JPH1068843A - 高反射減衰量型受光装置 - Google Patents
高反射減衰量型受光装置Info
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- JPH1068843A JPH1068843A JP8225667A JP22566796A JPH1068843A JP H1068843 A JPH1068843 A JP H1068843A JP 8225667 A JP8225667 A JP 8225667A JP 22566796 A JP22566796 A JP 22566796A JP H1068843 A JPH1068843 A JP H1068843A
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- G02B6/381—Dismountable connectors, i.e. comprising plugs of the ferrule type, e.g. fibre ends embedded in ferrules, connecting a pair of fibres
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定かつ正確な測定が可能であり、さらに、
安全かつ低コストの高反射減衰量型受光装置を提供する
こと。 【解決手段】 被測定光プラグ１は、被測定光ファイバ
を固定すると共に、その出射端にはＰＣ研磨が施されて
いる。短尺フェルール２は、内部にグレーデッドインデ
ィクスファイバ６が設けられている。また、短尺フェル
ール２の入射端にはＰＣ研磨が施されており、同短尺フ
ェルール２の出射端には斜め研磨が施されている。レセ
プタクル３は、被測定光プラグ１および短尺フェルール
２を、本受光装置に固定する。受光素子４は、短尺フェ
ルール２内のグレーデッドインディクスファイバ６を伝
播した光を受光する。受光素子固定用ブロック５は、受
光素子４を固定する。
安全かつ低コストの高反射減衰量型受光装置を提供する
こと。 【解決手段】 被測定光プラグ１は、被測定光ファイバ
を固定すると共に、その出射端にはＰＣ研磨が施されて
いる。短尺フェルール２は、内部にグレーデッドインデ
ィクスファイバ６が設けられている。また、短尺フェル
ール２の入射端にはＰＣ研磨が施されており、同短尺フ
ェルール２の出射端には斜め研磨が施されている。レセ
プタクル３は、被測定光プラグ１および短尺フェルール
２を、本受光装置に固定する。受光素子４は、短尺フェ
ルール２内のグレーデッドインディクスファイバ６を伝
播した光を受光する。受光素子固定用ブロック５は、受
光素子４を固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ファイバ中を
伝送してきた光信号を受光する高反射減衰量型受光装置
についてのものである。
伝送してきた光信号を受光する高反射減衰量型受光装置
についてのものである。
【０００２】
【従来の技術】次に、従来技術による高反射減衰量型受
光装置について、図面を参照して説明する。図５は、従
来の高反射減衰量型受光装置の構成例を示す断面図であ
る。図５（ａ）に示す高反射減衰量型受光装置は、光フ
ァイバを固定する被測定光プラグ１と、該被測定光プラ
グ１を固定するためのレセプタクル１０１と、光を受光
するための受光素子４と、レセプタクル１０１および受
光素子４を固定するための受光素子固定用ブロック５と
で構成されている。この図に示す装置では、被測定光プ
ラグ１の出射端においてフレネル反射が発生するため、
高反射減衰量を実現できない。そこで、図５（ｂ）に示
すように、被測定光プラグとして斜め研磨光プラグ１０
２を使用すると、フレネル反射は押さえられ、高反射減
衰量を実現できる。
光装置について、図面を参照して説明する。図５は、従
来の高反射減衰量型受光装置の構成例を示す断面図であ
る。図５（ａ）に示す高反射減衰量型受光装置は、光フ
ァイバを固定する被測定光プラグ１と、該被測定光プラ
グ１を固定するためのレセプタクル１０１と、光を受光
するための受光素子４と、レセプタクル１０１および受
光素子４を固定するための受光素子固定用ブロック５と
で構成されている。この図に示す装置では、被測定光プ
ラグ１の出射端においてフレネル反射が発生するため、
高反射減衰量を実現できない。そこで、図５（ｂ）に示
すように、被測定光プラグとして斜め研磨光プラグ１０
２を使用すると、フレネル反射は押さえられ、高反射減
衰量を実現できる。
【０００３】図６は、従来の高反射減衰量型受光装置の
他の構成例を示す断面図である。図６に示す高反射減衰
量型受光装置は、光源からの光を出射するＰＣ研磨の施
された被測定光プラグ１と、被測定光プラグ１を固定す
るためのアダプタ１０３と、被測定光プラグ１とオプト
コンタクトし、フレネル反射を低減させるための光プラ
グ１０４ａを持つピッグテール型光モジュール１０４
と、ピッグテール型光モジュール１０４を固定するため
の光モジュール固定用ブロック１０５とで構成されてい
る。
他の構成例を示す断面図である。図６に示す高反射減衰
量型受光装置は、光源からの光を出射するＰＣ研磨の施
された被測定光プラグ１と、被測定光プラグ１を固定す
るためのアダプタ１０３と、被測定光プラグ１とオプト
コンタクトし、フレネル反射を低減させるための光プラ
グ１０４ａを持つピッグテール型光モジュール１０４
と、ピッグテール型光モジュール１０４を固定するため
の光モジュール固定用ブロック１０５とで構成されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来装置へ光信号を送信する光源の中には、フレネル反射
を感知すると、該光源の出力を自動的に低下させること
により、人体へのレーザー被爆を防止する機能（以下、
「シャットダウン機能」と称する）を備えるものがあ
る。しかしながら、 図５（ｂ）に示す従来の高反射減
衰量型受光装置では、被測定光プラグとして斜め研磨光
プラグ１０２を使用することによりフレネル反射が抑え
られるため、上記光源においてシャットダウン機能が作
動しない可能性があり、そのため、被測定光プラグ（斜
め研磨光プラグ１０２）を本受光装置から外した時の安
全性が低下する、という課題があった。
来装置へ光信号を送信する光源の中には、フレネル反射
を感知すると、該光源の出力を自動的に低下させること
により、人体へのレーザー被爆を防止する機能（以下、
「シャットダウン機能」と称する）を備えるものがあ
る。しかしながら、 図５（ｂ）に示す従来の高反射減
衰量型受光装置では、被測定光プラグとして斜め研磨光
プラグ１０２を使用することによりフレネル反射が抑え
られるため、上記光源においてシャットダウン機能が作
動しない可能性があり、そのため、被測定光プラグ（斜
め研磨光プラグ１０２）を本受光装置から外した時の安
全性が低下する、という課題があった。
【０００５】また、図６に示す従来の高反射減衰量型受
光装置では、本受光装置内部に、ピッグテール型光モジ
ュール１０４を配置しているため、オプトコンタクト時
にピッグテール型光モジュール１０４の光プラグ１０４
ａにキズをつけてしまった場合、ピッグテール型光モジ
ュール１０４全体を交換しなければならず、交換コスト
が非常に高くつく、という課題があった。
光装置では、本受光装置内部に、ピッグテール型光モジ
ュール１０４を配置しているため、オプトコンタクト時
にピッグテール型光モジュール１０４の光プラグ１０４
ａにキズをつけてしまった場合、ピッグテール型光モジ
ュール１０４全体を交換しなければならず、交換コスト
が非常に高くつく、という課題があった。
【０００６】この発明は、このような背景の下になされ
たもので、安定かつ正確な測定が可能であり、さらに、
安全かつ低コストの高反射減衰量型受光装置を提供する
ことを目的とする。
たもので、安定かつ正確な測定が可能であり、さらに、
安全かつ低コストの高反射減衰量型受光装置を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
光ファイバの一端を保持し、その出射端にはＰＣ研磨が
施されている被測定光プラグ１と、内部にグレーデッド
インディクスファイバ６を有すると共に、その入射端に
はＰＣ研磨が施されており、その出射端には斜め研磨が
施されている短尺フェルール２と、被測定光プラグ１の
出射端と短尺フェルール２の入射端とを接触接続するレ
セプタクル３と、短尺フェルール２内のグレーデッドイ
ンディクスファイバ６を伝播した光を受光する受光素子
４と、短尺フェルール２の出射端と受光素子４の受光面
とを向き合わせて固定する受光素子固定用ブロック５と
を具備することを特徴とする。請求項２記載の発明は、
請求項１記載の高反射減衰量型受光装置において、レセ
プタクル３を受光素子固定用ブロック５にネジで取り外
し可能に固定するレセプタクル固定用ブロック７を具備
することを特徴とする。請求項３記載の発明は、請求項
１または請求項２のいずれかに記載の高反射減衰量型受
光装置において、前記ＰＣ研磨はＲ２０〜６０の球面研
磨であることを特徴とする。請求項４記載の発明は、請
求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高反射減衰量
型受光装置において、短尺フェルール２の出射端と受光
素子４の受光面とが平行であることを特徴とする。
光ファイバの一端を保持し、その出射端にはＰＣ研磨が
施されている被測定光プラグ１と、内部にグレーデッド
インディクスファイバ６を有すると共に、その入射端に
はＰＣ研磨が施されており、その出射端には斜め研磨が
施されている短尺フェルール２と、被測定光プラグ１の
出射端と短尺フェルール２の入射端とを接触接続するレ
セプタクル３と、短尺フェルール２内のグレーデッドイ
ンディクスファイバ６を伝播した光を受光する受光素子
４と、短尺フェルール２の出射端と受光素子４の受光面
とを向き合わせて固定する受光素子固定用ブロック５と
を具備することを特徴とする。請求項２記載の発明は、
請求項１記載の高反射減衰量型受光装置において、レセ
プタクル３を受光素子固定用ブロック５にネジで取り外
し可能に固定するレセプタクル固定用ブロック７を具備
することを特徴とする。請求項３記載の発明は、請求項
１または請求項２のいずれかに記載の高反射減衰量型受
光装置において、前記ＰＣ研磨はＲ２０〜６０の球面研
磨であることを特徴とする。請求項４記載の発明は、請
求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高反射減衰量
型受光装置において、短尺フェルール２の出射端と受光
素子４の受光面とが平行であることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施形態について説明する。図１は、この発明の一実
施形態による高反射減衰量型受光装置の構成例を示す断
面図である。図１に示す高反射減衰量型受光装置は、被
測定光プラグ１と短尺フェルール２とレセプタクル３と
受光素子４と受光素子固定用ブロック５とで構成されて
いる。
の実施形態について説明する。図１は、この発明の一実
施形態による高反射減衰量型受光装置の構成例を示す断
面図である。図１に示す高反射減衰量型受光装置は、被
測定光プラグ１と短尺フェルール２とレセプタクル３と
受光素子４と受光素子固定用ブロック５とで構成されて
いる。
【０００９】ここで、被測定光プラグ１は、光ファイバ
（以下、「被測定光ファイバ」と称する）を固定すると
共に、その出射端にはＰＣ研磨が施されている。短尺フ
ェルール２は、内部にグレーデッドインディクスファイ
バ６が設けられている。また、短尺フェルール２の入射
端にはＰＣ研磨が施されており、同短尺フェルール２の
出射端には斜め研磨が施されている。なお、ここで上記
ＰＣ研磨は、具体的には、Ｒ２０〜６０の球面研磨であ
る。レセプタクル３は、被測定光プラグ１および短尺フ
ェルール２を、本受光装置に固定する。受光素子４は、
短尺フェルール２内のグレーデッドインディクスファイ
バ６を伝播した光を受光する。受光素子固定用ブロック
５は、短尺フェルール２の出射端と受光素子４の受光面
とを向き合わせて固定する。
（以下、「被測定光ファイバ」と称する）を固定すると
共に、その出射端にはＰＣ研磨が施されている。短尺フ
ェルール２は、内部にグレーデッドインディクスファイ
バ６が設けられている。また、短尺フェルール２の入射
端にはＰＣ研磨が施されており、同短尺フェルール２の
出射端には斜め研磨が施されている。なお、ここで上記
ＰＣ研磨は、具体的には、Ｒ２０〜６０の球面研磨であ
る。レセプタクル３は、被測定光プラグ１および短尺フ
ェルール２を、本受光装置に固定する。受光素子４は、
短尺フェルール２内のグレーデッドインディクスファイ
バ６を伝播した光を受光する。受光素子固定用ブロック
５は、短尺フェルール２の出射端と受光素子４の受光面
とを向き合わせて固定する。
【００１０】この構成によれば、図２に示すように、被
測定光プラグ１のＰＣ研磨部と短尺フェルール２のＰＣ
研磨部とがオプトコンタクトされていることにより、被
測定光プラグ１から出射された光は反射が低減され、グ
レーデッドインディクスファイバのコア１０内を伝播す
る。
測定光プラグ１のＰＣ研磨部と短尺フェルール２のＰＣ
研磨部とがオプトコンタクトされていることにより、被
測定光プラグ１から出射された光は反射が低減され、グ
レーデッドインディクスファイバのコア１０内を伝播す
る。
【００１１】また、短尺フェルール２内の光ファイバと
してグレーデッドインディクスファイバ６を使用するこ
とにより、被測定光ファイバのコア１１とグレーデッド
インディクスファイバのコア１０との接続損失を小さく
でき、測定確度を向上することができる。
してグレーデッドインディクスファイバ６を使用するこ
とにより、被測定光ファイバのコア１１とグレーデッド
インディクスファイバのコア１０との接続損失を小さく
でき、測定確度を向上することができる。
【００１２】また、グレーデッドインディクスファイバ
のコア１０内を伝播した光は、短尺フェルール２の出射
端でフレネル反射１２を発生させるが、短尺フェルール
２の出射端が斜めに研磨されていることにより、該フレ
ネル反射１２をグレーデッドインディクスファイバのク
ラッド１３へ逃がすことができ、高反射減衰量を実現で
きる。そして、グレーデッドインディクスファイバ６か
ら出射された測定光１４は、さらに空間を伝播し、受光
素子４で受光され電気信号に変換される。
のコア１０内を伝播した光は、短尺フェルール２の出射
端でフレネル反射１２を発生させるが、短尺フェルール
２の出射端が斜めに研磨されていることにより、該フレ
ネル反射１２をグレーデッドインディクスファイバのク
ラッド１３へ逃がすことができ、高反射減衰量を実現で
きる。そして、グレーデッドインディクスファイバ６か
ら出射された測定光１４は、さらに空間を伝播し、受光
素子４で受光され電気信号に変換される。
【００１３】また、被測定光プラグ１自体は、その出射
端が斜め研磨されていないので、光源にシャットダウン
機能が備わっている場合は、被測定光プラグ１を本受光
装置から取り外した時に該シャットダウン機能が動作
し、安全機能が損なわれない。さらに、短尺フェルール
２の出射端が斜め研磨されているので、被測定光プラグ
１を本受光装置に取り付けると、該短尺フェルール２の
出射端でフレネル反射は防止され、伝送時の光出力が安
定かつ正確に測定できる。
端が斜め研磨されていないので、光源にシャットダウン
機能が備わっている場合は、被測定光プラグ１を本受光
装置から取り外した時に該シャットダウン機能が動作
し、安全機能が損なわれない。さらに、短尺フェルール
２の出射端が斜め研磨されているので、被測定光プラグ
１を本受光装置に取り付けると、該短尺フェルール２の
出射端でフレネル反射は防止され、伝送時の光出力が安
定かつ正確に測定できる。
【００１４】また、図３に示すように、図１の構成に、
レセプタクル３を固定するためのレセプタクル固定用ブ
ロック７を配置することも考えられる。この場合、受光
素子固定用ブロック５とレセプタクル固定用ブロック７
をネジ等で取り外し可能に固定することにより、短尺フ
ェルール２を含むレセプタクル３の取り替えが容易にな
る。これにより、短尺フェルール２の交換コストを低減
することができる。
レセプタクル３を固定するためのレセプタクル固定用ブ
ロック７を配置することも考えられる。この場合、受光
素子固定用ブロック５とレセプタクル固定用ブロック７
をネジ等で取り外し可能に固定することにより、短尺フ
ェルール２を含むレセプタクル３の取り替えが容易にな
る。これにより、短尺フェルール２の交換コストを低減
することができる。
【００１５】さらに、光プラグ１０４ａ（図６参照）が
ピッグテール型光モジュール１０４の一部であるのに対
して、短尺フェルール２は独立した１つの部品であるの
で、オプトコンタクト時に短尺フェルール２にキズをつ
けてしまった場合でも、該短尺フェルール２のみを交換
すればよく、交換コストを低く抑えることができる。
ピッグテール型光モジュール１０４の一部であるのに対
して、短尺フェルール２は独立した１つの部品であるの
で、オプトコンタクト時に短尺フェルール２にキズをつ
けてしまった場合でも、該短尺フェルール２のみを交換
すればよく、交換コストを低く抑えることができる。
【００１６】次に図４を参照して本実施形態による高反
射減衰量型受光装置を詳細に説明する。図４は、本実施
形態による高反射減衰量型受光装置の構成例の詳細を示
す断面図である。この図において、光源９からの光を伝
播する光ファイバ８は、１０μｍのコア径を持つシング
ルモードファイバである。光ファイバ８の先端には被測
定光プラグ１が設けられており、該被測定光プラグ１の
出射端には、４０ｄＢ以上のＰＣ研磨が施されている。
短尺フェルール２の入射端には４０ｄＢ以上のＰＣ研磨
が施されており、同短尺フェルール２の出射端には８度
斜め研磨が施されている。短尺フェルール２内部のグレ
ーデッドインディクスファイバ６は、５０μｍのコア径
を持つマルチモードファイバである。受光素子４は、φ
５ｍｍ受光素子であり、受光面での反射を押さえるため
に、８度斜めに配置されている。
射減衰量型受光装置を詳細に説明する。図４は、本実施
形態による高反射減衰量型受光装置の構成例の詳細を示
す断面図である。この図において、光源９からの光を伝
播する光ファイバ８は、１０μｍのコア径を持つシング
ルモードファイバである。光ファイバ８の先端には被測
定光プラグ１が設けられており、該被測定光プラグ１の
出射端には、４０ｄＢ以上のＰＣ研磨が施されている。
短尺フェルール２の入射端には４０ｄＢ以上のＰＣ研磨
が施されており、同短尺フェルール２の出射端には８度
斜め研磨が施されている。短尺フェルール２内部のグレ
ーデッドインディクスファイバ６は、５０μｍのコア径
を持つマルチモードファイバである。受光素子４は、φ
５ｍｍ受光素子であり、受光面での反射を押さえるため
に、８度斜めに配置されている。
【００１７】このような構成において、光源９に戻る反
射減衰量は３７ｄＢ以上となる。また、グレーデッドイ
ンディクスファイバ６として５０μｍのコア径を持つマ
ルチモードファイバを使用しているため、被測定光プラ
グ１内の光ファイバ８（シングルモードファイバ）との
接続損失は、０．１ｄＢ程度に押さえられる。さらに、
グレーデッドインディクスファイバ６のコア径（５０μ
ｍ）は、光ファイバ８のコア径（１０μｍ）の５倍もあ
るので、被測定光プラグ１の着脱を繰り返したときにお
ける両ファイバ（光ファイバ８とグレーデッドインディ
クスファイバ６）間の接続ミスが生じ難く、該着脱時の
再現性が向上する。
射減衰量は３７ｄＢ以上となる。また、グレーデッドイ
ンディクスファイバ６として５０μｍのコア径を持つマ
ルチモードファイバを使用しているため、被測定光プラ
グ１内の光ファイバ８（シングルモードファイバ）との
接続損失は、０．１ｄＢ程度に押さえられる。さらに、
グレーデッドインディクスファイバ６のコア径（５０μ
ｍ）は、光ファイバ８のコア径（１０μｍ）の５倍もあ
るので、被測定光プラグ１の着脱を繰り返したときにお
ける両ファイバ（光ファイバ８とグレーデッドインディ
クスファイバ６）間の接続ミスが生じ難く、該着脱時の
再現性が向上する。
【００１８】また、光源９にシャットダウン機能が備わ
っている場合は、被測定光プラグ１を本受光装置から取
り外した時に該シャットダウン機能が動作し、安全機能
が損なわれない。さらに、被測定光プラグ１を本受光装
置に取り付けると、該短尺フェルール２の出射端でフレ
ネル反射は防止され、伝送時の光出力が安定かつ正確に
測定できる。
っている場合は、被測定光プラグ１を本受光装置から取
り外した時に該シャットダウン機能が動作し、安全機能
が損なわれない。さらに、被測定光プラグ１を本受光装
置に取り付けると、該短尺フェルール２の出射端でフレ
ネル反射は防止され、伝送時の光出力が安定かつ正確に
測定できる。
【００１９】以上、この発明の実施形態を図面を参照し
て詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限ら
れるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
て詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限ら
れるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、高反射減衰量型受光装置において、グレーデッドイ
ンディクスファイバが設けられ、片端をＰＣ研磨、他端
を斜め研磨した短尺フェルールを用いることにより、測
定の安定度、測定の確度を向上させることができる。さ
らに、レセプタクル固定用ブロックと受光素子固定用ブ
ロックを取り外し可能にすることにより、交換コストを
低減できる。また、光源にシャットダウン機能をもつ場
合の測定においても、被測定光プラグを本受光装置に取
付た時のみシャットダウン機能は解除されるので、安全
に測定を行うことができる。
ば、高反射減衰量型受光装置において、グレーデッドイ
ンディクスファイバが設けられ、片端をＰＣ研磨、他端
を斜め研磨した短尺フェルールを用いることにより、測
定の安定度、測定の確度を向上させることができる。さ
らに、レセプタクル固定用ブロックと受光素子固定用ブ
ロックを取り外し可能にすることにより、交換コストを
低減できる。また、光源にシャットダウン機能をもつ場
合の測定においても、被測定光プラグを本受光装置に取
付た時のみシャットダウン機能は解除されるので、安全
に測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施形態による高反射減衰量型
受光装置の構成例を示す断面図である。
受光装置の構成例を示す断面図である。
【図２】 同実施形態におけるフレネル反射防止の原理
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】 同実施形態による高反射減衰量型受光装置の
構成例を示す断面図である。
構成例を示す断面図である。
【図４】 同実施形態による高反射減衰量型受光装置の
構成例の詳細を示す断面図である。
構成例の詳細を示す断面図である。
【図５】 従来の高反射減衰量型受光装置の構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】 従来の高反射減衰量型受光装置の他の構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１……被測定光プラグ、 ２……短尺フェルール、 ３
……レセプタクル、４……受光素子、 ５……受光素子
固定用ブロック、６……グレーデッドインディクスファ
イバ、７……レセプタクル固定用ブロック、 ８……光
ファイバ、 ９……光源
……レセプタクル、４……受光素子、 ５……受光素子
固定用ブロック、６……グレーデッドインディクスファ
イバ、７……レセプタクル固定用ブロック、 ８……光
ファイバ、 ９……光源
Claims (4)
- 【請求項１】 光ファイバの一端を保持し、その出射端
にはＰＣ研磨が施されている被測定光プラグ１と、 内部にグレーデッドインディクスファイバ６を有すると
共に、その入射端にはＰＣ研磨が施されており、その出
射端には斜め研磨が施されている短尺フェルール２と、 被測定光プラグ１の出射端と短尺フェルール２の入射端
とを接触接続するレセプタクル３と、 短尺フェルール２内のグレーデッドインディクスファイ
バ６を伝播した光を受光する受光素子４と、 短尺フェルール２の出射端と受光素子４の受光面とを向
き合わせて固定する受光素子固定用ブロック５とを具備
することを特徴とする高反射減衰量型受光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の高反射減衰量型受光装置
において、 レセプタクル３を受光素子固定用ブロック５にネジで取
り外し可能に固定するレセプタクル固定用ブロック７を
具備することを特徴とする高反射減衰量型受光装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２のいずれかに記
載の高反射減衰量型受光装置において、 前記ＰＣ研磨はＲ２０〜６０の球面研磨であることを特
徴とする高反射減衰量型受光装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の高反射減衰量型受光装置において、 短尺フェルール２の出射端と受光素子４の受光面とが平
行であることを特徴とする高反射減衰量型受光装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP8225667A JPH1068843A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 高反射減衰量型受光装置 |
| US08/915,954 US5937122A (en) | 1996-08-27 | 1997-08-21 | High-reflection attenuating light interception apparatus |
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| MYPI97003901A MY118007A (en) | 1996-08-27 | 1997-08-26 | High-reflection attenuating light interception apparatus |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8225667A JPH1068843A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 高反射減衰量型受光装置 |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH1068843A true JPH1068843A (ja) | 1998-03-10 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP8225667A Pending JPH1068843A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 高反射減衰量型受光装置 |
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| EP (1) | EP0826998A3 (ja) |
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