JPH1073505A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1073505A JPH1073505A JP8230292A JP23029296A JPH1073505A JP H1073505 A JPH1073505 A JP H1073505A JP 8230292 A JP8230292 A JP 8230292A JP 23029296 A JP23029296 A JP 23029296A JP H1073505 A JPH1073505 A JP H1073505A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイヤフラムの厚みをように制御することが
でき、平坦なダイヤフラム面を得るとともに、精度良く
圧力を測定することのできる半導体装置の製造方法を提
供する。 【解決手段】 （１１０）単結晶シリコン基板１の両面
にシリコン窒化膜２を形成し、一方の面のシリコン窒化
膜２の略中央部にエッチングにより正方形の開口部３を
形成する。続いて、開口部３が形成されたシリコン窒化
膜２をマスクとしてＫＯＨ水溶液を用いて他方の面のシ
リコン窒化膜２に到達するまで異方性エッチングを行う
ことにより貫通孔４を形成し、エッチングによりシリコ
ン窒化膜２を除去する。次に、一主表面にシリコン酸化
膜６が形成されて成る単結晶シリコン基板５の二主表面
と、単結晶シリコン基板１のエッチングを行わなかった
面側とを重ね合わせ、約１１００℃の熱処理を行うこと
により、単結晶シリコン基板１，５を貼り合わせる。
でき、平坦なダイヤフラム面を得るとともに、精度良く
圧力を測定することのできる半導体装置の製造方法を提
供する。 【解決手段】 （１１０）単結晶シリコン基板１の両面
にシリコン窒化膜２を形成し、一方の面のシリコン窒化
膜２の略中央部にエッチングにより正方形の開口部３を
形成する。続いて、開口部３が形成されたシリコン窒化
膜２をマスクとしてＫＯＨ水溶液を用いて他方の面のシ
リコン窒化膜２に到達するまで異方性エッチングを行う
ことにより貫通孔４を形成し、エッチングによりシリコ
ン窒化膜２を除去する。次に、一主表面にシリコン酸化
膜６が形成されて成る単結晶シリコン基板５の二主表面
と、単結晶シリコン基板１のエッチングを行わなかった
面側とを重ね合わせ、約１１００℃の熱処理を行うこと
により、単結晶シリコン基板１，５を貼り合わせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１３は、従来例に係る半導体装置の製
造工程を示す略断面図である。従来においては、予めピ
エゾ抵抗素子（図示せず）が形成された約３００μｍの
厚みの単結晶シリコン基板１の両面にシリコン窒化膜２
を形成し、フォトレジスト（図示せず）をマスクとして
単結晶シリコン基板１の裏面に形成されたシリコン窒化
膜２のエッチングを行うことにより開口部３を形成し、
プラズマアッシング等によりフォトレジストを除去する
（図１３（ａ））。
造工程を示す略断面図である。従来においては、予めピ
エゾ抵抗素子（図示せず）が形成された約３００μｍの
厚みの単結晶シリコン基板１の両面にシリコン窒化膜２
を形成し、フォトレジスト（図示せず）をマスクとして
単結晶シリコン基板１の裏面に形成されたシリコン窒化
膜２のエッチングを行うことにより開口部３を形成し、
プラズマアッシング等によりフォトレジストを除去する
（図１３（ａ））。
【０００３】続いて、開口部３が形成されたシリコン窒
化膜２をマスクとして、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶
液を用いて単結晶シリコン基板１の異方性エッチングを
行うことにより、薄肉部から成るダイヤフラムを形成す
る（図１３（ｂ））。
化膜２をマスクとして、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶
液を用いて単結晶シリコン基板１の異方性エッチングを
行うことにより、薄肉部から成るダイヤフラムを形成す
る（図１３（ｂ））。
【０００４】次に、単結晶シリコン基板１の両面に形成
されたシリコン窒化膜２をエッチングにより除去した
後、中央部に貫通孔４を有して成る約１ｍｍの厚みのガ
ラス台座９を、単結晶シリコン基板１のエッチングを行
った面側に陽極接合により貼り合わせて半導体装置を製
造する（図１３（ｃ））。
されたシリコン窒化膜２をエッチングにより除去した
後、中央部に貫通孔４を有して成る約１ｍｍの厚みのガ
ラス台座９を、単結晶シリコン基板１のエッチングを行
った面側に陽極接合により貼り合わせて半導体装置を製
造する（図１３（ｃ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の製造
工程により製造された半導体装置においては、 （１）ダイヤフラムの厚みを制御することが困難 （２）ダイヤフラムの被エッチング面に凹凸ができ、強
度的に不安定 （３）ダイヤフラムの形状が四角形であるため、高精度
な圧力の測定が困難 という問題があった。
工程により製造された半導体装置においては、 （１）ダイヤフラムの厚みを制御することが困難 （２）ダイヤフラムの被エッチング面に凹凸ができ、強
度的に不安定 （３）ダイヤフラムの形状が四角形であるため、高精度
な圧力の測定が困難 という問題があった。
【０００６】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、ダイヤフラムの厚み
を容易に制御することができ、平坦なダイヤフラム面を
得るとともに、精度良く圧力を測定することのできる半
導体装置の製造方法を提供することにある。
であり、その目的とするところは、ダイヤフラムの厚み
を容易に制御することができ、平坦なダイヤフラム面を
得るとともに、精度良く圧力を測定することのできる半
導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
一主表面にピエゾ抵抗素子を有する半導体基板の二主表
面と、略中央部に貫通孔を有する支持基板とを貼り合わ
せたことを特徴とするものである。
一主表面にピエゾ抵抗素子を有する半導体基板の二主表
面と、略中央部に貫通孔を有する支持基板とを貼り合わ
せたことを特徴とするものである。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体装置の製造方法において、前記支持基板として、シ
リコンを用いたことを特徴とするものである。
導体装置の製造方法において、前記支持基板として、シ
リコンを用いたことを特徴とするものである。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項１記載の半
導体装置の製造方法において、前記支持基板として、ガ
ラスを用いたことを特徴とするものである。
導体装置の製造方法において、前記支持基板として、ガ
ラスを用いたことを特徴とするものである。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の半導体装置の製造方法において、前記貫通孔
の形状を六角形としたことを特徴とするものである。
項３記載の半導体装置の製造方法において、前記貫通孔
の形状を六角形としたことを特徴とするものである。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の半導体装置の製造方法において、前記貫通孔
の形状を八角形としたことを特徴とするものである。
項３記載の半導体装置の製造方法において、前記貫通孔
の形状を八角形としたことを特徴とするものである。
【００１２】請求項６記載の発明は、請求項２記載の半
導体装置の製造方法において、前記シリコンの両面から
エッチングを行うことにより前記貫通孔を形成するよう
にしたことを特徴とするものである。
導体装置の製造方法において、前記シリコンの両面から
エッチングを行うことにより前記貫通孔を形成するよう
にしたことを特徴とするものである。
【００１３】請求項７記載の発明は、請求項２記載の半
導体装置の製造方法において、前記シリコンの一方の面
の略中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを
行い、他方の面の略中央部にＨＦ水溶液を用いて等方性
エッチングを行うことにより前記貫通孔を形成し、前記
シリコンの等方性エッチングを行った面側を前記半導体
基板と貼り合わせるようにしたことを特徴とするもので
ある。
導体装置の製造方法において、前記シリコンの一方の面
の略中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを
行い、他方の面の略中央部にＨＦ水溶液を用いて等方性
エッチングを行うことにより前記貫通孔を形成し、前記
シリコンの等方性エッチングを行った面側を前記半導体
基板と貼り合わせるようにしたことを特徴とするもので
ある。
【００１４】請求項８記載の発明は、請求項２記載の半
導体装置の製造方法において、前記シリコンの一方の面
の略中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを
行い、他方の面の略中央部にＲＩＥエッチングを行うこ
とにより円形の前記貫通孔を形成し、前記シリコンのＲ
ＩＥエッチングを行った面側を前記半導体基板と貼り合
わせるようにしたことを特徴とするものである。
導体装置の製造方法において、前記シリコンの一方の面
の略中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを
行い、他方の面の略中央部にＲＩＥエッチングを行うこ
とにより円形の前記貫通孔を形成し、前記シリコンのＲ
ＩＥエッチングを行った面側を前記半導体基板と貼り合
わせるようにしたことを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づき説明する。
図面に基づき説明する。
【００１６】＝実施形態１＝ 図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工
程を示す略断面図であり、図２は、本実施形態に係る半
導体装置の裏面から見た状態を示す略平面図である。本
実施形態においては、先ず、厚みが約２５０μｍの（１
１０）単結晶シリコン基板１の両面に、シリコン窒化膜
２を形成し、単結晶シリコン基板１の一方の面のシリコ
ン窒化膜２の略中央部に、１辺約１００μｍの正方形の
開口部３を形成する。
程を示す略断面図であり、図２は、本実施形態に係る半
導体装置の裏面から見た状態を示す略平面図である。本
実施形態においては、先ず、厚みが約２５０μｍの（１
１０）単結晶シリコン基板１の両面に、シリコン窒化膜
２を形成し、単結晶シリコン基板１の一方の面のシリコ
ン窒化膜２の略中央部に、１辺約１００μｍの正方形の
開口部３を形成する。
【００１７】なお、シリコン窒化膜２の形成方法の一例
としては、シラン（ＳｉＨ4）とアンモニア（ＮＨ3）を
原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により形成する方法が
ある。また、開口部３の形成方法の一例としては、シリ
コン窒化膜２上にフォトレジストを塗布し、露光，現像
を行うことにより所定形状にパターニングし、所定形状
にパターニングされたフォトレジストをマスクとして、
ＣＦ4のガスプラズマ中で、フッ素ラジカルでシリコン
窒化膜２をプラズマエッチングを行うことにより開口部
３を形成する方法がある。
としては、シラン（ＳｉＨ4）とアンモニア（ＮＨ3）を
原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により形成する方法が
ある。また、開口部３の形成方法の一例としては、シリ
コン窒化膜２上にフォトレジストを塗布し、露光，現像
を行うことにより所定形状にパターニングし、所定形状
にパターニングされたフォトレジストをマスクとして、
ＣＦ4のガスプラズマ中で、フッ素ラジカルでシリコン
窒化膜２をプラズマエッチングを行うことにより開口部
３を形成する方法がある。
【００１８】続いて、開口部３が形成されたシリコン窒
化膜２をマスクとして、単結晶シリコン基板１を、水酸
化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いて他方の面のシリコ
ン窒化膜２に到達するまで異方性エッチングを行い（図
１（ａ））、シリコン窒化膜２をエッチングにより除去
して、貫通孔４を形成する。
化膜２をマスクとして、単結晶シリコン基板１を、水酸
化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いて他方の面のシリコ
ン窒化膜２に到達するまで異方性エッチングを行い（図
１（ａ））、シリコン窒化膜２をエッチングにより除去
して、貫通孔４を形成する。
【００１９】次に、所望のダイヤフラム厚と同じ厚みの
約５０μｍの単結晶シリコン基板５を熱酸化することに
より、単結晶シリコン基板５の両面にシリコン酸化膜６
を形成し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術
により、単結晶シリコン基板５の片面にのみシリコン酸
化膜６を残す（図１（ｂ））。
約５０μｍの単結晶シリコン基板５を熱酸化することに
より、単結晶シリコン基板５の両面にシリコン酸化膜６
を形成し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術
により、単結晶シリコン基板５の片面にのみシリコン酸
化膜６を残す（図１（ｂ））。
【００２０】そして、単結晶シリコン基板５のシリコン
酸化膜６を形成していない面と、単結晶シリコン基板１
のエッチングを行わなかった面とを重ね合わせ、約１１
００℃の熱処理を行うことにより単結晶シリコン基板
１，５を貼り合わせる（図１（ｃ））。
酸化膜６を形成していない面と、単結晶シリコン基板１
のエッチングを行わなかった面とを重ね合わせ、約１１
００℃の熱処理を行うことにより単結晶シリコン基板
１，５を貼り合わせる（図１（ｃ））。
【００２１】最後に、ダイヤフラム上にボロン（Ｂ）等
をイオン注入することによりピエゾ抵抗素子（図示せ
ず）を形成し、アルミニウム（Ａｌ）をスパッタリング
して配線（図示せず）を形成する。
をイオン注入することによりピエゾ抵抗素子（図示せ
ず）を形成し、アルミニウム（Ａｌ）をスパッタリング
して配線（図示せず）を形成する。
【００２２】本実施形態においては、単結晶シリコン基
板１のエッチングを行った面と異なる面の貫通孔４の大
きさがダイヤフラムの大きさとなるので、エッチング時
間を調整することにより所望の大きさのダイヤフラムを
形成することができる。
板１のエッチングを行った面と異なる面の貫通孔４の大
きさがダイヤフラムの大きさとなるので、エッチング時
間を調整することにより所望の大きさのダイヤフラムを
形成することができる。
【００２３】また、所望の厚みの単結晶シリコン基板５
を貼り合わせることによりダイヤフラムを形成している
ので、厚みにばらつきのないダイヤフラムを形成するこ
とができ、ダイヤフラムの厚みの制御が容易になる。
を貼り合わせることによりダイヤフラムを形成している
ので、厚みにばらつきのないダイヤフラムを形成するこ
とができ、ダイヤフラムの厚みの制御が容易になる。
【００２４】また、ダイヤフラムを単結晶シリコン基板
５を貼り合わせることにより形成しているので、エッチ
ングにより発生するダイヤフラム底のエッチングムラが
なく、強度的にも安定したダイヤフラムを形成すること
ができる。
５を貼り合わせることにより形成しているので、エッチ
ングにより発生するダイヤフラム底のエッチングムラが
なく、強度的にも安定したダイヤフラムを形成すること
ができる。
【００２５】なお、本実施形態においては、単結晶シリ
コン基板１のエッチングを行わなかった面側を単結晶シ
リコン基板５に貼り合わせるようにしたが、これに限定
される必要はなく、図３に示すように、エッチングを行
った面側を単結晶シリコン基板５に貼り合わせても良
く、この場合、ダイヤフラムの形状は図４に示すように
八角形となり、四角形のダイヤフラムに比べてより高精
度に圧力を測定することができる。
コン基板１のエッチングを行わなかった面側を単結晶シ
リコン基板５に貼り合わせるようにしたが、これに限定
される必要はなく、図３に示すように、エッチングを行
った面側を単結晶シリコン基板５に貼り合わせても良
く、この場合、ダイヤフラムの形状は図４に示すように
八角形となり、四角形のダイヤフラムに比べてより高精
度に圧力を測定することができる。
【００２６】また、本実施形態においては、単結晶シリ
コン基板１の一方の面からエッチングを行うようにした
が、これに限定される必要はなく、図５に示すように、
単結晶シリコン基板１の両面からエッチングを行うよう
にすれば、一方の面からエッチングを行ったときよりも
エッチング時間が短くてすむ。
コン基板１の一方の面からエッチングを行うようにした
が、これに限定される必要はなく、図５に示すように、
単結晶シリコン基板１の両面からエッチングを行うよう
にすれば、一方の面からエッチングを行ったときよりも
エッチング時間が短くてすむ。
【００２７】＝実施形態２＝ 図６は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す略断面図であり、図７は、本実施形態に係る
半導体装置の裏面から見た状態を示す略平面図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造工程は、実施形態１
の製造工程を略同様であり、同一箇所には同一符号を付
して説明を省略する。
工程を示す略断面図であり、図７は、本実施形態に係る
半導体装置の裏面から見た状態を示す略平面図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造工程は、実施形態１
の製造工程を略同様であり、同一箇所には同一符号を付
して説明を省略する。
【００２８】本実施形態は、実施形態１の開口部３の形
状を円形にしたものであり、開口部３の形状を円形にし
てＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを行うことに
より、ダイヤフラムの形状を六角形にすることができ、
四角形のダイヤフラムに比べてより高精度に圧力を測定
することができる。
状を円形にしたものであり、開口部３の形状を円形にし
てＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを行うことに
より、ダイヤフラムの形状を六角形にすることができ、
四角形のダイヤフラムに比べてより高精度に圧力を測定
することができる。
【００２９】＝実施形態３＝ 図８は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す略断面図であり、図９は、本実施形態に係る
半導体装置の裏面から見た状態を示す略平面図である。
本実施形態においては、先ず、厚みが約２５０μｍの
（１１０）単結晶シリコン基板１の両面に、シリコン窒
化膜２を形成し、単結晶シリコン基板１の一方の面のシ
リコン窒化膜２の略中央部に、所望の形状のの開口部３
を形成する。
工程を示す略断面図であり、図９は、本実施形態に係る
半導体装置の裏面から見た状態を示す略平面図である。
本実施形態においては、先ず、厚みが約２５０μｍの
（１１０）単結晶シリコン基板１の両面に、シリコン窒
化膜２を形成し、単結晶シリコン基板１の一方の面のシ
リコン窒化膜２の略中央部に、所望の形状のの開口部３
を形成する。
【００３０】続いて、開口部３が形成されたシリコン窒
化膜２をマスクとして、単結晶シリコン基板１を、水酸
化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いて異方性エッチング
を行い、単結晶シリコン基板１が僅かに残るような時間
でエッチングをストップし（図８（ａ））、シリコン窒
化膜２をエッチングにより除去する。
化膜２をマスクとして、単結晶シリコン基板１を、水酸
化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いて異方性エッチング
を行い、単結晶シリコン基板１が僅かに残るような時間
でエッチングをストップし（図８（ａ））、シリコン窒
化膜２をエッチングにより除去する。
【００３１】次に、単結晶シリコン基板１のエッチング
を行っていない面側にフォトレジスト７を塗布し、露
光，現像を行うことによりフォトレジスト７の略中央部
に円形の開口部８を形成し、開口部８が形成されたフォ
トレジスト７をマスクとしてＨＦ水溶液を用いて等方性
エッチングを行うことにより、単結晶シリコン基板１の
略中央部に貫通孔４を形成し（図８（ｂ））、フォトレ
ジスト７をプラズマアッシング等により除去する。
を行っていない面側にフォトレジスト７を塗布し、露
光，現像を行うことによりフォトレジスト７の略中央部
に円形の開口部８を形成し、開口部８が形成されたフォ
トレジスト７をマスクとしてＨＦ水溶液を用いて等方性
エッチングを行うことにより、単結晶シリコン基板１の
略中央部に貫通孔４を形成し（図８（ｂ））、フォトレ
ジスト７をプラズマアッシング等により除去する。
【００３２】そして、所望のダイヤフラム厚と同じ厚み
の約５０μｍの単結晶シリコン基板５を熱酸化すること
により、単結晶シリコン基板５の両面にシリコン酸化膜
６を形成し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技
術により、単結晶シリコン基板５の片面にのみシリコン
酸化膜６を残す（図８（ｃ））。
の約５０μｍの単結晶シリコン基板５を熱酸化すること
により、単結晶シリコン基板５の両面にシリコン酸化膜
６を形成し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技
術により、単結晶シリコン基板５の片面にのみシリコン
酸化膜６を残す（図８（ｃ））。
【００３３】更に、単結晶シリコン基板５のシリコン酸
化膜６を形成していない面と、単結晶シリコン基板１の
等方性エッチングを行った面とを重ね合わせ、約１１０
０℃の熱処理を行うことにより単結晶シリコン基板１，
５を貼り合わせる（図８（ｄ））。
化膜６を形成していない面と、単結晶シリコン基板１の
等方性エッチングを行った面とを重ね合わせ、約１１０
０℃の熱処理を行うことにより単結晶シリコン基板１，
５を貼り合わせる（図８（ｄ））。
【００３４】最後に、ダイヤフラム上にボロン（Ｂ）等
をイオン注入することによりピエゾ抵抗素子（図示せ
ず）を形成し、アルミニウム（Ａｌ）をスパッタリング
して配線（図示せず）を形成する。
をイオン注入することによりピエゾ抵抗素子（図示せ
ず）を形成し、アルミニウム（Ａｌ）をスパッタリング
して配線（図示せず）を形成する。
【００３５】本実施形態においては、所望の厚みの単結
晶シリコン基板５を貼り合わせることによりダイヤフラ
ムを形成しているので、厚みにばらつきのないダイヤフ
ラムを形成することができ、ダイヤフラムの厚みの制御
が容易になる。
晶シリコン基板５を貼り合わせることによりダイヤフラ
ムを形成しているので、厚みにばらつきのないダイヤフ
ラムを形成することができ、ダイヤフラムの厚みの制御
が容易になる。
【００３６】また、ダイヤフラムを単結晶シリコン基板
５を貼り合わせることにより形成しているので、エッチ
ングにより発生するダイヤフラム底のエッチングムラが
なく、強度的にも安定したダイヤフラムを形成すること
ができる。
５を貼り合わせることにより形成しているので、エッチ
ングにより発生するダイヤフラム底のエッチングムラが
なく、強度的にも安定したダイヤフラムを形成すること
ができる。
【００３７】更に、本実施形態においては、単結晶シリ
コン基板１の等方性エッチングを行った面側を単結晶シ
リコン基板５に貼り合わせるようにしたので、ダイヤフ
ラムの形状を円形にすることができ、四角形のダイヤフ
ラムに比べてより高精度に圧力を測定することができ
る。
コン基板１の等方性エッチングを行った面側を単結晶シ
リコン基板５に貼り合わせるようにしたので、ダイヤフ
ラムの形状を円形にすることができ、四角形のダイヤフ
ラムに比べてより高精度に圧力を測定することができ
る。
【００３８】なお、本実施形態においては、ＨＦ水溶液
を用いて等方性エッチングを行うことにより円形の貫通
孔４を形成するようにしたが、これに限定される必要は
なく、図１０に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion E
tching）により円形の貫通孔４を形成するようにしても
良く、この場合、ダイヤフラムの形状は図１１に示すよ
うになる。
を用いて等方性エッチングを行うことにより円形の貫通
孔４を形成するようにしたが、これに限定される必要は
なく、図１０に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion E
tching）により円形の貫通孔４を形成するようにしても
良く、この場合、ダイヤフラムの形状は図１１に示すよ
うになる。
【００３９】なお、実施形態１〜３においては、単結晶
シリコン基板５に単結晶シリコン基板１を貼り合わせる
ようにしたが、これに限定される必要はなく、例えば、
図１２に示すように略中央部に円形の貫通孔４を有する
ガラス台座９を貼り合わせるようにしても良い。
シリコン基板５に単結晶シリコン基板１を貼り合わせる
ようにしたが、これに限定される必要はなく、例えば、
図１２に示すように略中央部に円形の貫通孔４を有する
ガラス台座９を貼り合わせるようにしても良い。
【００４０】
【発明の効果】請求項１乃至請求項３記載の発明は、一
主表面にピエゾ抵抗素子を有する半導体基板の二主表面
と、略中央部に貫通孔を有するシリコンやガラス等の支
持基板とを貼り合わせたので、ダイヤフラムの厚みを容
易に制御することができ、平坦なダイヤフラム面を得る
とともに、精度良く圧力を測定することのできる半導体
装置の製造方法を提供することができた。
主表面にピエゾ抵抗素子を有する半導体基板の二主表面
と、略中央部に貫通孔を有するシリコンやガラス等の支
持基板とを貼り合わせたので、ダイヤフラムの厚みを容
易に制御することができ、平坦なダイヤフラム面を得る
とともに、精度良く圧力を測定することのできる半導体
装置の製造方法を提供することができた。
【００４１】請求項４または請求項５記載の発明は、請
求項１乃至請求項３記載の半導体装置の製造方法におい
て、貫通孔の形状を六角形または八角形としたので、更
に精度良く圧力を測定することができる。
求項１乃至請求項３記載の半導体装置の製造方法におい
て、貫通孔の形状を六角形または八角形としたので、更
に精度良く圧力を測定することができる。
【００４２】請求項６記載の発明は、請求項２記載の半
導体装置の製造方法において、シリコンの両面からエッ
チングを行うことにより貫通孔を形成するようにしたの
で、貫通孔を形成するためのエッチング時間を短くする
ことができる。
導体装置の製造方法において、シリコンの両面からエッ
チングを行うことにより貫通孔を形成するようにしたの
で、貫通孔を形成するためのエッチング時間を短くする
ことができる。
【００４３】請求項７記載の発明は、請求項２記載の半
導体装置の製造方法において、シリコンの一方の面の略
中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを行
い、他方の面の略中央部にＨＦ水溶液を用いて等方性エ
ッチングを行うことにより貫通孔を形成し、シリコンの
等方性エッチングを行った面側を半導体基板と貼り合わ
せるようにしたので、円形のダイヤフラムを形成するこ
とができ、更に精度良く圧力を測定することができる。
導体装置の製造方法において、シリコンの一方の面の略
中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを行
い、他方の面の略中央部にＨＦ水溶液を用いて等方性エ
ッチングを行うことにより貫通孔を形成し、シリコンの
等方性エッチングを行った面側を半導体基板と貼り合わ
せるようにしたので、円形のダイヤフラムを形成するこ
とができ、更に精度良く圧力を測定することができる。
【００４４】請求項８記載の発明は、請求項２記載の半
導体装置の製造方法において、シリコンの一方の面の略
中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを行
い、他方の面の略中央部にＲＩＥエッチングを行うこと
により円形の貫通孔を形成し、シリコンのＲＩＥエッチ
ングを行った面側を半導体基板と貼り合わせるようにし
たので、円形のダイヤフラムを形成することができ、更
に精度良く圧力を測定することができる。
導体装置の製造方法において、シリコンの一方の面の略
中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを行
い、他方の面の略中央部にＲＩＥエッチングを行うこと
により円形の貫通孔を形成し、シリコンのＲＩＥエッチ
ングを行った面側を半導体基板と貼り合わせるようにし
たので、円形のダイヤフラムを形成することができ、更
に精度良く圧力を測定することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工
程を示す略断面図である。
程を示す略断面図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の裏面から見た状
態を示す略平面図である。
態を示す略平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す略断面図である。
工程を示す略断面図である。
【図４】本実施形態に係る半導体装置の裏面から見た状
態を示す略平面図である。
態を示す略平面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す略断面図である。
工程を示す略断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す略断面図である。
工程を示す略断面図である。
【図７】本実施形態に係る半導体装置の裏面から見た状
態を示す略平面図である。
態を示す略平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す略断面図である。
工程を示す略断面図である。
【図９】本実施形態に係る半導体装置の裏面から見た状
態を示す略平面図である。
態を示す略平面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製
造工程を示す略断面図である。
造工程を示す略断面図である。
【図１１】本実施形態に係る半導体装置の裏面から見た
状態を示す略平面図である。
状態を示す略平面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製
造工程を示す略断面図である。
造工程を示す略断面図である。
【図１３】従来例に係る半導体装置の製造工程を示す略
断面図である。
断面図である。
１ 単結晶シリコン基板 ２ シリコン窒化膜 ３ 開口部 ４ 貫通孔 ５ 単結晶シリコン基板 ６ シリコン酸化膜 ７ フォトレジスト ８ 開口部 ９ ガラス台座
【手続補正書】
【提出日】平成９年３月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】請求項８記載の発明は、請求項２記載の半
導体装置の製造方法において、前記シリコンの一方の面
の略中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを
行い、他方の面の略中央部にＲＩＥを行うことにより円
形の前記貫通孔を形成し、前記シリコンのＲＩＥを行っ
た面側を前記半導体基板と貼り合わせるようにしたこと
を特徴とするものである。
導体装置の製造方法において、前記シリコンの一方の面
の略中央部にＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを
行い、他方の面の略中央部にＲＩＥを行うことにより円
形の前記貫通孔を形成し、前記シリコンのＲＩＥを行っ
た面側を前記半導体基板と貼り合わせるようにしたこと
を特徴とするものである。
Claims (8)
- 【請求項１】 一主表面にピエゾ抵抗素子を有する半導
体基板の二主表面と、略中央部に貫通孔を有する支持基
板とを貼り合わせたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】 前記支持基板として、シリコンを用いた
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記支持基板として、ガラスを用いたこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記貫通孔の形状を六角形としたことを
特徴とする請求項１乃至請求項３記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】 前記貫通孔の形状を八角形としたことを
特徴とする請求項１乃至請求項３記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項６】 前記シリコンの両面からエッチングを行
うことにより前記貫通孔を形成するようにしたことを特
徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記シリコンの一方の面の略中央部にＫ
ＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを行い、他方の面
の略中央部にＨＦ水溶液を用いて等方性エッチングを行
うことにより前記貫通孔を形成し、前記シリコンの等方
性エッチングを行った面側を前記半導体基板と貼り合わ
せるようにしたことを特徴とする請求項２記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記シリコンの一方の面の略中央部にＫ
ＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングを行い、他方の面
の略中央部にＲＩＥエッチングを行うことにより円形の
前記貫通孔を形成し、前記シリコンのＲＩＥエッチング
を行った面側を前記半導体基板と貼り合わせるようにし
たことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230292A JPH1073505A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230292A JPH1073505A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1073505A true JPH1073505A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16905539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8230292A Pending JPH1073505A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1073505A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009001488A1 (ja) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Panasonic Corporation | ダイアフラム構造及び音響センサ |
| US8166827B2 (en) | 2008-09-10 | 2012-05-01 | Panasonic Corporation | MEMS device and method for manufacturing the same |
| WO2018074094A1 (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8230292A patent/JPH1073505A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009001488A1 (ja) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Panasonic Corporation | ダイアフラム構造及び音響センサ |
| JP2009033698A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | ダイアフラム構造及び音響センサ |
| US8146437B2 (en) | 2007-06-22 | 2012-04-03 | Panasonic Corporation | Diaphragm structure and MEMS device |
| US8166827B2 (en) | 2008-09-10 | 2012-05-01 | Panasonic Corporation | MEMS device and method for manufacturing the same |
| WO2018074094A1 (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| JP2018066611A (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |