JP2000066631A - 表示パネル駆動装置 - Google Patents
表示パネル駆動装置Info
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- JP2000066631A JP2000066631A JP23547898A JP23547898A JP2000066631A JP 2000066631 A JP2000066631 A JP 2000066631A JP 23547898 A JP23547898 A JP 23547898A JP 23547898 A JP23547898 A JP 23547898A JP 2000066631 A JP2000066631 A JP 2000066631A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力回収動作時において、非点灯のデータが
書込まれるデータ電極に接続された電極単位ドライバで
の電力損失を防ぐ。 【解決手段】 各電極単位ドライバ４１０の出力ライン
上に高圧のトランスファゲート４１３を設け、非点灯の
データが書込まれるデータ電極に接続された電極単位ド
ライバ４１０のトランスファゲート４１３をラッチ２２
２の出力と電力回収回路３００の電力回収動作時にロウ
レベルとなる出力イネーブル信号との論理和の否定によ
り制御して電力回収動作時のみＯＦＦとする。
書込まれるデータ電極に接続された電極単位ドライバで
の電力損失を防ぐ。 【解決手段】 各電極単位ドライバ４１０の出力ライン
上に高圧のトランスファゲート４１３を設け、非点灯の
データが書込まれるデータ電極に接続された電極単位ド
ライバ４１０のトランスファゲート４１３をラッチ２２
２の出力と電力回収回路３００の電力回収動作時にロウ
レベルとなる出力イネーブル信号との論理和の否定によ
り制御して電力回収動作時のみＯＦＦとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示パネル駆動装
置に関し、特に交流駆動型プラズマディスプレイパネル
（ＰＤＰ）やエレクトロルミネセンス（ＥＬ）など容量
性負荷を有する表示パネル駆動装置に関する。
置に関し、特に交流駆動型プラズマディスプレイパネル
（ＰＤＰ）やエレクトロルミネセンス（ＥＬ）など容量
性負荷を有する表示パネル駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】駆動装置を含む一般的な交流駆動型のＰ
ＤＰは、例えば、特開平９−１４６４９０号公報に記載
されており、この公報の内容を引用して説明する。図４
に示すように、駆動の対象である表示パネル１０と、表
示パネル１０のデータ電極Ｘ１〜Ｘｉ〜Ｘｎを駆動する
データ電極駆動装置２０と、表示パネル１０の走査電極
Ｙ１〜Ｙｊ〜Ｙｍを駆動する駆動装置３０と、表示パネ
ル１０の共通電極Ｚを駆動する共通電極駆動装置４０を
備える。表示パネル１０は、一方の面に個別のデータ電
極Ｘ１〜Ｘｎを設け、所定の間隔をもって配置される対
向面にこのデータ電極Ｘ１〜Ｘｎと直角な方向の走査電
極Ｙ１〜Ｙｍ及び共通電極Ｚを交互に設けている。共通
電極Ｚは、各走査電極Ｙ１〜Ｙｍと近接して配置し対を
成していて、その一端を共通に接続している。これらの
近接したＸ，Ｙ，Ｚの３種類の電極は電気的に絶縁され
ており、相互間の容量による結合関係にある。各データ
電極Ｘｉと各走査電極Ｙｊ及び共通電極Ｚとの交差点で
表示セルＣ（ｉ，ｊ）を形成し、各駆動装置の印加する
交流パルスによって上記間隙の空間で発光放電を行う。
ＤＰは、例えば、特開平９−１４６４９０号公報に記載
されており、この公報の内容を引用して説明する。図４
に示すように、駆動の対象である表示パネル１０と、表
示パネル１０のデータ電極Ｘ１〜Ｘｉ〜Ｘｎを駆動する
データ電極駆動装置２０と、表示パネル１０の走査電極
Ｙ１〜Ｙｊ〜Ｙｍを駆動する駆動装置３０と、表示パネ
ル１０の共通電極Ｚを駆動する共通電極駆動装置４０を
備える。表示パネル１０は、一方の面に個別のデータ電
極Ｘ１〜Ｘｎを設け、所定の間隔をもって配置される対
向面にこのデータ電極Ｘ１〜Ｘｎと直角な方向の走査電
極Ｙ１〜Ｙｍ及び共通電極Ｚを交互に設けている。共通
電極Ｚは、各走査電極Ｙ１〜Ｙｍと近接して配置し対を
成していて、その一端を共通に接続している。これらの
近接したＸ，Ｙ，Ｚの３種類の電極は電気的に絶縁され
ており、相互間の容量による結合関係にある。各データ
電極Ｘｉと各走査電極Ｙｊ及び共通電極Ｚとの交差点で
表示セルＣ（ｉ，ｊ）を形成し、各駆動装置の印加する
交流パルスによって上記間隙の空間で発光放電を行う。
【０００３】このＰＤＰの駆動方法の一例を図５を参照
して説明する。この図では２値画像の１フレーム分の表
示期間における駆動波形を示す。この１フレーム分の表
示期間は、予備放電期間と、データ書込み期間と、維持
放電期間とに区分される。最初の予備放電期間では、負
の消去パルスＶａｐを走査電極に、負の予備放電パルス
Ｖｐを共通電極にそれぞれ供給して前のフレームの表示
内容を消去すると共に新たなデータの書込みのための壁
電荷の準備を行う。次のデータ書込み期間では、表示デ
ータに基づき書込みを線順次に行う。データ電極Ｘｉ
（ｉ＝１〜ｎ）には、点灯セルに対して正のデータパル
ス電圧Ｖｄを、非点灯セルにはＧＮＤ電位を出力する。
先ず走査電極Ｙ１を負の走査パルスＶｗに選択すると、
データ，走査両電極間で書込み放電が行われて壁電荷を
形成する。以下、Ｙ２〜Ｙｍの走査電極についてもこの
順に、同様の動作を行う。次の維持放電期間では、共通
電極Ｚと走査電極Ｙ１〜Ｙｍの全てに負の維持パルス電
圧Ｖｓを交互に出力して、上記書込み動作で壁電荷が形
成されたセルでの放電の維持を行う。このような交互の
動作を以下ｋ回反復して画像表示する。
して説明する。この図では２値画像の１フレーム分の表
示期間における駆動波形を示す。この１フレーム分の表
示期間は、予備放電期間と、データ書込み期間と、維持
放電期間とに区分される。最初の予備放電期間では、負
の消去パルスＶａｐを走査電極に、負の予備放電パルス
Ｖｐを共通電極にそれぞれ供給して前のフレームの表示
内容を消去すると共に新たなデータの書込みのための壁
電荷の準備を行う。次のデータ書込み期間では、表示デ
ータに基づき書込みを線順次に行う。データ電極Ｘｉ
（ｉ＝１〜ｎ）には、点灯セルに対して正のデータパル
ス電圧Ｖｄを、非点灯セルにはＧＮＤ電位を出力する。
先ず走査電極Ｙ１を負の走査パルスＶｗに選択すると、
データ，走査両電極間で書込み放電が行われて壁電荷を
形成する。以下、Ｙ２〜Ｙｍの走査電極についてもこの
順に、同様の動作を行う。次の維持放電期間では、共通
電極Ｚと走査電極Ｙ１〜Ｙｍの全てに負の維持パルス電
圧Ｖｓを交互に出力して、上記書込み動作で壁電荷が形
成されたセルでの放電の維持を行う。このような交互の
動作を以下ｋ回反復して画像表示する。
【０００４】上述の交流駆動型ＰＤＰの駆動では、印加
電圧が高くかつ負荷容量が大きいため、セルの付随容量
で消費される無効電力が全体の消費電力の５０％以上に
及ぶこともある。この無効電力の回収と再利用のために
従来から電力回収回路が用いられてきている。この無効
電力の回収と再利用は、電力消費の最も大きい維持放電
期間を対象とするだけでなく、最近は、ＰＤＰ表示パネ
ルの主な用途である高品質なテレビジョン画像の表示に
要求される中間調表示のために必要なフレーム分割によ
るサブフレーム毎のデータ書込み実行回数の増加（例え
ば２５６階調の表示には８回）と、カラー表示のための
データ電極数の増加（赤、緑、青に対応して３回）、さ
らにはワイド画像表示のために必要なデータ電極数の増
加によって、データ書込み期間に電力消費が著しく増加
することから、維持放電期間に加えて、データ書込み期
間をも対象としてきている。
電圧が高くかつ負荷容量が大きいため、セルの付随容量
で消費される無効電力が全体の消費電力の５０％以上に
及ぶこともある。この無効電力の回収と再利用のために
従来から電力回収回路が用いられてきている。この無効
電力の回収と再利用は、電力消費の最も大きい維持放電
期間を対象とするだけでなく、最近は、ＰＤＰ表示パネ
ルの主な用途である高品質なテレビジョン画像の表示に
要求される中間調表示のために必要なフレーム分割によ
るサブフレーム毎のデータ書込み実行回数の増加（例え
ば２５６階調の表示には８回）と、カラー表示のための
データ電極数の増加（赤、緑、青に対応して３回）、さ
らにはワイド画像表示のために必要なデータ電極数の増
加によって、データ書込み期間に電力消費が著しく増加
することから、維持放電期間に加えて、データ書込み期
間をも対象としてきている。
【０００５】次にデータ書込み期間におけるデータ電極
での無効電力の回収と再利用のための放出について、上
記公報に記載のデータ電極駆動装置とは異なる従来の一
例のデータ電極駆動装置を用いて説明する。尚、説明を
簡明にするためにデータ電極を４個（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ
３，Ｘ４）として説明する。先ず、構成を図６を参照し
て説明する。このデータ電極駆動装置はドライバＩＣ２
００と、このドライバＩＣ２００に外付けされた電力回
収回路３００とを備えている。
での無効電力の回収と再利用のための放出について、上
記公報に記載のデータ電極駆動装置とは異なる従来の一
例のデータ電極駆動装置を用いて説明する。尚、説明を
簡明にするためにデータ電極を４個（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ
３，Ｘ４）として説明する。先ず、構成を図６を参照し
て説明する。このデータ電極駆動装置はドライバＩＣ２
００と、このドライバＩＣ２００に外付けされた電力回
収回路３００とを備えている。
【０００６】ドライバＩＣ２００は、端子として電力回
収回路３００への電力の回収及び電力回収回路３００か
らの電力の供給のための接続端子ＩＯ１と、データ電極
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４への出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ
３，Ｏ４と、接地端子Gndと、クロック信号入力端子Ｃ
ＬＫと，ラッチイネーブル信号入力端子ＬＥと，データ
入力端子ＤＡとを有し、内部回路に各データ電極Ｘ１，
Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４に対応する電極単位ドライバ２１０
と、各電極単位ドライバ２１０のデータパルス駆動を実
現するためのドライバ制御回路２２０とを有している。
各入力端子ＣＬＫ，ＬＥ，ＤＡはドライバ制御回路２２
０に接続され、接続端子ＩＯ１と、出力端子Ｏ１，Ｏ
２，Ｏ３，Ｏ４と、接地端子Gndは電極単位ドライバ２
１０に接続されている。
収回路３００への電力の回収及び電力回収回路３００か
らの電力の供給のための接続端子ＩＯ１と、データ電極
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４への出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ
３，Ｏ４と、接地端子Gndと、クロック信号入力端子Ｃ
ＬＫと，ラッチイネーブル信号入力端子ＬＥと，データ
入力端子ＤＡとを有し、内部回路に各データ電極Ｘ１，
Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４に対応する電極単位ドライバ２１０
と、各電極単位ドライバ２１０のデータパルス駆動を実
現するためのドライバ制御回路２２０とを有している。
各入力端子ＣＬＫ，ＬＥ，ＤＡはドライバ制御回路２２
０に接続され、接続端子ＩＯ１と、出力端子Ｏ１，Ｏ
２，Ｏ３，Ｏ４と、接地端子Gndは電極単位ドライバ２
１０に接続されている。
【０００７】各電極単位ドライバ２１０は、点灯セルに
対して正のデータパルス電圧を供給するために接続端子
ＩＯ１と出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４間を導通する
Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ２１１と、非点灯セルにはＧ
ＮＤ電位を出力するために出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，
Ｏ４と接地端子Gndを導通するＮチャネル型ＭＯＳＦＥ
Ｔ２１２と、ＭＯＳＦＥＴ２１１のゲートに接続された
レベルシフタ２１３と、ＭＯＳＦＥＴ２１２のゲートと
レベルシフタ２１３に接続されたプリバッファ２１４と
を具備している。ＭＯＳＦＥＴ２１１とＭＯＳＦＥＴ２
１２はドレイン同士で直列接続されＭＯＳＦＥＴ２１１
のソースが接続端子ＩＯ１にＭＯＳＦＥＴ２１２のソー
スが接地端子Gndに接続され、その直列接続点が出力端
子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４にそれぞれ接続されている。
尚、点線で示すダイオード２１５，２１６はＭＯＳＦＥ
Ｔ２１１，２１２の寄生ダイオードである。
対して正のデータパルス電圧を供給するために接続端子
ＩＯ１と出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４間を導通する
Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ２１１と、非点灯セルにはＧ
ＮＤ電位を出力するために出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，
Ｏ４と接地端子Gndを導通するＮチャネル型ＭＯＳＦＥ
Ｔ２１２と、ＭＯＳＦＥＴ２１１のゲートに接続された
レベルシフタ２１３と、ＭＯＳＦＥＴ２１２のゲートと
レベルシフタ２１３に接続されたプリバッファ２１４と
を具備している。ＭＯＳＦＥＴ２１１とＭＯＳＦＥＴ２
１２はドレイン同士で直列接続されＭＯＳＦＥＴ２１１
のソースが接続端子ＩＯ１にＭＯＳＦＥＴ２１２のソー
スが接地端子Gndに接続され、その直列接続点が出力端
子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４にそれぞれ接続されている。
尚、点線で示すダイオード２１５，２１６はＭＯＳＦＥ
Ｔ２１１，２１２の寄生ダイオードである。
【０００８】電力回収回路３００は端子として、ドライ
バＩＣ２００の接続端子ＩＯ１に接続される接続端子Ｉ
Ｏ２と、点灯セルに対しての正のデータパルス電圧Ｖｄ
となる電源電圧が入力される電源端子Ｖｄと、接地端子
Gndとを有し、内部回路にデータ電極からの電力回収及
びデータ電極への電力放出用のコイル３０１及びコンデ
ンサ３０２と、コンデンサ３０２からの電力放出時にコ
ンデンサ３０２とコイル３０１間を導通するＰチャネル
型ＭＯＳＦＥＴ３０３と、電力放出時の電流の逆流防止
用のダイオード３０４と、コンデンサ３０２への電力回
収時にコンデンサ３０２とコイル３０１間を導通するＮ
チャネル型ＭＯＳＦＥＴ３０５と、電力回収時の電流の
逆流防止用のダイオード３０６と、電力放出後にデータ
電極を電源端子Ｖｄに導通させるＰチャネル型ＭＯＳＦ
ＥＴ３０７と、電力回収後にデータ電極を接地端子Gnd
に導通させるＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３０８とを有し
ている。コイル３０１の一端は接続端子ＩＯ２に、コン
デンサ３０２の一端は接地端子Gndに接続され、コイル
３０１の他端とコンデンサ３０２の他端間にＭＯＳＦＥ
Ｔ３０３とＭＯＳＦＥＴ３０５がそれぞれダイオード３
０４，３０６を介して並列接続されている。ＭＯＳＦＥ
Ｔ３０７は電源端子Ｖｄと接続端子ＩＯ２間に、ＭＯＳ
ＦＥＴ３０８は接続端子ＩＯ２と接地端子Gnd間に接続
されている。
バＩＣ２００の接続端子ＩＯ１に接続される接続端子Ｉ
Ｏ２と、点灯セルに対しての正のデータパルス電圧Ｖｄ
となる電源電圧が入力される電源端子Ｖｄと、接地端子
Gndとを有し、内部回路にデータ電極からの電力回収及
びデータ電極への電力放出用のコイル３０１及びコンデ
ンサ３０２と、コンデンサ３０２からの電力放出時にコ
ンデンサ３０２とコイル３０１間を導通するＰチャネル
型ＭＯＳＦＥＴ３０３と、電力放出時の電流の逆流防止
用のダイオード３０４と、コンデンサ３０２への電力回
収時にコンデンサ３０２とコイル３０１間を導通するＮ
チャネル型ＭＯＳＦＥＴ３０５と、電力回収時の電流の
逆流防止用のダイオード３０６と、電力放出後にデータ
電極を電源端子Ｖｄに導通させるＰチャネル型ＭＯＳＦ
ＥＴ３０７と、電力回収後にデータ電極を接地端子Gnd
に導通させるＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３０８とを有し
ている。コイル３０１の一端は接続端子ＩＯ２に、コン
デンサ３０２の一端は接地端子Gndに接続され、コイル
３０１の他端とコンデンサ３０２の他端間にＭＯＳＦＥ
Ｔ３０３とＭＯＳＦＥＴ３０５がそれぞれダイオード３
０４，３０６を介して並列接続されている。ＭＯＳＦＥ
Ｔ３０７は電源端子Ｖｄと接続端子ＩＯ２間に、ＭＯＳ
ＦＥＴ３０８は接続端子ＩＯ２と接地端子Gnd間に接続
されている。
【０００９】次に、図７を併用して電力回収動作及び電
力放出動作について説明する。尚、説明の便宜上、デー
タ電極Ｘ１に接続した１段目の電極単位ドライバ２１０
とデータ電極Ｘ２に接続した２段目の電極単位ドライバ
２１０を代表とし、時刻Ｔ１時点から、１段目の電極単
位ドライバ２１０はセルを点灯する正のデータパルス電
圧を供給するように制御され、２段目の電極単位ドライ
バ２１０はセルを非点灯とするＧＮＤ電位を出力するよ
うに制御されるものとして説明する。最初に１段目の電
極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１２と２段目の
電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１１がＯＮし
ており、１段目の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥ
Ｔ２１１と２段目の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦ
ＥＴ２１２と電力回収回路３００のＭＯＳＦＥＴ３０
３，３０５，３０７，３０８はともにＯＦＦしており、
端子Ｏ１，Ｏ２への出力電位ＶｏはＧＮＤ電位である。
このとき電力回収回路３００のコンデンサ３０２の電位
は約１／２Ｖｄに前の電力回収動作で充電されているも
のとする。
力放出動作について説明する。尚、説明の便宜上、デー
タ電極Ｘ１に接続した１段目の電極単位ドライバ２１０
とデータ電極Ｘ２に接続した２段目の電極単位ドライバ
２１０を代表とし、時刻Ｔ１時点から、１段目の電極単
位ドライバ２１０はセルを点灯する正のデータパルス電
圧を供給するように制御され、２段目の電極単位ドライ
バ２１０はセルを非点灯とするＧＮＤ電位を出力するよ
うに制御されるものとして説明する。最初に１段目の電
極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１２と２段目の
電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１１がＯＮし
ており、１段目の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥ
Ｔ２１１と２段目の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦ
ＥＴ２１２と電力回収回路３００のＭＯＳＦＥＴ３０
３，３０５，３０７，３０８はともにＯＦＦしており、
端子Ｏ１，Ｏ２への出力電位ＶｏはＧＮＤ電位である。
このとき電力回収回路３００のコンデンサ３０２の電位
は約１／２Ｖｄに前の電力回収動作で充電されているも
のとする。
【００１０】時刻Ｔ１において１段目の電極単位ドライ
バ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１２と２段目の電極単位ドラ
イバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１１をＯＦＦにし、１段目
の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１１と２段
目の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１２と電
力回収回路３００のＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＮにする
と、端子Ｏ１に接続されたデータ電極Ｘ１にＭＯＳＦＥ
Ｔ３０３とＭＯＳＦＥＴ２１１とを経由して電位約１／
２Ｖｄの状態のコンデンサ３０２から電流Ｉｒが流れ、
電力放出動作が起こる。電流Ｉｒのピーク以降もコイル
３０１のインダクタンス作用により電流Ｉｒは継続し、
端子Ｏ１の出力電位Ｖｏは電圧Ｖｄレベルに向かう。し
かし、この電流経路の抵抗成分による電力消費のため電
圧Ｖｄレベルまでには到達しきらない。このため、時刻
Ｔ２においてＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＦＦにし、ＭＯＳ
ＦＥＴ３０７をＯＮにして端子Ｏ１の出力電位Ｖｏを電
源電圧Ｖｄに収束させる。ＭＯＳＦＥＴ３０７は所定時
間後、時刻Ｔ３でＯＦＦにする。
バ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１２と２段目の電極単位ドラ
イバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１１をＯＦＦにし、１段目
の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１１と２段
目の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳＦＥＴ２１２と電
力回収回路３００のＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＮにする
と、端子Ｏ１に接続されたデータ電極Ｘ１にＭＯＳＦＥ
Ｔ３０３とＭＯＳＦＥＴ２１１とを経由して電位約１／
２Ｖｄの状態のコンデンサ３０２から電流Ｉｒが流れ、
電力放出動作が起こる。電流Ｉｒのピーク以降もコイル
３０１のインダクタンス作用により電流Ｉｒは継続し、
端子Ｏ１の出力電位Ｖｏは電圧Ｖｄレベルに向かう。し
かし、この電流経路の抵抗成分による電力消費のため電
圧Ｖｄレベルまでには到達しきらない。このため、時刻
Ｔ２においてＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＦＦにし、ＭＯＳ
ＦＥＴ３０７をＯＮにして端子Ｏ１の出力電位Ｖｏを電
源電圧Ｖｄに収束させる。ＭＯＳＦＥＴ３０７は所定時
間後、時刻Ｔ３でＯＦＦにする。
【００１１】出力の所定のパルス幅期間後、時刻Ｔ４に
おいてＭＯＳＦＥＴ３０５をＯＮにすると、端子Ｏ１に
接続されたデータ電極Ｘ１からＭＯＳＦＥＴ２１１とＭ
ＯＳＦＥＴ３０５とを経由して電位約１／２Ｖｄにある
コンデンサ３０２に向かって電流Ｉｒが流れて電力回収
動作が起こる。電流の向きの違いを除き上記電力放出と
同様の動作により、端子Ｏ１の出力ＶｏはＧＮＤ電位に
向かう。しかし、同様に電流経路の抵抗成分での電力消
費によりＧＮＤ電位までには低下しきらない。このた
め、時刻Ｔ５においてＭＯＳＦＥＴ３０５をＯＦＦに
し、ＭＯＳＦＥＴ３０８をＯＮにして端子Ｏ１の出力電
位ＶｏをＧＮＤ電位に収束させる。尚、端子Ｏ２の出力
電位Ｖｏは、時刻Ｔ１時点から、２段目の電極単位ドラ
イバ２１０によりセルを非点灯とするＧＮＤ電位に制御
されており、電力回収回路３００による電力回収動作及
び電力放出動作はない。
おいてＭＯＳＦＥＴ３０５をＯＮにすると、端子Ｏ１に
接続されたデータ電極Ｘ１からＭＯＳＦＥＴ２１１とＭ
ＯＳＦＥＴ３０５とを経由して電位約１／２Ｖｄにある
コンデンサ３０２に向かって電流Ｉｒが流れて電力回収
動作が起こる。電流の向きの違いを除き上記電力放出と
同様の動作により、端子Ｏ１の出力ＶｏはＧＮＤ電位に
向かう。しかし、同様に電流経路の抵抗成分での電力消
費によりＧＮＤ電位までには低下しきらない。このた
め、時刻Ｔ５においてＭＯＳＦＥＴ３０５をＯＦＦに
し、ＭＯＳＦＥＴ３０８をＯＮにして端子Ｏ１の出力電
位ＶｏをＧＮＤ電位に収束させる。尚、端子Ｏ２の出力
電位Ｖｏは、時刻Ｔ１時点から、２段目の電極単位ドラ
イバ２１０によりセルを非点灯とするＧＮＤ電位に制御
されており、電力回収回路３００による電力回収動作及
び電力放出動作はない。
【００１２】次に、上述した電極単位ドライバ２１０の
データパルス駆動を実現するためのドライバ制御回路２
２０の構成と制御動作について説明する。先ず、構成を
図８を参照して説明すると、ドライバ制御回路２２０
は、クロックＣＬＫに同期してデータＤＡを入力し出力
Ｓ１〜Ｓ４を出力する４ビットのシフトレジスタ２２１
と、ラッチイネーブルＬＥに同期して出力Ｓ１〜Ｓ４を
取込み保持し出力Ｌ１〜Ｌ４を出力する４ビットのラッ
チ２２２とを有している。
データパルス駆動を実現するためのドライバ制御回路２
２０の構成と制御動作について説明する。先ず、構成を
図８を参照して説明すると、ドライバ制御回路２２０
は、クロックＣＬＫに同期してデータＤＡを入力し出力
Ｓ１〜Ｓ４を出力する４ビットのシフトレジスタ２２１
と、ラッチイネーブルＬＥに同期して出力Ｓ１〜Ｓ４を
取込み保持し出力Ｌ１〜Ｌ４を出力する４ビットのラッ
チ２２２とを有している。
【００１３】次に、このドライバ制御回路２２０による
制御動作について図９を併用して説明する。尚、説明の
便宜上、データ電極Ｘ１に接続した１段目の電極単位ド
ライバ２１０とデータ電極Ｘ２に接続した２段目の電極
単位ドライバ２１０の制御動作を代表として説明する。
クロックＣＬＫに同期してデータＤＡをシフトレジスタ
２２１に入力し、例えば、出力Ｓ１を走査電極Yjに対応
してハイレベル、走査電極Yj+1に対応してロウレベル、
出力Ｓ２を走査電極Yjに対応してロウレベル、走査電極
Yj+1に対応してハイレベルとする。ラッチイネーブルＬ
Ｅを図示の周期でラッチ２２２へ入力するとラッチ２２
２からの出力Ｌ１は走査電極Yjに対応して時刻Ｔ１ｊに
ハイレベル、走査電極Yj+1に対応して時刻Ｔ１（ｊ＋
１）にロウレベル、出力Ｓ２は走査電極Yjに対応して時
刻Ｔ１ｊにロウレベル、走査電極Yj+1に対応して時刻Ｔ
１（ｊ＋１）にハイレベルとなる。この出力Ｌ１，Ｌ２
が１段目の電極単位ドライバ２１０と２段目の電極単位
ドライバ２１０に入力されると、図７に示す電力回収動
作及び電力放出動作により、時刻Ｔ１ｊが時刻Ｔ１に対
応し、また時刻Ｔ１（ｊ＋１）が時刻Ｔ１に対応すると
共に１段目と２段目の電極単位ドライバ２１０の動作及
び出力端子Ｏ１，Ｏ２の出力電圧Ｖｏが入れ替わり、出
力端子Ｏ１，Ｏ２は図示のような出力電圧Ｖｏになる。
制御動作について図９を併用して説明する。尚、説明の
便宜上、データ電極Ｘ１に接続した１段目の電極単位ド
ライバ２１０とデータ電極Ｘ２に接続した２段目の電極
単位ドライバ２１０の制御動作を代表として説明する。
クロックＣＬＫに同期してデータＤＡをシフトレジスタ
２２１に入力し、例えば、出力Ｓ１を走査電極Yjに対応
してハイレベル、走査電極Yj+1に対応してロウレベル、
出力Ｓ２を走査電極Yjに対応してロウレベル、走査電極
Yj+1に対応してハイレベルとする。ラッチイネーブルＬ
Ｅを図示の周期でラッチ２２２へ入力するとラッチ２２
２からの出力Ｌ１は走査電極Yjに対応して時刻Ｔ１ｊに
ハイレベル、走査電極Yj+1に対応して時刻Ｔ１（ｊ＋
１）にロウレベル、出力Ｓ２は走査電極Yjに対応して時
刻Ｔ１ｊにロウレベル、走査電極Yj+1に対応して時刻Ｔ
１（ｊ＋１）にハイレベルとなる。この出力Ｌ１，Ｌ２
が１段目の電極単位ドライバ２１０と２段目の電極単位
ドライバ２１０に入力されると、図７に示す電力回収動
作及び電力放出動作により、時刻Ｔ１ｊが時刻Ｔ１に対
応し、また時刻Ｔ１（ｊ＋１）が時刻Ｔ１に対応すると
共に１段目と２段目の電極単位ドライバ２１０の動作及
び出力端子Ｏ１，Ｏ２の出力電圧Ｖｏが入れ替わり、出
力端子Ｏ１，Ｏ２は図示のような出力電圧Ｖｏになる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、表示パネル
の各データ電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４間には配線容量
ＣＢ（図６参照）を有しており、例えば、図７に示すよ
うに出力端子Ｏ１にセルを点灯する正のデータパルス電
圧が供給され、出力端子Ｏ２にセルを非点灯とするＧＮ
Ｄ電位が出力されているとき、データ電極Ｘ１，Ｘ２間
の配線容量ＣＢにも端子Ｏ１の出力電圧Ｖｏが印加され
る。このとき２段目の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳ
ＦＥＴ２１２はＯＮしており、例えば、出力端子Ｏ１の
Ｖｏが図７に示す時刻Ｔ２からＴ４までの期間のように
一定状態のときには出力端子Ｏ２の電位はＧＮＤ電位で
ある。ところが出力端子Ｏ１のＶｏが図７に示す時刻Ｔ
４からＴ５までの期間（電力回収動作時）のように過度
状態のときに配線容量ＣＢがカップリングコンデンサと
して作用すると出力端子Ｏ２の電位はＧＮＤ電位から負
に変位し、接地端子Gndから２段目の電極単位ドライバ
２１０のＯＮしているＭＯＳＦＥＴ２１２及びその寄生
ダイオード２１６を介して電流が流れ、無効電力を生じ
るという問題があった。従って、本発明は上記の問題点
を解決するためになされたもので、電力回収動作時の過
度状態時にセルを非点灯とするＧＮＤ電位に出力が制御
されている電極単位ドライバのＧＮＤ電位に導通するＭ
ＯＳＦＥＴに電流が流れないようにして電力損失を防止
した表示パネル駆動装置を提供することを目的とする。
の各データ電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４間には配線容量
ＣＢ（図６参照）を有しており、例えば、図７に示すよ
うに出力端子Ｏ１にセルを点灯する正のデータパルス電
圧が供給され、出力端子Ｏ２にセルを非点灯とするＧＮ
Ｄ電位が出力されているとき、データ電極Ｘ１，Ｘ２間
の配線容量ＣＢにも端子Ｏ１の出力電圧Ｖｏが印加され
る。このとき２段目の電極単位ドライバ２１０のＭＯＳ
ＦＥＴ２１２はＯＮしており、例えば、出力端子Ｏ１の
Ｖｏが図７に示す時刻Ｔ２からＴ４までの期間のように
一定状態のときには出力端子Ｏ２の電位はＧＮＤ電位で
ある。ところが出力端子Ｏ１のＶｏが図７に示す時刻Ｔ
４からＴ５までの期間（電力回収動作時）のように過度
状態のときに配線容量ＣＢがカップリングコンデンサと
して作用すると出力端子Ｏ２の電位はＧＮＤ電位から負
に変位し、接地端子Gndから２段目の電極単位ドライバ
２１０のＯＮしているＭＯＳＦＥＴ２１２及びその寄生
ダイオード２１６を介して電流が流れ、無効電力を生じ
るという問題があった。従って、本発明は上記の問題点
を解決するためになされたもので、電力回収動作時の過
度状態時にセルを非点灯とするＧＮＤ電位に出力が制御
されている電極単位ドライバのＧＮＤ電位に導通するＭ
ＯＳＦＥＴに電流が流れないようにして電力損失を防止
した表示パネル駆動装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る表示パネル
駆動装置は、複数個のデータ電極と走査電極が直交配置
されその交差点に容量性負荷の表示セルが形成された表
示パネルの各データ電極をパルス駆動して表示セルの点
灯または非点灯のデータを書込む各データ電極毎に設け
られた電極単位ドライバと、電極単位ドライバを介して
データ電極に対して電力回収及び電力放出すると共にデ
ータパルス電圧及びＧＮＤ電位を供給する電力回収回路
とを具備し、各電極単位ドライバが点灯のデータが書込
まれるデータ電極にはデータパルス電圧を導通させ、非
点灯のデータが書込まれるデータ電極にはＧＮＤ電位を
導通させる出力段を含む表示パネル駆動装置において、
前記回収回路による電力回収動作時にのみ前記非点灯の
データが書込まれるデータ電極とこのデータ電極に接続
される電極単位ドライバの出力段間をハイインピーダン
スにするスイッチ手段を前記出力段の後段に接続したこ
とを特徴とする。上記の手段によれば、出力段の後段に
スイッチ手段を設け、非点灯のデータが書込まれるデー
タ電極とこのデータ電極に接続される電極単位ドライバ
の出力段間のスイッチ手段を電力回収動作時のみＯＦＦ
とするようにしたので、点灯のデータが書込まれるデー
タ電極と非点灯のデータが書込まれるデータ電極間の配
線容量ＣＢでのカップリングコンデンサとしての作用に
より非点灯のデータが書込まれるデータ電極の電位がＧ
ＮＤ電位より低く変位しても、非点灯のデータが書込ま
れるデータ電極に接続された電極単位ドライバの出力段
のＧＮＤ電位を導通させるところから電流が流れること
はない。本発明に係る表示パネル駆動装置は、上記表示
パネル駆動装置において出力段が電力回収回路とＧＮＤ
電位間に直列接続されたＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮ
チャネル型ＭＯＳＦＥＴとを含み、Ｐチャネル型ＭＯＳ
ＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとの直列接続点を出
力とすることを特徴とする。上記の手段によれば、Ｐチ
ャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとか
らなる出力段の後段にスイッチ手段を設け、非点灯のデ
ータが書込まれるデータ電極とこのデータ電極に接続さ
れる電極単位ドライバの出力段間のスイッチ手段を電力
回収動作時のみＯＦＦとするようにしたので、点灯のデ
ータが書込まれるデータ電極と非点灯のデータが書込ま
れるデータ電極間の配線容量ＣＢでのカップリングコン
デンサとしての作用により非点灯のデータが書込まれる
データ電極の電位がＧＮＤ電位より低く変位しても、非
点灯のデータが書込まれるデータ電極に接続された電極
単位ドライバの出力段のＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴの寄
生ダイオードを介して電流が流れることはない。本発明
に係る表示パネル駆動装置は、上記表示パネル駆動装置
においてスイッチ手段が出力段側をソースとするＰチャ
ネル型ＭＯＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴに並列
接続され出力段側をドレインとするＮチャネル型ＭＯＳ
ＦＥＴとを含むトランスファゲートであることを特徴と
する。本発明に係る表示パネル駆動装置は、上記表示パ
ネル駆動装置においてトランスファゲートが電極単位ド
ライバの前段に接続されたドライバ制御回路に含まれる
ラッチの出力と電力回収動作時にロウレベルとなる出力
イネーブル信号との論理和の否定により制御されること
を特徴とする。本発明に係る表示パネル駆動装置は、複
数個のデータ電極と走査電極が直交配置されその交差点
に容量性負荷の表示セルが形成された表示パネルの各デ
ータ電極をパルス駆動して表示セルの点灯または非点灯
のデータを書込むドライバＩＣと、ドライバＩＣに外付
けされドライバＩＣを介してデータ電極に対して電力回
収及び電力放出すると共にデータパルス電圧及びＧＮＤ
電位を供給する電力回収回路とを具備し、ドライバＩＣ
が各データ電極に接続される出力端子と、電力回収回路
に接続される接続端子と、接地端子と、各出力端子毎に
設けた電極単位ドライバと、各電極単位ドライバを制御
するドライバ制御回路とを有し、各電極単位ドライバが
接続端子と接地端子間に直列接続された点灯のデータが
書込まれるデータ電極にデータパルス電圧を導通させる
Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴと非点灯のデータが書込まれ
るデータ電極にＧＮＤ電位を導通させるＮチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴとからなる出力段を含み、ドライバ制御回路
がラッチを含む表示パネル駆動装置において、前記Ｐチ
ャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとの
接続点と出力端子間にトランスファゲートを接続し、前
記ラッチの出力と前記電力回収回路の電力回収動作時に
ロウレベルとなる出力イネーブル信号との論理和の否定
により前記トランスファゲートを制御して前記電力回収
動作時にロウレベルのラッチ出力が入力される電極単位
ドライバのトランスファゲートをＯＦＦ状態にすると共
に、前記Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ及びＮチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴを前記出力イネーブル信号により制御して前
記電力回収動作時にＯＦＦ状態にすることを特徴とす
る。
駆動装置は、複数個のデータ電極と走査電極が直交配置
されその交差点に容量性負荷の表示セルが形成された表
示パネルの各データ電極をパルス駆動して表示セルの点
灯または非点灯のデータを書込む各データ電極毎に設け
られた電極単位ドライバと、電極単位ドライバを介して
データ電極に対して電力回収及び電力放出すると共にデ
ータパルス電圧及びＧＮＤ電位を供給する電力回収回路
とを具備し、各電極単位ドライバが点灯のデータが書込
まれるデータ電極にはデータパルス電圧を導通させ、非
点灯のデータが書込まれるデータ電極にはＧＮＤ電位を
導通させる出力段を含む表示パネル駆動装置において、
前記回収回路による電力回収動作時にのみ前記非点灯の
データが書込まれるデータ電極とこのデータ電極に接続
される電極単位ドライバの出力段間をハイインピーダン
スにするスイッチ手段を前記出力段の後段に接続したこ
とを特徴とする。上記の手段によれば、出力段の後段に
スイッチ手段を設け、非点灯のデータが書込まれるデー
タ電極とこのデータ電極に接続される電極単位ドライバ
の出力段間のスイッチ手段を電力回収動作時のみＯＦＦ
とするようにしたので、点灯のデータが書込まれるデー
タ電極と非点灯のデータが書込まれるデータ電極間の配
線容量ＣＢでのカップリングコンデンサとしての作用に
より非点灯のデータが書込まれるデータ電極の電位がＧ
ＮＤ電位より低く変位しても、非点灯のデータが書込ま
れるデータ電極に接続された電極単位ドライバの出力段
のＧＮＤ電位を導通させるところから電流が流れること
はない。本発明に係る表示パネル駆動装置は、上記表示
パネル駆動装置において出力段が電力回収回路とＧＮＤ
電位間に直列接続されたＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮ
チャネル型ＭＯＳＦＥＴとを含み、Ｐチャネル型ＭＯＳ
ＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとの直列接続点を出
力とすることを特徴とする。上記の手段によれば、Ｐチ
ャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとか
らなる出力段の後段にスイッチ手段を設け、非点灯のデ
ータが書込まれるデータ電極とこのデータ電極に接続さ
れる電極単位ドライバの出力段間のスイッチ手段を電力
回収動作時のみＯＦＦとするようにしたので、点灯のデ
ータが書込まれるデータ電極と非点灯のデータが書込ま
れるデータ電極間の配線容量ＣＢでのカップリングコン
デンサとしての作用により非点灯のデータが書込まれる
データ電極の電位がＧＮＤ電位より低く変位しても、非
点灯のデータが書込まれるデータ電極に接続された電極
単位ドライバの出力段のＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴの寄
生ダイオードを介して電流が流れることはない。本発明
に係る表示パネル駆動装置は、上記表示パネル駆動装置
においてスイッチ手段が出力段側をソースとするＰチャ
ネル型ＭＯＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴに並列
接続され出力段側をドレインとするＮチャネル型ＭＯＳ
ＦＥＴとを含むトランスファゲートであることを特徴と
する。本発明に係る表示パネル駆動装置は、上記表示パ
ネル駆動装置においてトランスファゲートが電極単位ド
ライバの前段に接続されたドライバ制御回路に含まれる
ラッチの出力と電力回収動作時にロウレベルとなる出力
イネーブル信号との論理和の否定により制御されること
を特徴とする。本発明に係る表示パネル駆動装置は、複
数個のデータ電極と走査電極が直交配置されその交差点
に容量性負荷の表示セルが形成された表示パネルの各デ
ータ電極をパルス駆動して表示セルの点灯または非点灯
のデータを書込むドライバＩＣと、ドライバＩＣに外付
けされドライバＩＣを介してデータ電極に対して電力回
収及び電力放出すると共にデータパルス電圧及びＧＮＤ
電位を供給する電力回収回路とを具備し、ドライバＩＣ
が各データ電極に接続される出力端子と、電力回収回路
に接続される接続端子と、接地端子と、各出力端子毎に
設けた電極単位ドライバと、各電極単位ドライバを制御
するドライバ制御回路とを有し、各電極単位ドライバが
接続端子と接地端子間に直列接続された点灯のデータが
書込まれるデータ電極にデータパルス電圧を導通させる
Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴと非点灯のデータが書込まれ
るデータ電極にＧＮＤ電位を導通させるＮチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴとからなる出力段を含み、ドライバ制御回路
がラッチを含む表示パネル駆動装置において、前記Ｐチ
ャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとの
接続点と出力端子間にトランスファゲートを接続し、前
記ラッチの出力と前記電力回収回路の電力回収動作時に
ロウレベルとなる出力イネーブル信号との論理和の否定
により前記トランスファゲートを制御して前記電力回収
動作時にロウレベルのラッチ出力が入力される電極単位
ドライバのトランスファゲートをＯＦＦ状態にすると共
に、前記Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ及びＮチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴを前記出力イネーブル信号により制御して前
記電力回収動作時にＯＦＦ状態にすることを特徴とす
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に基づき表示パネ
ル駆動装置の１実施例のデータ電極駆動装置を図１及び
図２を参照して説明する。尚、説明を簡明にするために
データ電極を４個（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４）として説
明し、図６及び図８と同一部分には同一符号を付してそ
の説明を省略する。先ず、構成を図１を参照して説明す
る。このデータ電極駆動装置はドライバＩＣ４００と、
このドライバＩＣ４００に外付けされた電力回収回路３
００とを備えている。
ル駆動装置の１実施例のデータ電極駆動装置を図１及び
図２を参照して説明する。尚、説明を簡明にするために
データ電極を４個（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４）として説
明し、図６及び図８と同一部分には同一符号を付してそ
の説明を省略する。先ず、構成を図１を参照して説明す
る。このデータ電極駆動装置はドライバＩＣ４００と、
このドライバＩＣ４００に外付けされた電力回収回路３
００とを備えている。
【００１７】ドライバＩＣ４００は、端子として電力回
収回路３００への電力の回収及び電力回収回路３００か
らの電力の供給のための接続端子ＩＯ１と、データ電極
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４への出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ
３，Ｏ４と、接地端子Gndと、クロック信号入力端子Ｃ
ＬＫと，ラッチイネーブル信号入力端子ＬＥと，データ
入力端子ＤＡと、出力イネーブル信号入力端子ＯＥとを
有し、内部回路に各データ電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４
に対応する電極単位ドライバ４１０と、各電極単位ドラ
イバ４１０のデータパルス駆動を実現するためのドライ
バ制御回路４２０とを有している。各入力端子ＣＬＫ，
ＬＥ，ＤＡ，ＯＥはドライバ制御回路４２０に接続さ
れ、接続端子ＩＯ１と、出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ
４と、接地端子Gndは電極単位ドライバ４１０に接続さ
れている。
収回路３００への電力の回収及び電力回収回路３００か
らの電力の供給のための接続端子ＩＯ１と、データ電極
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４への出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ
３，Ｏ４と、接地端子Gndと、クロック信号入力端子Ｃ
ＬＫと，ラッチイネーブル信号入力端子ＬＥと，データ
入力端子ＤＡと、出力イネーブル信号入力端子ＯＥとを
有し、内部回路に各データ電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４
に対応する電極単位ドライバ４１０と、各電極単位ドラ
イバ４１０のデータパルス駆動を実現するためのドライ
バ制御回路４２０とを有している。各入力端子ＣＬＫ，
ＬＥ，ＤＡ，ＯＥはドライバ制御回路４２０に接続さ
れ、接続端子ＩＯ１と、出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ
４と、接地端子Gndは電極単位ドライバ４１０に接続さ
れている。
【００１８】各電極単位ドライバ４１０は、図６で示し
たＭＯＳＦＥＴ２１１，２１２、レベルシフタ２１３及
びプリバッファ２１４の他にＭＯＳＦＥＴ２１１，２１
２の接続点と出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４間に高圧
のＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４１１及びＮチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴ４１２からなるトランスファゲート４１３
と、トランスファゲート４１３の各ゲートに接続された
レベルシフタ４１４と、レベルシフタ４１４に接続され
たプリバッファ４１５とを具備している。尚、点線で示
すダイオード４１６，４１７はＭＯＳＦＥＴ４１１，４
１２の寄生ダイオードである。
たＭＯＳＦＥＴ２１１，２１２、レベルシフタ２１３及
びプリバッファ２１４の他にＭＯＳＦＥＴ２１１，２１
２の接続点と出力端子Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４間に高圧
のＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４１１及びＮチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴ４１２からなるトランスファゲート４１３
と、トランスファゲート４１３の各ゲートに接続された
レベルシフタ４１４と、レベルシフタ４１４に接続され
たプリバッファ４１５とを具備している。尚、点線で示
すダイオード４１６，４１７はＭＯＳＦＥＴ４１１，４
１２の寄生ダイオードである。
【００１９】次に、図２を併用して電力回収動作及び電
力放出動作について説明する。尚、説明の便宜上、デー
タ電極Ｘ１に接続した１段目の電極単位ドライバ４１０
とデータ電極Ｘ２に接続した２段目の電極単位ドライバ
４１０を代表とし、時刻Ｔ１時点から、１段目の電極単
位ドライバ４１０はセルを点灯する正のデータパルス電
圧を供給するように制御され、２段目の電極単位ドライ
バ４１０はセルを非点灯とするＧＮＤ電位を出力するよ
うに制御されるものとして説明する。尚、時刻Ｔ１の直
前は１段目の電極単位ドライバ４１０はセルを非点灯と
するＧＮＤ電位を出力するように制御され、２段目の電
極単位ドライバ４１０はセルを点灯する正のデータパル
ス電圧を供給するように制御されていたものとし、その
とき、１段目の電極単位ドライバ４１０は、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２１２とトランスファゲート４１３がＯＮしており、
ＭＯＳＦＥＴ２１１がＯＦＦしており、２段目の電極単
位ドライバ４１０は、ＭＯＳＦＥＴ２１１とトランスフ
ァゲート４１３がＯＮしており、ＭＯＳＦＥＴ２１２が
ＯＦＦしており、電力回収回路３００は、ＭＯＳＦＥＴ
３０３，３０５，３０７，３０８がともにＯＦＦしてお
り、端子Ｏ１，Ｏ２への出力電位ＶｏはＧＮＤ電位であ
る。このとき電力回収回路３００のコンデンサ３０２の
電位は約１／２Ｖｄに前の電力回収動作で充電されてい
るものとする。
力放出動作について説明する。尚、説明の便宜上、デー
タ電極Ｘ１に接続した１段目の電極単位ドライバ４１０
とデータ電極Ｘ２に接続した２段目の電極単位ドライバ
４１０を代表とし、時刻Ｔ１時点から、１段目の電極単
位ドライバ４１０はセルを点灯する正のデータパルス電
圧を供給するように制御され、２段目の電極単位ドライ
バ４１０はセルを非点灯とするＧＮＤ電位を出力するよ
うに制御されるものとして説明する。尚、時刻Ｔ１の直
前は１段目の電極単位ドライバ４１０はセルを非点灯と
するＧＮＤ電位を出力するように制御され、２段目の電
極単位ドライバ４１０はセルを点灯する正のデータパル
ス電圧を供給するように制御されていたものとし、その
とき、１段目の電極単位ドライバ４１０は、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２１２とトランスファゲート４１３がＯＮしており、
ＭＯＳＦＥＴ２１１がＯＦＦしており、２段目の電極単
位ドライバ４１０は、ＭＯＳＦＥＴ２１１とトランスフ
ァゲート４１３がＯＮしており、ＭＯＳＦＥＴ２１２が
ＯＦＦしており、電力回収回路３００は、ＭＯＳＦＥＴ
３０３，３０５，３０７，３０８がともにＯＦＦしてお
り、端子Ｏ１，Ｏ２への出力電位ＶｏはＧＮＤ電位であ
る。このとき電力回収回路３００のコンデンサ３０２の
電位は約１／２Ｖｄに前の電力回収動作で充電されてい
るものとする。
【００２０】時刻Ｔ１において、１段目の電極単位ドラ
イバ４１０は、ＭＯＳＦＥＴ２１１をＯＮ、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２１２をＯＦＦ、２段目の電極単位ドライバ４１０は
ＭＯＳＦＥＴ２１１をＯＦＦ、ＭＯＳＦＥＴ２１２をＯ
Ｎ、電力回収回路３００はＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＮに
すると、電力回収回路３００の電位約１／２Ｖｄの状態
のコンデンサ３０２から端子Ｏ１に接続されたデータ電
極Ｘ１にＭＯＳＦＥＴ３０３と１段目の電極単位ドライ
バ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１１とを経由して電流Ｉｒが
流れ、電力放出動作が起こる。電流Ｉｒのピーク以降も
コイル３０１のインダクタンス作用により電流Ｉｒは継
続し、端子Ｏ１の出力電位Ｖｏは電圧Ｖｄレベルに向か
う。しかし、この電流経路の抵抗成分による電力消費の
ため電圧Ｖｄレベルまでには到達しきらない。このた
め、時刻Ｔ２においてＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＦＦ、Ｍ
ＯＳＦＥＴ３０７をＯＮにして端子Ｏ１の出力電位Ｖｏ
を電源電圧Ｖｄに収束させる。ＭＯＳＦＥＴ３０７は所
定時間後、時刻Ｔ３でＯＦＦにする。
イバ４１０は、ＭＯＳＦＥＴ２１１をＯＮ、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２１２をＯＦＦ、２段目の電極単位ドライバ４１０は
ＭＯＳＦＥＴ２１１をＯＦＦ、ＭＯＳＦＥＴ２１２をＯ
Ｎ、電力回収回路３００はＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＮに
すると、電力回収回路３００の電位約１／２Ｖｄの状態
のコンデンサ３０２から端子Ｏ１に接続されたデータ電
極Ｘ１にＭＯＳＦＥＴ３０３と１段目の電極単位ドライ
バ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１１とを経由して電流Ｉｒが
流れ、電力放出動作が起こる。電流Ｉｒのピーク以降も
コイル３０１のインダクタンス作用により電流Ｉｒは継
続し、端子Ｏ１の出力電位Ｖｏは電圧Ｖｄレベルに向か
う。しかし、この電流経路の抵抗成分による電力消費の
ため電圧Ｖｄレベルまでには到達しきらない。このた
め、時刻Ｔ２においてＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＦＦ、Ｍ
ＯＳＦＥＴ３０７をＯＮにして端子Ｏ１の出力電位Ｖｏ
を電源電圧Ｖｄに収束させる。ＭＯＳＦＥＴ３０７は所
定時間後、時刻Ｔ３でＯＦＦにする。
【００２１】出力の所定のパルス幅期間後、時刻Ｔ４に
おいて１段目の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ
２１１と２段目の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥ
Ｔ２１２及びトランスファゲート４１３とをＯＦＦに
し、ＭＯＳＦＥＴ３０５をＯＮにすると、端子Ｏ１に接
続されたデータ電極Ｘ１から１段目の電極単位ドライバ
４１０のトランスファゲート４１３と１段目の電極単位
ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１１の寄生ダイオード
２１５とＭＯＳＦＥＴ３０５とを経由して電位約１／２
Ｖｄにあるコンデンサ３０２に向かって電流Ｉｒが流れ
て電力回収動作が起こる。電流の向きの違いを除き上記
電力放出と同様の動作により、端子Ｏ１の出力ＶｏはＧ
ＮＤ電位に向かう。しかし、同様に電流経路の抵抗成分
での電力消費によりＧＮＤ電位までには低下しきらな
い。このため、時刻Ｔ５においてＭＯＳＦＥＴ３０５を
ＯＦＦにし、ＭＯＳＦＥＴ３０８をＯＮにして端子Ｏ１
の出力電位ＶｏをＧＮＤ電位に収束させる。このとき１
段目の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１１と
２段目の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１２
及びトランスファゲート４１３をＯＮにする。ＭＯＳＦ
ＥＴ３０８は所定時間後、時刻Ｔ６でＯＦＦにする。
おいて１段目の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ
２１１と２段目の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥ
Ｔ２１２及びトランスファゲート４１３とをＯＦＦに
し、ＭＯＳＦＥＴ３０５をＯＮにすると、端子Ｏ１に接
続されたデータ電極Ｘ１から１段目の電極単位ドライバ
４１０のトランスファゲート４１３と１段目の電極単位
ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１１の寄生ダイオード
２１５とＭＯＳＦＥＴ３０５とを経由して電位約１／２
Ｖｄにあるコンデンサ３０２に向かって電流Ｉｒが流れ
て電力回収動作が起こる。電流の向きの違いを除き上記
電力放出と同様の動作により、端子Ｏ１の出力ＶｏはＧ
ＮＤ電位に向かう。しかし、同様に電流経路の抵抗成分
での電力消費によりＧＮＤ電位までには低下しきらな
い。このため、時刻Ｔ５においてＭＯＳＦＥＴ３０５を
ＯＦＦにし、ＭＯＳＦＥＴ３０８をＯＮにして端子Ｏ１
の出力電位ＶｏをＧＮＤ電位に収束させる。このとき１
段目の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１１と
２段目の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１２
及びトランスファゲート４１３をＯＮにする。ＭＯＳＦ
ＥＴ３０８は所定時間後、時刻Ｔ６でＯＦＦにする。
【００２２】時刻Ｔ４〜Ｔ５（データ電極Ｘ１からの電
力回収動作時）において、２段目の電極単位ドライバ４
１０のトランスファゲート４１３をＯＦＦにしており、
データ電極Ｘ１とＸ２間の配線容量ＣＢ（図６参照）の
カップリングコンデンサ作用により端子Ｏ２の電位がＧ
ＮＤ電位より低く変位しても、接地端子Gndから２段目
の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１２の寄生
ダイオード２１６を介して電流が流れることはない。
尚、端子Ｏ２の出力電位Ｖｏは、時刻Ｔ４〜Ｔ５を除い
て時刻Ｔ１時点から、２段目の電極単位ドライバ２１０
によりセルを非点灯とするＧＮＤ電位に制御されてお
り、電力回収回路３００による電力回収動作及び電力放
出動作はない。
力回収動作時）において、２段目の電極単位ドライバ４
１０のトランスファゲート４１３をＯＦＦにしており、
データ電極Ｘ１とＸ２間の配線容量ＣＢ（図６参照）の
カップリングコンデンサ作用により端子Ｏ２の電位がＧ
ＮＤ電位より低く変位しても、接地端子Gndから２段目
の電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１２の寄生
ダイオード２１６を介して電流が流れることはない。
尚、端子Ｏ２の出力電位Ｖｏは、時刻Ｔ４〜Ｔ５を除い
て時刻Ｔ１時点から、２段目の電極単位ドライバ２１０
によりセルを非点灯とするＧＮＤ電位に制御されてお
り、電力回収回路３００による電力回収動作及び電力放
出動作はない。
【００２３】次に、上述した電極単位ドライバ４１０の
データパルス駆動を実現するためのドライバ制御回路４
２０の構成と制御動作について説明する。先ず、構成を
図１を参照して説明すると、ドライバ制御回路４２０
は、図８に示すシフトレジスタ２２１及びラッチ２２２
の他に出力Ｌ１〜Ｌ４と出力イネーブル信号ＯＥの論理
和の否定を対応する各電極単位ドライバ４１０のプリバ
ッファ４１５に出力するＮＯＲゲート４２１を具備し、
また出力イネーブル信号ＯＥを各電極単位ドライバ４１
０のプリバッファ２１４に供給するようにしている。
データパルス駆動を実現するためのドライバ制御回路４
２０の構成と制御動作について説明する。先ず、構成を
図１を参照して説明すると、ドライバ制御回路４２０
は、図８に示すシフトレジスタ２２１及びラッチ２２２
の他に出力Ｌ１〜Ｌ４と出力イネーブル信号ＯＥの論理
和の否定を対応する各電極単位ドライバ４１０のプリバ
ッファ４１５に出力するＮＯＲゲート４２１を具備し、
また出力イネーブル信号ＯＥを各電極単位ドライバ４１
０のプリバッファ２１４に供給するようにしている。
【００２４】次に、制御動作について図３及び表１を併
用して説明する。尚、説明の便宜上、データ電極Ｘ１に
接続した１段目の電極単位ドライバ４１０とデータ電極
Ｘ２に接続した２段目の電極単位ドライバ４１０の制御
動作を代表として説明する。また、電力回収回路３００
は、図示しない回路で制御されるが説明を省略する。
用して説明する。尚、説明の便宜上、データ電極Ｘ１に
接続した１段目の電極単位ドライバ４１０とデータ電極
Ｘ２に接続した２段目の電極単位ドライバ４１０の制御
動作を代表として説明する。また、電力回収回路３００
は、図示しない回路で制御されるが説明を省略する。
【００２５】
【表１】
【００２６】クロックＣＬＫに同期してデータＤＡをシ
フトレジスタ２２１に入力し、例えば、出力Ｓ１を走査
電極Yjに対応してハイレベル、走査電極Yj+1に対応して
ロウレベル、出力Ｓ２を走査電極Yjに対応してロウレベ
ル、走査電極Yj+1に対応してハイレベルとする。ラッチ
イネーブルＬＥを図示の周期でラッチ２２２へ入力する
とラッチ２２２からの出力Ｌ１は走査電極Yjに対応して
時刻Ｔ１ｊにハイレベル、走査電極Yj+1に対応して時刻
Ｔ１（ｊ＋１）にロウレベル、出力Ｓ２は走査電極Yjに
対応して時刻Ｔ１ｊにロウレベル、走査電極Yj+1に対応
して時刻Ｔ１（ｊ＋１）にハイレベルとなる。この出力
Ｌ１，Ｌ２が１段目の電極単位ドライバ４１０と２段目
の電極単位ドライバ４１０に入力されると、図２に示す
電力回収動作及び電力放出動作により、時刻Ｔ１ｊが時
刻Ｔ１に対応し、また時刻Ｔ１（ｊ＋１）が時刻Ｔ１に
対応すると共に１段目と２段目の電極単位ドライバ４１
０の動作及び出力端子Ｏ１，Ｏ２の出力電圧Ｖｏが入れ
替わり、出力端子Ｏ１，Ｏ２は図示のような出力電圧Ｖ
ｏになる。
フトレジスタ２２１に入力し、例えば、出力Ｓ１を走査
電極Yjに対応してハイレベル、走査電極Yj+1に対応して
ロウレベル、出力Ｓ２を走査電極Yjに対応してロウレベ
ル、走査電極Yj+1に対応してハイレベルとする。ラッチ
イネーブルＬＥを図示の周期でラッチ２２２へ入力する
とラッチ２２２からの出力Ｌ１は走査電極Yjに対応して
時刻Ｔ１ｊにハイレベル、走査電極Yj+1に対応して時刻
Ｔ１（ｊ＋１）にロウレベル、出力Ｓ２は走査電極Yjに
対応して時刻Ｔ１ｊにロウレベル、走査電極Yj+1に対応
して時刻Ｔ１（ｊ＋１）にハイレベルとなる。この出力
Ｌ１，Ｌ２が１段目の電極単位ドライバ４１０と２段目
の電極単位ドライバ４１０に入力されると、図２に示す
電力回収動作及び電力放出動作により、時刻Ｔ１ｊが時
刻Ｔ１に対応し、また時刻Ｔ１（ｊ＋１）が時刻Ｔ１に
対応すると共に１段目と２段目の電極単位ドライバ４１
０の動作及び出力端子Ｏ１，Ｏ２の出力電圧Ｖｏが入れ
替わり、出力端子Ｏ１，Ｏ２は図示のような出力電圧Ｖ
ｏになる。
【００２７】出力イネーブル信号ＯＥは図２に示す電力
回収動作期間（時刻Ｔ４〜Ｔ５）に対応する時刻Ｔ４ｊ
〜Ｔ５ｊ及び時刻Ｔ４（ｊ＋１）〜Ｔ５（ｊ＋１）の期
間だけロウレベルで入力される。出力イネーブル信号Ｏ
Ｅ及び出力Ｌ１，Ｌ２が１段目の電極単位ドライバ４１
０と２段目の電極単位ドライバ４１０のプリバッファ２
１４にそれぞれ入力されると、出力イネーブル信号ＯＥ
がハイレベルのとき、各電極単位ドライバ４１０のＭＯ
ＳＦＥＴ２１１，２１２は出力Ｌ１，Ｌ２がハイレベル
に対してＭＯＳＦＥＴ２１１はＯＮ，ＭＯＳＦＥＴ２１
２はＯＦＦ，出力Ｌ１，Ｌ２がロウレベルに対してＭＯ
ＳＦＥＴ２１１はＯＦＦ，ＭＯＳＦＥＴ２１２はＯＮと
なり，出力イネーブル信号ＯＥがロウレベルのとき、各
電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１１，２１２
は出力Ｌ１，Ｌ２がハイレベル、ロウレベルに関係なく
ＯＦＦとなる。出力イネーブル信号ＯＥ及び出力Ｌ１，
Ｌ２が１段目及び２段目のＮＯＲゲート４２１にそれぞ
れ入力されると、表１に示すように出力イネーブル信号
ＯＥがハイレベルのとき、トランスファゲート４１３は
出力Ｌ１，Ｌ２がハイレベル、ロウレベルに関係なくＯ
Ｎとなり、出力イネーブル信号ＯＥがロウレベルのと
き、トランスファゲート４１３は出力Ｌ１，Ｌ２がハイ
レベルに対してＯＮ、ロウレベルに対してＯＦＦとな
る。
回収動作期間（時刻Ｔ４〜Ｔ５）に対応する時刻Ｔ４ｊ
〜Ｔ５ｊ及び時刻Ｔ４（ｊ＋１）〜Ｔ５（ｊ＋１）の期
間だけロウレベルで入力される。出力イネーブル信号Ｏ
Ｅ及び出力Ｌ１，Ｌ２が１段目の電極単位ドライバ４１
０と２段目の電極単位ドライバ４１０のプリバッファ２
１４にそれぞれ入力されると、出力イネーブル信号ＯＥ
がハイレベルのとき、各電極単位ドライバ４１０のＭＯ
ＳＦＥＴ２１１，２１２は出力Ｌ１，Ｌ２がハイレベル
に対してＭＯＳＦＥＴ２１１はＯＮ，ＭＯＳＦＥＴ２１
２はＯＦＦ，出力Ｌ１，Ｌ２がロウレベルに対してＭＯ
ＳＦＥＴ２１１はＯＦＦ，ＭＯＳＦＥＴ２１２はＯＮと
なり，出力イネーブル信号ＯＥがロウレベルのとき、各
電極単位ドライバ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１１，２１２
は出力Ｌ１，Ｌ２がハイレベル、ロウレベルに関係なく
ＯＦＦとなる。出力イネーブル信号ＯＥ及び出力Ｌ１，
Ｌ２が１段目及び２段目のＮＯＲゲート４２１にそれぞ
れ入力されると、表１に示すように出力イネーブル信号
ＯＥがハイレベルのとき、トランスファゲート４１３は
出力Ｌ１，Ｌ２がハイレベル、ロウレベルに関係なくＯ
Ｎとなり、出力イネーブル信号ＯＥがロウレベルのと
き、トランスファゲート４１３は出力Ｌ１，Ｌ２がハイ
レベルに対してＯＮ、ロウレベルに対してＯＦＦとな
る。
【００２８】以上で説明したように、各電極単位ドライ
バ４１０の出力ライン上に高圧のトランスファゲート４
１３を設け、セルを非点灯とするＧＮＤ電位を出力する
ようにラッチ出力により制御される電極単位ドライバ４
１０のトランスファゲート４１３を電力回収動作時のみ
ＯＦＦとするようにしたので、セルを点灯する正のデー
タパルス電圧を供給するデータ電極とセルを非点灯とす
るＧＮＤ電位を出力するデータ電極間の配線容量ＣＢの
カップリングコンデンサ作用によりセルを非点灯とする
ＧＮＤ電位を出力する出力端子の電位がＧＮＤ電位より
低く変位しても、接地端子Gndからセルを非点灯とする
ＧＮＤ電位を出力するように制御される電極単位ドライ
バ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１２の寄生ダイオード２１６
を介して電流が流れることはない。
バ４１０の出力ライン上に高圧のトランスファゲート４
１３を設け、セルを非点灯とするＧＮＤ電位を出力する
ようにラッチ出力により制御される電極単位ドライバ４
１０のトランスファゲート４１３を電力回収動作時のみ
ＯＦＦとするようにしたので、セルを点灯する正のデー
タパルス電圧を供給するデータ電極とセルを非点灯とす
るＧＮＤ電位を出力するデータ電極間の配線容量ＣＢの
カップリングコンデンサ作用によりセルを非点灯とする
ＧＮＤ電位を出力する出力端子の電位がＧＮＤ電位より
低く変位しても、接地端子Gndからセルを非点灯とする
ＧＮＤ電位を出力するように制御される電極単位ドライ
バ４１０のＭＯＳＦＥＴ２１２の寄生ダイオード２１６
を介して電流が流れることはない。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、電力回収動作時におい
て、セルを非点灯とするＧＮＤ電位を出力するように制
御される電極単位ドライバでの電力損失を防止できる。
て、セルを非点灯とするＧＮＤ電位を出力するように制
御される電極単位ドライバでの電力損失を防止できる。
【図１】 本発明の一実施例であるデータ電極駆動装置
の回路図。
の回路図。
【図２】 図１に示すデータ電極駆動装置の動作の一例
を示すタイムチャート図。
を示すタイムチャート図。
【図３】 図１に示すデータ電極駆動装置のドライバ制
御回路の動作の一例を示すタイムチャート図。
御回路の動作の一例を示すタイムチャート図。
【図４】 一般的なＰＤＰ表示パネルの概略構成を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図５】 図４のＰＤＰ表示パネルの駆動方法の一例を
示すタイムチャート図。
示すタイムチャート図。
【図６】 従来のデータ電極駆動装置の回路図。
【図７】 図６に示すデータ電極駆動装置の動作の一例
を示すタイムチャート図。
を示すタイムチャート図。
【図８】 図６のデータ電極駆動装置のドライバ制御回
路のブロック図。
路のブロック図。
【図９】 図６に示すデータ電極駆動装置のドライバ制
御回路の動作の一例を示すタイムチャート図。
御回路の動作の一例を示すタイムチャート図。
２１１ Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ ２１２ Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ ２２１ シフトレジスタ ２２２ ラッチ ３００ 電力回収回路 ４００ ドライバＩＣ ４１０ 電極単位ドライバ ４１３ トランスファゲート ４２０ ドライバ制御回路 ４２１ ＮＯＲゲート
Claims (5)
- 【請求項１】複数個のデータ電極と走査電極が直交配置
されその交差点に容量性負荷の表示セルが形成された表
示パネルの各データ電極をパルス駆動して表示セルの点
灯または非点灯のデータを書込む各データ電極毎に設け
られた電極単位ドライバと、電極単位ドライバを介して
データ電極に対して電力回収及び電力放出すると共にデ
ータパルス電圧及びＧＮＤ電位を供給する電力回収回路
とを具備し、各電極単位ドライバが点灯のデータが書込
まれるデータ電極にはデータパルス電圧を導通させ、非
点灯のデータが書込まれるデータ電極にはＧＮＤ電位を
導通させる出力段を含む表示パネル駆動装置において、 前記回収回路による電力回収動作時にのみ前記非点灯の
データが書込まれるデータ電極とこのデータ電極に接続
される電極単位ドライバの出力段間をハイインピーダン
スにするスイッチ手段を前記出力段の後段に接続したこ
とを特徴とする表示パネル駆動装置。 - 【請求項２】前記出力段が前記電力回収回路とＧＮＤ電
位間に直列接続されたＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮチ
ャネル型ＭＯＳＦＥＴとを含み、前記Ｐチャネル型ＭＯ
ＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとの直列接続点を
出力とすることを特徴とする請求項１記載の表示パネル
駆動装置。 - 【請求項３】前記スイッチ手段が前記出力段側をソース
とするＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＯＳ
ＦＥＴに並列接続され前記出力段側をドレインとするＮ
チャネル型ＭＯＳＦＥＴとを含むトランスファゲートで
あることを特徴とする請求項１記載の表示パネル駆動装
置。 - 【請求項４】前記トランスファゲートが前記電極単位ド
ライバの前段に接続されたドライバ制御回路に含まれる
ラッチの出力と電力回収動作時にロウレベルとなる出力
イネーブル信号との論理和の否定により制御されること
を特徴とする請求項３記載の表示パネル駆動装置。 - 【請求項５】複数個のデータ電極と走査電極が直交配置
されその交差点に容量性負荷の表示セルが形成された表
示パネルの各データ電極をパルス駆動して表示セルの点
灯または非点灯のデータを書込むドライバＩＣと、ドラ
イバＩＣに外付けされドライバＩＣを介してデータ電極
に対して電力回収及び電力放出すると共にデータパルス
電圧及びＧＮＤ電位を供給する電力回収回路とを具備
し、ドライバＩＣが各データ電極に接続される出力端子
と、電力回収回路に接続される接続端子と、接地端子
と、各出力端子毎に設けた電極単位ドライバと、各電極
単位ドライバを制御するドライバ制御回路とを有し、各
電極単位ドライバが接続端子と接地端子間に直列接続さ
れた点灯のデータが書込まれるデータ電極にデータパル
ス電圧を導通させるＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴと非点灯
のデータが書込まれるデータ電極にＧＮＤ電位を導通さ
せるＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとからなる出力段を含
み、ドライバ制御回路がラッチを含む表示パネル駆動装
置において、 前記Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦ
ＥＴとの接続点と出力端子間にトランスファゲートを接
続し、前記ラッチの出力と前記電力回収回路の電力回収
動作時にロウレベルとなる出力イネーブル信号との論理
和の否定により前記トランスファゲートを制御して前記
電力回収動作時にロウレベルのラッチ出力が入力される
電極単位ドライバのトランスファゲートをＯＦＦ状態に
すると共に、前記Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ及びＮチャ
ネル型ＭＯＳＦＥＴを前記出力イネーブル信号により制
御して前記電力回収動作時にＯＦＦ状態にすることを特
徴とする表示パネル駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23547898A JP2000066631A (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | 表示パネル駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23547898A JP2000066631A (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | 表示パネル駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000066631A true JP2000066631A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=16986670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23547898A Withdrawn JP2000066631A (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | 表示パネル駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000066631A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373531B1 (ko) * | 2001-01-18 | 2003-02-25 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 회수장치 및 그 구동방법 |
| KR100472357B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2005-02-21 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100490532B1 (ko) * | 2000-04-28 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 어드레스 전극 구동 전력 회수 회로를 갖는 플라즈마표시패널의 구동장치 |
| JP2005519334A (ja) * | 2002-03-06 | 2005-06-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エネルギー回復システムを有するディスプレイ・パネル |
| KR100757567B1 (ko) | 2006-03-16 | 2007-09-10 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
-
1998
- 1998-08-21 JP JP23547898A patent/JP2000066631A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490532B1 (ko) * | 2000-04-28 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 어드레스 전극 구동 전력 회수 회로를 갖는 플라즈마표시패널의 구동장치 |
| KR100373531B1 (ko) * | 2001-01-18 | 2003-02-25 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 회수장치 및 그 구동방법 |
| KR100472357B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2005-02-21 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2005519334A (ja) * | 2002-03-06 | 2005-06-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エネルギー回復システムを有するディスプレイ・パネル |
| KR100757567B1 (ko) | 2006-03-16 | 2007-09-10 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20050118 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20050511 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
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Effective date: 20050720 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070604 |