用することも可能である。
ず種々の変形が可能である。その変形例としては、例え
ば次のようなものがある。 (1) 図1の表示電極駆動装置では、各NMOS80
と端子72との間に、複数のダイオード82を挿入して
構成しているが、これらは、各NMOS80のソースが
アノードに接続され、カソードが端子72に接続された
1個のダイオードで構成することもできる。このように
することで、上記実施形態の安価なPD装置を実現でき
る。 (2) 図1の表示電極駆動装置は、図示以外の構成に
変更することが可能である。例えば、ダイオード82の
アノードと出力端子76−1〜76−64の間をオン、
オフするトランジスタをNMOS80で構成している
が、レベル変換器79がラッチ出力データD1〜D64
の極性を反転しない構成にすれば、PMOSで構成する
ことも可能である。また、NMOS80に変えて、バイ
ポーラトランジスタで構成することも可能である。 (3) 上記実施形態では、表示電極駆動装置60に本
発明を適用した例を説明しているが、各電極31,3
2,33の電圧駆動方法によっては、図7の他の電極駆
動装置40,50に適用することも可能である。
【0023】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項1及
び3の発明によれば、電極駆動回路を、複数のトランジ
スタと複数の第1のトランジスタと複数の第1のダイオ
ードと複数の第2のダイオードを有する構成にしたの
で、このPDPの電極を駆動する電極駆動回路のチップ
サイズを小さくできる。従って、PDの駆動装置を小型
化できるとともに、安価なPDの駆動装置を実現でき
る。請求項2の発明によれば、電極駆動回路を、複数の
トランジスタと複数の第1のトランジスタと複数の第1
のダイオードと第2のダイオードを有する構成にしたの
で、請求項1の発明と同様に、PDの駆動装置を小型化
できるとともに、安価なPDの駆動装置を実現できる。
び3の発明によれば、電極駆動回路を、複数のトランジ
スタと複数の第1のトランジスタと複数の第1のダイオ
ードと複数の第2のダイオードを有する構成にしたの
で、このPDPの電極を駆動する電極駆動回路のチップ
サイズを小さくできる。従って、PDの駆動装置を小型
化できるとともに、安価なPDの駆動装置を実現でき
る。請求項2の発明によれば、電極駆動回路を、複数の
トランジスタと複数の第1のトランジスタと複数の第1
のダイオードと第2のダイオードを有する構成にしたの
で、請求項1の発明と同様に、PDの駆動装置を小型化
できるとともに、安価なPDの駆動装置を実現できる。
【図1】本発明の実施形態を示す表示電極駆動装置の構
成図である。
成図である。
【図2】従来の高電圧パルス発生器の回路図である。
【図3】図2の共振回路の等価回路図である。
【図4】図2の動作波形図である。
【図5】従来のPDの駆動装置を示す構成図である。
【図6】図5のPDPの動作波形図である。
【図7】本発明の実施形態を示すPD装置の構成図であ
る。
る。
【図8】図1及び図7の動作波形図である。
30 PDP 31 走査電極 32 表示電極 33 補助電極 34 表示セル 35 補助セル 40 走査電極駆動装置 50 補助電極駆動装置 60 表示電極駆動装置 61 ゲートアレイ 62 高電圧パルス発生器 70 電極駆動回路 71 高電圧高電位側端子(第1の
パルス入力端子) 72 高電圧低電位側端子(第2の
パルス入力端子) 76−1〜76−64 出力端子 80 NMOS 81,82 第1及び第2のダイオード
パルス入力端子) 72 高電圧低電位側端子(第2の
パルス入力端子) 76−1〜76−64 出力端子 80 NMOS 81,82 第1及び第2のダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 敦 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 所定のタイミングで高電圧パルスを出力
信号に形成する高電圧パルス発生器と、プラズマディス
プレイパネルの複数の電極にそれぞれ接続された複数の
出力端子を有し、該各出力端子に対応する複数の制御信
号に基いたタイミングで前記出力信号の電位を該各出力
端子に与え、該複数の電極をそれぞれ電圧駆動する電極
駆動回路とを、備えたプラズマディスプレイの駆動装置
において、 前記電極駆動回路は、 前記出力信号を共通に入力する第1のパルス入力端子及
び第2のパルス入力端子と、 前記第1のパルス入力端子にアノードが接続されると共
にカソードが前記各出力端子にそれぞれ接続され、該ア
ノードと該カソード間が順方向電位になったとき前記出
力信号の電位を該各出力端子にそれぞれ与える複数の第
1のダイオードと、 前記各出力端子に接続された第1電極と第2電極と制御
電極とをそれぞれ有し、該制御電極に与えられた前記各
制御信号に選択されて該第1電極と該第2電極の間をオ
ンまたはオフする複数のトランジスタと、 前記各トランジスタの第2電極にアノードがそれぞれ接
続されると共にカソードが前記第2のパルス入力端子に
接続され、該アノードと該カソード間が順方向電位にな
ったときに、前記各トランジスタを介して前記出力信号
の電位を前記各出力端子にそれぞれ与える複数の第2の
ダイオードとを、有することを特徴とするプラズマディ
スプレイの駆動装置。 - 【請求項2】 所定のタイミングで高電圧パルスを出力
信号に形成する高電圧パルス発生器と、プラズマディス
プレイパネルの複数の電極にそれぞれ接続された複数の
出力端子を有し、該各出力端子に対応する複数の制御信
号に基いたタイミングで前記出力信号の電位を該各出力
端子に与え、該複数の電極をそれぞれ電圧駆動する電極
駆動回路とを、備えたプラズマディスプレイの駆動装置
において、 前記電極駆動回路は、 請求項1記載の第1のパルス入力端子、第2のパルス入
力端子、複数の第1のダイオード及び複数のトランジス
タと、 前記各トランジスタの第2電極が共通にアノードに接続
されると共にカソードが前記第2のパルス入力端子に接
続され、該アノードと該カソード間が順方向電位になっ
たときに、前記各トランジスタを介して前記出力信号の
電位を前記各出力端子に与える第2のダイオードとを、
有することを特徴とするプラズマディスプレイの駆動装
置。 - 【請求項3】 前記トランジスタは、MOSトランジス
タで構成したことを特徴とする請求項1または2記載の
プラズマディスプレイの駆動装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8229916A JPH1074059A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | プラズマディスプレイの駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8229916A JPH1074059A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | プラズマディスプレイの駆動装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1074059A true JPH1074059A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16899756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8229916A Withdrawn JPH1074059A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | プラズマディスプレイの駆動装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1074059A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030065286A (ko) * | 2002-01-31 | 2003-08-06 | 후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드 | 디스플레이 패널 구동 회로 및 플라즈마 디스플레이 |
US7116289B2 (en) | 2000-08-28 | 2006-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display driving method and device |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8229916A patent/JPH1074059A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7116289B2 (en) | 2000-08-28 | 2006-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display driving method and device |
US7852287B2 (en) | 2000-08-28 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Plasma display panel exhibiting excellent luminescence characteristics |
KR20030065286A (ko) * | 2002-01-31 | 2003-08-06 | 후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드 | 디스플레이 패널 구동 회로 및 플라즈마 디스플레이 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031104 |