JPH1072296A - ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 - Google Patents
ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法Info
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- JPH1072296A JPH1072296A JP23062196A JP23062196A JPH1072296A JP H1072296 A JPH1072296 A JP H1072296A JP 23062196 A JP23062196 A JP 23062196A JP 23062196 A JP23062196 A JP 23062196A JP H1072296 A JPH1072296 A JP H1072296A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶欠陥が少なく、かつ割れがないなど、結
晶品質が良好で、ファラデー回転子などとして好適に用
いられるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を効
率よく製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式 ＣａxＮｂyＧａzＯ12 （２．９９＜ｘ＜３．０１、１．６７＜ｙ＜１．７２、
３．１５＜ｚ＜３．２１） で表わされる組成の単結晶基板上に、液相エピタキシャ
ル成長法により、一般式 ＢｉaＲ3-aＦｅ5-bＭbＯ12 （Ｒは希土類金属、ＭはＧａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｇｅ又はＭｇ、０＜ａ＜３．０、０≦ｂ≦
１．５）で表わされる組成のビスマス置換希土類鉄ガー
ネット単結晶膜を形成させる。
晶品質が良好で、ファラデー回転子などとして好適に用
いられるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を効
率よく製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式 ＣａxＮｂyＧａzＯ12 （２．９９＜ｘ＜３．０１、１．６７＜ｙ＜１．７２、
３．１５＜ｚ＜３．２１） で表わされる組成の単結晶基板上に、液相エピタキシャ
ル成長法により、一般式 ＢｉaＲ3-aＦｅ5-bＭbＯ12 （Ｒは希土類金属、ＭはＧａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｇｅ又はＭｇ、０＜ａ＜３．０、０≦ｂ≦
１．５）で表わされる組成のビスマス置換希土類鉄ガー
ネット単結晶膜を形成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜の新規な製造方法、さらに詳し
くは、ファラデー回転子などに用いられるビスマス置換
希土類鉄ガーネット単結晶膜を、結晶欠陥及び割れなど
の発生を抑制して、高品質に製造する方法に関するもの
である。
類鉄ガーネット単結晶膜の新規な製造方法、さらに詳し
くは、ファラデー回転子などに用いられるビスマス置換
希土類鉄ガーネット単結晶膜を、結晶欠陥及び割れなど
の発生を抑制して、高品質に製造する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバーを用いた通信システ
ムの実用化が急速に進められている。これは、光ファイ
バー通信システムは、従来の電気通信システムに比べ
て、大容量のデータを高速に、かつ低損失で伝送できる
利点を有しているからである。この光ファイバー通信シ
ステムにおいては、光源の半導体レーザーは、外部光に
よって敏感に影響を受け不安定になることが一般に知ら
れているが、光ファイバー通信の低損失化に伴い、近端
だけでなく、遠端からの反射光も半導体レーザーに影響
を及ぼすようになり、したがって、この反射光の影響を
避けるために、光アイソレータの使用が試みられてい
る。この光アイソレータは、一般に偏光子、ファラデー
回転子及び検光子から構成されており、順方向の光を低
損失で通過させるが、逆方向からの入射光の通過を阻止
する機能を有している。
ムの実用化が急速に進められている。これは、光ファイ
バー通信システムは、従来の電気通信システムに比べ
て、大容量のデータを高速に、かつ低損失で伝送できる
利点を有しているからである。この光ファイバー通信シ
ステムにおいては、光源の半導体レーザーは、外部光に
よって敏感に影響を受け不安定になることが一般に知ら
れているが、光ファイバー通信の低損失化に伴い、近端
だけでなく、遠端からの反射光も半導体レーザーに影響
を及ぼすようになり、したがって、この反射光の影響を
避けるために、光アイソレータの使用が試みられてい
る。この光アイソレータは、一般に偏光子、ファラデー
回転子及び検光子から構成されており、順方向の光を低
損失で通過させるが、逆方向からの入射光の通過を阻止
する機能を有している。
【０００３】このような光アイソレータや、光サーキュ
レータや、光磁界センサーなどに用いられるファラデー
回転子の材料としては、例えばＣａＭｇＺｒ置換ガドリ
ニウム・ガリウムガーネット（以下ＧＧＧと略記する）
単結晶から成る基板上に、液相エピタキシャル成長させ
て形成されたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
が知られている（特開昭６２−１３８３９７号公報）。
レータや、光磁界センサーなどに用いられるファラデー
回転子の材料としては、例えばＣａＭｇＺｒ置換ガドリ
ニウム・ガリウムガーネット（以下ＧＧＧと略記する）
単結晶から成る基板上に、液相エピタキシャル成長させ
て形成されたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
が知られている（特開昭６２−１３８３９７号公報）。
【０００４】しかしながら、ビスマス置換希土類鉄ガー
ネット単結晶と、基板であるＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単
結晶とは熱膨張係数が異なるため、液相エピタキシャル
成長させて形成されたビスマス置換希土類鉄ガーネット
単結晶膜は、結晶欠陥や割れなどが生じやすく、ファラ
デー回転子としての特性不良や、あるいは液相エピタキ
シャル成長時や加工時の歩留まり低下などの問題がある
［「ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース（Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）」，
第１４２巻，第９３〜１０２ページ（１９９４年）］。
ネット単結晶と、基板であるＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単
結晶とは熱膨張係数が異なるため、液相エピタキシャル
成長させて形成されたビスマス置換希土類鉄ガーネット
単結晶膜は、結晶欠陥や割れなどが生じやすく、ファラ
デー回転子としての特性不良や、あるいは液相エピタキ
シャル成長時や加工時の歩留まり低下などの問題がある
［「ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース（Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）」，
第１４２巻，第９３〜１０２ページ（１９９４年）］。
【０００５】また、熱膨張係数が磁性ガーネットに近い
基板材料としては、例えばＣａ2.90Ｎｂ1.67Ｇａ3.29Ｏ
12が知られているが［「フィジカ Ｂ（ｐｈｙｓｉｃａ
Ｂ）」，第２１３＆２１４巻，第４２２ページ（１９９
５年）］、このものはビスマス置換希土類鉄ガーネット
単結晶とは熱膨張係数が一致していないため、前記Ｃａ
ＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶の場合と同様に、結晶欠陥の
発生や割れなどを生じやすいという欠点がある。
基板材料としては、例えばＣａ2.90Ｎｂ1.67Ｇａ3.29Ｏ
12が知られているが［「フィジカ Ｂ（ｐｈｙｓｉｃａ
Ｂ）」，第２１３＆２１４巻，第４２２ページ（１９９
５年）］、このものはビスマス置換希土類鉄ガーネット
単結晶とは熱膨張係数が一致していないため、前記Ｃａ
ＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶の場合と同様に、結晶欠陥の
発生や割れなどを生じやすいという欠点がある。
【０００６】ところで、結晶欠陥や割れなどの発生がな
い結晶品質の良好なビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜を形成させるには、単結晶基板と該単結晶膜の格
子定数を室温で一致させる必要があるが、基板と単結晶
膜の熱膨張係数が異なると、ビスマス置換希土類鉄ガー
ネット単結晶膜のエピタキシャル成長温度である７００
〜９００℃においては、該単結晶膜と基板との格子定数
が異なることになり、その結果、単結晶膜に結晶欠陥や
割れなどを生じ、このような結晶欠陥や割れなどは、該
単結晶膜が数百μｍの厚さになると特に著しい。
い結晶品質の良好なビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜を形成させるには、単結晶基板と該単結晶膜の格
子定数を室温で一致させる必要があるが、基板と単結晶
膜の熱膨張係数が異なると、ビスマス置換希土類鉄ガー
ネット単結晶膜のエピタキシャル成長温度である７００
〜９００℃においては、該単結晶膜と基板との格子定数
が異なることになり、その結果、単結晶膜に結晶欠陥や
割れなどを生じ、このような結晶欠陥や割れなどは、該
単結晶膜が数百μｍの厚さになると特に著しい。
【０００７】したがって、これまで、結晶欠陥や割れな
どの発生を抑制するために、組成を変化させて薄い単結
晶膜にするか、あるいは基板を厚くするなどの処置がと
られてきた。しかしながら、これらの方法においては、
形成される単結晶膜がファラデー回転子などとしての特
性が不十分であったり、あるいは製造工程に経費がかか
り、コスト高になるなどの問題があった。
どの発生を抑制するために、組成を変化させて薄い単結
晶膜にするか、あるいは基板を厚くするなどの処置がと
られてきた。しかしながら、これらの方法においては、
形成される単結晶膜がファラデー回転子などとしての特
性が不十分であったり、あるいは製造工程に経費がかか
り、コスト高になるなどの問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、結晶欠陥や割れなどの発生が抑制された
結晶品質の良好な、ファラデー回転子などに好適に用い
られる厚膜のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
を液相エピタキシャル成長法により効率よく製造する方
法を提供するためになされたものである。
事情のもとで、結晶欠陥や割れなどの発生が抑制された
結晶品質の良好な、ファラデー回転子などに好適に用い
られる厚膜のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
を液相エピタキシャル成長法により効率よく製造する方
法を提供するためになされたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ビスマス
置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法について鋭
意研究を重ねた結果、特定の組成を有する単結晶基板の
熱膨張係数が、所望のビスマス置換希土類鉄ガーネット
単結晶膜の熱膨張係数とほぼ一致しており、該単結晶基
板上に、特定の組成の金属酸化物の溶融混合物から単結
晶を液相エピタキシャル成長させることにより、結晶欠
陥や割れを生じない単結晶膜が得られることを見出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法について鋭
意研究を重ねた結果、特定の組成を有する単結晶基板の
熱膨張係数が、所望のビスマス置換希土類鉄ガーネット
単結晶膜の熱膨張係数とほぼ一致しており、該単結晶基
板上に、特定の組成の金属酸化物の溶融混合物から単結
晶を液相エピタキシャル成長させることにより、結晶欠
陥や割れを生じない単結晶膜が得られることを見出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち、本発明は、一般式 ＣａxＮｂyＧａzＯ12 （Ｉ） （ただし、ｘ、ｙ及びｚは以下に示す範囲の数である。 ２．９９＜ｘ＜３．０１ １．６７＜ｙ＜１．７２ ３．１５＜ｚ＜３．２１） で表わされる組成の単結晶基板上に、（Ａ）酸化ビスマ
スと（Ｂ）少なくとも１種の希土類金属酸化物と（Ｃ）
酸化鉄と場合により用いられる（Ｄ）Ｇａ、Ａｌ、Ｉ
ｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及びＭｇの中から選ばれた
少なくとも１種の金属の酸化物とを含む溶融混合物から
液相エピタキシャル成長させることを特徴とする、一般
式 ＢｉaＲ3-aＦｅ5-bＭbＯ12 （ＩＩ） （式中のＲは希土類金属の少なくとも１種、ＭはＧａ、
Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及びＭｇの中から
選ばれた少なくとも１種の金属であり、ａ及びｂは以下
に示す範囲の数である。 ０＜ａ＜３．０ ０≦ｂ≦１．５） で表わされる組成のビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜の製造方法を提供するものである。
スと（Ｂ）少なくとも１種の希土類金属酸化物と（Ｃ）
酸化鉄と場合により用いられる（Ｄ）Ｇａ、Ａｌ、Ｉ
ｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及びＭｇの中から選ばれた
少なくとも１種の金属の酸化物とを含む溶融混合物から
液相エピタキシャル成長させることを特徴とする、一般
式 ＢｉaＲ3-aＦｅ5-bＭbＯ12 （ＩＩ） （式中のＲは希土類金属の少なくとも１種、ＭはＧａ、
Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及びＭｇの中から
選ばれた少なくとも１種の金属であり、ａ及びｂは以下
に示す範囲の数である。 ０＜ａ＜３．０ ０≦ｂ≦１．５） で表わされる組成のビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜の製造方法を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明方法においては、単結晶基
板として、その上に形成される単結晶膜との格子整合性
が良く、かつ熱膨張係数が単結晶膜のそれに近いもの、
すなわち、一般式 ＣａxＮｂyＧａzＯ12 （Ｉ） で表わされる組成を有する単結晶基板が用いられる。上
記一般式（Ｉ）におけるｘ、ｙ及びｚは、それぞれ以下
に示す範囲の数である。 ２．９９＜ｘ＜３．０１ １．６７＜ｙ＜１．７２ ３．１５＜ｚ＜３．２１ この一般式（Ｉ）で表わされる組成の単結晶基板の熱膨
張係数は、常温〜８５０℃において、１．０７×１０-5
Ｋ-1程度であり、その上に設けられるビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜の熱膨張係数とほぼ一致してい
る。
板として、その上に形成される単結晶膜との格子整合性
が良く、かつ熱膨張係数が単結晶膜のそれに近いもの、
すなわち、一般式 ＣａxＮｂyＧａzＯ12 （Ｉ） で表わされる組成を有する単結晶基板が用いられる。上
記一般式（Ｉ）におけるｘ、ｙ及びｚは、それぞれ以下
に示す範囲の数である。 ２．９９＜ｘ＜３．０１ １．６７＜ｙ＜１．７２ ３．１５＜ｚ＜３．２１ この一般式（Ｉ）で表わされる組成の単結晶基板の熱膨
張係数は、常温〜８５０℃において、１．０７×１０-5
Ｋ-1程度であり、その上に設けられるビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜の熱膨張係数とほぼ一致してい
る。
【００１２】この単結晶基板の形状及び厚さについては
特に制限はなく、従来ファラデー回転子用などの単結晶
膜の製造において用いられる単結晶基板と同様の形状及
び厚さを有するものを使用することができるが、通常円
板状であって、厚さ１００〜１２００μｍ程度のものを
用いるのがよい。
特に制限はなく、従来ファラデー回転子用などの単結晶
膜の製造において用いられる単結晶基板と同様の形状及
び厚さを有するものを使用することができるが、通常円
板状であって、厚さ１００〜１２００μｍ程度のものを
用いるのがよい。
【００１３】本発明方法においては、前記単結晶基板上
に、一般式 ＢｉaＲ3-aＦｅ5-bＭbＯ12 （ＩＩ） （式中のＲは希土類金属の少なくとも１種、ＭはＧａ、
Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及びＭｇの中から
選ばれた少なくとも１種の金属であり、ａ及びｂは以下
に示す範囲の数である。 ０＜ａ＜３．０ ０≦ｂ≦１．５） で表わされる組成のビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜を、液相エピタキシャル成長法により形成させ
る。ここで、液相エピタキシャル成長法とは、過飽和状
態にある溶液あるいは溶融液中に基板を浸せきし、この
基板上にエピタキシャル結晶を成長させる方法である。
に、一般式 ＢｉaＲ3-aＦｅ5-bＭbＯ12 （ＩＩ） （式中のＲは希土類金属の少なくとも１種、ＭはＧａ、
Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及びＭｇの中から
選ばれた少なくとも１種の金属であり、ａ及びｂは以下
に示す範囲の数である。 ０＜ａ＜３．０ ０≦ｂ≦１．５） で表わされる組成のビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜を、液相エピタキシャル成長法により形成させ
る。ここで、液相エピタキシャル成長法とは、過飽和状
態にある溶液あるいは溶融液中に基板を浸せきし、この
基板上にエピタキシャル結晶を成長させる方法である。
【００１４】前記一般式（ＩＩ）においてＲで示される
希土類金属としては、例えばＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどが挙げられ、これらは１種含まれて
いてもよいし、２種以上含まれていてもよい。本発明に
おける単結晶膜においては、基板との格子整合性及び熱
膨張係数を一致させるために、前記Ｒで示される希土類
金属の一部をビスマスで置換させることが必要である。
このビスマスによる置換の割合はａで表わされ、このａ
の値は、本発明においては、０＜ａ＜３．０の範囲であ
るが、特に０．５〜１．５の範囲にある場合、単結晶膜
の熱膨張係数と単結晶基板の熱膨張係数とが極めて近似
したものになるので、有利である。また、ＭはＦｅと置
換可能な非磁性金属元素で、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｍｇであり、これらは１種含まれて
いてもよく、２種以上含まれていてもよい。この非磁性
金属元素のＦｅとの置換の割合ｂは０〜１．５の範囲で
選ばれる。
希土類金属としては、例えばＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどが挙げられ、これらは１種含まれて
いてもよいし、２種以上含まれていてもよい。本発明に
おける単結晶膜においては、基板との格子整合性及び熱
膨張係数を一致させるために、前記Ｒで示される希土類
金属の一部をビスマスで置換させることが必要である。
このビスマスによる置換の割合はａで表わされ、このａ
の値は、本発明においては、０＜ａ＜３．０の範囲であ
るが、特に０．５〜１．５の範囲にある場合、単結晶膜
の熱膨張係数と単結晶基板の熱膨張係数とが極めて近似
したものになるので、有利である。また、ＭはＦｅと置
換可能な非磁性金属元素で、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｍｇであり、これらは１種含まれて
いてもよく、２種以上含まれていてもよい。この非磁性
金属元素のＦｅとの置換の割合ｂは０〜１．５の範囲で
選ばれる。
【００１５】次に、本発明方法を好適に実施するには、
例えば（Ａ）酸化ビスマスと（Ｂ）少なくとも１種の希
土類金属酸化物と（Ｃ）酸化鉄と場合により用いられる
（Ｄ）Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及び
Ｍｇの中から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と
を、それぞれ所定の割合で含有する均質な溶融混合物を
調製する。この際、通常析出用媒質として酸化鉛のよう
な構成元素が単結晶中に混入してこない低融点化合物を
用いる。また、所望に応じ結晶成長向上剤として酸化ホ
ウ素などを含有させてもよい。
例えば（Ａ）酸化ビスマスと（Ｂ）少なくとも１種の希
土類金属酸化物と（Ｃ）酸化鉄と場合により用いられる
（Ｄ）Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及び
Ｍｇの中から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と
を、それぞれ所定の割合で含有する均質な溶融混合物を
調製する。この際、通常析出用媒質として酸化鉛のよう
な構成元素が単結晶中に混入してこない低融点化合物を
用いる。また、所望に応じ結晶成長向上剤として酸化ホ
ウ素などを含有させてもよい。
【００１６】次に、この溶融混合物中に、前記単結晶基
板を浸せきすることにより、基板上に該溶融混合物から
単結晶をエピタキシャル成長させる。この際の溶融混合
物の温度は、原料混合物の組成などにより異なるが、通
常は６００〜１０００℃の範囲で選ばれる。また、基板
は、溶融混合物中に静置してエピタキシャル成長させて
もよいし、適当に回転させながらエピタキシャル成長さ
せてもよい。回転させる場合、その回転数は１０〜２０
０ｒｐｍ程度が有利である。また、成膜速度は、通常
０．０８〜０．８μｍ／分程度である。浸せき時間は、
成膜速度及び所望の膜厚などにより異なり、一概に定め
ることはできないが、通常は、１０〜１００時間程度で
ある。
板を浸せきすることにより、基板上に該溶融混合物から
単結晶をエピタキシャル成長させる。この際の溶融混合
物の温度は、原料混合物の組成などにより異なるが、通
常は６００〜１０００℃の範囲で選ばれる。また、基板
は、溶融混合物中に静置してエピタキシャル成長させて
もよいし、適当に回転させながらエピタキシャル成長さ
せてもよい。回転させる場合、その回転数は１０〜２０
０ｒｐｍ程度が有利である。また、成膜速度は、通常
０．０８〜０．８μｍ／分程度である。浸せき時間は、
成膜速度及び所望の膜厚などにより異なり、一概に定め
ることはできないが、通常は、１０〜１００時間程度で
ある。
【００１７】エピタキシャル成長終了後、基板を溶融混
合物から引き上げ、付着している溶融混合物を十分に振
り切ったのち、室温まで冷却する。次いで、希硝酸など
の鉱酸水溶液中に浸せきして、形成した単結晶膜表面に
付着している溶融混合物の固化物を取り除いたのち、水
洗、乾燥する。
合物から引き上げ、付着している溶融混合物を十分に振
り切ったのち、室温まで冷却する。次いで、希硝酸など
の鉱酸水溶液中に浸せきして、形成した単結晶膜表面に
付着している溶融混合物の固化物を取り除いたのち、水
洗、乾燥する。
【００１８】このようにして、基板上に形成された、前
記一般式（ＩＩ）で表わされる組成のビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜の厚さは、通常１００〜１００
０μｍの範囲である。
記一般式（ＩＩ）で表わされる組成のビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜の厚さは、通常１００〜１００
０μｍの範囲である。
【００１９】本発明方法により基板上に形成されたビス
マス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の結晶構造及び組
成は、それぞれＸ線回折及び蛍光Ｘ線による組成分析な
どにより測定することができる。また、膜の性能は、こ
の単結晶膜を研磨加工処理したのち、その両面に無反射
膜を設け、ファラデー回転係数、透過損失及び温度特性
などを求めることにより、評価することができる。
マス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の結晶構造及び組
成は、それぞれＸ線回折及び蛍光Ｘ線による組成分析な
どにより測定することができる。また、膜の性能は、こ
の単結晶膜を研磨加工処理したのち、その両面に無反射
膜を設け、ファラデー回転係数、透過損失及び温度特性
などを求めることにより、評価することができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、結晶欠陥が少なく、か
つ割れのない結晶品質の良好なビスマス置換希土類鉄ガ
ーネット単結晶膜を効率よく製造することができる。本
発明方法で得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜は、光アイソレータや光サーキュレータなどの光
学材料に使用されるファラデー回転子などとして好適で
ある。
つ割れのない結晶品質の良好なビスマス置換希土類鉄ガ
ーネット単結晶膜を効率よく製造することができる。本
発明方法で得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜は、光アイソレータや光サーキュレータなどの光
学材料に使用されるファラデー回転子などとして好適で
ある。
【００２１】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
するが、本発明は、これらの例によってなんら限定され
るものではない。
するが、本発明は、これらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００２２】実施例１ 白金製ルツボに、Ｈｏ2Ｏ3 ５．７４７ｇ、Ｇｄ2Ｏ3
６．７２４ｇ、Ｂ2Ｏ3４３．２１４ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １２
６．８４ｇ、ＰｂＯ ９８９．６ｇ及びＢｉ2Ｏ3８２
６．４ｇを入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質
化したのち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、８３２
℃の過飽和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、
面方位が＜１１１＞で直径２インチのＣａ3.00Ｎｂ1.69
Ｇａ3.19Ｏ 12単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基
板を回転させながら単結晶を液相エピタキシャル成長さ
せ、基板上に膜厚４５０μｍの単結晶膜を形成させた。
この単結晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の
数を引いて単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した
結晶欠陥数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で４
個であった。また、この単結晶膜には割れは認められな
かった。得られた単結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析し
たところ、Ｂｉ1.1Ｇｄ1.1Ｈｏ0.8Ｆｅ5.0Ｏ12の組成を
有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜であっ
た。また、この単結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜
８５０℃で求めたところ、それぞれ１．１０×１０-5Ｋ
-1及び１．０７×１０-5Ｋ-1であった。次に、このよう
にして得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜を研磨加工し、両面に無反射膜を設けて波長１．５５
μｍのファラデー回転係数、ファラデー回転角４５度で
の透過損失及び温度特性を評価したところ、ファラデー
回転係数は０．１１８ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．０
３ｄＢ、温度特性は０．０６５ｄｅｇ／℃であった。
６．７２４ｇ、Ｂ2Ｏ3４３．２１４ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １２
６．８４ｇ、ＰｂＯ ９８９．６ｇ及びＢｉ2Ｏ3８２
６．４ｇを入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質
化したのち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、８３２
℃の過飽和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、
面方位が＜１１１＞で直径２インチのＣａ3.00Ｎｂ1.69
Ｇａ3.19Ｏ 12単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基
板を回転させながら単結晶を液相エピタキシャル成長さ
せ、基板上に膜厚４５０μｍの単結晶膜を形成させた。
この単結晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の
数を引いて単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した
結晶欠陥数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で４
個であった。また、この単結晶膜には割れは認められな
かった。得られた単結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析し
たところ、Ｂｉ1.1Ｇｄ1.1Ｈｏ0.8Ｆｅ5.0Ｏ12の組成を
有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜であっ
た。また、この単結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜
８５０℃で求めたところ、それぞれ１．１０×１０-5Ｋ
-1及び１．０７×１０-5Ｋ-1であった。次に、このよう
にして得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜を研磨加工し、両面に無反射膜を設けて波長１．５５
μｍのファラデー回転係数、ファラデー回転角４５度で
の透過損失及び温度特性を評価したところ、ファラデー
回転係数は０．１１８ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．０
３ｄＢ、温度特性は０．０６５ｄｅｇ／℃であった。
【００２３】実施例２ 白金製ルツボに、Ｔｂ2Ｏ3 １４．１１０ｇ、Ｎｄ2Ｏ3
１．５２１ｇ、Ｂ2Ｏ3４６．４５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １４
８．８２ｇ、ＰｂＯ １０５４．４ｇ及びＢｉ2Ｏ3 ９６
５．８ｇを入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質
化したのち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、８２８
℃の過飽和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、
面方位が＜１１１＞で直径２インチのＣａ3.00Ｎｂ1.69
Ｇａ3.19Ｏ12単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基
板を回転させながら単結晶を液相エピタキシャル成長さ
せ、基板上に膜厚５５０μｍの単結晶膜を形成させた。
この単結晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の
数を引いて単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した
結晶欠陥数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で５
個であった。また、この単結晶膜には割れは認められな
かった。得られた単結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析し
たところ、Ｂｉ0.9Ｔｂ2.0Ｎｄ0.1Ｆｅ5.0Ｏ12の組成を
有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜であっ
た。また、この単結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜
８５０℃で求めたところ、それぞれ１．０８×１０-5Ｋ
-1及び１．０７×１０-5Ｋ-1であった。次に、このよう
にして得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜を研磨加工し、両面に無反射膜を設けて波長１．５５
μｍのファラデー回転係数、ファラデー回転角４５度で
の透過損失及び温度特性を評価したところ、ファラデー
回転係数は０．０９０ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．１
４ｄＢ、温度特性は０．０４２ｄｅｇ／℃であった。
１．５２１ｇ、Ｂ2Ｏ3４６．４５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １４
８．８２ｇ、ＰｂＯ １０５４．４ｇ及びＢｉ2Ｏ3 ９６
５．８ｇを入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質
化したのち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、８２８
℃の過飽和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、
面方位が＜１１１＞で直径２インチのＣａ3.00Ｎｂ1.69
Ｇａ3.19Ｏ12単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基
板を回転させながら単結晶を液相エピタキシャル成長さ
せ、基板上に膜厚５５０μｍの単結晶膜を形成させた。
この単結晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の
数を引いて単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した
結晶欠陥数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で５
個であった。また、この単結晶膜には割れは認められな
かった。得られた単結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析し
たところ、Ｂｉ0.9Ｔｂ2.0Ｎｄ0.1Ｆｅ5.0Ｏ12の組成を
有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜であっ
た。また、この単結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜
８５０℃で求めたところ、それぞれ１．０８×１０-5Ｋ
-1及び１．０７×１０-5Ｋ-1であった。次に、このよう
にして得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜を研磨加工し、両面に無反射膜を設けて波長１．５５
μｍのファラデー回転係数、ファラデー回転角４５度で
の透過損失及び温度特性を評価したところ、ファラデー
回転係数は０．０９０ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．１
４ｄＢ、温度特性は０．０４２ｄｅｇ／℃であった。
【００２４】実施例３ 白金製ルツボに、Ｙ2Ｏ3 ９．１１０ｇ、Ｇａ2Ｏ3 ５．
７６５ｇ、Ｂ2Ｏ3 ３９．６４ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １３１．６
８ｇ、ＰｂＯ ９２２．４ｇ及びＢｉ2Ｏ3 ９６０．３ｇ
を入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質化したの
ち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、７６４℃の過飽
和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、面方位が
＜１１１＞で直径２インチのＣａ3.00Ｎｂ1.69Ｇａ3.19
Ｏ12単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基板を回転
させながら単結晶を液相エピタキシャル成長させ、基板
上に膜厚３６０μｍの単結晶膜を形成させた。この単結
晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の数を引い
て単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した結晶欠陥
数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で１０個であ
った。また、この単結晶膜には割れは認められなかっ
た。得られた単結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析したと
ころ、Ｂｉ1.5Ｙ1.5Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12の組成を有する
ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜であった。ま
た、この単結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜８５０
℃で求めたところ、それぞれ１．１１×１０-5Ｋ-1及び
１．０７×１０-5Ｋ-1であった。次に、このようにして
得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を研
磨加工し、両面に無反射膜を設けて波長１．５５μｍの
ファラデー回転係数、ファラデー回転角４５度での透過
損失及び温度特性を評価したところ、ファラデー回転係
数は０．１２９ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．０２ｄ
Ｂ、温度特性は０．０７０ｄｅｇ／℃であった。
７６５ｇ、Ｂ2Ｏ3 ３９．６４ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １３１．６
８ｇ、ＰｂＯ ９２２．４ｇ及びＢｉ2Ｏ3 ９６０．３ｇ
を入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質化したの
ち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、７６４℃の過飽
和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、面方位が
＜１１１＞で直径２インチのＣａ3.00Ｎｂ1.69Ｇａ3.19
Ｏ12単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基板を回転
させながら単結晶を液相エピタキシャル成長させ、基板
上に膜厚３６０μｍの単結晶膜を形成させた。この単結
晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の数を引い
て単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した結晶欠陥
数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で１０個であ
った。また、この単結晶膜には割れは認められなかっ
た。得られた単結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析したと
ころ、Ｂｉ1.5Ｙ1.5Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12の組成を有する
ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜であった。ま
た、この単結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜８５０
℃で求めたところ、それぞれ１．１１×１０-5Ｋ-1及び
１．０７×１０-5Ｋ-1であった。次に、このようにして
得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を研
磨加工し、両面に無反射膜を設けて波長１．５５μｍの
ファラデー回転係数、ファラデー回転角４５度での透過
損失及び温度特性を評価したところ、ファラデー回転係
数は０．１２９ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．０２ｄ
Ｂ、温度特性は０．０７０ｄｅｇ／℃であった。
【００２５】実施例４ 白金製ルツボに、Ｔｂ2Ｏ3 １２．１１０ｇ、Ｌａ2Ｏ3
３．２１１ｇ、Ｂ2Ｏ3４３．２０８ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １２
６．８２ｇ、ＰｂＯ １１２４．４ｇ及びＢｉ2Ｏ3 ８２
６．３ｇを入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質
化したのち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、８４７
℃の過飽和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、
面方位が＜１１１＞で直径２インチのＣａ3.00Ｎｂ1.69
Ｇａ3.19Ｏ12単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基
板を回転させながら単結晶を液相エピタキシャル成長さ
せ、基板上に膜厚９２０μｍの単結晶膜を形成させた。
この単結晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の
数を引いて単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した
結晶欠陥数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で７
個であった。また、この単結晶膜には割れは認められな
かった。得られた単結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析し
たところ、Ｂｉ0.5Ｔｂ2.3Ｌａ0.2Ｆｅ5.0Ｏ12の組成を
有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜であっ
た。また、この単結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜
８５０℃で求めたところ、それぞれ１．０４×１０-5Ｋ
-1及び１．０７×１０-5Ｋ-1であった。次に、このよう
にして得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜を研磨加工し、両面に無反射膜を設けて波長１．５５
μｍのファラデー回転係数、ファラデー回転角４５度で
の透過損失及び温度特性を評価したところ、ファラデー
回転係数は０．０５６ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．２
１ｄＢ、温度特性は０．０３２ｄｅｇ／℃であった。
３．２１１ｇ、Ｂ2Ｏ3４３．２０８ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １２
６．８２ｇ、ＰｂＯ １１２４．４ｇ及びＢｉ2Ｏ3 ８２
６．３ｇを入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質
化したのち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、８４７
℃の過飽和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、
面方位が＜１１１＞で直径２インチのＣａ3.00Ｎｂ1.69
Ｇａ3.19Ｏ12単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基
板を回転させながら単結晶を液相エピタキシャル成長さ
せ、基板上に膜厚９２０μｍの単結晶膜を形成させた。
この単結晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の
数を引いて単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した
結晶欠陥数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で７
個であった。また、この単結晶膜には割れは認められな
かった。得られた単結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析し
たところ、Ｂｉ0.5Ｔｂ2.3Ｌａ0.2Ｆｅ5.0Ｏ12の組成を
有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜であっ
た。また、この単結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜
８５０℃で求めたところ、それぞれ１．０４×１０-5Ｋ
-1及び１．０７×１０-5Ｋ-1であった。次に、このよう
にして得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜を研磨加工し、両面に無反射膜を設けて波長１．５５
μｍのファラデー回転係数、ファラデー回転角４５度で
の透過損失及び温度特性を評価したところ、ファラデー
回転係数は０．０５６ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．２
１ｄＢ、温度特性は０．０３２ｄｅｇ／℃であった。
【００２６】比較例 白金製ルツボに、Ｔｂ2Ｏ3 １５．０５９ｇ、Ｎｄ2Ｏ3
１．４６４ｇ、Ｂ2Ｏ3４７．５５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １５
７．７６ｇ、ＰｂＯ １８２．６ｇ及びＢｉ2Ｏ3９５
８．８ｇを入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質
化したのち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、８３９
℃の過飽和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、
面方位が＜１１１＞で直径２インチのＣａＭｇＺｒ置換
ＧＧＧ単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基板を回
転させながら単結晶を液相エピタキシャル成長させ、基
板上に膜厚５２０μｍの単結晶膜を形成させた。この単
結晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の数を引
いて単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した結晶欠
陥数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で７６個で
あった。また、この単結晶膜には、縁から６ｍｍ内側の
外周部で同心円状の割れが８本生じていた。得られた単
結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析したところ、Ｂｉ0.7
Ｔｂ2.2Ｎｄ0.1Ｆｅ5.0Ｏ12の組成を有するビスマス置
換希土類鉄ガーネット単結晶膜であった。また、この単
結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜８５０℃で求めた
ところ、それぞれ１．０６×１０-5Ｋ-1及び０．８７×
１０-5Ｋ-1であった。次に、このようにして得られたビ
スマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を研磨加工し、
両面に無反射膜を設けて波長１．５５μｍのファラデー
回転係数、ファラデー回転角４５度での透過損失及び温
度特性を評価したところ、ファラデー回転係数は０．０
７６ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．１７ｄＢ、温度特性
は０．０３７ｄｅｇ／℃であった。
１．４６４ｇ、Ｂ2Ｏ3４７．５５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3 １５
７．７６ｇ、ＰｂＯ １８２．６ｇ及びＢｉ2Ｏ3９５
８．８ｇを入れ、約１０００℃で溶融しかきまぜて均質
化したのち、１２０℃／ｈｒの速度で降温して、８３９
℃の過飽和状態で保持した。次いで、この溶融液中に、
面方位が＜１１１＞で直径２インチのＣａＭｇＺｒ置換
ＧＧＧ単結晶基板を浸せきし、１００ｒｐｍで基板を回
転させながら単結晶を液相エピタキシャル成長させ、基
板上に膜厚５２０μｍの単結晶膜を形成させた。この単
結晶膜の表面の結晶欠陥の数から、基板の欠陥の数を引
いて単結晶膜のエピタキシャル成長時に発生した結晶欠
陥数を求めたところ、径２インチの単結晶膜で７６個で
あった。また、この単結晶膜には、縁から６ｍｍ内側の
外周部で同心円状の割れが８本生じていた。得られた単
結晶膜は、蛍光Ｘ線法により分析したところ、Ｂｉ0.7
Ｔｂ2.2Ｎｄ0.1Ｆｅ5.0Ｏ12の組成を有するビスマス置
換希土類鉄ガーネット単結晶膜であった。また、この単
結晶膜及び基板の熱膨張係数を室温〜８５０℃で求めた
ところ、それぞれ１．０６×１０-5Ｋ-1及び０．８７×
１０-5Ｋ-1であった。次に、このようにして得られたビ
スマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を研磨加工し、
両面に無反射膜を設けて波長１．５５μｍのファラデー
回転係数、ファラデー回転角４５度での透過損失及び温
度特性を評価したところ、ファラデー回転係数は０．０
７６ｄｅｇ／μｍ、透過損失は０．１７ｄＢ、温度特性
は０．０３７ｄｅｇ／℃であった。
【００２７】実施例１〜４及び比較例の結果をまとめて
表１に示す。
表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】［注］ビスマス置換量は、前記一般式（Ｉ
Ｉ）のＢｉaＲ3-aＦｅ5-bＭbＯ12（Ｒ、Ｍ、ａ及びｂは
前記と同じ意味をもつ）におけるａを示す。
Ｉ）のＢｉaＲ3-aＦｅ5-bＭbＯ12（Ｒ、Ｍ、ａ及びｂは
前記と同じ意味をもつ）におけるａを示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式 ＣａxＮｂyＧａzＯ12 （ただし、ｘ、ｙ及びｚは以下に示す範囲の数である。 ２．９９＜ｘ＜３．０１ １．６７＜ｙ＜１．７２ ３．１５＜ｚ＜３．２１） で表わされる組成の単結晶基板上に、（Ａ）酸化ビスマ
スと（Ｂ）少なくとも１種の希土類金属酸化物と（Ｃ）
酸化鉄と場合により用いられる（Ｄ）Ｇａ、Ａｌ、Ｉ
ｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及びＭｇの中から選ばれた
少なくとも１種の金属の酸化物とを含む溶融混合物から
液相エピタキシャル成長させることを特徴とする、一般
式 ＢｉaＲ3-aＦｅ5-bＭbＯ12 （式中のＲは希土類金属の少なくとも１種、ＭはＧａ、
Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ及びＭｇの中から
選ばれた少なくとも１種の金属であり、ａ及びｂは以下
に示す範囲の数である。 ０＜ａ＜３．０ ０≦ｂ≦１．５） で表わされる組成のビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜の製造方法。 - 【請求項２】 ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜が、その組成式におけるａが０．５〜１．５の範囲の
数である請求項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23062196A JP3816591B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23062196A JP3816591B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3816591B2 JP3816591B2 (ja) | 2006-08-30 |
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|---|---|---|---|
| JP23062196A Expired - Fee Related JP3816591B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6527973B2 (en) * | 2000-02-22 | 2003-03-04 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material and magnetooptical device using the same |
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| US7758766B2 (en) | 2007-09-17 | 2010-07-20 | Tdk Corporation | Magnetic garnet single crystal and Faraday rotator using the same |
| US7811465B2 (en) | 2004-11-19 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Magnetic garnet single crystal and optical element using same as well as method of producing single crystal |
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-
1996
- 1996-08-30 JP JP23062196A patent/JP3816591B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6527973B2 (en) * | 2000-02-22 | 2003-03-04 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material and magnetooptical device using the same |
| US7811465B2 (en) | 2004-11-19 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Magnetic garnet single crystal and optical element using same as well as method of producing single crystal |
| US8815011B2 (en) | 2004-11-19 | 2014-08-26 | Tdk Corporation | Magnetic garnet single crystal and optical element using same as well as method of producing single crystal |
| US7695562B2 (en) | 2006-01-10 | 2010-04-13 | Tdk Corporation | Magnetic garnet single crystal and method for producing the same as well as optical element using the same |
| US7828895B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-11-09 | Tdk Corporation | Method of producing optical element |
| EP1821321A1 (en) * | 2006-02-20 | 2007-08-22 | TDK Corporation | Magnetic garnet single crystal and optical element using the same |
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