JPH1065218A - 光学系用ｌｅｄ - Google Patents
光学系用ｌｅｄInfo
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- JPH1065218A JPH1065218A JP8222194A JP22219496A JPH1065218A JP H1065218 A JPH1065218 A JP H1065218A JP 8222194 A JP8222194 A JP 8222194A JP 22219496 A JP22219496 A JP 22219496A JP H1065218 A JPH1065218 A JP H1065218A
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- Japan
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- light
- led
- optical system
- monitor
- radiation
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4738—Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
- G01N21/474—Details of optical heads therefor, e.g. using optical fibres
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学系の光源にＬＥＤを採用するとき、測定
用の光量がＬＥＤの駆動条件および環境で変化する。 【解決手段】測定に供する放射光の一部をモニター光と
して取り出せるように、ＬＥＤの放射方向端部を斜めカ
ットし、その傾斜面で全反射した放射光を測定光として
供する一方、前記傾斜面に含まれる微細な凹凸で散乱し
た光をモニター光として得る。
用の光量がＬＥＤの駆動条件および環境で変化する。 【解決手段】測定に供する放射光の一部をモニター光と
して取り出せるように、ＬＥＤの放射方向端部を斜めカ
ットし、その傾斜面で全反射した放射光を測定光として
供する一方、前記傾斜面に含まれる微細な凹凸で散乱し
た光をモニター光として得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種分析装置に組
み込まれる光学系の光源として採用されるＬＥＤに関
し、特にモニター光を取り出せるようにした光学系用Ｌ
ＥＤおよびこのＬＥＤを具備するモニター機能付き光学
系に関する。
み込まれる光学系の光源として採用されるＬＥＤに関
し、特にモニター光を取り出せるようにした光学系用Ｌ
ＥＤおよびこのＬＥＤを具備するモニター機能付き光学
系に関する。
【０００２】
【従来の技術】光源より発した光を測定対象に当てた時
に得られる反射光や透過光の強度から測定対象の反射率
(もしくは透過率)を測定する分析装置が臨床検査におい
て多用されており、小型のものにあってはしばしば光源
としてＬＥＤが採用される。
に得られる反射光や透過光の強度から測定対象の反射率
(もしくは透過率)を測定する分析装置が臨床検査におい
て多用されており、小型のものにあってはしばしば光源
としてＬＥＤが採用される。
【０００３】図１に示した光学系においては、プレート
５１に対して下方よりＬＥＤ５２の放射光Ｑ1を測定光
Ｑ2として当て、そのプレート５１よりの反射光Ｑ2'を
光センサ５３で検出し、その光強度からプレート５１上
の試薬の反射率を測定している。
５１に対して下方よりＬＥＤ５２の放射光Ｑ1を測定光
Ｑ2として当て、そのプレート５１よりの反射光Ｑ2'を
光センサ５３で検出し、その光強度からプレート５１上
の試薬の反射率を測定している。
【０００４】ところでＬＥＤは温度、電流(電圧)の変化
あるいは経年変化により、その発光量は変化し、発光量
が変化すれば、当然、測定値に誤差が生じる。従って、
測定の毎に測定時の光量を調べ、その光量の変化に応じ
て測定値を補正する必要がある。
あるいは経年変化により、その発光量は変化し、発光量
が変化すれば、当然、測定値に誤差が生じる。従って、
測定の毎に測定時の光量を調べ、その光量の変化に応じ
て測定値を補正する必要がある。
【０００５】放射光の光量変化を検出するには、通常、
図１に示したように、ＬＥＤ５２の放射光経路の途中に
ビームスプリッタやハーフミラー５４を配置することに
より、測定光Ｑ2とは別に光量検出用のモニター光Ｑ3を
取り出してその光量を光センサ５５で検出するか、ある
いは図２に示したように、ＬＥＤ５２の発光要素５２ａ
の側面から僅かに放射される光をモニター光Ｑ3'として
検出し、その光量から間接的に測定光Ｑ2の光量を知る
ようにしている。
図１に示したように、ＬＥＤ５２の放射光経路の途中に
ビームスプリッタやハーフミラー５４を配置することに
より、測定光Ｑ2とは別に光量検出用のモニター光Ｑ3を
取り出してその光量を光センサ５５で検出するか、ある
いは図２に示したように、ＬＥＤ５２の発光要素５２ａ
の側面から僅かに放射される光をモニター光Ｑ3'として
検出し、その光量から間接的に測定光Ｑ2の光量を知る
ようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１の
ように、ＬＥＤ５２の前方にビームスプリッタやハーフ
ミラー５４を配置することは、光学系が複雑化してサイ
ズも大きくなることから、装置の小型化を妨げていた。
ように、ＬＥＤ５２の前方にビームスプリッタやハーフ
ミラー５４を配置することは、光学系が複雑化してサイ
ズも大きくなることから、装置の小型化を妨げていた。
【０００７】図３は、ＬＥＤの放射特性を示しており、
Ｇ1のデータは、正面(放射角度０°)における放射強度
を１としたものであり、右側方(９０°)では放射強度は
０.３になっている。Ｇ2は、ＬＥＤの印加電圧(電流)を
低下させ、正面における放射強度を１/２に減光したも
のであり、このときの右側方(左側方でも同じ)は、ほぼ
０.１まで低下しており、このようにＧ1とＧ２との放射
強度比は印加電圧によって異なり、放射光指向特性は一
定でない。
Ｇ1のデータは、正面(放射角度０°)における放射強度
を１としたものであり、右側方(９０°)では放射強度は
０.３になっている。Ｇ2は、ＬＥＤの印加電圧(電流)を
低下させ、正面における放射強度を１/２に減光したも
のであり、このときの右側方(左側方でも同じ)は、ほぼ
０.１まで低下しており、このようにＧ1とＧ２との放射
強度比は印加電圧によって異なり、放射光指向特性は一
定でない。
【０００８】図４は、ＬＥＤの駆動電圧および駆動電流
を一定とし、横軸を放射角度(正面方向を０°)、前後軸
を温度(５〜４０℃)として、縦軸に、各放射角度および
各温度における放射強度Ｉを３次元グラフにして表した
ものである。但し、図３で示したように放射角度によっ
て変化するが、図４では放射温度５℃のラインで一律に
“１"に規格化している。この図４でわかるように、周
囲温度が高くなると、放射強度が上昇しているが、その
上昇の程度が各放射角度で異なっている。つまり、温度
が変化すれば、正面方向の測定光Ｑ1と側方のモニター
光Ｑ3'との比が放射角度によって異なり、放射光指向特
性が変化する。
を一定とし、横軸を放射角度(正面方向を０°)、前後軸
を温度(５〜４０℃)として、縦軸に、各放射角度および
各温度における放射強度Ｉを３次元グラフにして表した
ものである。但し、図３で示したように放射角度によっ
て変化するが、図４では放射温度５℃のラインで一律に
“１"に規格化している。この図４でわかるように、周
囲温度が高くなると、放射強度が上昇しているが、その
上昇の程度が各放射角度で異なっている。つまり、温度
が変化すれば、正面方向の測定光Ｑ1と側方のモニター
光Ｑ3'との比が放射角度によって異なり、放射光指向特
性が変化する。
【０００９】このように印加電圧および周囲温度の変化
でＬＥＤの放射光指向特性が変わるという事実を本発明
者は見い出している。このように放射光指向特性が変化
する原因は、各デバイスの固体差や、発光要素における
電極接合精度の僅かな違いにより、発光要素５２ａに流
れる電流密度が変化すること等によるものと考えられ
る。従って側方に放射される光Ｑ3'をモニター光として
検出しても、そのときの測定光Ｑ1の光量を正確に知る
ことはできず、よって正確な測定値を得ることはできな
い。
でＬＥＤの放射光指向特性が変わるという事実を本発明
者は見い出している。このように放射光指向特性が変化
する原因は、各デバイスの固体差や、発光要素における
電極接合精度の僅かな違いにより、発光要素５２ａに流
れる電流密度が変化すること等によるものと考えられ
る。従って側方に放射される光Ｑ3'をモニター光として
検出しても、そのときの測定光Ｑ1の光量を正確に知る
ことはできず、よって正確な測定値を得ることはできな
い。
【００１０】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、測定に供する放射光の一部をモニ
ター光として取り出せる光学系用ＬＥＤ、およびそれを
具備したモニター機能付き光学系を提供することを目的
とする。
なされたものであり、測定に供する放射光の一部をモニ
ター光として取り出せる光学系用ＬＥＤ、およびそれを
具備したモニター機能付き光学系を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】ビームスプリッタやハー
フミラーを使用せず、かつ測定に供される放射光の一部
をモニター光として取り出すには、請求項１にあるよう
に、ＬＥＤから直接にモニター光を取り出す必要があ
る。そのためには、図５に示すように、ＬＥＤの放射方
向端部、つまり、レンズが形成された先端部に、Ｗで示
す微細な凹凸を形成することにより、放射光の大半は測
定光Ｑ2として放射されるが、放射光の一部はその箇所
で散乱し、その散乱光をモニター光Ｑ3に用いることが
できる。この場合、測定光Ｑ2とモニター光Ｑ3とが同一
方向に放射されるため、両光の選別が容易でない。
フミラーを使用せず、かつ測定に供される放射光の一部
をモニター光として取り出すには、請求項１にあるよう
に、ＬＥＤから直接にモニター光を取り出す必要があ
る。そのためには、図５に示すように、ＬＥＤの放射方
向端部、つまり、レンズが形成された先端部に、Ｗで示
す微細な凹凸を形成することにより、放射光の大半は測
定光Ｑ2として放射されるが、放射光の一部はその箇所
で散乱し、その散乱光をモニター光Ｑ3に用いることが
できる。この場合、測定光Ｑ2とモニター光Ｑ3とが同一
方向に放射されるため、両光の選別が容易でない。
【００１２】そこで図６では、異なる方向に放射される
ように、放射方向端面に二つの反射面Ｒ1，Ｒ2を形成し
ている。ここで、モニター光Ｑ3は測定光Ｑ2の数％でよ
いが、元々、発光要素５２ａから放射されるビーム径φ
は、１〜１.５ｍｍと極めて小さく、よって、測定光と
モニター光とをそのような比率で配分できる反射面を形
成するのは困難である。
ように、放射方向端面に二つの反射面Ｒ1，Ｒ2を形成し
ている。ここで、モニター光Ｑ3は測定光Ｑ2の数％でよ
いが、元々、発光要素５２ａから放射されるビーム径φ
は、１〜１.５ｍｍと極めて小さく、よって、測定光と
モニター光とをそのような比率で配分できる反射面を形
成するのは困難である。
【００１３】そこで図７に示したように、放射方向端部
を斜めにカットした一つの反射面Ｒを形成し、放射光を
この反射面Ｒで全反射させて測定光Ｑ2を得るととも
に、反射面Ｒに微細な凹凸Ｗを形成することにより、そ
こで放射光の一部を散乱させ、モニター光Ｑ3を得る。
この場合、測定光Ｑ2とモニター光Ｑ3とは異なる方向に
放射されるため、図５に関して述べたような問題は生じ
ない。
を斜めにカットした一つの反射面Ｒを形成し、放射光を
この反射面Ｒで全反射させて測定光Ｑ2を得るととも
に、反射面Ｒに微細な凹凸Ｗを形成することにより、そ
こで放射光の一部を散乱させ、モニター光Ｑ3を得る。
この場合、測定光Ｑ2とモニター光Ｑ3とは異なる方向に
放射されるため、図５に関して述べたような問題は生じ
ない。
【００１４】しかしながら、放射光Ｑのビーム径は小さ
く、凹凸Ｗで数％のモニター光が得るには、極めて微細
な凹凸Ｗを精密よく形成しなてはならず、やはり困難が
伴う。
く、凹凸Ｗで数％のモニター光が得るには、極めて微細
な凹凸Ｗを精密よく形成しなてはならず、やはり困難が
伴う。
【００１５】このような点に鑑み本発明者は、安定的に
数％のモニター光を得る方策を模索しているうちに、反
射面Ｒにわざわざ凹凸を設けなくても数％の散乱光が得
られることを発見した。その理由は、前記反射面Ｒをモ
ールド加工にて形成する場合でも、切り取り加工する場
合であっても、一般の加工精度では、加工面に完全な鏡
面にはなっておらず、微細の凹凸が自然に存在してい
る。その凹凸によって放射光の一部が散乱してモニター
光Ｑ3が得られるためである。その構成が請求項３で請
求したものである。
数％のモニター光を得る方策を模索しているうちに、反
射面Ｒにわざわざ凹凸を設けなくても数％の散乱光が得
られることを発見した。その理由は、前記反射面Ｒをモ
ールド加工にて形成する場合でも、切り取り加工する場
合であっても、一般の加工精度では、加工面に完全な鏡
面にはなっておらず、微細の凹凸が自然に存在してい
る。その凹凸によって放射光の一部が散乱してモニター
光Ｑ3が得られるためである。その構成が請求項３で請
求したものである。
【００１６】請求項１ないし３で述べたＬＥＤを用いて
請求項４のごとく光学系を構成すれば、測定光の光量を
特定できるモニター機能付きの光学系を提供できる。
請求項４のごとく光学系を構成すれば、測定光の光量を
特定できるモニター機能付きの光学系を提供できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図８は、本発明の１形態である光
学系用ＬＥＤ２ａを採用した光学系２を示している。プ
レート１上の測定部位１ａに対して下方から光を投射す
るものにあっては、プレート１の下方に光学系２が位置
し、その光学系２自身は基板３上に実装される。
学系用ＬＥＤ２ａを採用した光学系２を示している。プ
レート１上の測定部位１ａに対して下方から光を投射す
るものにあっては、プレート１の下方に光学系２が位置
し、その光学系２自身は基板３上に実装される。
【００１８】光学系２において、光学系用ＬＥＤ２ａは
横向きに設けられ、その放射方向端部(先端部)の凸状レ
ンズ部が削除され、替わりに４５°方向の傾斜面Ｒが形
成される。これにより、ＬＥＤの放射光Ｑ1はその傾斜
面Ｒで全反射することにより、その全反射光は測定光Ｑ
2として上方に進む。その測定光Ｑ2が発散しないよう、
ＬＥＤ２ａには新たに上方に凸部をもつレンズＰが形成
されている。
横向きに設けられ、その放射方向端部(先端部)の凸状レ
ンズ部が削除され、替わりに４５°方向の傾斜面Ｒが形
成される。これにより、ＬＥＤの放射光Ｑ1はその傾斜
面Ｒで全反射することにより、その全反射光は測定光Ｑ
2として上方に進む。その測定光Ｑ2が発散しないよう、
ＬＥＤ２ａには新たに上方に凸部をもつレンズＰが形成
されている。
【００１９】その測定光Ｑ2はプレート１に照射して反
射するが、光センサ２ｂは４５°方向の反射光Ｑ2'を受
光できるよう所定の位置に配設される。２ｄは温度セン
サである。
射するが、光センサ２ｂは４５°方向の反射光Ｑ2'を受
光できるよう所定の位置に配設される。２ｄは温度セン
サである。
【００２０】前記の傾斜面Ｒは、通常のモールド加工で
形成されたものであり、その程度の加工精度では、既述
したように、完全な鏡面にはなっておらず、微細ではあ
るがその表面には多数の凹凸が存在する。従って、前記
の放射光Ｑ1の一部は傾斜面Ｒにて散乱して前方方向に
散乱光Ｑ3が放射される。光センサ２ｅはその散乱光Ｑ3
を検出するために設けられたものである。この場合のよ
うに、放射光Ｑ1の一部を散乱光Ｑ3として検出する場
合、測定光Ｑ2と散乱光Ｑ3との割合はＬＥＤの駆動条件
に関係なく常に一定であるため、散乱光Ｑ3を検出する
ことにより、測定光Ｑ2の光量を正確に知ることができ
る。
形成されたものであり、その程度の加工精度では、既述
したように、完全な鏡面にはなっておらず、微細ではあ
るがその表面には多数の凹凸が存在する。従って、前記
の放射光Ｑ1の一部は傾斜面Ｒにて散乱して前方方向に
散乱光Ｑ3が放射される。光センサ２ｅはその散乱光Ｑ3
を検出するために設けられたものである。この場合のよ
うに、放射光Ｑ1の一部を散乱光Ｑ3として検出する場
合、測定光Ｑ2と散乱光Ｑ3との割合はＬＥＤの駆動条件
に関係なく常に一定であるため、散乱光Ｑ3を検出する
ことにより、測定光Ｑ2の光量を正確に知ることができ
る。
【００２１】尚、図８では、各要素２ａ、２ｂ、２ｅを
全部を表示するために平面上に並べて示したが、光学系
２を小型にするため、実際には立体的に配設されてい
る。図８において左側方から眺めたのが図９であり、こ
の図９でわかるように、光センサ２ｂは、測定光Ｑ2に
対し、右側方４５°方向の反射光Ｑ2'を受光できるよう
配設されている。尚、図９において光センサ２ｅおよび
温度センサ２ｄは図示していない。
全部を表示するために平面上に並べて示したが、光学系
２を小型にするため、実際には立体的に配設されてい
る。図８において左側方から眺めたのが図９であり、こ
の図９でわかるように、光センサ２ｂは、測定光Ｑ2に
対し、右側方４５°方向の反射光Ｑ2'を受光できるよう
配設されている。尚、図９において光センサ２ｅおよび
温度センサ２ｄは図示していない。
【００２２】各要素２ａ，２ｂ，２ｄ，２ｅは、遮光性
の樹脂２ｃにより、モールド成形により一体化されるこ
とで光学系２を完成している。但し、光Ｑの行路となる
箇所は中空Ｖになっている。又、測定部位１ａの温度を
検出しやすいように温度センサ２ｄを光学系２内に埋設
して設けたが、従来例のように基板３上に実装してもよ
い。
の樹脂２ｃにより、モールド成形により一体化されるこ
とで光学系２を完成している。但し、光Ｑの行路となる
箇所は中空Ｖになっている。又、測定部位１ａの温度を
検出しやすいように温度センサ２ｄを光学系２内に埋設
して設けたが、従来例のように基板３上に実装してもよ
い。
【００２３】以下に本光学系２を用い、モニター光Ｑ3
に基づき測定光Ｑ2の光量を正確に知り、正確な反射率
を測定する方法を述べる。最初に反射率(例えば５０％)
が既知の試験片をプレート１の替わりにセットし、ＬＥ
Ｄ２ａの点灯により、光センサ２ｂにより、４４ｍＶの
反射光の検出電圧が検出され、光センサ２ｅにより、
４.２ｍＶのモニター光出力が検出されたとする。
に基づき測定光Ｑ2の光量を正確に知り、正確な反射率
を測定する方法を述べる。最初に反射率(例えば５０％)
が既知の試験片をプレート１の替わりにセットし、ＬＥ
Ｄ２ａの点灯により、光センサ２ｂにより、４４ｍＶの
反射光の検出電圧が検出され、光センサ２ｅにより、
４.２ｍＶのモニター光出力が検出されたとする。
【００２４】次に、測定対象の試薬を有するプレートを
セットすると、反射光出力が１２ｍＶであり、モニター
光出力は４.２ｍＶのままであれば、その試薬の反射率
σは、σ＝５０×１２／４４＝１３.６％で得られる。
セットすると、反射光出力が１２ｍＶであり、モニター
光出力は４.２ｍＶのままであれば、その試薬の反射率
σは、σ＝５０×１２／４４＝１３.６％で得られる。
【００２５】一方、反射光出力が１２ｍＶであったが、
モニター光出力が４.２ｍから４.０ｍＶに低下(ＬＥＤ
の光出力が４.０/４.２倍に低下)していた場合、その試
薬の反射率σは、σ＝５０×(１２/４４)÷(４.０/４.
２)＝１４.３％となる。
モニター光出力が４.２ｍから４.０ｍＶに低下(ＬＥＤ
の光出力が４.０/４.２倍に低下)していた場合、その試
薬の反射率σは、σ＝５０×(１２/４４)÷(４.０/４.
２)＝１４.３％となる。
【００２６】これよりわかるように、反射率Ｐ％の試験
片をセットしたときの反射光出力Ａ、モニター光出力Ｂ
を予め測定しておき、異なる状況下で測定対象のプレー
トをセットしたときの反射光出力がＣでモニター光出力
がＤならば、そのプレートの試薬の反射率σは、 σ＝Ｐ×(Ｂ／Ａ)×(Ｃ／Ｄ) で得られ、Ｐ，Ｂ，Ａを予め測定しておけば、測定時
に、ＬＥＤ２ａの駆動条件(電圧および周囲温度)が変わ
っても、単にＣ，Ｄの値を測定するだけで正確な反射率
σを知ることができる。
片をセットしたときの反射光出力Ａ、モニター光出力Ｂ
を予め測定しておき、異なる状況下で測定対象のプレー
トをセットしたときの反射光出力がＣでモニター光出力
がＤならば、そのプレートの試薬の反射率σは、 σ＝Ｐ×(Ｂ／Ａ)×(Ｃ／Ｄ) で得られ、Ｐ，Ｂ，Ａを予め測定しておけば、測定時
に、ＬＥＤ２ａの駆動条件(電圧および周囲温度)が変わ
っても、単にＣ，Ｄの値を測定するだけで正確な反射率
σを知ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ＬＥＤ
の放射方向端面に微細な凹凸を形成し(これは一般のモ
ールド成形等の加工精度で自然に生じるものでよい)、
その凹凸部で生じた散乱光をモニター光として検出する
ものであり、このように、測定光の一部をモニター光と
して取り出すため、ＬＥＤの動作特性が変化しても、測
定光とモニター光との光量比は一定であり、従ってモニ
ター光の検出により、正確な測定光の光量を知ることが
でき、それ故、正確な測定値を得ることができる。
の放射方向端面に微細な凹凸を形成し(これは一般のモ
ールド成形等の加工精度で自然に生じるものでよい)、
その凹凸部で生じた散乱光をモニター光として検出する
ものであり、このように、測定光の一部をモニター光と
して取り出すため、ＬＥＤの動作特性が変化しても、測
定光とモニター光との光量比は一定であり、従ってモニ
ター光の検出により、正確な測定光の光量を知ることが
でき、それ故、正確な測定値を得ることができる。
【図１】 従来の光学系を示した図
【図２】 従来の光学系を示した図
【図３】 本発明のＬＥＤの放射光指向特性を示した図
【図４】 温度変化によるＬＥＤの放射光指向特性を示
した図
した図
【図５】 本発明の１形態を示した図
【図６】 本発明の１形態を示した図
【図７】 本発明の１形態を示した図
【図８】 本発明の１形態のＬＥＤを採用した光学系を
示した図
示した図
【図９】 図８の光学系を側方から眺めた図８
１ プレート ２ 光学系 ２ａ ＬＥＤ ２ｂ 光センサ ２ｃ 樹脂 ２ｄ 温度センサ ２ｅ 光センサ ３ 基板
Claims (4)
- 【請求項１】 各種分析装置の光学系に光源として採用
されるＬＥＤであり、測定に供する放射光の一部をモニ
ター光として取り出せるようにしたことを特徴とする光
学系用ＬＥＤ。 - 【請求項２】 ＬＥＤの放射方向端部に、微細な凹凸を
形成することにより、その箇所で放射光の一部を散乱さ
せてモニター光を得る請求項１記載の光学系用ＬＥＤ。 - 【請求項３】 ＬＥＤの放射方向端部を斜めカットし、
その傾斜面で全反射した放射光を測定光として供する一
方、前記傾斜面で僅かに散乱した光をモニター光として
得る請求項１記載の光学系用ＬＥＤ。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載のＬ
ＥＤと、前記ＬＥＤよりの放射光を測定対象に当てて得
られる反射光もしくは透過光を検出する第１の光センサ
と、前記ＬＥＤよりのモニター光を検出する第２の光セ
ンサとを備え、第２の光センサで検出したモニター光に
基づき測定光の光量を特定することを特徴とするモニタ
ー機能付き光学系。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222194A JPH1065218A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 光学系用ｌｅｄ |
| US08/916,174 US5910663A (en) | 1996-08-23 | 1997-08-21 | Optical system and light emitting diode having a light dividing surface portion |
| EP97114541A EP0825432A3 (de) | 1996-08-23 | 1997-08-22 | Leuchtdiode und optische Vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222194A JPH1065218A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 光学系用ｌｅｄ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065218A true JPH1065218A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16778629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8222194A Pending JPH1065218A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 光学系用ｌｅｄ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5910663A (ja) |
| EP (1) | EP0825432A3 (ja) |
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